JPH046795A - 有機el素子 - Google Patents
有機el素子Info
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- JPH046795A JPH046795A JP2109628A JP10962890A JPH046795A JP H046795 A JPH046795 A JP H046795A JP 2109628 A JP2109628 A JP 2109628A JP 10962890 A JP10962890 A JP 10962890A JP H046795 A JPH046795 A JP H046795A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 36
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 27
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract description 27
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 abstract description 27
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電極が積層構造である有機EL素子に関する。
[従来の技術]
有機EL素子は、数Vから数10V程度の直流電圧を印
加することによって、比較的高い輝度で発光すると共に
、青色から赤色までの発光色が簡単に得ることができる
ので、基礎研究がさかんに行なわれている。
加することによって、比較的高い輝度で発光すると共に
、青色から赤色までの発光色が簡単に得ることができる
ので、基礎研究がさかんに行なわれている。
ところで、有機EL素子は、現在、商品化されている衝
突励起型の薄膜EL素子とは異なり、電子と正孔の再結
合によって発光する。したがって、電子輸送層と発光層
と正孔輸送層との三層構造の有機EL素子においては、
上記電子輸送層および上記正孔輸送層へのキャリアの注
入効率の向上か求められている。また、発光層と正孔輸
送層との二層構造の有機EL素子においては、上記発光
層および上記正孔輸送層へのキャリアの注入効率の向上
が求められている。
突励起型の薄膜EL素子とは異なり、電子と正孔の再結
合によって発光する。したがって、電子輸送層と発光層
と正孔輸送層との三層構造の有機EL素子においては、
上記電子輸送層および上記正孔輸送層へのキャリアの注
入効率の向上か求められている。また、発光層と正孔輸
送層との二層構造の有機EL素子においては、上記発光
層および上記正孔輸送層へのキャリアの注入効率の向上
が求められている。
従来、この種の有機EL素子としては、電子を注入する
側の電極として、マグネシウムあるいはリチウムなどの
仕事関数の低い金属を用いることによって、電子輸送層
あるいは発光層への電子注入効率を向上させたものがあ
る。
側の電極として、マグネシウムあるいはリチウムなどの
仕事関数の低い金属を用いることによって、電子輸送層
あるいは発光層への電子注入効率を向上させたものがあ
る。
また、今一つの有機EL素子としては、電子を注入する
側の電極として、この電極の抵抗率を下1デる目的で、
マグネシウムあるいはリチウムなどの仕事関数の低い金
属にアルミニウムまたは銀などを混ぜた合金を用いたも
のがある。
側の電極として、この電極の抵抗率を下1デる目的で、
マグネシウムあるいはリチウムなどの仕事関数の低い金
属にアルミニウムまたは銀などを混ぜた合金を用いたも
のがある。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、前者の有機EL素子では、電子を注入す
る側の電極であるマグネシウムやリチウムは、半田付け
が不可能である上に、マグネシウムは抵抗率か4.22
XI06層cm、リチウムは抵抗率か8.55XIO6
層cmと比較的大きいので、EL表示パネルを作成する
場合に電子を注入する側の電極の取り出しか難しい上に
、上記電極の電圧降下が大きいという問題かある。
る側の電極であるマグネシウムやリチウムは、半田付け
が不可能である上に、マグネシウムは抵抗率か4.22
XI06層cm、リチウムは抵抗率か8.55XIO6
層cmと比較的大きいので、EL表示パネルを作成する
場合に電子を注入する側の電極の取り出しか難しい上に
、上記電極の電圧降下が大きいという問題かある。
また、後宮の有機EL素子では、電子を注入する側の電
極として、電極の抵抗率を下げる目的で、マグネシウム
あるいはリチウムにアルミニウムや銀などを混ぜる合金
を用いているが、上記電極の抵抗率を十分に下げること
ができない上に、半田付けができないという問題がある
。
極として、電極の抵抗率を下げる目的で、マグネシウム
あるいはリチウムにアルミニウムや銀などを混ぜる合金
を用いているが、上記電極の抵抗率を十分に下げること
