JP2000277252A - 有機電場発光パネルとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱伝導がきわめてよく、素子駆動時に熱破壊
や輝度ムラがなく、高精細度のパターンニングが実現で
き、作製工程が容易である有機電場発光パネルとその製
造方法を提供する。 【解決手段】 画素を分離する高さ（Ｒｈ）のストライ
プ状の凸部を有する表面が電気絶縁性の熱伝導性板２を
基板として、凸部３で挟まれた凹部には、ストライプ状
金属薄膜陰極４と、電子輸送性有機分子と正孔輸送性有
機分子とを含有する蛍光発光性の有機機能層５とを積層
した厚み（Ｒｈ）以下の発光素子層を形成し、さらにそ
の上にストライプ状の凸部３の配列方向と交差する方向
に沿って、幅（Ｓｗ）が画素幅（Ｇｗ）の１／３以下
（Ｓｗ≦Ｇｗ／３）で、厚み（Ｓｈ）が３００ｎｍ以上
でかつ凸部３の高さ（Ｒｈ）以上の高導電性ストライプ
状補助電極７を形成し、高導電性ストライプ状補助電極
７に電気的に接して陽極となる透明導電膜６を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光ディスプレ
イ、発光ダイオードおよび面発光光源などに用いられる
有機電場発光パネルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、電場発光デバイス（ＥＬ）よ
りなるディスプレイパネルは、視認性が高く、表示能力
に優れ、高速応答も可能という特徴を持っている。近
年、有機化合物を構成材料とする電場発光デバイスにつ
いて報告がなされた（例えば、関連論文としてアプライ
ド・フィジックス・レターズ、第５１巻９１３頁１９８
７年(Applied Physics Letters,51,1987,P.913.)が挙
げられる。）。

【０００３】この報告でＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらは、有機発
光層及び電荷輸送層を積層した構造の電場発光デバイス
を開示している。ここでは発光材料として高い発光効率
と電子輸送を合わせ持つトリス（８−キノリノール）ア
ルミニウム錯体（以下「Ａｌｑ」と略す。）を用いて、
優れた電場発光デバイスを得ている。また、ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス、第６５巻３６１０
頁１９８９年(Journal of Applied Physics,65,198
9,p.3610.)には、有機発光層を形成するＡｌｑにクマリ
ン誘導体やＤＣＭ１(Eastman Chemicals)等の蛍光色素
をドープした素子を作製し、色素の適切な選択により発
光色が変わることを報告すると共に、発光効率も非ドー
プに比べ上昇することを開示している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】この研究に続いて多く
の研究開発がなされ、新しい機能材料として、蛍光発光
性のキレート金属錯体や電子輸送性有機分子や正孔輸送
性有機分子が開発されると共に、ドットマトリクスによ
るディスプレイパネルやカラー化に向けて種々の検討が
なされている。

【０００５】しかしながら、この有機電場発光パネルで
は、素子が有機物で熱に弱い上、酸やアルカリ等の処理
で損傷を受けることから、従来の無機デバイスのプロセ
スのようなパターン形成技術が使えないという制約があ
る。そのため、有機電場発光パネルの金属蒸着電極をう
まくストライプ状に分離してマスクレスで画素を形成す
る方法として、画素間にリブを形成して画素分離を行う
方法が特開平５−２５８８５９号公報並びに特開平５−
２７５１７２号公報に開示されている。

【０００６】また、パネルの駆動電流によるストライプ
電極の発熱を低減する方法として、補助電極導入の例
が、特開平１０−２２３３７４号公報に開示されてい
る。しかしながら、有機電場発光素子によるドットマト
リクスディスプレイパネルを構成するに当たっては、素
子が有機材料で熱に弱いにもかかわらず、液晶ディスプ
レイのような電界で駆動する素子と違って駆動電流が大
きく、素子内部やストライプ状電極の発熱により熱破壊
や輝度ムラができるという大きな問題点があった。

【０００７】また、ドットマトリクスパネルの画素を形
成する際に、開口率を高くするためには蒸着マスクのス
トライプスリット（画素幅）を画素ピッチに対して大き
く取る必要があり、マスクが細いワイヤ状となりマスク
の精度が上がらないという問題点があった。本発明は前
記問題点を解決し、熱伝導がきわめてよく、素子駆動時
に熱破壊や輝度ムラがなく、高精細度のパターンニング
が実現でき、作製工程が容易である有機電場発光パネル
とその製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の有機電場発光パ
ネルは、パネルの表面形状および材料の構成を特殊にし
たことを特徴とする。この本発明によると、素子駆動時
に熱破壊や輝度ムラがなく、高精細度の画素を容易に形
成できる有機電場発光パネルが得られる。

【０００９】

【発明の実施の形態】請求項１記載の有機電場発光パネ
ルは、画素を分離する高さ（Ｒｈ）のストライプ状の凸
部を有する表面が電気絶縁性の熱伝導性板を基板とし
て、前記凸部で挟まれた凹部には、ストライプ状金属薄
膜陰極と、電子輸送性有機分子と正孔輸送性有機分子と
を含有する蛍光発光性の有機機能層とを積層した厚み
（Ｒｈ）以下の発光素子層を形成し、さらにその上に前
記ストライプ状の凸部の配列方向と交差する方向に、幅
（Ｓｗ）が画素幅（Ｇｗ）の１／３以下（Ｓｗ≦Ｇｗ／
３）で、厚み（Ｓｈ）が３００ｎｍ以上かつＲｈ以上の
高導電性ストライプ状補助電極を形成し、前記高導電性
ストライプ状補助電極に電気的に接して陽極となる透明
導電膜を形成したことを特徴とする。

【００１０】この構成によると、熱伝導がきわめてよ
く、素子駆動時に熱破壊や輝度ムラがない上、素子作製
に際して高精細度のパターンニングが実現できる。請求
項２記載の有機電場発光パネルは、請求項１において、
熱伝導性板が、絶縁被覆された厚み１ｍｍ以上の熱伝導
性軽量金属板よりなることを特徴とする。この構成によ
ると、従来のガラス基板に比べ格段に高い熱伝導性を有
するために、発光時の発光動作の安定化と熱劣化の防止
とが実現できる。

【００１１】請求項３記載の有機電場発光パネルは、請
求項１において、熱伝導性板が、絶縁被覆された厚み
０．３ｍｍ以下のフレキシブルな熱伝導性金属板よりな
ることを特徴とする。この構成によると、熱伝導性が高
く発光時の発光動作の安定化と熱劣化の防止とができる
上、携帯用ディスプレイなどの用途に適した軽量かつフ
レキシブルなディスプレイを構成できる。

【００１２】請求項４記載の有機電場発光パネルは、請
求項１において、熱伝導性板の電気絶縁性の表面が疎水
性表面よりなることを特徴とする。この構成によると、
素子中の吸着水分を少なくできるため素子の長寿命化と
黒点（非発光点）の成長阻止ができる。請求項５記載の
有機電場発光パネルは、請求項１において、熱伝導性板
の表面の電気絶縁性が、酸化アルミニウム成分または二
酸化珪素成分を含む金属酸化膜、または高分子膜により
形成されてなることを特徴とする。

【００１３】この構成によると、ＣＶＤや液相析出法な
ど種々の方法で優れた電気絶縁層を容易に形成できる。
請求項６記載の有機電場発光パネルは、請求項１におい
て、基板上の画素を分離する高さ（Ｒｈ）のストライプ
状の凸部が、二酸化珪素またはリソグラフィー用レジス
トポリマーよりなる隔壁リブにより形成されてなること
を特徴とする。

【００１４】この構成によると、画素分離の隔壁を容易
に高精細度に形成できるとともに、電気絶縁性や疎水性
に優れ、高精細度で長寿命のディスプレイパネルを構成
できる。請求項７記載の有機電場発光パネルの製造方法
は、画素を分離する高さ（Ｒｈ）のストライプ状の凸部
を有する表面が電気絶縁性の熱伝導性板を基板として、
前記凸部の間の凹部には、ストライプ状金属薄膜陰極
と、電子輸送性有機分子と正孔輸送性有機分子とを含有
する蛍光発光性の有機機能層とを積層した厚み（Ｒｈ）
以下の発光素子層を形成し、さらにその上に前記ストラ
イプ状の凸部の配列方向と交差する方向に、幅（Ｓｗ）
が画素幅（Ｇｗ）の１／３以下（（Ｓｗ≦Ｇｗ／３））
で厚み（Ｓｈ）が３００ｎｍ以上でかつ（Ｒｈ）以上の
高導電性ストライプ状補助電極をストライプパターンの
蒸着マスクを用いて形成し、次いで陽極となる透明導電
膜をマスクレスの斜めスパッタリングまたは蒸着によっ
て形成し、前記透明導電膜を片側の前記高導電性ストラ
イプ状補助電極と絶縁分離させ、それと反対側の高導電
性ストライプ状補助電極とは電気的に接続してなること
を特徴とする。

【００１５】この構成によると、導電性ストライプ状補
助電極の形成後に透明導電膜がマスクレスの斜め方向か
らのスパッタリングまたは蒸着によって形成されるた
め、容易に各画素セグメントの透明導電膜と片側の高導
電性ストライプ状補助電極とを電気的に接続でき、高精
細度の画素を有するディスプレイパネルが構成できる。
以下、本発明の実施の形態について図１と図２を用いて
説明する。

【００１６】（実施の形態１）図１は（実施の形態１）
における有機電場発光パネルを示し、図１（ａ）は有機
電場発光パネルの平面図を示し、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図を示す。表面に電気絶
縁層１を形成した熱伝導性板２には、画素を分離する高
さ（Ｒｈ）のストライプ状の凸部からなるストライプ状
電気絶縁性隔壁３が所定間隔で形成されている。

【００１７】ストライプ状電気絶縁性隔壁３で挟まれた
凹部には、このストライプ状電気絶縁性隔壁３のパター
ンニングマスク作用を利用して、ストライプ状金属薄膜
陰極４と、電子輸送性有機分子と正孔輸送性有機分子と
を含有する蛍光発光性の有機機能層５とを積層した厚み
（Ｅｔ）の発光素子層が形成される。その上には、スト
ライプ状電気絶縁性隔壁３の配列方向と交差する方向、
ここでは直角方向に、幅（Ｓｗ）の高導電性ストライプ
状補助電極７が形成される。

【００１８】最後に、透明導電膜６が形成され、高導電
性ストライプ状補助電極７に電気的に接続されて陽極と
なるよう構成される。詳細には、本発明の熱伝導性板２
には、一般の金属板を用いることができ、Ａｌ、Ｃｕ、
ステンレスなどのほか、これらの合金や半導体用シリコ
ン基板や熱伝導性セラミック板などを用いることができ
る。例えば、銅板の場合プリント基板作製技術を応用し
て電解粗面を持つ銅板などを基材として、容易に本発明
の表面が電気絶縁性の基板を構成できる。

【００１９】中でも、厚みが１ｍｍ以上の熱伝導性軽量
金属板が好適に使用でき、このような熱伝導性板２を使
用すると、従来のガラス基板に比べ格段に高い熱伝導性
を有するため、発光時の発光動作の安定化と熱劣化の防
止とが実現できる。熱伝導性軽量金属板としては、ベリ
リウム、マグネシウム、アルミニウム、チタンおよびこ
れらの合金が挙げられ、具体的には、Ｍｇ−Ｌｉ、Ｂｅ
−Ｔｉ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｔｉ−Ａｌ、Ｍｇ−Ａｌ−Ｌｉ、
Ｍｇ−Ｂｅ−Ｌｉ、Ｍｇ−Ａｌ−Ｌｉ−Ｚｎなどの軽量
合金がある。アルミニウム板は、陽極酸化によって電気
絶縁性の緻密なアルミナ層を表面に容易に形成できるた
め好適に利用できる。

【００２０】あるいは、厚みが０．３ｍｍ以下のフレキ
シブルな熱伝導性金属板が好適に使用できる。この熱伝
導性板２は、熱伝導性が高く発光時の発光動作の安定化
と熱劣化の防止とができるため、携帯用ディスプレイな
どの用途に適した軽量かつフレキシブルなディスプレイ
が構成できる。フレキシブルな熱伝導性金属板の具体的
な材料としては、アルミニウム、アルミ合金、銅、銅合
金などが挙げられる。

【００２１】絶縁被覆された熱伝導性板２の電気絶縁性
の表面は、疎水性表面よりなることが好ましい。表面を
疎水性とすることで、素子中の吸着水分を少なくでき、
素子の長寿命化と黒点（非発光点）の成長を小さくでき
る。また、絶縁被覆された表面が、酸化アルミニウム成
分または二酸化珪素成分を含む金属酸化膜または高分子
膜により形成されたものであると、ＣＶＤや液相析出法
など種々の方法で優れた電気絶縁層を容易に形成するこ
とができる。

【００２２】ストライプ状電気絶縁性隔壁３は、凹部に
形成された透明薄膜陽極６と、ストライプ状電気絶縁性
隔壁３に付着した薄膜陰極４の材料層とが電気的に接触
しないような高さ、即ち（Ｅｔ＜Ｒｈ）を満たす高さの
ストライプ状電気絶縁性隔壁３を所定間隔で形成するこ
とが必要である。なお、マスクレスの素子積層工程で
は、ストライプ状電気絶縁性隔壁３の上にも素子構成成
分が堆積するため、あらかじめストライプ状電気絶縁性
隔壁３の高さ（Ｒｈ）を発光素子の厚み（Ｅｔ）よりも
高くしておけば上記の（Ｅｔ＜Ｒｈ）の関係を維持でき
る。

【００２３】ストライプ状電気絶縁性隔壁３は、ストラ
イプ状金属薄膜陰極４や有機機能層５を形成する前の最
初の工程にて形成されるため、表面電気絶縁性の熱伝導
性板２の上にホトリソグラフィー法を代表とする各種パ
ターニング法を適用することが可能となり、ディスプレ
イパネルとして一般に必要な画素精度のパターンニン
グ、例えば３０〜１００μｍピッチ程度のパターンニン
グがきわめて容易に実現できる。なお、ストライプ状電
気絶縁性隔壁３は逆テーパ形状の隔壁の方がより好まし
い。

【００２４】特に、熱伝導性板２の絶縁被覆された表面
が酸化アルミニウム成分または二酸化珪素成分を含む金
属酸化膜、または高分子膜により形成されたものである
場合には、ストライプ状電気絶縁性隔壁３は二酸化珪素
またはリソグラフィー用レジストポリマーにより形成さ
れた隔壁リブにて形成されるため、画素分離の隔壁を容
易にしかも高精細度に形成できる。また、電気絶縁性や
疎水性にも優れていることから、高精細度で長寿命のデ
ィスプレイパネルを得ることができる。

【００２５】ストライプ状電気絶縁性隔壁３に挟まれた
凹部に形成される発光素子層の厚み（Ｅｔ）は、薄膜陰
極厚と有機機能層厚との和で表され、一般的にはそれぞ
れ１５０ｎｍ程度の場合が多く、後で形成する各画素に
対応する薄膜透明陽極を含めて４５０ｎｍ程度（３００
〜６００ｎｍ）の場合が多い。発光素子層を構成するス
トライプ状薄膜陰極４は、アルカリ金属元素またはアル
カリ土類金属元素としてＣａ、Ｍｇ、Ｌｉのいづれかを
含む金属合金薄膜が望ましく、Ａｌ合金、Ａｌ−Ｚｎ合
金、Ａｇ合金、Ｓｎ合金、Ｂｉ合金、Ｉｎ合金などがあ
る。上記アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含有し
た金属合金薄膜のアルカリ金属、アルカリ土類金属の濃
度は、その電子注入性能を決める仕事関数や金属薄膜の
成膜性、および電極金属やその界面の安定性などから適
した濃度で用いられる。

【００２６】上記金属酸化膜の表面は、疎水性有機膜に
より表面修飾するとよりいっそう疎水性にでき、上記と
同様素子の長寿命化と黒点の成長阻止ができる。なお、
この表面修飾は化学吸着法や電解析出法などによって容
易にできる。本発明における有機機能層５は、一般に陰
極金属層４の上に電子輸送性有機分子を含む電子輸送層
と正孔輸送性有機分子を含む正孔輸送層とを積層して構
成するものである。これらの電荷輸送層の何れかが蛍光
発光性を有する場合が多いが、電子輸送層や正孔輸送層
などの電荷輸送層のほかにこれらと電極との間に電子注
入層や正孔注入層などの電荷注入層を設ける場合や、電
子輸送層や正孔輸送層の間に蛍光発光層を形成してダブ
ルヘテロ構造にする場合もある。

【００２７】有機機能層の電子輸送性有機分子や正孔輸
送性有機分子には、一般にすでに知られているキノリン
系、イミダゾール系、トリアゾール系、オキサジアゾー
ル系などの含窒素異節環状芳香族化合物を中心に、有機
金属系色素や芳香族アミン類などが用いられる。中でも
上記Ａｌｑに代表されるキノリン系金属錯体は蛍光発光
性の電子輸送性有機分子としてよく用いられ、ＡｌをＢ
ｅに置き換えたＢｅ（Ｑｎ）²など多くの化合物があ
る。また、これらに例えばＤＰＴ(diphenyltetracen
e)，ＢＴＸ(benzothiooxacene)、キナクリドン、ルブレ
ンなどのドーパントを一緒に加えてさらに効果をあげる
ことができる。

【００２８】有機機能層５の成膜法としては、蒸着法の
ほか高分子材料の場合は特にキャスティングなど各種の
方法で成膜する。高導電性ストライプ状補助電極７は、
その幅（Ｓｗ）が画素幅（Ｇｗ）の１／３以下すなわち
（Ｓｗ≦Ｇｗ／３）となり、その厚み（Ｓｈ）が３００
ｎｍ以上かつストライプ状電気絶縁性隔壁３の高さ（Ｒ
ｈ）以上となるように蒸着マスクを用いて形成される。
また、高導電性ストライプ状補助電極７の厚み（Ｓｈ）
をＲｈ＋Ｅｔ以上に形成し、ストライプ状電気絶縁性隔
壁３を超えて連続した高導電性ストライプ状補助電極７
を形成することが必要である。

【００２９】高導電性ストライプ状補助電極７は、低抵
抗の金属蒸着膜や金属箔が適しているが、金属線などで
も構成でき、導電率の高い金属材料で容易に構成できる
ため、画素幅を大きく狭めなくてもよくなる。一般に高
導電性ストライプ状補助電極７の幅（Ｓｗ）は０．３〜
１０μｍの範囲で形成される。例として高導電性ストラ
イプ状補助電極７のピッチは、画素幅（Ｇｗ）にほぼ等
しくおよそ１００μｍピッチ程度で、箔幅（Ｓｗ）は３
〜３０μｍ程度に形成される場合が多い。

【００３０】この高導電性ストライプ状補助電極７は、
ストライプ状電気絶縁性隔壁３を越えて連続してストラ
イプ状の高導電性補助電極７を形成するところに特徴が
あり、陽極の電極発熱を起こさないリード線として機能
する。この高導電性ストライプ状補助電極７の形成は、
用いるマスクが画素ピッチに対して画素幅の１／３以下
のスリットをきる形状であるから、マスク精度の低下が
生ぜず、マスク法を用いて容易に高精細度パターンニン
グができる。

【００３１】次いで形成される陽極となる透明導電膜
６、即ち薄膜透明陽極は、上記のストライプ状薄膜陰極
４と有機機能層５との積層と同じく後述のマスクレスの
製造方法で行われる。この薄膜透明陽極は、インジウム
・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）や酸化錫など各種金属
酸化物薄膜で構成される場合が多いが、本発明ではこの
薄膜透明陽極は各画素からの電流しか流れないため、高
抵抗率の電極材料であっても利用できるという特徴があ
る。酸化錫系導電膜材料としては、アンチモンやカドミ
ウムや弗素などをドープした酸化錫も適しているが、本
発明では高抵抗率の透明導電膜も使用できるため、その
選択範囲は広い。

【００３２】透明導電膜の形成方法としては、ＣＶＤ(C
hemical Vapor Deposition)法、スプレー法、ゾル−
ゲル法などもあるが、本発明の陽極となる透明導電膜の
形成方法としては、温度や素子の汚染の点からスパッタ
法による斜めスパッタリングや、真空蒸着法、活性反応
蒸着法、イオン化蒸着法などによる斜め蒸着法が適して
いる。

【００３３】上述のように本発明の有機電場発光パネル
は、基本的にはマスクレス工程にて行なわれ、ストライ
プ状電気絶縁性隔壁３の上に不要な素子膜が形成されて
も、本発明の素子の画素形成には影響が少なく差し支え
なく、以下の効果が得られる。 （１）ストライプ状補助電極の形成以外は、マスクレス
工程でドットマトリクスパネルの作製ができる。

【００３４】（２）ストライプ状補助電極の形成に用い
るマスクは、画素ピッチに対して画素幅の１／３以下の
スリットをきる形状であるから、マスク精度の低下が生
ぜずマスク法で容易に高精細度パターンニングができ
る。また、本発明の有機電場発光パネルでは、上記の薄
膜透明陽極６の上を透明カバーで覆い封止容器を構成し
て長寿命とし、実用に供される場合が多いが、上記透明
陽極６の端部と絶縁分離された高導電性ストライプ状補
助電極７で挟まれた絶縁性透明樹脂等でコーティングす
れば、絶縁破壊耐圧を大きく向上させることも容易にで
きる。

【００３５】封止容器を構成してなる上記有機電場発光
パネルの発光面は、透明基板によってカバーされる場合
が多く、透湿性のない、ガラスや高分子や透明セラミッ
クスなどを用いることができる。また、この発光面の透
明基板に波長変換フィルタや偏光フィルムなどを重ねた
構成にすることもできる。なお、カラーパネルとする場
合には、上記のように有機機能層５を形成した後に、マ
スクをストライプに平行に配置して図１（ａ）のように
Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタを凸部に挟まれたそれぞれ
の凹部に形成することで得られる。

【００３６】このようなカラーディスプレイパネルで
は、カラー表示のためのストライプ状の各色画素の配列
方向と交差する方向に、高導電性ストライプ状補助電極
７が形成されるため、次のような顕著に有効な作用効果
が得られる。 （１）各ストライプ状薄膜陰極上に、Ｒ，Ｇ，Ｂの各ス
トライプ状素子がそれぞれ形成されるとともに、各素子
の有機機能層の下側のストライプ状薄膜陰極は金属材料
で構成する場合が多く低抵抗にし易いため、電極抵抗に
よる電位降下がなく発光輝度パネル全体に均一化するこ
とができる。 （２）高導電性ストライプ状補助電極は、高導電性で幅
（Ｓｗ）も小さくて良いため、画素の開口率も高くでき
る。 （３）カラーパネルのＲＧＢの各発光層を形成するスト
ライプ状マスクは、（スリット／ピッチ）が１／３と小
さいため、マスクがたわまず画素精度が低下せず高細精
度ディスプレイパネルができる。 （４）各ストライプ状薄膜陰極上に、Ｒ，Ｇ，Ｂの各ス
トライプ状素子を平行に形成するため、マスクをスライ
ドさせるだけでよく装置の素子作製工程を容易にでき
る。

【００３７】（実施の形態２）図２は図１（ａ）のＢ−
Ｂ′線に沿う断面図を示す。上記（実施の形態１）と同
様にして、電気絶縁性の熱伝導性板２にストライプ状電
気絶縁性隔壁３を所定間隔で形成し、次いでストライプ
状電気絶縁性隔壁３に挟まれた凹部にストライプ状金属
薄膜陰極４と有機機能層５とを積層して発光素子層を形
成し、ストライプ状電気絶縁性隔壁３の配列方向と交差
する方向に高導電性ストライプ状補助電極７を所定間隔
で形成する。

【００３８】そして、陽極となる透明導電膜６を、マス
クレスの斜めスパッタリングまたは蒸着によって形成す
る。矢印Ａ方向からマスクレスの斜めスパッタリングま
たは蒸着を行うと、透明導電膜６の材料は、ストライプ
状の補助電極７に挟まれた凹部およびストライプ状の補
助電極７ａ，７ｂの片側にのみ付着して、ストライプ状
の補助電極７ａの背面９ａ，ストライプ状の補助電極７
ｂの背面９ｂには付着しなくなる。すなわち画素セグメ
ント８の透明導電膜６が、片側の高導電性ストライプ状
補助電極７ｂと絶縁分離され、それと反対側の高導電性
ストライプ状補助電極７ａとは電気的に接続される構成
となる。

【００３９】従って、マスクレス工程による素子形成方
法であっても、高精細度の画素を有するドットマトリク
スディスプレイパネルが得られる。また、得られたディ
スプレイパネルは、素子パネルの熱伝導率が高く、素子
駆動時の熱による劣化の小さいものとなる。以下に上記
各（実施の形態）の具体例を示す。 実施例１ 厚み３０μｍのアルミナ絶縁層１を形成した厚み３ｍｍ
のアルミニウム熱伝導性板２に、画素を分離する高さ
（Ｒｈ）６００ｎｍ、幅３μｍの逆テーパ形状のストラ
イプ状電気絶縁性隔壁３をアクリル系ホトレジストを用
いてピッチ３０μｍでホトリソグラフィー法で形成し
た。

【００４０】そして、真空装置内にマウントし、Ａｌと
Ｌｉをマスクレスで同時蒸着して前記基板の凹部に１．
７ｗｔ％のリチウムを含むＡｌＬｉ合金薄膜よりなる厚
み３００ｎｍのストライプ状薄膜陰極４を形成し、次い
で、電子輸送層として厚み５０ｎｍのＡｌｑと、正孔輸
送層として厚み８０ｎｍのN,N'-bis(3-methylphenyl)-
N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine（ＴＰ
Ｄ）をマスクレスで積層して蒸着し、有機機能層５とし
た。

【００４１】そして、ストライプ状電気絶縁性隔壁３の
配列方向と交差する方向に、厚み（Ｓｈ）９００ｎｍの
Ａｌの高導電性ストライプ状補助電極７を、スリット幅
１０μｍ、ピッチ６０μｍのストライプパターンの蒸着
用マスクを用いて形成した。さらに、陽極となる透明導
電膜として、比抵抗が約０．０１（ｏｈｍ・ｃｍ）のＩ
ＴＯ材料を原料として、マスクレスの斜めスパッタリン
グ法（角度２５度）により、透明導電膜６を片側の前記
高導電性ストライプ状補助電極７ｂと絶縁分離させ、そ
れと反対側の高導電性ストライプ状補助電極７ａとは電
気的に接続させたところＩＴＯとＡｌとの密着性は高か
った。

【００４２】この画素サイズ３０μｍ×６０μｍで開口
率約７０％のドットマトリクスを形成した有機電場発光
パネルに、パルス電圧を印加して発光させたところ、均
一性の高い高細精度の緑色の画像が得られた。黒点の成
長速度も小さく、目立たなかった。 実施例２ 表面に厚み３０μｍのポリエステル絶縁層１を形成した
厚さ１００μｍの銅箔よりなる熱伝導性板２上に、実施
例１と同様に画素を分離する高さ（Ｒｈ）６００ｎｍ、
幅３μｍ、ピッチ３０μｍの逆テーパ形状のストライプ
状電気絶縁性隔壁３を形成した。

【００４３】次いで、上記実施例１と同様にしてＡｌＬ
ｉ合金薄膜よりなる厚み３００ｎｍのストライプ状薄膜
陰極４を形成した後、電子輸送層として厚み５０ｎｍの
Ａｌｑ、発光層として厚み２０ｎｍバソカプロイン（青
色発光）、正孔輸送層として厚み８０ｎｍのＴＰＤ、正
孔注入層として７ｎｍの銅フタロシアニンを順次蒸着し
有機機能層５とした。

【００４４】さらに上記実施例１と同様にして、前記ス
トライプ状電気絶縁性隔壁３の配列方向と交差する方向
に、厚み（Ｓｈ）９００ｎｍ、幅１０μｍ、ピッチ６０
μｍのＡｌの高導電性ストライプ状補助電極７と、陽極
となる透明導電膜６とを形成して、画素サイズ３０μｍ
×６０μｍで開口率が約７０％のドットマトリクスを形
成した有機電場発光パネルを作製した。

【００４５】この有機電場発光パネルにパルス電圧を印
加して発光させたところ、均一性の高い高細精度の青色
の発光画像が得られた。また、黒点の成長速度も小さ
く、目立たなかった。 実施例３ 上記実施例１と同様の基板に同様のストライプ状電気絶
縁性隔壁３が所定間隔で形成された基板を用いた。

【００４６】続いて、真空装置内にマウントしＡｌとＬ
ｉをマスクレスで同時蒸着して前記基板の凹部に１．７
ｗｔ％のリチウムを含むＡｌＬｉ合金薄膜よりなる厚み
３００ｎｍのストライプ状薄膜陰極４を形成した。続い
てスリット幅２７μｍ、ピッチ９０μｍのストライプパ
ターンの蒸着用マスクを上記ストライプ状電気絶縁性隔
壁３と平行に配置し、３０μｍずつマスク位置をシフト
して上記ストライプ状電気絶縁性隔壁３の上にストライ
プ状の青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を有機機能
層５として形成した。

【００４７】次いで、実施例１と同様に、ストライプ状
電気絶縁性隔壁３の配列方向と交差する方向にＡｌの高
導電性ストライプ状補助電極７を形成し、さらに透明導
電膜６を形成して、画素サイズ（３×３０μｍ）×６０
μｍで開口率約７０％のドットマトリクスのカラー表示
の有機電場発光パネルを得た。この有機電場発光パネル
にパルス電圧を印加して発光させたところ、均一性の高
い高細精度のカラー画像が得られた。また、黒点の成長
速度も小さく、目立たなかった。

【００４８】

【発明の効果】このように、本発明の有機電場発光パネ
ルによれば、画素を分離する高さ（Ｒｈ）のストライプ
状の凸部を有する表面が電気絶縁性の熱伝導性板を基板
として、前記凸部で挟まれた凹部には、ストライプ状金
属薄膜陰極と、電子輸送性有機分子と正孔輸送性有機分
子とを含有する蛍光発光性の有機機能層とを積層した厚
み（Ｒｈ）以下の発光素子層を形成し、さらにその上に
前記ストライプ状の凸部の配列方向と交差する方向に、
幅（Ｓｗ）が画素幅（Ｇｗ）の１／３以下（Ｓｗ≦Ｇｗ
／３）で、厚み（Ｓｈ）が３００ｎｍ以上でかつ前記凸
部の高さ（Ｒｈ）以上の高導電性ストライプ状補助電極
を形成し、前記高導電性ストライプ状補助電極に電気的
に接して陽極となる透明導電膜を形成することで、熱伝
導がきわめてよく、素子駆動時に熱破壊や輝度ムラがな
い上、素子作製に際して高精細度のパターンニングが実
現できる。

【００４９】また、本発明の有機電場発光パネルの製造
方法によると、画素を分離する高さ（Ｒｈ）のストライ
プ状の凸部を有する表面が電気絶縁性の熱伝導性板を基
板として、前記凸部に挟まれた凹部には、ストライプ状
金属薄膜陰極と、電子輸送性有機分子と正孔輸送性有機
分子とを含有する蛍光発光性の有機機能層とを積層した
厚み（Ｒｈ）以下の発光素子層を形成し、さらにその上
に前記ストライプ状電気絶縁性隔壁の配列方向と交差す
る方向に、幅（Ｓｗ）が画素幅（Ｇｗ）の１／３以下
（（Ｓｗ≦Ｇｗ／３））で厚み（Ｓｈ）が３００ｎｍ以
上でかつ（Ｒｈ）以上の高導電性ストライプ状補助電極
をストライプパターンの蒸着マスクを用いて形成し、次
いで陽極となる透明導電膜をマスクレスの斜めスパッタ
リングまたは蒸着によって形成し、前記透明導電膜を片
側の前記高導電性ストライプ状補助電極と絶縁分離さ
せ、それと反対側の高導電性ストライプ状補助電極とは
電気的に接続することで、導電性ストライプ状補助電極
の形成後に透明導電膜がマスクレスの斜め方向からのス
パッタリングまたは蒸着によって形成されるため、高精
細度の有機電場発光パネルが容易な作製工程で得られる
とともに、素子駆動時に熱破壊や輝度ムラがない優れた
有機電場発光パネルが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（実施の形態１）における有機電場発光パネル
の平面図および断面図

【図２】（実施の形態２）における透明導電膜の製造工
程を示す図

【符号の説明】

１ 電気絶縁層 ２ 熱伝導性板 ３ ストライプ状電気絶縁性隔壁 ４ ストライプ状金属薄膜陰極 ５ 有機機能層 ６ 透明導電膜 ７ 高導電性ストライプ状補助電極 ８ 画素セグメント

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB01 AB02 AB04 AB14 AB18 BA06 BB01 CA02 CA03 CA04 CB00 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 4K029 AA02 AA24 AA29 BA44 BA46 BB03 BC09 BD00 CA05 CA15 EA01 HA05

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】画素を分離する高さ（Ｒｈ）のストライプ
   状の凸部を有する表面が電気絶縁性の熱伝導性板を基板
   として、 前記凸部で挟まれた凹部には、ストライプ状金属薄膜陰
   極と、電子輸送性有機分子と正孔輸送性有機分子とを含
   有する蛍光発光性の有機機能層とを積層した厚み（Ｒ
   ｈ）以下の発光素子層を形成し、 さらにその上に前記ストライプ状の凸部の配列方向と交
   差する方向に、幅（Ｓｗ）が画素幅（Ｇｗ）の１／３以
   下（Ｓｗ≦Ｇｗ／３）で、厚み（Ｓｈ）が３００ｎｍ以
   上でかつ前記凸部の高さ（Ｒｈ）以上の高導電性ストラ
   イプ状補助電極を形成し、 前記高導電性ストライプ状補助電極に電気的に接して陽
   極となる透明導電膜を形成した有機電場発光パネル。
2. 【請求項２】熱伝導性板が、絶縁被覆された厚み１ｍｍ
   以上の熱伝導性軽量金属板よりなる請求項１記載の有機
   電場発光パネル。
3. 【請求項３】熱伝導性板が、絶縁被覆された厚み０．３
   ｍｍ以下のフレキシブルな熱伝導性金属板よりなる請求
   項１記載の有機電場発光パネル。
4. 【請求項４】熱伝導性板の電気絶縁性の表面が疎水性表
   面よりなる請求項１記載の有機電場発光パネル。
5. 【請求項５】熱伝導性板の表面の電気絶縁性が、酸化ア
   ルミニウム成分または二酸化珪素成分を含む金属酸化
   膜、または高分子膜により形成されてなる請求項１記載
   の有機電場発光パネル。
6. 【請求項６】基板上の画素を分離する高さ（Ｒｈ）のス
   トライプ状の凸部が、二酸化珪素またはリソグラフィー
   用レジストポリマーよりなる隔壁リブにより形成されて
   なる請求項１記載の有機電場発光パネル。
7. 【請求項７】画素を分離する高さ（Ｒｈ）のストライプ
   状の凸部を有する表面が電気絶縁性の熱伝導性板を基板
   として、 前記凸部の間の凹部には、ストライプ状金属薄膜陰極
   と、電子輸送性有機分子と正孔輸送性有機分子とを含有
   する蛍光発光性の有機機能層とを積層した厚み（Ｒｈ）
   以下の発光素子層を形成し、 さらにその上に前記ストライプ状の凸部の配列方向と交
   差する方向に、幅（Ｓｗ）が画素幅（Ｇｗ）の１／３以
   下（（Ｓｗ≦Ｇｗ／３））で厚み（Ｓｈ）が３００ｎｍ
   以上でかつ（Ｒｈ）以上の高導電性ストライプ状補助電
   極をストライプパターンの蒸着マスクを用いて形成し、 次いで陽極となる透明導電膜をマスクレスの斜めスパッ
   タリングまたは蒸着によって形成し、前記透明導電膜を
   片側の前記高導電性ストライプ状補助電極と絶縁分離さ
   せ、それと反対側の高導電性ストライプ状補助電極とは
   電気的に接続してなる有機電場発光パネルの製造方法。