CN111009619B - 透光显示面板及其制作方法、显示面板 - Google Patents
透光显示面板及其制作方法、显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111009619B CN111009619B CN201911347534.0A CN201911347534A CN111009619B CN 111009619 B CN111009619 B CN 111009619B CN 201911347534 A CN201911347534 A CN 201911347534A CN 111009619 B CN111009619 B CN 111009619B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- display panel
- electrode layer
- layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种透光显示面板及其制作方法、显示面板。透光显示面板包括:阵列基板;以及发光元件层,位于阵列基板上,发光元件层包括第一电极、位于第一电极上的第一发光结构以及位于第一发光结构上的第二电极层,其中,第二电极层上散布有大小不均等的多个通孔,每个通孔在透光显示面板的厚度方向上贯穿第二电极层。根据本发明实施例的透光显示面板,提高第二电极层的整体透光率,改善透光显示面板对光线的衍射现象。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种透光显示面板及其制作方法、显示面板。
背景技术
高屏占比是智能电子产品的最新发展方向。为了提高屏占比,电子产品正面的多种传感器需要集成到透光显示面板下方。目前指纹识别、听筒等器件已经能够较好地集成到透光显示面板的下方,但是电子产品的前摄像头的集成仍不能较好地解决。
针对前摄像头的集成,目前的解决方案是在透光显示面板上对应摄像头的位置进行挖槽或打孔,然而会造成透光显示面板挖槽或打孔区域不能显示信息的问题。
发明内容
本发明提供一种透光显示面板及其制作方法、显示面板,能够在透光显示面板的感光组件集成区域实现显示。
第一方面,本发明实施例提供一种透光显示面板,其包括:阵列基板;以及发光元件层,位于阵列基板上,发光元件层包括第一电极、位于第一电极上的第一发光结构以及位于第一发光结构上的第二电极层,其中,第二电极层上散布有大小不均等的多个通孔,每个通孔在透光显示面板的厚度方向上贯穿第二电极层。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,发光元件层还包括像素定义层,像素定义层包括第一像素开口,每个第一像素开口容纳对应的第一发光结构,其中,通孔在阵列基板上的正投影轮廓与第一像素开口在阵列基板上的正投影轮廓不相交叠。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,通孔在阵列基板上的正投影轮廓为圆形、椭圆形、波浪形、葫芦形、哑铃形、或多边形。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,第二电极层为镁银合金层。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,通孔为圆孔,圆孔的半径为4微米至15微米。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,多个通孔的位置及尺寸与以透光显示面板作为衍射屏得到的衍射图案的光强分布位置及光强大小相匹配。
第二方面,本发明实施例提供一种显示面板,显示面板具有第一显示区以及第二显示区,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,其中第一显示区被配置为根据前述任一实施方式的透光显示面板。
第三方面,本发明实施例提供一种透光显示面板的制作方法,其包括:提供阵列基板;在阵列基板上形成第一电极;在阵列基板上形成图案化的像素定义层,像素定义层包括与第一电极位置对应的第一像素开口,第一像素开口暴露对应第一电极的至少部分;在第一电极上形成第一发光结构;以及在第一发光结构上以及像素定义层上形成图案化的第二电极层,其中,图案化的第二电极层上散布有大小不均等的多个通孔,每个通孔在透光显示面板的厚度方向上贯穿第二电极层。
根据本发明第三方面的前述任一实施方式,在第一发光结构上以及像素定义层上形成图案化的第二电极层包括:以透光显示面板作为衍射屏得到衍射图案;根据衍射图案的光强分布位置及光强大小获取多个通孔的位置及尺寸;以及根据多个通孔的位置及尺寸形成图案化的第二电极层。
根据本发明第三方面的前述任一实施方式,衍射图案为夫琅禾费衍射图案。
根据本发明第三方面的前述任一实施方式,在第一发光结构上以及像素定义层上形成图案化的第二电极层包括:在第一发光结构上以及像素定义层上形成未图案化的第二电极层;通过激光打孔在第二电极层上形成多个通孔。
根据本发明第三方面的前述任一实施方式,在第一发光结构上以及像素定义层上形成图案化的第二电极层包括:在像素定义层上散布形成图案化的多个非导电块,多个非导电块大小不均等;在第一发光结构以及像素定义层的背离阵列基板的表面蒸镀导电材料,导电材料的材料分子与非导电块的材料分子相互排斥,使得导电材料形成图案化的第二电极层。
