CN116583131A - 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置 - Google Patents

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Abstract

光电子装置包括：(1)包括第一区域和第二区域的衬底；和(2)覆盖所述衬底的第二区域的传导性覆层。衬底的第一区域从传导性覆层暴露，和与衬底的第一区域邻近的传导性覆层的边缘具有大于约20度的接触角。

Description

用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
本申请是申请日为2018年4月26日的PCT国际专利申请PCT/IB2018/052881进入中国国家阶段的中国专利申请号201880042206.7、发明名称为“用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置”的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年4月26日提交的美国临时申请62/490,564、2017年6月18日提交的美国临时申请62/521,499和2017年10月16日提交的美国临时申请62/573,028申请的权益和优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
下列一般地涉及用于在表面上沉积导电材料的方法。具体而言，方法涉及在表面上选择性沉积导电材料，以便形成装置的导电结构。
背景技术
有机发光二极管(OLED)通常包括介于传导性薄膜电极之间的数层有机材料，其中有机层中的至少一层是电致发光层。当施加电压至电极时，分别由阳极和阴极注入空穴和电子。由电极注入的空穴和电子迁移通过有机层以到达电致发光层。当空穴和电子紧密靠近时，它们由于库仑力彼此吸引。空穴与电子然后可以结合以形成称为激子的结合态。激子可以通过其中释放光子的辐射复合过程衰变。可选地，激子可以通过其中不释放光子的非辐射复合过程衰变。注意，如本文使用的，内量子效率(IQE)将被理解为在装置中生成的通过辐射复合过程衰变的所有电子-空穴对的比例。
辐射复合过程可以作为荧光或磷光过程发生，这取决于电子-空穴对(即，激子)的自旋态。具体而言，由电子-空穴对形成的激子可以被表征为具有自旋单态或自旋三重态。通常，单态激子的辐射衰变产生荧光，而三态激子的辐射衰变产生磷光。
最近，已经提出和研究了OLED的其它光发射机制，包括热激活延迟荧光(TADF)。简言之，TADF发射通过如下发生：在热能的帮助下经由反向系统间交叉跃迁过程将三态激子转变为单态激子，接着是单态激子的辐射衰变。
OLED装置的外量子效率(EQE)可以指的是提供至OLED装置的电荷载流子相对于由装置发射的光子数目的比率。例如，100％的EQE指示对于被注入装置的每个电子发射一个光子。如将领会的，装置的EQE通常大幅低于装置的IQE。EQE和IQE之间的差异通常可以归因于大量的因素，比如由装置的多个组件引起的光的吸收和反射。
OLED装置通常可以被分类为“底部-发射”或“顶部-发射”装置，这取决于光由装置发射的相对方向。在底部-发射装置中，以朝向装置的基座衬底(base substrate)的方向发射由于辐射复合过程生成的光，而在顶部-发射装置中，以远离基座衬底的方向发射光。因此，在底部-发射装置中，在基座衬底近侧的电极通常被制作为光透射的(例如，基本上透明的或半透明的)，而在顶部-发射装置中，在基座衬底远侧的电极通常被制作为光透射的，以便减少光的衰减。取决于具体的装置结构，阳极或阴极可以充当顶部-发射和底部-发射装置中的透射电极(transmissive electrode)。
OLED装置还可以是双面发射装置，其被配置为相对于基底以两个方向发射光。例如，双面发射装置可以包括透射阳极和透射阴极，使得来自每个像素的光以两个方向发射。在另一实例中，双面发射显示装置可以包括被配置为以一个方向发射光的第一组像素，以及被配置为以另一方向发射光的第二组像素，使得来自每个像素的单个电极是透射的。
除了以上装置配置之外，还可以实现透明或半透明OLED装置，其中装置包括允许外部光透射通过设备的透明部分。例如，在透明OLED显示装置中，可以在每个相邻像素之间的非发射区域中提供透明部分。在另一个实例中，可以通过在半的发射区域之间提供多个透明区域来形成透明OLED照明板。透明或半透明OLED装置可以是底部发射装置、顶部发射装置或双面发射装置。
虽然可以选择阴极或阳极作为透射电极，但是典型的顶部发射装置包括光透射阴极。通常用于形成透射阴极的材料包括透明导电氧化物(TCO)，诸如氧化铟锡(ITO)和氧化锌(ZnO)，以及薄膜，诸如通过沉积银(Ag)、铝(Al)或各种金属合金(诸如镁银(Mg：Ag)合金和镱银(Yb：Ag)合金，其中组成范围按体积计约为1：9至约9：1)的薄层形成的薄膜。也可以使用包括两层或多层TCO和/或薄金属膜的多层阴极。
特别是在薄膜的情况下，高达约几十纳米的相对较薄层厚度有助于增强的透明性和有利的光学性质(如，降低的微腔效应)，用于OLED。然而，透射电极的厚度伴随其薄层电阻的增加而减小。具有高薄层电阻的电极通常不希望用于OLED中，因为在使用装置时其产生大的电流电阻(IR)降，这对OLED的性能和效率有害。IR降可以通过增加电源电平在某种程度上得到补偿；但是，当一个像素的电源电平增加时，提供给其他零件的电压也会增加以维持装置的正常运行，并因此是不利的。
为了降低用于顶部发射OLED装置的电源规格，已经提出了在装置上形成母线结构或辅助电极的解决方案。例如，可以通过沉积与OLED装置的透射电极电连通的传导性覆层来形成这种辅助电极。通过降低薄层电阻和透射电极的相关IR降，这种辅助电极可以允许电流更有效地传输到装置的各个区域。
由于辅助电极通常提供在包括阳极、一个或多个有机层和阴极的OLED堆叠的顶部上，因此传统上使用具有掩模孔的阴影掩模来实现辅助电极的图案化，通过该掩模孔来选择性沉积传导性覆层，例如通过物理气相沉积(PVD)工艺。然而，由于掩模通常是金属掩模，因此它们具有在高温沉积过程中翘曲的趋势，从而使掩模孔变形并导致沉积图案的变形。此外，由于传导性覆层粘附到掩模上并掩盖了掩模的特征，因此掩模通常通过连续的沉积而退化。因此，应当使用费时且昂贵的工艺来清洁这种掩模，或者一旦认为该掩模不能有效地产生所需的图案就应当对其进行处理，从而使这种工艺成本高且复杂。因此，阴影掩模工艺对于大规模生产OLED装置可能在商业上不可行。此外，由于阴影效应和金属掩模的机械(如，拉伸)强度，通常会限制使用阴影掩模工艺可以产生的特征的长宽比，这是因为通常在阴影掩模沉积工艺期间拉伸大型金属掩模。
通过阴影掩模在表面上图案化传导性覆层的另一个挑战是使用单个掩模可以实现某些但不是全部的图案。由于掩模的每个部分受到物理支撑，因此在单个加工阶段中并非所有图案都是可能的。例如，在图案指定隔离特征的情况下，通常无法使用单掩模加工阶段来实现所需的图案。另外，用于产生重复结构(如，母线结构或辅助电极)的掩模遍布整个装置表面，其包括在掩模上形成的大量穿孔或孔。然而，在掩模上形成大量的孔会损害掩模的结构完整性，从而导致掩模在加工期间的明显翘曲或变形，这使所沉积的结构的图案变形。
除了上述之外，当在OLED显示装置中提供具有基本均匀厚度的共用电极作为顶部发射阴极时，该装置的光学性能不能容易地根据与每个子像素相关的发射光谱进行微调。在典型的OLED显示装置中，提供红色、绿色和蓝色子像素以形成显示装置的像素。在这种OLED显示装置中使用的顶部发射电极通常是涂覆多个像素的共用电极。例如，这种共用电极可以是相对薄的导电层，其跨越整个装置上具有基本均匀的厚度。尽管已经努力通过改变设置在不同子像素内的有机层的厚度来调谐与每个子像素颜色相关的光学微腔效应，但是至少在某些情况下，这种方法可能无法提供足够程度的光学微腔效应调谐。另外，这种方法可能难以在OLED显示器生产环境中实施。
发明内容
根据一些实施方式，装置(如，光电子装置)包括：(1)包括第一区域和第二区域的衬底；和(2)覆盖所述衬底的第二区域的传导性覆层。从传导性覆层暴露衬底的第一区域，并且邻近衬底的第一区域的传导性覆层的边缘具有大于约20度的接触角。
根据一些实施方式，装置(如，光电子装置)包括：(1)衬底；(2)覆盖衬底的第一区域的成核抑制覆层；和(3)覆盖衬底的横向相邻的第二区域的传导性覆层。成核抑制覆层的表面的特征在于，相对于传导性覆层的材料，其解吸活化能大于或等于表面的扩散活化能且小于或等于表面的扩散活化能的约2.5倍。
根据一些实施方式，装置(如，光电子装置)的制造方法包括：(1)提供衬底和覆盖衬底的第一区域的成核抑制覆层；和(2)沉积覆盖衬底的第二区域的传导性覆层。传导性覆层包括镁，并且成核抑制覆层的表面的特征在于相对于镁，具有解吸活化能和扩散活化能之间的如下关系：其中解吸活化能大于或等于扩散活化能且小于或等于扩散活化能的约2.5倍。
附图说明
现在将参考附图通过实例的方式描述一些实施方式，其中：
图1是图解根据一个实施方式的成核抑制覆层的阴影掩模的示意图；
图2A、图2B和图2C是图解根据一个实施方式的成核抑制覆层的微接触转印过程的示意图；
图3是图解根据一个实施方式的在图案化的表面上沉积传导性覆层的示意图；
图4是图解根据过程的一个实施方式生产的装置的图；
图5A、图5B和5C是图解根据一个实施方式的选择性沉积传导性覆层的过程的图；
图5D、图5E和5F是图解根据另一个实施方式的选择性沉积传导性覆层的过程的图；
图6是图解根据一个实施方式的电致发光装置的图；
图7是显示根据一个实施方式的过程阶段的流程图；
图8A是图解根据一个实例的开放掩模的俯视图；
图8B是图解根据另一个实例的开放掩模的俯视图；
图8C是图解根据又另一个实例的开放掩模的俯视图；
图8D是图解根据又另一个实例的开放掩模的俯视图；
图9是根据一个实施方式的OLED装置的俯视图；
图10是图9的OLED装置的横截面图；
图11是根据另一实施方式的OLED的横截面图；
图12A是根据一个实施方式图解无源矩阵OLED装置的俯视图的示意图；
图12B是图12A的无源矩阵OLED装置的示意性横截面图；
图12C是封装后的图12B的无源矩阵OLED装置的示意性横截面图；
图12D是比较性无源矩阵OLED装置的示意性横截面图；
图13A、图13B、图13C和13D图解了根据各种实施方式的辅助电极的部分；
图14图解了根据一个实施方式在OLED装置上形成的辅助电极图案；
图15图解了根据一个实施方式具有像素布置的装置的部分；
图16是根据图15沿装置的线A-A截取的横截面图；
图17是根据图15沿装置的线B-B截取的横截面图；
图18是图解根据一个实施方式的传导性覆层和成核抑制覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图19是图解根据另一个实施方式的传导性覆层和成核抑制覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图20A是图解根据一个实施方式的传导性覆层、成核抑制覆层和成核促进覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图20B是图解根据另一个实施方式的传导性覆层、成核抑制覆层和成核促进覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图21是图解根据又另一个实施方式的传导性覆层和成核抑制覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图22A是图解根据又另一个实施方式的传导性覆层和成核抑制覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图22B是图解根据又另一个实施方式的传导性覆层和成核抑制覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图22C是图解根据又另一个实施方式的传导性覆层和成核抑制覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图22D是图解根据又另一个实施方式的传导性覆层和成核抑制覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图23A和图23B图解了根据一个实施方式的在沉积传导性覆层后去除成核抑制覆层的过程；
图24是图解根据一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面轮廓的图；
图25是图解根据另一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面轮廓的图；
图26是图解根据又另一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面轮廓的图；
图27是图解根据又另一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面轮廓的图；
图28A是图解根据一个实施方式的透明有源矩阵的图；
图28B是图解根据图28A的装置的横截面轮廓的图；
图29A是根据一个实施方式图解透明有源矩阵OLED装置的图；
图29B是图解根据图29A的一个实施方式的装置的横截面轮廓的图；
图29C是图解根据图29A的另一个实施方式的装置的横截面轮廓的图；
图30是根据一个实施方式图解制造装置的阶段的流程图；
图31A、图31B、图31C和31D是图解根据图30的实施方式的装置制造的各个阶段的示意图；
图32是图解根据又另一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面的示意图；
图33是图解根据又另一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面的示意图；
图34是图解根据又另一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面的示意图；
图35是图解根据又另一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面的示意图；
图36A、图36B、图36C、图36D、图36E、图36F、图36G和图36H是实施例3的样品的扫描电子显微镜(SEM)显微照片；
图37是图解膜核形成的示意图；
图38是图解附加原子的相对能态的示意图；
图39是图解在实例模拟模型下考虑的各种事件的示意图；
图40A是在其上已经沉积成核抑制覆层的样品区的SEM显微照片；
图40B是显示取自图40A的样品区的能谱的俄歇电子显微镜图；
图41A是在沉积镁覆层后样品区的SEM显微照片；
图41B是显示取自图41A的样品区的能谱的俄歇电子显微镜图；
图42A是设置在涂覆有成核抑制覆层的相邻区域之间的未处理区域中样品区的SEM显微照片；
图42B是显示取自图42A的样品区的能谱的俄歇电子显微镜图；
图43A是在沉积镁覆层后样品区的SEM显微照片；和
图43B是显示取自图43A的样品区的能谱的俄歇电子显微镜图。
具体实施方式
应当理解，为了图示的简单和清楚起见，在认为适当的情况下，可以在附图之间重复参考标号以指示相应或相似的组件。另外，阐述了许多具体细节以便提供对本文描述的示例实施方式的透彻理解。然而，本领域技术人员将理解，可以在没有那些具体细节中的一些的情况下实践本文描述的示例实施方式。在其他情况下，未详细描述某些方法、过程和零件，以免模糊本文所描述的示例实施方式。
在根据一些实施方式的一个方面，提供了用于在表面上沉积导电覆层的方法。在一些实施方式中，在光电子装置的制造方法的背景下进行该方法。在一些实施方式中，在另一种装置的制造方法的背景下进行该方法。在一些实施方式中，该方法包括在衬底的第一区域上沉积成核抑制覆层以产生图案化衬底。图案化衬底包括由成核抑制覆层覆盖的第一区域，和从成核抑制覆层暴露、或基本上不含成核抑制覆层或成核抑制覆层基本上未覆盖的衬底的第二区域。该方法还包括处理图案化衬底以在衬底的第二区域上沉积传导性覆层。在一些实施方式中，传导性覆层的材料包括镁。在一些实施方式中，处理图案化衬底包括处理成核抑制覆层和衬底的第二区域二者以在衬底的第二区域上沉积传导性覆层，而成核抑制覆层保持从传导性覆层暴露、或基本上不含传导性覆层或基本上未覆盖有传导性覆层。在一些实施方式中，处理图案化衬底包括进行用于形成传导性覆层的源材料(sourcematerial)的蒸发或升华，并且将成核抑制覆层和衬底的第二区域二者暴露于蒸发的来源材料。
如本文使用的，术语“成核抑制”被用于指的是如下材料覆层或材料层，其具有朝向导电材料的沉积展示相对低的亲和力的表面，以便抑制在表面上沉积传导性材料，而术语“成核促进”被用于指的是如下材料覆层或材料层，其具有朝向导电材料的沉积展示相对高的亲和力的表面，以便促进在表面上沉积传导性材料。表面的成核抑制或成核促进性质的一个量度是表面对于导电材料比如镁的初始粘着概率。例如，关于镁的成核抑制覆层可以指的是如下覆层，其具有对于镁蒸汽展示相对低的初始粘着概率的表面，以便抑制在表面上沉积镁，而关于镁的成核促进覆层可以指的是如下覆层，其具有对于镁蒸汽展示相对高的初始粘着概率的表面，以便促进在表面上沉积镁。如本文使用的，术语“粘着概率”和“粘着系数”可以可交换地使用。表面的成核抑制或成核促进性质的另一个量度是相对于传导性材料在另一个(参考)表面上的初始沉积速率，导电材料比如镁在表面上的初始沉积速率，其中两个表面经受或暴露于传导性材料的蒸发通量(flux)。
如本文使用的，术语“蒸发”和“升华”被可交换地用于通常指的是沉积过程，其中来源材料被转化为例如待以固态沉积至目标表面上的蒸汽(例如，通过加热)。
如本文使用的，“基本上不含”材料或材料“基本上未覆盖”的表面(或表面的某一区)指的是在表面(或表面的某一区)上实质缺少该材料。具体地关于导电覆层，由于导电材料比如包括镁在内的金属衰减和/或吸收光，在表面上导电材料的量的一个量度是透光率。因此，如果在电磁光谱的可见部分中透光率大于90％、大于92％、大于95％或大于98％，则表面可以被视为基本上不含导电材料。在表面上材料的量的另一个量度是材料对表面的覆盖百分数，比如其中如果材料的覆盖百分数不大于10％、不大于8％、不大于5％、不大于3％或不大于1％，则表面可以被视为基本上不含该材料。可以使用成像技术评估表面覆盖，比如使用透射电子显微术、原子力显微术或扫描电子显微术。
选择性沉积
图1是根据一个实施方式图解将成核抑制覆层140沉积至衬底100的表面102上的过程的示意图。在图1的实施方式中，在真空下加热包括来源材料的来源120以蒸发或升华来源材料。来源材料包括用于形成成核抑制覆层140的材料或基本上由其构成。蒸发的来源材料然后以由箭头122指示的方向朝向衬底100行进。具有孔或狭缝112的阴影掩模110被安置在蒸发的来源材料的路径中，以便行进通过孔112的部分通量被选择性地入射在衬底100的表面102的区域上，从而在其上形成成核抑制覆层140。
图2A-2C图解了在一个实施方式中用于在衬底的表面上沉积成核抑制覆层的微-接触转移印刷过程。类似于阴影掩模过程，微-接触印刷过程可以被用于在衬底表面的区域上选择性地沉积成核抑制覆层。
图2A图解了微-接触转移印刷过程的第一阶段，其中包括突出部212的压模210在突出部212的表面上提供成核抑制覆层240。如本领域技术人员将理解的，可以使用多种合适的过程在突出部212的表面上沉积成核抑制覆层240。
如图2B中图解的，然后使压模210靠近衬底100，以便在突出部212的表面上沉积的成核抑制覆层240与衬底100的表面102接触。在成核抑制覆层240接触表面102之后，成核抑制覆层240粘附至衬底100的表面102。
因此，当压模210如图2C中图解的移动远离衬底100时，成核抑制覆层240被有效地转移至衬底100的表面102上。
