KR101677425B1 - 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

유기 발광 소자 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101677425B1
KR101677425B1 KR1020150169342A KR20150169342A KR101677425B1 KR 101677425 B1 KR101677425 B1 KR 101677425B1 KR 1020150169342 A KR1020150169342 A KR 1020150169342A KR 20150169342 A KR20150169342 A KR 20150169342A KR 101677425 B1 KR101677425 B1 KR 101677425B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
layer
light emitting
forming
organic
Prior art date
Application number
KR1020150169342A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150141922A (ko
Inventor
이연근
안용식
김정두
박민춘
김지희
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150169342A priority Critical patent/KR101677425B1/ko
Publication of KR20150141922A publication Critical patent/KR20150141922A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101677425B1 publication Critical patent/KR101677425B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L51/0011—
    • H01L51/0018—
    • H01L51/5203—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • F21Y2105/008—
    • H01L2251/56—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 대량 생산시 생산성이 우수하고, 증착 설비 등을 단순화할 수 있는 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

유기 발광 소자 및 이의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 대량 생산시 생산성이 우수하고, 증착 설비 등을 단순화할 수 있는 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 두 개의 반대 전극과 그 사이에 존재하는 다층의 반도체적 성질을 갖는 유기물의 박막들로 구성되어 있다. 이와 같은 구성의 유기 발광 소자는 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상, 즉 유기 발광 현상을 이용한다. 구체적으로, 양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시킨 구조에 있어서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에서는 유기물층에서 생성된 빛이 광 투과성 전극을 통하여 방출하게 되며, 유기 발광 소자는 통상 전면 발광(top emission), 후면 발광(bottom emisstion) 및 양면 발광형으로 분류할 수 있다. 전면 또는 후면 발광형의 경우는 두 개의 전극 중 하나가 광 투과성 전극이어야 하며, 양면 발광형의 경우는 두 개의 전극이 모두 광 투과성 전극이어야 한다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 대해서는 다층 구조를 사용하는 경우 저전압에서 구동할 수 있다는 코닥사의 발표 이래 많은 연구가 집중되어 왔으며, 최근에는 유기 발광 소자를 이용한 천연색 디스플레이가 휴대용 전화기에 부착되어 상용화되고 있다.
또한, 최근의 유기 발광 소자는 기존의 형광 물질을 이용하는 대신 인광 물질의 이용에 대한 연구가 진행되면서 효율의 향상이 급격히 이루어지고 있으며, 가까운 미래에는 기존의 조명을 대체할 수 있다는 예상도 나오고 있다.
유기 발광 소자가 조명으로 이용되기 위해서는 기존의 천연색 디스플레이와는 달리 고휘도에서 소자를 구동하여야 하며, 기존의 조명과 같이 일정한 휘도를 유지하여야 한다. 유기 발광 소자의 휘도를 충분히 향상시키기 위해서는 넓은 면적에서 발광이 이루어져야 하고, 이와 같이 넓은 면적에서 발광이 이루어지게 하기 위해서는 높은 구동 전류를 이용해야 한다. 또한, 넓은 면적에서 일정한 휘도를 유지하기 위해서는 상기와 같은 높은 전류가 넓은 면적의 소자에 균일하게 주입되어야 한다.
일반적으로, 조명용 유기 발광 소자는 기판에 투명 전극, 유기물층 및 금속 전극이 순차적으로 증착되는 구조를 갖는다. 상기 유기 발광 소자의 제조시 유기물층과 금속 전극의 증착 패턴의 평면도상의 면적이 서로 상이하기 때문에, 상기 유기물층과 금속 전극의 증착시에는 각각 서로 다른 마스크를 사용하게 된다. 이에 따라 증착 공정 중간에 마스크의 교체가 필요하고, 증착 설비가 복잡하여 생산성이 높지 않으며, 제조비용 또한 높은 문제점이 있다.
현재 일반적으로 사용 중인 클러스터 타입 증착기는 증착 챔버마다 유기물층용 마스크 또는 금속 전극용 마스크가 준비되어 있고 기판이 증착 챔버에 들어오면 마스크와 기판이 합판 된 후 유기물 또는 금속을 증착시킨다. 이러한 공정에서는 마스크의 수가 증착 챔버 수에 비례하여 증가하면 된다. 이러한 방식은 기판의 이송 시간, 기판과 마스크의 합판 시간 및 유기물 또는 금속의 증착 시간 등이 소요되므로, 생산성을 향상시키기에는 한계가 있다.