根据本发明实施例的透光显示面板,第二电极层上具有多个通孔,每个通孔在透光显示面板的厚度方向上贯穿第二电极层,从而提高第二电极层的整体透光率,使得透光显示面板的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时透光显示面板能够显示画面,实现显示装置的全面屏设计。第二电极层上,多个通孔大小不均等地散布设置,降低透光显示面板在垂直于厚度方向的平面上结构图案的规则性,能够改善透光显示面板对光线的衍射现象,提高其背面所集成感光组件的成像效果。
在一些可选的实施例中,通孔在阵列基板上的正投影轮廓与第一像素开口在阵列基板上的正投影轮廓不相交叠,使得第二电极层的高透光率区域与发光区域相互避开,实现透光显示面板的更高透光率的同时,保证其仍然具有较高的显示效果。
在一些可选的实施例中,多个通孔的位置及尺寸与以透光显示面板作为衍射屏得到的衍射图案的光强分布位置及光强大小相匹配,即通过衍射图案的光斑分布情况获取更高精度的通孔位置及尺寸,能够更大限度改善透光显示面板对光线的衍射现象。
根据本发明实施例的显示面板,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,使得显示面板在第一显示区的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时第一显示区能够显示画面,提高显示面板的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
根据本发明实施例的透光显示面板的制作方法,在第一发光结构上以及像素定义层上形成图案化的第二电极层,其中,图案化的第二电极层上散布有大小不均等的多个通孔。多个通孔的存在能够提高能够提高第二电极层的整体透光率,进而提高制得的透光显示面板的透光性能。多个通孔大小不均等散布,能够改善制得的透光显示面板对光线的衍射现象。
在一些可选的实施例中,以透光显示面板作为衍射屏得到衍射图案,之后根据衍射图案的光强分布位置及光强大小获取多个通孔的位置及尺寸,能够获取与衍射光斑分布对应的更高精度的通孔位置及尺寸,能够更大限度改善制得的透光显示面板对光线的衍射现象。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显,其中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征,附图并未按照实际的比例绘制。
图1是根据本发明一种实施例提供的透光显示面板的俯视示意图;
图2是图1中A-A向的剖面图;
图3是对本发明一种实施例提供的透光显示面板进行衍射检测的衍射光斑能量分布图;
图4是一种对比例提供的透光显示面板的俯视示意图;
图5是对一种对比例提供的透光显示面板进行衍射检测的衍射光斑能量分布图;
图6是根据本发明实施例提供的一种透光显示面板的制作方法的流程图;
图7是根据本发明实施例提供的一种透光显示面板的制作方法中在第一发光结构上以及像素定义层上形成图案化的第二电极层步骤的流程图;
图8是根据本发明一种实施例提供的显示面板的俯视示意图;
图9是图8中Q区域的局部放大图;
图10是图9中B-B向的剖面图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本发明进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明,并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在诸如手机和平板电脑等电子设备上,需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器等感光组件。例如,可以在上述电子设备上设置透光显示区,将感光组件设置在透光显示区背面,在保证感光组件正常工作的情况下,实现电子设备的全面屏显示。
透光显示区中,例如阳极、导线等图案化结构会使光线产生衍射现象,衍射现象直接造成了感光组件获取图像质量的下降,多级次衍射光斑进入感光组件并被感光组件捕获,导致了图像分辨率和对比度的下降。
为解决上述问题,本发明实施例提供了一种透光显示面板及其制作方法、显示面板,以下将结合附图对透光显示面板及其制作方法、显示面板的各实施例进行说明。
本发明实施例提供一种透光显示面板,该透光显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板。
本文中,“透光显示面板”指显示面板的透光率大于等于15%。为确保透光显示面板的透光率大于15%,甚至大于40%,甚至具有更高的透光率,本发明实施例中透光显示面板的至少部分功能膜层的透光率大于80%,甚至至少部分功能膜层的透光率大于90%。
图1是根据本发明一种实施例提供的透光显示面板的俯视示意图,图2是图1中A-A向的剖面图。透光显示面板100包括阵列基板110以及位于阵列基板110上的发光元件层120。
在一些实施例中,阵列基板110包括衬底111以及位于衬底111上的器件层112。发光元件层120位于器件层112上。