ができない上に、半田付けができないという問題がある
。
そこで、本発明の目的は、電子を注入する側の電極の電
子の注入効率が良好であると共に上記電極の端子の取り
出しが容易である有機EL素子、あるいは上記電極の電
子の注入効率が良好であると共に上記電極の電圧降下の
小さい有機EL素子、あるいは上記電極の電子の注入効
率か良好であると共に上記電極の端子の取り出しが容易
であり、さらに上記電極の電圧降下の小さい有機EL素
子を提供することにある。
子の注入効率が良好であると共に上記電極の端子の取り
出しが容易である有機EL素子、あるいは上記電極の電
子の注入効率が良好であると共に上記電極の電圧降下の
小さい有機EL素子、あるいは上記電極の電子の注入効
率か良好であると共に上記電極の端子の取り出しが容易
であり、さらに上記電極の電圧降下の小さい有機EL素
子を提供することにある。
[課題を解決するための手段り
上記目的を達成するため、本発明の有機EL素子は、夫
々有機薄膜からなる正孔輸送層と発光層と電子輸送層の
3層を積み重ねた積層構造、あるいは夫々有機薄膜から
なる発光層と電子輸送層の2層を積み重ねた積層構造、
あるいは夫々有機薄膜からなる正孔輸送層と発光層の2
層を積み重ねた積層構造を電極で挾んだ有機EL素子に
おいて、電子を注入する側の電極を少なくとも2層の積
層構造としたことを特徴としている。
々有機薄膜からなる正孔輸送層と発光層と電子輸送層の
3層を積み重ねた積層構造、あるいは夫々有機薄膜から
なる発光層と電子輸送層の2層を積み重ねた積層構造、
あるいは夫々有機薄膜からなる正孔輸送層と発光層の2
層を積み重ねた積層構造を電極で挾んだ有機EL素子に
おいて、電子を注入する側の電極を少なくとも2層の積
層構造としたことを特徴としている。
また、上記電子を注入する側の電極は仕事関数の低い金
属の上に半田付けが可能な金属を積層してなることが望
ましい。
属の上に半田付けが可能な金属を積層してなることが望
ましい。
また、上記電子を注入する側の電極は仕事関数の低い金
属の上に、その金属よりも抵抗率の低い金属を積層して
なることが望ましい。
属の上に、その金属よりも抵抗率の低い金属を積層して
なることが望ましい。
また、上記電子を注入する側の電極は仕事関数の低い金
属の上に、その金属よりも抵抗率の低い金属と、半田付
けが可能な金属を順次積層してなることが望ましい。
属の上に、その金属よりも抵抗率の低い金属と、半田付
けが可能な金属を順次積層してなることが望ましい。
[作用]
電子を注入する側の電極は2層以上の積層構造である。
上記電極の材料として、仕事関数の低い金属と、抵抗率
の低い金属や半田付けの可能な金属を選択可能である。
の低い金属や半田付けの可能な金属を選択可能である。
電子を注入する側の電極を、仕事関数の低い金属の上に
半田付けが可能な金属を積層してなるよう選択した場合
には、電子の注入効率が良好であると共に、上記電極か
らの端子取り出しが容易である。
半田付けが可能な金属を積層してなるよう選択した場合
には、電子の注入効率が良好であると共に、上記電極か
らの端子取り出しが容易である。
また、電子を注入する側の電極を、仕事関数の低い金属
の上に、その金属よりも抵抗率の低い金属を積層してな
るよう選択した場合には、電子の注入効率が良好である
と共に、上記電極での電圧降下が小さくなる。
の上に、その金属よりも抵抗率の低い金属を積層してな
るよう選択した場合には、電子の注入効率が良好である
と共に、上記電極での電圧降下が小さくなる。
また、電子を注入する側の電極を、仕事関数の低い金属
の上に、その金属よりも抵抗率の低い金属を積層して、
更にその上に半田付けが可能な金属を積層してなるよう
選択した場合には、電子の注入効率が良好であると共に
、上記電極での電圧降下が小さくなり、更に、上記電極
からの端子取り出しが容易になる。
の上に、その金属よりも抵抗率の低い金属を積層して、
更にその上に半田付けが可能な金属を積層してなるよう
選択した場合には、電子の注入効率が良好であると共に
、上記電極での電圧降下が小さくなり、更に、上記電極
からの端子取り出しが容易になる。
[実施例]
以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第1図は、本実施例の有機EL素子の断面図である。こ
の有機EL素子は、ガラス基板l上に透明電極2をスト
ライプ状に形成し、その上にトリフェニルジアミンから
なる正孔輸送層3.テトラフェニルシクロペンタジェン
からなる発光層4゜ペリレン誘導体からなる電子輸送層
5を順次、抵抗加熱蒸着法により、それぞれ500人程
度の厚さに形成する。更に、上記電子輸送層の上に、上
記透明電極2と直交する方向に伸びるストライプ状に、
仕事関数の低いマグネシウムからなるマグネシウム層6
と、半田付けの可能なニッケルからなるニッケル層7を
順次、積み重ねて電子を注入する側の電極を形成してい
る。
の有機EL素子は、ガラス基板l上に透明電極2をスト
ライプ状に形成し、その上にトリフェニルジアミンから
なる正孔輸送層3.テトラフェニルシクロペンタジェン
からなる発光層4゜ペリレン誘導体からなる電子輸送層
5を順次、抵抗加熱蒸着法により、それぞれ500人程
度の厚さに形成する。更に、上記電子輸送層の上に、上
記透明電極2と直交する方向に伸びるストライプ状に、
仕事関数の低いマグネシウムからなるマグネシウム層6
と、半田付けの可能なニッケルからなるニッケル層7を
順次、積み重ねて電子を注入する側の電極を形成してい
る。
上記構成の有機EL素子は、ペリレン誘導体からなる上
記電子輸送層5に接するのは仕事関数の低い上記マグネ
シウム層6であるので、上記電子輸送層5への電子の注
入効率が高く、高輝度の発光か可能であると共に、上記
マグネシウム層6の上j二半田付けの可能なニッケル層
7を積層しているので、上記電極への半田付けが可能で
あり、端子取り出しが容易である。
記電子輸送層5に接するのは仕事関数の低い上記マグネ
シウム層6であるので、上記電子輸送層5への電子の注
入効率が高く、高輝度の発光か可能であると共に、上記
マグネシウム層6の上j二半田付けの可能なニッケル層
7を積層しているので、上記電極への半田付けが可能で
あり、端子取り出しが容易である。
次に、第2の実施例を第2図に示す。この実施例は、前
述の実施例の電子を注入する側の電極において、ニッケ
ル層7に替えて、アルミニウム層8をマグネシウム層6
の上に積層した点のみが前述の実施例と異なる。したが
って、前述の実施例と同一構成部は同一番号を付して、
電子を注入する側の電極に関する部分のみを以下に説明
する。
述の実施例の電子を注入する側の電極において、ニッケ
ル層7に替えて、アルミニウム層8をマグネシウム層6
の上に積層した点のみが前述の実施例と異なる。したが
って、前述の実施例と同一構成部は同一番号を付して、
電子を注入する側の電極に関する部分のみを以下に説明
する。
第2図に示すように、上記実施例の有機EL素子は、仕
事関数の低いマグネシウム層6の上に抵抗率が2.5x
lO’ΩCl11のアルミニウムからなるアルミニウム
層8を積み重ねて電子を注入する側の電極を形成してい
る。
事関数の低いマグネシウム層6の上に抵抗率が2.5x
lO’ΩCl11のアルミニウムからなるアルミニウム
層8を積み重ねて電子を注入する側の電極を形成してい
る。
上記の構成の有機EL素子は、仕事関数の低いマグネシ
ウム層6が電子輸送層5jこ接しているのて、電子輸送
層5への電子の注入効率か高く、高輝度の発光が可能で
あると共に、上記マグネシウム層6の上に抵抗率の低い
アルミニウム層8を積層しているので、上記電子を注入
する側の電極での電圧降下を小さくすることができる。
ウム層6が電子輸送層5jこ接しているのて、電子輸送
層5への電子の注入効率か高く、高輝度の発光が可能で
あると共に、上記マグネシウム層6の上に抵抗率の低い
アルミニウム層8を積層しているので、上記電子を注入
する側の電極での電圧降下を小さくすることができる。
次に、第3の実施例を第3図に示す。この実施例は、第
2の実施例の電子を注入する側の電極において、アルミ
ニウム層8の上に、ニッケルからなるニッケル層9を積
み重ねた点のみが第2の実施例と異なる。したがって、
前述の実施例と同一構成部は同一番号を付して、電子を
注入する側の電極に関する部分のみを以下に説明する。
2の実施例の電子を注入する側の電極において、アルミ
ニウム層8の上に、ニッケルからなるニッケル層9を積
み重ねた点のみが第2の実施例と異なる。したがって、
前述の実施例と同一構成部は同一番号を付して、電子を
注入する側の電極に関する部分のみを以下に説明する。
第3図に示すように、上記実施例の有機EL素子は、仕
事関数の低いマグネシウム層6の上に抵抗率の低いアル
ミニウム層8を積み重ねて、更に、上記アルミニウム層
8の上に半田付けの可能なニッケル層9を積み重ねて電
子を注入する側の電極を形成している。
事関数の低いマグネシウム層6の上に抵抗率の低いアル
ミニウム層8を積み重ねて、更に、上記アルミニウム層
8の上に半田付けの可能なニッケル層9を積み重ねて電
子を注入する側の電極を形成している。
上記構成の有機EL素子は、仕事関数の低いマグネシウ
ム層6が電子輸送層5に接しているので、電子輸送層5
への電子の注入効率が高く、高輝度の発光が可能である
と共に、上記マグネシウム層6の上に抵抗率の低いアル
ミニウム層8を積み重ねているので、上記電子を注入す
る側の電極での電圧降下を小さくすることができて、更
に、上記アルミニウム層8の上に半田付けの可能なニッ
ケル層9を積み重ねているので、上記電子を注入する側
の電極への半田付けが可能であり、端子取り出しが容易
である。
ム層6が電子輸送層5に接しているので、電子輸送層5
への電子の注入効率が高く、高輝度の発光が可能である
と共に、上記マグネシウム層6の上に抵抗率の低いアル
ミニウム層8を積み重ねているので、上記電子を注入す
る側の電極での電圧降下を小さくすることができて、更
に、上記アルミニウム層8の上に半田付けの可能なニッ
ケル層9を積み重ねているので、上記電子を注入する側
の電極への半田付けが可能であり、端子取り出しが容易
である。
次に、第4の実施例を第4図に示す。この実施例は、ガ
ラス基板11上に透明電極I2をストライプ状に形成し
、その上にトリフェニルジアミンからなる正孔輸送層1
3.テトラフェニルシクロペンタジェンからなる発光層
14を、順次抵抗加熱蒸着法により、それぞれ500人
程度の厚さに形成する。上記発光層14の上に、上記透
明電極12と直交する方向に伸びるストライプ状に、仕
事関数の低いマグネシウムからなるマグネシウム層16
と半田付けの可能なニッケルからなるニッケル層17を
、順次積み重ねて、電子を注入する側の電極を形成して
いる。
ラス基板11上に透明電極I2をストライプ状に形成し
、その上にトリフェニルジアミンからなる正孔輸送層1
3.テトラフェニルシクロペンタジェンからなる発光層
14を、順次抵抗加熱蒸着法により、それぞれ500人
程度の厚さに形成する。上記発光層14の上に、上記透
明電極12と直交する方向に伸びるストライプ状に、仕
事関数の低いマグネシウムからなるマグネシウム層16
と半田付けの可能なニッケルからなるニッケル層17を
、順次積み重ねて、電子を注入する側の電極を形成して
いる。
上記構成の有機EL素子は、仕事関数の低いマグネシウ
ム層16が上記発光層14に接しているので、上記発光
層14への電子の注入効率が高く、高輝度の発光が可能
であると共に、上記マグネシウム層16の上に半田付け
の可能なニッケル層I7を積み重ねているので、上記電
子を注入する側の電極への半田付けが可能であり、端子
取り出しが容易である。
ム層16が上記発光層14に接しているので、上記発光
層14への電子の注入効率が高く、高輝度の発光が可能
であると共に、上記マグネシウム層16の上に半田付け
の可能なニッケル層I7を積み重ねているので、上記電
子を注入する側の電極への半田付けが可能であり、端子
取り出しが容易である。
次に、第5の実施例を第5図に示す。この実施例は、ガ
ラス基板21上に透明電極22をストライプ状に形成し
、その上にテトラフェニルシクロペンタジェンからなる
発光層24.ペリレン誘導体からなる電子輸送層25を
、順次抵抗加熱蒸着法により、それぞれ500人程鹿の
厚さに形成する。上記電子輸送層25の上に、上記透明
電極22と直交する方向に伸びるストライプ状に、仕事
関数の低いマグネシウムからなるマグネシウム層26と
半田付けの可能なニッケルからなるニッケル層27を順
次積み重ねて、電子を注入する側の電極を形成している
。
ラス基板21上に透明電極22をストライプ状に形成し
、その上にテトラフェニルシクロペンタジェンからなる
発光層24.ペリレン誘導体からなる電子輸送層25を
、順次抵抗加熱蒸着法により、それぞれ500人程鹿の
厚さに形成する。上記電子輸送層25の上に、上記透明
電極22と直交する方向に伸びるストライプ状に、仕事
関数の低いマグネシウムからなるマグネシウム層26と
半田付けの可能なニッケルからなるニッケル層27を順
次積み重ねて、電子を注入する側の電極を形成している
。
上記構成の有機EL素子は、仕事関数の低いマグネシウ
ム層26が上記電子輸送層25に接するので、上記電子
輸送層25への電子の注入効率が高く、高輝度の発光が
可能であると共に、上記マグネシウム層26の上に半田
付けの可能なニッケル層27を積み重ねているので、上
記電子を注入する側の電極への半田付けか可能であり、
端子取り出しが容易である。
ム層26が上記電子輸送層25に接するので、上記電子
輸送層25への電子の注入効率が高く、高輝度の発光が
可能であると共に、上記マグネシウム層26の上に半田
付けの可能なニッケル層27を積み重ねているので、上
記電子を注入する側の電極への半田付けか可能であり、
端子取り出しが容易である。
上記5つの実施例では、正孔輸送層の材料としてはトリ
フェニルジアミン、発光層の材料としてはテトラフェニ
ルシクロペンタジェン、電子輸送層の材料としてはペリ
レン誘導体を用いたが、その他の有機材料を用いてもよ
い。また、上記5つの実施例では、仕事関数の低い電極
材料としてマグネシウムを用いたが、リチウムやトリウ
ムやセシウムなどを用いてもよい。また、上記5つの実
施例では、半田付は可能な電極材料としてニッケルを用
いたが、銅や鉄などを用いてもよい。また、上記5つの
実施例では、抵抗率の低い電極材料としてアルミニウム
を用いたか、銀や金や銅を用いてもよい。
フェニルジアミン、発光層の材料としてはテトラフェニ
ルシクロペンタジェン、電子輸送層の材料としてはペリ
レン誘導体を用いたが、その他の有機材料を用いてもよ
い。また、上記5つの実施例では、仕事関数の低い電極
材料としてマグネシウムを用いたが、リチウムやトリウ
ムやセシウムなどを用いてもよい。また、上記5つの実
施例では、半田付は可能な電極材料としてニッケルを用
いたが、銅や鉄などを用いてもよい。また、上記5つの
実施例では、抵抗率の低い電極材料としてアルミニウム
を用いたか、銀や金や銅を用いてもよい。
[発明の効果]
以上の説明より明らかなように、本発明の有機EL素子
は、電子を注入する側の電極が2層以上の積層構造であ
るので、上記電極材料として仕事関数の低い金属と、抵
抗率の低い金属または半田付けの可能な金属などを2つ
以上選択することができる。
は、電子を注入する側の電極が2層以上の積層構造であ
るので、上記電極材料として仕事関数の低い金属と、抵
抗率の低い金属または半田付けの可能な金属などを2つ
以上選択することができる。
電子を注入する側の電極を、仕事関数の低い金属の上に
半田付けが可能な金属を積層してなるよう選択した場合
には、高輝度の発光か可能であると共に、上記電極から
の端子取り出しが容易にできる。
半田付けが可能な金属を積層してなるよう選択した場合
には、高輝度の発光か可能であると共に、上記電極から
の端子取り出しが容易にできる。
また、電子を注入する側の電極を、仕事関数の低い金属
の上にその金属よりも抵抗率の低い金属を積層してなる
よう選択した場合には、高輝度の発光が可能であると共
に、上記電極での電圧降下を小さくできる。
の上にその金属よりも抵抗率の低い金属を積層してなる
よう選択した場合には、高輝度の発光が可能であると共
に、上記電極での電圧降下を小さくできる。
また、電子を注入する側の電極は、仕事関数の低い金属
の上にその金属よりも抵抗率の低い金属を積層して、更
に、その上に半田付けか可能な金属を積層してなるよう
選択した場合には、高輝度の発光か可能であると共に、
上記電極での電圧降下が小さくできて、更に、上記電極
の端子取り出しが容易にてきる。
の上にその金属よりも抵抗率の低い金属を積層して、更
に、その上に半田付けか可能な金属を積層してなるよう
選択した場合には、高輝度の発光か可能であると共に、
上記電極での電圧降下が小さくできて、更に、上記電極
の端子取り出しが容易にてきる。
第1図は本発明の有機EL素子の一実施例の断面図、第
2図は本発明の第2の実施例の断面図、第3図は本発明
の第3の実施例の断面図、第4図は本発明の第4の実施
例の断面図、第5図は本発明の第5の実施例の断面図で
ある。 夏、11.2ト・・ガラス基板、 2.12.22・・透明電極、3.13・正孔輸送層、
4.14.24・・・発光層、5.25・・・電子輸送
層、6.16.26・・・マグネシウム層、7.9,1
7.27・・・ニッケル層、8・・・アルミニウム層。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人 弁
理士 青 山 葆 ほか夏名第 図 第2図 第3図
2図は本発明の第2の実施例の断面図、第3図は本発明
の第3の実施例の断面図、第4図は本発明の第4の実施
例の断面図、第5図は本発明の第5の実施例の断面図で
ある。 夏、11.2ト・・ガラス基板、 2.12.22・・透明電極、3.13・正孔輸送層、
4.14.24・・・発光層、5.25・・・電子輸送
層、6.16.26・・・マグネシウム層、7.9,1
7.27・・・ニッケル層、8・・・アルミニウム層。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人 弁
理士 青 山 葆 ほか夏名第 図 第2図 第3図
Claims (4)
- (1)夫々有機薄膜からなる正孔輸送層と発光層と電子
輸送層の3層を積み重ねた積層構造、あるいは夫々有機
薄膜からなる発光層と電子輸送層の2層を積み重ねた積
層構造、あるいは夫々有機薄膜からなる正孔輸送層と発
光層の2層を積み重ねた積層構造を電極で挾んだ有機E
L素子において、 電子を注入する側の電極を少なくとも2層の積層構造と
したことを特徴とする有機EL素子。 - (2)上記電子を注入する側の電極は仕事関数の低い金
属の上に半田付けが可能な金属を積層してなることを特
徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - (3)上記電子を注入する側の電極は仕事関数の低い金
属の上に、その金属よりも抵抗率の低い金属を積層して
なることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - (4)上記電子を注入する側の電極は仕事関数の低い金
属の上に、その金属よりも抵抗率の低い金属と、半田付
けが可能な金属を順次積層してなることを特徴とする請
