JPH1050477A - Ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH1050477A JPH1050477A JP8216767A JP21676796A JPH1050477A JP H1050477 A JPH1050477 A JP H1050477A JP 8216767 A JP8216767 A JP 8216767A JP 21676796 A JP21676796 A JP 21676796A JP H1050477 A JPH1050477 A JP H1050477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- substrate
- light emitting
- emitting layer
- transporting material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 7
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008774 maternal effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 aluminum chelate complex Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- WZMYZTPLFRSOPH-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;thiophene Chemical class C=1C=CSC=1.C1=CC=C2OC=NC2=C1 WZMYZTPLFRSOPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002979 perylenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で、製造過程の熱によるＥＬ発光
層の劣化がなく、しかも寿命も長く、発光効率も良す
る。 【解決手段】 ガラス等の絶縁基板１０上に互いに対向
するようにＩＴＯ等の複数対の電極１２を形成し、この
複数対の各電極１２間にホール輸送材料１８及び電子輸
送材料１６のＥＬ発光層を各々形成する。電極１２は、
各々櫛歯状に形成され互いに対向して平行に形成されて
おり、この電極１２の互いに対向する一方の側に薄膜で
ある反射膜１４が設けられている。
層の劣化がなく、しかも寿命も長く、発光効率も良す
る。 【解決手段】 ガラス等の絶縁基板１０上に互いに対向
するようにＩＴＯ等の複数対の電極１２を形成し、この
複数対の各電極１２間にホール輸送材料１８及び電子輸
送材料１６のＥＬ発光層を各々形成する。電極１２は、
各々櫛歯状に形成され互いに対向して平行に形成されて
おり、この電極１２の互いに対向する一方の側に薄膜で
ある反射膜１４が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイに用いられるＥＬ素子とその製造方法に関す
る。
スプレイに用いられるＥＬ素子とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセンス）素子は図４に示すように、ガラス基板１に
ストライプ状の透光性のＩＴＯ膜の陽極２を形成し、そ
の表面にトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホー
ル輸送材料３を設け、その上にアルミキレート錯体（Ａ
ｌｑ3）等の電子輸送材料４を設けて、有機ＥＬ発光層
５を形成している。さらに陽極２と直交するように、Ａ
ｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等でストライプ状の陰極６
が形成されている。この有機ＥＬ素子は、互いに直交し
たストライプ状の陽極２と陰極６の交点で、所定の電圧
が印加された際に発光を生じるものである。そして、こ
の有機ＥＬ素子の製造に際しては、ストライプ状の陽極
２をガラス基板１上でエッチングにより形成し、陰極６
はマスク蒸着により形成している。
ネッセンス）素子は図４に示すように、ガラス基板１に
ストライプ状の透光性のＩＴＯ膜の陽極２を形成し、そ
の表面にトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホー
ル輸送材料３を設け、その上にアルミキレート錯体（Ａ
ｌｑ3）等の電子輸送材料４を設けて、有機ＥＬ発光層
５を形成している。さらに陽極２と直交するように、Ａ
ｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等でストライプ状の陰極６
が形成されている。この有機ＥＬ素子は、互いに直交し
たストライプ状の陽極２と陰極６の交点で、所定の電圧
が印加された際に発光を生じるものである。そして、こ
の有機ＥＬ素子の製造に際しては、ストライプ状の陽極
２をガラス基板１上でエッチングにより形成し、陰極６
はマスク蒸着により形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、有機ＥＬ発光層５を形成後に陰極６を設けなければ
ならないが、有機ＥＬ発光層５は熱に弱く、陰極６の形
成に際しては、できるだけ融点の低い陰極６の材料を用
いなければならなかった。さらに、基板の温度上昇を抑
えることも必要であり、作業が面倒なものであった。し
かも、これらの対策を行なっても、ＥＬ発光層５の熱に
よる劣化は避けられないという問題があった。
合、有機ＥＬ発光層５を形成後に陰極６を設けなければ
ならないが、有機ＥＬ発光層５は熱に弱く、陰極６の形
成に際しては、できるだけ融点の低い陰極６の材料を用
いなければならなかった。さらに、基板の温度上昇を抑
えることも必要であり、作業が面倒なものであった。し
かも、これらの対策を行なっても、ＥＬ発光層５の熱に
よる劣化は避けられないという問題があった。
【０００４】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、製造過程の熱によるＥＬ発
光層の劣化がなく、しかも寿命も長く、発光効率も良い
ＥＬ素子とその製造方法を提供することを目的とする。
れたもので、簡単な構成で、製造過程の熱によるＥＬ発
光層の劣化がなく、しかも寿命も長く、発光効率も良い
ＥＬ素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラス等の
絶縁基板上に互いに対向するようにＩＴＯ等の複数対の
電極を形成し、この複数対の各電極間にホール輸送材料
及び電子輸送材料のＥＬ発光層を各々形成したＥＬ素子
である。上記電極は、各々櫛歯状に形成され互いに対向
して平行に形成されており、この電極の互いに対向する
一方の側に仕事関数の低いＬｉ，Ｍｇ等の薄膜が設けら
れている。さらに、上記電極間のＥＬ発光層の積層面で
ある界面が上記基板と垂直な方向に形成され、この積層
面と平行な方向に発光するものである。さらに、上記Ｅ
Ｌ発光層の表面に、透明な気密性の保護層が形成され、
その外側に反射膜を形成したものである。
絶縁基板上に互いに対向するようにＩＴＯ等の複数対の
電極を形成し、この複数対の各電極間にホール輸送材料
及び電子輸送材料のＥＬ発光層を各々形成したＥＬ素子
である。上記電極は、各々櫛歯状に形成され互いに対向
して平行に形成されており、この電極の互いに対向する
一方の側に仕事関数の低いＬｉ，Ｍｇ等の薄膜が設けら
れている。さらに、上記電極間のＥＬ発光層の積層面で
ある界面が上記基板と垂直な方向に形成され、この積層
面と平行な方向に発光するものである。さらに、上記Ｅ
Ｌ発光層の表面に、透明な気密性の保護層が形成され、
その外側に反射膜を形成したものである。
【０００６】またこの発明は、ガラス等の絶縁基板上に
ＩＴＯ等による複数対の電極を互いに対向させて形成
し、その電極間にホール輸送材料及び電子輸送材料から
なるＥＬ発光層を設けるＥＬ素子の製造方法である。上
記ＥＬ発光層の形成は、上記電極間に上記絶縁基板に対
して斜め方向からホール輸送材料を蒸着し、上記電子輸
送材料も上記絶縁基板の同じ側から上記絶縁基板に対し
て斜めに蒸着するものである。さらに、上記電極間にＥ
Ｌ発光層を形成する際に、上記基板に対して斜めに一方
の側から複数の材料を蒸着し、他の１層を上記基板の同
じ側であって上記電極をはさんで互いに反対側から、上
記基板に対して斜めに蒸着するＥＬ素子の製造方法であ
る。
ＩＴＯ等による複数対の電極を互いに対向させて形成
し、その電極間にホール輸送材料及び電子輸送材料から
なるＥＬ発光層を設けるＥＬ素子の製造方法である。上
記ＥＬ発光層の形成は、上記電極間に上記絶縁基板に対
して斜め方向からホール輸送材料を蒸着し、上記電子輸
送材料も上記絶縁基板の同じ側から上記絶縁基板に対し
て斜めに蒸着するものである。さらに、上記電極間にＥ
Ｌ発光層を形成する際に、上記基板に対して斜めに一方
の側から複数の材料を蒸着し、他の１層を上記基板の同
じ側であって上記電極をはさんで互いに反対側から、上
記基板に対して斜めに蒸着するＥＬ素子の製造方法であ
る。
【０００７】この発明のＥＬ素子は、一対の電極間のＥ
Ｌ発光層の、ホール輸送材料及び電子輸送材料の積層面
が上記基板と垂直な方向に形成され、この積層面と平行
な方向に発光するようにしたものである。
Ｌ発光層の、ホール輸送材料及び電子輸送材料の積層面
が上記基板と垂直な方向に形成され、この積層面と平行
な方向に発光するようにしたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１、図２はこの発明の
ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態のＥ
Ｌ素子は、有機薄膜ＥＬ素子であり、図示するように、
ガラス、透明樹脂、石英等の絶縁基板１０の表面に、Ｉ
ＴＯ等の透明な導電層である電極１２が、図２に示すよ
うに、櫛歯状に互いに１μｍ程度の間隔を開けて対向し
て複数対形成されている。電極１２の基板１０に対して
垂直な側面の一方には、Ｌｉを０．１％程度含有するＬ
ｉ−Ａｌ合金による薄い導電層１４が形成されている。
この導電層１４は電極１２の透明性を損なわない程度の
薄い半透明の反射膜であり、抵抗率も数ｋΩ／□以上の
ものである。
いて図面を基にして説明する。図１、図２はこの発明の
ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態のＥ
Ｌ素子は、有機薄膜ＥＬ素子であり、図示するように、
ガラス、透明樹脂、石英等の絶縁基板１０の表面に、Ｉ
ＴＯ等の透明な導電層である電極１２が、図２に示すよ
うに、櫛歯状に互いに１μｍ程度の間隔を開けて対向し
て複数対形成されている。電極１２の基板１０に対して
垂直な側面の一方には、Ｌｉを０．１％程度含有するＬ
ｉ−Ａｌ合金による薄い導電層１４が形成されている。
この導電層１４は電極１２の透明性を損なわない程度の