衬底111可以采用玻璃、聚酰亚胺(Polyimide,PI)等透光材料制成。器件层112可以包括用于驱动各子像素显示的像素电路,器件层112可以配置为透明层结构。
发光元件层130用于形成多个第一发光元件SP1。发光元件层120包括第一电极121、位于第一电极121上的第一发光结构122以及位于第一发光结构122上的第二电极层123。第一电极121、第二电极层123中的一个为阳极、另一个为阴极。本实施例中,以第一电极121是阳极、第二电极层123是阴极为了进行说明,每个第一电极121与对应的第一发光结构122以及该第一发光结构122对应区域的第二电极层123形成第一发光元件SP1,第一发光元件SP1例如是OLED发光元件。
在一些实施例中,第二电极层123上散布有大小不均等的多个通孔TH,每个通孔TH在透光显示面板100的厚度方向上贯穿第二电极层123。
根据本发明实施例的透光显示面板100,第二电极层123上具有多个通孔TH,每个通孔TH在透光显示面板100的厚度方向上贯穿第二电极层123,从而提高第二电极层123的整体透光率。透光显示面板100的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时透光显示面板100能够显示画面,实现显示装置的全面屏设计。第二电极层123上,多个通孔TH大小不均等地散布设置,降低透光显示面板100在垂直于厚度方向的平面上结构图案的规则性,能够改善透光显示面板100对光线的衍射现象,提高其背面所集成感光组件的成像效果。
示例性地,透光显示面板100还可以包括封装层和位于封装层上方的偏光片和盖板,也可以直接在封装层上方直接设置盖板,无需设置偏光片,避免偏光片影响对应透光显示面板100下方设置的感光元件的光线采集量,当然,透光显示面板100的封装层上方也可以设置偏光片。
在一些实施例中,发光元件层120还包括像素定义层124。像素定义层124包括第一像素开口PP1,每个第一像素开口PP1容纳对应的第一发光结构122。其中,通孔TH在阵列基板110上的正投影轮廓与第一像素开口PP1在阵列基板110上的正投影轮廓不相交叠,使得第二电极层123的高透光率区域与发光区域相互避开,实现透光显示面板100的更高透光率的同时,保证其仍然具有较高的显示效果。
在一些实施例中,通孔TH在阵列基板110上的正投影轮廓为圆形、椭圆形、波浪形、葫芦形、哑铃形、或多边形。通过调整设计通孔TH的形状,能够进一步改善透光显示面板100的衍射。
例如在本实施例中,通孔TH为圆孔,其中圆孔的半径为4微米至15微米。
第一发光结构122可以包括发光层(Emitting Layer,EML),根据EML发光的颜色的不同,可以将形成的第一子像素SP1根据颜色不同分为多种。在一个示例中,第一子像素SP1包括发红光的第一子像素SP1、发绿光的第一子像素SP1以及发蓝光的第一子像素SP1,当然在其它示例中不限于此。根据第一发光结构122的设计需要,第一发光结构122还可以包括空穴注入层(Hole Inject Layer,HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)、电子注入层(Electron Inject Layer,EIL)或电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)中的至少一种。
在一些实施例中,第一电极121为为透光电极,其材质例如是氧化铟锡(IndiumTin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)等。
在一些实施例中,第一电极121为反射电极,包括第一透光导电层1211、位于第一透光导电层1211上的反射层1212以及位于反射层1212上的第二透光导电层1213。其中第一透光导电层1211、第二透光导电层1213可以是ITO、IZO等,反射层1212可以是金属层,例如是银材质制成。第二电极层123可以是镁银合金层。
在一些实施例中,多个通孔TH的位置及尺寸与以透光显示面板100作为衍射屏得到的衍射图案的光强分布位置及光强大小相匹配。其中,该衍射图案可以是通过以透光显示面板100作为衍射屏进行计算得到,也可以是通过以透光显示面板100作为衍射屏进行测验得到。
例如在一些实施方式中,通过以透光显示面板100作为衍射屏进行计算该衍射图案。该衍射图案可以是夫琅禾费衍射图案。根据夫琅禾费衍射公式,衍射光斑复振幅分布可以根据以下公式得到:
其中,t(x0-y0)为透光显示面板100的透过率函数;fx、fy为观察平面上的频率;x0、y0为透光显示面板100上坐标。
观察平面上衍射图案的光强分布信息可以通过以下公式得到:
I(x,y)=(A/λz)2|T(x/λz,y/λz)|2
其中,I(x,y)为观察平面上光强分布。
根据本发明实施例的透光显示面板100,多个通孔TH的位置及尺寸与以透光显示面板100作为衍射屏得到的衍射图案的光强分布位置及光强大小相匹配,即通过衍射图案的光斑分布情况获取更高精度的通孔TH位置及尺寸,能够更大限度改善透光显示面板100对光线的衍射现象。
图3是对本发明一种实施例提供的透光显示面板100进行衍射检测的衍射光斑能量分布图,图3示出了该透光显示面板100的一个局部的衍射光斑能量分布。
为清楚示出上述本发明一种实施例提供的透光显示面板100对衍射光板的优化效果,以下示出一种对比例进行说明。