求項1に記載の有機EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2109628A JPH046795A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2109628A JPH046795A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 有機el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH046795A true JPH046795A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14515104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2109628A Pending JPH046795A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 有機el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH046795A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04212287A (ja) * | 1990-05-29 | 1992-08-03 | Toppan Printing Co Ltd | 有機薄膜el素子 |
US6329083B1 (en) | 1997-11-05 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device containing a benzoperylene compound |
US6465116B1 (en) | 1998-06-08 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device |
US6699594B1 (en) | 1998-06-08 | 2004-03-02 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device |
WO2011024343A1 (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | シャープ株式会社 | El発光装置及びその製造方法 |
US8439718B2 (en) | 2002-09-05 | 2013-05-14 | Lg Electronics Inc. | Organic el display panel for reducing resistance of electrode lines |
-
1990
- 1990-04-24 JP JP2109628A patent/JPH046795A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04212287A (ja) * | 1990-05-29 | 1992-08-03 | Toppan Printing Co Ltd | 有機薄膜el素子 |
US6329083B1 (en) | 1997-11-05 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device containing a benzoperylene compound |
US6753097B2 (en) | 1997-11-05 | 2004-06-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US7125614B2 (en) | 1997-11-05 | 2006-10-24 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US6465116B1 (en) | 1998-06-08 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device |
US6699594B1 (en) | 1998-06-08 | 2004-03-02 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device |
US8439718B2 (en) | 2002-09-05 | 2013-05-14 | Lg Electronics Inc. | Organic el display panel for reducing resistance of electrode lines |
US9723687B2 (en) | 2002-09-05 | 2017-08-01 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Organic EL display panel for reducing resistance of electrode lines |
WO2011024343A1 (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | シャープ株式会社 | El発光装置及びその製造方法 |
JP5209794B2 (ja) * | 2009-08-26 | 2013-06-12 | シャープ株式会社 | El発光装置及びその製造方法 |
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