薄い半透明の反射膜であり、抵抗率も数ｋΩ／□以上の
ものである。
【０００９】電極１２の導電層１４とは反対側の側面に
は、ホール輸送材料１８として、トリフェニルアミン誘
導体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘
導体等が、基板１０に対して斜め方向の蒸着により形成
されている。さらに、ホール輸送材料１８の基板１０に
対して垂直方向の成分を有する側面には、電子輸送材料
１６として、アルミキレート錯体（Ａｌｑ3）、ジスチ
リルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、オキサジアゾー
ル誘導体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベンゾオキ
サゾールチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾール類
等が、基板１０に対して斜め方向の蒸着により形成され
ている。電子輸送材料１６とホール輸送材料１８とは、
電極１２間で互いに接合し、基板１０に対して垂直方向
に界面を有している。上記電子輸送材料１６とホール輸
送材料１８との比は、１０：９０乃至９０：１０の範囲
で適宜変更可能である。そして、電極１２及びＥＬ発光
層である電子輸送材料１６とホール輸送材料１８は、ポ
リパラキシレン等の透明な保護層２０により気密状態で
覆われている。さらに、保護層２０の外側には、反射膜
２２が形成されている。
は、ホール輸送材料１８として、トリフェニルアミン誘
導体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘
導体等が、基板１０に対して斜め方向の蒸着により形成
されている。さらに、ホール輸送材料１８の基板１０に
対して垂直方向の成分を有する側面には、電子輸送材料
１６として、アルミキレート錯体（Ａｌｑ3）、ジスチ
リルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、オキサジアゾー
ル誘導体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベンゾオキ
サゾールチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾール類
等が、基板１０に対して斜め方向の蒸着により形成され
ている。電子輸送材料１６とホール輸送材料１８とは、
電極１２間で互いに接合し、基板１０に対して垂直方向
に界面を有している。上記電子輸送材料１６とホール輸
送材料１８との比は、１０：９０乃至９０：１０の範囲
で適宜変更可能である。そして、電極１２及びＥＬ発光
層である電子輸送材料１６とホール輸送材料１８は、ポ
リパラキシレン等の透明な保護層２０により気密状態で
覆われている。さらに、保護層２０の外側には、反射膜
２２が形成されている。
【００１０】この実施形態の有機薄膜ＥＬ素子の製造方
法は、先ず基板１０上に一面にＩＴＯ等による電極材料
を蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタリングその他の真空
中の薄膜形成技術により形成する。次に、この電極材料
をエッチングし、図２に示すように、櫛歯状に複数対の
電極１２を形成する。エッチング方法は、ドライエッチ
ング等により、電極１２の側面が基板１０に対して垂直
となるようにする。次に、導電層１４を基板１０の電極
１２側から斜め方向に蒸着等の上記真空薄膜形成技術で
設ける。これにより、図１に示すように、導電層１４は
電極１２の一方の側面及び上面のみに形成され、他方の
側面には付着しない。次に、ホール輸送材料１８を、導
電層１４とは反対側の電極１２の側面に、蒸着等の上記
真空薄膜形成技術で設ける。この時も、基板１０に対し
て斜めに蒸着するもので、図１に示すように、電極１２
の導電層１４とは反対側の側面及び上面のみに形成さ
れ、他方の側面には付着しない。さらに、ホール輸送材
料１８と同様の方向から、基板１０に対して斜めに、電
子輸送材料１６を蒸着等の上記真空薄膜形成技術により
形成し、電子輸送材料１６を導電層１４とホール輸送材
料１８に接合させる。これにより、ＥＬ発光層である電
子輸送材料１６とホール輸送材料１８が、電極１２間で
互いに接合面を有して形成される。この後、真空中また
は不活性ガス中で、別の室に移し、ポリパラキシレン等
の保護層２０を形成する。そしてその外側に、Ａｌ蒸着
等により反射膜２２を形成する。
法は、先ず基板１０上に一面にＩＴＯ等による電極材料
を蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタリングその他の真空
中の薄膜形成技術により形成する。次に、この電極材料
をエッチングし、図２に示すように、櫛歯状に複数対の
電極１２を形成する。エッチング方法は、ドライエッチ
ング等により、電極１２の側面が基板１０に対して垂直
となるようにする。次に、導電層１４を基板１０の電極
１２側から斜め方向に蒸着等の上記真空薄膜形成技術で
設ける。これにより、図１に示すように、導電層１４は
電極１２の一方の側面及び上面のみに形成され、他方の
側面には付着しない。次に、ホール輸送材料１８を、導
電層１４とは反対側の電極１２の側面に、蒸着等の上記
真空薄膜形成技術で設ける。この時も、基板１０に対し
て斜めに蒸着するもので、図１に示すように、電極１２
の導電層１４とは反対側の側面及び上面のみに形成さ
れ、他方の側面には付着しない。さらに、ホール輸送材