图4是一种对比例提供的透光显示面板的俯视示意图,该透光显示面板100’的第二电极层123’不设有通孔,对比例透光显示面板100’的其它结构与上述本发明实施例的透光显示面板100的结构相同,例如对比例透光显示面板100’的第一像素开口PP1’与本发明实施例的透光显示面板100的第一像素开口PP1的排列方式、开口形状、开口大小等都相同。
图5是对一种对比例提供的透光显示面板进行衍射检测的衍射光斑能量分布图,图5示出了对比例提供的透光显示面板的一个局部的衍射光斑能量分布。
根据图3和图5。在对比例提供的透光显示面板的衍射光板能力分布图中,1级衍射光斑能量与零级衍射光斑能量的占比为1.9%,2级衍射光斑能量与零级衍射光斑能量的占比为0.87%、0.9%。而在前述实施例提供的透光显示面板的衍射光板能力分布图中,1级衍射光斑能量与零级衍射光斑能量的占比为0.3%,2级衍射光斑能量与零级衍射光斑能量的占比为0.23%。可见,通过在第二电极层123散布大小不均的多个通孔TH,降低透光显示面板100对光线的衍射效果,进一步提高透光显示面板100背面集成感光组件获取图像的质量。
根据本发明实施例的透光显示面板,可以在原有透光显示面板的基础上,在不变动或较小范围变动各第一电极之间的相对位置的情况下,能够极大降低透光显示面板对光线的衍射现象,从而保证显示效果。
本发明实施例还提供一种透光显示面板的制作方法,以下将以上述实施例的透光显示面板100的制作过程为例对该制作方法进行说明。
图6是根据本发明实施例提供的一种透光显示面板的制作方法的流程图,其中制作方法包括步骤S110至步骤S150。
在步骤S110中,提供阵列基板。提供阵列基板可以包括提供衬底以及在衬底上形成器件层。在一些实施例中,可以在衬底上形成缓冲层,之后在缓冲层上形成器件层。
在步骤S120中,在阵列基板上形成第一电极。在一些实施例中,将第一电极形成在器件层上,并且进行图案化。
在步骤S130中,在阵列基板上形成图案化的像素定义层,像素定义层包括与第一电极位置对应的第一像素开口,第一像素开口暴露对应第一电极的至少部分。
在步骤S140中,在第一电极上形成第一发光结构。
在步骤S150中,在第一发光结构上以及像素定义层上形成图案化的第二电极层。其中,图案化的第二电极层上散布有大小不均等的多个通孔,每个通孔在透光显示面板的厚度方向上贯穿第二电极层。
根据本发明实施例的透光显示面板的制作方法,多个通孔的存在能够提高能够提高第二电极层的整体透光率,进而提高制得的透光显示面板的透光性能。多个通孔大小不均等散布,能够改善制得的透光显示面板对光线的衍射现象。
图7是根据本发明实施例提供的一种透光显示面板的制作方法中在第一发光结构上以及像素定义层上形成图案化的第二电极层步骤的流程图。在一些实施例中,形成图案化的第二电极层的步骤又包括步骤S151至步骤S153。
在步骤S151中,以透光显示面板作为衍射屏得到衍射图案。其中,该衍射图案可以是通过以透光显示面板100作为衍射屏进行计算得到,也可以是通过以透光显示面板作为衍射屏进行测验得到。
例如在一些实施方式中,通过以透光显示面板100作为衍射屏进行计算该衍射图案。该衍射图案可以是夫琅禾费衍射图案。根据夫琅禾费衍射公式,衍射光斑复振幅分布可以根据以下公式得到:
其中,t(x0-y0)为透光显示面板的透过率函数;fx、fy为观察平面上的频率;x0、y0为透光显示面板上坐标。
观察平面上衍射图案的光强分布信息可以通过以下公式得到:
I(x,y)=(A/λz)2|T(x/λz,y/λz)|2
其中,I(x,y)为观察平面上光强分布。
在步骤S152中,根据衍射图案的光强分布位置及光强大小获取多个通孔的位置及尺寸。根据光斑光强分布位置和光强大小,反推出多个通孔的位置和大小。
在步骤S153中,根据多个通孔的位置及尺寸形成图案化的第二电极层。
根据本发明实施例的透光显示面板的制作方法,以透光显示面板作为衍射屏得到衍射图案,之后根据衍射图案的光强分布位置及光强大小获取多个通孔的位置及尺寸,能够获取与衍射光斑分布对应的更高精度的通孔位置及尺寸,能够更大限度改善制得的透光显示面板对光线的衍射现象。
形成图案化的第二电极层的具体工艺方式可以是多样的。根据多种通孔的位置和尺寸的方式,以及根据工艺加工能力,可以对图案化的方式进行适合条件的选取。以下将示例性地说明若干形成图案化的第二电极层的工艺方式。
在一些实施例中,上述的在第一发光结构上以及像素定义层上形成图案化的第二电极层的步骤可以包括:首先,在第一发光结构上以及像素定义层上形成未图案化的第二电极层;之后,通过激光打孔在第二电极层上形成多个通孔。
在一些实施例中,上述的在第一发光结构上以及像素定义层上形成图案化的第二电极层的步骤可以包括:首先,在像素定义层上散布形成图案化的多个非导电块,多个非导电块大小不均等,非导电块可以由透光材料制成;之后,在第一发光结构以及像素定义层的背离阵列基板的表面蒸镀导电材料,导电材料的材料分子与非导电块的材料分子相互排斥,使得导电材料形成图案化的第二电极层。
通过各方式在第二电极层上形成散布的大小不均等的多个通孔,能够提高第二电极层的整体透光率的同时,改善制得的透光显示面板对光线的衍射现象。
根据本发明实施例的透光显示面板的制作方法,可以在原有透光显示面板的基础上,在不变动或较小范围变动各第一电极之间的相对位置的情况下,能够极大降低透光显示面板对光线的衍射现象,从而保证显示效果。
本发明实施例还提供一种显示面板,该显示面板可以是OLED显示面板。以下将结合附图对本发明实施例的显示面板进行具体说明。
图8是根据本发明一种实施例提供的显示面板的俯视示意图,图9是图8中Q区域的局部放大图,图10示出图9中B-B向的剖面图。
如图8,显示面板1000具有第一显示区AA1以及第二显示区AA2,在一些实施例中,显示面板1000还包括围绕于第一显示区AA1、第二显示区AA2外周的非显示区NA。第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率,其中第一显示区AA1被配置为根据前述任一实施例的透光显示面板100。
本文中,优选第一显示区AA1的透光率大于等于15%。为确保显示面板1000的第一显示区AA1的透光率大于15%,甚至大于40%,甚至具有更高的透光率,本实施例中显示面板1000在第一显示区AA1的至少部分功能膜层的透光率均大于80%,甚至至少部分功能膜层的透光率均大于90%。
根据本发明实施例的显示面板1000,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率,使得显示面板1000在第一显示区AA1的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时第一显示区AA1能够显示画面,提高显示面板1000的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
显示面板1000包括阵列基板110以及位于阵列基板110上的发光元件层120。在一些实施例中,阵列基板110包括衬底111以及位于衬底111上的器件层112。发光元件层120位于器件层112上。
在第一显示区AA1,发光元件层120包括第一电极121、位于第一电极121上的第一发光结构122以及位于第一发光结构122上的第二电极层123。第一电极121、第二电极层123中的一个为阳极、另一个为阴极。本实施例中,以第一电极121是阳极、第二电极层123是阴极为了进行说明,每个第一电极121与对应的第一发光结构122以及该第一发光结构122对应区域的第二电极层123形成第一发光元件SP1,第一发光元件SP1例如是OLED发光元件。
第二电极层123上散布有大小不均等的多个通孔TH,每个通孔TH在透光显示面板100的厚度方向上贯穿第二电极层123,从而提高第二电极层123的整体透光率。第二电极层123上,多个通孔TH大小不均等地散布设置,降低显示面板100的第一显示区AA1在垂直于厚度方向的平面上结构图案的规则性,能够改善显示面板100的第一显示区AA1对光线的衍射现象,提高其背面所集成感光组件的成像效果。
在一些实施例中,发光元件层120还包括像素定义层124。像素定义层124包括第一像素开口PP1,每个第一像素开口PP1容纳对应的第一发光结构122。其中,通孔TH在阵列基板110上的正投影轮廓与第一像素开口PP1在阵列基板110上的正投影轮廓不相交叠,使得第二电极层123的高透光率区域与发光区域相互避开,实现透光显示面板100的更高透光率的同时,保证其仍然具有较高的显示效果。
在一些实施例中,发光元件层120还包括第三电极221、位于第三电极221上的第二发光结构222以及位于第二发光结构222上的第四电极层223。第三电极221、第二发光结构222以及第四电极层223位于第二显示区AA2。像素定义层124还包括第二像素开口PP2,每个第二像素开口PP2容纳对应的第二发光结构222。
第三电极221、第四电极层223中的一个为阳极、另一个为阴极。本实施例中,以第三电极221是阳极、第四电极层223是阴极为例进行说明,每个第三电极221与对应的第二发光结构222以及该第二发光结构222对应区域的第四电极层223形成第二发光元件SP2,第二发光元件SP2例如是OLED发光元件。
在一些实施例中,第二显示区AA2为有源矩阵驱动显示区,第二发光元件SP2通过各自对应的像素电路驱动显示。
在一些实施例中,第一电极121的材质及厚度与第三电极221的材质及厚度相同,第二电极层123的材质及厚度与第四电极层223的材质及厚度相同,使得第一显示区AA1的第一发光元件SP1的电极结构与第二显示区AA2的第二发光元件SP2的电极结构趋于一致,进而使得第一显示区AA1、第二显示区AA2的色坐标、同视角亮度趋于一致,提高显示面板1000显示的均一性。在一些实施例中,第二电极层123可以与第四电极层223互连为公共电极层。
根据本发明实施例的显示面板1000,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率,使得显示面板1000在第一显示区AA1的背面可以集成感光组件。感光组件可以是图像采集装置,用于采集外部图像信息。在一些实施例中,感光组件为互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像采集装置,在其它一些实施例中,感光组件也可以是电荷耦合器件(Charge-coupled Device,CCD)图像采集装置等其它形式的图像采集装置。可以理解的是,感光组件可以不限于是图像采集装置,例如在一些实施例中,感光组件也可以是红外传感器、接近传感器等光传感器。
