JPH0432195A - El素子およびその製法 - Google Patents

El素子およびその製法

Info

Publication number
JPH0432195A
JPH0432195A JP2136156A JP13615690A JPH0432195A JP H0432195 A JPH0432195 A JP H0432195A JP 2136156 A JP2136156 A JP 2136156A JP 13615690 A JP13615690 A JP 13615690A JP H0432195 A JPH0432195 A JP H0432195A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light emitting
manganese
emitting layer
insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2136156A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Yamamoto
雄二 山本
Masaya Takayama
高山 昌也
Atsushi Takamatsu
敦 高松
Osamu Takahashi
修 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Central Glass Co Ltd
Original Assignee
Central Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Central Glass Co Ltd filed Critical Central Glass Co Ltd
Priority to JP2136156A priority Critical patent/JPH0432195A/ja
Publication of JPH0432195A publication Critical patent/JPH0432195A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エレクトロルミネンス(EL) 現象を利用
してデイスプレィ等に応用される薄膜EL素子およびそ
の製法に関するものである。
〔従来技術とその問題点〕
従来の薄膜EL素子の一般的な例を示せば、ガラス等か
らなる透明基板上に透明電極、絶縁層、EL発光層、第
2絶縁層および対向電極を順次積層して形成し、透明電
極と対向電極との間に数10Hzから数KHzの交流電
場を印加することによりEL発光層4内の活性種イオン
を励起して発光させるものである。
前記印加発光電圧は100V以上を必要とするが、これ
を低下できれば、駆動回路に高耐圧を必要としなくなる
ことによるコストダウン、さらに素子への負荷が低減さ
れることによる長寿命化、あるいは消費電力量の低減等
が図れ、産業利用上きわめて有利となる。
印加発光電圧を低下するための方策として絶縁層に高誘
電率のものを用いたり、その膜厚を薄くしたり、EL発
光層の膜厚を薄くする等の試みが為されているが、耐久
性に劣り、発光輝度が低い等実用上条くの問題を残す。
また、例えば特開昭63−231897号、特開昭63
=231898号には、特に希土類ドープEL発光層を
有するEL素子に適用できるもので、EL発光層と両絶
縁層の量大々に複数の半導体層を介在させることにより
、電圧印加に際し電荷をEL発光層中に容易に導入でき
、印加発光電圧を低減できることが開示されているが、
前記複数の半導体膜形成のための工程が増大し、手間も
要するため有利な手段とはいい難い。
さらに特開昭63−186292号には、EL発光層の
内部または近接した位置にアンチモン化セシウム等の外
部光電効果を有する層を設け、外部等からの光により当
該層の電子をEL発光層中に導入することにより、印加
発光電圧を低減できることが開示されているが、希少元
素を含む高価なものであったり、成分組成が複雑である
等成膜コストを高騰し、また本発明の目的の1つである
EL発光層を含めこれらを、工程を変更することなく連
続して容易に成膜することは困難であるという難点があ
る。
本発明はこれら問題点を解消し、印加発光電圧を低下し
て、駆動回路に高耐圧を要さないことによる製造コスト
ダウン、素子の長寿命化あるいは消費電力量の低減等に
有効なEL素子、オヨび硫化マンガン層およびEL発光
層の連続成膜が簡単容易なEL素子の製法を提供するも
のである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は基板に、EL発光層を挟んで一対の絶縁層、さ
らに一対の電極を積層、重着して形成したEL素子にお
いて、前記EL発光層と、一方または双方の絶縁層の間
に硫化マンガン層を介在せしめたこと、および該EL素
子の製法において、前記EL発光層はマンガンをドーピ
ングした硫化亜鉛よりなり、該EL発光層と硫化マンガ
ン層を連続的に成膜することからなる。
C実施例〕 以下添付の図面に基づき本発明を説明する。
第1図は本発明の側断面図であり、1はガラス等よりな
る透明基板で、該透明基板1上に透明電極2、絶縁層3
、EL発光層4、第2絶縁層5、および対向電極6を積
層重着し、さらに前記絶縁層3とEL発光層4との間、
および/またはEL発光層4と第2絶縁層5の間に、夫
々硫化マンガン層7、第2硫化マンガン層8を介在させ
、IEL素子を形成するものである。
本発明の製造手段を例示すれば、市販の透明ガラス基板
(コーニング#7059)  1上に、In203Sn
O,系の透明導電膜であるITO(酸化インジウム錫)
からなる透明電極2をスパッタリング形成し、エツチン
グしパターン化する。次に、この透明電極2上に5i(
hおよびSi 3N4の複層絶縁層3をプラズマCVD
法により形成し、さらに後述するように硫化マンガン(
MnS)層7、マンガンをドーピングした硫化亜鉛(Z
nS:Mn9Mn=0.3atχ)からなるEL発光層
4、次いで第2の硫化マンガン層8を例えば化学的蒸着
(CVD)法により連続して成膜し、その上に前記絶縁
層同様の第2の絶縁層5を同様に形成し、さらに該第2
の絶縁層5上に電圧印加電極用のアルミニウム膜をスパ
ッタリング後エツチングしパターン化して、対向電極6
を形成しEL素子を完成するものである。
前記硫化マンガン層7およびマンガンをドーピングした
硫化亜鉛からなるEL発光層4、さらに第2の硫化マン
ガン層8を連続成膜するには物理的、化学的蒸着法等そ
の手段は問わないが、好適には有機金属化合物化学的蒸
着法(MOCVD法)を採用するものであり、第2図に
示すように、加熱手段9を設けた反応槽10に透明電極
および絶縁層2.3を膜付けしたガラス基板1をセツテ
ィングし、反応槽10内に有機マンガン化合物11、有
機硫黄化合物12、有機亜鉛化合物13の蒸気をキャリ
ヤーガス14とともに適時、適量送入し前記絶縁層3上
に膜付けする。
詳しくはMOCVD法においてはまずキャリヤーガス1
4、例えば水素を有機マンガン化合物11、例えばジシ
クロペンタジェニルマンガンと、有機硫黄化合物12、
例えばメチルメルカプタンを流量調整しつつ反応槽■0
内に送入し、予めヒーター9により例えば480℃に加
熱した基板1の絶縁層3上に蒸着せしめて、硫化マンガ
ン層7を形成し、次に前記各化合物11.12を再度流
量調整しつつ、有機亜鉛化合物13、例えばジエチル亜
鉛を調整、送入しマンガンをドーピングした硫化亜鉛か
らなるEL発光層4を形成する。
さらにジメチル亜鉛13の送入を止め、前記同様の操作
でジシクロペンタジェニルマンガン11およびメチルメ
ルカプタン12により同様な硫化マンガン層8を形成し
、ここに硫化マンガン層7−EL発光層4−第2の硫化
マンガン層8の積層膜を、逐一工程を変更することな(
操作の切換えにより連続して得ることができる。
なお、前記硫化マンガン層はいずれか一方、7または8
であっても印加発光電圧の低下に効果を有するが、より
好ましくは両方7.8に設けることにより著しい効果を
奏するものである。
硫化マンガン層7.8の作用機構については明らかでな
いが、電圧印加に際して硫化マンガン層中の電子がEL
発光層4に移動し、発光に寄与することは充分推察され
るところである。
前記したように硫化マンガン層とEL発光層の一連の成
膜は他の公知の物理的、化学的蒸着手段でも可能である
が、組成コントロールが容易なこと、成膜速度が早いこ
と、原料蒸発温度が低く、また低温で成膜できること、
膜の接着性に優れること等多くの利点を有するMOCV
D法を推奨するものである。
このように形成したEL素子と、前記実施例同様に形成
し、ただし硫化マンガン層7.8を全く介在させない従
来公知のEL素子(比較例)について、電圧印加し発光
輝度を測定したところ、第3図に示すような発光輝度特
性曲線が得られた。ここで曲線Aは実施例にかかるもの
、曲線Bは比較例にかかるもので、実施例においては1
00v以下で発光し、かつ印加電圧の調整により発光輝
度を適宜加減できるいわゆる階調表示が可能である点で
、きbiで有用であり、実用性に富むことが明らかであ
る。
〔発明の効果〕
本発明によれば、硫化マンガン層の介在によりEL素子
の印加発光電圧を低下させ、製造コストダウン、長寿命
化あるいは消費電圧の低減を図ることができ、またその
製造に際しても、マンガンをドーピングした硫化亜鉛よ
りなるEL発光層との連続成膜により容易かつ能率的、
効率的に行うことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の側断面図、第2図はその1製造手段を
示した図、第3図は印加電圧−発光輝度特性を示したグ
ラフである。 柚 1−m−透明基板    2−一一透明電13−−−絶
縁層     4−−−EL発光層5−−一第2絶縁層
   6一−一対向電極7−−−硫化マンガン層 8−
一一第2硫化マンガン層10−−−反応槽 特許出願人  セントラル硝子株式会社代理人 弁理士
 坂  本 栄  −′第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)基板に、EL発光層を挟んで一対の絶縁層、さらに
    一対の電極を積層、重着して形成したEL素子において
    、前記EL発光層と、一方または双方の絶縁層の間に硫
    化マンガン層を介在せしめたことを特徴とするEL素子
    。 2)基板にEL発光層を挟んで、一対の絶縁層、さらに
    一対の電極を積層、重着し、かつ前記EL発光層と、一
    方または双方の絶縁層の間に硫化マンガン層を介在せし
    めるEL素子の製法において、前記EL発光層はマンガ
    ンをドーピングした硫化亜鉛よりなり、該EL発光層と
    硫化マンガン層を連続的に成膜することを特徴とするE
    L素子の製法。
JP2136156A 1990-05-25 1990-05-25 El素子およびその製法 Pending JPH0432195A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2136156A JPH0432195A (ja) 1990-05-25 1990-05-25 El素子およびその製法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2136156A JPH0432195A (ja) 1990-05-25 1990-05-25 El素子およびその製法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0432195A true JPH0432195A (ja) 1992-02-04

Family

ID=15168625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2136156A Pending JPH0432195A (ja) 1990-05-25 1990-05-25 El素子およびその製法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0432195A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8307549B2 (en) 2001-11-20 2012-11-13 Touchsensor Technologies, Llc Method of making an electrical circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8307549B2 (en) 2001-11-20 2012-11-13 Touchsensor Technologies, Llc Method of making an electrical circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3773423B2 (ja) 有機el素子
US20100140599A1 (en) Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and display
JPH1187068A (ja) 有機el素子およびその製造方法
JPH0963771A (ja) 有機薄膜発光素子
JP2000082586A (ja) 有機el素子
JPH0831573A (ja) 有機薄膜el素子およびその製造方法
JP2003059644A (ja) 電界発光素子
JPS5842960B2 (ja) エレクトロルミネセンス装置
US7061175B2 (en) Efficiency transparent cathode
JPH01134895A (ja) 薄膜elパネル
JPH1140352A (ja) 有機el素子およびその製造方法
JP2002343579A (ja) 有機el素子および画像表示装置
JPH0432195A (ja) El素子およびその製法
JP2001076887A (ja) 透明導電膜の形成方法及びこれを用いた有機el装置の製造方法
JPH054797B2 (ja)
JP2000091079A (ja) 有機el素子
JPS5824915B2 (ja) 薄膜el素子
KR0164456B1 (ko) 청색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법
JPS5829880A (ja) 電場発光素子
JPH0541286A (ja) エレクトロルミネセンス素子
JPH11307267A (ja) 有機el素子
JPH1050477A (ja) El素子とその製造方法
JP2679322B2 (ja) 2重絶縁薄膜エレクトロルミネセンス装置の製造方法
KR960005332B1 (ko) 전계발광 표시소자의 제조방법
JPH04190588A (ja) 薄膜el素子