KR20150037708A - 유기 발광 소자 - Google Patents

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KR20150037708A
KR20150037708A KR20140132082A KR20140132082A KR20150037708A KR 20150037708 A KR20150037708 A KR 20150037708A KR 20140132082 A KR20140132082 A KR 20140132082A KR 20140132082 A KR20140132082 A KR 20140132082A KR 20150037708 A KR20150037708 A KR 20150037708A
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electrode
light emitting
organic light
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organic
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KR20140132082A
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문영균
강민수
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것이다. 본 출원에 따른 유기 발광 소자는 기판; 상기 기판 상에 구비되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상의 적어도 일부 영역에 구비되는 보조전극; 상기 보조전극 상에 구비되고, 상기 보조전극보다 큰 폭을 가지는 오버행(overhang) 구조의 절연층; 및 상기 제1 전극 및 절연층 상에 구비되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 상에 구비되는 제2 전극과 상기 절연층 상에 구비되는 제2 전극은 서로 전기적으로 단락된 형태인 전극 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

유기 발광 소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}
본 출원은 2013년 9월 30일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2013-0116196호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 두 개의 반대 전극과 그 사이에 존재하는 다층의 반도체적 성질을 갖는 유기물의 박막들로 구성되어 있다. 이와 같은 구성의 유기 발광 소자는 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상, 즉 유기 발광 현상을 이용한다. 구체적으로, 양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시킨 구조에 있어서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에서는 유기물층에서 생성된 빛이 광 투과성 전극을 통하여 방출하게 되며, 유기 발광 소자는 통상 전면 발광(top emission), 후면 발광(bottom emisstion) 및 양면 발광형으로 분류할 수 있다. 전면 또는 후면 발광형의 경우는 두 개의 전극 중 하나가 광 투과성 전극이어야 하며, 양면 발광형의 경우는 두 개의 전극이 모두 광 투과성 전극이어야 한다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 대해서는 다층 구조를 사용하는 경우 저전압에서 구동할 수 있다는 코닥사의 발표 이래 많은 연구가 집중되어 왔으며, 최근에는 유기 발광 소자를 이용한 천연색 디스플레이가 휴대용 전화기에 부착되어 상용화되고 있다.
또한, 최근의 유기 발광 소자는 기존의 형광 물질을 이용하는 대신 인광 물질의 이용에 대한 연구가 진행되면서 효율의 향상이 급격히 이루어지고 있으며, 가까운 미래에는 기존의 조명을 대체할 수 있다는 예상도 나오고 있다.
유기 발광 소자가 조명으로 이용되기 위해서는 기존의 천연색 디스플레이와는 달리 고휘도에서 소자가 구동하여야 하며, 기존의 조명과 같이 일정한 휘도를 유지하여야 한다. 유기 발광 소자의 휘도를 충분히 향상시키기 위해서는 넓은 면적에서 발광이 이루어져야 하고, 이와 같이 넓은 면적에서 발광이 이루어지게 하기 위해서는 높은 구동 전류를 이용해야 한다. 또한, 넓은 면적에서 일정한 휘도를 유지하기 위해서는 상기와 같은 높은 전류가 넓은 면적의 소자에 균일하게 주입되어야 한다.
대한민국 공개특허공보 제1998-0071030호
당 기술분야에서는 보다 간단한 공정에 의하여 제조할 수 있는 유기 발광 소자에 대한 연구가 필요하다.
본 출원의 일 실시상태는,
기판;
상기 기판 상에 구비되는 제1 전극;
상기 제1 전극 상의 적어도 일부 영역에 구비되는 보조전극;
상기 보조전극 상에 구비되고, 상기 보조전극보다 큰 폭을 가지는 오버행(overhang) 구조의 절연층; 및
상기 제1 전극 및 절연층 상에 구비되는 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 전극 상에 구비되는 제2 전극과 상기 절연층 상에 구비되는 제2 전극은 서로 전기적으로 단락된 형태인 전극 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극 및 오버행 구조 상에 전기적으로 단락된 형태의 제2 전극을 형성함으로써, 제2 전극의 제조공정시 종래에 사용되던 패턴 형성용 마스크의 사용을 배제할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 소자의 제조공정 비용을 절감할 수 있는 특징이 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 유기 발광 소자용 전극을 나타낸 도이다.
도 3 내지 5는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자용 전극을 나타낸 도이다.
도 6은 본 출원의 일 실시상태에 따른 오버행 구조의 전자사진을 나타낸 도이다.
<도면의 주요 부호의 설명>
10: 기판
20: 애노드 전극
30: 보조전극
40: 절연층
50: 캐소드 전극
이하 본 출원에 대해서 자세히 설명한다.
일반적으로, 조명용 유기 발광 소자는 기판에 투명 전극, 유기물층 및 금속 전극이 순차적으로 증착되는 구조를 갖는다. 상기 유기 발광 소자의 제조시 유기물층과 금속 전극의 증착 패턴의 평면도상의 면적이 서로 상이하기 때문에, 상기 유기물층과 금속 전극의 증착시에는 각각 서로 다른 마스크를 사용하게 된다. 이에 따라 증착 공정 중간에 마스크의 교체가 필요하고, 증착 설비가 복잡하여 생산성이 높지 않으며, 제조비용 또한 높은 문제점이 있다.
이에 따라, 본 발명자들은 보다 간단한 공정에 의하여 제조할 수 있고, 유기 발광 소자의 전극에 적용할 수 있는 도전성 패턴에 대한 연구를 진행하여 본 발명을 완성하였다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 기판; 상기 기판 상에 구비되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상의 적어도 일부 영역에 구비되는 보조전극; 상기 보조전극 상에 구비되고, 상기 보조전극보다 큰 폭을 가지는 오버행(overhang) 구조의 절연층; 및 상기 제1 전극 및 절연층 상에 구비되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 상에 구비되는 제2 전극과 상기 절연층 상에 구비되는 제2 전극은 서로 전기적으로 단락된 형태인 전극 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 전극 상에 구비되는 제2 전극과 상기 보조전극은 서로 전기적으로 단락된 형태의 구조일 수 있고, 상기 제1 전극 상에 구비되는 제2 전극과 상기 절연층은 서로 전기적으로 단락된 형태의 구조일 수 있다.
즉, 상기 보조전극은 제1 전극 상의 전면이 아닌 일부분에 구비될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 전기적으로 단락된 형태의 구조라 함은 물리적으로 분리되고, 그 구조적으로 서로 이격 배치된 형태를 의미하는 것으로 한다.
종래에는, 전기적으로 단락된 구조를 포함하는 제2 전극, 즉 제2 전극 패턴을 형성하기 위하여 패턴 형성용 마스크를 이용하였다. 그러나, 본 출원에서는 제1 전극과 제1 전극 상에 형성된 오버행 구조의 이중층 상에 제2 전극을 형성함으로써, 별도의 패턴 형성용 마스크가 필요 없이, 제1 전극 상에 형성되는 제2 전극과 오버행 구조의 이중층 상에 형성되는 제2 전극이 서로 전기적으로 단락된 형태의 전극 구조를 포함하는 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 보조전극보다 큰 폭을 가지는 오버행 구조의 절연층은, 상기 보조전극 및 절연층이 동일한 식각액에 의한 식각속도가 서로 상이한 물질을 포함함으로써 형성될 수 있다. 즉, 상기 절연층은 동일한 식각액에 의한 식각속도가 보조전극보다 떨어지는 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 보조전극 및 절연층의 형성시 사용되는 식각액의 종류를 달리하여 오버행 구조의 절연층을 형성할 수도 있다.
상기 식각액의 구체적인 예시로는 불산(HF), 인산(H3PO4), BOE(buffered oxide etchant), BHF(Buffered HF solution), 과산화수소계, CH3COOH, HCl, HNO3, 페릭(ferric) 계 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
특히, 상기 보조전극 및 절연층의 식각공정시 식각시간, 온도 등을 적절하게 조절함으로써 최적화된 오버행 구조를 형성할 수 있다. 본 출원의 일 실시상태에 따른 오버행 구조의 사진을 하기 도 6에 나타내었다.
본 출원에 있어서, 상기 보조전극은 제1 전극의 저항 개선을 위한 것으로서, 상기 보조전극은 전도성 실란트(sealant) 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 증착 공정 또는 프린팅 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 보조전극은 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 크롬, 몰리브덴, 구리, 이들의 합금 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 보조전극의 두께는 50nm ~ 5㎛일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 절연층은 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 일반적인 포토 레지스트 물질; 폴리이미드; 폴리아크릴; 실리콘 나이트라이드; 실리콘 옥사이드; 알루미늄 옥사이드; 알루미늄 나이트라이드; 알카리금속 산화물; 알카리토금속 산화물 등을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 절연층의 두께는 10nm ~ 10㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 기판은 당 기술분야에 알려진 것을 제한 없이 이용할 수 있으며, 보다 구체적으로는 유리 기판, 플라스틱 기판 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 전극은 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 및 란탄(La) 중에서 선택된 적어도 하나의 산화물일 수 있다.
또한, 상기 제1 전극은 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 구리, 주석, 납, 이들의 합금 등을 1종 이상 포함할 수 있다.
상기 제1 전극은, 스퍼터링(Sputtering)법, 전자-빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy, L-MBE), 및 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD) 중에서 선택된 어느 하나의 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD); 열 화학 기상 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 광 화학 기상 증착법(Light Chemical Vapor Deposition), 레이저 화학 기상 증착법(Laser Chemical Vapor Deposition), 금속-유기 화학 기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 및 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 중에서 선택된 어느 하나의 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition); 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제2 전극은 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 및 란탄(La) 중에서 선택된 적어도 하나의 산화물일 수 있다.
또한, 상기 제2 전극은 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 구리, 주석, 납, 이들의 합금 등을 1종 이상 포함할 수 있다.
상기 제2 전극은, 스퍼터링(Sputtering)법, 전자-빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy, L-MBE), 및 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD) 중에서 선택된 어느 하나의 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD); 열 화학 기상 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 광 화학 기상 증착법(Light Chemical Vapor Deposition), 레이저 화학 기상 증착법(Laser Chemical Vapor Deposition), 금속-유기 화학 기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 및 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 중에서 선택된 어느 하나의 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition); 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 제2 전극의 두께는 50nm ~ 5㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 전극 상에서, 상기 보조전극이 구비되는 영역은 비발광영역이고, 상기 보조전극이 구비되지 않은 영역은 발광영역일 수 있다. 이 때, 상기 발광영역 내 제1 전극 상에는 유기물층이 추가로 구비될 수 있다. 즉, 상기 발광영역에는 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 구비될 수 있다.
상기 유기물층의 구체적인 물질, 형성방법은 특별히 제한되는 것은 아니고, 당 기술분야에 널리 알려진 물질 및 형성방법을 이용할 수 있다.
상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법, 또는 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 적층 구조일 수 있다.
상기 정공 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 출원에서 사용될 수 있는 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 전자 주입 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있고, 정공 주입 전극 물질과 동일한 물질을 사용할 수도 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층을 형성할 수 있는 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌; 인광 호스트 CBP[[4,4'-bis(9-carbazolyl)biphenyl]; 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 발광 물질은 형광 또는 인광 특성을 향상시키기 위해 인광 도판트 또는 형광 도판트를 추가로 포함할 수 있다. 상기 인광 도판트의 구체적인 예로는 ir(ppy)(3)(fac tris(2-phenylpyridine) iridium) 또는 F2Irpic[iridium(Ⅲ)bis(4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2) picolinate] 등이 있다. 형광 도판트로는 당 기술분야에 알려진 것들을 사용할 수 있다.
상기 전자 수송층을 형성할 수 있는 물질로는 전자 주입층으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 조명용 유기 발광 소자에 보다 바람직하게 적용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
종래의 유기 발광 소자용 전극을 하기 도 1 및 2에 나타내었고, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자용 전극을 하기 도 3 내지 5에 나타내었다.
하기 도 3 내지 5의 결과와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 기판;(10) 상기 기판(10) 상에 구비되는 애노드 전극(20); 상기 애노드 전극(20) 상에 구비되는 보조전극(30); 상기 보조전극(30) 상에 구비되고, 상기 보조전극(30)보다 큰 폭을 가지는 오버행(overhang) 구조의 절연층(40); 및 상기 애노드 전극(20) 및 절연층(40) 상에 구비되는 캐소드 전극(50)을 포함하고, 상기 애노드 전극(20) 상에 구비되는 캐소드 전극(50)과 상기 절연층(40) 상에 구비되는 캐소드 전극(50)은 서로 전기적으로 단락된 형태인 전극 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.
유기 발광 소자의 제조시 수반되는 증착 공정에는, 섀도우 마스크로서 금속 재질의 마스크가 사용된다. 보다 구체적으로, 유기물 증착 공정시에는 1개 이상의 섀도우 마스크가 사용되고, 제2 전극의 증착 공정시에는 1개의 섀도우 마스크가 사용된다.
그러나, 본 출원의 일 실시상태에 따른 적층체의 제조시에는 금속 섀도우 마스크가 불필요하게 되어, 마스크의 제조비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 마스크를 주기적으로 세정하고 교체하여야 하는 관리비용을 절감할 수 있는 특징이 있다. 또한, 유기물 패터닝 기술 등을 접목하여 마스크가 필요 없는 증착 공정의 구성이 가능할 수 있다. 또한, 증착설비에서 마스크의 제거가 가능한 경우, 설비 반송부를 단순화 시킬 수 있다. 특히, 설비 크기, 글래스 크기 등이 대형화될수록, 전술한 바와 같은 단순화에 따른 비용 절감 효과가 크게 증가할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극 및 오버행 구조 상에 전기적으로 단락된 형태의 제2 전극을 형성함으로써, 제2 전극의 제조공정시 종래에 사용되던 패턴 형성용 마스크의 사용을 배제할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 소자의 제조공정 비용을 절감할 수 있는 특징이 있다.

Claims (13)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 구비되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상의 적어도 일부 영역에 구비되는 보조전극;
    상기 보조전극 상에 구비되고, 상기 보조전극보다 큰 폭을 가지는 오버행(overhang) 구조의 절연층; 및
    상기 제1 전극 및 절연층 상에 구비되는 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극 상에 구비되는 제2 전극과 상기 절연층 상에 구비되는 제2 전극은 서로 전기적으로 단락된 형태인 전극 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극 상에 구비되는 제2 전극과 상기 보조전극은 서로 전기적으로 단락된 형태의 구조인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극 상에 구비되는 제2 전극과 상기 절연층은 서로 전기적으로 단락된 형태의 구조인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 보조전극 및 절연층은 동일한 식각액에 의한 식각속도가 서로 상이한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 보조전극 및 절연층의 형성시 사용되는 식각액의 종류가 서로 상이한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  6. 청구항 4 또는 5에 있어서, 상기 식각액은 불산(HF), 인산(H3PO4), BOE(buffered oxide etchant), BHF(Buffered HF solution), 과산화수소계, CH3COOH, HCl, HNO3, 및 페릭(ferric) 계로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 보조전극은 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 크롬, 몰리브덴, 구리, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층은 포토 레지스트 물질; 폴리이미드; 폴리아크릴; 실리콘 나이트라이드; 실리콘 옥사이드; 알루미늄 옥사이드; 알루미늄 나이트라이드; 알카리금속 산화물; 및 알카리토금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극 또는 제2 전극은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 및 란탄(La) 중에서 선택된 적어도 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극 또는 제2 전극은 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 구리, 주석, 납 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극 상에서, 상기 보조전극이 구비되는 영역은 비발광영역이고, 상기 보조전극이 구비되지 않은 영역은 발광영역인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 발광영역 내 제1 전극 상에는 유기물층이 추가로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 조명용인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020022596A1 (ko) * 2018-07-27 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI583036B (zh) * 2013-09-30 2017-05-11 樂金顯示科技股份有限公司 積層體及其製造方法
JP2017182892A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、及び電子機器
KR102563713B1 (ko) * 2017-04-26 2023-08-07 오티아이 루미오닉스 인크. 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 장치
CN108040435B (zh) * 2017-12-12 2020-06-19 北京科技大学 一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4142117B2 (ja) * 1995-10-06 2008-08-27 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
GB9616265D0 (en) * 1996-08-02 1996-09-11 Philips Electronics Uk Ltd Electron devices
TWI249363B (en) * 2000-02-25 2006-02-11 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor
JP2004127933A (ja) * 2002-09-11 2004-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
DE10340926A1 (de) * 2003-09-03 2005-03-31 Technische Universität Ilmenau Abteilung Forschungsförderung und Technologietransfer Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen
KR101026812B1 (ko) * 2003-11-28 2011-04-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
JP2005197190A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Seiko Epson Corp 回路基板及び電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
KR100620849B1 (ko) 2004-03-23 2006-09-13 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR100642490B1 (ko) * 2004-09-16 2006-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
KR101245217B1 (ko) * 2006-06-12 2013-03-19 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
KR101192017B1 (ko) * 2006-06-30 2012-10-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100859084B1 (ko) 2006-07-25 2008-09-17 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 그의 제조방법
WO2008013402A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing organic light emitting device and organic light emitting device manufactured by using the method
JP2008108512A (ja) 2006-10-24 2008-05-08 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び電気光学装置
JP2009004347A (ja) * 2007-05-18 2009-01-08 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ表示素子の製造方法及び有機ｅｌ表示素子
JP4844854B2 (ja) 2007-09-05 2011-12-28 国立大学法人東北大学 固体撮像素子及び撮影装置
KR101622563B1 (ko) 2009-12-18 2016-05-19 엘지디스플레이 주식회사 상부발광 방식 유기전계 발광소자
GB2479120A (en) 2010-03-26 2011-10-05 Cambridge Display Tech Ltd Organic electrolumunescent device having conductive layer connecting metal over well defining layer and cathode
TWI562423B (en) 2011-03-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and lighting device
JP2012204250A (ja) 2011-03-28 2012-10-22 Denso Corp 有機ｅｌ素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020022596A1 (ko) * 2018-07-27 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
US11749783B2 (en) 2018-07-27 2023-09-05 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device, manufacturing method thereof, and display device having same

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EP3016161A1 (en) 2016-05-04
CN105474427A (zh) 2016-04-06

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