料１８と同様の方向から、基板１０に対して斜めに、電
子輸送材料１６を蒸着等の上記真空薄膜形成技術により
形成し、電子輸送材料１６を導電層１４とホール輸送材
料１８に接合させる。これにより、ＥＬ発光層である電
子輸送材料１６とホール輸送材料１８が、電極１２間で
互いに接合面を有して形成される。この後、真空中また
は不活性ガス中で、別の室に移し、ポリパラキシレン等
の保護層２０を形成する。そしてその外側に、Ａｌ蒸着
等により反射膜２２を形成する。
【００１１】ここで蒸着条件は、真空度が６×１０-6Ｔ
ｏｒｒで、例えば、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜する。蒸着源は、２０秒以内に４００℃ま
で上昇させた。さらに、フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好
ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下さ
せ、有機ＥＬ発光層を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
ｏｒｒで、例えば、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜する。蒸着源は、２０秒以内に４００℃ま
で上昇させた。さらに、フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好
ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下さ
せ、有機ＥＬ発光層を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
【００１２】この実施形態のＥＬ素子の駆動方法は、互
いに隣接する電極１２を端からＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ・・
とすると、図２の端子２１，２２に、交流電圧をかけ
て、Ａ，Ｃ，Ｅ・・と、Ｂ，Ｄ，Ｆ・・とが各々交互に
高低を繰り返すようにして駆動する。これにより、Ｂ，
Ｄ，Ｆ・・を高電位、Ａ，Ｃ，Ｅ・・が低電位とする
と、Ａ，Ｂ間、Ｃ，Ｄ間、Ｅ，Ｆ間・・で発光し、Ａ，
Ｃ，Ｅ・・が高電位、Ｂ，Ｄ，Ｆ・・が低電位とする
と、Ｂ，Ｃ間、Ｄ，Ｅ間・・で発光する。これにより、
直流電圧を印加する場合に生じる分極を押えることがで
き、発光効率を上げることができ、発光面積も広くする
ことができる。
いに隣接する電極１２を端からＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ・・
とすると、図２の端子２１，２２に、交流電圧をかけ
て、Ａ，Ｃ，Ｅ・・と、Ｂ，Ｄ，Ｆ・・とが各々交互に
高低を繰り返すようにして駆動する。これにより、Ｂ，
Ｄ，Ｆ・・を高電位、Ａ，Ｃ，Ｅ・・が低電位とする
と、Ａ，Ｂ間、Ｃ，Ｄ間、Ｅ，Ｆ間・・で発光し、Ａ，
Ｃ，Ｅ・・が高電位、Ｂ，Ｄ，Ｆ・・が低電位とする
と、Ｂ，Ｃ間、Ｄ，Ｅ間・・で発光する。これにより、
直流電圧を印加する場合に生じる分極を押えることがで
き、発光効率を上げることができ、発光面積も広くする
ことができる。
【００１３】この実施形態のＥＬ素子は、電極１２を櫛
歯状に形成して、その電極間に、ＥＬ発光層を形成した
ので、発光層を形成後に、電極を形成する高低がなく、
高温によるＥＬ材料の劣化がない。しかも、電子輸送材
料１６とホール輸送材料１８と接合面に平行な面方向へ
の発光が多く、発光効率も良い。さらに、交流により駆
動することにより、使用による分極が生じず、しかも電
流印加も少ないので、ＥＬ素子の寿命が長いものであ
る。
歯状に形成して、その電極間に、ＥＬ発光層を形成した
ので、発光層を形成後に、電極を形成する高低がなく、
高温によるＥＬ材料の劣化がない。しかも、電子輸送材
料１６とホール輸送材料１８と接合面に平行な面方向へ
の発光が多く、発光効率も良い。さらに、交流により駆
動することにより、使用による分極が生じず、しかも電
流印加も少ないので、ＥＬ素子の寿命が長いものであ
る。
【００１４】なお、この発明のＥＬ素子は、上記実施形
態に限られず、電極構造も、図３に示すように、櫛歯状
に対向する電極を縦横に複数対形成してマトリクスを形
成しても良く、容易に大面積の基板上に電極を形成する
ことができるものである。また、基板１０はセラミック
基板等の不透明基板を用いて、発光面を保護層２０がと
しても良く、基板の選択幅を広くすることができる。
態に限られず、電極構造も、図３に示すように、櫛歯状
に対向する電極を縦横に複数対形成してマトリクスを形
成しても良く、容易に大面積の基板上に電極を形成する
ことができるものである。また、基板１０はセラミック
基板等の不透明基板を用いて、発光面を保護層２０がと
しても良く、基板の選択幅を広くすることができる。
【００１５】さらに、電極１２は、Ａｌを用いても良
く、Ａｌ−Ｌｉ合金を使用することにより、上記導電層
１４を省略することができる。また、ＩＴＯ膜は抵抗率
が高く、電極距離が長い場合は、導電率の高い金属を電
極に用いる。さらにＥＬ発光層は、良導体ではなく、電
極間距離を広くすることができないが、Ａｌｑ3やＴＰ
Ｄ等に、電荷移動度を向上させる材料をドーピングして
電流値を上げることができる。
く、Ａｌ−Ｌｉ合金を使用することにより、上記導電層
１４を省略することができる。また、ＩＴＯ膜は抵抗率
が高く、電極距離が長い場合は、導電率の高い金属を電