根据本发明实施例的显示面板1000,能够实现例如图像采集装置的感光组件的屏下集成,同时第一显示区能够显示画面,提高显示面板的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
依照本发明如上文所述的实施例,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (11)
1.一种透光显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;以及
发光元件层,位于所述阵列基板上,所述发光元件层包括第一电极、位于所述第一电极上的第一发光结构以及位于所述第一发光结构上的第二电极层,
其中,所述第二电极层上散布有大小不均等的多个通孔,每个所述通孔在所述透光显示面板的厚度方向上贯穿所述第二电极层;
多个所述通孔的位置及尺寸与以所述透光显示面板作为衍射屏得到的衍射图案的光强分布位置及光强大小相匹配。
2.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,所述发光元件层还包括像素定义层,所述像素定义层包括第一像素开口,每个所述第一像素开口容纳对应的所述第一发光结构,其中,所述通孔在所述阵列基板上的正投影轮廓与所述第一像素开口在所述阵列基板上的正投影轮廓不相交叠。
3.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,所述通孔在所述阵列基板上的正投影轮廓为圆形、椭圆形、波浪形、葫芦形、哑铃形、或多边形。
4.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,所述第二电极层为镁银合金层。
5.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,所述通孔为圆孔,所述圆孔的半径为4微米至15微米。
6.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有第一显示区以及第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,其中所述第一显示区被配置为根据权利要求1至5任一项所述的透光显示面板。
7.一种透光显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供阵列基板;
在所述阵列基板上形成第一电极;
在所述阵列基板上形成图案化的像素定义层,所述像素定义层包括与所述第一电极位置对应的第一像素开口,所述第一像素开口暴露对应所述第一电极的至少部分;
在所述第一电极上形成第一发光结构;以及
在所述第一发光结构上以及所述像素定义层上形成图案化的第二电极层,其中,图案化的所述第二电极层上散布有大小不均等的多个通孔,每个所述通孔在所述透光显示面板的厚度方向上贯穿所述第二电极层;
多个所述通孔的位置及尺寸与以所述透光显示面板作为衍射屏得到的衍射图案的光强分布位置及光强大小相匹配。
8.根据权利要求7所述的透光显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一发光结构上以及所述像素定义层上形成图案化的第二电极层包括:
以所述透光显示面板作为衍射屏得到衍射图案;
根据所述衍射图案的光强分布位置及光强大小获取多个所述通孔的位置及尺寸;以及
根据多个所述通孔的位置及尺寸形成图案化的所述第二电极层。
9.根据权利要求8所述的透光显示面板的制作方法,其特征在于,所述衍射图案为夫琅禾费衍射图案。
10.根据权利要求7所述的透光显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一发光结构上以及所述像素定义层上形成图案化的第二电极层包括:
在所述第一发光结构上以及所述像素定义层上形成未图案化的第二电极层;
通过激光打孔在所述第二电极层上形成多个所述通孔。
11.根据权利要求7所述的透光显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一发光结构上以及所述像素定义层上形成图案化的第二电极层包括:
在所述像素定义层上散布形成图案化的多个非导电块,多个所述非导电块大小不均等;
在所述第一发光结构以及所述像素定义层的背离所述阵列基板的表面蒸镀导电材料,所述导电材料的材料分子与所述非导电块的材料分子相互排斥,使得所述导电材料形成图案化的所述第二电极层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911347534.0A CN111009619B (zh) | 2019-12-24 | 2019-12-24 | 透光显示面板及其制作方法、显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911347534.0A CN111009619B (zh) | 2019-12-24 | 2019-12-24 | 透光显示面板及其制作方法、显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111009619A CN111009619A (zh) | 2020-04-14 |
CN111009619B true CN111009619B (zh) | 2022-05-17 |
Family
ID=70117687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911347534.0A Active CN111009619B (zh) | 2019-12-24 | 2019-12-24 | 透光显示面板及其制作方法、显示面板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111009619B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4301112A1 (en) * | 2022-06-28 | 2024-01-03 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electronic device and manufacturing method for electronic device |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10270033B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-04-23 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
KR20230117645A (ko) | 2017-04-26 | 2023-08-08 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을포함하는 장치 |
CN110832660B (zh) | 2017-05-17 | 2023-07-28 | Oti照明公司 | 在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置 |
US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
KR20210149058A (ko) | 2019-03-07 | 2021-12-08 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 핵생성 억제 코팅물 형성용 재료 및 이를 포함하는 디바이스 |
US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
CN114097102B (zh) | 2019-06-26 | 2023-11-03 | Oti照明公司 | 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备 |
CN114342068A (zh) | 2019-08-09 | 2022-04-12 | Oti照明公司 | 包含辅助电极和分区的光电子装置 |
CN111883687B (zh) * | 2020-09-07 | 2022-08-30 | 云谷(固安)科技有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112271263B (zh) * | 2020-09-27 | 2022-04-19 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN112201761B (zh) * | 2020-10-13 | 2023-01-24 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示屏、显示装置及显示屏的制备方法 |
CN112310325B (zh) * | 2020-10-30 | 2022-08-23 | 合肥维信诺科技有限公司 | 透光显示模组、显示面板及透光显示模组的制备方法 |
KR20230116914A (ko) | 2020-12-07 | 2023-08-04 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 핵 생성 억제 코팅 및 하부 금속 코팅을 사용한 전도성 증착 층의 패턴화 |
CN113064516A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-02 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113451534B (zh) * | 2021-07-20 | 2023-06-09 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法 |
CN114464750B (zh) * | 2022-01-24 | 2023-07-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置 |
