JPH01134895A - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents
薄膜ｅｌパネルInfo
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- JPH01134895A JPH01134895A JP62293326A JP29332687A JPH01134895A JP H01134895 A JPH01134895 A JP H01134895A JP 62293326 A JP62293326 A JP 62293326A JP 29332687 A JP29332687 A JP 29332687A JP H01134895 A JPH01134895 A JP H01134895A
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Landscapes
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜Ｅｌ−表示パネルに係わり、特に透明電極
ラインを低抵抗化したパネル構造に関するものである。
ラインを低抵抗化したパネル構造に関するものである。
蛍光体物質に電圧を印加することにより発光させる、い
わゆるエレクトロルミネセンス（ＥＬ）が１９３６年に
発見されて以来、面光源や表示装置への応用を目的とし
て多くの研究開発が行われてきた。その間、種々の素子
構造が検討されたが、現在ではＺｎＳ：Ｍｎ等の薄膜発
光層を使用した交流駆動の薄膜ＥＬ素子が発光輝度特性
、安定性に優れ、各種の表示装置として実用に共されて
いる。
わゆるエレクトロルミネセンス（ＥＬ）が１９３６年に
発見されて以来、面光源や表示装置への応用を目的とし
て多くの研究開発が行われてきた。その間、種々の素子
構造が検討されたが、現在ではＺｎＳ：Ｍｎ等の薄膜発
光層を使用した交流駆動の薄膜ＥＬ素子が発光輝度特性
、安定性に優れ、各種の表示装置として実用に共されて
いる。
第４図に代表的なＥＬ素子として刊行物「ニス・アイ・
デイ・７４・ダイジェスト・オブ・テクニカル・ペーパ
ーズ（ＳＩＤ ７４ ｄｉｇｅｓシｏｆ ｔｅｃｈｎｉ
ｃａｌｐａｐｅｒｓ） Ｉの８４頁に発表された２重絶
縁型薄膜Ｅ ｌ、素子の断面図を示す。この２種絶縁型
薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板４１上に透明型ｉ ４２
、第１絶縁層４３９発光層４４．第２絶縁層４５．背面
電極４６が順次積層された素子構造を有している。第１
及び第２絶縁ｅ４３．４５としては、Ｙ２０３ 、Ｔａ
２０５ 、Ｓｉｑ Ｎ４．５ｊ０２ 。
デイ・７４・ダイジェスト・オブ・テクニカル・ペーパ
ーズ（ＳＩＤ ７４ ｄｉｇｅｓシｏｆ ｔｅｃｈｎｉ
ｃａｌｐａｐｅｒｓ） Ｉの８４頁に発表された２重絶
縁型薄膜Ｅ ｌ、素子の断面図を示す。この２種絶縁型
薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板４１上に透明型ｉ ４２
、第１絶縁層４３９発光層４４．第２絶縁層４５．背面
電極４６が順次積層された素子構造を有している。第１
及び第２絶縁ｅ４３．４５としては、Ｙ２０３ 、Ｔａ
２０５ 、Ｓｉｑ Ｎ４．５ｊ０２ 。
ＢａＴｉＯ３，５ｒＴｉＯ，、ＡＣ３０３等の絶縁体薄
膜が真空蒸着やスパッタ、プラズマＣＶ Ｄ法により形
成される。また、発光層４４としては黄橙色に発光する
ＺｎＳ：Ｍｎが最も高輝度であり、−殻内に使用されて
いる。
膜が真空蒸着やスパッタ、プラズマＣＶ Ｄ法により形
成される。また、発光層４４としては黄橙色に発光する
ＺｎＳ：Ｍｎが最も高輝度であり、−殻内に使用されて
いる。
このような薄膜ＥＬパネルは完全な面発光であり視認性
に優れていると共に、時分割駆動性も良好であり、パー
ソナルコンピュータの表示装置等に使用されているが、
近年、ＥＬ表示装置のより一層の大面積化、大表示容量
化が強く望まれてきている。大面積化、大表示容量化の
実現には、透明電極の抵抗が高いことが大きな障害にな
っている。薄膜ＥＬパネルは発光時に大きな実効電流が
流れると共に、第４図の構造からも判るように、非常に
大きな容量性の素子であり、充放電のためにも大電流が
必要である。背面電極は抵抗の低いＡ（等の金属が使用
でき問題はないが、透明電極として使用されているＩＴ
Ｏ膜は良好なものでも１０Ω／口程度の面積抵抗を有し
ており、透明電極ラインのＣＲの時定数は相当大きい。
に優れていると共に、時分割駆動性も良好であり、パー
ソナルコンピュータの表示装置等に使用されているが、
近年、ＥＬ表示装置のより一層の大面積化、大表示容量
化が強く望まれてきている。大面積化、大表示容量化の
実現には、透明電極の抵抗が高いことが大きな障害にな
っている。薄膜ＥＬパネルは発光時に大きな実効電流が
流れると共に、第４図の構造からも判るように、非常に
大きな容量性の素子であり、充放電のためにも大電流が
必要である。背面電極は抵抗の低いＡ（等の金属が使用
でき問題はないが、透明電極として使用されているＩＴ
Ｏ膜は良好なものでも１０Ω／口程度の面積抵抗を有し
ており、透明電極ラインのＣＲの時定数は相当大きい。
この為、大面積化や大表示容量化に伴なって発光表示画
素に十分な電圧を印加することができなくなり、輝度の
低下や発光の不均一を生じる。また、透明電極ラインで
のジュール熱によりパネルが熱くなり、使用に不都合を
生じると共に、パネルの寿命に悪影響を与える。
素に十分な電圧を印加することができなくなり、輝度の
低下や発光の不均一を生じる。また、透明電極ラインで
のジュール熱によりパネルが熱くなり、使用に不都合を
生じると共に、パネルの寿命に悪影響を与える。
以上の理由から透明電極の低抵抗化が望まれているが、
低抵抗の透明導電材料の開発は非常に困難であり、比抵
抗の小さい金Ｒ膜を透明導電膜の脇に補助的に形成した
複合構造の電極ラインの採用が検討されている。最も単
純な構造を第５図に示す。これはストライプ上の透明導
電ＪＡＳ２に沿ってライン状の補助金属ｖ、５７が形成
されたものである。金属膜の比抵抗が小さいために透明
電極を実効的に低抵抗化することができる。補助金属膜
の形状は第５図の構造の他に、ＴＴＯラインの両側に形
成したり、あるいは梯子状の形状にしてもよい。
低抵抗の透明導電材料の開発は非常に困難であり、比抵
抗の小さい金Ｒ膜を透明導電膜の脇に補助的に形成した
複合構造の電極ラインの採用が検討されている。最も単
純な構造を第５図に示す。これはストライプ上の透明導
電ＪＡＳ２に沿ってライン状の補助金属ｖ、５７が形成
されたものである。金属膜の比抵抗が小さいために透明
電極を実効的に低抵抗化することができる。補助金属膜
の形状は第５図の構造の他に、ＴＴＯラインの両側に形
成したり、あるいは梯子状の形状にしてもよい。
補助金属膜を付加することにより透明電極を低抵抗化す
ることが、第５図の構造から判るように、補助金属ｐｌ
Ａ５７と背面電極５６の間で画定された部分の薄膜ＥＬ
発光層５４からの発光は表示に寄与せず、いたずらに消
費電力の増大をもたらす問題があった。また、薄膜ＥＬ
パネルでは製造時に導入された欠陥を核として絶縁破壊
による損ｆ３が発生するが、この破壊が補助金属膜５７
部分で生じた場合は致命的なライン欠陥になりやすい傾
向があり、歩留まりや信頼性の低下をもたらしていた。
ることが、第５図の構造から判るように、補助金属ｐｌ
Ａ５７と背面電極５６の間で画定された部分の薄膜ＥＬ
発光層５４からの発光は表示に寄与せず、いたずらに消
費電力の増大をもたらす問題があった。また、薄膜ＥＬ
パネルでは製造時に導入された欠陥を核として絶縁破壊
による損ｆ３が発生するが、この破壊が補助金属膜５７
部分で生じた場合は致命的なライン欠陥になりやすい傾
向があり、歩留まりや信頼性の低下をもたらしていた。
本発明はガラス基板上に透明導電膜と補助金属膜からな
る低抵抗化された透明電極ラインとと背面電極の間に発
光層及び絶縁層が挟まれた構成の薄ｐｌＡＥＩ、パネル
において、前記補助金属膜を覆うように補助金属膜用絶
縁膜が付加されていることを特徴とするものである。
る低抵抗化された透明電極ラインとと背面電極の間に発
光層及び絶縁層が挟まれた構成の薄ｐｌＡＥＩ、パネル
において、前記補助金属膜を覆うように補助金属膜用絶
縁膜が付加されていることを特徴とするものである。
ｒ作用〕
第１図に本発明のＥＬパネルの構造を示す。本発明の要
旨とするところは、透明導電膜２と補助金属膜７で構成
された透明電極において補助金属膜上に補助金属収用絶
縁膜８゛が形成されていることにある。発光層４や第１
及び第２絶縁層３，５は均一な膜厚で形成されるので、
補助金属膜７と背面電極６で挟まれた部分は透明導電膜
２と背面電極、６で挟まれた部分より補助金属膜用絶縁
膜８の厚さだけ厚くなっている。透明導電ｖ！２上の発
光層が発光する駆動電圧を電極間に印加した場合におい
ても補助金属膜用絶縁膜８をある程度厚くすることによ
り、この部分の発光開始電圧を駆動電圧以上にすること
ができ、無駄な発光をなくすことができる。また、補助
金属膜用絶縁膜の採用により、この部分の絶縁耐圧を高
くすることができるなめに、絶縁破壊によるライン切れ
欠陥の発生が抑制できる効果もある。
旨とするところは、透明導電膜２と補助金属膜７で構成
された透明電極において補助金属膜上に補助金属収用絶
縁膜８゛が形成されていることにある。発光層４や第１
及び第２絶縁層３，５は均一な膜厚で形成されるので、
補助金属膜７と背面電極６で挟まれた部分は透明導電膜
２と背面電極、６で挟まれた部分より補助金属膜用絶縁
膜８の厚さだけ厚くなっている。透明導電ｖ！２上の発
光層が発光する駆動電圧を電極間に印加した場合におい
ても補助金属膜用絶縁膜８をある程度厚くすることによ
り、この部分の発光開始電圧を駆動電圧以上にすること
ができ、無駄な発光をなくすことができる。また、補助
金属膜用絶縁膜の採用により、この部分の絶縁耐圧を高
くすることができるなめに、絶縁破壊によるライン切れ
欠陥の発生が抑制できる効果もある。
このような透明導電膜、補助金属膜、補助金属膜用絶縁
膜からなる構造は各膜を順次成膜、パターン化すること
で′ｇ！造することができるが、補助金属膜用絶縁膜と
して陽極酸化膜や熱酸化膜あるいは感光性樹脂膜を使用
した構成にすることにより比軸的簡単に製造することが
できる。
膜からなる構造は各膜を順次成膜、パターン化すること
で′ｇ！造することができるが、補助金属膜用絶縁膜と
して陽極酸化膜や熱酸化膜あるいは感光性樹脂膜を使用
した構成にすることにより比軸的簡単に製造することが
できる。
〔実施例１〕
本発明の実施例１について第２図の製造工程概念図に従
って説明する。
って説明する。
ガラス基板２１上に厚さ０．０５μｍ、面積抵抗５０Ω
／口（７）ＩＴＯＭを成膜し、０．３ｍｍピッチ、０．
２７＋ｎｍ幅にバタン化された透明導電膜２２を形成し
た（第２図（イ））。この上にＡｌを０．４μＩｎの厚
さに蒸着した後、透明導電膜に沿って幅０．０５＋ｎｍ
にバタン化した金属膜２３を形成したく第２図（ロ））
。この後、ホウ酸系の化成液によりＡηラインの表面を
陽極酸化した。
／口（７）ＩＴＯＭを成膜し、０．３ｍｍピッチ、０．
２７＋ｎｍ幅にバタン化された透明導電膜２２を形成し
た（第２図（イ））。この上にＡｌを０．４μＩｎの厚
さに蒸着した後、透明導電膜に沿って幅０．０５＋ｎｍ
にバタン化した金属膜２３を形成したく第２図（ロ））
。この後、ホウ酸系の化成液によりＡηラインの表面を
陽極酸化した。
この処理により、未酸化部の約０．２μｍのＡｆ！が補
助金属膜２４となると共に、陽極酸化により形成された
約０．２５μｒｎのＡｌ２０．膜が補助金属１１’２２
４を完全に覆った補助金属膜用絶縁膜２５として形成さ
れる（第２図（ハ））。ＡＩＩの比抵抗は、ＴＴＯの比
抵抗に対して２桁程度小さいために、幅０．０５ｍｍ厚
さ約０．２μｍの補助金属膜により透明電極の実効的抵
抗値を大幅に下げることができた。この上に通常の藩膜
ＥＬパネルを製造するのと同様の工程により、厚さ０．
４μｒｎのＺ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎ発光層、厚さＱ、３
μｍのＴ ａ Ａ １０スパツタ膜及び０．０８メ１ｍ
厚さのＡ、Ｒ２０，スパッタ膜の２層からなる第２絶縁
層を全面に形成した後、透明電極と直交した配置でＡｌ
の背面電極を０．３ｍｍピッチ、０．２２ｎｕａ幅で形
成した。
助金属膜２４となると共に、陽極酸化により形成された
約０．２５μｒｎのＡｌ２０．膜が補助金属１１’２２
４を完全に覆った補助金属膜用絶縁膜２５として形成さ
れる（第２図（ハ））。ＡＩＩの比抵抗は、ＴＴＯの比
抵抗に対して２桁程度小さいために、幅０．０５ｍｍ厚
さ約０．２μｍの補助金属膜により透明電極の実効的抵
抗値を大幅に下げることができた。この上に通常の藩膜
ＥＬパネルを製造するのと同様の工程により、厚さ０．
４μｒｎのＺ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎ発光層、厚さＱ、３
μｍのＴ ａ Ａ １０スパツタ膜及び０．０８メ１ｍ
厚さのＡ、Ｒ２０，スパッタ膜の２層からなる第２絶縁
層を全面に形成した後、透明電極と直交した配置でＡｌ
の背面電極を０．３ｍｍピッチ、０．２２ｎｕａ幅で形
成した。
このようにして作成した薄膜ＥＬパネルの透明導電膜と
背面電極で挟まれた表示部分では。
背面電極で挟まれた表示部分では。
１７０Ｖの印加電圧で発光を開始し、２００Ｖで実用的
な輝度が得られる。これに対して、陽極酸化膜が付加さ
れている補助金属膜と背面電極で挟まれた部分の発光開
始電圧は２２０■であり、このパネルの２００Ｖの動作
電圧では発光しない。
な輝度が得られる。これに対して、陽極酸化膜が付加さ
れている補助金属膜と背面電極で挟まれた部分の発光開
始電圧は２２０■であり、このパネルの２００Ｖの動作
電圧では発光しない。
また、この動作電圧では補助金属膜と背面電極間で絶縁
破壊の発生はなく安定であった。
破壊の発生はなく安定であった。
なお、本実施例では簡単のため補助金属膜は透明導電膜
上の一方の側に沿って形成された形状について説明した
が、勿論、透明導電膜の両側に形成してもよいし、ある
いは、更に抵抗を下げるために梯子状に形成してもよい
。勿論、補助金属膜の一部は透明導電膜をはみ出してガ
ラス基板上に形成されていてもよい。また、本実施例で
はＡ！２を補助金属膜として使用したが、ＡｉＩ以外に
も弁作用を有するＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ等を使用することが
、比抵抗、及び陽極酸化膜の誘電率の点でＡｌが最適で
ある。但し、高温での発光層の熱処理を行なう場合は耐
熱性の良いＴｉやＴａが適している。
上の一方の側に沿って形成された形状について説明した
が、勿論、透明導電膜の両側に形成してもよいし、ある
いは、更に抵抗を下げるために梯子状に形成してもよい
。勿論、補助金属膜の一部は透明導電膜をはみ出してガ
ラス基板上に形成されていてもよい。また、本実施例で
はＡ！２を補助金属膜として使用したが、ＡｉＩ以外に
も弁作用を有するＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ等を使用することが
、比抵抗、及び陽極酸化膜の誘電率の点でＡｌが最適で
ある。但し、高温での発光層の熱処理を行なう場合は耐
熱性の良いＴｉやＴａが適している。
〔実施例２〕
実施例１と同様にガラス基板上にＩＴＯ膜の透明導電膜
、及び透明導電膜に沿った金属膜のラインを形成した。
、及び透明導電膜に沿った金属膜のラインを形成した。
金属膜材料としてＴａを用いた。厚さは約０．６μｍと
した。この後、大気中５００℃で熱処理を行ないＴａ膜
表面を熱酸化した。未酸化の部分が補助金属膜となり、
熱酸化Ｔ’ａ２０５膜が補助金属用絶縁膜となる。この
上に第１絶縁層、発光層、第２絶縁層、背面電極を形成
し薄膜ＥＬパネルを完成した。
した。この後、大気中５００℃で熱処理を行ないＴａ膜
表面を熱酸化した。未酸化の部分が補助金属膜となり、
熱酸化Ｔ’ａ２０５膜が補助金属用絶縁膜となる。この
上に第１絶縁層、発光層、第２絶縁層、背面電極を形成
し薄膜ＥＬパネルを完成した。
〔実施例３〕
第３図は本発明の実施例３の製造工程の一部を示した図
である。
である。
ガラス基板３１上にＩＴＯから成る透明導電膜３２を形
成（第３図（イ））シた後、０．２μｒｎのＡ！２の金
属膜３３を形成する（第３図（ロ））。
成（第３図（イ））シた後、０．２μｒｎのＡ！２の金
属膜３３を形成する（第３図（ロ））。
この後、感光性樹脂を全面に塗布した後、ホトリソグラ
フィ技術により、透明導電ＰＩＡ３２に沿うようにバタ
ン化された補助金属膜用絶縁膜３４を形成した（第３図
（ハ））。本実施例では感光性樹脂として感光性ポリイ
ミドを使用し、バタン化した後、４００℃でキュアーし
た。厚さは約１μｍである。なお、ポリイミド以外に通
常のホトレジスト等を使用してもよい。最後に補助金属
膜用絶縁膜３４をマスクとしてＡ、ｆｆ膜をエツチング
して補助金属膜３５を形成した（第３図（ニ））９この
基板上に、実施例１と同じ絶縁層や発光層を形成し薄膜
Ｅ１−パネルを形成した。実施例１と同様の特性が得ら
れた。感光性樹脂を利用しているため発光層の熱処理温
度には制限を受けるが、工程は非常に簡単である。
フィ技術により、透明導電ＰＩＡ３２に沿うようにバタ
ン化された補助金属膜用絶縁膜３４を形成した（第３図
（ハ））。本実施例では感光性樹脂として感光性ポリイ
ミドを使用し、バタン化した後、４００℃でキュアーし
た。厚さは約１μｍである。なお、ポリイミド以外に通
常のホトレジスト等を使用してもよい。最後に補助金属
膜用絶縁膜３４をマスクとしてＡ、ｆｆ膜をエツチング
して補助金属膜３５を形成した（第３図（ニ））９この
基板上に、実施例１と同じ絶縁層や発光層を形成し薄膜
Ｅ１−パネルを形成した。実施例１と同様の特性が得ら
れた。感光性樹脂を利用しているため発光層の熱処理温
度には制限を受けるが、工程は非常に簡単である。
なお、補助金属膜としてはＡｌ以外に、Ｃｒ。
Ｔｉ、Ｎｉ等の各種の金属を使用することができるし、
形状も第３図の例に限定される。ものではない。
形状も第３図の例に限定される。ものではない。
また、上記いずれの実施例の場合も補助金属膜用絶縁膜
を設けていたが、補助金属膜用絶縁膜を新たに設けず、
第１又は第２絶縁層を厚めに形成し、この絶縁層のうち
補助金属膜に対応する領域以外を少しエツチングで除去
し、補助金属膜に対応する部分は厚く、その他の部分は
薄くなるように絶縁膜を形成した構造でもよい。
を設けていたが、補助金属膜用絶縁膜を新たに設けず、
第１又は第２絶縁層を厚めに形成し、この絶縁層のうち
補助金属膜に対応する領域以外を少しエツチングで除去
し、補助金属膜に対応する部分は厚く、その他の部分は
薄くなるように絶縁膜を形成した構造でもよい。
以上、述べてきたように、本発明のＥＬパネルは実効的
に透明電極の抵抗値を大幅に下げることができるにもか
かわらず、電極ラインの容量の増大が最小限に押えられ
、また無駄な発光も伴なわないために、透明電極のＣＲ
時定数が大幅に低減され、また、低消費電力化やパネル
面での発熱の防止にも効果がある。従って、従来困難で
あった大表示容量、大面積のＥＬ表示装置の実現に本発
明の寄与する所大である。
に透明電極の抵抗値を大幅に下げることができるにもか
かわらず、電極ラインの容量の増大が最小限に押えられ
、また無駄な発光も伴なわないために、透明電極のＣＲ
時定数が大幅に低減され、また、低消費電力化やパネル
面での発熱の防止にも効果がある。従って、従来困難で
あった大表示容量、大面積のＥＬ表示装置の実現に本発
明の寄与する所大である。
第１図は本発明の薄膜ＥＬパネルの断面図である。第２
図、第３図はそれぞれ本発明の実施例１及び実施例３で
の製造工程の一部を示した図である。第４図は藩膜ＥＬ
パネルの基板構造の断面を示した図である。第５図は補
助金属膜を付加することにより透明電極の低抵抗化を図
った従来の薄１模ＥＬパネルの断面構造図である。 １．２１，３１．４１・・・ガラス基板、２，２２゜３
２．４２．５２・・・透明導電膜、３．４３・・・第１
絶縁層、４，４４．５４・・・発光層、４．４５・・・
第２絶縁層、６，４６．５６・・・背面電極、７，２４
゜３５．５７・・・補助金属膜、ｓ、２５．３４・・・
補助金属膜用絶縁膜、２３．３３・・・金属膜。
図、第３図はそれぞれ本発明の実施例１及び実施例３で
の製造工程の一部を示した図である。第４図は藩膜ＥＬ
パネルの基板構造の断面を示した図である。第５図は補
助金属膜を付加することにより透明電極の低抵抗化を図
った従来の薄１模ＥＬパネルの断面構造図である。 １．２１，３１．４１・・・ガラス基板、２，２２゜３
２．４２．５２・・・透明導電膜、３．４３・・・第１
絶縁層、４，４４．５４・・・発光層、４．４５・・・
第２絶縁層、６，４６．５６・・・背面電極、７，２４
゜３５．５７・・・補助金属膜、ｓ、２５．３４・・・
補助金属膜用絶縁膜、２３．３３・・・金属膜。
Claims (1)
- ガラス基板上に設けた透明導電膜と透明導電膜に設け
た補助金属膜とからなる透明電極と背面電極との間に絶
縁層を介して発光層が挟まれてなる薄膜ＥＬパネルにお
いて、前記補助金属膜を覆うように補助金属膜用絶縁膜
が付加されていることを特徴とする薄膜ＥＬパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62293326A JPH01134895A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 薄膜ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62293326A JPH01134895A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134895A true JPH01134895A (ja) | 1989-05-26 |
| JPH0576155B2 JPH0576155B2 (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=17793378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62293326A Granted JPH01134895A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01134895A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1987
- 1987-11-20 JP JP62293326A patent/JPH01134895A/ja active Granted
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| JP2016035941A (ja) * | 2010-07-26 | 2016-03-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9728737B2 (en) | 2010-07-26 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device |
| JP2015135821A (ja) * | 2015-03-02 | 2015-07-27 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576155B2 (ja) | 1993-10-22 |
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