極に用いる。さらにＥＬ発光層は、良導体ではなく、電
極間距離を広くすることができないが、Ａｌｑ3やＴＰ
Ｄ等に、電荷移動度を向上させる材料をドーピングして
電流値を上げることができる。
【００１６】また、ＥＬ発光層が３層以上の場合、例え
ば、ＭＴＤＡＴＡ／ＴＰＤ／Ｂｅｑ2などの構成を取る
場合、ＭＴＤＡＴＡ／ＴＰＤを一方の側から蒸着し、残
りの１層を他の方向から蒸着するれば良い。これは３層
以上の場合も同様である。さらに、この発明のＥＬ材料
も適宜選択可能なものであり、発光色も任意に選択可能
である。
ば、ＭＴＤＡＴＡ／ＴＰＤ／Ｂｅｑ2などの構成を取る
場合、ＭＴＤＡＴＡ／ＴＰＤを一方の側から蒸着し、残
りの１層を他の方向から蒸着するれば良い。これは３層
以上の場合も同様である。さらに、この発明のＥＬ材料
も適宜選択可能なものであり、発光色も任意に選択可能
である。
【００１７】導電層１４、電子輸送材料１６、ホール輸
送材料１８の形成順序は、上記以外に、ホール輸送材料
１８を先に形成し、その後電子輸送材料１６を形成し、
その後、反対方向から導電層１４を形成しても良い。ま
た反射膜２２は透明な基板１０の裏面に形成しても良い
ものであり、光を出す面の反対側に設ければ良い。
送材料１８の形成順序は、上記以外に、ホール輸送材料
１８を先に形成し、その後電子輸送材料１６を形成し、
その後、反対方向から導電層１４を形成しても良い。ま
た反射膜２２は透明な基板１０の裏面に形成しても良い
ものであり、光を出す面の反対側に設ければ良い。
【００１８】
【発明の効果】この発明のＥＬ素子は、発光方向が発光
層の積層面方向に設定され、発光効率が良いものであ
る。さらに、櫛歯状に電極を形成することにより、広範
囲の発光面積を取ることができ、素子の寿命も長いもに
することができる。また、電極に反射膜を形成すること
により、さらに発光効率を上げることができる。
層の積層面方向に設定され、発光効率が良いものであ
る。さらに、櫛歯状に電極を形成することにより、広範
囲の発光面積を取ることができ、素子の寿命も長いもに
することができる。また、電極に反射膜を形成すること
により、さらに発光効率を上げることができる。
【００１９】またこの発明のＥＬ素子の製造方法は、Ｅ
Ｌ発光層を形成後に電極を形成する工程がなく、ＥＬ発
光層の熱による劣化がなく、寿命も長いものである。さ
らに、櫛歯状の電極を交互に発光させることにより、寿
命を延ばすことができ、発光面積も広くすることができ
る。
Ｌ発光層を形成後に電極を形成する工程がなく、ＥＬ発
光層の熱による劣化がなく、寿命も長いものである。さ
らに、櫛歯状の電極を交互に発光させることにより、寿
命を延ばすことができ、発光面積も広くすることができ
る。
【図１】この発明の一実施形態のＥＬ素子の断面図であ
る。
る。
【図２】この発明の一実施形態のＥＬ素子の電極の概略
図である。
図である。
【図３】この発明の他の実施形態のＥＬ素子の電極の概
略図である。
略図である。
【図４】従来のＥＬ素子の断面図である。
１０ 基板 １２ 電極 １４ 導電層 １６ 電子輸送材料 １８ ホール輸送材料 ２０ 保護層
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁基板上に互いに対向するように複数
対の電極を形成し、この複数対の各電極間にホール輸送
材料及び電子輸送材料のＥＬ発光層を各々形成したＥＬ
素子。 - 【請求項２】 上記ＥＬ発光層は、上記電極間のＥＬ発
光層の積層面が上記基板と垂直な方向に形成され、この
積層面と平行な方向に発光する請求項１記載のＥＬ素
子。 - 【請求項３】 上記ＥＬ発光層の表面に、透明な気密性
の保護層を形成した請求項１または２記載のＥＬ素子。 - 【請求項４】 上記ＥＬ発光層の表面の透明な保護層の
外側に反射膜を形成した請求項１，２または３記載のＥ
Ｌ素子。 - 【請求項５】 絶縁基板上に複数対の電極を互いに対向
させて形成し、その電極間にホール輸送材料及び電子輸
送材料を、上記基板に対して斜め方向に蒸着させるＥＬ
素子の製造方法。 - 【請求項６】 上記電極間にＥＬ発光層を形成する際
に、上記基板に対して斜めに一方の側から複数の材料を
蒸着し、他の１層を上記基板の同じ側であって上記電極
をはさんで互いに反対側から、上記基板に対して斜めに
蒸着する請求項５記載のＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8216767A JPH1050477A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8216767A JPH1050477A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050477A true JPH1050477A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16693593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8216767A Pending JPH1050477A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050477A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002117985A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2012221671A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Hitachi Ltd | 有機発光素子，有機発光素子を用いた光源装置およびそれらの製造方法 |