반면, 인라인(In-line) 증착 설비의 경우 대부분의 준비 공정이 생략 가능하므로 생산성을 향상시킬 수 있는 기회가 매우 많다. 하지만 인라인 증착 설비에서도 증착 챔버 안에 투입되어 증착이 진행되는 모든 기판 수 이상의 마스크가 필요하다는 문제점이 있다. 만약 유기물 증착 패턴과 무기물 증착 패턴이 다르다면 필요 마스크 수가 기판 수의 2배 이상이 되어야 한다. 또한, 인라인 공정 중 유기물 증착 공정에서 금속전극 증착 공정으로 변경되는 과정에서 마스크 교체 공정이 필요하게 되는데, 이 과정에서 생산성이 낮아질 수 있다.
향후 조명용 유기 발광 소자의 대량 생산을 위하여 인라인 증착 설비를 통해 마스크 교체 공정을 거치지 않으면서, 유기 발광 소자의 생산성을 증대시킬 수 있는 연구가 필요한 실정이다.
대한민국 공개특허공보 제10-2011-0080632호
본 발명은 생산성이 우수하고, 증착 설비를 단순화하여 제조할 수 있는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다. 특히 본 발명은 인라인 공정에서 필요한 마스크 수를 줄임으로써, 증착 공정 중 마스크 교체 공정을 생략하여 생산성을 높이고, 생산 비용을 절감시킬 수 있는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시상태는,
1) 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자를 형성하는 단계;
2) 상기 제1 전극 상에 보조전극을 형성하고, 제2 전극의 외부 단자 상에 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및
3) 상기 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자 상에 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기물층 및 제2 전극의 형성시 1종의 마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 실시상태는,
a) 기판 상에 제1 전극층을 형성하고, 상기 제1 전극층 상에 보조전극층을 형성하는 단계;
b) 상기 보조전극층 및 제1 전극층을 식각하여, 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자를 형성하는 단계로서, 상기 제1 전극 상에는 보조전극을 형성하고, 상기 제2 전극의 외부 단자 상에는 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및
c) 상기 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자 상에 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기물층 및 제2 전극의 형성시 1종의 마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 실시상태는 상기 유기 발광 소자의 제조방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 유기물층의 패턴 및 제2 전극의 패턴의 형상이 동일하므로, 상기 유기물층 및 제2 전극을 각각 형성할 때 마스크를 교체할 필요가 없이 동일한 마스크를 사용할 수 있고, 이에 따라 유기 발광 소자의 생산성을 증대시킬 수 있으며, 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한, 유기 발광 소자의 제조시 증착 설비를 단순화할 수 있으므로, 투자 비용 감소의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 유기 발광 소자의 제2 전극의 외부 단자 상에 도전성 패턴의 형성시, 제1 전극의 보조전극도 함께 형성할 수 있으므로, 유기 발광 소자의 제조비용을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 일 구체예를 나타낸 도이다.
도 2는 종래 및 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 일 구체예에 있어서 전류 흐름을 비교한 도이다.
도 3 및 도 4는 각각 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 일 구체예에 있어서, 도전성 패턴의 다양한 형태를 나타낸 도이다.
도 5는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 일 구체예에 있어서, 도전성 패턴과 제2 전극의 외부 단자 평면과 이루는 각도를 나타낸 도이다.
<도면의 주요 부호의 설명>
10: 기판 20: 제1 전극
30: 절연층 40: 유기물층
50: 제2 전극 60: 제2 전극 외부 단자
70: 도전성 패턴 80: 봉지
90: 보조전극
이하 본 발명에 대해서 자세히 설명한다.
일반적으로, 유기 발광 소자는 넓은 면적을 갖는 2개의 전극이 서로 마주보고 있으며 그 사이에 전류에 의해 빛을 발광하는 유기물층이 형성되어 있는 구조를 갖는다. 상기 전극의 테두리 부분에서 전류가 인가되어 전극의 중심부 쪽으로 흐르면서 유기물을 통과하여 마주보고 있는 전극으로 빠져나가게 되며, 이 때 전극의 테두리 부분에서 중심부로 전류가 흐르면서 전극의 저항에 비례하게 전압 하강이 발생한다. 이러한 전극의 저항에 의하여 전압 하강이 발생한 만큼 에너지를 소모하게 되어 유기 발광 소자의 에너지 효율을 저하시키게 된다.
또한, 상기 2개의 전극 사이에 형성되는 전기장이 달라지게 되므로, 전극 위치에 따라 유기물의 발광량이 달라지게 되는데, 이러한 위치에 따른 밝기의 차이는 외관상으로도 좋지 않을 뿐 아니라, 소자의 안정성에도 좋지 않은 영향을 주게 된다. 따라서, 유기 발광 소자에서는 이러한 문제를 최소화하기 위한 설계가 필요하다.
유기 발광 소자는 두 개의 투명 전극 또는 투명 전극과 금속 전극이 마주보는 구조로 되어 있다. 전술한 전극에서의 전압 하강 문제는 상대적으로 면 저항이 높은 투명 전극 쪽에서 문제가 된다. 상기 투명 전극으로는 ITO(indium tin oxide) 등을 사용하는데, 상기 ITO를 포함하는 투명 전극의 면 저항 값은 10 ~ 30 Ω/□ 수준으로서, Al 등을 100nm 증착하여 제조한 금속 전극의 면 저항 값인 0.3Ω/□ 수준보다 약 100배 가까이 차이가 난다. 상기 투명 전극의 면 저항 값을 낮추기 위하여 금속 보조 전극을 투명 전극 위에 형성하는 방법이 일반적으로 사용되고 있는데, 발광 영역면의 개구율을 떨어뜨리지 않고, 균일하게 면 저항 값을 낮추기 위해서는 미세한 금속 전극을 형성하여야 하고, 이를 위해서는 포토리소그라피법이 사용된다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은, 1) 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자를 형성하는 단계; 2) 상기 제1 전극 상에 보조전극을 형성하고, 제2 전극의 외부 단자 상에 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및 3) 상기 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자 상에 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층 및 제2 전극의 형성시 1종의 마스크를 이용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은, a) 기판 상에 제1 전극층을 형성하고, 상기 제1 전극층 상에 보조전극층을 형성하는 단계; b) 상기 보조전극층 및 제1 전극층을 식각하여, 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자를 형성하는 단계로서, 상기 제1 전극 상에는 보조전극을 형성하고, 상기 제2 전극의 외부 단자 상에는 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및 c) 상기 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자 상에 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층 및 제2 전극의 형성시 1종의 마스크를 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 기판은 당 기술분야에 알려진 것을 제한 없이 이용할 수 있으며, 보다 구체적으로는 유리 기판, 플라스틱 기판 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 전극은 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 구리, 은, 주석 및 납 중에서 선택된 1종 이상으로 형성될 수 있다.
또한, 제1 전극은 투명 전도성 산화물로 형성될 수도 있다. 여기서, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 및 란탄(La) 중에서 선택된 적어도 하나의 산화물일 수 있다.
상기 제1 전극은 스퍼터링(Sputtering)법, 전자-빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy, L-MBE), 및 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD) 중에서 선택된 어느 하나의 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD); 열 화학 기상 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 광 화학 기상 증착법(Light Chemical Vapor Deposition), 레이저 화학 기상 증착법(Laser Chemical Vapor Deposition), 금속-유기 화학 기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 및 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 중에서 선택된 어느 하나의 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition); 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성할 수 있다
본 발명에 있어서, 상기 보조전극은 제1 전극의 저항 개선을 위한 것으로서, 상기 보조전극은 전도성 실란트(sealant) 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 증착 공정 또는 프린팅 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 보조전극은 Cr, Mo, Al, Cu, 이들의 합금 등을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 전극의 외부 단자는 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어, 외부 전압을 공급받을 수 있다. 본 발명에서는 상기 제2 전극의 외부 단자와 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하는 도전성 패턴을 포함함으로써 상기 제2 전극과 상기 제2 전극의 외부 단자가 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는 기판 상에 제1 전극층을 형성하고, 상기 제1 전극층 상에 보조전극층을 형성한 후, 상기 보조전극층 및 제1 전극층을 식각하여, 상부에 보조전극이 형성된 제1 전극과 상부에 도전성 패턴이 형성된 제2 전극의 외부 단자를 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 기판 상에 제1 전극층을 형성한 후 상기 제1 전극층을 식각하여 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자를 형성하고, 그 후 상기 제1 전극 상에 보조전극을 형성하고 상기 제2 전극의 외부 단자 상에 도전성 패턴을 형성할 수도 있다. 즉, 상기 보조전극 및 도전성 패턴을 동일한 물질 및 동일한 공정을 이용하여 동시에 형성하는 것을 제외하고, 그 제조순서 등은 당업자가 적절하게 선택할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 기판 상에 보조전극을 형성한 후, 상기 기판 상에 제1 전극을 형성할 수도 있다.
유기 발광 소자가 발광을 하기 위해서는 상기 제1 전극 및 제2 전극에 외부 전압을 걸어주어야 한다. 상기 제1 전극에는 외부 전압을 직접 공급할 수 있으나, 상기 제2 전극은 별도의 외부 단자와 전기적으로 연결시킨 후 상기 별도의 외부 단자에 외부 전압을 공급하게 된다.
종래에는 제2 전극과 제2 전극의 외부 단자의 전기적 연결을 위하여, 도 3에 예시된 바와 같이 제2 전극이 제2 전극의 외부 단자와 직접 접하도록 구성하였다. 그러나, 이와 같이 구성하는 경우 제조공정이 복잡하고 비용이 많이 소요되는 문제가 있었다. 또한, 증착 공정에서 유기물층용 쉐도우 마스크와 금속전극용 마스크를 다른 패턴으로 사용해야 하므로, 제조공정상 복잡하고 비용이 많이 소요되는 문제가 있었다. 그러나, 본 발명에서는 전술한 바와 같이 유기물층의 형상과 제2 전극의 형상을 동일하게 하면서도, 상기와 같은 도전성 패턴에 의하여 제2 전극과 제2 전극의 외부 단자의 전기적 연결을 보완할 수 있다.
상기 도전성 패턴은 상기 제2 전극의 외부 단자의 상면으로부터 상기 유기물층을 관통하여 상기 제2 전극에 접하거나, 제2 전극을 관통하는 구조를 가질 수 있다.
상기 기판의 상면 측으로부터 바라볼 때, 상기 도전성 패턴은 여러 가지 형태가 가능하다. 앞에서 설명된 대로 도전성 패턴이 형성되어야 할 영역에 하나의 도형 형태로 만들어 질 수도 있고, 다수의 독립되거나 서로 연결된 점 형태로 분포될 수도 있다. 상기 도전성 패턴의 횡단면 형상은 특별히 한정되지 않으며, 삼각형, 사각형 또는 무정형 등 어떠한 형태라도 좋다. 또한, 상기 도전성 패턴의 측단면 형상은 정사각형이나 직사각형일 수도 있으나, 마름모꼴, 삼각형이나 그외 변형된 형태를 가질 수 있다. 상기 도전성 패턴의 여러 가지 형태를 도 3 및 도 4에 나타내었다.
상기 도전성 패턴의 측단면 형상에서 상기 제2 전극의 외부 단자의 상면과 이루는 최대 각도는 매우 중요하다. 상기 최대 각도는 40도 이상인 것이 바람직하다. 유기물층이 형성된 후에도 유기물이 도전성 패턴의 옆면을 다 덮지 못하고 노출되어 후에 제2 전극이 형성될 때 상기 도전성 패턴과 상기 제2 전극이 전기적으로 연결될 수 있다. 일 구체예를 도 5에 나타내었다.
또한, 상기 도전성 패턴의 높이는 유기물층 두께의 2배 이상인 것이 바람직하다. 상기 도전성 패턴이 2 이상의 패턴을 포함하는 경우, 높이가 낮은 것을 기준으로 유기물층의 두께의 2배 이상인 것이 바람직하다. 상기 도전성 패턴의 높이는 예컨대 1 마이크로미터 이상인 것이 바람직하다.
상기 도전성 패턴의 전기 전도도는 높을수록 좋다. 예컨대, 1 × 10-4 S/m이상인 것이 바람직하다.
상기 도전성 패턴을 형성하는 방법은 전도성 물질층을 증착 등을 통하여 형성한 후에 에칭을 하거나, 인쇄 방법을 사용할 수도 있다.
일반적으로 증착 가능한 알루미늄, 크롬, 구리, 은, 금, 몰리브데늄 등의 금속이나, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 등의 투명 도전성 물질을 마스크를 이용하여 패턴 증착하거나, 전체 영역에 증착한 후 부분 에칭하여 패턴을 형성할 수 있다. 또한 은, 구리, 탄소 등이 포함된 도전성 페이스트나 잉크로 패터닝하여 인쇄하는 것도 가능하다.
특히, 본 발명에서는 상기 보조전극 및 도전성 패턴은 동일한 물질을 이용하고 동일한 공정을 이용하여 동시에 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 보조전극을 포토리소그래피 공정에 의하여 형성하는 경우에는, 기판 상에 금속을 증착한 후 보조전극의 형성을 위한 에칭공정에서 상기 도전성 패턴을 동시에 형성할 수 있다. 또한, 상기 보조전극을 프린팅 공정에 의하여 형성하는 경우에는, 기판 상에 프린팅 조성물을 이용하여 보조전극 및 도전성 패턴을 동시에 형성할 수 있다.
본 발명에서는 상기 보조전극 및 도전성 패턴의 형성시, 동일한 물질 및 동일한 공정을 이용함으로써, 유기 발광 소자의 제조공정을 단순화시킬 수 있고, 이에 따라 설비 투자비를 감소시킬 수 있다. 또한, 유기 발광 소자의 생산속도를 증가시킬 수 있으며, 수율을 개선할 수 있는 특징이 있다.
또한, 종래 및 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 일 구체예에 있어서 전류 흐름을 비교하여 도 2에 나타내었다.
상기와 같이 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 유기물층 및 제2 전극의 형상이 동일하므로, 상기 유기물층 및 제2 전극을 각각 형성하는 공정에서 마스크를 교체할 필요가 없게 되고, 이에 따라 유기 발광 소자의 생산성을 증대시킬 수 있다. 또한, 유기 발광 소자의 제조시 증착 설비를 단순화할 수 있으므로, 투자 비용 감소의 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은, 상기 보조전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자 사이에 절연층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 절연층은 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 일반적인 포토 레지스트 물질; 폴리이미드; 폴리아크릴; 실리콘 나이트라이드; 실리콘 옥사이드; 알루미늄 옥사이드; 알루미늄 나이트라이드; 알카리 금속 산화물; 알카리토금속 산화물 등을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 절연층의 두께는 10nm ~ 10㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 유기물층 및 제2 전극은 상기 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자의 상부 전영역에 걸쳐서 형성될 수 있다.
상기 유기물층 및 제2 전극의 구체적인 물질, 형성방법은 특별히 제한되는 것은 아니고, 당 기술분야에 널리 알려진 물질 및 형성방법을 이용할 수 있다.
상기 제2 전극 재료는 투명 전도성 산화물일 수 있다. 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 및 란탄(La) 중에서 선택된 적어도 하나의 산화물일 수 있다. 이 중 인듐주석산화물(ITO: Indium Tin Oxide) 또는 인듐아연산화물(IZO: Indium Zinc Oxide)로 상기 막을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제2 전극 재료는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 구리 주석 및 납 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 제2 전극은, 스퍼터링(Sputtering)법, 전자-빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy, L-MBE), 및 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD) 중에서 선택된 어느 하나의 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD); 열 화학 기상 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 광 화학 기상 증착법(Light Chemical Vapor Deposition), 레이저 화학 기상 증착법(Laser Chemical Vapor Deposition), 금속-유기 화학 기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 및 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 중에서 선택된 어느 하나의 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition); 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 제2 전극의 두께는 50nm ~ 5㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 전극의 외부 단자는 전도성 재료로 형성될 수 있으며, 상기 제1 전극 또는 제2 전극과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 적층 구조일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 정공 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 전자 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 전자 주입 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있고, 정공 주입 전극 물질과 동일한 물질을 사용할 수도 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 발광층을 형성할 수 있는 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌; 인광 호스트 CBP[[4,4'-bis(9-carbazolyl)biphenyl]; 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 발광 물질은 형광 또는 인광 특성을 향상시키기 위해 인광 도판트 또는 형광 도판트를 추가로 포함할 수 있다. 상기 인광 도판트의 구체적인 예로는 ir(ppy)(3)(fac tris(2-phenylpyridine) iridium) 또는 F2Irpic[iridium(Ⅲ)bis(4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2) picolinate] 등이 있다. 형광 도판트로는 당 기술분야에 알려진 것들을 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 전자 수송층을 형성할 수 있는 물질로는 전자 주입층으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 유기물층 및 제2 전극의 형상은 서로 동일할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 유기물층 및 제2 전극의 형상이 동일하다는 것이란, 상기 제2 전극의 면적이 상기 유기물층의 면적과 동일하거나, 상기 유기물층의 면적에 대하여 10% 이내의 차이를 갖는 것을 의미하거나, 상기 제2 전극의 패턴 형태와 상기 유기물층의 패턴 형태가 동일하다는 것을 의미한다.
본 발명에서는 상기와 같이 유기물층과 제2 전극의 형상이 서로 동일한 형상을 가지는 구성을 갖고 있기 때문에, 유기물층 형성을 위한 마스크와 제2 전극 형성을 위한 마스크로서 동일한 마스크를 사용할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 유기물층의 면적이란 상기 제1 전극 상에 상기 유기물층을 형성할 때, 상기 유기물층이 제1 전극상에 차지하는 면적, 즉 소자의 제2 전극 상면 측에서 바라보았을 때의 면적을 의미한다. 또한, 상기 제2 전극의 면적도 마찬가지로 상기 제2 전극이 상기 제1 전극 및 상기 유기물층을 덮고 있는 면적, 즉 소자의 제2 전극의 상면 측에서 바라보았을 때의 면적을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 유기물층의 패턴 형태란 상기 제1 전극 상에 상기 유기물층을 형성할 때, 상기 유기물층이 제1 전극상에 적층되는 모양, 즉 소자의 제2 전극 상면 측에서 바라보았을 때의 패턴 형태를 의미한다. 또한, 상기 제2 전극의 패턴 형태도 마찬가지로 상기 제2 전극이 상기 제1 전극 및 상기 유기물층을 덮고 있는 패턴 형태, 즉 소자의 제2 전극의 상면 측에서 바라보았을 때의 패턴 형태를 의미한다.
본 발명에 있어서, 유기물층 형성을 위한 마스크와 제2 전극 형성을 위한 마스크로서 동일한 마스크를 사용하는 경우, 상기 제2 전극의 면적이 상기 유기물층의 면적과 동일할 수 있으나, 형성 방법이나 공정상 오차 등에 의하여 다소 차이가 날 수 있다. 그러나, 동일한 마스크를 사용하기 때문에, 상기 면적의 차이는 10% 이내, 바람직하게는 5% 이내, 더욱 바람직하게는 3% 이내의 범위 내일 수 있다.
본 발명에 있어서, 유기물층 형성을 위한 마스크와 제2 전극 형성을 위한 마스크로서 동일한 마스크를 사용하는 경우, 상기 제2 전극과 상기 유기물층을 상면 측에서 바라본 패턴 형태가 동일하나, 상기에 기술한 바와 같이 형성 방법이나 공정상 오차에 의하여 상기 제2 전극과 상기 유기물층의 면적이 다소 차이 날 수 있으므로, 상기 제2 전극과 상기 유기물층의 패턴 형태의 가로 및 세로의 비율은 서로 비례하여 커지거나 작아질 수 있다.
본 발명에 있어서, 동일한 마스크를 사용하는 경우, 상기 유기물층과 상기 제2 전극은 형상이 동일하거나, 면적이 동일하거나 면적이 특정 범위 이내로 차이가 날뿐만 아니라, 서로 대응되는 영역에 형성된다.
상기 마스크는 스테인레스 스틸, 인바계열 금속, 티타늄, 구리 동판 및 플라스틱 중에서 선택된 재질로 형성될 수 있다. 여기서 플라스틱의 한 예로서 PET 필름을 예로 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 마스크의 두께는 5 마이크로미터 내지 5 밀리미터일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은, 상기 마스크를 유기물층 및 제2 전극을 형성하는데 사용한 후에, 상기 마스크를 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은, 마스크를 유기물층 형성 단계 및 제2 전극 형성 단계를 연속적으로 사용한 후에 세정할 수 있다. 이와 달리, 종래의 유기 발광 소자의 제조방법에서는, 유기물층 형성 단계용 마스크와 제2 전극 형성 단계용 마스크가 별도로 구비되어 있어서, 제2 전극 형성 단계용 마스크의 세정이 어렵고, 이에 따른 마스크 교체비용이 증가되는 단점이 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은, 상기 제2 전극 형성 단계용 마스크를 별도로 사용하지 않고, 상기 유기물층 형성 단계용 마스크로 상기 제2 전극을 형성함에 따라, 상기 두 종류의 마스크를 교체하는 교체라인을 제거될 수 있고, 기존 마스크 장입부를 제거할 수 있으므로, 장비의 단순화를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은, 유기물층을 형성하는 단계와 제2 전극을 형성하는 단계에서 마스크를 별도로 사용하는 종래의 경우 기판과 마스크 정렬을 위한 시간이 추가로 필요하나, 본 발명에서 하나의 마스크를 사용하여 두 단계를 수행할 수 있음에 따라, 공정시간이 종래보다 단축될 수 있다.
또한, 유기물층을 형성하는 단계와 제2 전극을 형성하는 단계에서 사용하는 마스크를 별도로 사용하는 종래의 경우, 각각의 마스크에 대한 별도의 챔버, 마스크의 교체 장치부, 마스크의 세정장치 등 제조장치에 대해 추가적인 모듈이 있어야 하지만, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법은 하나의 마스크를 사용하여 유기물층을 형성하는 단계 및 제2 전극을 형성하는 단계를 수행할 수 있음에 따라, 상기 추가적인 모듈이 요구되지 않으므로, 유기 발광 소자의 제조장치를 간소화할 수 있다.
또한, 유기물층을 형성하는 단계와 제2 전극을 형성하는 단계에서 연속적으로 사용한 마스크는 세정이 용이하므로, 마스크를 장기간 사용할 수 있고, 마스크의 교체비용을 줄일 수 있게 된다. 또한, 본 발명에 따르면, 장비의 단순화, 마스크 교체 비용 절감 및 공정 시간의 단축이 가능하다.
본 발명의 일 구체예에 따른 유기 발광 소자를 하기 도 1에 나타내었다.
또한, 본 발명은 상기 유기 발광 소자의 제조방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판(10); 기판(10) 상에 구비된 제1 전극(20) 및 상기 제1 전극(20)과 절연되어 구비된 제2 전극의 외부 단자(60); 상기 제1 전극(20) 상에 구비된 보조전극(90); 상기 제1 전극(20)과 상기 제2 전극의 외부 단자(60)의 적어도 일부를 덮도록 구비된 유기물층(40); 상기 유기물층(40) 상에 구비되고, 상기 유기물층(40)과 동일한 형상을 갖는 제2 전극(50); 및 상기 제2 전극의 외부 단자(60)의 상면으로부터 상기 유기물층(40)을 관통하여 상기 제2 전극(50)에 접하거나, 제2 전극(50)을 관통하는 구조를 갖는 도전성 패턴(70)을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 조명용 유기 발광 소자에 보다 바람직하게 적용할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 유기물층 및 제2 전극의 패턴의 면적이 동일하므로, 상기 유기물층 및 제2 전극 각각의 증착 공정시 마스크를 교체할 필요가 없게 되고, 이에 따라 유기 발광 소자의 생산성을 증대시킬 수 있다. 또한, 유기 발광 소자의 제조시 증착 설비를 단순화할 수 있으므로, 투자 비용 감소의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 유기 발광 소자의 제2 전극의 외부 단자 상에 도전성 패턴의 형성시, 제1 전극의 보조전극도 함께 형성할 수 있으므로, 유기 발광 소자의 제조비용을 감소시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
<실시예 1>
100 × 100 mm2 의 유리 기판 위에 ITO(100nm) 및 Cu(500nm)를 증착하였다. 10 × 10 mm2 넓이의 영역에서, 위에서 봤을 때 지름 40㎛, 간격 100㎛인 원기둥이 형성되도록 Cu 증착층을 패터닝하였다. 패터닝 영역이 8 × 8 mm2 만큼만 노출되고 그 영역 바깥쪽 테두리는 4mm 폭으로 절연층이 형성되도록, 안쪽 크기 8 × 8 mm2, 바깥쪽 크기 12 × 12 mm2로 절연물질을 Cu 패터닝 영역의 둘레에 1㎛ 두께로 형성하였다. OLED용 증착기에서 10 × 10 mm2 크기의 마스크를 이용하여 Cu 패터닝 영역에 정확하게 정렬하여 NPB(200nm)를 증착한 후, Al(100nm)을 증착하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기 실시예 1에서 제조된 유기 발광 소자의 Cu 패터닝 영역 내의 Al과, Cu 패터닝 영역 바깥의 Cu 층과의 사이에서 측정한 저항값은 1.2Ω 이었다.
<비교예 1>
상기 실시예 1에서, 위에서 봤을 때 지름 40㎛, 간격 100㎛인 원기둥이 형성되도록 Cu 증착층을 패터닝하는 공정을 제외시킨 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기 비교예 1에서 제조된 유기 발광 소자의 Cu 패터닝 영역 내의 Al과, Cu 패터닝 영역 바깥의 Cu 층과의 사이에서 측정한 저항값은 40MΩ 이었다.
상기 결과와 같이, 본 발명에 따르면, 유기물층을 형성하는 마스크과 금속전극을 형성하는 마스크를 동일하게 사용하는 경우에도 제2 전극의 외부 단자와 제2 전극과의 통전을 가능하게 할 수 있음을 알 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 유기물층의 패턴 및 제2 전극의 패턴의 형상이 동일하므로, 상기 유기물층 및 제2 전극을 각각 형성할 때 마스크를 교체할 필요가 없이 동일한 마스크를 사용할 수 있고, 이에 따라 유기 발광 소자의 생산성을 증대시킬 수 있으며, 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한, 유기 발광 소자의 제조시 증착 설비를 단순화할 수 있으므로, 투자 비용 감소의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 유기 발광 소자의 제2 전극의 외부 단자 상에 도전성 패턴의 형성시, 제1 전극의 보조전극도 함께 형성할 수 있으므로, 유기 발광 소자의 제조비용을 감소시킬 수 있다.

Claims (16)

1) 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자를 형성하는 단계;
2) 상기 제1 전극 상에 보조전극을 형성하고, 제2 전극의 외부 단자 상에 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및
3) 상기 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자 상에 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기물층 및 제2 전극의 형성시 1종의 마스크를 이용하며, 상기 보조전극과 상기 도전성 패턴은 상기 기판 상에 동일한 프린팅 조성물을 이용하여 프린팅 공정에 의하여 동시에 형성하는 유기 발광 소자의 제조방법.
a) 기판 상에 제1 전극층을 형성하고, 상기 제1 전극층 상에 보조전극층을 형성하는 단계;
b) 상기 보조전극층 및 제1 전극층을 식각하여, 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자를 형성하는 단계로서, 상기 제1 전극 상에는 보조전극을 형성하고, 상기 제2 전극의 외부 단자 상에는 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및
c) 상기 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자 상에 유기물층 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기물층 및 제2 전극의 형성시 1종의 마스크를 이용하며, 상기 보조전극과 상기 도전성 패턴은 상기 기판 상에 금속인 상기 제1 전극층과 상기 보조전극층을 증착한 후, 에칭 공정을 이용하여 동시에 형성하는 유기 발광 소자의 제조방법.
삭제
삭제
삭제
청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 보조전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극의 외부 단자 사이에 절연층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 유기물층 및 제2 전극의 형상이 서로 동일한 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 제2 전극의 면적이 상기 유기물층의 면적과 동일하거나, 상기 유기물층의 면적에 대하여 10% 이내의 차이를 갖는 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 도전성 패턴은 상기 제2 전극과 상기 제2 전극의 외부 단자를 전기적으로 연결하는 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 도전성 패턴은 상기 제2 전극의 외부 단자의 상면으로부터 상기 유기물층을 관통하여 상기 제2 전극에 접하거나, 제2 전극을 관통하는 구조를 갖는 것인 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1 또는 2의 유기 발광 소자의 제조방법에 의하여 제조되는 유기 발광 소자.
삭제
청구항 12에 있어서, 상기 도전성 패턴의 측단면 형상이 상기 제2 전극 외부 단자의 상면과 이루는 최대 각도가 40도 이상인 유기 발광 소자.
청구항 12에 있어서, 상기 보조전극 상에 절연층이 구비된 유기 발광 소자.
청구항 12에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 조명용 유기 발광 소자인 유기 발광 소자.
KR1020150169342A 2015-11-30 2015-11-30 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 KR101677425B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150169342A KR101677425B1 (ko) 2015-11-30 2015-11-30 유기 발광 소자 및 이의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150169342A KR101677425B1 (ko) 2015-11-30 2015-11-30 유기 발광 소자 및 이의 제조방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120050247A Division KR101806940B1 (ko) 2012-05-11 2012-05-11 유기 발광 소자 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150141922A KR20150141922A (ko) 2015-12-21
KR101677425B1 true KR101677425B1 (ko) 2016-11-18

Family

ID=55083800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150169342A KR101677425B1 (ko) 2015-11-30 2015-11-30 유기 발광 소자 및 이의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101677425B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004213027A (ja) 2003-01-08 2004-07-29 Samsung Electronics Co Ltd 多結晶シリコン薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
JP2007073338A (ja) 2005-09-07 2007-03-22 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置
JP2009288735A (ja) 2008-06-02 2009-12-10 Sony Corp 画像表示装置及び画像表示装置の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110080632A (ko) 2010-01-06 2011-07-13 주식회사 엘지화학 고굴절 투명 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101314452B1 (ko) * 2010-08-13 2013-10-07 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004213027A (ja) 2003-01-08 2004-07-29 Samsung Electronics Co Ltd 多結晶シリコン薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
JP2007073338A (ja) 2005-09-07 2007-03-22 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置
JP2009288735A (ja) 2008-06-02 2009-12-10 Sony Corp 画像表示装置及び画像表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150141922A (ko) 2015-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI523295B (zh) 包含可撓式基板之有機發光裝置及其製備方法
US10164207B2 (en) Organic light-emitting device and method for manufacturing same
US10153454B2 (en) Organic light-emitting element and production method thereof
KR20130135184A (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
US9847502B2 (en) Organic light emitting device
KR101314452B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101806940B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
KR101677425B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
US9705085B2 (en) Method for manufacturing organic light-emitting device
KR101410576B1 (ko) 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
AMND Amendment
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191015

Year of fee payment: 4