JP4693262B2

JP4693262B2 - パッシブマトリクス型の発光装置

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Publication number: JP4693262B2
Application number: JP2001086499A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎; 健司福永
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-03-27
Filing date: 2001-03-26
Publication date: 2011-06-01
Anticipated expiration: 2021-03-26
Also published as: JP2001345185A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極間に発光性材料を挟んだ素子（以下、発光素子という）を有する装置（以下、発光装置という）およびその作製方法に関する。特に発光性材料としてＥＬ（Electro Luminescence）が得られる発光性材料（以下、ＥＬ材料という）を利用した発光素子（以下、ＥＬ素子という）を用いた発光装置（以下、ＥＬ発光装置）に関する。なお、有機ＥＬディスプレイや有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）は本発明の発光装置に含まれる。
【０００２】
また、本発明に用いることのできるＥＬ材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励起を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべての発光性材料を含む。
【０００３】
【従来の技術】
ＥＬ発光装置は、陽極と陰極との間にＥＬ材料を挟んだ構造のＥＬ素子を有した構造からなる。この陽極と陰極との間に電圧を加えてＥＬ材料中に電流を流することによりキャリアを再結合させて発光させる。即ち、ＥＬ発光装置は発光素子自体に発光能力があるため、液晶表示装置に用いるようなバックライトが不要である。さらに視野角が広く、軽量であるという利点をもつ。
【０００４】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型）ＥＬ発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部にＥＬ材料が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。即ち、陽極と陰極との間に電圧を加えてＥＬ材料中に電流を流することによりキャリアを再結合させて発光させる。このような駆動方法は電流駆動と呼ばれる。
【０００５】
ところが、電流駆動であるＥＬ発光装置で問題となる現象に配線抵抗による電圧降下（ＩＲドロップともいう）がある。これは同一配線であっても電源からの距離が遠くなるに従って電圧が低下してしまうという現象である。この問題は特に配線長が長くなった場合に顕著であり、ＥＬ発光装置の大画面化にとって大きな障害となっている。
【０００６】
特にパッシブマトリクス型ＥＬ発光装置においては、陽極として一般的に可視光に対して透明な酸化物導電膜を用いるが、酸化物導電膜は金属膜よりも抵抗が高いという問題があり、前述の電圧降下の影響を受けやすい。
【０００７】
このような配線抵抗に起因する電圧降下や信号の遅延は画質の均質性を著しく損ねたり、残像現象を起こしたり、大画面化の弊害となったりする恐れがある。こういった問題は、対角数十インチといった発光装置においては特に顕著な問題となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、発光素子の電極となる導電膜の配線抵抗を低減することにより発光装置の画質の均質性を向上させ、表示品質の高い発光装置を提供することを課題とする。また、大画面化にも対応しうる発光装置を提供することを課題とする。さらに、その発光装置を表示部として用いた表示品質の高い電気器具を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では、酸化物導電膜からなる陽極の配線抵抗を低減するために、陽極に電気的に接続されるように補助配線を設け、陽極の配線抵抗を低減することを特徴とする。
【００１０】
この補助配線は金属膜からなる配線を用いて形成すれば良く、陽極を形成する材料との選択比が確保できる材料を用いることが望ましい。具体的には、白金、パラジウム、ニッケル、金、アルミニウム、銅、銀、タンタル、タングステン、モリブデンもしくはチタンを含む金属膜を用いることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明について図１（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。なお、図１（Ａ）は本発明の発光装置の画素部の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）をＢ−Ｂ’で切断した断面図である。但し、ここで示す発光装置は発光素子を封止する前の状態である。
【００１２】
本発明の発光装置は、まず絶縁体１０１上に陽極１０２が設けられている。絶縁体１０１はガラス基板、プラスチック基板（プラスチックフィルムを含む）、金属基板もしくはセラミックス基板の上に絶縁膜を設けたものを用いても良いし、石英基板をそのまま用いても良い。
【００１３】
陽極１０２は帯状（線状といっても良い）に複数並べられ、全体として縞状（ストライプ状）に配置されている。また、陽極１０２としては仕事関数の大きい導電膜が用いられ、典型的には可視光に対して透明な酸化物導電膜が用いられる。酸化物導電膜としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛もしくはこれらの化合物からなる導電膜を用いることができる。さらに、これらの酸化物導電膜にガリウムを添加したものであっても良い。
【００１４】
そして、本発明の特徴は陽極１０２に電気的に接するように補助配線１０３が設けられる点にある。補助配線１０３は陽極１０２の配線抵抗を見かけ上低減するための配線であり、陽極１０２よりも低抵抗な導電膜を用いることが好ましい。代表的には、白金、パラジウム、ニッケル、金、アルミニウム、銅、銀、タンタル、タングステン、モリブデンもしくはチタンを含む金属膜を用いると良い。但し、陽極１０２との選択比が十分確保できることが望ましい。
【００１５】
また、補助配線１０３が可視光に対して不透明である場合は、極力小さい面積で陽極１０２と電気的に接するように設けることが好ましい。この際、電気的に接してさえいれば本発明の効果が得られるので、陽極１０２の上に設けられても下に設けられても良い。
【００１６】
なお、図１（Ｂ）に示すように補助配線１０３は分離絶縁膜１０４に覆われている。分離絶縁膜１０４は、隣接する陽極間に設けられ、陽極１０２の端部にＥＬ層１０６が形成されないように分離する役割を担う絶縁膜である。分離絶縁膜１０４としては珪素を含む絶縁膜、代表的には酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜もしくは炭化珪素膜を用いることができる。
【００１７】
また、図１（Ｂ）に示す構造ではさらに補助配線１０３とＥＬ層１０６とが接することがないようにする役割も担うことになる。これは補助配線１０３とＥＬ層１０６とが接することにより発光機構そのものに変化を与えることがないようにするための配慮である。もちろん、影響がなければ補助配線１０３とＥＬ層１０６とが接するような構造とすることも可能である。
【００１８】
また、陽極１０２と直交するようにバンク１０５が設けられている。バンク１０５はこの上に形成されるＥＬ層１０６および陰極１０７をパターニングするためのマスク材として用いられる絶縁膜である。バンク１０５は樹脂からなる絶縁膜（以下、樹脂膜という）を用いて形成すれば良い。樹脂としては、典型的にはポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはノボラック樹脂を用いることができる。
【００１９】
また、バンク１０５は下層側の幅が狭く、下向きに凸形状となっているが、このような形状はエッチングレートの異なる二層の絶縁膜を組み合わせることで実現できる。即ち、上層側より下層側のエッチングレートが早い組み合わせとすれば、等方性エッチングで下層側の幅を狭くすることが可能である。
【００２０】
さらに、バンク１０５と平行に（陽極１０２と直交するように）ＥＬ層１０６および陰極１０７が設けられる。これらはバンク１０５によって帯状に分離され、全体としてストライプ状に設けられている。もちろん、帯状に分離された個々の陰極は電気的に絶縁されている。
【００２１】
なお、本明細書においてＥＬ層とは、ＥＬ素子において陽極と陰極との間に設けられた絶縁層もしくは半導体層を指し、様々な有機膜もしくは無機膜を組み合わせて形成される層である。典型的には、ＥＬ層は少なくとも発光層を含み、発光層に電荷注入層や電荷輸送層を組み合わせて用いられる。また、ＥＬ層１０６としては、有機ＥＬ材料、無機ＥＬ材料もしくはそれらを組み合わせたＥＬ材料を用いる。また、有機ＥＬ材料を用いる場合、低分子材料を用いても高分子材料を用いても良く、公知の如何なる材料を用いても良い。
【００２２】
また、陰極１０７は仕事関数の小さい導電膜が用いられ、典型的には周期表の１族もしくは２族に属する元素を含む導電膜が用いられる。代表的にはマグネシウム、リチウム、セシウム、ベリリウム、カリウムもしくはカルシウムを含む合金膜が用いられる。また、ビスマス膜を用いることもできる。
【００２３】
以上の陽極１０２、ＥＬ層１０６および陰極１０７がＥＬ素子１００を形成する。実際には、ＥＬ素子１００の上に樹脂膜を封止材として設けるか、ＥＬ素子１００の上に密閉空間を作るかして、ＥＬ素子１００を外気から保護する。これはＥＬ層１０６や陰極１０７が酸化することで劣化してしまうため、酸素および水に極力触れないようにするためである。
【００２４】
以上にような構造を含む本発明の発光装置は、酸化物導電膜からなる陽極１０２にそれよりも低抵抗な補助配線１０３を接続することで、陽極１０２の配線抵抗を見かけ上低減することができる。従って、電圧降下による画質の均質性のムラを回避することが可能となり、表示品質の高い発光装置が得られる。
【００２５】
【実施例】
〔実施例１〕
本発明の発光装置の一実施例を図２に示す。発光素子を形成するための基板２０１上には画素部２０２が形成されている。画素部２０２は走査線（ここでは陽極および補助配線を含む積層配線）群２０３とデータ線（ここでは陰極）群２０４が互いに直交するように交差している。このとき交差した部分（以下、交差部という）は走査線とデータ線とにＥＬ材料が挟まれたＥＬ素子が形成される。このとき画素部２０２は図１に示した構造の画素部である。
【００２６】
また、画素部２０２の周辺（外側）の領域には、画素部２０２へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたＩＣがＣＯＧ方式により実装されている。本実施例ではこのＩＣが、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものである点に特徴がある。本明細書ではこのような特徴を有するＩＣをスティックドライバと呼ぶ。もちろん、シリコン基板上に公知のＩＣ技術により駆動回路を形成したＩＣチップを用いることも可能である。
【００２７】
図２において、２０５はデータ線側のスティックドライバであり、２０６は走査線側のスティックドライバである。なお、ここでは複数個に分割して実装した例を示しているが、各１個づつとしても良い。また、カラー表示に対応した画素部を形成するためには、ＸＧＡクラスでデータ線の本数が３０７２本であり走査線側が７６８本必要となる。このような数で形成されたデータ線及び走査線は画素部２０２の端部で数ブロック毎に区分して引出線２０７を形成し、スティックドライバ２０５、２０６の出力端子のピッチに合わせて集められている。
【００２８】
一方、基板２０１の端部には入力端子２０８が形成され、この部分で外部回路と接続するＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Flexible Printed Circuit）を貼り合わせる。そして、外部入力端子２０８とスティックドライバとの間は基板２０１上に形成した接続配線２０９によって結ばれ、最終的にはスティックドライバの入力端子のピッチに合わせて集められる。
【００２９】
駆動回路が形成されたスティックドライバは図３に示すように、駆動回路を形成するための基板（ここではガラス基板）３０１上に形成され、ＴＦＴで形成された駆動回路３０２と、入力端子３０３および出力端子３０４が設けられている。基板３０１の材料としては、図２の基板２０１と熱膨張係数の近い材料を用いることが望ましく、ガラス、石英ガラスもしくはプラスチックを用いることが望ましい。熱膨張係数の近い材料を用いると、熱を加えた際に応力の発生を最小限に抑制することができ、応力に起因する接続不良や動作不良を回避できる。
【００３０】
また、駆動回路３０２のＴＦＴは、活性層（能動層）、特にチャネル形成領域が多結晶半導体膜もしくは単結晶半導体膜で形成されている。多結晶半導体膜および単結晶半導体膜はいずれも公知の技術で形成されたもので良い。また、ＴＦＴ構造にも特に限定はない。
【００３１】
図３に示すようなスティックドライバを基板２０１上に実装する方法は異方導電性材料もしくはメタルバンプを用いた接続方法またはワイヤボンディング方式を採用することができる。特に、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズとの化合物からなる酸化物）からなる配線上にスティックドライバを形成する場合は異方導電性材料を用いた接続方法が好ましい。
【００３２】
図４にその一例を示す。図４（Ａ）は基板４０１にスティックドライバ４０２が異方導電性材料を用いて実装された例を示している。基板４０１上には画素部４０３、引出線４０４、入力端子４０５、接続配線（図示せず）が設けられている。なお、画素部４０３はカバー材４０６およびシール材４０７により密閉空間４０８に封入され外気から保護されている。
【００３３】
また、入力端子４０５の一方の端にはＴＣＰ４０９が異方導電性材料で接着されている。異方導電性材料は樹脂４１０と表面が金属メッキされた直径数十〜数百μmの導電性粒子４１１からなり、導電性粒子４１１によりスティックドライバ側の入力端子４１２もしくはＴＣＰ４０９と引出線４０４もしくは入力端子４０５とが電気的に接続されている。
【００３４】
また、図４（Ｂ）で示すように基板４０１にスティックドライバを接着材４１５で固定して、金属ワイヤ４１６によりスティックドライバ４０２の入力端子４１２と引出線４０４もしくは入力端子４０５とを電気的に接続しても良い。この場合、接続したスティックドライバ４０２は樹脂膜４１７で封入する。
【００３５】
なお、スティックドライバの実装方法は図４に示した方法に限定されるものではなく、公知の実装方法を用いることが可能である。
【００３６】
〔実施例２〕
本発明の発光装置の一実施例を図５に示す。図５（Ａ）は本発明の発光装置の上面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図に相当する。まず、図５（Ａ）の上面図について説明する。
【００３７】
図５（Ａ）において、５０１は基板であり、ここではプラスチック材を用いる。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＳ（ポリエチレンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を板状もしくはフィルム状にして用いることができる。
【００３８】
５０２は酸化物導電膜からなる走査線（陽極）であり、本実施例では酸化亜鉛に酸化ガリウムを添加した酸化物導電膜を用いる。このとき走査線５０２の上には図１と同様にニッケル配線５０３が設けられている（図５（Ａ）参照）。
【００３９】
また、５０４は金属膜からなるデータ線（陰極）であり、本実施例ではビスマス膜を用いる。また、５０５はアクリル樹脂からなるバンクであり、データ線５０４を分断するための隔壁として機能する。走査線５０２とデータ線５０４は両方ともストライプ状に複数本形成されており、互いに直交するように設けられる。なお、図５（Ａ）では図示されないが、走査線５０２とデータ線５０４の間にはＥＬ層が挟まれており、５０６で示される交差部が画素となる。
【００４０】
５０７は走査線側スティックドライバであり、ＴＦＴで形成された駆動回路を含んでいる。ここでは駆動回路をプラスチック基板上に形成しているが、ガラス基板上に形成しても構わない。なお、スティックドライバ５０７の構造は図３で説明した通りである。また、一つのスティックドライバを設けた例を示しているが、複数個に分割して設けても構わない。
【００４１】
５０８はデータ線側スティックドライバであり、ＴＦＴで形成された駆動回路を含んでいる。ここでも駆動回路をプラスチック基板上に形成している。また、スティックドライバ５０８も図３で説明した構造である。また、一つのスティックドライバを設けた例を示しているが、複数個に分割して設けても構わない。
【００４２】
なお、データ線５０４は配線端で接続配線５０９と電気的に接続され、接続配線５０９がスティックドライバ５０８と接続される。これはスティックドライバ５０８をバンク５０５上に設けることが困難だからである。
【００４３】
以上のような構成で設けられた走査線側スティックドライバ５０７は接続配線５１０aおよび入力端子５１１を介してＦＰＣ５１２に接続される。また、データ線側スティックドライバ５０８は接続配線５１０bおよび入力端子５１１を介してＦＰＣ５１２に接続される。
【００４４】
また、５１３はシール材、５１４はシール材５１３によりプラスチック材５０１に貼り合わせたカバー材である。シール材５１３としては光硬化樹脂を用いれば良く、脱ガスが少なく、吸湿性の低い材料が好ましい。また、カバー材としては基板５０１と同一の材料が好ましく、ガラス（石英ガラスを含む）もしくはプラスチックを用いることができる。ここではプラスチック材を用いる。
【００４５】
次に、図５（Ｂ）の断面図について説明する。なお、図５（Ａ）と同一の部分は同一の符号を用いて説明する。
【００４６】
図５（Ｂ）において、５１５で示された領域は画素の構造を示しており、この拡大図を図５（Ｃ）に示す。５１６はＥＬ層であり、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層もしくは電子注入層を適宜組み合わせて形成する。勿論、発光層を単層で用いても良い。ＥＬ層５１６を形成する構造および材料は公知のものを用いれば良い。
【００４７】
なお、図５（Ｃ）に示すようにバンク５０５は下層の幅が上層の幅よりも狭い形状となっており、データ線５０４を物理的に分断する。
【００４８】
また、図５（Ｂ）に示すように、走査線側スティックドライバ５０７は異方導電性材料５１７を用いて走査線５０２および接続配線５１０aに電気的に接続されている。また同様にＦＰＣ５１２も異方導電性材料５１８を用いて接続配線５１０aに電気的に接続されている。
【００４９】
また、シール材５１３で囲まれた画素部５１９は、樹脂からなる封止材５２０により外気から遮断され、ＥＬ層の劣化を防ぐ構造となっている。
【００５０】
以上のような構成を含む本発明の発光装置は、画素部５１９が走査線５０２、補助配線５０３、データ線５０４、バンク５０５およびＥＬ層５１６で形成されるため、非常に簡単なプロセスで作製することができる。さらに、補助配線５０３を設けたことで走査線５０２の配線抵抗を低減することができ、表示品質の高い発光装置とすることができる。
【００５１】
また、本実施例に示した発光装置の表示面（画像を観測する面）に偏光板を設けても良い。この偏光板は、外部から入射した光の反射を抑え、観測者が表示面に映り込むことを防ぐ効果を有する。一般的には円偏光板が用いられている。但し、ＥＬ層から発した光が偏光板により反射されて内部に戻されることを防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすることが望ましい。
【００５２】
また、駆動回路となるスティックドライバ５０７、５０８を別工程で作製して実装する。その結果、特に煩雑なプロセスを必要とせずに発光装置を作製することができるため歩留まりが高く、製造コストを下げることができる。
【００５３】
〔実施例３〕
本実施例では、本発明の発光装置における回路構成の一実施例を図６に示す。画素部６０１は複数の走査線とデータ線で形成され、複数のＥＬ素子が形成される。その周辺の領域には走査線側ドライバ６０２及びデータ線側ドライバ６０３が設けられ、これらのドライバ（駆動回路）にスティックドライバが用いられる。このスティックドライバの構造は図３、図４を用いて説明した通りである。
【００５４】
これらのスティックドライバは入力端子６０４と接続されている。このように、画素部６０１が形成された基板上には、走査線側ドライバ６０２、データ線側ドライバ６０３および入力端子６０４が形成されている。
【００５５】
また、コントロール回路６０６、安定化電源６０７、オペアンプを含む電源回路６０８のうちコントロール回路６０６と電源回路６０８はプリント配線板に実装し、ＦＰＣを用いて入力端子６０４に接続される。また、ＦＰＣの一方の端にはインターフェースコネクタ６０９が設けられ、これを介してクロック信号及びデータ信号６０５、画質信号６１１が上記プリント配線板に入力される。また、安定化電源６０７からの電源信号もインターフェースコネクタ６０９を介して上記プリント配線板に入力される。
【００５６】
なお、外部から入力されるクロック信号及びデータ信号６０５は、スティックドライバの入力仕様に変換するためのコントロール回路６０６に入力され、それぞれのタイミング仕様に変換される。
【００５７】
なお、本実施例の回路構成は、実施例１もしくは実施例２に示した発光装置に適用することが可能である。
【００５８】
〔実施例４〕
本実施例では、図１において補助配線１０３の別の配置例を図７、図８に示す。図７（Ａ）〜（Ｄ）は陽極１０２に補助配線を設けた状態である。
【００５９】
図７（Ａ）では陽極１０２の端部を覆うように補助配線７０１が設けられている。図７（Ｂ）では陽極１０２の片側の端部を覆うように補助配線７０２が設けられている。この場合、図７（Ａ）よりも広い面積で陽極１０２と補助配線７０２が接しているので抵抗値は図７（Ａ）の場合に比べて遜色ない。
【００６０】
また、図７（Ｃ）は補助配線７０３の端部を覆うように陽極７０４が設けられており、陽極７０４に対して二つの補助配線が設けられている。一方、図７（Ｄ）の構造では、図７（Ｂ）と同様に補助配線７０５を覆うように陽極７０６が設けられているが、陽極７０６に対して一つの補助配線を設けた構造となっている。この場合も、図７（Ｂ）で説明したように、図７（Ｃ）よりも広い面積で陽極７０６と補助配線７０５が接しているので抵抗値は図７（Ｃ）の場合に比べて遜色ない。
【００６１】
また、図８（Ａ）は陽極１０２に対して梯子状の補助配線８０１を設けた例である。この場合、後にバンク１０５が形成される部分（点線で示される）の下に補助配線８０１の一部を隠すことにより、画素の有効発光面積を減らすことなく、効果的に陽極１０２の抵抗を下げることが可能である。
【００６２】
さらに、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の変形例であり、補助配線８０２を形成した後で陽極８０３を設けている。補助配線８０２の形状は図８（Ａ）に示した補助配線８０１と同一形状である。
【００６３】
もちろん、補助配線の設け方は本実施例の構造に限定されるものではない。なるべく少ない面積で陽極と接するように設けることで、画素の有効発光面積を減少させることなく抵抗値を下げることが望ましい。そのためには、図８のようにバンクなどの非発光部分を活用することが好ましい。
【００６４】
なお、本実施例の構成は、実施例１もしくは実施例２と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００６５】
〔実施例５〕
実施例１〜４では、絶縁体の上に陽極および補助配線、ＥＬ層、陰極の順に積層していく場合について説明したが、陰極、ＥＬ層、陽極および補助配線の順に積層していくことも可能である。
【００６６】
前者は絶縁体を通過した光を観測することになるのに対して、後者は絶縁体から離れる方向に光が放射される。
【００６７】
なお、本実施例の構成は実施例１〜４のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００６８】
〔実施例６〕
実施例１〜３で用いるスティックドライバの作製方法について図９を用いて説明する。ここでは駆動回路を形成する基本単位としてＣＭＯＳ回路を作製する場合の例について説明する。
【００６９】
まず、図９（Ａ）に示すように、ガラス基板９００上に下地膜９０１を３００ｎｍの厚さに形成する。本実施例では下地膜９０２として窒化酸化珪素膜を積層して用いる。この時、ガラス基板９００に接する方の窒素濃度を１０〜２５ｗｔ％としておくと良い。
【００７０】
次に下地膜９０１の上に５０ｎｍの厚さの非晶質珪素膜（図示せず））を公知の成膜法で形成する。なお、非晶質珪素膜に限定する必要はなく、非晶質構造を含む半導体膜（微結晶半導体膜を含む）であれば良い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でも良い。また、膜厚は２０〜１００ｎｍの厚さであれば良い。
【００７１】
そして、公知の技術により非晶質珪素膜を結晶化し、結晶質珪素膜（多結晶シリコン膜若しくはポリシリコン膜ともいう）９０２を形成する。公知の結晶化方法としては、電熱炉を使用した熱結晶化方法、レーザー光を用いたレーザーアニール結晶化法、赤外光を用いたランプアニール結晶化法がある。
【００７２】
本実施例では特開平７−１３０６５２号公報に記載された技術を用い、非晶質珪素膜にニッケルを添加し、ファーネスアニールを行って結晶化させる。ニッケルは結晶化を促進させる触媒として用いられる。
【００７３】
なお、本実施例では結晶質珪素膜をＴＦＴの活性層として用いるが、非晶質珪素膜を用いることも可能である。また、オフ電流を低減する必要のあるスイッチング用ＴＦＴの活性層を非晶質珪素膜で形成し、電流制御用ＴＦＴの活性層を結晶質珪素膜で形成することも可能である。非晶質珪素膜はキャリア移動度が低いため電流を流しにくくオフ電流が流れにくい。即ち、電流を流しにくい非晶質珪素膜と電流を流しやすい結晶質珪素膜の両者の利点を生かすことができる。
【００７４】
次に、図９（Ｂ）に示すように、結晶質珪素膜９０２上に酸化珪素膜でなる保護膜９０３を１３０ｎｍの厚さに形成する。この厚さは１００〜２００ｎｍ（好ましくは１３０〜１７０ｎｍ）の範囲で選べば良い。また、珪素を含む絶縁膜であれば他の膜でも良い。この保護膜９０３は不純物を添加する際に結晶質珪素膜が直接プラズマに曝されないようにするためと、微妙な濃度制御を可能にするために設ける。
【００７５】
そして、その上にレジストマスク９０４を形成し、保護膜９０３を介してｎ型を付与する不純物元素（以下、ｎ型不純物元素という）を添加する。なお、ｎ型不純物元素としては、代表的には周期表の１５族に属する元素、典型的にはリン又は砒素を用いることができる。なお、本実施例ではフォスフィン（ＰＨ₃）を質量分離しないでプラズマ励起したプラズマドーピング法を用い、リンを１×１０¹⁸atoms/cm³の濃度で添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いても良い。
【００７６】
この工程により形成されるｎ型不純物領域９０５には、ｎ型不純物元素が２×１０¹⁶〜５×１０¹⁹atoms/cm³（代表的には５×１０¹⁷〜５×１０¹⁸atoms/cm³）の濃度で含まれるようにドーズ量を調節する。
【００７７】
次に、図９（Ｃ）に示すように、結晶質珪素膜の不要な部分を除去して、後にｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体膜９０６および後にｎチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体膜９０７を形成する。
【００７８】
次に、図９（Ｄ）に示すように、半導体膜９０６、９０７を覆ってゲート絶縁膜９０８を形成する。ゲート絶縁膜９０８としては、１０〜２００ｎｍ、好ましくは５０〜１５０ｎｍの厚さの珪素を含む絶縁膜を用いれば良い。これは単層構造でも積層構造でも良い。
【００７９】
次に、２００〜４００ｎｍ厚の導電膜を形成し、パターニングしてゲート電極９０９、９１０を形成する。このゲート電極９０９、９１０の端部をテーパー状にすることもできる。また、ゲート電極は単層の導電膜で形成しても良いが、必要に応じて二層、三層といった積層膜とすることが好ましい。ゲート電極の材料としては公知のあらゆる導電膜を用いることができる。
【００８０】
代表的には、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素でなる膜、または前記元素の窒化物膜（代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜）、または前記元素を組み合わせた合金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ合金、Ｍｏ−Ｔａ合金）、または前記元素のシリサイド膜（代表的にはタングステンシリサイド膜、チタンシリサイド膜）を用いることができる。勿論、単層で用いても積層して用いても良い。
【００８１】
本実施例では、５０ｎｍ厚の窒化タングステン（ＷＮ）膜と、３５０ｎｍ厚のタングステン（Ｗ）膜とでなる積層膜を用いる。これはスパッタ法で形成すれば良い。また、スパッタガスとしてＸｅ、Ｎｅ等の不活性ガスを添加すると応力による膜はがれを防止することができる。
【００８２】
またこの時、ゲート電極９１０はｎ型不純物領域９０５の一部とゲート絶縁膜９０８を挟んで重なるように形成する。この重なった部分が後にゲート電極と重なったＬＤＤ領域となる。
【００８３】
次に、図９（Ｅ）に示すように、レジスト９１１を形成し、ｎ型不純物元素（本実施例ではリン）を添加して高濃度にリンを含む不純物領域９１２〜９１５を形成する。ここでもフォスフィン（ＰＨ₃）を用いたイオンドープ法で行い、この領域のリンの濃度は１×１０²⁰〜１×１０²¹atoms/cm³（代表的には２×１０²⁰〜５×１０²¹atoms/cm³）となるように調節する。この工程によってｎチャネル型ＴＦＴのソース領域若しくはドレイン領域が形成される。
【００８４】
この工程では、ｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体膜９０６にもｎ型不純物領域９１２、９１３を形成する点に特徴がある。この領域は非晶質珪素膜の結晶化に用いたニッケルをゲッタリングするために後工程で必要となる。
【００８５】
次に、図９（Ｆ）に示すように、レジストマスク９１１を除去し、新たにレジスト９１６を形成する。そして、ｐ型不純物元素（本実施例ではボロン）を添加し、高濃度にボロンを含む不純物領域９１７、９１８を形成する。ここではジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を用いたイオンドープ法により３×１０²⁰〜３×１０²¹atoms/cm³（代表的には５×１０²⁰〜１×１０²¹atoms/cm³ノ）濃度となるようにボロンを添加する。
【００８６】
なお、９１９、９２０で示される領域には既に１×１０²⁰〜１×１０²¹atoms/cm³の濃度でリンが添加されているが、ここで添加されるボロンはその少なくとも３倍以上の濃度で添加される。そのため、予め形成されていたｎ型の不純物領域は完全にＰ型に反転し、Ｐ型の不純物領域として機能する。
【００８７】
次に、レジストマスク９１６を除去した後、図９（Ｇ）に示すように、それぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型不純物元素を活性化する。活性化手段としては、ファーネスアニール法、レーザーアニール法、またはランプアニール法で行うことができる。本実施例では電熱炉において窒素雰囲気中、５５０℃、４時間の熱処理を行う。
【００８８】
このとき、結晶化の際に用いたニッケルがチャネル形成領域９２１、９２２からｎ型不純物領域９１４、９１５およびｐ型不純物領域９１９、９２０の方へ移動してゲッタリング（捕獲）される。即ち、ｎ型不純物領域９１４、９１５およびｐ型不純物領域９１９、９２０に含まれたリンによりニッケルがゲッタリングされる。この工程によりチャネル形成領域９２１、９２２のニッケル濃度を１×１０¹⁷atoms/cm³以下（好ましくは１×１０¹⁶atoms/cm³以下）とすることができる。また逆に、ｎ型不純物領域９１４、９１５およびｐ型不純物領域９１９、９２０にはニッケルが偏析して５×１０¹⁸atoms/cm³以上（代表的には１×１０¹⁹〜５×１０²⁰atoms/cm³）濃度で存在するようになる。
【００８９】
次に、図９（Ａ）に示すように、層間絶縁膜９２３を形成する。層間絶縁膜９２３としては、珪素を含む絶縁膜を単層で用いるか、その中で組み合わせた積層膜を用いれば良い。また、膜厚は４００ｎｍ〜１．５μmとすれば良い。本実施例では、２００ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜の上に８００ｎｍ厚の酸化珪素膜を積層した構造とする。
【００９０】
さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い水素化処理を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体膜の不対結合手を水素終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【００９１】
なお、水素化処理は層間絶縁膜９２３を形成する間に入れても良い。即ち、２００ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜を形成した後で上記のように水素化処理を行い、その後で残り８００ｎｍ厚の酸化珪素膜を形成しても構わない。
【００９２】
次に、第１層間絶縁膜９２３に対してコンタクトホールを形成し、ソース配線９２４、９２５と、ドレイン配線９２６を形成する。このとき同時に図３に示す入力端子３０３および出力端子３０４を形成すれば良い。なお、本実施例ではこの電極を、Ｔｉ（チタン）膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００ｎｍおよびＴｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続形成した３層構造の積層膜とする。勿論、他の導電膜でも良い。
【００９３】
次に、５０〜５００ｎｍ（代表的には２００〜３００ｎｍ）の厚さでパッシベーション膜９２７を形成する。本実施例ではパッシベーション膜９２７として３００ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜を用いる。これは窒化珪素膜で代用しても良い。
【００９４】
なお、窒化酸化珪素膜の形成に先立ってＨ₂、ＮＨ₃等水素を含むガスを用いてプラズマ処理を行うことは有効である。この前処理により励起された水素が層間絶縁膜９２３に供給され、熱処理を行うことで、パッシベーション膜９２７の膜質が改善される。それと同時に、層間絶縁膜９２３に添加された水素が下層側に拡散するため、効果的に活性層を水素化することができる。
【００９５】
こうして図９（Ｈ）に示す構造のｐチャネル型ＴＦＴ９３１およびｎチャネル型ＴＦＴ９３２を相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路が完成する。本実施例の場合、ｐチャネル型ＴＦＴ９３１の活性層はソース領域９１７、ドレイン領域９１８およびチャネル形成領域９２１で形成される。
【００９６】
また、ｎチャネル型９３２の活性層は、ソース領域９１５、ドレイン領域９１４、ＬＤＤ領域９３５およびチャネル形成領域９２２を含み、ＬＤＤ領域９３５はゲート絶縁膜９０８を挟んでゲート電極９１０と重なっている。このＬＤＤ領域９３５のうち、ゲート電極９１０と重なっている領域のチャネル長方向の長さは０．５〜３．０μｍ、好ましくは１．０〜２．０μｍとする。
【００９７】
このような構造はホットキャリア効果による劣化を抑制する上で非常に有効である。但し、ドレイン領域９１４側のみにＬＤＤ領域９３５を形成しているのは、動作速度を落とさないための配慮である。ホットキャリア効果はドレイン領域とチャネル形成領域の接合部付近で問題となるため、ドレイン領域側に設けられていれば十分に効果が得られる。勿論、ソース領域側に同様に設けても良い。
【００９８】
本実施例はＣＭＯＳ回路の作製方法を説明しているが、実際にはＣＭＯＳ回路、ＮＭＯＳ回路もしくはＰＭＯＳ回路を組み合わせて駆動回路を形成する。その際、ＰＭＯＳ回路の作製にはｐチャネル型ＴＦＴ９３１の作製方法を、ＮＭＯＳ回路の作製にはｎチャネル型ＴＦＴ９３２の作製方法を参照すれば良い。
【００９９】
なお、本実施例の構成は実施例１〜５のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１００】
〔実施例７〕
本実施例では、多面取りプロセスにより１枚の大型ガラス基板上から複数の発光装置を作製する場合について図１０に示す。
【０１０１】
ガラス基板１００１上には複数の画素部１００２が形成されている。本実施例では１枚のガラス基板上に九つの画素部、即ち、九つの発光装置が形成されることになる。また、各画素は図１に示すような構造からなり、図中のＸ方向に陽極１００３が形成され、Ｙ方向に陰極１００４が形成されている。
【０１０２】
本実施例では、陽極１００３が全て同電位となるように個々の陽極を接続するための配線（以下、陽極接続配線という）１００５が形成され、陽極パッド１００６に電圧を加えればその電圧が全て陽極に伝わるようになっている。また、陰極１００４が全て同電位となるように個々の陰極を接続するための配線（以下、陰極接続配線という）１００７が形成され、陰極パッド１００８に電圧を加えればその電圧が全て陰極に伝わるようになっている。
【０１０３】
本実施例では、これらの陽極接続配線１００５および陰極接続配線１００７を静電対策に活用する点に特徴がある。即ち、全てが同電位になっていれば突発的に大きな電圧が配線間に加わることもないため、絶縁破壊等を効果的に抑制することができる。
【０１０４】
ここで、点線で囲まれた領域１０００の拡大図を図１１（Ａ）に示す。なお、１１０５は補助配線である。
【０１０５】
図１１（Ａ）に示すように、陽極接続配線１００５と陰極接続配線１００７とは同時に形成されている。即ち、両者は同一の金属膜で同一の層に形成されている。このとき、陽極接続配線１００５は陽極１００３と同時に形成されたバッファ配線１１０１で連結された部分を有する。また、陰極接続配線１００７は陽極１００３と同時に形成されたバッファ配線１１０２、１１０３および陰極１００７と同時に形成されたバッファ配線１１０４で連結された部分を有する。
【０１０６】
ここで図１１（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図を図１１（Ｂ）に、Ｂ−Ｂ’で切断した断面図を図１１（Ｃ）に、Ｃ−Ｃ’で切断した断面図を図１１（Ｄ）に示す。なお、１１０６は分離絶縁膜である。
【０１０７】
バッファ配線１１０１〜１１０３は、陽極と同一材料からなる配線であり、典型的には酸化物導電膜からなる配線である。酸化物導電膜は金属膜に比べて抵抗値が高いため、バッファ配線は一種の抵抗体として機能することになる。そのため、陽極接続配線１００５もしくは陰極接続配線１００７に大電流が流れたとしても、バッファ配線で緩衝され、複数の発光装置に被害が及ぶのを防ぐことが可能となる。
【０１０８】
また、発光装置が完成したら、ダイサーもしくはスクライバーを用いて基板１００１を分断し、発光装置を個々に分離すれば良い。このとき、陽極接続配線１００５や陰極接続配線１００７も分断してしまえば、各発光装置は電気的に孤立した状態となる。
【０１０９】
なお、基板１００１を分断する前もしくは分断した後に、必要に応じて実施例１〜６に示したスティックドライバを設けることも可能である。
【０１１０】
〔実施例８〕
本発明において、三重項励起子からの燐光を発光に利用できるＥＬ材料を用いることで、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。これにより、ＥＬ素子の低消費電力化、長寿命化、および軽量化が可能になる。
ここで、三重項励起子を利用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。
(T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)
上記論文に報告されたＥＬ材料（クマリン色素）の分子式を以下に示す。
【０１１１】
【化１】

【０１１２】
(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shoustikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Nature 395 (1998) p.151.)
上記論文に報告されたＥＬ材料（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。
【０１１３】
【化２】

【０１１４】
(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (1999) p.4.)
(T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.)
上記論文に報告されたＥＬ材料（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。
【０１１５】
【化３】

【０１１６】
以上のように三重項励起子からの燐光発光を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実現が可能となる。なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例７のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１１７】
〔実施例９〕
本発明を実施して形成された発光装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具の表示部として用いることができる。その際、本発明の発光装置はパッシブ型の発光装置でありながらも配線抵抗を減らすことで大画面化を可能としているため、用途も幅広いものとすることができる。
【０１１８】
本発明の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、カーナビゲーションシステム、カーオーディオ、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはコンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク（ＬＤ）又はデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それら電気器具の具体例を図１２に示す。
【０１１９】
図１２（Ａ）はＥＬディスプレイであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３を含む。本発明の発光装置は表示部２００３に用いることができる。ＥＬディスプレイは自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることができる。なお、表示部２００３に用いる発光装置にスティックドライバを設ける場合は、数十個に分割して設けることが好ましい。
【０１２０】
図１２（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６を含む。本発明の発光装置は表示部２１０２に用いることができる。なお、表示部２１０２に用いる発光装置にスティックドライバを設ける場合は、数個に分割して設けることが好ましい。
【０１２１】
図１２（Ｃ）はデジタルカメラであり、本体２２０１、表示部２２０２、接眼部部２２０３、操作スイッチ２２０４を含む。本発明の発光装置は表示部２２０２に用いることができる。なお、表示部２２０２に用いる発光装置にスティックドライバを設ける場合は、数個に分割して設けることが好ましい。
【０１２２】
図１２（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０１、記録媒体（ＣＤ、ＬＤまたはＤＶＤ等）２３０２、操作スイッチ２３０３、表示部（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０５を含む。表示部（ａ）は主として画像情報を表示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には、ＣＤ再生装置、ゲーム機器なども含まれうる。なお、表示部（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０５に用いる発光装置にスティックドライバを設ける場合は、数十個に分割して設けることが好ましい。
【０１２３】
図１２（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピュータであり、本体２４０１、表示部２４０２、受像部２４０３、操作スイッチ２４０４、メモリスロット２４０５を含む。本発明の電気光学装置は表示部２４０２に用いることができる。この携帯型コンピュータはフラッシュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり、それを再生したりすることができる。なお、表示部２４０２に用いる発光装置にスティックドライバを設ける場合は、数個に分割して設けることが好ましい。
【０１２４】
図１２（Ｆ）はパーソナルコンピュータであり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、キーボード２５０４を含む。本発明の発光装置は表示部２５０３に用いることができる。なお、表示部２５０３に用いる発光装置にスティックドライバを設ける場合は、数十個に分割して設けることが好ましい。
【０１２５】
なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０１２６】
また、上記電子装置はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速度は非常に高いため、そのような動画表示を行うに適している。
【０１２７】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話やカーオーディオのような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【０１２８】
ここで図１３（Ａ）は携帯電話であり、本体２６０１、音声出力部２６０２、音声入力部２６０３、表示部２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ２６０６を含む。本発明の発光装置は表示部２６０４に用いることができる。なお、表示部２６０４は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０１２９】
また、図１３（Ｂ）はカーオーディオであり、本体２７０１、表示部２７０２、操作スイッチ２７０３、２７０４を含む。本発明の発光装置は表示部２７０２に用いることができる。また、本実施例では車載用カーオーディオを示すが、据え置き型のカーオーディオに用いても良い。なお、表示部２７０４は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。なお、表示部２７０４に用いる発光装置にスティックドライバを設ける場合は、数個に分割して設けることが好ましい。
【０１３０】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能である。また、本実施例の電気器具は実施例１〜８の構成を自由に組み合わせた発光装置を用いることで得ることができる。
【０１３１】
【発明の効果】
本発明を実施することでパッシブマトリクス型の発光装置において、特に酸化物導電膜からなる陽極の配線抵抗を低減することができる。そのため、配線抵抗に起因する画質の不均質性や配線遅延による残像現象を抑制することが可能となる。さらに、そのような発光装置を表示部に用いることで表示品質の高い電気器具を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発光装置の上面構造および断面構造を示す図。
【図２】発光装置の上面構造を示す図。
【図３】スティックドライバの断面構造を示す図。
【図４】スティックドライバの接続例を示す図。
【図５】発光装置の上面構造および断面構造を示す図。
【図６】発光装置および発光装置に入力される信号の構成を示す図。
【図７】補助配線の配置例を示す図。
【図８】補助配線の配置例を示す図。
【図９】スティックドライバの作製工程を示す図。
【図１０】多面取りプロセスの一例を示す図。
【図１１】多面取りプロセスの一例を示す図。
【図１２】電気器具の一例を示す図。
【図１３】電気器具の一例を示す図。

Claims

縞状に配置された、透明である材料からなる第１の直線状電極と、
前記第１の直線状電極の端部を覆う絶縁膜と、
前記第１の直線状電極及び前記絶縁膜の上に設けられ、且つ前記第１の直線状電極と交差するように縞状に配置されたバンクと、
前記第１の直線状電極、前記絶縁膜及び前記バンクの上に設けられ、且つ前記第１の直線状電極と交差するように縞状に配置された発光材料を含む層と、
前記発光材料を含む層の上に設けられ、且つ前記第１の直線状電極と交差するように縞状に配置された第２の直線状電極と、を有し、
前記第１の直線状電極には、前記第１の直線状電極の材料よりも抵抗率が低く不透明である材料からなる配線が電気的に接続され、
前記配線は、前記第１の直線状電極の両端に前記第１の直線状電極の長方向と平行な２本の直線領域を有し、且つ前記第１の直線状電極の短方向に前記２本の直線領域と接する複数本の領域を有することで梯子状に設置され、且つ前記絶縁膜に覆われており、
前記複数本の領域は前記バンクと重なっていることを特徴とするパッシブマトリクス型の発光装置。
請求項１において、
前記配線は、前記第１の直線状電極の上に接するように設けられていることを特徴とするパッシブマトリクス型の発光装置。
請求項１において、
前記配線は、前記第１の直線状電極の下に接するように設けられていることを特徴とするパッシブマトリクス型の発光装置。
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の直線状電極は、酸化物導電膜からなることを特徴とするパッシブマトリクス型の発光装置。