| US9966422B2 (en) | 2015-12-15 | 2018-05-08 | Japan Display Inc. | Organic electro-luminescent display device having pixel including fin structure |
| WO2021090450A1 (ja) * | 2019-11-07 | 2021-05-14 | シャープ株式会社 | 発光素子及び表示装置並びに発光素子の製造方法 |
-
1996
- 1996-07-29 JP JP8216767A patent/JPH1050477A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002117985A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2012221671A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Hitachi Ltd | 有機発光素子，有機発光素子を用いた光源装置およびそれらの製造方法 |
| US9966422B2 (en) | 2015-12-15 | 2018-05-08 | Japan Display Inc. | Organic electro-luminescent display device having pixel including fin structure |
| WO2021090450A1 (ja) * | 2019-11-07 | 2021-05-14 | シャープ株式会社 | 発光素子及び表示装置並びに発光素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0963771A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| WO2011074633A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH04137485A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH08222373A (ja) | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2881212B2 (ja) | 電界発光素子 | |
| US20060220535A1 (en) | Organic electroluminescent element and display device | |
| JP2003045674A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子 | |
| JPH01313892A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
| JPH1050477A (ja) | Ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JP2001052857A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JP2002343579A (ja) | 有機ｅｌ素子および画像表示装置 | |
| JP2000277252A (ja) | 有機電場発光パネルとその製造方法 | |
| JPH06231881A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JP4607268B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2531857B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス | |
| JP3605441B2 (ja) | 端面発光有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JP3740989B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH10255982A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP3553619B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP4752457B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JPH02220394A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2002083692A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2002170688A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2000068068A (ja) | 有機ｅｌとその製造方法 | |
| JP2002134278A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |