JP6302552B2 - 有機発光素子 - Google Patents
有機発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6302552B2 JP6302552B2 JP2016531558A JP2016531558A JP6302552B2 JP 6302552 B2 JP6302552 B2 JP 6302552B2 JP 2016531558 A JP2016531558 A JP 2016531558A JP 2016531558 A JP2016531558 A JP 2016531558A JP 6302552 B2 JP6302552 B2 JP 6302552B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- organic light
- emitting device
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 12
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 6
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 6
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- -1 styryl compound Chemical class 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M picolinate Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本出願は２０１３年９月３０日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１３−０１１６１９６号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
本出願は有機発光素子に関する。
有機発光素子は、２つの反対電極とその間に存在する多層の半導体的性質を有する有機物の薄膜で構成されている。このような構成の有機発光素子は、有機物質を用いて電気エネルギーを光エネルギーに転換させる現象、すなわち有機発光現象を利用する。具体的には、陽極と陰極との間に有機物層を位置させた構造において、２つの電極の間に電圧を印加すれば、陽極からは正孔が、陰極からは電子が有機物層に注入される。注入された正孔と電子が結合した時にエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が形成され、このエキシトンが再び基底状態に落ちる時に光が出るようになる。
前記のような有機発光素子においては、有機物層から生成された光が光透過性電極を介して放出し、有機発光素子は、通常、前面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）、背面発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）および両面発光型に分類することができる。前面または背面発光型の場合は２つの電極のうち１つが光透過性電極でなければならず、両面発光型の場合は２つの電極が全て光透過性電極でなければならない。
前記のような有機発光素子に対しては多層構造を用いる場合に低電圧で駆動できるというコダック社の発表以来に多くの研究が集中してきており、最近では有機発光素子を用いた天然色ディスプレイが携帯電話に取り付けられて商用化されている。
また、最近の有機発光素子は従来の蛍光物質を用いる代わりに燐光物質の利用に対する研究が進められて効率の向上が急激になされており、近い未来には従来の照明を代替できるという予想も出てきている。
有機発光素子が照明として用いられるためには従来の天然色ディスプレイとは異なって高輝度で素子が駆動しなければならず、従来の照明のように一定した輝度を維持しなければならない。有機発光素子の輝度を十分に向上させるためには広い面積で発光がなされなければならず、このように広い面積で発光がなされるためには高い駆動電流を用いなければならない。また、広い面積で一定した輝度を維持するためには前記のような高電流が広い面積の素子に均一に注入されなければならない。
当技術分野では、より簡単な工程によって製造できる有機発光素子に対する研究が必要である。
本出願の一実施状態は、
基板、
前記基板上に備えられる第１電極、
前記第１電極上の少なくとも一部領域に備えられる補助電極、
前記補助電極上に備えられ、前記補助電極より大きい幅を有するオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）構造の絶縁層、および
前記第１電極および絶縁層上に備えられる第２電極を含み、
前記第１電極上に備えられる第２電極と前記絶縁層上に備えられる第２電極は互いに電気的に短絡した形態の電極構造を含むことを特徴とする有機発光素子を提供する。
基板、
前記基板上に備えられる第１電極、
前記第１電極上の少なくとも一部領域に備えられる補助電極、
前記補助電極上に備えられ、前記補助電極より大きい幅を有するオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）構造の絶縁層、および
前記第１電極および絶縁層上に備えられる第２電極を含み、
前記第１電極上に備えられる第２電極と前記絶縁層上に備えられる第２電極は互いに電気的に短絡した形態の電極構造を含むことを特徴とする有機発光素子を提供する。
本出願の一実施状態による有機発光素子は、第１電極およびオーバーハング構造上に電気的に短絡した形態の第２電極を形成することにより、第２電極の製造工程時に従来に用いられていたパターン形成用マスクの使用を排除することができる。それにより、有機発光素子の製造工程費用を節減できるという特徴がある。
以下、本出願について詳しく説明する。
一般的に、照明用の有機発光素子は、基板に透明電極、有機物層および金属電極が順次蒸着される構造を有する。前記有機発光素子の製造時、有機物層と金属電極の蒸着パターンの平面図上の面積が互いに異なるため、前記有機物層と金属電極の蒸着時には各々相異なるマスクを用いることになる。そのために蒸着工程の中間にマスクの取替えが必要であり、蒸着設備が複雑で生産性が高くなく、製造費用も高いという問題点がある。
そこで、本発明者らは、より簡単な工程によって製造することができ、有機発光素子の電極に適用できる導電性パターンに対する研究を進めて本発明を完成するに至った。
本出願の一実施状態による有機発光素子は、基板、前記基板上に備えられる第１電極、前記第１電極上の少なくとも一部領域に備えられる補助電極、前記補助電極上に備えられ、前記補助電極より大きい幅を有するオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）構造の絶縁層、および前記第１電極および絶縁層上に備えられる第２電極を含み、前記第１電極上に備えられる第２電極と前記絶縁層上に備えられる第２電極は互いに電気的に短絡した形態の電極構造を含むことを特徴とする。
本出願において、前記第１電極上に備えられる第２電極と前記補助電極は互いに電気的に短絡した形態の構造であってもよく、前記第１電極上に備えられる第２電極と前記絶縁層は互いに電気的に短絡した形態の構造であってもよい。
すなわち、前記補助電極は第１電極上の全面でない一部分に備えられることができる。
本出願において、前記電気的に短絡した形態の構造とは、物理的に分離し、その構造的に互いに離隔して配置された形態を意味する。
従来には、電気的に短絡した構造を含む第２電極、すなわち、第２電極パターンを形成するためにパターン形成用マスクを用いた。しかし、本出願では、第１電極と第１電極上に形成されたオーバーハング構造の二重層上に第２電極を形成することにより、別途のパターン形成用マスクが必要でなく、第１電極上に形成される第２電極とオーバーハング構造の二重層上に形成される第２電極が互いに電気的に短絡した形態の電極構造を含む有機発光素子を製造することができる。
本出願において、前記補助電極より大きい幅を有するオーバーハング構造の絶縁層は、前記補助電極および絶縁層が同一なエッチング液によるエッチング速度が互いに異なる物質を含むことによって形成されることができる。すなわち、前記絶縁層は同一なエッチング液によるエッチング速度が補助電極より落ちる物質を含むことができる。
また、前記補助電極および絶縁層の形成時に用いられるエッチング液の種類を異にしてオーバーハング構造の絶縁層を形成することもできる。
前記エッチング液の具体的な例示としてはフッ酸（ＨＦ）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、ＢＯＥ（ｂｕｆｆｅｒｅｄ ｏｘｉｄｅ ｅｔｃｈａｎｔ）、ＢＨＦ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ ＨＦ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）、過酸化水素系、ＣＨ３ＣＯＯＨ、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、フェリック（ｆｅｒｒｉｃ）系などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
特に、前記補助電極および絶縁層のエッチング工程時にエッチング時間、温度などを適切に調節することにより、最適化されたオーバーハング構造を形成することができる。本出願の一実施状態によるオーバーハング構造の写真を図６に示す。
本出願において、前記補助電極は第１電極の抵抗改善のためのものであり、前記補助電極は導電性シーラント（ｓｅａｌａｎｔ）および金属からなる群から選択された１種以上を蒸着工程または印刷工程を利用して形成することができる。より具体的には、前記補助電極はマグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズ、鉛、クロム、モリブデン、銅、これらの合金などを１種以上含むことができるが、これらのみに限定されるものではない。前記補助電極の厚さは５０ｎｍ〜５μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。
前記絶縁層は当技術分野で周知の材料および方法を利用して形成されることができる。より具体的には、一般的なフォトレジスト物質、ポリイミド、ポリアクリル、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物などを用いて形成されることができるが、これらのみに限定されるものではない。前記絶縁層の厚さは１０ｎｍ〜１０μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。
本出願において、前記基板は当技術分野で周知のものを制限なしで利用することができ、より具体的にはガラス基板、プラスチック基板などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
本出願において、前記第１電極は透明導電酸化物を含むことができる。前記透明導電酸化物は、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セリウム（Ｃｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、およびランタン（Ｌａ）のうちから選択された少なくとも１つの酸化物であってもよい。
また、前記第１電極は、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、白金、金、タングステン、タンタル、銅、スズ、鉛、これらの合金などを１種以上含むことができる。
前記第１電極は、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法、電子−ビーム蒸着法（Ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、熱蒸着法（Ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、レーザ分子ビーム蒸着法（Ｌａｓｅｒ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ、Ｌ−ＭＢＥ）、およびパルスレーザ蒸着法（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＬＤ）のうちから選択されたいずれか１つの物理気相蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）；熱化学気相蒸着法（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマ化学気相蒸着法（Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）、光化学気相蒸着法（Ｌｉｇｈｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、レーザ化学気相蒸着法（Ｌａｓｅｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、金属−有機化学気相蒸着法（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＭＯＣＶＤ）、および水素化物気相蒸着法（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ、ＨＶＰＥ）のうちから選択されたいずれか１つの化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）；または原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）を利用して形成することができる。
本出願において、前記第２電極は透明導電酸化物を含むことができる。前記透明導電酸化物は、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セリウム（Ｃｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、およびランタン（Ｌａ）のうちから選択された少なくとも１つの酸化物であってもよい。
また、前記第２電極は、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、白金、金、タングステン、タンタル、銅、スズ、鉛、これらの合金などを１種以上含むことができる。
前記第２電極は、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法、電子−ビーム蒸着法（Ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、熱蒸着法（Ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、レーザ分子ビーム蒸着法（Ｌａｓｅｒ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ、Ｌ−ＭＢＥ）、およびパルスレーザ蒸着法（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＬＤ）のうちから選択されたいずれか１つの物理気相蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）；熱化学気相蒸着法（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマ化学気相蒸着法（Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）、光化学気相蒸着法（Ｌｉｇｈｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、レーザ化学気相蒸着法（Ｌａｓｅｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、金属−有機化学気相蒸着法（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＭＯＣＶＤ）、および水素化物気相蒸着法（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ、ＨＶＰＥ）のうちから選択されたいずれか１つの化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）；または原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）を利用して形成することができる。
前記第２電極の厚さは５０ｎｍ〜５μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。
本出願において、前記第１電極上において、前記補助電極が備えられる領域は非発光領域であり、前記補助電極が備えられていない領域は発光領域であってもよい。この時、前記発光領域内の第１電極上には有機物層がさらに備えられることができる。すなわち、前記発光領域には、第１電極、有機物層および第２電極が順次備えられることができる。
前記有機物層の具体的な物質、形成方法は特に制限されるものではなく、当技術分野で周知の物質および形成方法を用いることができる。
前記有機物層は、様々な高分子素材を用いて、蒸着法、または溶媒工程（ｓｏｌｖｅｎｔ ｐｒｏｃｅｓｓ）、例えば、スピンコーティング、ディップコーティング、ドクターブレード、スクリーン印刷、インクジェット印刷または熱転写法などの方法によってさらに少ない数の層に製造することができる。
前記有機物層は発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層のうちから選択された１つ以上を含む積層構造であってもよい。
前記正孔注入層を形成できる物質としては、通常、有機物層への正孔注入が円滑になるように仕事関数の大きい物質が好ましい。本出願で使用できる正孔注入物質の具体的な例としてはバナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属またはこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ２：Ｓｂのような金属と酸化物の組み合わせ；ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
前記電子注入層を形成できる物質としては、通常、有機物層への電子注入が容易になるように仕事関数の小さい物質が好ましい。電子注入物質の具体的な例としてはマグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ２／Ａｌのような多層構造の物質などがあり、正孔注入電極物質と同一な物質を用いることもできるが、これらのみに限定されるものではない。
前記発光層を形成できる物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔と電子の輸送を各々受けて結合させることによって可視光線領域の光を出せる物質として、蛍光や燐光に対する量子効率の良い物質が好ましい。具体的な例としては８−ヒドロキシ−キノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）；カルバゾール系の化合物；二量体化スチリル（ｄｉｍｅｒｉｚｅｄ ｓｔｙｒｙｌ）化合物；ＢＡｌｑ；１０−ヒドロキシベンゾキノリン−金属化合物；ベンゾオキサゾール、ベンズチアゾールおよびベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系の高分子；スピロ（ｓｐｉｒｏ）化合物；ポリフルオレン、ルブレン；燐光ホストＣＢＰ［［４，４’−ｂｉｓ（９−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ］；などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
また、前記発光物質は、蛍光または燐光特性を向上させるために燐光ドーパントまたは蛍光ドーパントをさらに含むことができる。前記燐光ドーパントの具体的な例としては、ｉｒ（ｐｐｙ）（３）（ｆａｃ ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）またはＦ２Ｉｒｐｉｃ［ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）ｂｉｓ（４，６−ｄｉ−ｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ−ｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２）ｐｉｃｏｌｉｎａｔｅ］などが挙げられる。蛍光ドーパントとしては当技術分野で周知のものを用いることができる。
前記電子輸送層を形成できる物質としては、電子注入層から電子の注入を円滑に受けて発光層に移せる物質として、電子に対する移動性の大きい物質が好ましい。具体的な例としては８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン−金属錯体などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
本出願の一実施状態による有機発光素子は照明用の有機発光素子により好ましく適用されることができるが、これのみに限定されるものではない。
従来の有機発光素子用の電極を図１および２に示し、本出願の一実施状態による有機発光素子用の電極を図３〜５に示す。
図３〜５の結果のように、本出願の一実施状態による有機発光素子は、基板１０、前記基板１０上に備えられるアノード電極２０、前記アノード電極２０上に備えられる補助電極３０、前記補助電極３０上に備えられ、前記補助電極３０より大きい幅を有するオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）構造の絶縁層４０、および前記アノード電極２０および絶縁層４０上に備えられるカソード電極５０を含み、前記アノード電極２０上に備えられるカソード電極５０と前記絶縁層４０上に備えられるカソード電極５０は互いに電気的に短絡した形態の電極構造を含むことを特徴とする。
有機発光素子の製造時に伴う蒸着工程には、シャドーマスクとして金属材質のマスクが用いられる。より具体的には、有機物の蒸着工程時には１個以上のシャドーマスクが用いられ、第２電極の蒸着工程時には１個のシャドーマスクが用いられる。
しかし、本出願の一実施状態による積層体の製造時には、金属シャドーマスクが不要となってマスクの製造費用を節減できるだけでなく、マスクを周期的に洗浄し取替えなければならない管理費用を節減できるという特徴がある。また、有機物パターニング技術などを組み入れてマスクが必要ない蒸着工程の構成が可能である。また、蒸着設備においてマスクの除去が可能である場合、設備搬送部を単純化させることができる。特に、設備大きさ、ガラス大きさなどが大型化するほど、前述したような単純化による費用節減の効果が大幅に増加することができる。
前述したように、本出願の一実施状態による有機発光素子は、第１電極およびオーバーハング構造上に電気的に短絡した形態の第２電極を形成することにより、第２電極の製造工程時に従来に用いられていたパターン形成用マスクの使用を排除することができる。それにより、有機発光素子の製造工程費用を節減できるという特徴がある。
１０ ・・・基板
２０ ・・・アノード電極
３０ ・・・補助電極
４０ ・・・絶縁層
５０ ・・・カソード電極
２０ ・・・アノード電極
３０ ・・・補助電極
４０ ・・・絶縁層
５０ ・・・カソード電極
Claims (11)
- 基板、
前記基板上に備えられる第１電極、
前記第１電極上の少なくとも一部領域に備えられる１つの補助電極、
前記補助電極上に備えられ、前記第１電極に接触しておらず、前記補助電極より大きい幅を有するオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）構造の絶縁層、および
前記第１電極および絶縁層上に備えられる第２電極を含み、
前記第１電極上に備えられる第２電極と前記絶縁層上に備えられる第２電極は互いに電気的に絶縁された形態の電極構造を含み、
前記絶縁層は、同一なエッチング液によるエッチング速度が前記補助電極より落ちる物質を含むことを特徴とする有機発光素子。 - 前記第１電極上に備えられる第２電極と前記補助電極は、互いに電気的に絶縁された形態の構造であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記第１電極上に備えられる第２電極と前記絶縁層は、互いに電気的に絶縁された形態の構造であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記エッチング液は、フッ酸（ＨＦ）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、ＢＯＥ（ｂｕｆｆｅｒｅｄ ｏｘｉｄｅ ｅｔｃｈａｎｔ）、ＢＨＦ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ ＨＦ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）、過酸化水素系、ＣＨ３ＣＯＯＨ、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、およびフェリック（ｆｅｒｒｉｃ）系からなる群から選択された１種以上を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記補助電極は、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズ、鉛、クロム、モリブデン、銅、およびこれらの合金からなる群から選択された１種以上を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記絶縁層は、フォトレジスト物質、ポリイミド、ポリアクリル、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、アルカリ金属酸化物、およびアルカリ土類金属酸化物からなる群から選択された１種以上を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記第１電極または第２電極は、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セリウム（Ｃｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、およびランタン（Ｌａ）のうちから選択された少なくとも１つの酸化物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記第１電極または第２電極は、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、白金、金、タングステン、タンタル、銅、スズ、鉛およびこれらの合金からなる群から選択された１種以上を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記第１電極上において、前記補助電極が備えられる領域は非発光領域であり、前記補助電極が備えられていない領域は発光領域であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記発光領域内の第１電極上には有機物層がさらに備えられることを特徴とする、請求項９に記載の有機発光素子。
- 前記有機発光素子は照明用であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2013-0116196 | 2013-09-30 | ||
| KR20130116196 | 2013-09-30 | ||
| PCT/KR2014/009237 WO2015047052A1 (ko) | 2013-09-30 | 2014-09-30 | 유기 발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016525784A JP2016525784A (ja) | 2016-08-25 |
| JP6302552B2 true JP6302552B2 (ja) | 2018-03-28 |
Family
ID=52744051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016531558A Active JP6302552B2 (ja) | 2013-09-30 | 2014-09-30 | 有機発光素子 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9847502B2 (ja) |
| EP (1) | EP3016161B1 (ja) |
| JP (1) | JP6302552B2 (ja) |
| KR (1) | KR20150037708A (ja) |
| CN (1) | CN105474427B (ja) |
| TW (1) | TW201526330A (ja) |
| WO (1) | WO2015047052A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11152582B2 (en) * | 2013-09-30 | 2021-10-19 | Lg Display Co., Ltd. | Laminate and manufacturing method therefor |
| JP2017182892A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、及び電子機器 |
| CN116583131A (zh) * | 2017-04-26 | 2023-08-11 | Oti照明公司 | 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置 |
| CN108040435B (zh) * | 2017-12-12 | 2020-06-19 | 北京科技大学 | 一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法 |
| KR102559097B1 (ko) * | 2018-07-27 | 2023-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4142117B2 (ja) * | 1995-10-06 | 2008-08-27 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
| GB9616265D0 (en) * | 1996-08-02 | 1996-09-11 | Philips Electronics Uk Ltd | Electron devices |
| US6869635B2 (en) * | 2000-02-25 | 2005-03-22 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor |
| JP2004127933A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| DE10340926A1 (de) * | 2003-09-03 | 2005-03-31 | Technische Universität Ilmenau Abteilung Forschungsförderung und Technologietransfer | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen |
| KR101026812B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2011-04-04 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
| JP2005197190A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Seiko Epson Corp | 回路基板及び電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
| KR100620849B1 (ko) * | 2004-03-23 | 2006-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR100642490B1 (ko) * | 2004-09-16 | 2006-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR101245217B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2013-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101192017B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2012-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP5650402B2 (ja) * | 2006-07-25 | 2015-01-07 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 |
| KR100859084B1 (ko) * | 2006-07-25 | 2008-09-17 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 그의 제조방법 |
| JP2008108512A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び電気光学装置 |
| JP2009004347A (ja) * | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ表示素子の製造方法及び有機ｅｌ表示素子 |
| CN101796823B (zh) | 2007-09-05 | 2012-05-23 | 国立大学法人东北大学 | 固体摄像元件以及摄影装置 |
| KR101622563B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2016-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부발광 방식 유기전계 발광소자 |
| GB2479120A (en) * | 2010-03-26 | 2011-10-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electrolumunescent device having conductive layer connecting metal over well defining layer and cathode |
| TWI562423B (en) * | 2011-03-02 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and lighting device |
| JP2012204250A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子 |
-
2014
- 2014-09-30 EP EP14847343.2A patent/EP3016161B1/en active Active
- 2014-09-30 KR KR20140132082A patent/KR20150037708A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-09-30 US US14/908,419 patent/US9847502B2/en active Active
- 2014-09-30 JP JP2016531558A patent/JP6302552B2/ja active Active
- 2014-09-30 TW TW103134123A patent/TW201526330A/zh unknown
- 2014-09-30 WO PCT/KR2014/009237 patent/WO2015047052A1/ko active Application Filing
- 2014-09-30 CN CN201480045674.1A patent/CN105474427B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015047052A1 (ko) | 2015-04-02 |
| TW201526330A (zh) | 2015-07-01 |
| EP3016161A4 (en) | 2017-02-15 |
| JP2016525784A (ja) | 2016-08-25 |
| CN105474427A (zh) | 2016-04-06 |
| KR20150037708A (ko) | 2015-04-08 |
| EP3016161A1 (en) | 2016-05-04 |
| EP3016161B1 (en) | 2019-09-04 |
| US9847502B2 (en) | 2017-12-19 |
| CN105474427B (zh) | 2018-04-06 |
| US20160190506A1 (en) | 2016-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6043401B2 (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
| JP6302552B2 (ja) | 有機発光素子 | |
| US10153454B2 (en) | Organic light-emitting element and production method thereof | |
| JP6192081B2 (ja) | 有機発光素子の製造方法 | |
| KR101314452B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| KR101806940B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
| KR101677425B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
| JP6302553B2 (ja) | 積層体およびその製造方法 | |
| JP2007299766A (ja) | 有機ｅｌ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160128 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20160803 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161018 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161019 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170704 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171106 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171113 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180302 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6302552 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |