CN112054048A - 透光显示模组、显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种透光显示模组、显示面板及其制备方法，透光显示模组包括：衬底，像素定义层，位于衬底上，像素定义层包括隔离结构及由隔离结构围合形成的像素开口；成核抑制层，位于像素定义层背离衬底的一侧，成核抑制层包括多个抑制单元，抑制单元在像素定义层上的第一正投影覆盖至少部分隔离结构，且至少部分的抑制单元相互不连续设置；第一公共电极，位于像素定义层背离衬底的一侧，且第一公共电极在像素定义层上的第二正投影覆盖除第一正投影以外的至少部分区域。本发明实施例的透光显示模组中，在不影响透光显示模组正常显示的情况下，能够提高透光显示模组的透光率，便于感光组件在透光显示模组的一侧实现屏下集成。

Description

透光显示模组、显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示领域，具体涉及一种透光显示模组、显示面板及其制备方法。
背景技术
随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。
传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等。现有技术中，可通过在显示屏上开槽(Notch)或开孔，外界光线可通过屏幕上的开槽或开孔进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，例如其前置摄像头对应区域不能显示画面。
发明内容
本发明提供一种透光显示模组、显示面板及其制备方法，实现显示面板的至少部分区域可透光且可显示，便于感光组件的屏下集成。
本发明第一方面的实施例提供一种透光显示模组，透光显示模组包括：衬底，像素定义层，位于衬底上，像素定义层包括隔离结构及由隔离结构围合形成的像素开口；成核抑制层，位于像素定义层背离衬底的一侧，成核抑制层包括多个抑制单元，抑制单元在像素定义层上的第一正投影覆盖至少部分隔离结构，且至少部分的抑制单元相互不连续设置；第一公共电极，设置于像素定义层背离衬底的一侧，且第一公共电极在像素定义层上的第二正投影覆盖除第一正投影以外的至少部分区域。
根据本发明第一方面的实施例，第一公共电极包括本体部及贯穿本体部且相互间隔设置的多个镂空部，镂空部在透光显示模组厚度方向上的正投影覆盖至少部分隔离结构在厚度方向上的正投影，抑制单元位于镂空部。
根据本发明第一方面的实施例，第一公共电极的材料包括镁，且镁的重量占比大于或等于95％。
根据本发明第一方面的实施例，成核抑制层的厚度为10埃～100埃。
根据本发明第一方面的实施例，抑制单元的最小宽度大于或等于5μm。
根据本发明第一方面的实施例，抑制单元与像素开口之间的最小距离大于或等于10μm。
根据本发明第一方面的实施例，透光显示模组还包括：
第一像素组，包括第一类子像素和第二类子像素，多个第二类子像素环绕于第一类子像素的周侧分布；
抑制单元位于第一类子像素的周侧，且抑制单元位于相邻的两个第二类子像素之间。
根据本发明第一方面的实施例，一个第一类子像素的周侧环绕设置有四个第二类子像素和四个抑制单元。
根据本发明第一方面的实施例，第一类子像素为绿色子像素，第二类子像素包括红色子像素和蓝色子像素。
根据本发明第一方面的实施例，像素开口包括第一像素开口和第二像素开口；
第一类子像素包括第一发光结构和第一像素电极，第一发光结构位于第一像素开口，且第一发光结构位于第一公共电极朝向衬底的一侧，第一像素电极位于第一发光结构朝向衬底的一侧；
第二类子像素包括第二发光结构和第二像素电极，第二发光结构位于第二像素开口，且第二发光结构位于第一公共电极朝向衬底的一侧，第二像素电极位于第二发光结构的朝向衬底的一侧。
根据本发明第一方面的实施例，每个第一发光结构在衬底上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成，第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
根据本发明第一方面的实施例，每个第一像素电极在衬底上的正投影由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成，第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
根据本发明第一方面的实施例，每个第二发光结构在衬底上的正投影由一个第三图形单元组成或由两个以上第三图形单元拼接组成，第三图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
根据本发明第一方面的实施例，每个第二像素电极在衬底上的正投影由一个第四图形单元组成或由两个以上第四图形单元拼接组成，第四图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
本发明第二方面的实施例提供一种显示面板，显示面板具有第一显示区和第二显示区，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率，显示面板包括：上述第一方面任一实施例的透光显示模组，位于第一显示区。
根据本发明第二方面的实施例，显示面板还包括位于第二显示区的第二公共电极，第二公共电极包括镁银合金层。
根据本发明第二方面的实施例，镁银合金层的材料中，镁和银的重量比范围为1/15～1/9。
本发明第三方面的实施例还提供一种显示面板的制备方法，显示面板具有第一显示区和第二显示区，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率，方法包括：
在衬底上形成像素定义材料层，对像素定义材料层进行图案化处理形成像素定义层，像素定义层包括隔离结构及由隔离结构围合形成的像素开口；
在像素定义层背离衬底的一侧设置掩膜板，掩膜板具有掩模开口，掩模开口在像素定义层上的正投影覆盖至少部分隔离结构；
在第一显示区通过掩膜板形成成核抑制层，成核抑制层包括多个抑制单元，抑制单元在像素定义层上的第一正投影覆盖至少部分隔离结构；
在像素定义层背离衬底的一侧形成第一公共电极，第一公共电极在像素定义层上的第二正投影覆盖除第一正投影以外的至少部分区域。
根据本发明第三方面的实施例，在像素定义层背离衬底的一侧设置掩膜板之前，或者，像素定义层背离衬底的一侧形成第一公共电极的步骤之后，方法还包括：
在像素定义层背离衬底的一侧形成第二公共电极，第二公共电极形成于第二显示区。
根据本发明实施例的透光显示模组，透光显示模组包括像素定义层、成核抑制层和第一公共电极。成核抑制层的多个抑制单元在像素定义层上的第一正投影覆盖至少部分隔离结构，第一公共电极在像素定义层上的第二正投影覆盖除第一正投影以外的至少部分区域。抑制单元对应设置于至少部分隔离结构上，因此至少部分隔离结构上未设置第一公共电极。第一公共电极的分布面积小，能够提高透光显示模组的透光率。抑制单元未设置于像素开口，像素开口内设置有第一公共电极，不影响透光显示模组的正常显示。因此本发明实施例的透光显示模组中，在不影响透光显示模组正常显示的情况下，能够提高透光显示模组的透光率，便于感光组件在透光显示模组的一侧实现屏下集成。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
图1示出根据本发明一种实施例的显示面板的俯视示意图；
图2示出一种示例的图1中Q区域的局部放大图；
图3示出图2中A-A处的剖视图；
图4示出本发明实施例的显示面板中部分层结构的的示意图；
图5示出本发明实施例提供的一种显示面板制备方法的流程图；
图6至图12示出显示面板的成型过程图。
附图标记说明：
101、衬底；
100、像素定义层；110、隔离结构；120、像素开口；
200、成核抑制层；210、抑制单元；
300、第一公共电极；310、本体部；320、镂空部；
400、第一像素组；410、第一类子像素；411、第一像素电极；412、第一发光结构；420、第二类子像素；421、第二像素电极；422、第二发光结构；
500、第二公共电极。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
在诸如手机和平板电脑等电子设备上，需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器等感光组件。在一些实施例中，可以在上述电子设备上设置透光显示区，将感光组件设置在透光显示区背面，在保证感光组件正常工作的情况下，实现电子设备的全面屏显示。
在透光显示区内，为了具有较高的透光率，显示面板的透光区域的功能层的材料通常选用透光材料。例如透光区的阳极选用氧化铟锡(Indium Tin Oxide、ITO)材料制成。但是由于阴极的透光率较低，难以在保证显示效果的情况下，提高透光显示区的透光率。
为解决上述问题，本发明实施例提供了一种透光显示模组、显示面板及其制备方法，以下将结合附图对透光显示模组、显示面板及其制备方法的各实施例进行说明。
本发明第一方面的实施例提供一种显示装置，包括显示面板。显示装置可以但不仅限于为手机、平板电脑等电子设备。
显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板。
本发明第二方面的实施例提供一种显示面板，该显示面板可以用于上述的显示装置。
图1示出根据本发明一种实施例的显示面板的俯视示意图，图2示出一种示例的图1中Q区域的局部放大图。
根据本发明实施例提供的显示面板，显示面板包括第一显示区AA1和第二显示区AA2，第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率，即第一显示区AA1为透光显示区。
可选的，在另一些实施例中，显示面板还可以包括围绕第一显示区AA1、第二显示区AA2的非显示区NA。
第一显示区AA1的形状设置有多种，例如第一显示区AA1区为圆形、矩形或其他异形。第一显示区AA1区的设置位置有多种，例如第一显示区AA1位于显示面板顶部的中间区域，或者第一显示区AA1靠近显示面板的拐角区域等。
本文中，第一显示区AA1的透光率大于或等于15％。为确保第一显示区AA1的透光率大于15％，甚至大于40％，甚至具有更高的透光率，本实施例中第一显示区AA1的各个功能膜层的透光率均大于50％，甚至至少部分功能膜层的透光率均大于90％。
根据本发明实施例的显示面板100，第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率，使得显示面板100在第一显示区AA1的背面可以集成感光组件，实现例如摄像头的感光组件的屏下集成，同时第一显示区AA1能够显示画面，提高显示面板100的显示面积，实现显示装置的全面屏设计。
感光组件的设置方式有多种，在一些实施例中，感光组件可以不限于是图像采集装置，例如在一些实施例中，感光组件也可以是红外传感器、接近传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器等光传感器。此外，显示装置在显示面板的下表面还可以集成其它部件，例如是听筒、扬声器等。
在一些可选的实施例中，第一显示区AA1设置有透光显示模组，以提高第一显示区AA1的透光率。
请一并参阅图2和图3，图2为图1中Q处的局部放大结构示意图。图3是图2中A-A处的剖视图。图2中第一显示区AA1内设置有透光显示模组。图2和图3中以点划线示出第一显示区AA1和第二显示区AA2的分界线，点划线并不够成对本发明实施例显示面板结构上的限定。
根据本发明实施例提供一种透光显示模组，透光显示模组包括：衬底101，像素定义层100，位于衬底101上，像素定义层100包括隔离结构110及由隔离结构110围合形成的像素开口120；成核抑制层200，位于像素定义层100背离衬底101的一侧，包括多个抑制单元210，抑制单元210在像素定义层100上的第一正投影覆盖至少部分隔离结构110，且至少部分的抑制单元210相互不连续设置；第一公共电极300，位于像素定义层100背离衬底101的一侧，且第一公共电极300在像素定义层100上的第二正投影覆盖除第一正投影以外的至少部分区域。
根据本发明实施例的透光显示模组，透光显示模组包括像素定义层100、成核抑制层200和第一公共电极300。成核抑制层200的多个抑制单元210在像素定义层100上的第一正投影覆盖至少部分隔离结构110，第一公共电极300在像素定义层100上的第一正投影覆盖除第一正投影以外的至少部分区域。抑制单元210设置于至少部分隔离结构110上，因此至少部分隔离结构110上未设置第一公共电极300，能够降低透光显示模组内第一公共电极300的分布面积。第一公共电极300的分布面积减小，能够提高透光显示模组的透光率。抑制单元210未设置于像素开口120，像素开口120内设置有第一公共电极300，不影响透光显示模组的正常显示。因此本发明实施例的透光显示模组中，在不影响透光显示模组正常显示的情况下，能够提高透光显示模组的透光率，便于感光组件在透光显示模组的一侧实现屏下集成。
可选的，透光显示模组的成核抑制层200可以直接和像素定义层100接触，或者，成核抑制层200和像素定义层100之间设置有其他层结构。例如成核抑制层200和像素定义层100之间设置有载流子层等结构，本文中，载流子层指用于实现载流子(空穴或电子)的注入、传输、阻挡等功能的载流子相关膜层。在一些实施例中，载流子层可以包括空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、电子阻挡层(Electron Blocking Layer，EBL)、电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)、空穴阻挡层(Hole Blocking Layer，HBL)中的至少之一。第一公共电极300位于像素定义层100背离衬底101的一侧，第一公共电极300可以直接和像素定义层100的隔离结构接触，或者，第一公共电极300和像素定义层100之间设置有其他层结构，如上述的载流子层，但是可以理解的是，第一公共电极设置于发光层背离衬底的一侧，其中像素电极、发光层和公共电极形成发光器件，实现发光功能。
可选的，成核抑制层200例如为光学外耦合涂层。成核抑制层200可以选用蒸发(包括热蒸发和电子束蒸发)、光刻、印刷等方式选择性地沉积于隔离结构110上。
成核抑制层200的材料包括小分子有机化合物、聚合物、有机金属化合物和/或无机化合物和元素。成核抑制层200使得某些材料，例如镁不容易沉积在自身表面。例如当成核抑制层200的材料包括有机材料时，镁不容易沉积的成核抑制层200的表面。第一公共电极300的材料例如包括镁，成核抑制层200用于抑制第一公共电极300形成于其自身表面。即第一公共电极300被抑制形成于抑制单元210上，抑制单元210背离隔离结构110的表面不会形成第一公共电极300。当成核抑制层200形成于隔离结构110上后，继续将第一公共电极300形成于像素定义层100上时，第一公共电极300不会形成于抑制单元210上，因此至少部分隔离结构110上未被第一公共电极300覆盖。
请一并参阅图4，图4示出本发明实施例提供的一种显示面板的部分层结构示意图。
在一些可选的实施例中，第一公共电极300包括本体部310及贯穿本体部310且相互间隔设置的多个镂空部320，镂空部320在透光显示模组厚度方向上的正投影覆盖至少部分隔离结构110在厚度方向上的正投影，抑制单元210位于镂空部320。
在这些可选的实施例中，多个镂空部320间隔设置，令第一公共电极300能够通过相邻两个镂空部320之间本体部310形成连续的整层，不同像素开口120内的第一公共电极300相互连接。且第一公共电极300上设置有镂空部320，镂空部320内设置有抑制单元210，能够减小第一公共电极300的面积，提高透光模组的透光率。
第一公共电极300的材料包括镁，镁的重量占比大于或等于95％。第一公共电极300的材料中镁的成分占比较高，能够提高第一公共电极300的透光率。
在一些可选的实施例中，成核抑制层200的厚度为10埃～100埃。成核抑制层200的厚度在上述范围之内时，既能够保证成核抑制层200表面具有足够小的附着力，使得第一公共电极300不能够形成于抑制单元210的表面；还能够避免城核抑制层的厚度过大导致抑制单元210蔓延至非指定区域，扩大抑制单元210的覆盖面积。
抑制单元210的尺寸不做限定，只要抑制单元210位于隔离结构110，抑制单元210不位于像素开口120，不影响第一公共电极300形成于像素开口120内即可。可选的，抑制单元210的最小宽度大于或等于5μm。抑制单元210的面积较大，能够提高透光显示模组的透光率。
在一些可选的实施例中，抑制单元210与像素开口120之间的最小距离大于或等于10μm。抑制单元210与像素开口120之间的最小距离在上述范围之内，能够避免抑制单元210蔓延至像素开口120，使得第一公共电极300不能够形成于像素开口120而影响显示。
根据本发明实施例提供的显示面板，显示面板还包括位于第二显示区AA2的第二公共电极500，第二公共电极500包括镁银合金层。在本发明实施例的显示面板中，第二显示区AA2的第二公共电极500包括美银合金层，美银合金层具有良好的导电能力，能够改善第二显示区AA2的视角色偏和显示均一性。
镁银合金层的材料中，镁和银的重量比范围为1/15～1/9。
在一些可选的实施例中，透光显示模组还包括第一像素组400，第一像素组400包括第一类子像素410和第二类子像素420，多个第二类子像素420环绕于第一类子像素410的周侧分布。抑制单元210位于第一类子像素410的周侧，且抑制单元210位于相邻的两个第二类子像素420之间。
在这些可选的实施例中，抑制单元210设置于第一类子像素410的周侧，且位于相邻的两个第二类子像素420之间，抑制单元210的分布较为分散，能提高透光显示模组的透光率和第一公共电极300的过流能力。
可选的，多个第二类子像素420在第一类子像素410的周侧均匀分布。抑制单元210在第一类子像素410的周侧均匀分布。能够提高显示效果。
可选的，一个第一类子像素410的周侧环绕设置有四个第二类子像素420，四个第二类子像素420在第一类子像素410的周侧均匀分布。
可选的，第一类子像素410为绿色子像素，第二类子像素420包括红色子像素和蓝色子像素。
可选的透光显示模组包括多个第一像素组400，多个第一像素组400沿第一方向和第二方向阵列分布，且在第一方向上相邻的两个第一像素组400之间设置有第一类子像素410，在第二方向上相邻的两个第一像素组400之间设置有第一类子像素410，透光显示模组中的多个第一类子像素410沿第一方向和第二方向阵列分布。且在第一方向和第二方向上，红色子像素和蓝色子像素交替分布。
请继续参阅图2，显示面板包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素。多个第二类子像素420沿第一方向和第二方向阵列排布，即红色子像素和蓝色子像素位于同一行和同一列并沿第一方向和第二方向阵列排布。在沿第一方向的同一行中，红色子像素和蓝色子像素交替排布，在沿第二方向的同一列中，红色子像素和蓝色子像素交替分布。在第一方向依次排布的第一类子像素410位于相邻的两行第二类子像素420之间，即绿色子像素位于相邻的两行红色子像素和蓝色子像素之间。在第二方向依次排布的第一类子像素410位于相邻的两列第二类子像素420之间，即绿色子像素位于相邻的两列红色子像素和蓝色子像素之间。在第二显示区AA2，相邻的两个第二类子像素420之间设置有抑制单元210，即在第一方向上相邻的红色子像素和蓝色子像素之间设置有抑制单元210，在第二方向上相邻的红色子像素和蓝色子像素之间设置有抑制单元210。
在第一像素组400中，第一类子像素410和第二类子像素420的尺寸的设置方式有多种，例如第一类子像素410的尺寸小于第二类子像素420的尺寸。多个第二类子像素420的尺寸可以相同或不同。
在一些实施例中，透光显示模组还包括第一像素电路(图中未示出)，第一像素电路，第一像素电路与第一类子像素410或第二类子像素420电连接，用于驱动第一类子像素410或第二类子像素420显示。第一像素电路的数量可以是多个，并且分别对应电连接至对应的第一类子像素410和第二类子像素420。
在一些实施例中，第一像素电路的电路结构是2T1C电路、7T1C电路、7T2C电路、或9T1C电路中的任一种。本文中，“2T1C电路”指像素电路中包括2个薄膜晶体管(T)和1个电容(C)的像素电路，其它“7T1C电路”、“7T2C电路”、“9T1C电路”等依次类推。
在一些实施例中，显示面板100还可以包括第二像素电路，第二像素电路位于第二显示区AA2，第二像素电路与第二显示区AA2的子像素电连接，用于驱动第二显示区AA2的子像素显示。在一些实施例中，第二像素电路的电路结构、第三像素电路的电路结构分别可以是2T1C电路、7T1C电路、7T2C电路、或9T1C电路中的任一种。
在一些实施例中，透光显示模组还包括衬底101和器件层(图中未示出)。器件层位于衬底101上，第一像素电路位于器件层。像素定义层100位于器件层上。
衬底101可以采用玻璃、聚酰亚胺(Polyimide，PI)等透光材料制成。器件层可以包括用于驱动各子像素显示的像素电路。
像素定义层100的像素开口120包括第一像素开口和第二像素开口。可选的，当透光显示模组用于显示面板时，像素开口120包括位于第一显示区AA1的第一像素开口和第二像素开口。像素开口120还包括位于第二显示区AA2的第三像素开口。
第一类子像素410包括第一发光结构412和第一像素电极411，第一发光结构412位于第一像素开口，且第一发光结构412位于第一公共电极300朝向衬底101的一侧，第一像素电极411位于第一发光结构412朝向衬底101的一侧；第二类子像素420包括第二发光结构422和第二像素电极421，第二发光结构422位于第二像素开口120，且第二发光结构422位于第一公共电极300朝向衬底101的一侧，第二像素电极421位于第二发光结构422的朝向衬底101的一侧。
在这些可选的实施例中，第一像素电极411和第一公共电极300之间设置有第一发光结构412，第一像素电极411和第一公共电极300供电时能够驱动第一发光结构412发光。同理，第二像素电极421和第一公共电极300之间设置有第二发光结构422，第二像素电极421和第一公共电极300能够驱动第二发光结构422发光。抑制单元210位于隔离结构110，隔离结构110的部分表面上未设置第一公共电极300，不会影响第一发光结构412和第二发光结构422发光。
第一发光结构412和第二发光结构422分别可以包括OLED发光层，根据第一发光结构412和第二发光结构422的设计需要，各自还可以分别包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层或电子传输层中的至少一种。
在一些实施例中，第一像素电极411和/或第二像素电极421为透光电极。在一些实施例中，第一像素电极411和/或第二像素电极421包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)层或氧化铟锌层。在一些实施例中，第一像素电极411和/或第二像素电极421为反射电极，包括第一透光导电层、位于第一透光导电层上的反射层以及位于反射层上的第二透光导电层。其中第一透光导电层、第二透光导电层可以是ITO、氧化铟锌等，反射层可以是金属层，例如是银材质制成。第二像素电极421可以配置为与第一像素电极411采用相同的材质。
在一些实施例中，每个第一发光结构412在衬底101上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成，第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
在一些实施例中，每个第一像素电极411在衬底101上的正投影由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成，第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
在一些实施例中，每个第二发光结构422在衬底101上的正投影由一个第三图形单元组成或由两个以上第三图形单元拼接组成，第三图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
在一些实施例中，每个第二像素电极421在衬底101上的正投影由一个第四图形单元组成或由两个以上第四图形单元拼接组成，第四图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
示例性地，透光显示模组还可以包括封装层和位于封装层上方的偏光片和盖板，也可以直接在封装层上方直接设置盖板，无需设置偏光片，或者至少在第一显示区AA1的封装层上方直接设置盖板，无需设置偏光片，避免偏光片影响对应第一显示区AA1下方设置的感光元件的光线采集量，当然，第一显示区AA1的封装层上方也可以设置偏光片。
请一并参阅图5，图5示出本发明第四方面实施例提供的一种显示面板的制备方法的结构示意图。
本发明第四方面的实施例提供一种显示面板的制备方法，显示面板具有第一显示区AA1和第二显示区AA2，第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率，显示面板的制备方法包括：
步骤S501：在衬底101上形成像素定义材料层，对像素定义材料层进行图案化处理形成像素定义层100，像素定义层100包括隔离结构110及由隔离结构110围合形成的像素开口120。
步骤S502：在像素定义层100背离衬底101的一侧设置掩膜板600，掩膜板600具有掩模开口610，掩模开口610在像素定义层100上的正投影覆盖至少部分隔离结构110。
步骤S503：在第一显示区AA1通过掩膜板600形成成核抑制层200，成核抑制层200包括多个抑制单元210，抑制单元210在像素定义层100上的第一正投影覆盖至少部分隔离结构110。
步骤S504：在像素定义层100背离衬底101的一侧形成第一公共电极300，第一公共电极300在像素定义层100上的第二正投影覆盖除第一正投影以外的至少部分区域。
利用本发明实施例的显示面板的制备方法制造成型的显示面板，成核抑制层200的多个抑制单元210位于至少部分隔离结构110，第一公共电极300位于除抑制单元210以外的至少部分区域。抑制单元210设置于至少部分隔离结构110上，因此至少部分隔离结构110上未设置第一公共电极300。第一公共电极300的分布面积小，能够提高透光显示模组的透光率。抑制单元210未设置于像素开口120，像素开口120内设置有第一公共电极300，不影响透光显示模组的正常显示。因此本发明实施例的透光显示模组中，在不影响透光显示模组正常显示的情况下，能够提高透光显示模组的透光率，便于感光组件在透光显示模组的一侧实现屏下集成。
可选的，在步骤S502之前或者步骤S504之后，显示面板的制备方法还包括：在像素定义层100背离衬底101的一侧形成第二公共电极500，第二公共电极500形成于第二显示区AA2。
第二公共电极500例如包括镁银合金层，能够保证第二公共电极500的导电能力，提高显示面板的显示效果。
以图3示出的显示面板为例，请一并参阅图6至图12，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：
步骤一：如图6所示，在阵列基板上形成第一像素电极411和第二像素电极421。阵列基板例如包括衬底101和器件层。
步骤二：如图7所示，在第一像素电极411和第二像素电极421上形成像素定义层100。像素定义层100包括隔离结构110和由隔离结构110围合形成的像素开口120。
步骤三：如图8所示，在像素开口120内形成发光结构。发光结构包括第一发光结构412和第二发光结构422。
步骤四：如图9所示，在像素定义层100上形成第二公共电极500。第二公共电极500位于第二显示区AA2。
步骤五：如图10所示，在像素定义层100上覆盖掩膜板600，掩膜板600具有掩模开口610，掩模开口610在像素定义层100上的正投影覆盖至少部分隔离结构110。
步骤六：如图11所示，利用蒸镀或者印刷等方式在第一显示区AA1形成成核抑制层200，成核抑制层200包括多个抑制单元210，抑制单元210通过掩模开口610形成于隔离结构110背离衬底101的一侧。
步骤七：如图12所示，在像素定义层100背离衬底101的一侧形成第一公共电极300，第一公共电极300在像素定义层100上的第二正投影覆盖除第一正投影以外的至少部分区域。
在另一些可选的实施例中，当第一公共电极300和第二公共电极500的材料相同时，在步骤三之后还可以直接进行步骤六形成成核抑制层200，然后利用相同的步骤形成第一公共电极300和第二公共电极500。
依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种透光显示模组，其特征在于，包括：
衬底；
像素定义层，位于所述衬底上，所述像素定义层包括隔离结构及由所述隔离结构围合形成的像素开口；
成核抑制层，位于所述像素定义层背离所述衬底的一侧，所述成核抑制层包括多个抑制单元，所述抑制单元在所述像素定义层上的第一正投影覆盖至少部分所述隔离结构，且至少部分的所述抑制单元相互不连续设置；
第一公共电极，位于所述像素定义层背离所述衬底的一侧，且所述第一公共电极在所述像素定义层上的第二正投影覆盖除所述第一正投影以外的至少部分区域。
2.根据权利要求1所述的透光显示模组，其特征在于，所述第一公共电极包括本体部及贯穿所述本体部且相互间隔设置的多个镂空部，所述镂空部在所述透光显示模组厚度方向上的正投影覆盖至少部分所述隔离结构在所述厚度方向上的正投影，所述抑制单元位于所述镂空部。
3.根据权利要求1所述的透光显示模组，其特征在于，所述第一公共电极的材料包括镁，且所述镁的重量占比大于或等于95％。
4.根据权利要求1所述的透光显示模组，其特征在于，
所述成核抑制层的厚度为10埃～100埃；
优选的，所述抑制单元的最小宽度大于或等于5μm；
优选的，所述抑制单元与所述像素开口之间的最小距离大于或等于10μm。
5.根据权利要求1所述的透光显示模组，其特征在于，所述透光显示模组还包括：
第一像素组，包括第一类子像素和第二类子像素，多个所述第二类子像素环绕于所述第一类子像素的周侧分布；
所述抑制单元位于所述第一类子像素的周侧，且所述抑制单元位于相邻的两个所述第二类子像素之间；
优选的，一个所述第一类子像素的周侧环绕设置有四个所述第二类子像素和四个所述抑制单元；
优选的，所述第一类子像素为绿色子像素，所述第二类子像素包括红色子像素和蓝色子像素。
6.根据权利要求5所述的透光显示模组，其特征在于，
所述像素开口包括第一像素开口和第二像素开口；
所述第一类子像素包括第一发光结构和第一像素电极，所述第一发光结构位于所述第一像素开口，且所述第一发光结构位于所述第一公共电极朝向所述衬底的一侧，所述第一像素电极位于所述第一发光结构朝向所述衬底的一侧；
所述第二类子像素包括第二发光结构和第二像素电极，所述第二发光结构位于所述第二像素开口，且所述第二发光结构位于所述第一公共电极朝向所述衬底的一侧，所述第二像素电极位于所述第二发光结构的朝向所述衬底的一侧；
优选地，每个所述第一发光结构在所述衬底上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成，所述第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个；
优选地，每个所述第一像素电极在所述衬底上的正投影由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成，所述第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个；
优选地，每个所述第二发光结构在所述衬底上的正投影由一个第三图形单元组成或由两个以上第三图形单元拼接组成，所述第三图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个；
优选地，每个所述第二像素电极在所述衬底上的正投影由一个第四图形单元组成或由两个以上第四图形单元拼接组成，所述第四图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率，所述显示面板包括：
权利要求1-6任一项所述的透光显示模组，位于所述第一显示区。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第二显示区的第二公共电极，所述第二公共电极包括镁银合金层；
优选的，所述镁银合金层的材料中，镁和银的重量比范围为1/15～1/9。
9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板具有第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率，所述方法包括：
在衬底上形成像素定义材料层，对所述像素定义材料层进行图案化处理形成像素定义层，所述像素定义层包括隔离结构及由所述隔离结构围合形成的像素开口；
在所述像素定义层背离所述衬底的一侧设置掩膜板，所述掩膜板具有掩模开口，所述掩模开口在所述像素定义层上的正投影覆盖至少部分所述隔离结构；
在所述第一显示区通过所述掩膜板形成成核抑制层，所述成核抑制层包括多个抑制单元，所述抑制单元在所述像素定义层上的第一正投影覆盖至少部分所述隔离结构；
在所述像素定义层背离所述衬底的一侧形成第一公共电极，所述第一公共电极在所述像素定义层上的第二正投影覆盖除所述第一正投影以外的至少部分区域。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述像素定义层背离所述衬底的一侧设置掩膜板之前，或者，所述像素定义层背离所述衬底的一侧形成第一公共电极的步骤之后，所述方法还包括：
在所述像素定义层背离所述衬底的一侧形成第二公共电极，所述第二公共电极形成于所述第二显示区。
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