CN114512520B (zh) * | 2022-02-07 | 2024-01-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201929219A (zh) * | 2018-09-14 | 2019-07-16 | 中國大陸商雲谷(固安)科技有限公司 | 顯示面板、顯示屏及顯示終端 |
CN110017969A (zh) * | 2019-05-05 | 2019-07-16 | 清华大学 | 透明oled的参数确定方法和装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102337889B1 (ko) * | 2015-02-16 | 2021-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2019
- 2019-12-24 CN CN201911347534.0A patent/CN111009619B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201929219A (zh) * | 2018-09-14 | 2019-07-16 | 中國大陸商雲谷(固安)科技有限公司 | 顯示面板、顯示屏及顯示終端 |
CN110017969A (zh) * | 2019-05-05 | 2019-07-16 | 清华大学 | 透明oled的参数确定方法和装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4301112A1 (en) * | 2022-06-28 | 2024-01-03 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electronic device and manufacturing method for electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111009619A (zh) | 2020-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111009619B (zh) | 透光显示面板及其制作方法、显示面板 | |
CN110783485B (zh) | 透光显示面板、显示面板、制作方法、显示装置 | |
TWI723799B (zh) | 顯示基板、顯示面板及顯示裝置 | |
US11839092B2 (en) | Display substrate with display regions of differing light transmittance, display panel and display device | |
CN110783484B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN110783384B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20220208891A1 (en) | Pixel arrangement structure, display panel, and display device | |
CN111046599B (zh) | 像素排布优化方法、装置、透光显示面板和显示面板 | |
WO2022057436A1 (zh) | 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 | |
US20230083071A1 (en) | Light-transmitting display module, display panel and method for manufacturing the same | |
CN110838505B (zh) | 显示结构和显示装置 | |
CN111312755B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN110783385B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN110890477B (zh) | 透光显示面板及其制作方法、显示面板 | |
CN111029391B (zh) | 透光显示面板、显示面板及显示装置 | |
US11864432B2 (en) | Display substrate, display panel and display apparatus | |
CN210129515U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
TW201939733A (zh) | 陣列基板、顯示面板和顯示裝置 | |
CN113327941A (zh) | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法 | |
CN114497411A (zh) | 显示面板制造方法及显示面板 | |
TW202224180A (zh) | 有機發光顯示器與電子裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |