JP2002083692A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JP2002083692A JP2002083692A JP2001272861A JP2001272861A JP2002083692A JP 2002083692 A JP2002083692 A JP 2002083692A JP 2001272861 A JP2001272861 A JP 2001272861A JP 2001272861 A JP2001272861 A JP 2001272861A JP 2002083692 A JP2002083692 A JP 2002083692A
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- organic electroluminescence
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明電極ラインの抵抗値の増加を抑え有機蛍
光体を発光効率良く発光させることができる有機エレク
トロルミネッセンス素子を提供する。 【構成】 陽極、有機化合物からなる正孔輸送層、有機
化合物からなる発光層及び陰極が順に積層された有機エ
レクトロルミネッセンス素子であって、発光層の一部に
流れる電流を減少せしめる絶縁膜を有する。
光体を発光効率良く発光させることができる有機エレク
トロルミネッセンス素子を提供する。 【構成】 陽極、有機化合物からなる正孔輸送層、有機
化合物からなる発光層及び陰極が順に積層された有機エ
レクトロルミネッセンス素子であって、発光層の一部に
流れる電流を減少せしめる絶縁膜を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電流の注入によって発
光する物質のエレクトロルミネッセンスを利用して、か
かる物質を層状に形成した発光層を備えたエレクトロル
ミネッセンス素子に関し、特に発光層が有機化合物を発
光体として構成される有機エレクトロルミネッセンス素
子に関する。
光する物質のエレクトロルミネッセンスを利用して、か
かる物質を層状に形成した発光層を備えたエレクトロル
ミネッセンス素子に関し、特に発光層が有機化合物を発
光体として構成される有機エレクトロルミネッセンス素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の有機エレクトロルミネッセンス
素子として、図１に示すように、陰極である金属電極１
と、インジウムすず酸化物（以下、ＩＴＯともいう）か
らなる陽極の透明電極２との間に、互いに積層された有
機蛍光体薄膜（発光層）３及び有機正孔輸送層４が配さ
れた２層構造のものが知られている。また、図２に示す
ように、金属電極１と透明電極２との間に互いに積層さ
れた有機電子輸送層５、発光層３及び有機正孔輸送層４
が配された３層構造のものも知られている。ここで、有
機正孔輸送層４は陽極２から正孔を注入させ易くする機
能と電子をブロックする機能とを有し、有機電子輸送層
５は陰極１から電子を注入させ易くする機能を有してい
る。これら有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、陽極の透明電極２の外側にはガラス基板６が配され
ている。金属電極１から注入された電子と透明電極２か
ら注入された正孔との再結合によって、励起子が生じ、
この励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透
明電極２及びガラス板６を通過して外部に放出される。
そして、透明電極には仕事関数の大きなものを、金属電
極には仕事関数の小さなものをそれぞれ用いることで、
電荷の注入効率が上がり、発光効率が向上することが知
られている。
素子として、図１に示すように、陰極である金属電極１
と、インジウムすず酸化物（以下、ＩＴＯともいう）か
らなる陽極の透明電極２との間に、互いに積層された有
機蛍光体薄膜（発光層）３及び有機正孔輸送層４が配さ
れた２層構造のものが知られている。また、図２に示す
ように、金属電極１と透明電極２との間に互いに積層さ
れた有機電子輸送層５、発光層３及び有機正孔輸送層４
が配された３層構造のものも知られている。ここで、有
機正孔輸送層４は陽極２から正孔を注入させ易くする機
能と電子をブロックする機能とを有し、有機電子輸送層
５は陰極１から電子を注入させ易くする機能を有してい
る。これら有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、陽極の透明電極２の外側にはガラス基板６が配され
ている。金属電極１から注入された電子と透明電極２か
ら注入された正孔との再結合によって、励起子が生じ、
この励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透
明電極２及びガラス板６を通過して外部に放出される。
そして、透明電極には仕事関数の大きなものを、金属電
極には仕事関数の小さなものをそれぞれ用いることで、
電荷の注入効率が上がり、発光効率が向上することが知
られている。
【０００３】例えば図１に示された２層構造の有機エレ
クトロルミネッセンス素子には、図３に示すように、
Ｘ，Ｙマトリクス型がある。図３のＡＡ’線に沿った断
面の一部を図１に示してある。該有機エレクトロルミネ
ッセンス素子は、ガラス透明基板６上に、ＩＴＯ等の複
数の透明電極２、正孔輸送層４、発光層３、透明電極２
に交差する複数の金属陰極１を順に積層して形成され
る。正孔輸送層４及び発光層３を挾持して互いに対向し
対をなす透明陽極２及び金属陰極１とによって有機エレ
クトロルミネッセンス素子となる発光部が形成され、透
明陽極２及び金属陰極１の各々が互いに対向して交差す
る交差領域部の発光部を１単位として１画素が形成され
る。
クトロルミネッセンス素子には、図３に示すように、
Ｘ，Ｙマトリクス型がある。図３のＡＡ’線に沿った断
面の一部を図１に示してある。該有機エレクトロルミネ
ッセンス素子は、ガラス透明基板６上に、ＩＴＯ等の複
数の透明電極２、正孔輸送層４、発光層３、透明電極２
に交差する複数の金属陰極１を順に積層して形成され
る。正孔輸送層４及び発光層３を挾持して互いに対向し
対をなす透明陽極２及び金属陰極１とによって有機エレ
クトロルミネッセンス素子となる発光部が形成され、透
明陽極２及び金属陰極１の各々が互いに対向して交差す
る交差領域部の発光部を１単位として１画素が形成され
る。
【０００４】このような有機エレクトロルミネッセンス
素子の複数個を画素数に応じ一枚の素子基板上に形成し
たパネルを、その周囲から突出する透明陽極２及び金属
陰極１を介して駆動することによって、平面ディスプレ
イ装置が構成される。
素子の複数個を画素数に応じ一枚の素子基板上に形成し
たパネルを、その周囲から突出する透明陽極２及び金属
陰極１を介して駆動することによって、平面ディスプレ
イ装置が構成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、比較的
高い輝度で発光が得られる有機エレクトロルミネッセン
ス素子であっても、発光効率が未だ十分とはいえない。
さらに、この有機エレクトロルミネッセンス素子を利用
したディスプレイ装置において、多数の透明電極が設け
られた基板が大型化、高精細化するに従い、透明電極ラ
インの抵抗値が非常に大きくなってしまうという問題が
ある。
高い輝度で発光が得られる有機エレクトロルミネッセン
ス素子であっても、発光効率が未だ十分とはいえない。
さらに、この有機エレクトロルミネッセンス素子を利用
したディスプレイ装置において、多数の透明電極が設け
られた基板が大型化、高精細化するに従い、透明電極ラ
インの抵抗値が非常に大きくなってしまうという問題が
ある。
【０００６】本発明は、上述した従来の要望を満たすべ
くなされたものであって、透明電極ラインの抵抗値の増
加を抑え有機蛍光体を発光効率良く発光させることがで
きる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること
を目的とする。
くなされたものであって、透明電極ラインの抵抗値の増
加を抑え有機蛍光体を発光効率良く発光させることがで
きる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子は、陽極、有機化合物からなる正孔
輸送層、有機化合物からなる発光層及び陰極が順に積層
された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記発光層の一部に流れる電流を減少せしめる絶縁膜を有
することを特徴とする。
ルミネッセンス素子は、陽極、有機化合物からなる正孔
輸送層、有機化合物からなる発光層及び陰極が順に積層
された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記発光層の一部に流れる電流を減少せしめる絶縁膜を有
することを特徴とする。
【０００８】
【発明の作用】本発明によれば、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、陽極の上に絶縁膜を設けること
によって、部分的に正孔電荷の注入効率を下げて、外部
に放出される発光に関与しない電流を減少させると共に
該金属膜及び陽極の一体となった全陽極の抵抗値を軽減
するので、高発光効率の有機エレクトロルミネッセンス
素子を得ることができる。
ッセンス素子において、陽極の上に絶縁膜を設けること
によって、部分的に正孔電荷の注入効率を下げて、外部
に放出される発光に関与しない電流を減少させると共に
該金属膜及び陽極の一体となった全陽極の抵抗値を軽減
するので、高発光効率の有機エレクトロルミネッセンス
素子を得ることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明による有機エレクトロルミネッ
センス素子の実施例を図面を参照しつつ説明する。本実
施例の有機エレクトロルミネッセンス素子は、図４に示
すように、ガラス透明基板６上に、透明陽極２、該陽極
より仕事関数の低い金属膜７、有機正孔輸送層４、有機
化合物からなる発光層３及び金属陰極１が順に積層され
た２層構造において、金属膜７が陽極２及び正孔輸送層
４間の一部に積層されている。または、本実施例の有機
エレクトロルミネッセンス素子は、図５に示すように、
ガラス透明基板６上に、透明陽極２、陽極２より仕事関
数の低い金属膜７、有機正孔輸送層４、有機化合物から
なる発光層３、電子輸送層５及び金属陰極１が順に積層
された３層構造において、金属膜７が陽極２及び正孔輸
送層４間の一部に積層されてもよい。
センス素子の実施例を図面を参照しつつ説明する。本実
施例の有機エレクトロルミネッセンス素子は、図４に示
すように、ガラス透明基板６上に、透明陽極２、該陽極
より仕事関数の低い金属膜７、有機正孔輸送層４、有機
化合物からなる発光層３及び金属陰極１が順に積層され
た２層構造において、金属膜７が陽極２及び正孔輸送層
４間の一部に積層されている。または、本実施例の有機
エレクトロルミネッセンス素子は、図５に示すように、
ガラス透明基板６上に、透明陽極２、陽極２より仕事関
数の低い金属膜７、有機正孔輸送層４、有機化合物から
なる発光層３、電子輸送層５及び金属陰極１が順に積層
された３層構造において、金属膜７が陽極２及び正孔輸
送層４間の一部に積層されてもよい。
【００１０】陰極１には、アルミニウム、マグネシウ
ム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事関数が小さ
な金属（例えば、Ａｌ−Ｌｉ合金の仕事関数＝約３．０
ｅＶ）からなり厚さが約 １００〜５０００Å程度のも
のを用い得る。また、陽極２には、ＩＴＯ等の仕事関数
の大きな導電性材料（ＩＴＯの仕事関数＝約５．０ｅ
Ｖ）からなり厚さが１０００〜３０００Å程度で、又は
金（Ａｕの仕事関数＝約５．１ｅＶ）で厚さが８００〜
１５００Å程度のものを用い得る。なお、金を電極材料
として用いた場合には、電極は半透明の状態となる。
ム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事関数が小さ
な金属（例えば、Ａｌ−Ｌｉ合金の仕事関数＝約３．０
ｅＶ）からなり厚さが約 １００〜５０００Å程度のも
のを用い得る。また、陽極２には、ＩＴＯ等の仕事関数
の大きな導電性材料（ＩＴＯの仕事関数＝約５．０ｅ
Ｖ）からなり厚さが１０００〜３０００Å程度で、又は
金（Ａｕの仕事関数＝約５．１ｅＶ）で厚さが８００〜
１５００Å程度のものを用い得る。なお、金を電極材料
として用いた場合には、電極は半透明の状態となる。
【００１１】陽極２及び正孔輸送層４間の一部に積層さ
れる金属膜７には、陰極１に用いられたアルミニウム、
マグネシウム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事
関数が小さな金属を用いる。陽極２に仕事関数の大きな
ＩＴＯを用いる場合、金属膜７には仕事関数が小さな例
えば、Ａｌ−Ｌｉ，Ｉｎ−Ｌｉ，Ｍｇ−Ｓｒ，Ａｌ−Ｓ