一旦成核抑制覆层已经被沉积在衬底的表面的区域上，传导性覆层可以被沉积在其中不存在成核抑制覆层的表面的其余未覆盖区域(一个或多个)上。转向图3，传导性覆层来源410被图解为朝向衬底100的表面102引导蒸发的传导性材料。如图3中图解的，导电覆层来源410可以引导蒸发的传导性材料，以便其入射在表面102的覆盖或处理区(即，具有成核抑制覆层140在其上沉积的表面102的区域(一个或多个))以及未覆盖和未处理区二者上。然而，由于成核抑制覆层140的表面展示与衬底100的未覆盖表面102相比相对低的初始粘着系数，传导性覆层440选择性地沉积至其中不存在成核抑制覆层140的表面102的区上。例如，蒸发的传导性材料在表面102的未覆盖区上的初始沉积速率可以是蒸发的传导性材料在成核抑制覆层140的表面上的初始沉积速率的至少或大于约80倍、至少或大于约100倍、至少或大于约200倍、至少或大于约500倍、至少或大于约700倍、至少或大于约1000倍、至少或大于约1500倍、至少或大于约1700倍、或至少或大于约2000倍。传导性覆层440可以包括，例如，纯的或基本上纯的镁。
将认识到虽然上面已经图解和描述了阴影掩模图案化和微-接触转移印刷过程，但是其它过程可以被用于通过沉积成核抑制材料选择性地图案化衬底。图案化表面的多种增材(additive)和减材(subtractive)过程可以被用于选择性地沉积成核抑制覆层。这样的过程的实例包括但不限于光刻法、印刷(包括喷墨或喷气印刷和卷到卷(reel-to-reel)印刷)、有机气相沉积(OVPD)、和激光诱导热成像(LITI)图案化、和其组合。
在一些应用中，可能期望将具有特定材料性质的传导性覆层沉积至衬底表面上，在该衬底表面上无法容易地沉积传导性覆层。例如，由于镁对一些有机表面的低粘着系数，纯的或基本上纯的镁通常无法容易地沉积至一些有机表面上。因此，在一些实施方式中，通过如下进一步处理衬底表面：在沉积传导性覆层比如包括镁的传导性覆层之前，在其上沉积成核促进覆层。
基于发现和实验观察，假定富勒烯和其它成核促进材料——如本文将进一步说明的——充当用于沉积包括镁的传导性覆层的成核位点。例如，在使用蒸发过程在富勒烯处理的表面上沉积镁的情况下，富勒烯分子充当促进形成稳定的镁沉积核的成核位点。在一些情况下，少于单层的富勒烯或其它成核促进材料可以被提供在处理的表面上以充当用于沉积镁的成核位点。如将理解的，通过沉积数个单层的成核促进材料来处理表面可以产生较高数目的成核位点，并且因而导致较高的初始粘着概率。
还将认识到在表面上沉积的富勒烯或其它材料的量可以多于、或少于一个单层。例如，可以通过沉积0.1个单层、1个单层、10个单层、或更多的成核促进材料或成核抑制材料来处理表面。如本文使用的，沉积1个单层的材料指的是使用单个层的材料的组成分子或原子覆盖表面的期望区的材料的量。类似地，如本文使用的，沉积0.1个单层的材料指的是使用单个层的材料的组成分子或原子覆盖10％的表面的期望区的材料的量。由于，例如，可能的分子或原子堆叠或成簇，沉积材料的实际厚度可以是非均匀的。例如，沉积1个单层的材料可能导致表面的一些区域是未覆盖有材料的，而表面的其它区域可能具有在其上沉积的多个原子或分子层。
如本文使用的，术语“富勒烯”指的是包括碳分子的材料。富勒烯分子的实例包括包含三维骨架——其包括多个碳原子——的碳笼分子，其形成封闭的壳层，并且其形状可以是球形的或半球形的。富勒烯分子可以被指定为Cn，其中n是对应于在富勒烯分子的碳骨架中包括的碳原子数的整数。富勒烯分子的实例包括Cn，其中n在50至250的范围中，比如C60、C70、C72、C74、C76、C78、C80、C82、和C84。富勒烯分子的另外的实例包括管或圆柱体形状的碳分子，比如单壁碳纳米管和多壁碳纳米管。
图4图解了装置的实施方式，其中在沉积传导性覆层440之前沉积成核促进覆层160。如图4中图解的，成核促进覆层160被沉积在衬底100的未被成核抑制覆层140覆盖的区域之上。因此，当沉积传导性覆层440时，传导性覆层440优先地在成核促进覆层160之上形成。例如，传导性覆层440的材料在成核促进覆层160的表面上的初始沉积速率可以是该材料在成核抑制覆层140的表面上的初始沉积速率的至少或大于约80倍、至少或大于约100倍、至少或大于约200倍、至少或大于约500倍、至少或大于约700倍、至少或大于约1000倍、至少或大于约1500倍、至少或大于约1700倍、或至少或大于约2000倍。一般而言，成核促进覆层160可以在沉积成核抑制覆层140之前或之后被沉积在衬底100上。用于在表面上选择性地沉积材料的多种过程可以被用于沉积成核促进覆层160，其包括但不限于蒸发(包括热蒸发和电子束蒸发)、光刻法、印刷(包括喷墨或喷气印刷、卷到卷印刷和微-接触转移印刷)、OVPD、LITI图案化和其组合。
图5A-5C图解了在一个实施方式中用于将传导性覆层沉积至衬底的表面上的过程。
在图5A中，通过在其上沉积成核抑制覆层140来处理衬底100的表面102。具体地，在图解的实施方式中，通过蒸发来源120内的来源材料，和朝向待在其上沉积的表面102引导蒸发的来源材料来实现沉积。朝向表面102引导蒸发的通量的大体方向由箭头122指示。如图解的，可以使用开放掩模或不使用掩模进行成核抑制覆层140的沉积，以便成核抑制覆层140基本上覆盖整个表面102以产生处理的表面142。可选地，成核抑制覆层140可以被选择性地沉积至表面102的区域上，例如，使用上面描述的选择性沉积技术。
虽然成核抑制覆层140被图解为通过蒸发被沉积，但是将认识到可以使用其它沉积和表面涂覆技术，包括但不限于旋转涂覆、浸渍涂覆、印刷、喷雾涂覆、OVPD、LITI图案化、物理气相沉积(PVD)(包括溅射)、化学气相沉积(CVD)和其组合。
在图5B中，阴影掩模110被用于在处理的表面142上选择性地沉积成核促进覆层160。如图解的，引导由来源120行进的蒸发的来源材料朝向衬底100通过掩模110。掩模110包括孔或狭缝112，以便阻止入射在掩模110上的部分蒸发的来源材料行进经过掩模110，并且引导通过掩模110的孔隙112的另一部分蒸发的来源材料选择性地沉积至处理的表面142上以形成成核促进覆层160。因此，在完成成核促进覆层160的沉积之后产生图案化表面144。
图5C图解了将传导性覆层440沉积至图案化表面144上的阶段。传导性覆层440可以包括，例如，纯的或基本上纯的镁。如下面将进一步说明的，传导性覆层440的材料展示关于成核抑制覆层140的相对低的初始粘着系数和关于成核促进覆层160的相对高的初始粘着系数。因此，可以使用开放掩模或不使用掩模进行沉积以选择性地沉积传导性覆层440至衬底100的存在成核促进覆层160的区域上。如图5C中图解的，可以很大程度上或基本上阻止入射在成核抑制覆层140的表面上的传导性覆层440的蒸发的材料沉积至成核抑制覆层140上。
图5D-5F图解了在另一个实施方式中用于将传导性覆层沉积至衬底的表面的过程。
在图5D中，成核促进覆层160被沉积在衬底100的表面102上。例如，可以通过使用开放掩模或不使用掩模的热蒸发沉积成核促进覆层160。可选地，可以使用其它沉积和表面涂覆技术，包括但不限于旋转涂覆、浸渍涂覆、印刷、喷雾涂覆、OVPD、LITI图案化、PVD(包括溅射)、CVD和其组合。
在图5E中，使用阴影掩模110将成核抑制覆层140选择性地沉积在成核促进覆层160的区域之上。因此，在完成成核抑制覆层140的沉积之后产生图案化表面。然后在图5F中，使用开放掩模或无掩模沉积过程将传导性覆层440沉积至图案化表面上，以便在成核促进覆层160的暴露区域之上形成传导性覆层440。
在前述实施方式中，将认识到由过程形成的传导性覆层440可以被用作电子装置的电极或传导性结构。例如，传导性覆层440可以是有机光电子装置比如OLED装置或有机光伏(OPV)装置的阳极或阴极。此外，传导性覆层440还可以被用作包括量子点作为有源层(active layer)材料的光电子装置的电极。例如，这样的装置可以包括在电极对之间安置的有源层，其中有源层包括量子点。装置可以是，例如，电致发光量子点显示装置，其中由于由电极提供的电流，由量子点有源层发射光。传导性覆层440还可以被用作任何前述装置的母线或辅助电极。
因此，将认识到在其上沉积多个覆层的衬底100可以包括在前述实施方式中未具体图解或描述的一个或多个另外的有机和/或无机层。例如，在OLED装置的情况下，衬底100可以包括一个或多个电极(例如，阳极和/或阴极)、电荷注入和/或传输层、和电致发光层。衬底100可以进一步包括一个或多个晶体管或其它电子组件比如电阻器和电容器，其被包括在有源矩阵或无源矩阵OLED装置中。例如，衬底100可以包括一个或多个顶栅(top-gate)薄膜晶体管(TFT)、一个或多个底栅(bottom-gate)TFT、和/或其它TFT结构。TFT可以是n-型TFT或p-型TFT。TFT结构的实例包括包含非晶硅(a-Si)、铟镓锌氧化物(IGZO)和低温多晶硅(LTPS)的那些。
衬底100还可以包括用于支撑上面认定的另外的有机和/或无机层的基座衬底。例如，基座衬底可以是柔性或刚性衬底。基座衬底可以包括，例如，硅、玻璃、金属、聚合物(例如聚酰亚胺)、蓝宝石、或适合用作基座衬底的其它材料。
衬底100的表面102可以是有机表面或无机表面。例如，如果传导性覆层440被用作OLED装置的阴极，则表面102可以由一个或多个半传导层的表面提供。例如，表面102可以是有机层的叠层的顶表面。例如，这类有机层可以包括有机半传导层(如，电子注入层的表面)。在另一个实例中，如果传导性覆层440被用作顶部-发射OLED装置的辅助电极，则表面102可以是电极(例如，共用阴极)的顶表面。可选地，可以在有机层的叠层的顶部上的透射电极的正下方形成这样的辅助电极。
图6图解了根据一个实施方式的电致发光(EL)装置600。EL装置600可以是，例如，OLED装置或电致发光量子点装置。在一个实施方式中，装置600是包括基座衬底616、阳极614、有机层630和阴极602的OLED装置。在图解的实施方式中，有机层630包括空穴注入层612、空穴传输层610、电致发光层608、电子传输层606和电子注入层604。
可以使用空穴注入材料——其通常促进由阳极614注入空穴——形成空穴注入层612。可以使用空穴传输材料——其是通常展示出高的空穴迁移率的材料——形成空穴传输层610。
可以例如通过掺杂主体材料(host material)与发射极材料来形成电致发光层608。例如，发射极材料可以是荧光发射极、磷光发射极或TADF发射极。多种发射极材料还可以被掺杂入主体材料以形成电致发光层608。
可以使用通常展示出高的电子迁移率的电子传输材料形成电子传输层606。可以使用电子注入材料——其通常作用以促进由阴极602注入电子——形成电子注入层604。
将理解可以通过省略或组合一层或多层来改变装置600的结构。具体地，可以从装置结构省略空穴注入层612、空穴传输层610、电子传输层606和电子注入层604中的一个或多个。一个或多个另外的层也可以存在于装置结构中。这样的另外的层包括，例如，空穴阻挡层、电子阻挡层、和另外的电荷传输和/或注入层。每层可以进一步包括任意数目的子层，并且每层和/或子层可以包括多种混合物和组合物梯度。还将领会装置600可以包括包含无机和/有机金属材料的一层或多层，并且不限于由有机材料单独组成的装置。例如，装置600可以包括量子点。
装置600可以被连接至电源620，以便给装置600供应电流。
在装置600是EL量子点装置的另一个实施方式中，EL层608通常包括量子点，其当供应电流时发射光。
图7是概述根据一个实施方式的装配OLED装置的阶段的流程图。在704中，有机层被沉积在目标表面上。例如，目标表面可以是阳极的表面，其已经被沉积在基座衬底的顶部上，所述基座衬底可以包括，例如，玻璃、聚合物和/或金属箔。如上面讨论的，有机层可以包括，例如，空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和电子注入层。然后，使用选择性沉积或图案化过程在阶段706中在有机层的顶部上沉积成核抑制覆层。在阶段708中，成核促进覆层被选择性地沉积在成核抑制覆层上以产生图案化表面。例如，可以通过使用掩模的蒸发、微-接触转移印刷过程、光刻法、印刷(包括喷墨或喷气印刷和卷到卷印刷)、OVPD或LITI图案化选择性地沉积成核促进覆层和成核抑制覆层。然后，在阶段710中使用开放掩模或无掩模沉积过程在图案化表面上沉积传导性覆层。传导性覆层可以充当OLED装置的阴极或另一种传导性结构。
在另一个实施方式中，阶段706中沉积成核抑制覆层可以使用开放掩模或不使用掩模进行。在又另一个实施方式中，可以在步骤706中沉积成核抑制覆层之前进行步骤708中沉积成核促进覆层。在又另一个实施方式中，在步骤706中选择性沉积成核抑制覆层之前，步骤708中沉积成核促进覆层可以通过使用开放掩模或不使用掩模进行。
为了简单和清楚起见，已从过程图中省略了包括厚度轮廓和边缘轮廓的沉积的材料的细节。
根据上述实施方式，可以通过使用成核抑制覆层或成核抑制覆层和成核促进覆层的组合，使用开放掩模或无掩模沉积过程选择性地将传导性覆层沉积在目标区域上。
还将认识到用于沉积任何多个层或覆层——包括传导性覆层、成核抑制覆层和成核促进覆层——的开放掩模可以“掩蔽”或阻止在衬底的某些区域上沉积材料。然而，与用于形成相对小的特征——其具有数十微米或更小数量级的特征大小——的精细金属掩模(FMM)不同，开放掩模的特征大小通常比得上正在制造的OLED装置的大小。例如，开放掩模可以在制造期间掩蔽显示装置的边缘，其将导致开放掩模具有近似对应于显示装置的大小的孔(如，对于微显示器约1英寸，对于手机显示器约4-6英寸，对于笔记本电脑或平板显示器约8-17英寸，等等)。例如，开放掩模的特征大小可以是约1cm或更大数量级。因此，在开放掩模中形成孔通常被定制大小以涵盖多个发射区域或像素，其一起形成显示装置。
图8A图解了具有或限定在其中形成的孔1734的开放掩模1731的实例。在图解的实例中，掩模1731的孔1734小于装置1721的大小，以便当叠加掩模1731时，掩模1731覆盖装置1721的边缘。具体地，在图解的实施方式中，装置1721的所有或基本上所有发射区域或像素1723通过孔1734被暴露，而在装置1721的外边缘1725和孔1734之间形成未暴露区域1727。如将认识到，电触点或其它装置组件可以位于未暴露区域1727中，以便这些组件通过开放掩模沉积过程依然不受影响。
图8B图解了开放掩模1731的另一个实例，其中掩模1731的孔1734小于图8A的孔，以便当叠加时掩模1731覆盖装置1721的至少一些发射区域或像素1723。具体地，最外侧的像素1723’被图解为位于在掩模1731的孔1734和装置1721的外边缘1725之间形成的装置1721的未暴露区域1727内。
图8C图解了开放掩模1731的又另一个实例，其中掩模1731的孔1734限定了图案，其覆盖一些像素1723’同时暴露装置1721的其它像素1723。具体地，位于装置1721的未暴露区域1727(在孔1734和外边缘1725之间形成)内的像素1723’在沉积过程期间被掩蔽以抑制蒸汽通量入射在未暴露区域1727上。
虽然最外侧的像素在图8A-8C的实例中已经被图解为被掩蔽，但是将认识到开放掩模的孔可以成形以掩蔽装置的其它发射和非发射区域。另外，虽然已经在前述实例中将开放掩模图解为具有一个孔，但是开放掩模也可以包括另外的孔，用于暴露衬底或装置的多个区域。
图8D图解了开放掩模1731的另一个实例，其中掩模1731具有或限定了多个孔1734a-1734d。孔1734a-1734d被定位，以便它们选择性地暴露装置1721的某些区域同时掩蔽其它区域。例如，某些发射区域或像素1723通过孔隙1734a-d被暴露，而位于未暴露区域1727内的其它像素1723’被掩蔽。
在本文描述的多个实施方式中，将理解可以根据需要省略使用开放掩模。具体地，可以可选地实施本文描述的开放掩模沉积过程而不使用掩模，以便暴露整个目标表面。
已经关于多个层或覆层描述了上面的实施方式中的至少一些，该多个层或覆层包括使用蒸发过程形成的成核促进覆层、成核抑制覆层和传导性覆层。如将理解的，蒸发过程是一种类型的PVD过程，其中一种或多种来源材料在低压(例如，真空)环境下被蒸发或升华并且通过一种或多种蒸发的来源材料的去升华被沉积在目标表面上。各种不同的蒸发源可以被用于加热来源材料，并且因此，将认识到可以以多种方式加热来源材料。例如，可以通过电丝(electric filament)、电子束、感应加热，或通过电阻加热来加热来源材料。此外，可以使用其它合适的过程沉积和/或图案化这样的层或覆层，所述过程包括光刻法、印刷、OVPD、LITI图案化和其组合。这些过程还可以与阴影掩模组合使用以实现多种图案。
例如，可以在高至约600℃的源温度下沉积镁以实现较快的沉积速率，比如约10至30nm/秒或更大。参考下面的表1，提供了使用克努森池(Knudsen cell)源测量的在约1nm的富勒烯处理的有机表面上沉积基本上纯的镁的多种沉积速率。将认识到其它因素也可以影响沉积速率，其包括但不限于源和衬底之间的距离、衬底的特性、衬底上成核促进覆层的存在，使用的来源的类型和由来源蒸发的材料的通量的成形。
表1：依据温度的镁沉积速率
样品# 温度(℃) 速率(埃/s)
1 510 10
2 525 40
3 575 140
4 600 160
本领域技术人员将认识到使用的具体加工条件可以取决于用于实施沉积的设备而变化。还将认识到通常在较高的源温度下取得较高的沉积速率；然而，可以选择其它沉积条件，比如，例如，通过靠近沉积源放置衬底。
虽然已经出于沉积成核促进材料、成核抑制材料和镁的目的参考蒸发描述了某些过程，但是将认识到多种其它过程可以被用于沉积这些材料。例如，可以使用其它PVD过程(包括溅射)、CVD过程(包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD))、或其它用于沉积这样的材料的合适的过程来实施沉积。在一些实施方式中，通过使用电阻加热器加热镁来源材料进行镁沉积。在其它实施方式中，镁来源材料可以被装载在加热坩埚、加热舟皿、克努森池(如，渗出蒸发器源)、或任何其它类型的蒸发源中。
用于沉积传导性覆层的沉积来源材料可以是混合物或化合物，并且在一些实施方式中，混合物的至少一种组分或化合物在沉积期间不被沉积在衬底上(或以与例如与镁相比相对小的量被沉积)。在一些实施方式中，来源材料可以是铜-镁(Cu-Mg)混合物或Cu-Mg化合物。在一些实施方式中，镁沉积来源的来源材料包括镁和与镁相比具有更低蒸汽压的材料，比如，例如，Cu。在其它实施方式中，镁沉积来源的来源材料是基本上纯的镁。具体地，基本上纯的镁可以展示与纯镁(99.99％和更高纯度的镁)相比基本上类似的性质(例如，成核抑制和促进覆层上的初始粘着概率)。例如，基本上纯的镁在成核抑制覆层上的初始粘着概率可以在99.99％纯度的镁在成核抑制覆层上的初始粘着概率的±10％内或±5％内。镁的纯度可以是约95％或更高、约98％或更高、约99％或更高、或约99.9％或更高。用于沉积传导性覆层的沉积来源材料可以包括代替镁或与镁组合的其它金属。例如，来源材料可以包括高蒸汽压材料，比如镱(Yb)、镉(Cd)、锌(Zn)或其任意组合。
另外，将认识到可以在用作有机光电子装置的电子注入层、电子传输层、电致发光层和/或像素定义(definition)层(PDL)的其它多种有机或无机材料的表面上进行多种实施方式的过程。这样的材料的实例包括有机分子以及有机聚合物比如在PCT公开号WO2012/016074中描述的那些。本领域技术人员还将理解掺杂多种元素和/或无机化合物的有机材料仍被认为是有机材料。本领域技术人员将进一步认识到可以使用多种有机材料，并且本文描述的过程通常适用于整个范围的这样的有机材料。
还将认识到无机衬底或表面可以指的是主要包括无机材料的衬底或表面。为了更清楚，无机材料将通常被理解为不认为是有机材料的任何材料。无机材料的实例包括金属、玻璃和矿物质。具体地，可以使用根据本公开内容的过程将包括镁的传导性覆层沉积在氟化锂(LiF)、玻璃和硅(Si)的表面上。在其上可以应用根据本公开内容的过程的其它表面包括基于硅或硅氧烷的聚合物、无机半导体材料、电子注入材料、盐、金属和金属氧化物的那些。
将认识到衬底可以包括半导体材料，并且因此，这样的衬底的表面可以是半导体表面。半导体材料可以被描述为通常展示带隙的材料。例如，可以在最高占有分子轨道(HOMO)和最低未占有分子轨道(LUMO)之间形成这样的带隙。半导体材料因而通常具备比传导性材料(例如，金属)小但比绝缘材料(例如，玻璃)大的导电性。将理解半导体材料可以是有机半导体材料或无机半导体材料。
选择性沉积电极
图9和图10图解了根据一个实施方式的OLED装置1500。具体地，图9图解了OLED器件1500的俯视图，图10示出了OLED器件1500的结构的横截面图。在图9中，阴极1550图解为具有或限定了在其中形成的多个孔或小孔1560的单个单片或连续结构，其对应于器件1500的未沉积阴极材料的区域。这在图10中进一步图解，其显示了OLED装置1500，其包括基座衬底1510、阳极1520、有机层1530、成核促进覆层1540、选择性沉积在成核促进覆层1540的某些区域上的成核抑制覆层1570，和沉积在其中不存在成核抑制覆层1570的成核促进覆层1540的其他区域上的阴极1550。更具体地，通过在装置1500的制造期间选择性地沉积成核抑制覆层1570以覆盖成核促进覆层1540的表面的某些区域，使用开放掩模或无掩模沉积工艺1540将阴极材料选择性地沉积在成核促进覆层的表面的暴露区域上。可以通过改变所赋予图案的各种参数，例如阴极1550中形成的小孔1560的平均尺寸和小孔1560的密度，来调节或修改OLED装置1500的透明度或透射率。因此，OLED装置1500可以是基本上透明的OLED装置，其允许入射在OLED装置上的外部光的至少一部分透射通过其。例如，OLED装置1500可以是基本上透明的OLED照明板。这种OLED照明板可以例如被配置为在一个方向(如，朝向或远离基座衬底1510)上或在两个方向(如，朝向和远离基座衬底1510)上发射光。
图11图解了根据另一实施方式的OLED装置1600，其中阴极1650基本上覆盖了整个装置区。具体地，OLED装置1600包括基座衬底1610、阳极1620、有机层1630、促进促进覆层1640、阴极1650、选择性沉积在阴极1650的某些区域上的成核抑制覆层1660和沉积在其中不存在成核抑制覆层1660的阴极1650的其他区域上的辅助电极1670。
辅助电极1670电连接至阴极1650。特别在顶部-发射配置中，期望的是沉积相对薄层的阴极1650以减少由于存在阴极1650而造成的光学干涉(例如，衰减、反射、漫射等)。然而，减小厚度的阴极1650通常增加阴极1650的片电阻，因而降低OLED装置1600的性能和效率。通过提供电连接至阴极1650的辅助电极1670，可以降低片电阻并且因而降低与阴极1650相关联的IR下降。另外，通过选择性地沉积辅助电极1670以覆盖装置区的某些区域，同时其它区域保持未覆盖，由于存在辅助电极1670造成的光学干涉可以被控制和/或减少。
虽然已经关于顶部-发射OLED装置说明了辅助电极的优点，但是还有利的是在底部-发射或双面发射OLED装置的阴极之上选择性地沉积辅助电极。例如，虽然阴极可以在底部-发射OLED装置中被形成为相对厚层而基本上不影响装置的光学特性，但是仍可能有利的是形成相对薄的阴极。例如，在透明的或半透明的显示装置中，包括阴极的整个装置的层可以被形成为基本上透明的或半透明的。因此，提供通过肉眼从典型的视距不能容易检测到的图案化辅助电极可以是有利的。还将认识到描述的过程可以被用于形成母线或辅助电极，用于减小除OLED装置以外的装置的电极电阻。
图12A显示了根据一个实施方式的图案化阴极1712，其中阴极1712包括多个分隔开的和细长的传导性条带。例如，阴极1712可以被用于无源矩阵OLED装置(PMOLED)1715。在PMOLED装置1715中，通常在反-电极重叠的区域处形成发射区域或像素。因此，在图12A的实施方式中，在阴极1712和阳极1741——其包括多个分隔开的和细长的传导性条带——的重叠区域处形成发射区域或像素1751。在阴极1712和阳极1741的不重叠的区域处形成非发射区域1755。通常地，如图解的，阴极1712的条带和阳极1741的条带在PMOLED装置1715中基本上彼此垂直取向。阴极1712和阳极1741可以被连接至电源和用于供应电流至各自的电极的相关联的驱动电路。
图12B图解了沿着图12A中的线A-A截取的横截面视图。在图12B中，提供了基座衬底1702，其可以是，例如，透明的衬底。阳极1741以如图12A中图解的条带的形式被提供在基座衬底1702之上。一个或多个有机层1761被沉积在阳极1741之上。例如，有机层1761可以被提供为跨越整个装置的共用层，并且可以包括任意数目的本文描述的有机和/或无机材料层，比如空穴注入和传输层、电致发光层、以及电子传输和注入层。有机层1761的顶表面的某些区域被图解为由成核抑制覆层1771覆盖，其被用于依据上面描述的沉积过程选择性地图案化阴极1712。阴极1712和阳极1741可以被连接至它们各自的驱动电路(未显示)，其控制光从像素1751的发射。
虽然成核抑制覆层1771和阴极1712的厚度可以取决于期望的应用和性能而变化，但是至少在一些实施方式中，成核抑制覆层1771的厚度可以比得上阴极1712的厚度，或大幅小于阴极1712的厚度，如图12B中图解的。使用相对薄的成核抑制覆层实现阴极的图案化对于柔性PMOLED装置可以是特别有利的，这是由于它可以提供在其上可以施加屏障覆层的相对平的表面。
图12C图解了具有在阴极1712和成核抑制覆层1771之上施加的屏障覆层1775的图12B的PMOLED装置1715。如将认识到，通常提供屏障覆层1775以抑制多种装置层——包括可能易受氧化的有机层和阴极1712——免于暴露于水分和环境空气。例如，屏障覆层1775可以是由印刷、CVD、溅射、原子层沉积(ALD)、任意前述的组合，或通过任何其它合适的方法形成的薄膜封装。还可以通过使用粘合剂(未显示)将预成型的屏障膜层压至装置1715上来提供屏障覆层1775。例如，屏障覆层1775可以是包括有机材料、无机材料或二者的组合的多层覆层。屏障覆层1775可以进一步包括吸气材料和/或干燥剂。
出于比较目的，在图12D中图解了比较性PMOLED装置1719的实例。在图12D的比较性实例中，多个像素定义结构1783被提供在装置1719的非发射区域中，以便当使用开放掩模或无掩模沉积过程沉积传导性材料时，传导性材料被沉积在位于相邻的像素定义结构1783之间的两个发射区域上以形成阴极1712，以及被沉积在像素定义结构1783的顶部上以形成传导性条带1718。然而，为了确保阴极1712的每个区段与传导性条带1718电隔离，像素定义结构1783的厚度或高度被形成为大于阴极1712的厚度。像素定义结构1783还可以具有凹割轮廓(undercut profile)以进一步降低阴极1712与传导性条带1718电接触的可能性。屏障覆层1775被提供以覆盖包括阴极1712、像素定义结构1783和传导性条带1718的PMOLED装置1719。
在图12D中图解的比较性PMOLED装置1719中，在其上施加屏障覆层1775的表面由于存在像素定义结构1783而是不均匀的。这使得难以施加屏障覆层1775，并且甚至在施加屏障覆层1775之后，屏障覆层1775与下方表面的粘附可能是相对差的。差的粘附增加屏障覆层1775由装置1719剥落的可能性，特别是当装置1719是弯曲的或曲折的时。另外地，由于不均匀的表面，在施加程序期间存在在屏障覆层1775和下方表面之间封闭气泡的相对高的概率。气泡的存在和/或屏障覆层1775的剥落可能引起或有助于缺陷和部分或总体装置故障，并且因而是高度非期望的。这些因素在图12C的实施方式中被缓解或减少。
虽然图12A中显示的图案化阴极1712可以被用于形成OLED装置的阴极，但是应认识到类似的图案化或选择性沉积技术可以被用于形成OLED装置的辅助电极。具体地，这样的OLED装置可以提供有共用阴极和辅助电极，其安置在共用阴极顶部或下方以便辅助电极与共用阴极电通信。例如，可以在包括多个发射区域的OLED装置(例如，有源矩阵OLED装置)中实施这样的辅助电极，以便在非发射区域之上和不在发射区域之上形成辅助电极。在另一个实例中，可以提供辅助电极以覆盖OLED装置的非发射区域以及至少一些发射区域。
选择性沉积辅助电极
图13A描绘了包括多个发射区域1810a-1810f和非发射区域1820的部分OLED装置1800。例如，OLED装置1800可以是有源矩阵OLED装置(AMOLED)，并且发射区域1810a-1810f中的每个可以对应于这样的装置的像素或子像素。为了简略起见，图13B-13D描绘了部分OLED装置1800。具体地，图13B-13D显示了环绕第一发射区域1810a和第二发射区域1810b——其是两个相邻的发射区域——的区域。虽然没有明确地图解，但是可以提供基本上覆盖装置1800的发射区域和非发射区域二者的共用阴极。
在图13B中，显示了根据一个实施方式的辅助电极1830，其中辅助电极1830被安置在两个相邻的发射区域1810a和1810b之间。辅助电极1830被电连接至共用阴极(未显示)。具体地，辅助电极1830被图解为具有宽度(α)，其小于相邻的发射区域1810a和1810b之间的间隔距离(d)，因而在辅助电极1830的每侧上产生非发射间隙区域。例如，这样的排布在装置1800中可以是期望的，其中相邻的发射区域1810a和1810b之间的间隔距离足以容纳足够宽度的辅助电极1830，这是由于辅助电极1830干扰装置1800的光输出的可能性可以通过提供非发射间隙区域被降低。另外，这样的排布在辅助电极1830相对厚(例如，大于数百纳米或在几微米厚的数量级)的情况下可以是特别有益的。例如，辅助电极1830的高度或厚度相对于其宽度的比率(即，纵横比)可以大于约0.05，比如约0.1或更大、约0.2或更大、约0.5或更大、约0.8或更大、约1或更大、或约2或更大。例如，辅助电极1830的高度或厚度可以大于约50nm、比如约80nm或更大、约100nm或更大、约200nm或更大、约500nm或更大、约700nm或更大、约1000nm或更大、约1500nm或更大、约1700nm或更大、或约2000nm或更大。
在图13C中，显示了根据另一个实施方式的辅助电极1832。辅助电极1832被电连接至共用阴极(未显示)。如图解的，辅助电极1832具有与两个相邻的发射区域1810a和1810b之间的间隔距离基本上相同的宽度，以便辅助电极1832基本上完全占据在相邻的发射区域1810a和1810b之间提供的整个非发射区域。这样的排布可以是期望的，例如，在两个相邻的发射区域1810a和1810b之间的间隔距离相对小的情况下，比如在高像素密度显示装置中。
在图13D中，图解了根据又另一个实施方式的辅助电极1834。辅助电极1834被电连接至共用阴极(未显示)。辅助电极1834被图解为具有宽度(α)，其大于两个相邻的发射区域1810a和1810b之间的间隔距离(d)。因此，部分辅助电极1834重叠部分第一发射区域1810a和部分第二发射区域1810b。这样的排布可以是期望的，例如，在相邻的发射区域1810a和1810b之间的非发射区域不足以完全容纳期望宽度的辅助电极1834的情况下。虽然辅助电极1834在图13D中被图解为以与第二发射区域1810b基本上相同的程度与第一发射区域1810a重叠，但是可以在其它实施方式中调节辅助电极1834与邻近的发射区域的重叠程度。例如，在其它实施方式中，辅助电极1834可以以与第二发射区域1810b相比更大程度与第一发射区域1810a重叠并且反之亦然。另外，辅助电极1834和发射区域之间的重叠的概况还可以变化。例如，可以成形辅助电极1834的重叠部分，以便辅助电极1834与部分发射区域重叠，该重叠程度比其与相同发射区域的另一部分重叠更大，以产生不均匀的重叠区域。
图14图解了辅助电极2530在OLED装置2500之上形成为网格的实施方式。如图解的，辅助电极2530被提供在装置2500的非发射区域2520之上，以便它基本上不覆盖发射区域2510的任何部分。
虽然已经在图14的实施方式中将辅助电极图解为被形成为连接的和连续的结构，但是将认识到在一些实施方式中，辅助电极可以以离散的辅助电极单元的形式提供，其中离散的辅助电极单元彼此未物理连接。然而，即使在这样的情况中，辅助电极单元可以是经由共用电极彼此处于电通信。例如，提供离散的辅助电极单元——其经由共用电极彼此间接连接——仍可以大幅降低片电阻并且因而增加OLED装置的效率而基本上不干扰装置的光学特性。
辅助电极可以以多种像素或子像素排布被用于显示装置。例如，辅助电极可以被提供在使用菱形像素排布的显示装置上。图15-17中图解了这样的像素排布的实例。
图15是具有根据一个实施方式的菱形像素排布的OLED装置2900的示意性图示。OLED装置2900包括多个像素定义层(PDL)2930和在相邻的PDL 2930之间安置的发射区域2912(子像素)。发射区域2912包括对应于第一子像素2912a——其可以例如对应于绿色子像素——的那些、对应于第二子像素2912b——其可以例如对应于蓝色子像素——的那些、和对应于第三子像素2912c——其可以例如对应于红色子像素——的那些。
图16是沿着图15中显示的线A-A截取的OLED装置2900的示意性图示。如图16中更清楚图解的，装置2900包括衬底2903和在基座衬底2903的表面上形成的多个阳极单元2921。衬底2903可以进一步包括多个晶体管和基座衬底，其为了简略起见已经从图省略。有机层2915被提供在相邻的PDL 2930之间的区域中的每个阳极单元2921的顶部上，并且共用阴极2942被提供在有机层2915和PDL 2930之上以形成第一子像素2912a。有机层2915可以包括多个有机和/或无机层。例如，这样的层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电致发光层、电子注入层和/或电子传输层。成核抑制覆层2945被提供在共用阴极2942对应于第一子像素2912a的区域之上以允许辅助电极2951在共用阴极2942对应于PDL 2930的基本上平的区域的未覆盖区域之上的选择性沉积。成核抑制覆层2945还可以充当折射率-匹配覆层。薄膜封装层2961可以被任选地提供以封装装置2900。
图17显示了沿着图15中指示的线B-B截取的OLED装置2900的示意性图示。装置2900包括在衬底2903的表面上形成的多个阳极单元2921，和在相邻的PDL 2930之间的区域中的每个阳极单元2921的顶部上提供的有机层2916或2917。共用阴极2942被提供在有机层2916和2917以及PDL 2930之上以分别形成第二子像素2912b和第三子像素2912c。成核抑制覆层2945被提供在共用阴极2942对应于子像素2912b和2912c的区域之上以允许辅助电极2951在共用阴极2942对应于PDL 2930的基本上平的区域的未覆盖区域之上的选择性沉积。成核抑制覆层2945还可以充当折射率-匹配覆层。薄膜封装层2961可以被任选地提供以封装装置2900。
在根据一些实施方式的另一方面，提供了装置。在一些实施方式中，装置是光电子装置。在一些实施方式中，装置是另一种电子装置或其它产品。在一些实施方式中，装置包括衬底、成核抑制覆层和传导性覆层。成核抑制覆层覆盖衬底的第一区域。传导性覆层覆盖衬底的第二区域，并且部分地重叠成核抑制覆层，以便成核抑制覆层的至少一部分从传导性覆层暴露，或基本上不含传导性覆层或基本上不被传导性覆层覆盖。在一些实施方式中，传导性覆层包括第一部分和第二部分，传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，并且传导性覆层的第二部分重叠部分成核抑制覆层。在一些实施方式中，传导性覆层的第二部分与成核抑制覆层通过间隙分隔开。在一些实施方式中，成核抑制覆层包括有机材料。在一些实施方式中，传导性覆层的第一部分和传导性覆层的第二部分彼此整体或连续形成，以提供单个单片结构。
在根据一些实施方式的另一方面，提供了装置。在一些实施方式中，装置是光电子装置。在一些实施方式中，装置是另一种电子装置或其它产品。在一些实施方式中，装置包括衬底和传导性覆层。衬底包括第一区域和第二区域。传导性覆层覆盖衬底的第二区域，并且部分地重叠衬底的第一区域，以便衬底的第一区域的至少一部分从传导性覆层暴露，或基本上不含传导性覆层或基本上不被传导性覆层覆盖。在一些实施方式中，传导性覆层包括第一部分和第二部分，传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，并且传导性覆层的第二部分重叠部分衬底的第一区域。在一些实施方式中，传导性覆层的第二部分与衬底的第一区域通过间隙分隔开。在一些实施方式中，传导性覆层的第一部分和传导性覆层的第二部分彼此整体地形成。
图18图解了根据一个实施方式的部分装置。装置包括具有表面3417的衬底3410。成核抑制覆层3420覆盖衬底3410的表面3417的第一区域3415，并且传导性覆层3430覆盖衬底3410的表面3417的第二区域3412。如图18中图解的，第一区域3415和第二区域3412是衬底3410的表面3417的不同的和非重叠的区域。传导性覆层3430包括第一部分3432和第二部分3434。如图中图解的，传导性覆层3430的第一部分3432覆盖衬底3410的第二区域3412，并且传导性覆层3430的第二部分3434部分地重叠部分成核抑制覆层3420。具体地，第二部分3434被图解为以垂直(或法向)于下方衬底表面3417的方向重叠部分成核抑制覆层3420。
特别在形成成核抑制覆层3420以便其表面3422针对用于形成传导性覆层3430的材料展示相对低的亲和力或初始粘着概率的情况下，在传导性覆层3430的重叠的第二部分3434和成核抑制覆层3420的表面3422之间形成间隙3441。因此，传导性覆层3430的第二部分3434不与成核抑制覆层3420直接物理接触，而是通过间隙3441沿着如由箭头3490指示的垂直于衬底3410的表面3417的方向与成核抑制覆层3420分隔开。然而，传导性覆层3430的第一部分3432可以在衬底3410的第一区域3415和第二区域3412之间的界面或边界处与成核抑制覆层3420直接物理接触。
在一些实施方式中，传导性覆层3430的重叠的第二部分3434可以在成核抑制覆层3420之上侧向地延伸比得上传导性覆层3430的厚度的程度。例如，参考图18，第二部分3434的宽度w2(或沿着平行于衬底3410的表面3417的方向的尺寸)可以比得上传导性覆层3430的第一部分3432的厚度t1(或沿着垂直于衬底3410的表面3417的方向的尺寸)。例如，w2:t1的比率可以在约1:1至约1:3、约1:1至约1:1.5、或约1:1至约1:2的范围中。虽然厚度t1将通常是跨越传导性覆层3430相对均匀的，但是第二部分3434与成核抑制覆层3420的重叠程度(即，w2)可以跨越表面3417的不同部分以一些程度变化。
在图19中图解的另一个实施方式中，传导性覆层3430进一步包括在第二部分3434和成核抑制覆层3420之间安置的第三部分3436。如图解的，传导性覆层3430的第二部分3434在传导性覆层3430的第三部分3436之上侧向地延伸并且与传导性覆层3430的第三部分3436分隔开，并且第三部分3436可以与成核抑制覆层3420的表面3422直接物理接触。第三部分3436的厚度t3可以小于和在一些情况下大幅小于传导性覆层3430的第一部分3432的厚度t1。另外，至少在一些实施方式中，第三部分3436的宽度w3可以大于第二部分3434的宽度w2。因此，第三部分3436可以侧向地延伸而以比第二部分3434更大的程度与成核抑制覆层3420重叠。例如，w3:t1的比率可以在约1:2至约3:1或约1:1.2至约2.5:1的范围中。虽然厚度t1将通常是跨越传导性覆层3430相对均匀的，但是第三部分3436与成核抑制覆层3420的重叠程度(即，w3)可以跨越表面3417的不同部分以一些程度变化。第三部分3436的厚度t3可以不大于或小于第一部分3432的厚度t1的约5％。例如，t3可以不大于或小于t1的约4％、不大于或小于t1的约3％、不大于或小于t1的约2％、不大于或小于t1的约1％、或不大于或小于t1的约0.5％。替代或除形成为如图19中显示的薄膜的第三部分3436之外，传导性覆层3430的材料可以在部分成核抑制覆层3420上形成为岛或断连的簇。例如，这样的岛或断连的簇可以包括彼此物理分隔的特征，以便岛或簇不形成为连续层。
在图20A中图解的又另一个实施方式中，成核促进覆层3451被安置在衬底3410和传导性覆层3430之间。具体地，成核促进覆层3451被安置在导电覆层3430的第一部分3432和衬底3410的第二区域3412之间。成核促进覆层3451被图解为安置在衬底3410的第二区域3412上，而不在沉积成核抑制覆层3420的第一区域3415上。可以形成成核促进覆层3451，以便在成核促进覆层3451和传导性覆层3430之间的界面或边界处，成核促进覆层3451的表面对于传导性覆层3430的材料展示相对高的亲和力或初始粘着概率。因此，成核促进覆层3451的存在可以促进传导性覆层3430在沉积期间的形成和生长。图20A的导电覆层3430(包括第一部分3432和第二部分3434的尺寸)和其它覆层的多种特征可以类似于上面针对图18-19描述的那些并且出于简洁不再重复.
在图20B中图解的又另一个实施方式中，成核促进覆层3451被安置在衬底3410的第一区域3415和第二区域3412二者之间，并且成核抑制覆层3420覆盖安置在第一区域3415上的部分成核促进覆层3451。成核促进覆层3451的另一部分从成核抑制覆层3420暴露，或基本上不含成核抑制覆层3420或基本上不被成核抑制覆层3420覆盖，并且传导性覆层3430覆盖成核促进覆层3451的暴露部分。图20B的导电覆层3430和其它覆层的多种特征可以类似于上面针对图18-19描述的那些并且出于简洁不再重复。
图21图解了又另一个实施方式，其中传导性覆层3430部分地覆盖成核抑制覆层3420在衬底3410的第三区域3419中的部分。具体地，除第一部分3432和第二部分3434之外，传导性覆层3430进一步包括第三部分3480。如图中图解的，传导性覆层3430的第三部分3480被安置在传导性覆层3430的第一部分3432和第二部分3434之间，并且第三部分3480可以与成核抑制覆层3420的表面3422直接物理接触。就这一点而言，可以由于传导性覆层3430在开放掩模或无掩模沉积过程期间的侧向生长而形成第三区域3419中的重叠。更具体地，虽然成核抑制覆层3420的表面3422可以对于传导性覆层3430的材料展示相对低的初始粘着概率并且因而材料在表面3422上成核的概率低，但是随着传导性覆层3430的厚度增长，覆层3430还可以侧向地生长并且可以覆盖部分成核抑制覆层3420，如图21中图解的。
虽然在图20A-21的实施方式的上面的描述中已经省略了关于装置和传导性覆层3430的某些特征的细节，但是将领会关于图18和图19描述的包括传导性覆层3430的间隙3441、第二部分3434和第三部分3436的多种特征的描述将类似地适用于这样的实施方式。
图22A图解了又一个实施方式，其中衬底3410的第一区域3415涂覆有成核抑制覆层3420，并且邻近第一区域3415的第二区域3412涂覆有传导性覆层3430。
已经观察到，至少在某些情况下，在已经部分涂覆有成核抑制覆层3420的衬底表面上进行传导性覆层3430的开放掩模或无掩模沉积可导致形成在传导性覆层3430和成核抑制覆层3420之间的界面处或附近表现锥形横截面轮廓的传导性覆层3430中。
图22A图解了一个实施方式，其中，由于传导性覆层3430的锥形轮廓，在传导性覆层3430和成核抑制覆层3420之间的界面处、附近或邻近处，减小了传导性覆层3430的厚度。具体而言，在界面处或界面附近的传导性覆层3430的厚度小于传导性覆层3430的平均厚度。而传导性覆层3430的锥形轮廓被图解为弯曲的或拱形(如，具有凸形)，在其他实施方式中，轮廓可以是基本上线性的或非线性的(例如，具有凹形)。例如，传导性覆层3430的厚度可以在接近界面的区域中以基本上线性、指数、二次的或其他方式减小。
在薄膜形成过程的成核阶段，气相中的分子凝聚在衬底的表面上以形成核。不希望受特定理论的束缚，假定这些原子核的形状和大小以及这些原子核随后生长为岛然后薄膜的过程，取决于许多因素，比如蒸气、衬底和凝聚的膜核之间的界面张力。进一步假定，在衬底的暴露表面与成核抑制覆层之间的界面处或附近的薄膜成核和生长期间，膜的边缘和衬底之间将观察到较大的接触角，这是由于通过成核抑制覆层“去湿”薄膜的固体表面。通过最小化衬底、薄膜、蒸气和成核抑制覆层之间的表面能驱动这种去湿性能。因此，假定成核抑制覆层的存在和成核抑制覆层的性质对核形成和传导性覆层边缘的生长方式具有显著影响。
已经观察到，在传导性覆层3430和成核抑制覆层3420之间的界面处或附近，传导性覆层3430的接触角可以取决于成核抑制覆层3420的性质——比如相对亲和力或初始粘着概率——而改变。进一步假定，核的接触角可以决定通过沉积形成的传导性覆层3430的薄膜接触角。例如，参考图22A，可以通过测量在传导性覆层3430和成核抑制覆层3420之间的界面处或附近的传导性覆层3430的边缘的切线斜率来确定接触角θc。在其他实例中，当传导性覆层3430的横截面锥形轮廓是基本上线性的，可以通过测量界面处或附近的传导性覆层3430的斜率来确定接触角。应当认识到，通常相对于衬底3410的下方表面的角度来测量接触角。为简单起见，本文中提供的实施方式已经图解为显示了沉积在平坦表面上的覆层，但是应当认识到覆层可以沉积在非平坦表面上。
参考图22A，传导性覆层3430的接触角被显示为约90度或更小。在一些实施方式中，传导性覆层3430的接触角可大于约90度。现在参考图22B，图解了实施方式，其中传导性覆层3430包括延伸超过成核抑制覆层3420和传导性覆层3430之间的界面的部分，并且通过间隙3441与成核抑制覆层3420间隔开。在这样的实施方式中，例如，接触角θc可以大于约90度。
在至少一些应用中，形成表现相对大的接触角的传导性覆层3430可能是特别有利的。例如，接触角可以至少或大于约10度、至少或大于约15度、至少或大于约20度、至少或大于约25度、至少或大于约30度、至少或大于约35度、至少或大于约40度、至少或大于约50度、至少或大于约60度、至少或大于约70度、至少或大于约75度、或至少或大于约80度。例如，具有相对大的接触角的传导性覆层3430对于在保持相对高的纵横比的同时产生精细图案化的特征可能是特别有利的。在一些应用中，形成表现大于约90度的接触角的传导性覆层3430可能是有利的。例如，接触角可以大于约90度、至少或大于约95度、至少或大于约100度、至少或大于约105度、至少或大于约110度、至少或大于约120度、至少或大于约130度、至少或大于约135度、至少或大于约140度、至少或大于约145度、至少或大于约150度、或至少或大于约160度。
如上所描述，假定至少部分地基于邻近其上形成传导性覆层的区域安置的成核抑制覆层的性质(如，初始粘着概率)来确定传导性覆层的接触角。因此，允许选择性沉积表现较大接触角的成核抑制覆层材料在某些应用中可能特别有用。
不希望受特定理论的束缚，假定成核和生长期间存在的各种界面张力之间的关系是根据以下等式决定，该等式在毛细理论中也称为杨氏等式：
γsv＝γfs+γvfcosθ
其中γsv对应于衬底和蒸汽之间的界面张力，γvf对应于蒸汽和膜之间的界面张力，以及θ是膜核接触角。图37图解了上面杨氏方程中表示的各种参数之间的关系。
在杨氏方程的基础上，可以推导出岛生长、膜核接触角θ大于零并因此γsv＜γfs+γvf。
对于其中沉积的膜“润湿”衬底的层生长，核接触角θ＝0，并因此γsv＝γfs+γvf。
对于Stranski-Krastanov(S-K)生长，其中相对于蒸汽和膜之间的界面张力，膜过生长的应变能/单位面积大，γsv＞γfs+γvf。
假定成核抑制覆层和暴露的衬底表面之间的界面处的传导性覆层的成核和生长模式遵循岛生长模型，其中θ>0。特别是在成核抑制覆层朝向用于形成传导性覆层的材料表现较低的亲和力或较低初始粘着概率(如，去湿)的情况下，这种低的亲和力导致传导性覆层的相对大的薄膜接触角。相反，当在不使用成核抑制覆层的情况下，选择性地在表面上沉积传导性覆层时，例如通过使用阴影掩模，传导性覆层的成核和生长模式可能不同。尤其是，已经观察到，至少在某些情况下，使用阴影掩模图案化过程形成的传导性覆层表现出小于约10度的相对较小的薄膜接触角。
将认识到虽然没有明确地图解，但是用于形成成核抑制覆层3420的材料也可以以一些程度在传导性覆层3430和下方表面(例如，成核促进层3451或衬底3410的表面)之间的界面处存在。可以由于屏蔽效应而沉积这样的材料，其中沉积的图案不同于掩模的图案并且可以导致一些蒸发的材料被沉积在目标表面的掩蔽部分上。例如，这样的材料可以形成为岛或断连的簇，或形成为厚度大幅小于成核抑制覆层3420的平均厚度的薄膜。
图22C和22D图解了又其他的实施方式，其中，传导性覆层3430部分地重叠第三区域3419中成核抑制覆层3420的一部分，该第三区域3419安置在第一区域3415和第二区域3412之间。如附图所图解，与成核抑制覆层3420的一部分部分重叠的传导性覆层3430的部分可以与成核抑制覆层3420的表面3422直接物理接触。考虑到，在开放掩模或无掩模沉积过程期间，由于传导性覆层3430的横向生长，可以形成第三区域3419中的重叠。更具体地，虽然随着传导性覆层3430厚度生长，成核抑制覆层3420的表面3422对于传导性覆层3430的材料可以表现出相对低的亲和力或初始粘着概率，并因此在表面3422上材料成核的概率低，但是覆层3430也可以横向生长并且覆盖成核抑制覆层3420的一部分。
在图22C和22D的情况下，可以在传导性覆层3430和成核抑制覆层3430之间的界面附近的传导性覆层3430的边缘处测量传导性覆层3430的接触角θc，如附图所图解。特别地参考图22D，接触角θc可以大于约90度，这导致部分传导性覆层3430与成核抑制覆层3420由间隙3441间隔开。
在一些实施方式中，可以在沉积传导性覆层3430之后去除成核抑制覆层3420，以便在图18-22D的实施方式中由成核抑制覆层3420覆盖的下方表面的至少一部分变为暴露的。例如，可以通过蚀刻或溶解成核抑制覆层3420，或使用等离子体或溶剂处理技术选择性地去除成核抑制覆层3420，而基本上不影响或侵蚀传导性覆层3430。
图23A图解了根据一个实施方式的装置5901，其包括衬底5910以及在衬底5910的表面的各自区域之上沉积的成核抑制覆层5920和传导性覆层5915(例如，镁覆层)。
图23B图解了已经由衬底5910的表面去除在装置5901中存在的成核抑制覆层5920之后的装置5902，以便传导性覆层5915保留在衬底5910上并且衬底5910的由成核抑制覆层5920覆盖的区域现在是暴露的或未覆盖的。例如，可以通过使衬底5910暴露于溶剂或等离子体——其优先地反应和/或蚀刻掉成核抑制覆层5920而基本上不影响传导性覆层5915——来去除装置5901的成核抑制覆层5920。
一些实施方式的装置可以是电子装置，并且更具体地，光电子装置。光电子装置通常涵盖将电信号转换为光子或反之亦然的任何装置。因此，有机光电子装置可以涵盖装置的一个或多个有源层主要由有机材料并且更具体地有机半导体材料形成的任何光电子装置。有机光电子装置的实例包括但不限于OLED装置和OPV装置。
还将认识到可以在多种类型的基座衬底上形成有机光电子装置。例如，基座衬底可以是柔性或刚性衬底。基座衬底可以包括，例如，硅、玻璃、金属、聚合物(例如，聚酰亚胺)、蓝宝石或适合用作基座衬底的其它材料。
还将认识到可以使用各种技术沉积装置的多种组件，包括气相沉积、旋转-涂覆、线条涂覆(line coating)、印刷和多种其它沉积技术。
在一些实施方式中，有机光电子装置是OLED装置，其中有机半导体层包括电致发光层。在一些实施方式中，有机半导体层可以包括另外的层，比如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和/或空穴注入层。例如，OLED装置可以是AMOLED装置、PMOLED装置或OLED照明板或模块。另外，光电子装置可以是电子装置的部件。例如，光电子装置可以是计算装置比如智能手机、平板、笔记本电脑，或其它电子装置比如监控器或电视机的OLED显示模块。
图24-26图解了AMOLED显示装置的多种实施方式。为了简略起见，已经省略了上面关于图18-22D描述的在传导性覆层和成核抑制覆层之间的界面处或附近的传导性覆层的多种细节和特性。然而，将领会关于图18-22D描述的特征也可以适用于图的实施方式图24-26。
图24是图解根据一个实施方式的AMOLED装置3802的结构的示意图。
装置3802包括基座衬底3810，和沉积在基座衬底3810的表面之上的缓冲层3812。然后，在缓冲层3812之上形成TFT 3804。具体地，在部分缓冲层3812上形成半导体有源区3814，并且沉积栅极绝缘层3816以基本上覆盖半导体有源区3814。接着，在栅极绝缘层3816的顶部上形成栅极3818，并且沉积夹层绝缘层3820。形成源极3824和漏极3822，以便它们延伸通过穿过夹层绝缘层3820和栅极绝缘层3816形成的开口与半导体有源层3814接触。然后，在TFT 3804之上形成绝缘层3842。然后，在部分绝缘层3842之上形成第一电极3844。如图24中图解的，第一电极3844延伸通过绝缘层3842的开口，以便其与漏极3822电通信。然后，形成PDL 3846以覆盖第一电极3844的至少一部分，包括其外边缘。例如，PDL 3846可以包括绝缘有机或无机材料。有机层3848然后被沉积在第一电极3844之上，具体在相邻的PDL3846之间的区域中。沉积第二电极3850以基本上覆盖有机层3848和PDL 3846二者。然后，使用成核促进覆层3852基本上覆盖第二电极3850的表面。例如，可以使用开放掩模或无掩模沉积技术沉积成核促进覆层3852。成核抑制覆层3854被选择性地沉积在部分成核促进覆层3852之上。例如，可以使用阴影掩模选择性地沉积成核抑制覆层3854。因此，使用开放掩模或无掩模沉积过程将辅助电极3856选择性地沉积在成核促进覆层3852的暴露表面之上。为了进一步的特异性，通过使用开放掩模或利用掩模实施辅助电极3856(例如，包括镁)的热沉积，辅助电极3856被选择性地沉积在成核促进覆层3852的暴露表面之上，同时使成核抑制覆层3854的表面基本上不含辅助电极3856的材料。
图25图解了根据另一个实施方式的AMOLED装置3902的结构，其中已经省略了成核促进覆层。例如，在沉积辅助电极的表面对于辅助电极的材料具有相对高的初始粘着概率的情况下，可以省略成核促进覆层。换句话说，对于具有相对高的初始粘着概率的表面，可以省略成核促进覆层，并且仍可以在其上沉积传导性覆层。为了简略起见，在描述下列实施方式中省略包括涉及TFT的那些的背板的某些细节。
在图25中，有机层3948被沉积在第一电极3944和第二电极3950之间。有机层3948可以与部分PDL 3946部分地重叠。成核抑制覆层3954被沉积在部分第二电极3950(例如，对应于发射区域)之上，从而提供对于用于形成辅助电极3956的材料具有相对低的初始粘着概率(例如，相对低的解吸能量)的表面。因此，辅助电极3956被选择性地沉积在从成核抑制覆层3954暴露的部分第二电极3950之上。如将理解的，辅助电极3956与下方第二电极3950电通信，以便于降低第二电极3950的片电阻。例如，第二电极3950和辅助电极3956可以包括基本上相同的材料以确保对于辅助电极3956的材料的高的初始粘着概率。具体地，第二电极3950可以包括基本上纯的镁(Mg)或镁和另一种金属比如银(Ag)的合金。对于Mg:Ag合金，合金组成可以在按体积计约1:9至约9:1的范围内。辅助电极3956可以包括基本上纯的镁。
图26图解了根据又另一个实施方式的AMOLED装置4002的结构。在图解的实施方式中，有机层4048被沉积在第一电极4044和第二电极4050之间，以便它与部分PDL 4046部分地重叠。沉积成核抑制覆层4054，以便于基本上覆盖第二电极4050的表面，并且成核促进覆层4052被选择性地沉积在部分成核抑制覆层4054上。然后，在成核促进覆层4052之上形成辅助电极4056。任选地，可以沉积覆层4058以覆盖成核抑制覆层4054和辅助电极4056的暴露表面。
虽然辅助电极3856或4056在图24和26的实施方式中被图解为不与第二电极3850或4050直接物理接触，但是将理解辅助电极3856或4056和第二电极3850或4050可以电通信。例如，辅助电极3856或4056和第二电极3850或4050之间的成核促进材料或成核抑制材料的相对薄的膜(例如，高至约100nm)的存在可以仍足够地允许电流经其穿过，因而允许降低第二电极3850或4050的片电阻。
图27图解了根据又另一个实施方式的AMOLED装置4102的结构，其中在由PDL 4146产生的倾斜表面上形成成核抑制覆层4154和辅助电极4156之间的界面。装置4102包括沉积在第一电极4144和第二电极4150之间的有机层4148，并且成核抑制覆层4154被沉积在对应于装置4102的发射区域的部分第二电极4150之上。辅助电极4156被沉积在从成核抑制覆层4154暴露的部分第二电极4150之上。
虽然未显示，但是图27的AMOLED装置4102可以进一步包括安置在辅助电极4156和第二电极4150之间的成核促进覆层。成核促进覆层还可以被安置在成核抑制覆层4154和第二电极4150之间，特别在使用开放掩模或无掩模沉积过程沉积成核促进覆层的情况下。
图28A图解了根据又另一个实施方式的部分AMOLED装置4300，其中AMOLED装置4300包括多个光透射区域。如图解的，AMOLED装置4300包括多个像素4321和安置在相邻的像素4321之间的辅助电极4361。每个像素4321包括子像素区域4331——其进一步包括多个子像素4333、4335、4337，和光透射区域4351。例如，子像素4333可以对应于红色子像素，子像素4335可以对应于绿色子像素，并且子像素4337可以对应于蓝色子像素。如将说明的，光透射区域4351是基本上透明的以允许光穿过装置4300。
图28B图解了沿着图28A中指示的线A-A截取的装置4300的横截面视图。简言之，装置4300包括基座衬底4310、TFT 4308、绝缘层4342、和在绝缘层4342上形成并且与TFT 4308电通信的阳极4344。第一PDL 4346a和第二PDL 4346b在绝缘层4342之上形成并且覆盖阳极4344的边缘。沉积一个或多个有机层4348以覆盖阳极4344的暴露区域和部分PDL 4346a、4346b。然后，在一个或多个有机层4348之上沉积阴极4350。接着，沉积成核抑制覆层4354以覆盖对应于光透射区域4351和子像素区域4331的部分装置4300。整个装置表面然后被暴露于镁蒸汽通量，因而引起镁在阴极4350的未涂覆区域之上的选择性沉积。以此方式，形成与下方阴极4350电接触的辅助电极4361。
在装置4300中，光透射区域4351基本上不含可能大幅影响光通过其传播的任何材料。具体而言，TFT 4308、阳极4344和辅助电极4361均在子像素区域4331内定位，以便这些组件不衰减或阻碍光通过光透射区域4351传播。这样的排布允许当像素被关闭(off)或非发射时，从典型的视距查看装置4300的查看者看穿装置4300，因而产生透明的AMOLED显示器。
虽然未显示，但是图28B的AMOLED装置4300可以进一步包括安置在辅助电极4361和阴极4350之间的成核促进覆层。成核促进覆层还可以被安置在成核抑制覆层4354和阴极4350之间。
在其它实施方式中，如果多个层或覆层是基本上透明的，则这样的层或覆层——包括有机层4348和阴极4350——可以覆盖部分光透射区域4351。可选地，PDL 4346a、4346b可以根据需要不被提供在光透射区域4351中。
将认识到还可以使用不同于图28A和28B中图解的排布的像素和子像素排布，并且辅助电极4361可以被提供在像素的其它区域中。例如，根据需要，辅助电极4361可以被提供在子像素区域4331和光透射区域4351之间的区域中，和/或被提供在相邻的子像素之间。
图29A图解了根据又另一个实施方式的AMOLED装置4300’的部分，其中AMOLED装置4300’包括多个光透射区域。如所图解，AMOLED装置4300’包括多个像素4321’。每个像素4321’包括子像素区域4331’，其进一步包括多个子像素4333’、4335’、4337’和光透射区域4351’。例如，子像素4333’可以对应于红色子像素，子像素4335’可以对应于绿色子像素，和子像素4337’可以对应于蓝色子像素。如将说明，光透射区域4351’是基本上透明的，以允许光穿过装置4300’。
图29B图解了根据一个实施方式沿着线B-B截取的装置4300’的横截面视图。装置4300’包括基座衬底4310’、TFT 4308’、绝缘层4342’、和在绝缘层4342’上形成并且与TFT4308’电通信的阳极4344’。第一PDL 4346a’和第二PDL 4346b’在绝缘层4342’之上形成并且覆盖阳极4344’的边缘。沉积一个或多个有机层4348’以覆盖阳极4344’的暴露区域和部分PDL 4346a’、4346b’。然后，在一个或多个有机层4348’之上沉积第一传导性覆层4350’。在图解的实施方式中，沉积第一传导性覆层4350’以覆盖子像素区域4331’和光透射区域4351’。在这列实施方式中，第一传导性覆层4350’可以是基本上透明的或光透射的。例如，第一传导性覆层4350’的厚度可以相对地薄，以便第一传导性覆层4350’的存在基本上不衰减通过光透射区4351’的光的传播。第一传导性覆层4350’可以，例如，使用开放掩模或无掩模沉积过程进行沉积。接下来，沉积成核抑制覆层4362’，以覆盖装置4300’的对应光透射区4351’的部分。整个装置然后被暴露至材料的蒸汽通量，用于形成第二传导性覆层4352’，因此在第一传导性覆层4350’的未涂覆区域上引起第二传导性覆层4352’的选择性沉积。具体地，将传导性覆层4352’沉积在装置4300’的对应子像素4331’区域的部分上。以此方式，通过组合第一传导性覆层4350’和第二传导性覆层4352’形成装置4300’的阴极。
在一些实施方式中，第一传导性覆层4350’的厚度小于第二传导性覆层4352’的厚度。以此方式，可以在光透射区域4351’中保持相对高的光透射率。例如，第一传导性覆层4350’的厚度可以是至多或小于约30nm、至多或小于约25nm、至多或小于约20nm、至多或小于约15nm、至多或小于约10nm、至多或小于约8nm或至多或小于约5nm，和第二传导性覆层4352’的厚度可以是至多或小于约30nm、至多或小于约25nm、至多或小于约20nm、至多或小于约15nm、至多或小于约10nm或至多或小于约8nm。在其他实施方式中，第一传导性覆层4350’的厚度大于第二传导性覆层4352’的厚度。在又另一个实施方式中，第一传导性覆层4350’的厚度和第二传导性覆层4352’的厚度可以基本上相同。
可用于形成第一传导性覆层4350’和第二传导性覆层4352’的材料(一种或多种)可以与用于形成上面描述的实施方式中的传导性覆层基本上相同。由于上面已经关于其他实施方式描述了这样的材料，为简洁起见，省略了对这些材料的描述。
在装置4300’中，光透射区域4351’基本上不含可能大幅影响光通过其传播的任何材料。具体而言，TFT 4308’、阳极4344’和传导性覆层4352’均在子像素区域4331内定位，以便这些组件不衰减或阻碍光通过光透射区域4351’传播。这样的排布允许当像素被关闭(off)或非发射时，从典型的视距查看装置4300’的查看者看穿装置4300，因而产生透明的AMOLED显示器。
图29C图解了根据另一个实施方式的装置4300”的横截面，其中第一传导性覆层4350”被选择性安置在子像素区域4331’中，并且光透射区域4351’基本上不含用于形成第一传导性覆层4350”的材料，或从其暴露。例如，在装置4300”的制造期间，在沉积第一传导性覆层4350”之前，可以将成核抑制覆层4362’沉积在光透射区域4351’中。以此方式，可以使用开放掩模或无掩模沉积过程将第一传导性覆层4350”选择性沉积在子像素区域4331’中。如上所说明，用于形成第一传导性覆层4350”的材料对沉积至成核抑制覆层4362’的表面上一般表现相对差的亲和力(如，低初始粘着概率)。例如，第一传导性覆层4350”可以包括高蒸气压材料，诸如Yb、Zn、Cd和Mg。在一些实施方式中，第一传导性覆层4350”可以包括纯的或基本上纯的镁。通过提供不含或基本上不含第一传导性覆层4350”的光透射区域4351’，在一些情况中，例如与图29B的装置4300’比较，可以有利地提高该区域的光透射率。
虽然未显示，但是图29B的AMOLED装置4300’和图29C的AMOLED装置4300”可以每个进一步包括设置在第一传导性覆层4350’或4350”和下方表面(如，有机层4348’)之间的成核促进覆层。这样的成核促进覆层也可以设置在成核抑制覆层4362’和下放表面(如，PDL4346a’-b’)之间。
在一些实施方式中，成核抑制覆层4362’可以与有机层4348’中的至少一个同时形成。例如，用于形成成核抑制覆层4362’的材料也可以用于形成有机层4348’中的至少一个。以此方式，可以减少制造装置4300’或4300”的阶段数。
在一些实施方式中，还可以在子像素4333’、4335’和4337’上提供另外的传导性覆层(包括第二传导性覆层4352’和第三传导性覆层)。另外，在一些实施方式中，也可在在装置4300’、4300”的非发射区域中提供辅助电极。例如，可以在相邻像素4321’之间的区域中提供这种辅助电极，以便其基本上不影响子像素区域4331’或光透射区域4351’中的光透射率。如果需要，辅助电极也可以提供在子像素区域4331’和光透射区域4351’之间的区域中，和/或提供在相邻的子像素之间。例如，参考图29B的实施方式，可以在第二传导性覆层4352’的对应于子像素4333’区域的部分上沉积另外的成核抑制覆层，而使对应于非发射区域的部分未被覆盖或暴露。以此方式，可以进行导电材料的开放掩模或无掩模沉积，以导致在装置4300’的非发射区域上形成辅助电极。
在一些实施方式中，如果各种层或覆层(包括有机层4348’)是基本上透明的，则这些层或覆层可以覆盖光透射区域4351’的一部分。可选地，如果需要，可以从光透射区域4351’中省略PDL 4346a’、4346b’。
将认识到，还可以使用除图29A、图29B和图29C中图解的排布以外的像素和子像素排布。
在前述实施方式中，除抑制传导性材料(例如，镁)在其上的成核和沉积之外，成核抑制覆层还可以起作用来增强来自装置的光输出耦合(out-coupling of light)。具体地，成核抑制覆层可以充当折射率-匹配覆层和/或抗反射覆层。
可以提供屏障覆层(未显示)以封装在描绘AMOLED显示装置的前述实施方式中图解的装置。如将领会的，这样的屏障覆层可以抑制多种装置层——包括可能易受氧化的有机层和阴极——免于暴露于水分和环境空气。例如，屏障覆层可以是由印刷、CVD、溅射、ALD、任意前述的组合，或通过任何其它合适的方法形成的薄膜封装。还可以通过使用粘合剂将预成型的屏障膜层压至装置上来提供屏障覆层。例如，屏障覆层可以是包括有机材料、无机材料或二者的组合的多层覆层。屏障覆层在一些实施方式中可以进一步包括吸气(getter)材料和/或干燥剂。
AMOLED显示装置的共用电极的片电阻规格可以根据显示装置的大小(例如，面板大小)和电压变化的容差变化。一般而言，片电阻规格随着较大的面板大小和跨越面板的较低的电压变化的容差而增加(例如，规定了较低的片电阻)。
针对多种板大小计算根据实施方式的片电阻规格和符合该规格的辅助电极的相关联的厚度。针对0.1V和0.2V的电压容差计算片电阻和辅助电极厚度。出于计算的目的，针对所有显示板大小假设0.64的孔径比。
下面的表2中概述了实例板大小下的辅助电极的规定厚度。
表2-多种面板大小的辅助电极的规定厚度
如将理解的，可以使用各种合适的材料和过程装配多种层和部分背板，其包括TFT(例如，图24中显示的TFT 3804)。例如，可以使用有机或无机材料装配TFT，其可以使用技术比如CVD、PECVD、激光退火和PVD(包括溅射)进行沉积和/或处理。如将理解的，这样的层可以使用光刻法进行图案化，其使用光掩模以使覆盖下方装置层的感光耐蚀膜的选择性部分暴露于UV光。取决于使用的感光耐蚀膜的类型，可以然后洗去光掩模的暴露或未暴露部分以揭示下方装置层的期望部分(一个或多个)。然后可以化学地或物理地蚀刻图案化表面，以有效地去除装置层的暴露部分。
另外，虽然已经在上面的某些实施方式中图解和描述了顶栅TFT，将领会还可以使用其它TFT结构。例如，TFT可以是底栅TFT。TFT可以是n-型TFT或p-型TFT。TFT结构的实例包括利用a-Si、IGZO和(LTPS的那些TFT结构。
可以使用任何合适的沉积过程——包括热蒸发和/或印刷——沉积多种层和部分前板，其包括电极、一个或多个有机层、PDL和覆层。将认识到，例如，当沉积这样的材料时可以根据需要使用阴影掩模以产生期望的图案，并且多种蚀刻和选择性沉积过程也可以被用于图案化多个层。这样的方法的实例包括但不限于光刻法、印刷(包括喷墨或喷气印刷和卷到卷印刷)、OVPD和LITI图案化。
在发射区域上选择性沉积传导性覆层
在一个方面，提供了一种用于在一个或多个发射区域上选择性沉积传导性覆层的方法。在一些实施方式中，该方法包括在衬底上沉积第一传导性覆层。衬底可以包括第一发射区域和第二发射区域。沉积在衬底上的第一传导性覆层可以包括涂覆衬底的第一发射区域的第一部分和涂覆衬底的第二发射区域的第二部分。该方法可以进一步包括在第一传导性覆层的第一部分上沉积第一成核抑制覆层，和然后在第一传导性覆层的第二部分上沉积第二传导性覆层。
图30是概述根据一个实施方式的制造装置的阶段的流程图。图31A-31D是图解该过程中每个阶段的装置的示意图。
如图31A所示，提供了衬底3102。衬底3102包括第一发射区域3112和第二发射区域3114。衬底3102可以进一步包括一个或多个非发射区域3121a-3121c。例如，第一发射区域3112和第二发射区域3114可以对应于电致发光装置的像素区域或子像素区域。
在阶段12中，在衬底上沉积第一传导性覆层3131。如图31B所示，沉积第一传导性覆层3131以覆盖第一发射区域3112、第二发射区域3114和非发射区域3121a-3121c。第一传导性覆层3131包括与涂覆第一发射区域3112的部分相对应的第一部分3132和与涂覆第二发射区域3114的部分相对应的第二部分3133。例如，可以通过蒸发(包括热蒸发和电子束蒸发)沉积第一传导性覆层3131。在一些实施方式中，可以使用开放掩模或不使用掩模(如，无掩模)来沉积第一传导性覆层3131。可以使用其他方法来沉积第一传导性覆层3131，其他方法包括但不限于溅射、化学气相沉积、印刷(包括喷墨或喷气印刷、卷到卷印刷、以及微接触转移印刷)、OVPD、LITI图案化及其组合。
在阶段14中，在第一传导性覆层3131的部分上选择性沉积第一成核抑制覆层3141。在图31C所示的实施方式中，沉积第一成核抑制覆层3141以涂覆第一传导性覆层3131的第一部分3132，其对应于第一发射区域3112。在这样的实施方式中，在第二发射区域3114上沉积的第一传导性覆层3131的第二部分3133基本上没有第一成核抑制覆层3141，或从其暴露。在一些实施方式中，第一成核抑制覆层3141也可以任选地沉积涂覆一个或多个非发射区域上的第一传导性覆层3131的部分(一个或多个)。例如，第一成核抑制覆层3141还可以任选地涂覆与第一发射区域3112相邻的一个或多个非发射区域——比如非发射区域3121a和/或3121b——上沉积的第一传导性覆层3131的部分(一个或多个)。用于在表面上选择性地沉积材料的各种过程可用于沉积第一成核抑制覆层3141，各种过程包括但不限于蒸发(包括热蒸发和电子束蒸发)、光刻法、印刷(包括喷墨或喷气印刷、卷到卷印刷、以及微接触转移印刷)印刷、OVPD、LITI图案及其组合。
一旦第一成核抑制覆层3141已经沉积在第一传导性覆层3131的表面区域上，第二传导性覆层3151可以沉积在表面的其中不存在成核抑制覆层3141的剩余未覆盖区域(一个或多个)上。转到图31D，在阶段16中，传导性覆层来源3105被图解为引导蒸发的传导性材料朝向第一传导性覆层3131和第一成核抑制覆盖层3141的表面。如图31D所图解，传导性覆层来源3105可以引导蒸发的传导性材料，以便其入射到覆盖或处理的区(即，第一传导性覆层3131的其上沉积有成核抑制覆层3141的区域(一个或多个))上，和第一传导性覆层3131的未覆盖或未处理区。然而，由于第一成核抑制覆层3141的表面表现与第一传导性覆层3131的未覆盖表面相比相对低的初始粘着系数，因此第二传导性覆层3151选择性沉积在第一传导性覆层表面的不存在第一成核抑制覆层3141的区。因此，第二传导性覆层3151可以涂覆第一传导性覆层3131的第二部分3133，其对应于第一传导性覆层3131的涂覆第二发射区域3114的部分。如图31D所图解，第二传导性覆层3151也可以涂覆第一传导性覆层3131的其他部分或区域，包括涂覆非发射区域3121a、3121b和3121c的部分。第二传导性覆层3151可以包括例如纯的或基本上纯的镁。例如，第二传导性覆层3151可以使用与用于形成第一传导性覆层3131的材料相同的材料形成。第二传导性覆层3151可以使用开放掩模或不使用掩模(如，无掩模沉积过程)进行沉积。
在一些实施方式中，方法可以进一步包括阶段16之后的另外的阶段。这样的另外的阶段可以包括，例如，沉积一个或多个另外的成核抑制覆层、沉积一个或多个另外的传导性覆层、沉积辅助电极、沉积输出耦合覆层、和/或封装装置。
将认识到，虽然方法已经关于具有第一和第二发射区域的装置在上面进行图解和描述，但是其可类似地适用于具有三个或更多个发射区域的装置。例如，这样的方法可以用于根据发射区域中每个的发射光谱沉积不同厚度的传导性覆层。
第一传导性覆层3131和第二传导性覆层3151在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中可以是光透射的或基本上透明的。为了进一步清楚起见，第一传导性覆层3131和第二传导性覆层3151在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中每个可以是光透射的或基本上透明的。因此，当将第二传导性覆层3151(和任何另外的传导性覆层)设置在第一传导性覆层3131的顶部以形成多覆层电极时，这类电极在电磁光谱的可见波长部分中也可以是光透射的或基本上透明的。例如，第一传导性覆层3131、第二传导性覆层3151和/或多覆层电极的光透射率在电磁光谱的可见部分中可以为至少或大于约30％、至少或大于约40％、至少或大于约45％、至少或大于约50％、至少或大于约60％、至少或大于70％、至少或大于约75％或至少或大于约80％。
在一些实施方式中，可以使第一传导性覆层3131和第二传导性覆层3151的厚度相对薄以保持相对高的光透射率。例如，第一传导性覆层3131的厚度可以为约5nm至约30nm、约8nm至约25nm或约10nm至约20nm。例如，第二传导性覆层3151的厚度可以是约1nm至约25nm、约1nm至约20nm、约1nm至约15nm、约1nm至约10nm或约3nm至约6nm。因此，由第一传导性覆层3131、第二传导性覆层3151和任何另外的传导性覆层的组合形成的多覆层电极的厚度可以为例如约6nm至约35nm、约10nm至约30nm、约10nm至约25nm或约12nm至约18nm。
在一些实施方式中，第一发射区域3112和第二发射区域3114可以对应于OLED显示装置的子像素区域。因此，将认识到，在其上沉积了各种覆层的衬底3102可以包括一个或多个在前述实施方式中未具体图解或描述的另外的有机和/或无机层。例如，OLED显示装置可以是AMOLED显示装置。在这样的实施方式中，衬底3102可以包括电极和在每个发射区域(如，子像素)中沉积在电极上的至少一个有机层，以便第一传导性覆层3131可以沉积在该至少一个有机层上。例如，电极可以是阳极，并且第一传导性覆层3131本身或与第二传导性覆层3151和任何另外的传导性覆层组合可以形成阴极。至少一个有机层可以包括发射极层。至少一个有机层可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和/或任何另外的层。衬底3102可以进一步包括多个TFT。装置中提供的每个阳极可以电连接到至少一个TFT。例如，衬底3102可以包括一个或多个顶栅TFT、一个或多个底栅TFT和/或其他TFT结构。TFT可以是n型TFT或p型TFT。TFT结构的实例包括那些包括a-Si、IGZO和LTPS的结构。
衬底3102还可以包括用于支撑上面标识的另外的有机和/或无机层的基座衬底。例如，基座衬底可以是柔性或刚性衬底。基座衬底可以包括例如硅、玻璃、金属、聚合物(如，聚酰亚胺)、蓝宝石或其他适合用作基座衬底的材料。
第一发射区域3112和第二发射区域3114可以是配置为发射彼此不同波长或发射光谱的光的子像素。第一发射区域3112可以配置为发射具有第一波长或第一发射光谱的光，和第二发射区域3114可以配置为发射具有第二波长或第二发射光谱的光。第一波长可以小于或大于第二波长。装置可以包括任何数目的另外的发射区域、像素或子像素。例如，该装置可以包括另外的发射区域，其配置为发射具有第三波长或第三发射光谱的光，该第三波长或第三发射光谱与第一发射区域3112或第二发射区域3114的波长或发射光谱不同。装置还可包括另外的发射区域，其配置为发射具有与第一发射区域3112、第二发射区域3114或其他另外的发射区域基本上相同的波长或发射光谱的光。
在一些实施方式中，可以使用与用于沉积第一发射区域3112的至少一个有机层相同的阴影掩模来选择性沉积第一成核抑制覆层3141。以此方式，由于不需要沉积成核抑制覆层3141所需的另外的掩模，可以针对光每个子像素以成本效益的方式调谐光学微腔效应。
图32是图解AMOLED装置1300的部分的示意性横截面图。为了简单起见，为了简略起见，在描述下列实施方式中，省略了包括涉及TFT 1308a、1308b、1308c的那些的背板的某些细节。
在图32的实施方式中，装置1300包括第一发射区域1331a、第二发射区域1331b和第三发射区域1331c。例如，发射区域可以对应于装置1300的子像素。在装置1300中，分别在第一发射区域1331a、第二发射区域1331b和第三发射区域1331c中的每一个中形成第一电极1344a、1344b、1344c。如图32所图解，第一电极1344a、1344b、1344c中每个延伸通过绝缘层1342的开口，使得其与各自的TFT 1308a、1308b、1308c电连通。然后形成PDL 1346a-d以覆盖第一电极1344a-c的至少一部分，包括每个电极的外边缘。例如，PDL 1346a-d可以包括绝缘的有机或无机材料。然后将有机层1348a、1348b、1348c沉积在各自的第一电极1344a、1344b、1344c上，特别是在相邻的PDL 1346a-d之间的区域中。沉积第一传导性覆层1371以基本上覆盖有机层1348a-d和PDL 1346a-d两者。例如，第一传导性覆层1371可以形成共用阴极或其一部分。第一成核抑制覆层1361选择性沉积在第一传导性覆层1371沉积在第一发射区域1331a上的部分上。例如，可以使用精细金属掩模或阴影掩模选择性沉积第一成核抑制覆层1361。因此，使用开放掩模或无掩模沉积过程在第一传导性覆层1371的暴露的表面上选择性沉积第二传导性覆层1372。为了进一步特异性，通过使用开放掩模或不使用掩模进行第二传导性覆层1372(如，包括镁)的热沉积，在第一传导性覆层1371的暴露的表面上选择性沉积第二传导性覆层1372，同时使第一成核抑制覆层1361的表面基本上不含第一传导性覆层1372的材料。可以沉积第二传导性覆层1372可以被沉积以涂覆第一传导性覆层1371的设置在第二发射区域1331b和第三发射区域1331c上的部分。
在图32图解的装置1300中，第一传导性覆层1371和第二传导性覆层1372可以共同形成共用阴极1375。具体地，共用阴极1375可以通过组合第一传导性覆层1371和第二传导性覆层1372的组合形成，其中第二传导性覆层1372直接设置在第一传导性覆层1371的至少一部分上。共用阴极1375在第一发射区域1331a中具有第一厚度tc1，并且在第二发射区域1335b和第三发射区域1335c中具有第二厚度tc2。第一厚度tc1可以对应于第一传导性覆层1371的厚度，第二厚度tc2可以对应于第一传导性覆层1371和第二传导性覆层1372的组合厚度。因此，第二厚度tc2大于第一厚度tc1。
图33图解了装置1300的另一实施方式，其中，共用阴极1375进一步包括第三传导性覆层1373。具体地，在图33的实施方式中，装置1300包括第二成核抑制覆层1362，其设置在第二传导性覆层1372的提供在第二发射区域1331b上的部分上。然后将第三传导性覆层1373沉积在第二传导性覆层1372的暴露的或未处理的表面(一个或多个)上，包括第二传导性覆层1372的设置在第三发射区域1331c上的部分。以次方式，可以提供在第一发射区域1331a中具有第一厚度tc1，在第二发射区域1331b中具有第二厚度tc2以及在第三发射区域1331c中具有第三厚度tc3的共用阴极1375。应当认识到，第一厚度tc1对应于第一传导性覆层1371的厚度，第二厚度tc2对应于第一传导性覆层1371和第二传导性覆层1372的组合厚度，以及第三厚度tc3对应于第一传导性覆层1371、第二传导性覆层1372和第三传导性覆层1373的组合厚度。因此，第一厚度tc1可以小于第二厚度tc2，并且第三厚度tc3可以大于第二厚度tc2。
在图34图解的又另一实施方式中，装置1300可进一步包括设置在第三发射区域1331c上的第三成核抑制覆层1363。具体地，第三成核抑制覆层1363被图解为沉积在第三传导性覆层1373的部分上，该部分涂覆了装置1300的对应于第三发射区域1331c的部分。
在图35图解的又另一个实施方式中，装置1300进一步包括设置在装置1300的非发射区域中的辅助电极1381。例如，可以使用与用于沉积第二传导性覆层1372和/或第三传导性覆层1373的过程基本相同的过程来形成辅助电极1381。辅助电极1381被图解为沉积在PDL 1346a-1346d上，其对应于装置1300的非发射区域。发射区1331a、1331b、1331c可以基本上不含用于形成辅助电极1381的材料。
第一传导性覆层1371、第二传导性覆层1372和第三传导性覆层1373在电磁光谱的可见波长部分中可以是光透射的或基本上透明的。为了进一步清楚起见，第一传导性覆层1371、第二传导性覆层1372和第三传导性覆层1373在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中每个可以是光透射的或基本上透明的。因此，当第二传导性覆层1372和/或第三传导性覆层1373设置在第一传导性覆层1371的顶部上以形成共用阴极1375时，这种电极在电磁光谱的可见波长部分中也可以是光透射的或基本透明的。例如，第一传导性覆层1371、第二传导性覆层1372、第三传导性覆层1373和/或共用阴极1375的光透射率在电磁光谱的可见部分中可以为至少或大于约30％、至少或大于约40％、至少或大于约45％、至少或大于约50％、至少或大于约60％、至少或大于70％、至少或大于约75％或至少或大于约80％。
在一些实施方式中，可以使第一传导性覆层1371、第二传导性覆层1372和第三传导性覆层1373的厚度相对薄以保持较高的光透射率。例如，第一传导性覆层1371的厚度可以为约5nm至约30nm、约8nm至约25nm或约10nm至约20nm。第二传导性覆层1372的厚度可以例如为约1nm至约25nm、约1nm至约20nm、约1nm至约15nm、约1nm至约10nm或约3nm至约6nm。第三传导性覆层1373的厚度可以例如为约1nm至约25nm、约1nm至约20nm、约1nm至约15nm、约1nm至约10nm或约3nm至约6nm。因此，由第一传导性覆层1371和第二传导性覆层1372和/或第三传导性覆层1373的组合形成的共用阴极1375的厚度可以为例如约6nm至约35nm、约10nm至约30nm，或约10nm至约25nm，或约12nm至约18nm。
辅助电极1381的厚度可以大于第一传导性覆层1371、第二传导性覆层1372、第三传导性覆层1373和/或共用阴极1375的厚度。辅助电极1381的厚度可以为至少或大于约50nm、至少或大于约80nm、至少或大于约100nm、至少或大于约150nm、至少或大于约200nm、至少或大于约300nm、至少或大于约400nm、至少或大于约500nm、至少或大于约700nm、至少或大于约800nm、至少或大于约1μm、至少或大于约1.2μm、至少或大于约1.5μm、至少或大于约2μm、至少或大于约2.5μm、或至少或大于约3μm。在一些实施方式中，辅助电极1381可以是基本上非透明或不透明的。然而，由于辅助电极1381通常设置在装置1300的非发射区域(一个或多个)中，因此，辅助电极1381不会产生显著的光干涉。例如，辅助电极1381的光透射率在电磁光谱的可见部分中可以小于约50％、小于约70％、小于约80％、小于约85％、小于约90％、或小于约95％。在一些实施方式中，辅助电极1381可以吸收电磁光谱的可见光波长范围的至少一部分中的光。
第一传导性覆层1371可以包括适合用于形成光透射的传导性层或覆层的各种材料。例如，第一传导性覆层1371可以包括TCO、金属或非金属薄膜及其任意组合。第一传导性覆层1371可以进一步包括两个或更多个层或覆层。例如，这样的层或覆层可以是设置再彼此顶部上的不同的层或覆层。第一传导性覆层1371可以包括各种材料，包括例如ITO、氟氧化锡(FTO)、Mg、Al、Yb、Ag、Zn、Cd及其任何组合，包括包含任何前述材料的合金。例如，第一传导性覆层1371可以包括Mg：Ag合金，Mg：Yb合金或其组合。对于Mg：Ag合金或Mg：Yb合金，按体积计，合金组成的范围可以从约1：9至约9：1。
第二传导性覆层1372和第三传导性覆层1373可以包括高蒸气压材料，诸如Yb、Zn、Cd和Mg。在一些实施方式中，第二传导性覆层1372和第三传导性覆层1373可包括纯的或基本上纯的镁。
辅助电极1381可以包括与第二传导性覆层1372和/或第三传导性覆层1373基本相同的材料(一种或多种)。在一些实施方式中，辅助电极1381可以包括镁。例如，辅助电极1381可以包括纯的或基本上纯的镁。在其他实例中，辅助电极1381可以包括Yb、Cd和/或Zn。
在一些实施方式中，设置在发射区域1331a、1331b、1331c中的成核抑制覆层1361、1362、1363的厚度可以根据每个发射区域发射的光的颜色或发射光谱而变化。如图34-35图解，第一成核抑制覆层1361可以具有第一成核抑制覆层厚度tn1，第二成核抑制覆层1362可以具有第二成核抑制覆层厚度tn2，和第三成核抑制覆层1363可具有第三成核抑制覆层厚度tn3。第一成核抑制覆层厚度tn1、第二成核抑制覆层厚度tn2和/或第三成核抑制覆层厚度tn3可以彼此基本上相同。可选地，第一成核抑制覆层厚度tn1、第二成核抑制覆层厚度tn2和/或第三成核抑制覆层厚度tn3可以彼此不同。
通过彼此独立地调制设置在每个发射区域或子像素中的成核抑制覆层的厚度，可以进一步控制每个发射区域或子像素中的光学微腔效应。例如，设置在蓝色子像素上的成核抑制覆层的厚度可以小于设置在绿色子像素上的成核抑制覆层的厚度，以及设置在绿色子像素上的成核抑制覆层的厚度可以小于设置在红色子像素上的成核抑制覆层的厚度。如将认识到，可以通过独立于其他发射区域或子像素通过调制每个发射区域或子像素的成核抑制覆层厚度和传导性覆层厚度两者在更大程度上控制每个发射区域或子像素中的光学微腔效应。
由于存在由许多薄膜层和具有不同折射率的覆层产生的光学界面，出现了光学微腔效应，其被用于构造诸如OLED的光电子装置。影响在装置中观察到的光学微腔效应的一些因素包括总路径长度(如，从装置发出的光在输出耦合之前行进通过的装置的总厚度)以及各个层和覆层的折射率。现已发现，通过调制发射区域(如，子像素)中阴极的厚度，可以改变发射区域中的光学微腔效应。这种效应通常可归因于总光路长度的变化。进一步假定，特别是在由薄覆层(一个或多个)形成的光透射阴极的情况下，阴极厚度的变化除了总的光路程长度外，还可以改变阴极的折射率。此外，还可以通过改变设置在发射区域中的成核抑制覆层的厚度来调制光路程长度，以及从而调制光微腔效应。
可以通过调制光学微腔效应来影响的装置的光学特性包括发射光谱、强度(如，发光强度)和输出光的角度分布，包括输出光的亮度和色移的角度依赖性。
尽管已经描述了具有2个或3个发射区域或子像素的各种实施方式，但是应当认识到，装置可以包括任何数量的发射区域或子像素。例如，装置可以包括多个像素，其中每个像素包括2个、3个或更多个子像素。此外，像素或子像素关于其他像素或子像素的具体排布可以根据装置设计而变化。例如，可以根据合适的布置方案诸如RGB并排、菱形或排布子像素。
选择性沉积光学覆层
在根据一些实施方式的一个方面，提供了装置。装置可以是光电子装置。在一些实施方式中，装置包括衬底、成核抑制覆层、和光学覆层。成核抑制覆层覆盖衬底的第一区域。光学覆层覆盖衬底的第二区域，并且成核抑制覆层的至少部分从光学覆层暴露，或基本上不含光学覆层或基本上不被光学覆层覆盖。
光学覆层可以用于调制由装置透射、发射或吸收的光的光学特性，包括等离体模式。例如，光学覆层可以用作滤光器、折射率匹配覆层、光学输出耦合覆层、散射层、衍射光栅、或其部分。在另一实例中，光学覆层可以用于通过调谐例如总光路程长度和/或折射率来调制光电子装置中的微腔效应。可受到调制光学微腔效应影响的装置的光学特性包括发射光谱、强度(如，发光强度)和输出光的角度分布，包括输出光的亮度和色移的角度依赖性。在一些实施方式中，光学覆层可以是非电组分。换句话说，在这样的实施方式中，光学覆层可以不配置为在正常装置操作期间传导或传输电流。
例如。可以使用上述用于沉积传导性覆层的方法的各种实施方式中的任何一种形成光学覆层。光学涂层可以包括高蒸气压材料，诸如Yb、Zn、Cd和Mg。在一些实施方式中，光学覆层可包括纯的或基本上纯的镁。
薄膜形成
在气相沉积期间在衬底的表面上形成薄膜涉及成核和生长的过程。在膜形成的初始阶段期间，足够数目的蒸汽单体(如，原子或分子)通常由气相凝结以在表面上形成最初的核。随着蒸汽单体继续撞击在表面上，这些最初的核的大小和密度增加以形成小簇或岛。在达到饱和岛密度后，邻近的岛通常将开始合并，增加平均岛大小，同时降低岛密度。邻近的岛的合并继续直到形成基本上闭合的膜。
可存在用于形成薄膜的三种基本生长模式：1)岛(Volmer-Weber)、2)叠层(layer-by-layer)(Frank-van der Merwe)和3)Stranski-Krastanov。岛生长通常当单体的稳定簇在表面上成核时发生并且生长以形成离散的岛。当单体之间的相互作用比单体和表面之间的相互作用更强时发生此生长模式。
成核速率描述了每单位时间在表面上形成多少临界大小的核。在膜形成的初始阶段期间，由于核的密度低，核将不太可能由单体在表面上的直接撞击生长，并且因而核覆盖相对小部分的表面(如，在相邻的核之间存在大间隙/空间)。因此，临界核的生长速率通常取决于在表面上吸附的单体(如，附加原子)迁移和附连至附近的核的速率。
在表面上吸附了附加原子后，附加原子可以由表面解吸，或可以在解吸前在表面上迁移一些距离，与其它附加原子相互作用以形成小簇，或附连至生长核。由如下给出附加原子在最初吸附后保留在表面上的平均时间量：
在上面的等式中，ν是附加原子在表面上的振动频率，κ是玻耳兹曼常量，T是温度，和Edes是参与由表面解吸附加原子的能量。根据此等式，注意到Edes的值越低，附加原子越容易由表面解吸，并且因此附加原子将保留在表面上的时间越短。由如下给出附加原子可以扩散的平均距离，
其中a0是晶格常数和Es是表面扩散的活化能。对于低的Edes的值和/或高的Es的值，附加原子将在解吸前扩散较短的距离，并且因此不太可能附连至生长核或与另一个附加原子或附加原子的簇相互作用。
在膜形成的初始阶段期间，吸附的附加原子可以相互作用以形成簇，其中由如下给出每单位面积的簇的临界浓度，
其中Ei是参与将包含i个附加原子的临界簇解离为单独的附加原子的能量，n0是吸附位点的总密度，N1是由如下给出的单体密度：
其中是蒸汽撞击速率。通常i将取决于沉积的材料的晶体结构并且将决定临界簇大小以形成稳定的核。
由蒸汽撞击速率和附加原子在解吸前可以在其上扩散的平均面积给出用于生长簇的临界单体供应速率：
因而由上面的等式的组合给出临界成核速率：
由上面的等式注意到，对于如此表面临界成核速率将被阻抑，该表面对于吸附的附加原子具有低的解吸能、对于扩散附加原子具有高的活化能，处于高温下，或经历低的蒸汽撞击速率。
衬底异质性比如缺陷、凸缘(ledge)或阶跃边缘(step edge)的位点可能增加Edes，导致在这样的位点处观察到的较高的核密度。另外，表面上的杂质或污染物也可能增加Edes，导致较高的核密度。对于在高真空条件下实施的气相沉积过程，表面上污染物的类型和密度受真空压力和构成该压力的残余气体的组成影响。
在高真空条件下，由如下给出撞击在表面上的分子的通量(每cm2-sec)：
其中P是压力，和M是分子量。因此，反应气体比如H2O的较高分压可能在气相沉积期间导致表面上较高的污染物密度，导致Edes的增加和因此较高的核密度。
用于表征薄膜的成核和生长的有用的参数是由如下给出的粘着概率：
其中Nads是保留在表面上(例如，被并入膜)的吸附的单体的数目和N总数是在表面上撞击的单体的总数目。粘着概率等于1指示撞击表面的所有单体被吸附并且随后并入生长膜。粘着概率等于0指示撞击表面的所有单体被解吸并且随后没有在表面上形成膜。可以使用测量粘着概率的多种技术评估金属在多种表面上的粘着概率，所述技术比如双石英晶体微量天平(QCM)技术，如由Walker et al.,J.Phys.Chem.C 2007,111,765(2006)中描述。
随着岛的密度增加(如，增加的平均膜厚度)，粘着概率可能改变。例如，低的初始粘着概率可以随着增加平均膜厚度而增加。这可以基于不具有岛的表面区(裸衬底)和具有高的岛密度的区之间粘着概率的差异理解。例如，撞击岛的表面的单体可以具有接近1的粘着概率。
初始粘着概率S0可以因此被规定为在形成任何显著数目的临界核之前表面的粘着概率。初始粘着概率的一个量度可以涉及在材料的初始沉积阶段期间表面对材料的粘着概率，其中跨越表面的沉积材料的平均厚度处于阈值或低于阈值。在一些实施方式的描述中，初始粘着概率的阈值可以被规定为1nm。则由如下给出平均粘着概率：
其中Snuc是由岛覆盖的区的粘着概率，和Anuc是由岛覆盖的衬底表面的区的百分数。
在图38中图解了吸附到衬底表面上的附加原子的能量分布的实例。具体而言，图38图解了能量分布对应于：(1)从局部低能位点逸出的附加原子；(2)附加原子在表面上的扩散；以及(3)附加原子的解吸。
在(1)中，局部低能位点可以是衬底表面上附加原子将处于较低能量的任何位点。通常，成核部位可以是表面衬底上的缺陷或异常，诸如，例如阶跃边缘、化学杂质、结合位点或扭结。一旦附加原子被捕获在局部低能位点，则通常在可发生表面扩散之前存在一个能垒。该能垒在图38的图中表示为ΔE。如果逸出局部低能位点的能垒足够大，则该位点可充当成核位点。
在(2)中，附加原子可能会在衬底表面扩散。例如，在局部吸附物的情况下，附加原子趋于在表面电势的最小值附近振荡并迁移到各个相邻的位点，直到附加原子被解吸，或并入到由簇形成的生长膜或生长岛中。在图38的图中，与附加原子的表面扩散相关的活化能表示为ES。
在(3)中，与附加原子从表面解吸相关的活化能表示为Edes。应当认识到，任何未解吸的附加原子都将保留在衬底表面上。例如，此类附加原子可以在表面扩散，并作为生长膜或覆层的一部分并入，或者成为在表面上形成岛的附加原子簇的一部分。
基于图38中所示的能量分布，可以假定，表现解吸的相对低的活化能(Edes)和/或表面扩散的相对高的表面活化能(ES)的成核抑制覆层材料可以是特别有优势用于各种应用。例如，在一些实施方式中，解吸的活化能(Edes)小于热能(kBT)的约2倍、小于热能的约1.5倍、小于热能的约1.3倍、小于热能的约1.2倍、小于热能的约0.8倍、或小于热能的约0.5倍可能是特别有利的。在一些实施方式中，表面扩散的活化能(ES)大于热能、大于热能的约1.5倍、大于热能的约1.8倍、大于约热能的约2倍，大于热能的约3倍、大于热能的约5倍、大于热能的约7倍，或大于热能的约10倍可能是特别有利的。
尽管上面已经参考选择性沉积传导性覆层以形成阴极或用于共用阴极的辅助电极描述了某些实施方式，但是应当理解，在其他实施方式中，可以使用类似的材料和工艺来形成阳极或用于阳极的辅助电极。
成核抑制覆层
用于形成成核抑制覆层的合适材料包括那些表现出或表征为对传导性覆层的材料的初始粘附概率为不大于或小于约0.1(或10％)或者不大于或小于约0.05，和更具体地，不大于或小于约0.03、不大于或小于约0.02、不大于或小于约0.01、不大于或小于约0.08、不大于或小于约0.005、不大于或小于约0.003、不大于或小于约0.001、不大于或小于约0.0008、不大于或小于约0.0005、或者不大于或小于约0.0001。用于形成成核促进覆层的合适材料包括那些表现出或表征为对传导性覆层的材料的初始粘附概率为至少约0.6(或60％)、至少约0.7、至少约0.75、至少约0.8、至少约0.9、至少约0.93、至少约0.95、至少约0.98或至少约0.99。
适合用于至少一些实施方式的成核抑制覆层的实例包括但不限于通过沉积PBD、PBD2、mCP、TAZ、β-NPB、NTAZ、tBUP-TAZ、BND、TBADN、CBP、BAlq、m-BPC、Ir(ppy)3或其组合而形成的那些。
合适的成核抑制材料包括有机材料，比如小分子有机材料和有机聚合物。合适的有机材料的实例包括多环芳香族化合物，包括可以任选地包括一种或多种杂原子比如氮(N)、硫(S)、氧(O)、磷(P)和铝(Al)的有机分子。在一些实施方式中，多环芳香族化合物包括有机分子，其每个包括核心部分和与核心部分结合的至少一个末端部分。末端部分的数目可以是1个或多个、2个或更多个、3个或更多个、或4个或更多个。在2个或更多个末端部分的情况下，末端部分可以是相同的或不同的，或末端部分的亚类可以是相同的但是与至少一个其余的末端部分不同。在一些实施方式中，至少一个末端部分是或包括由如下的化学结构(I-a)、(I-b)、和(I-c)中的一种表示的联苯基部分：
其中虚线指示在联苯基部分和核心部分之间形成的键。一般而言，由(I-a)、(I-b)和(I-c)表示的联苯基部分可以是未取代的或通过使其氢原子中的一个或多个被一种或多种取代基替换而被取代。在由(I-a)、(I-b)和(I-c)表示的部分中，Ra和Rb独立地表示任选存在一种或多种取代基，其中Ra可以表示单、二、三、或四取代，并且Rb可以表示单、二、三、四、或五取代。例如，一种或多种取代基Ra和Rb可以独立地选自：氘代、氟代、包括C1-C4烷基的烷基、环烷基、芳基烷基、甲硅烷基、芳基、杂芳基、氟烷基和其任意组合。具体地，一种或多种取代基Ra和Rb可以独立地选自：甲基、乙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、叔丁基苯基、联苯基、甲基联苯基、二甲基联苯基、三甲基联苯基、叔丁基联苯基、氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、多氟苯基、氟联苯基、二氟联苯基、三氟联苯基和多氟联苯基。不希望受限于具体的理论，表面上暴露的联苯基部分的存在可以用来调节或调谐表面能(例如，解吸能)以降低表面对沉积传导性材料比如镁的亲和力。生成表面能的类似调谐以抑制镁的沉积的其它部分和材料可以被用于形成成核抑制覆层。
在另一个实施方式中，至少一个末端部分是或包括由如下的结构(I-d)表示的苯基部分：
其中虚线指示在苯基部分和核心部分之间形成的键。一般而言，由(I-d)表示的苯基部分可以是未取代的或通过使其氢原子中的一个或多个被一种或多种取代基替换而被取代。在由(I-d)表示的部分中，Rc表示任选存在的一种或多种取代基，其中Rc可以表示单、二、三、四或五取代。一种或多种取代基Rc可以独立地选自：氘代、氟代、包括C1-C4烷基的烷基、环烷基、甲硅烷基、氟烷基和其任意组合。具体地，一种或多种取代基Rc可以独立地选自：甲基、乙基、叔丁基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基和多氟乙基。
在又另一个实施方式中，至少一个末端部分是或包括由如下结构(I-e)、(I-f)、或(I-g)中至少一个表示的叔丁基苯基部分：
其中虚线指示在叔丁基苯基部分和核心部分之间形成的键。一般而言，由(I-e)、(I-f)和(I-g)表示的叔丁基苯基部分可以是未取代的或通过使其氢原子中的一个或多个被一种或多种取代基替换而被取代。在由(I-e)、(I-f)和(I-g)表示的部分中，Rf表示任选存在的一种或多种取代基，其中Rf可以表示单、二、三或四取代。例如，一种或多种取代基Rf可以独立地选自：氘代、氟代、包括C1-C4烷基的烷基、环烷基、芳基芳基、甲硅烷基、芳基、杂芳基、氟烷基、和其任意组合。具体地，一种或多种取代基Rf可独立地选自：甲基、乙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、叔丁基苯基、联苯基、甲基联苯基、二甲基联苯基、三甲基联苯基、叔丁基联苯基、氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、多氟苯基、氟联苯基、二氟联苯基、三氟联苯基、和多氟联苯基。除了以上，叔丁基基团中的任意甲基基团可任选地被氘化甲基或氟取代。不希望受理论的束缚，假定的是，在上面所示的叔丁基苯基部分(I-e)、(I-f)和(I-g)中，结构(I-e)在一些应用中可以是特别期望的。进一步假定的是，其中叔丁基基团在对位位置被取代至苯基部分的结构(I-e)一般来说相比于结构(I-f)和(I-g)更容易合成，这是由于叔丁基基团经历由在合成路径期间可能存在的由核心和其他末端部分的存在引起的最小的空间位阻。
在又另一个实施方式中，至少一个末端部分时或包括由如下结构(I-h)表示的部分：
其中X11至X15和X21至X25独立地选自C(包括CH)或N。在一些实施方式中，键(包括共价键或配价键)，例如，可以在X11至X15之一和核心部分之间形成。在其他实施方式中，键(包括共价键或配价键)，例如，可以在X21至X25之一和核心部分之间形成。在又另一个实施方式中，键可以在X11至X15之一和核心部分之间形成，和另外的键可以在X21至X25之一和核心部分之间形成。例如，在配合物诸如金属配合物的情况下，两个或更多个键可以在部分(I-h)和核心部分之间形成。一般而言，由(I-h)表示的部分可以是未取代的或通过使其氢原子中的一个或多个被一种或多种取代基替换而被取代。在由(I-h)表示的部分中，Rd和Re独立地表示任选存在的一种或多种取代基，其中Rd可以表示单、一、二、三、四或五取代，和Re可以表示单、二、三、四或五取代。例如，一种或多种取代基Rd和Re可以独立地选自：氘代、氟代、包括C1-C4烷基的烷基、环烷基、芳基烷基、甲硅烷基、芳基、杂芳基、氟烷基、和其任意组合。具体地，一种或多种取代基Rd和Re可独立地选自：甲基、乙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、叔丁基苯基、联苯基、甲基联苯基、二甲基联苯基、三甲基联苯基、叔丁基联苯基、氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、多氟苯基、氟联苯基、二氟联苯基、三氟联苯基、和多氟联苯基。
在又另一个实施方式中，至少一个末端部分是或包括含有稠环结构比如芴部分或亚苯基部分的多环芳香族部分(包括包含多个(如，3、4或更多个)稠合苯环的那些)。这样的部分的实例包括螺二芴部分、三亚苯基部分、二苯基芴部分、二甲基芴部分、二氟芴部分和其任意组合。
在一些实施方式中，多环芳香族化合物包括由如下的化学结构(II)、(III)和(IV)中的至少一种表示的有机分子：
在(II)、(III)和(IV)中，C表示核心部分，并且T1、T2和T3表示与核心部分结合的末端部分。虽然在(II)、(III)、和(IV)中描绘了1、2和3个末端部分，但是应当理解也可以包括多于3个末端部分。
在一些实施方式中，C是或包括杂环部分，比如包括一个或多个氮原子的杂环部分，其实例是三唑部分。在一些实施方式中，C是或包括金属原子(包括过渡和后过渡原子)，比如铝原子、铜原子、铱原子和/或铂原子。在一些实施方式中，C是或包括氮原子、氧原子和/或磷原子。在一些实施方式中，C是或包括环烃部分，其可以是芳香族的。在一些实施方式中，C是或包括取代的或未取代的烷基——其可以是分支的或非分支的、环炔基(包括包含1和7个碳原子之间的那些)、烯基、炔基、芳基(包括苯基、萘基、噻吩基和吲哚基)、芳基烷基、杂环部分(包括环胺比如吗啉代、哌啶代和吡啶代(pyrolidino))、环醚部分(比如四氢呋喃和四氢吡喃部分)、杂芳基(包括吡咯、呋喃、噻吩、咪唑、噁唑、噻唑、三唑、吡唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、多环杂芳香族部分和二苄基苯硫基)、芴部分、甲硅烷基、和其任意组合。在一些实施方式中，C是或包括配合物，诸如金属配位配合物。这类配合物的实例在下面进一步描述。在这类实施方式中，例如，一个或多个末端部分可以与围绕配合物中心的一个或多个配体结合。
在(II)、(III)和(IV)中，T1是或包括如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分。部分T1可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。连接体部分的实例包括-O-(其中O表示氧原子)、-S-(其中S表示硫原子)、和包括1、2、3、4或更多个碳原子的环烃或无环烃部分，并且其可以是取代的或未取代的，并且其可以任选地包括一个或多个杂原子。核心部分和一个或多个末端部分之间的键可以是共价键或在金属元素和有机元素之间形成的键，特别是在有机金属化合物的情况下。
在(III)中，T1和T2可以是相同的或不同的，只要至少T1是或包括如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分。例如，T1和T2中的每个可以是或可以包括如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分。作为另一个实例，T1是或包括如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分，而T2可以缺少这样的部分。在一些实施方式中，T2是或包括环烃部分，其可以是芳香族的，其可以包括单环结构或可以是多环的，其可以是取代的或未取代的，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在一些实施方式中，T2是或包括杂环部分，比如包括一个或多个氮原子的杂环部分，其可以包括单环结构或可以是多环的，其可以是取代的或未取代的，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在一些实施方式中，T2是或包括无环烃部分，其可以是未取代的或取代的，其可以任选地包括一个或多个杂原子，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在T1和T2不同的一些实施方式中，T2可以选自大小比得上T1的部分。具体地，T2可以选自分子量不大于约2倍、不大于约1.9倍、不大于约1.7倍、不大于约1.5倍、不大于约1.2倍、或不大于约1.1倍的T1的分子量的上面列出的部分。不希望受限于具体的理论，假设当包括不同于或缺少如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分的末端部分T2时，T2关于T1的比得上的大小可以促进T1在表面上暴露，这与由于分子堆叠、空间位阻或这样的效应的组合可能妨碍T1的暴露的庞大的末端基团形成对比。
在(IV)中，T1、T2、和T3可以是相同的或不同的，只要至少T1是或包括如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分。例如，T1、T2和T3中的每个可以是或可以包括如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分。作为另一个实例，T1和T2中的每个是或包括如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分，而T3可以缺少这样的部分。作为另一个实例，T1和T3中的每个可以是或可以包括如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分，而T2可以缺少这样的部分。作为进一步的实例，T1是或包括如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分，而T2和T3二者可以缺少这样的部分。在一些实施方式中，至少一个T2和T3是或包括环烃部分，其可以是芳香族的，其可以包括单环结构或可以是多环的，其可以是取代的或未取代的，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在一些实施方式中，至少一个T2和T3是或包括杂环部分，比如包括一个或多个氮原子的杂环部分，其可以包括单环结构或可以是多环的，其可以是取代的或未取代的，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在一些实施方式中，至少一个T2和T3是或包括无环烃部分，其可以是未取代的或取代的，其可以任选地包括一种或多种杂原子，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在T1、T2和T3不同的一些实施方式中，T2和T3可以选自大小比得上T1的部分。具体地，T2和T3可以选自分子量不大于约2倍、不大于约1.9倍、不大于约1.7倍、不大于约1.5倍、不大于约1.2倍、或不大于约1.1倍的T1的分子量的上面列出的部分。不希望受限于具体的理论，假设当包括不同于或缺少如上面描述的由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或包括稠环结构的多环芳香族部分的末端部分T2和T3时，T2和T3关于T1的比得上的大小可以促进T1在表面上暴露，这与由于分子堆叠、空间位阻或这样的效应的组合可能妨碍T1的暴露的庞大的末端基团形成对比。
合适的成核抑制材料包括聚合物材料。这样的聚合物材料的实例包括：氟聚合物，其包括但不限于全氟化聚合物和聚四氟乙烯(PTFE)；聚乙烯联苯；聚乙烯咔唑(PVK)；和通过聚合多种如上面描述的多环芳香族化合物形成的聚合物。在另一个实例中，聚合物材料包括通过聚合多种单体形成的聚合物，其中单体中的至少一种包括末端部分，其是或包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)、(I-d)、(I-e)、(I-f)、(I-g)、或(I-h)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分。
合适的成核抑制材料还包括配合物，诸如有机金属配合物或金属配位配合物。这种配合物的实例包括由金属配位中心和围绕配位中心的配体形成的那些。可以形成配位中心的原子或离子的实例包括但不限于铱(Ir)、Zn、铑(Rh)、Al、铍(Be)、铼(Re)、钌(Ru)、硼(B)、P、Cu、锇(Os)、金(Au)和铂(Pt)。在配合物或金属配位配合物中，配价键可以在配位中心和围绕配体的一个或多个原子之间形成。可以在配位中心与围绕配体的一个或多个原子之间形成的键的实例包括但不限于在配位中心的金属原子与碳、氮或氧之间形成的那些键。具体地，这样的键的实例包括在Al和O、Al和N、Zn和O、Zn和N、Zn和C、Be和O、Be和N、Ir和N、Ir和C、Ir和O、Cu和N、B和C、Pt和N、Pt和O、Os和N、Ru和N、Re和N、Re和O、Re和C、Cu和P、Au和N以及Os和C之间形成的那些键。
可以在配位配合物中存在的配体的实例包括苯基吡啶配体，其在下面图解为与配位中心M结合。
例如，M可以是金属中心，比如Ir。将认识到，这样的配合物可以包括一个或多个苯基吡啶配体。例如，1个、2个或3个苯基吡啶配体可以与配位中心M结合。在其他实例中，配合物可以包括除了一个或多个苯基吡啶配体外的其他配体。
实施例
现在将参考下列实施例说明和描述一些实施方式的方面，其并不意欲以任何方式限制本公开内容的范围。
如本文的实施例中使用的，提及材料的层厚度指的是沉积在目标表面(或在选择性沉积的情况下，表面的目标区域(一个或多个))上的材料的量，其对应于以具有层厚度的材料的均匀厚层覆盖目标表面的材料的量。举例而言，沉积10nm的层厚度指示沉积在表面上的材料的量对应于形成10nm厚的材料的均匀厚层的材料的量。将领会，例如，由于分子或原子的可能的堆叠或成簇，沉积的材料的实际厚度可能是不均匀的。例如，沉积10nm的层厚度可以产生具有大于10nm的实际厚度的一些部分的沉积材料，或具有小于10nm的实际厚度的其它部分的沉积材料。沉积在表面上的材料的某一层厚度可以对应于跨越表面的沉积材料的平均厚度。
下面提供了用于说明性实施例的某些材料的分子结构。
如本文所使用，TAZ指的是3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑，Liq指的是8-羟基-喹啉合锂(8-hydroxiy-quinolinato lithium)，BAlq指的是双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝(Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolateo)aluminum)，HT211指的是N-[1,1'-联苯]-4-基-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-芴-2-胺，LG201指的是2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑，PBD指的是2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-噁二唑，PBD2指的是2-(4-联苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑，mCP指的是1,3-双(N-咔唑基)苯，NPB指的是N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-(1,1′-联苯基)-4,4′-二胺，NTAZ指的是4-(1-萘基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑，tBuP-TAZ指的是3,5-双[4-(1,1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1,2,4-三唑，BND指的是2,5-双(1-萘基)-1,3,4-噁二唑，TBADN指的是2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽，CBP指的是4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯，β-NPB指的是N,N'-二苯基-N,N'-二(2-萘基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺，m-BPC指的是9-[1,1'-联苯基]-3-基-9H-咔唑，和Ir(ppy)3指的是三[2-苯基吡啶合-C2,N]铱(III)(或三[2-苯基吡啶]铱(III))。
实施例1
为了表征使用各种材料形成成核抑制覆层的影响，使用不同材料形成成核抑制覆层以制备一系列样品。
具体地，通过在玻璃衬底上沉积具有各种厚度的成核抑制覆层，然后进行开放掩模沉积镁来制造样品。针对每个样品，使用约的平均蒸发速率沉积镁覆层。在进行镁覆层的沉积时，使用约5000秒的沉积时间，从而获得约1μm的镁参考层厚度。
一旦样品被制成，就进行光透射测量以确定沉积在成核抑制覆层的表面上的镁的相对量。应当认识到，具有例如小于10nm的厚度的相对薄的镁覆层是基本上透明的。然而，随着镁覆层的厚度增加，光透射降低。因此，可以通过测量穿过样品的光透射来评估各种成核抑制覆层材料的相对性能，其与镁沉积过程中沉积在其上的镁覆层的量或厚度直接相关。下表3中总结了每个样品的成核抑制覆层的厚度和光透射测量。在计算光透射测量时，从测量的透射率中减去由玻璃衬底和成核抑制覆层的存在引起的光的任何损失或吸收。这样，表3中提供的光透射值仅反映了穿过成核抑制覆层表面上可能存在的任何镁涂层的光透射(取自约550nm的波长处)。
表3–光透射测量数据的表
基于上面内容，可以看出，对于使用PBD、PBD2、mCP、TAZ、β-NPB、NTAZ、tBUP-TAZ、BND、TBADN、CBP、BAlq、m-BPC、或Ir(ppy)3作为成核抑制覆层材料制造的样品，测量到约90％的相对高的光透射。如上所说明，高光透射可以直接归因于成核抑制覆层的表面上存在的(如果有)相对小量的镁覆层吸收透射通过样品的光。因此，这些成核抑制覆层材料一般表现对镁相对低的亲和力和初始粘着概率，并因此对实现某些应用中的选择性沉积和图案化镁覆层可以特别有用。
在另一方面，使用LG201、Liq和HT211制造的样品表现出出相对低的光透射。特别地，使用Liq制造的样品表现出小于约25％的相对低的光透射，并且使用LG201和HT211制造的样品表现出约5％的甚至更低的光透射。这表明在这些材料的覆层表面上沉积了相对大量或较厚的镁覆层，这导致显著的光吸收。因此，这些材料通常表现出相对较高的亲和力或初始粘着概率，因此对于实现镁覆层的选择性沉积特别是在需要选择性沉积数百纳米、微米或更厚的相对较厚的镁覆层的应用中可能是不希望的。
如本文所描述的该实施例和其他实施例中所使用的，参考层厚度指的是在表现出高初始粘着系数(如，初始粘着系数为约1.0或接近1.0)的参考表面上沉积的镁的层厚度。具体地，对于这些实施例，参考表面是定位在沉积室内以监测沉积速率和参考层厚度的石英晶体的表面。换句话说，参考层厚度并不表示沉积在目标表面(如，成核抑制覆层的表面)上的镁的实际厚度。而是，参考层厚度指的是在使目标表面和参考表面经历相同的镁蒸汽通量相同的沉积周期后将沉积在参考表面上的镁的层厚度(如，石英晶体的表面)。应当认识到，如果在沉积期间目标表面和参考表面没有同时经历相同的蒸气通量，则可以使用适当的加工系数来确定和监控参考层的厚度。
实施例2
为了确定镁蒸发速率可对各种材料的成核抑制性质有何影响，使用不同的材料以形成成核抑制覆层，然后暴露于相对较高的镁蒸气通量中制备了一系列样品。
具体地，通过在玻璃衬底上沉积具有各种厚度的成核抑制覆层，然后在成核抑制覆层上进行开放掩模蒸发镁来制造样品。使样品经历具有约的平均沉积速率的镁通量，如使用参考表面测量。在进行沉积镁覆层时，使用约1000秒的沉积时间，从而获得约1μm的镁的参考层厚度。
一旦样品被制成，就进行光透射测量以确定沉积在成核抑制覆层的表面上的镁的相对量。下表4中总结了每个样品的成核抑制覆层的厚度和光透射测量。在计算光透射测量时，从测量的透射率中减去由玻璃衬底和成核抑制覆层的存在引起的光的任何损失或吸收。这样，表4中提供的光透射值仅反映了穿过成核抑制覆层表面上可能存在的任何镁涂层的光透射(取自约550nm的波长处)。
表4–光透射测量数据的表
成核抑制覆层材料 成核抑制覆层厚度(nm) 光透射率(％)
PBD 50 8
mCP 66 72
TAZ 33 100
β-NPB 25 0
NTAZ 50 98
tBuP-TAZ 52 100
CBP 45 20
BAlq 47 94
基于上面内容，可以看出，对于使用TAZ、NTAZ、tBuP-TAZ、或BAlq作为成核抑制覆层材料制造的样品，测量到约90％的相对高的光透射。如上所说明，高光透射可以直接归因于成核抑制覆层的表面上存在的(如果有)相对小量的镁覆层。因此，这些成核抑制覆层材料对实现某些应用中的选择性沉积和图案化镁覆层可以特别有用。例如，这些材料可以特别适合用于其中镁的沉积速率高于约的应用。
使用mCP作为成核抑制覆层材料制造的样品表现出约72％的光透射。尽管通常对于规定高度选择性淀积镁覆层的应用而言，使用表现出更高的光透射并因此具有更好的成核抑制性质(如，较低的初始粘着概率)的材料更为有利，但是对于某些应用，诸如mCP的材料可能仍可用于形成成核抑制覆层。
使用PBD、β-NPB和CBP制造的样品均表现出相对低的光透射。特别地，使用CBP制造的样品表现出约20％的较低的光透射，而使用PBD和β-NPB制造的样品分别表现出约8％和0％的较低的光透射。这表明在成核抑制覆层的表面上沉积了相对大量或较厚的镁覆层，这导致显著的光吸收。因此，这些材料可能不适合用于实现镁覆层的选择性沉积，特别是在规定以大于约的高沉积速率(如，约的沉积速率)选择性沉积相对较厚的镁覆层的应用中。
通过将实施例2的结果与实施例1的结果进行比较，已经有些出乎意料的确定，当某些材料以相对较低的沉积速率或蒸发速率经受镁蒸气通量时，这些材料基本上抑制了镁在其上的沉积，但是当使用相对较高的镁的沉积速率或蒸发速率时，抑制镁沉积的程度会大大降低。换句话说，已经观察到，使用某些成核抑制覆层材料(诸如，例如，PBD、β-NPB和CBP)可以以约的相对较低的镁沉积速率成功地实现镁覆层的选择性沉积。然而，在约的相对高的沉积速率下，使用相同的成核抑制覆层材料可能无法充分实现镁覆层的高度选择性沉积。
还已经观察到某些成核抑制覆层材料似乎在抑制镁在其上的沉积是有效的，而与这些实施例中使用的镁的沉积速率无关。基于实验结果，可以使用诸如TAZ、NTAZ、tBuP-TAZ和BAlq之类的材料形成有效的成核抑制覆层，从而以至少约或更高的镁沉积速率实现镁覆层的高度选择性沉积。
不希望受特定理论的束缚，基于上面讨论的成核和生长理论，假定通过沉积材料(诸如TAZ、NTAZ、tBuP-TAZ和BAlq)形成的表面对吸附的镁附加原子通常表现出相对低的解吸能(Edes)，对扩散镁附加原子通常表现出高活化能(ES)，或两者。以此方式，即使增加镁的蒸气撞击速率根据下式确定的临界成核率仍保持相对低，从而基本上抑制了镁的沉积。
另外，基于上述等式，可以容易地观察到，临界成核速率在较高的蒸气撞击速率下增加。因此，可以预期，由诸如LG201、Liq和HT211等材料形成的成核抑制覆层——其被发现基于实施例1的结果即使在的相对低的镁沉积速率下仍缺乏足够的选择性——当使用较高的镁沉积速率时，表现出甚至更低的选择性。
假定当增加蒸气撞击速率(如，蒸发速率)时，可以增加衬底的温度。例如，当蒸发速率增加时，蒸发源通常在较高的温度下操作。因此，在较高的蒸发速率下，衬底可以经受较高水平的热辐射，这可以加热衬底。可导致衬底温度增加的其他因素包括：由入射在衬底表面的大量蒸发分子的能量转移引起的衬底的加热，以及衬底表面上分子的凝结或去升华速率增加，从而在过程中释放出能量并导致发热。
为了进一步清楚，术语“选择性”在成核抑制覆层的上下文中使用时应理解为是指在经受用于形成传导性覆层的材料的蒸汽通量后成核抑制覆层抑制或阻止其上沉积传导性覆层的程度。例如，与具有相对低选择性的成核抑制覆层相比，对镁表现出相对高选择性的成核抑制覆层通常会更好地抑制或阻止镁覆层在其上的沉积。通常，已经观察到，表现出相对高选择性的成核抑制覆层也将表现出相对低的初始粘着概率，和表现出相对低的选择性的成核抑制覆层将表现出相对高的初始粘着概率。
实施例3
制备一系列样品以分析在传导性覆层和成核抑制覆层之间的界面处或附近的传导性覆层的特征和特性。
具体地，通过在硅衬底上沉积约30nm厚的基本上纯的银(Ag)的覆层来制备每个样品。然后在涂覆银的衬底表面的部分上沉积成核抑制覆层，以便一部分涂覆银的衬底表面保持暴露或基本不含成核抑制覆层。一旦沉积了成核抑制覆层，使用开放掩模沉积进行基本上纯的镁(纯度约99.99％)的沉积，以便暴露的涂覆银的衬底表面和成核抑制覆层表面在开放掩模沉积期间均经历蒸发的镁通量。所有沉积均在真空(约10-4Pa至约10-6Pa)下进行。通过蒸发使用约的沉积速率沉积镁覆层。
图36A是显示使用CBP作为成核抑制覆层材料制造的样品的一部分的SEM显微照片。
图36B是显示使用mCP作为成核抑制覆层材料制造的样品的一部分的SEM显微照片。
图36C是显示使用TAZ作为成核抑制覆层材料制造的样品的一部分的SEM显微照片。
图36D是显示使用BAlq作为成核抑制覆层材料制造的样品的一部分的SEM显微照片。
图36E是显示使用tBuP-TAZ作为成核抑制覆层材料制造的样品的一部分的SEM显微照片。
图36F是显示使用PBD作为成核抑制覆层材料制造的样品的一部分的SEM显微照片。
图36A-36F的每个中，传导性覆层3011沉积在硅基座衬底3001的一部分上。硅基座衬底3001的已经通过沉积成核抑制覆层进行处理的部分用附图标记3021表示。
对于参考，制备比较性样品以测定使用阴影掩模技术沉积在表面上的镁覆层的分布。
通过在硅片的顶部上沉积约30nm层厚度的银，接着阴影掩模沉积约800nm层厚度的镁来制造比较性样品。具体地，阴影掩模沉积被配置为允许银表面的某些区域通过阴影掩模孔暴露于镁通量，同时掩蔽银表面的其它区域。以约的速率沉积镁。
图36G是比较性样品的SEM图像的俯视图。使用图36G中的虚线显示近似界面。第一区域5203对应于掩蔽的区域，并且第二区域5201对应于在其之上沉积镁覆层的暴露的区域。
图36H是比较性样品的横截面SEM图像。如图36H中可见，在第二区域5201之上沉积的镁覆层包括相对长(约6μm)“尾”部分5214，其中部分5214的厚度逐渐地减小。观察到，在图36G和36H的样品中，尾部分5214延伸大约6μm或更多，这对于规定选择性图案化精细特征或相对高纵横比的特征的某些应用可能是不期望的。
实施例4
在一个实施例中，具有多个孔的精细网眼掩模被用于证明以高分辨率选择性沉积包括镁的金属覆层。
通过在其表面上沉积近似20nm厚的银覆层来制备衬底。然后使用精细网眼掩模在银涂覆的表面的一部分上选择性沉积包括TAZ的成核抑制覆层。具体地，在成核抑制覆层的沉积过程中，将精细网眼掩模定位在紧邻银涂覆的表面，以便蒸发的成核抑制材料通量的一部分选择性地传输通过精细网眼掩模的孔，以沉积在银涂覆的表面上。以此方式，在银涂覆的表面上形成了多个成核抑制覆层覆盖的区域。每个区域覆盖大约7μm宽的正方形区域，并且相邻区域彼此隔开近似5.5μm的距离。成核抑制覆层的厚度约为50nm，并以约0.16埃/秒的速度沉积。图40A是显示被成核抑制覆层覆盖的实例区域的SEM显微照片。图40B是俄歇电子能谱图，示出了对应于碳和银的能谱，其是通过扫描成核抑制覆层所覆盖区域周围的区域而获得的。
然后，使经过成核抑制覆层处理的衬底通过开放掩模经历蒸发的镁通量，以便蒸发的镁入射到成核抑制覆层覆盖的区域和银涂覆的区域两者上。图41A是示出了镁沉积之后的样品的一部分的SEM显微照片。镁覆层层的厚度为约500nm。图41B是俄歇电子能谱图，其显示了对应于碳和镁的能谱，这些能谱是通过对图41A的成像区域进行线性扫描而获得的。
基于图41A和41B可以看出，成核抑制覆层所覆盖的至少大部分区域基本上没有镁覆层，或从镁覆层暴露。然而，观察到，至少在某些情况下，基本上不含镁覆层或从镁覆层暴露的区域的尺寸可以小于其上设置成核抑制覆层的区域的尺寸。假设，这是由于镁覆层的侧向生长引起形成“突出”特征，该特征在成核抑制覆层上方部分重叠或延伸，特别是在成核抑制覆层与镁覆层之间的界面处或附近。具体地，可以观察到，在图41A和41B的实例中，基本上不含镁的区域的宽度的近似大小为约5.5μm。
这在图42A和43A的SEM显微照片中进一步显示，其分别显示了在样品经历镁沉积之前和之后由成核抑制覆层涂覆的相邻区域之间的区域。可以看出，在图42A中，成核抑制覆层所覆盖的相邻区域之间的边缘到边缘距离为约5.5μm，而发现在图43A中，基本上不含镁的相邻区域之间的边缘到边缘的距离为约6.4μm。图42B和43B是分别从对应于图42A和43A的图像的区域获得的俄歇电子能谱图。
实施例5
进行了一系列动力学蒙特卡洛(KMC)计算，以模拟表现出各种活化能的金属附加原子在表面上的沉积。具体而言，进行计算以模拟具有与解吸(Edes)、扩散(Es)、离解(Ei)和通过以恒定速率的单体通量使这些表面经受蒸发的蒸气通量与表面的反应(Eb)相关的不同活化能水平的金属附加原子——诸如镁附加原子——在表面上的沉积。图39是当前实施例考虑的各种“事件”的示意图。在图39中，将气相中的原子5301图解为入射到表面5300上。一旦原子5301被吸附到表面5300上，它就变成了附加原子5303。附加原子5303可能经历各种事件，包括：i)解吸，在其上产生解吸的原子5311；(ii)扩散，在表面5300上引起附加原子5313扩散；(iii)成核，其中临界数量的附加原子5315形成核；和(iv)与表面的反应，其中附加原子5317进行反应并与表面5300结合。
解吸、扩散或解离发生的速率(R)是由尝试频率(ω)、相应事件的活化能(E)、玻尔兹曼常数(kB)和系统的反应温度(T)，根据下面提供的公式进行计算：
出于上述计算的目的，i——临界簇大小(如，形成稳定核的附加原子的临界数目)被选择为2。附加原子-附加原子相互作用的扩散的活化能被选择为大于约0.6eV，附加原子-附加原子相互作用的解吸的活化能被选择大于约1.5eV，附加原子-附加原子相互作用的解吸活化能大于表面-附加原子相互作用的解吸活化能的1.25倍。基于报道的镁-镁相互作用的值选择上述值和条件。出于模拟的目的，使用了300K的温度(T)。使用报道的其他金属附加原子-金属附加原子活化相互作用(诸如钨-钨的活化相互作用)值重复进行计算。以上提及的值已被报道，例如，在Neugbauer,C.A.,1964,Physics of Thin Films,2,1,Structural Disorder Phenomena in Thin Metal Films。
基于模拟的结果，根据以下提供的等式，通过在模拟周期内计算保留在表面上的吸附的单体数(Nads)占撞击在表面上的单体总数(N总数)中的比例，来确定累积粘着概率：
在大于约8分钟的沉积周期内使用对应于约的蒸汽通量进行计算以模拟沉积，大于约8分钟的沉积周期对应于沉积具有大于约96nm的参考厚度的膜的时间周期。
对于典型的表面，解吸活化能(Edes)通常大于或等于扩散活化能(Es)。基于模拟，现在已经发现，至少在一些情况下，在解吸活化能(Edes)和扩散活化能(Es)之间表现出相对小差异的表面在用作成核抑制覆层的表面时可能特别有用。在一些实施方式中，表面的解吸活化能大于或等于表面的扩散活化能，且小于或等于约1.1倍、小于或等于约1.3倍、小于或等于约1.5倍、小于或等于约1.6倍、小于或等于约1.75倍、小于或等于约1.8倍、小于或等于约1.9倍、小于或等于约2倍、或者小于或等于约2.5倍的表面的扩散活化能。在一些实施方式中，解吸活化能与扩散活化能之差(以绝对值计)小于或等于约0.5eV、小于或等于约0.4eV、小于或等于约0.35eV、小于或等于约0.3eV、或者小于或等于约0.2eV。在一些实施方式中，解吸活化能与扩散活化能之间的差在约0.05eV与约0.4eV之间、在约0.1eV与约0.3eV之间或者在约0.1eV与约0.2eV之间。可以识别并选择满足前述关系的合适材料以沉积成核抑制覆层。
现在还发现，至少在某些情况下，在解吸活化能(Edes)和解离活化能(Ei)之间表现出相对小的差异的表面在用作成核抑制覆层的表面时可能特别有用。在一些实施方式中，表面的解吸活化能(Edes)小于或等于表面的解离活化能(Ei)的倍增数。在一些实施方式中，解吸活化能小于或等于约1.5倍、小于或等于约2倍、小于或等于约2.5倍、小于或等于约2.8倍、小于或等于约3倍、小于或等于约3.2倍、小于或等于约3.5倍、小于或等于约4倍、或者小于或等于约5倍的表面解离活化能。可以识别并选择满足前述关系的合适材料以沉积成核抑制覆层。
现在还发现，至少在某些情况下，在扩散活化能(Es)和解离活化能(Ei)之间表现出相对小的差异的表面在用作成核抑制覆层的表面时可能特别有用。在一些实施方式中，表面的扩散活化能(Es)小于或等于表面的解离活化能(Ei)的倍增数。在一些实施方式中，扩散活化能小于或等于约2倍、小于或等于约2.5倍、小于或等于约2.8倍、小于或等于约3倍、小于或等于约3.2倍、小于或等于约3.5倍、小于或等于约4倍、或者小于或等于约5倍的表面解离活化能。可以识别并选择满足前述关系的合适材料以沉积成核抑制覆层。
在一些实施方式中，成核抑制覆层的表面的解析活化能(Edes)、扩散活化能(Es)和解离活化能(Ei)可以如下表示：
Edes≤α*Es≤β*Ei
其中α可以是选自约1.1和约2.5之间的范围的任何数目，和β可以是选自约2和约5之间的范围的任何数目。在一些进一步实施方式中，α可以是选自约1.5和约2之间的范围的任何数目，和β可以是选自约2.5和约3.5之间的范围的任何数目。在另一个进一步实施方式中，α被选择为约1.75和β被选择为约3。可以识别并选择满足前述关系的合适材料以沉积成核抑制覆层。
现在已经发现，具有以下关系的表面至少在某些情况下可对于镁蒸气表现出小于约0.1的累积粘着概率：Edes≤1.75*Es≤3*Ei
因此，在一些实施方案中，具有以上活化能关系的表面对于用作成核抑制覆层的表面可能是特别有利的。可以确定并选择满足上述关系的合适材料以沉积成核抑制覆层。
现在还发现，除了上述活化能关系之外，在扩散活化能和解离活化能之间表现出小于或等于约0.3eV的相对小的差异的表面可能在期望累积粘着概率小于约0.1的某些应用中是特别有用的。扩散活化能(Es)与解离活化能(Ei)之间的能量差(ΔEs-i)可根据以下公式计算：
ΔEs-i＝Es-Ei
例如，现在已经发现，至少在某些情况下，其中扩散活化能和解离活化能之间的能量差小于或等于约0.25eV的表面对于镁蒸气表现出小于或等于约0.07的累积粘着概率。在其他实例中，小于或等于约0.2eV的ΔEs-i导致小于或等于约0.05的累积粘着概率，小于或等于约0.1eV的ΔEs-i导致小于或等于0.04的累积粘着概率，和小于或等于0.05eV的ΔEs-i导致小于或等于约0.025的累积粘着概率。
因此，在一些实施方式中，表面的特征在于：在以下不等式中，α为选自约1.1至约2.5之间的范围，或约1.5至约2的范围内的任何数目，诸如约1.75，以及β为选自约2至约5的范围，或约2.5至约3.5的范围内的任何数目，诸如约3：
Edes≤α*Es≤β*Ei
和其中在下面等式中根据下面等式计算的ΔEs-i小于或等于约0.3eV、小于或等于约0.25eV、小于或等于约0.2eV、小于或等于约0.15eV、小于或等于约0.1eV、或者小于或等于约0.05eV：
ΔEs-i＝Es-Ei
还分析了计算结果以确定模拟的初始粘着概率，在本实例中，该初始粘着概率被规定为在沉积到这样的表面上时镁在表面上的粘着概率，其产生具有约1nm的平均厚度的镁覆层。基于结果的分析，现已发现，至少在某些情况下，在其中解吸活化能(Edes)小于扩散活化能(Es)的约2倍和扩散活化能(Es)小于解离活化能(Ei)的约3倍的表面通常表现出小于约0.1的相对低的初始粘着概率。
不希望受任何特定理论的束缚，假定各种事件的活化能以及如上所述的这些活化能之间的各自关系通常将适用于如此表面，其中与表面的附加原子反应的活化能(Eb)大于解吸活化能(Edes)。对于与表面的附加原子反应的活化能(Eb)小于解吸活化能(Edes)的表面，假定附加原子在此类表面上的初始粘着概率通常将大于约0.1。
应当认识到，上述各种活化能被视为以任何能量单位，例如电子伏特(eV)测得的非负值。在这种情况下，上面讨论的与活化能有关的各种不等式和等式通常可适用于各种能量单位。
尽管上面已经讨论了各种活化能的模拟值，但是应当认识到，也可以使用各种技术来实验测量和/或推导这些活化能。可以用于此目的的技术和仪器的实例包括但不限于热解吸光谱、场离子显微镜(FIM)、扫描隧道显微镜(STM)、透射电子显微镜(TEM)和中子活化示踪扫描(NATS)。
通常，如果规定了表面和附加原子的一般组成和结构(如，通过实验测量和分析)，则可以通过进行量子化学模拟来推导本文所述的各种活化能。对于模拟，可以使用量子化学模拟，量子化学使用如下方法，诸如例如，单能量点、过度态、能量表面扫描和局部/全局能量最小值。各种理论，诸如例如，密度泛函理论(DFT)、哈特里克-福克(HF)、自洽场(SCF)和全组态相互作用(FCI)可以与这种模拟方法结合使用。可以认识到，可以通过检查初始态、过度态和最终态的相对能量来模拟各种事件，诸如扩散、解吸和成核。例如，过渡状态和初始状态之间的相对能量差通常可以提供与各种事件相关的活化能的相对准确的估计。
如本文使用的，术语“基本上地”、“基本上的”、“近似地”和“约”被用于表示和说明小的变化。当结合事件或状况使用时，该术语可以指的是事件或状况精确地发生的情况，以及事件或状况非常近似地发生的情况。例如，当结合数值使用时，该术语可以指的是该数值的小于或等于±10％的变化的范围，比如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％、或小于或等于±0.05％。例如，如果第一数值在小于或等于第二数值的±10％的变化范围内，比如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％，则可以认为第一数值与第二数值是基本上相同或约相同。
在一些实施方式的描述中，组件提供在另一个组件“上”或“之上”，或组件“覆盖”另一个组件可以涵盖前一个组件直接在后一个组件上(例如，物理接触)的情况，以及一个或多个介入组件位于前一个组件和后一个组件之间的情况。
另外地，量、比率和其它数值有时以范围格式在本文呈现。可以理解出于便利和简略使用这样的范围格式，并且应当灵活地理解为不仅包括明确规定为范围的界限的数值，而且包括在该范围内涵盖的所有个体数值或子范围，如同明确地规定每个数值或子范围。
虽然已经参考某些具体的实施方式描述了本公开内容，但是其多种修改对本领域技术人员是明显的。仅出于说明本公开内容的某些方面的目的包括本文提供的任何实例，并且并不意欲以任何方式限制本公开内容。本文提供的任何附图仅出于说明本公开内容的某些方面的目的，并且可以不按比例绘制和不以任何方式限制本公开内容。所附的权利要求的范围不应当由在上面的描述中陈述的具体的实施方式限制，而是应当作为整体给予与本公开内容一致的其完整的范围。本文引用的所有文件的公开内容均通过引用以其全部并入本文。

Claims (33)

1.一种光电子器件，包括：
成核抑制涂层(NIC)，所述成核抑制涂层设置在所述器件的侧面朝向的第一部分中；和
导电涂层，所述导电涂层包含沉积材料并且设置在所述器件的所述侧面朝向的第二部分中，其中所述第二部分基本上没有所述NIC；
其中：
所述第一部分基本上没有所述沉积材料的封闭涂层；并且
所述NIC包含化合物，所述化合物包含以下中的至少一者：氟和含氟基团。
2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述含氟基团是氟烷基基团。
3.根据权利要求2所述的光电子器件，其中所述氟烷基基团选自以下中的至少一者：氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基和多氟乙基。
4.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述含氟基团选自以下中的至少一者：氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、多氟苯基、氟联苯基、二氟联苯基、三氟联苯基和多氟联苯基。
5.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述化合物包含核部分和与所述核部分键合的至少一个末端部分。
6.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述核部分包含以下中的至少一者：杂环部分、金属原子、氮原子、氧原子、磷原子、环烃部分、取代的烷基、未取代的烷基、环炔基、烯基、炔基、芳基、芳基烷基、杂环部分、环醚部分、杂芳基、芴部分和甲硅烷基。
7.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述末端部分包含替代其至少一个氢原子的至少一个取代基，并且所述至少一个取代基中的至少一个取代基包含以下中的至少一者：氟和含氟基团。
8.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述末端部分包含联苯基部分。
9.根据权利要求8所述的光电子器件，其中所述联苯基部分由选自以下中的至少一者的结构表示：(I-a)、(I-b)和(I-c)：
并且其中：
Ra和Rb中的至少一者存在于所述结构中；
所述Ra和Rb中的至少一者表示至少一个取代基，所述至少一个取代基独立地选自以下中的至少一者：氘、氟、烷基、C1-C4烷基、环烷基、芳基烷基、甲硅烷基、芳基、杂芳基和氟烷基；
Ra，如果存在，表示选自以下的取代：单取代、二取代、三取代和四取代，并且
Rb，如果存在，表示选自以下的取代：单取代、二取代、三取代、四取代和五取代。
10.根据权利要求9所述的光电子器件，其中所述至少一个取代基独立地选自以下中的至少一者：甲基、乙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、叔丁基苯基、联苯基、甲基联苯基、二甲基联苯基、三甲基联苯基、叔丁基联苯基、氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、多氟苯基、氟联苯基、二氟联苯基、三氟联苯基和多氟联苯基。
11.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述末端部分包含苯基部分。
12.根据权利要求11所述的光电子器件，其中所述苯基部分由结构(I-d)表示：
并且其中：
Rc，如果存在，表示至少一个取代基，具有选自以下的取代：单取代、二取代、三取代、四取代和五取代，所述至少一个取代基选自以下中的至少一者：氘、氟、烷基、C1-C4烷基、环烷基、甲硅烷基和氟烷基。
13.根据权利要求12所述的光电子器件，其中所述至少一个取代基选自以下中的至少一者：甲基、乙基、叔丁基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基和多氟乙基。
14.根据权利要求12所述的光电子器件，其中所述化合物包含各自由结构(I-d)表示的两个末端部分，所述末端部分中的每个末端部分被至少一个氟烷基基团取代，并且其中所述核部分是亚芳基部分。
15.根据权利要求14所述的光电子器件，其中所述化合物包含第三末端部分，所述第三末端部分包含以下中的一者：烷基部分、芴部分、亚苯基部分和杂环部分。
16.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述末端部分包含叔丁基苯基部分。
17.根据权利要求16所述的光电子器件，其中所述叔丁基苯基部分由选自以下中的至少一者的结构表示：(I-e)、(I-f)和(I-g)：
并且其中：
Rf，如果存在，表示至少一个取代基，具有选自单取代、二取代、三取代和四取代的取代，所述至少一个取代基选自以下中的至少一者：氘、氟、烷基、C1-C4烷基、环烷基、芳基烷基、甲硅烷基、芳基、杂芳基和氟烷基。
18.根据权利要求17所述的光电子器件，其中所述至少一个取代基选自以下中的至少一者：甲基、乙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、叔丁基苯基、联苯基、甲基联苯基、二甲基联苯基、三甲基联苯基、叔丁基联苯基、氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、多氟苯基、氟联苯基、二氟联苯基、三氟联苯基和多氟联苯基。
19.根据权利要求18所述的光电子器件，其中叔丁基、叔丁基苯基和叔丁基联苯基中的任一者的甲基基团被以下中的一者替代：氘代甲基和氟。
20.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述末端部分包含由结构(I-h)表示的部分：
并且其中：
X11至X15和X21至X25独立地选自C、CH和N，
Rd和Re中的至少一者存在于所述结构中；
所述Rd和Re中的至少一者表示至少一个取代基，所述至少一个取代基独立地选自以下中的至少一者：氘、氟、烷基、C1-C4烷基、环烷基、芳基烷基、甲硅烷基、芳基、杂芳基和氟烷基，
Rd，如果存在，表示选自以下的取代：单取代、二取代、三取代、四取代和五取代，并且
Re，如果存在，表示选自以下的取代：单取代、二取代、三取代和四取代。
21.根据权利要求20所述的光电子器件，其中所述至少一个取代基独立地选自以下中的至少一者：甲基、乙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、叔丁基苯基、联苯基、甲基联苯基、二甲基联苯基、三甲基联苯基、叔丁基联苯基、氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、多氟苯基、氟联苯基、二氟联苯基、三氟联苯基和多氟联苯基。
22.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述末端部分包含选自以下中的至少一者的多环芳族部分：芴部分和亚苯基部分。
23.根据权利要求22所述的光电子器件，其中所述多环芳族部分选自以下中的至少一者：螺二芴部分、三亚苯部分、二苯基芴部分、二甲基芴部分和二氟芴部分。
24.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述至少一个末端部分经由连接基团键合到所述核部分。
25.根据权利要求24所述的光电子器件，其中所述连接基团选自以下中的至少一者：氧原子、硫原子、环烃部分和无环烃部分。
26.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述成核抑制涂层包含聚合物材料。
27.根据权利要求26所述的光电子器件，其中所述聚合物材料是含氟聚合物。
28.根据权利要求27所述的光电子器件，其中所述含氟聚合物选自以下中的至少一者：全氟化聚合物、聚四氟乙烯(PTFE)、聚乙烯基联苯、聚乙烯基咔唑(PVK)和至少一种聚合的多环芳族化合物。
29.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述导电涂层的与所述第一部分相邻的边缘具有至少约20°、50°、90°和100°之一的接触角。
30.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述导电涂层的厚度朝向所述导电涂层的与所述第一部分相邻的边缘逐渐减小。
31.根据权利要求30所述的光电子器件，其中所述导电涂层随着与所述导电涂层的所述边缘相邻的凸形轮廓和凹形轮廓中的一者而渐缩。
32.一种光电子器件，包括：
发射区，所述发射区包括：第一电极、导电涂层和在所述第一电极和所述导电涂层之间半导电层；和
透光区，所述透光区基本上不含所述导电涂层。
33.一种光电子器件，包括：
至少一个岛，所述至少一个岛设置在所述器件的侧向朝向的第一部分的表面上；和
导电涂层，所述导电涂层包含在所述器件的所述侧向朝向的第二部分中的导电材料；
其中所述至少一个岛由导电涂层材料形成。
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