ｒの合金を用い得る。金属等の表面から１個の電子を真
空外部に取り出すに必要なエネルギー（ｅＶ）を示す仕
事関数は、同じ金属でも不純物や吸着等のその表面状態
により敏感に変化するが、これら金属膜合金の成分の仕
事関数は、Ｉｎ＝約４．１２ｅＶ，Ｌｉ＝約２．９ｅ
Ｖ，Ｍｇ＝約３．６６ｅＶ，Ｓｒ＝約２．５９ｅＶ，Ａ
ｌ＝約４．２８ｅＶ，Ａｇ＝約４．２６ｅＶである。
れる金属膜７には、陰極１に用いられたアルミニウム、
マグネシウム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事
関数が小さな金属を用いる。陽極２に仕事関数の大きな
ＩＴＯを用いる場合、金属膜７には仕事関数が小さな例
えば、Ａｌ−Ｌｉ，Ｉｎ−Ｌｉ，Ｍｇ−Ｓｒ，Ａｌ−Ｓ
ｒの合金を用い得る。金属等の表面から１個の電子を真
空外部に取り出すに必要なエネルギー（ｅＶ）を示す仕
事関数は、同じ金属でも不純物や吸着等のその表面状態
により敏感に変化するが、これら金属膜合金の成分の仕
事関数は、Ｉｎ＝約４．１２ｅＶ，Ｌｉ＝約２．９ｅ
Ｖ，Ｍｇ＝約３．６６ｅＶ，Ｓｒ＝約２．５９ｅＶ，Ａ
ｌ＝約４．２８ｅＶ，Ａｇ＝約４．２６ｅＶである。
【００１２】図６に、陽極２及び正孔輸送層４間の一部
に積層される金属膜７の例示的態様を示す。図６（ａ）
は図４及び５に示すごとき、金属膜７が陽極２の縁部に
沿って部分的に陽極２の表面上を覆うように積層される
場合を示す。図６（ｂ）は、金属膜７が陽極２の縁部及
び透明基板６に渡って部分的に陽極２の表面上を覆うよ
うに積層される場合を示す。図６（ｃ）は、金属膜７が
陽極２上の中央部にて部分的に陽極２の表面上を覆うよ
うに積層される場合を示す。また、部分的に形成される
金属膜７は、陽極２上においてその伸長方向に沿って連
続的に又は間歇的に積層され得る。図６（ａ）〜（ｃ）
に示すように陽極２の側面は異方性エッチング等により
透明基板６上略直角に形成されても良いが、さらに、図
６（ｄ）に示すように陽極２の側面が等方性エッチング
等により傾斜面として形成される場合、金属膜７は傾斜
側面の表面上を覆い隣接するように積層される。なお、
この金属膜７は単一金属でも複数の金属からなる合金で
も良く、できるだけ仕事関数の低いものの方が効果が大
きい。
に積層される金属膜７の例示的態様を示す。図６（ａ）
は図４及び５に示すごとき、金属膜７が陽極２の縁部に
沿って部分的に陽極２の表面上を覆うように積層される
場合を示す。図６（ｂ）は、金属膜７が陽極２の縁部及
び透明基板６に渡って部分的に陽極２の表面上を覆うよ
うに積層される場合を示す。図６（ｃ）は、金属膜７が
陽極２上の中央部にて部分的に陽極２の表面上を覆うよ
うに積層される場合を示す。また、部分的に形成される
金属膜７は、陽極２上においてその伸長方向に沿って連
続的に又は間歇的に積層され得る。図６（ａ）〜（ｃ）
に示すように陽極２の側面は異方性エッチング等により
透明基板６上略直角に形成されても良いが、さらに、図
６（ｄ）に示すように陽極２の側面が等方性エッチング
等により傾斜面として形成される場合、金属膜７は傾斜
側面の表面上を覆い隣接するように積層される。なお、
この金属膜７は単一金属でも複数の金属からなる合金で
も良く、できるだけ仕事関数の低いものの方が効果が大
きい。
【００１３】金属膜７によって、例えば図５に示すＱ部
では、透明電極２側からの正孔輸送層４及び発光層３へ
の正孔の注入が抑制されるため、このＱ部分の発光及び
流れる電流を減少させることができるとともに、陽極２
及び金属膜７の伸長方向の抵抗値は減少する。ところ
で、一般の例えば液晶ディスプレイや無機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイ等の平面ディスプレイ装置に
おいても透明電極付基板が用いられ、基板の大型化、高
精細化にともなう透明電極ライン抵抗値の増大の問題が
ある。これを解消するために、図７に示すように透明基
板１１及びＩＴＯ透明電極１２間に金属膜１５を部分的
に挿入する方法が考えられる。
では、透明電極２側からの正孔輸送層４及び発光層３へ
の正孔の注入が抑制されるため、このＱ部分の発光及び
流れる電流を減少させることができるとともに、陽極２
及び金属膜７の伸長方向の抵抗値は減少する。ところ
で、一般の例えば液晶ディスプレイや無機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイ等の平面ディスプレイ装置に
おいても透明電極付基板が用いられ、基板の大型化、高
精細化にともなう透明電極ライン抵抗値の増大の問題が
ある。これを解消するために、図７に示すように透明基
板１１及びＩＴＯ透明電極１２間に金属膜１５を部分的
に挿入する方法が考えられる。
【００１４】かかる技術を基にして、図８に示すように
ガラス透明基板１１上に、金属膜１５、透明陽極１２、
有機正孔輸送層４、発光層３及び金属陰極１が順に積層
された有機エレクトロルミネッセンス素子を作ると、図
８のＰ部の発光が、金属膜１５に遮られてしまうのでこ
のＰ部分を流れる電流が無駄になり効率が悪い。そこ
で、図９に示すように透明電極１２上の一部に絶縁膜１
６を積層することにより、Ｐ部の発光を防ぎこの部分を
流れる電流をなくす方法が考えられる。ところがこの方
法は、フォトリソグラフィの工程数が増えマスク位置合
わせが複雑になり、その製造が煩雑になる。
ガラス透明基板１１上に、金属膜１５、透明陽極１２、
有機正孔輸送層４、発光層３及び金属陰極１が順に積層
された有機エレクトロルミネッセンス素子を作ると、図
８のＰ部の発光が、金属膜１５に遮られてしまうのでこ
のＰ部分を流れる電流が無駄になり効率が悪い。そこ
で、図９に示すように透明電極１２上の一部に絶縁膜１
６を積層することにより、Ｐ部の発光を防ぎこの部分を
流れる電流をなくす方法が考えられる。ところがこの方
法は、フォトリソグラフィの工程数が増えマスク位置合
わせが複雑になり、その製造が煩雑になる。
【００１５】本発明では、図４〜６に示すように透明電
極上の一部に少なくとも透明電極２より仕事関数の低い
金属膜７を積層することによって、かかる煩雑性を解消
している。すなわち、本発明によれば、図９に示す様な
複雑な構造を用いずに単純な構造で同様な効果を奏する
ことができる。 （実施例１）まず、ガラス基板上にＩＴＯ（仕事関数＝
約５．０ｅＶ）を約１０００Å膜厚で２ｍｍ幅で形成し
透明陽極とした後、Ａｌ−Ｌｉ合金（仕事関数＝約３．
０ｅＶ）を１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空蒸着法で約５００
Å膜厚で成膜し、ＩＴＯ伸長方向に沿って透明電極の縁
部上に０．５ｍｍ幅となるようにフォトリソグラフィ法
によりパターニングし金属膜を積層した。この透明電極
及び金属膜を積層した基板上にＮ，Ｎ´−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ´−ビス（３メチルフェニル）−１，１´−ビフ
ェニル−４，４´−ジアミン（ＴＰＤ）からなる有機正
孔輸送層と、トリス（８−キノリノール）アルミニウム
（Ａｌｑ３）からなる有機発光層をそれぞれ約５００Å
膜厚で形成した後、ＩＴＯ透明電極ラインと直交する方
向にＡｌ−Ｌｉ合金を約１０００Åの膜厚で２ｍｍ幅で
形成し金属陰極とし、２ｍｍ×２ｍｍの面積の有機エレ
クトロルミネッセンス素子を作製した。
極上の一部に少なくとも透明電極２より仕事関数の低い
金属膜７を積層することによって、かかる煩雑性を解消
している。すなわち、本発明によれば、図９に示す様な
複雑な構造を用いずに単純な構造で同様な効果を奏する
ことができる。 （実施例１）まず、ガラス基板上にＩＴＯ（仕事関数＝
約５．０ｅＶ）を約１０００Å膜厚で２ｍｍ幅で形成し
透明陽極とした後、Ａｌ−Ｌｉ合金（仕事関数＝約３．
０ｅＶ）を１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空蒸着法で約５００
Å膜厚で成膜し、ＩＴＯ伸長方向に沿って透明電極の縁
部上に０．５ｍｍ幅となるようにフォトリソグラフィ法
によりパターニングし金属膜を積層した。この透明電極
及び金属膜を積層した基板上にＮ，Ｎ´−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ´−ビス（３メチルフェニル）−１，１´−ビフ
ェニル−４，４´−ジアミン（ＴＰＤ）からなる有機正
孔輸送層と、トリス（８−キノリノール）アルミニウム
（Ａｌｑ３）からなる有機発光層をそれぞれ約５００Å
膜厚で形成した後、ＩＴＯ透明電極ラインと直交する方
向にＡｌ−Ｌｉ合金を約１０００Åの膜厚で２ｍｍ幅で
形成し金属陰極とし、２ｍｍ×２ｍｍの面積の有機エレ
クトロルミネッセンス素子を作製した。
【００１６】作製した素子の電流−輝度特性のグラフを
図１０の実線Ａに示す。また、このグラフに示す破線Ｂ
はＩＴＯより仕事関数の高い金属、例えばＰｔ（仕事関
数＝約５．６５ｅＶ）を金属膜に用いた以外は実施例１
と同様に作成した比較例の有機エレクトロルミネッセン
ス素子の電流−輝度特性を示す。グラフに示すように、
実施例１は、仕事関数がＩＴＯより高い金属膜に用いた
比較例の素子に比べ効率が良くなった。 （実施例２）以下に本発明を二重マトリクス構造の透明
電極に応用した実施例を示す。
図１０の実線Ａに示す。また、このグラフに示す破線Ｂ
はＩＴＯより仕事関数の高い金属、例えばＰｔ（仕事関
数＝約５．６５ｅＶ）を金属膜に用いた以外は実施例１
と同様に作成した比較例の有機エレクトロルミネッセン
ス素子の電流−輝度特性を示す。グラフに示すように、
実施例１は、仕事関数がＩＴＯより高い金属膜に用いた
比較例の素子に比べ効率が良くなった。 （実施例２）以下に本発明を二重マトリクス構造の透明
電極に応用した実施例を示す。
【００１７】図１１（ａ）に示すようにガラス基板６上
にＩＴＯ透明電極２を形成し、フォトリソグラフィ法で
パターニングした後、Ａｌ−Ｌｉ合金金属膜７をＩＴＯ
透明電極２の島状発光部用電極領域Ｒ間の中間部分Ｓに
約５００Å膜厚で、１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空蒸着及び
フォトリソグラフィ法で間歇的に形成した。この基板に
ＴＰＤの有機正孔輸送層及びＡｌｑ3の有機発光層をそ
れぞれ約５００Åの膜厚で全面に渡って形成した後、Ｉ
ＴＯ透明電極ライン２と直交する方向に、図１１（ｂ）
に示すように、Ａｌ−Ｌｉ合金金属陰極１（二点鎖線）
を１０００Å膜厚で形成し、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を作製した。図１２は、図１１のＢＢ’線に沿
った断面の一部を図１に示す。
にＩＴＯ透明電極２を形成し、フォトリソグラフィ法で
パターニングした後、Ａｌ−Ｌｉ合金金属膜７をＩＴＯ
透明電極２の島状発光部用電極領域Ｒ間の中間部分Ｓに
約５００Å膜厚で、１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空蒸着及び
フォトリソグラフィ法で間歇的に形成した。この基板に
ＴＰＤの有機正孔輸送層及びＡｌｑ3の有機発光層をそ
れぞれ約５００Åの膜厚で全面に渡って形成した後、Ｉ
ＴＯ透明電極ライン２と直交する方向に、図１１（ｂ）
に示すように、Ａｌ−Ｌｉ合金金属陰極１（二点鎖線）
を１０００Å膜厚で形成し、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を作製した。図１２は、図１１のＢＢ’線に沿
った断面の一部を図１に示す。
【００１８】まず、この基板のＩＴＯ透明電極ライン２
の抵抗値を測定したところ約０．５ＫΩとなった。ＩＴ
Ｏ透明電極ライン２上にＡｌ−Ｌｉ合金金属膜７を積層
しない比較例のＩＴＯ透明電極ライン２の抵抗値は、約
４．４ＫΩとなり、実施例２は、大幅にライン抵抗値を
小さくすることができた。実施例２の素子を約１０Ｖで
駆動したところ、図１１（ｂ）に示す島状発光部用電極
領域Ｒ部は明るく緑色に発光した。また、図１１（ｂ）
に示す中間部分Ｓ部は発光せず、Ｓ部を膜厚方向に流れ
る電流はＲ部の１／１０００程度とごくわずかであっ
た。
の抵抗値を測定したところ約０．５ＫΩとなった。ＩＴ
Ｏ透明電極ライン２上にＡｌ−Ｌｉ合金金属膜７を積層
しない比較例のＩＴＯ透明電極ライン２の抵抗値は、約
４．４ＫΩとなり、実施例２は、大幅にライン抵抗値を
小さくすることができた。実施例２の素子を約１０Ｖで
駆動したところ、図１１（ｂ）に示す島状発光部用電極
領域Ｒ部は明るく緑色に発光した。また、図１１（ｂ）
に示す中間部分Ｓ部は発光せず、Ｓ部を膜厚方向に流れ
る電流はＲ部の１／１０００程度とごくわずかであっ
た。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
陽極、有機化合物からなる正孔輸送層、有機化合物から
なる発光層及び陰極が順に積層された有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、陽極及び正孔輸送層間の一
部に積層された陽極より仕事関数の低い金属膜を有する
ので、製造工程が容易で低抵抗値である透明電極基板を
備えた高発光効率の有機エレクトロルミネッセンス素子
を得ることができる。
陽極、有機化合物からなる正孔輸送層、有機化合物から
なる発光層及び陰極が順に積層された有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、陽極及び正孔輸送層間の一
部に積層された陽極より仕事関数の低い金属膜を有する
ので、製造工程が容易で低抵抗値である透明電極基板を
備えた高発光効率の有機エレクトロルミネッセンス素子
を得ることができる。
【図１】有機エレクトロルミネッセンス素子の概略部分
断面図である。
断面図である。
【図２】有機エレクトロルミネッセンス素子の概略部分
断面図である。
断面図である。
【図３】図１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子
の概略部分切欠斜視図である。
の概略部分切欠斜視図である。
【図４】本発明による実施例の有機エレクトロルミネッ
センス素子の概略部分切欠斜視図である。
センス素子の概略部分切欠斜視図である。
【図５】本発明による実施例の有機エレクトロルミネッ
センス素子の概略部分断面図である。
センス素子の概略部分断面図である。
【図６】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に
おける金属膜が陽極及び正孔輸送層間の一部に積層され
る例示的態様を示す概略部分断面図である。
おける金属膜が陽極及び正孔輸送層間の一部に積層され
る例示的態様を示す概略部分断面図である。
【図７】平面ディスプレイ装置における透明電極付基板
の概略部分断面図である。
の概略部分断面図である。
【図８】有機エレクトロルミネッセンス素子の概略部分
断面図である。
断面図である。
【図９】有機エレクトロルミネッセンス素子の概略部分
断面図である。
断面図である。
【図１０】本発明による実施例及び比較例の有機エレク
トロルミネッセンス素子の電流−輝度特性を示すグラフ
である。
トロルミネッセンス素子の電流−輝度特性を示すグラフ
である。
【図１１】本発明による実施例の二重マトリクス構造の
透明電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造工程中における構成部材を示す概略平面図である。
透明電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造工程中における構成部材を示す概略平面図である。
【図１２】図１１のＢＢ’線に沿った断面の一部を示す
概略部分断面図である。
概略部分断面図である。
１ 陰極、金属電極 ２ 陽極、透明電極 ３ 有機発光層 ４ 有機正孔輸送層 ５ 有機電子輸送層 ６ 基板 ７ 陽極より仕事関数の低い金属膜
フロントページの続き (72)発明者 永山 健一 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 渡辺 輝一 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB05 AB18 BA06 CA01 CB01 CB02 DA01 DB03 EB00
Claims (4)
- 【請求項１】 陽極、有機化合物からなる正孔輸送層、
有機化合物からなる発光層及び陰極が順に積層された有
機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層
の一部に流れる電流を減少せしめる絶縁膜を有すること
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 前記陰極及び前記発光層間に有機電子輸
送層が配されたことを特徴とする請求項１記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 前記絶縁膜は前記陽極上の一部に積層さ
れたことを特徴とする請求項１又は２記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 前記絶縁膜は前記陽極上の一部の補助電
極上に積層されたことを特徴とする請求項１又は２記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001272861A JP3518682B2 (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001272861A JP3518682B2 (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4111455A Division JPH05307997A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002083692A true JP2002083692A (ja) | 2002-03-22 |
| JP3518682B2 JP3518682B2 (ja) | 2004-04-12 |
Family
ID=19098159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001272861A Expired - Fee Related JP3518682B2 (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3518682B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004281371A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-10-07 | Eastman Kodak Co | 電圧安定性を向上したカスケード式有機電場発光デバイス |
| WO2006098420A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Pioneer Corporation | 発光素子及び表示装置 |
| JPWO2011016086A1 (ja) * | 2009-08-05 | 2013-01-10 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| WO2016030184A1 (de) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronische vorrichtung |
-
2001
- 2001-09-10 JP JP2001272861A patent/JP3518682B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP4570017B2 (ja) * | 2002-10-09 | 2010-10-27 | グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー | 電圧安定性を向上したカスケード式有機電場発光デバイス |
| WO2006098420A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Pioneer Corporation | 発光素子及び表示装置 |
| JPWO2011016086A1 (ja) * | 2009-08-05 | 2013-01-10 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| US9153792B2 (en) | 2009-08-05 | 2015-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescence device including auxiliary electrodes |
| WO2016030184A1 (de) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronische vorrichtung |
| US20170256715A1 (en) * | 2014-08-26 | 2017-09-07 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic Device |
| US10217940B2 (en) | 2014-08-26 | 2019-02-26 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3518682B2 (ja) | 2004-04-12 |
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