CN113327941A - 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，阵列基板具有第一显示区及第二显示区，第二显示区围绕至少部分第一显示区，阵列基板包括：衬底；驱动电路层，设置于衬底，驱动电路层包括位于第一显示区和第二显示区的金属层，且金属层在第一显示区的分布密度大于其在第二显示区的分布密度；吸光层，位于金属层背离衬底的一侧，吸光层包括位于第一显示区的第一吸光部，第一吸光部的材料包括吸光材料。本发明实施例的显示面板通过第一吸光部吸收光量，能够改善第一显示区和第二显示区的显示差异，提高显示面板的显示效果。

Description

阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

背景技术

随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。

传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等。现有技术中，可通过在显示屏上开槽(Notch)或开孔，外界光线可通过屏幕上的开槽或开孔进入位于屏幕下方的感光元件。或者可以通过设置透光区，将透光区的像素电路等金属设置于透光区的周侧，这就导致显示面板具有金属密度分布不同的绕线区和非绕线区，绕线区和非绕线区之间可能会存在显示界限，影响显示面板的显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，以提高显示面板的显示效果。

本发明第一方面的实施例提供一种显示面板，阵列基板具有第一显示区及第二显示区，第二显示区围绕至少部分第一显示区，阵列基板包括：衬底；驱动电路层，设置于衬底，驱动电路层包括位于第一显示区和第二显示区的金属层，且金属层在第一显示区的分布密度大于其在第二显示区的分布密度；吸光层，位于金属层背离衬底的一侧，吸光层包括位于第一显示区的第一吸光部，第一吸光部的材料包括吸光材料。

根据本发明第一方面的实施方式，吸光层包括位于第二显示区的第二吸光部，至少部分第二吸光部位于金属层和像素定义层之间，第二吸光部的材料包括吸光材料。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一吸光部的吸光度OD值为1～10。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，第二吸光部的吸光度OD值为1～10。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一吸光部和第二吸光部同层同材料制成；或者，第一吸光部的吸光度大于第二吸光部的吸光度。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，金属层背离衬底的表面具有凸起，凸起位于第二显示区。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，金属层包括设置于衬底的第二金属层及位于第二金属层背离衬底一侧的第一金属层；吸光层包括第一吸光层，第一吸光层位于第一金属层背离衬底的一侧。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，吸光层还包括第二吸光层，第二吸光层位于第一金属层和第二金属层之间。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，第二吸光层包括位于第一显示区的第三吸光部，至少部分第三吸光部位于第二金属层背离衬底的一侧，且第三吸光部包括吸光材料。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，第二吸光层还包括位于第二显示区的第四吸光部，至少部分第四吸光部位于第二金属层背离衬底的一侧，第四吸光部的材料包括吸光材料。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，凸起设置于第一金属层。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，第二吸光层包括位于第二显示区的第一连接通孔，且至少部分第二吸光层的表面设置有第一凸部，第一凸部位于第二显示区；

第一金属层包括和第一连接通孔对应设置的第一金属连接部，第一金属层的凸起形成于第一凸部上。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，第二金属层背离所述衬底的表面具有凸起。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括位于第二金属层朝向衬底一侧的绝缘层，绝缘层包括位于第二显示区的第二连接通孔，且至少部分绝缘层的表面形成有第二凸部，第二凸部位于第二显示区；

第二金属层包括和第二连接通孔对应设置的第二金属连接部，第二金属层的凸起形成于第二凸部上。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，吸光层包括金属层背离衬底层一侧的像素定义层，像素定义层包括位于第一显示区的第一像素定义部和位于第二显示区的第二像素定义部，第一像素定义部的材料包括吸光材料。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一吸光部在衬底上形成第一投影；

位于第一显示区的部分金属层在衬底上形成第二投影，第二投影位于第一投影之内。

根据本发明第一方面前述任一实施方式，第二投影和第一投影重叠。

本发明第二方面的实施例提供一种显示面板，其包括上述任一第一方面的实施方式的显阵列基板。

本发明第三方面的实施例提供一种阵列基板的制备方法，阵列基板具有第一显示区及第二显示区，第二显示区围绕至少部分第一显示区，制备方法包括：

提供衬底；

在衬底上形成金属层，金属层在第一显示区的分布密度大于其在第二显示区的分布密度；

在金属层上形成第一吸光部，第一吸光部的材料包括吸光材料。

根据本发明第三方面的实施方式，金属层包括第一金属层和第二金属层，在衬底上形成金属层的步骤中：

在衬底上形成第二金属层；

在第二金属层上形成第二吸光层，对第二吸光层进行图案化处理，以在第二吸光层上形成位于第二显示区的第一连接通孔及第一凸部；

在第二吸光层上形成第一金属层，第一金属层包括位于连接通孔的第一金属连接部和位于第一凸部上的凸起。

根据本发明实施例的阵列基板，阵列基板包括衬底和设置于衬底驱动电路层和吸光层。驱动电路层包括金属层，金属层在在第一显示区的分布密度大于其在第二显示区的分布密度，当阵列基板用于显示面板时，第一显示区的金属层和第二显示区的金属层反射光量不同，使得显示面板在第一显示区和第二显示区之间出现显示不均。金属层背离衬底的一侧设置有吸光层，吸光层包括在第一显示区的第一吸光部，第一吸光部的材料包括吸光材料，使得第一吸光部能够吸收部分照射至金属层的自然光以及金属层的反射光，从而能够减少第一显示区的金属层的反射光量。因此本发明实施例的阵列基板通过第一吸光部吸收光量，能够使得第二显示区和第一显示区的金属层的反射光量接近，改善第一显示区和第二显示区的显示差异，提高显示面板的显示效果。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1是本发明第一方面实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；

图2示出一种示例中图1中Q区域的局部放大图；

图3示出一种示例中图2中A-A处剖视图；

图4示出一种示例中图2中B-B处剖视图；

图5示出又一种示例中图2中B-B处剖视图；

图6示出再一种示例中图2中B-B处剖视图；

图7示出还一种示例中图2中B-B处剖视图；

图8是本发明第二方面实施例提供的一种实施例的显示装置的俯视示意图；

图9示出图8中D-D向的剖面图；

图10是本发明第三方面实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图；

图11是本发明第三方面又一实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图；

图12至图17是本发明第三方面实施例提供的一种显示面板的制备过程示意图。

附图标记说明：

100、显示面板；

110、第一子像素；111、第一发光结构；112、第一电极；113、第二电极；

120、过渡子像素；121、过渡发光结构；122、第五电极；123、第六电极；

130、第二子像素；131、第二发光结构；132、第三电极；133、第四电极；

140、第一像素电路；

150、衬底；

160、像素定义层；161、本体部；162、像素开口；K1、第一像素开口；K2、第二像素开口；K3、第三像素开口；

170、驱动电路层；170a、凸起；171、第一金属层；171a、第一金属连接部；172、第二金属层；172a、第二金属连接部；

180、吸光层；181、第一吸光层；181a、第一吸光部；181b、第二吸光部；182、第二吸光层；182a、第三吸光部；182b、第四吸光部；182c、第一连接通孔；182d、第一凸部；

190、绝缘层；191、第二连接通孔；192、第二凸部；

200、感光组件；

AA1、第一区；TA、第一显示区；AA2、第二显示区；NA、非显示区。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

在诸如手机和平板电脑等电子设备上，需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器等感光组件。在一些实施例中，可以在上述电子设备上设置透光显示区，将感光组件设置在透光显示区背面，在保证感光组件正常工作的情况下，实现电子设备的全面屏显示。

为提高透光显示区的透光率，通常会将透光显示区内子像素对应的驱动电路置于与透光显示区相邻的绕线区内，这就会导致绕线区内像素电路的个数较多，绕线区内的像素电路多于非绕线区内的像素电路，且绕线区和非绕线区的金属图形和金属分布面积不一致，绕线区和非绕线区对自然光的反射光量不一致，从而使得显示面板出现显示差异。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，以下将结合附图对显示面板及显示装置的各实施例进行说明。

本发明实施例提供一种阵列基板，阵列基板用于显示面板，该显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板。

图1示出根据本发明一种实施例的阵列基板的俯视示意图，图2示出一种示例的图1中Q区域的局部放大图。

阵列基板具有第一显示区TA和第二显示区AA2，第二显示区AA2环绕至少部分第一显示区TA设置。

可选的，阵列基板还包括第一区AA1，第一显示区TA围绕至少部分第一区AA1，第二显示区AA2围绕至少部分第一显示区TA。即至少部分第一显示区TA位于第一区AA1和第二显示区AA2之间。

第一区AA1的设置方式有多种，第一区AA1例如为挖孔区。当第一区AA1为挖孔区时，用于连接挖孔区周侧的信号线需要设置于第一显示区TA，导致第一显示区TA的金属密度大于第二显示区AA2的金属密度。

在另一些可选的实施例中，如图2所示，第一区AA1还可以为透明显示区，透明显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率，使得显示面板100在透明显示区AA1内可以集成感光组件，实现例如摄像头的感光组件的屏下集成，同时透明显示区AA1能够显示画面，提高显示面板100的显示面积，实现显示装置的全面屏设计。

下面以所述第一区AA1为透明显示区进行说明。

当阵列基板用于显示面板时，显示面板对应于透明显示区AA1设置有第一子像素110，阵列基板还包括第一像素电路140，第一像素电路140位于第一显示区TA，第一像素电路140与第一发光子像素电连接，用于驱动第一子像素110显示。图2中，示例性绘示了第一子像素110的设置位置以及其中一个第一像素电路140的位置，第一子像素110的设置位置并构成对本发明实施例的阵列基板的结构上的限定。第一像素电路140其与对应的第一子像素110电连接，可以理解的是，第一像素电路140的数量可以是多个，并且分别对应电连接至对应的第一子像素110。

在一些实施例中，第一像素电路140的电路结构是2T1C电路、7T1C电路、7T2C电路、或9T1C电路中的任一种。本文中，“2T1C电路”指像素电路中包括2个薄膜晶体管(T)和1个电容(C)的像素电路，其它“7T1C电路”、“7T2C电路”、“9T1C电路”等依次类推。

根据本发明实施例的阵列基板，用于驱动第一子像素110显示的第一像素电路140位于第一显示区TA，从而减少第一区AA1内的布线结构，进而提高第一区AA1的透光率，便于感光元件在第一区AA1实现屏下集成。

在一些可选的实施例中，显示面板还包括位于第一显示区TA的过渡子像素120和用于驱动过渡子像素120的过渡像素电路。显示面板100还包括位于第二显示区AA2的第二子像素130和用于驱动第二子像素130的第二像素电路。图2中还示意出了过渡子像素120和第二子像素130的设置位置，过渡子像素120和第二子像素130的设置位置并构成对本发明实施例的阵列基板的结构上的限定。

在这些可选的实施例中，第一显示区TA内设置有第一像素电路140和过渡像素电路，第二显示区AA2内设置有第二像素电路，第一显示区TA内单位面积内的像素电路的数量多于第二显示区AA2内像素电路的数量。因此，第一显示区TA内的金属密度大于第二显示区AA2的金属密度，第一显示区TA金属的反射光量大于第二显示区AA2的反射光量，导致第一显示区TA和第二显示区AA2之间会出现显示差异。

在一些实施例中，过渡像素电路的电路结构、第二像素电路的电路结构分别可以是2T1C电路、7T1C电路、7T2C电路、或9T1C电路中的任一种。

请一并参阅图3和图4，图3是图2中A-A处的剖视图。图4是图2中B-B处的剖视图。

如图3和图4所示，本发明实施例还提供一种阵列基板，阵列基板包括：衬底150；驱动电路层170，设置于衬底150，驱动电路层170包括位于第一显示区TA和第二显示区AA2的金属层，且金属层在第一显示区TA的分布密度大于其在第二显示区AA2的分布密度；吸光层180，位于金属层背离衬底的一侧，吸光层180包括位于第一显示区TA的第一吸光部181a，第一吸光部181a的材料包括吸光材料。

根据本发明实施例的阵列基板，如上所述，第一显示区TA的金属层分布密度大于第二显示区AA2的金属层的分布密度。吸光层180包括在第一显示区TA的第一吸光部181a，第一吸光部181a的材料包括吸光材料，使得第一吸光部181a能够吸收部分照射至金属层的自然光以及金属层的反射光，从而能够减少第一显示区TA的金属层的反射光量。因此本发明实施例的阵列基板通过在第一显示区TA设置第一吸光部181a，第一吸光部181a吸收光量，能够使得第二显示区AA2和第一显示区TA的驱动电路层170的反射光量接近，改善第一显示区TA和第二显示区AA2的显示差异，提高显示面板100的显示效果。

吸光层180的设置方式有多种，例如，吸光层180包括像素定义层160，那么吸光部180a可以位于像素定义层160。像素定义层160包括本体部161和设置于本体部161的多个像素开口162，多个像素开口162包括位于第一显示区AA1的第一像素开口K1，第一子像素110的第一发光结构111位于第一像素开口K1。

可选的，阵列基板还包括平坦化层，平坦化层位于像素定义层160朝向衬底150的一侧。

吸光层180还可以包括平坦化层，那么第一吸光部180a位于平坦化层。

在又一些可选的实施例中，吸光层180可以位于平坦化层和像素定义层160之间，那么第一吸光部180a位于平坦化层和像素定义层160之间。

在一些可选的实施例中，第一吸光部181a在衬底150上形成第一投影；位于第一显示区TA的部分驱动电路层170中的部分金属层在衬底150上形成第二投影，第二投影位于第一投影之内。

第一吸光部181a的设置方式有多种，第一吸光部181a例如铺设于第一显示区TA，第一投影填充第一显示区TA，即第一正投影的尺寸和第一显示区TA的尺寸相适配，使得第一吸光部181a能够遮挡第一显示区TA的金属层。例如第一吸光部181a为位于第一显示区TA的平坦化层，平坦化层的材料包括吸光材料。

请一并参阅图2和图5，图5是另一示例中图2中B-B处的剖视图。

在另一些可选的实施例中，第二投影和第一投影重叠。第一吸光部181a的形状和第一显示区TA的金属层的形状相适配，且第一吸光部181a位于金属层的正上方，使得第一吸光部181a能够吸收照射至金属层的自然光和金属层的反射光。第一吸光部181a例如设置于平坦化层和像素定义层160之间。

请一并参阅图2和图6，图6是又一示例中图2中B-B处的剖视图。

在一些可选的实施例中，吸光层180还包括位于第二显示区AA2的第二吸光部181b，至少部分第二吸光部181b位于金属层和像素定义层160之间，第二吸光部181b的材料包括吸光材料。

在这些可选的实施例中，第二吸光部181b位于第二显示区AA2，第二吸光部181b能够吸收照射至位于第二显示区AA2的金属层的自然光和金属层的反射光，进而减少第二显示区AA2的金属层的反射光量，能够进一步提高显示面板的显示效果。

第一吸光部181a和第二吸光部181b的设置方式有多种，例如第一吸光部181a的吸光度大于第二吸光部181b的吸光度。在这些可选的实施例中，第一吸光部181a吸收的照射至第一显示区TA的金属层的自然光量及金属层的反射光量，大于第二吸光部181b吸收的照射至第二显示区AA2的金属层的自然光量及金属层的反射光量，能够进一步减小第一显示区TA的金属层的反射光量和第二显示区AA2的金属层的反射光量之差，进一步提高显示面板的显示效果。

可选的，第一吸光部181a的吸光度OD值为1～10。当第一吸光部181a的吸光度OD值在上述范围之内时，使得第一吸光部181a具有较好的吸光性能，能较好的改善第一显示区TA和第二显示区AA2之间的显示差异，提高显示面板的显示效果。

可选的，第二吸光部181b的吸光度OD值为1～10。当第二吸光部181b的吸光度OD值在上述范围之内时，使得第二吸光部181b具有较好的吸光性能，能较好的改善第一显示区TA和第二显示区AA2之间的显示差异，提高显示面板的显示效果。

在另一些可选的实施例中，第一吸光部181a和第二吸光部181b同层且同材料设置，能够简化阵列基板的制备工艺，提高阵列基板的制备效率。且通过设置第一吸光部181a和第二吸光部181b能够减小第一显示区TA的金属层的反射光量和第二显示区AA2的金属层的反射光量之差，能够提高显示面板的显示效果。

当第一吸光部181a和第二吸光部181b同层同材料设置时，吸光层180例如为平坦化层，平坦化层的材料包括吸光材料。

请继续参阅图6，在一些可选的实施例中，金属层朝向像素定义层160的表面设置有凸起170a，凸起170a位于第二显示区AA2。

在这些可选的实施例中，第二显示区AA2设置有凸起170a，能够增大位于第二显示区AA2的金属层的表面积，使得第二显示区AA2的金属层面积与第一显示区TA的金属层面积接近，进而减小第一显示区TA的金属层的反射光量和第二显示区AA2的金属层的反射光量之差，进一步提高显示面板的显示效果。

金属层和吸光层180的设置方式有多种，可选的，金属层包括在阵列基板厚度方向(图4中的Z方向)上依次层叠设置的第一金属层171和第二金属层172，吸光层180包括第一吸光层181，第一吸光层181位于第一金属层171背离衬底110的一侧。使得第一吸光层181能够吸收照射至第一金属层171和第二金属层172的自然光及第一金属层171和第二金属层172的反射光，有效改善差异。

在一些可选的实施例中，吸光层180还包括第二吸光层182，第二吸光层182位于第一金属层171和第二金属层172之间。

在一些可选的实施例中，第二吸光层182包括位于第一显示区TA的第三吸光部182a，至少部分第三吸光部182a位于第二金属层172背离衬底110的一侧，且第三吸光部182a包括吸光材料。第三吸光部182a能够吸收照射至第一显示区TA的第二金属层172的自然光及第二金属层172的反射光，减少第一显示区TA的驱动电路层170反射光量，从而改善第一显示区TA和第二显示区AA2之间的显示差异，提高显示面板的显示效果。

可选的，第二吸光层182还包括位于第二显示区AA2的第四吸光部182b，至少部分第四吸光部182b位于第二金属层172背离衬底110的一侧，第四吸光部182b的材料包括吸光材料。

在这些可选的实施例中，第四吸光部182b位于第二显示区AA2，第四吸光部182b能够吸收照射至位于第二显示区AA2的第二金属层172的自然光和第二金属层172的反射光，进而减少第二显示区AA2的驱动电路层170的反射光量，能够进一步提高显示面板的显示效果。

可选的，第三吸光部182a的吸光度大于第四吸光部182b的吸光度。在这些可选的实施例中，第三吸光部182a吸收照射至第一显示区TA的第二金属层172的自然光量及第二金属层172的反射光量，大于第四吸光部182b吸收照射至第二显示区AA2的第二金属层172的自然光量及第二金属层172的反射光量，能够进一步减小第一显示区TA的第二金属层172的反射光量和第二显示区AA2的第二金属层172的反射光量之差，进一步提高显示面板的显示效果。

可选的，第三吸光部182a的吸光度OD值为1～10。当第三吸光部182a的吸光度OD值在上述范围之内时，使得第三吸光部182a具有较好的吸光性能，能较好的改善第一显示区TA和第二显示区AA2之间的显示差异，提高显示面板的显示效果。

可选的，第四吸光部182b的吸光度OD值为1～10。当第四吸光部182b的吸光度OD值在上述范围之内时，使得第四吸光部182b具有较好的吸光性能，能较好的改善第一显示区TA和第二显示区AA2之间的显示差异，提高显示面板的显示效果。

在另一些可选的实施例中，第三吸光部182a和第四吸光部182b同层同材料形成。能够简化阵列基板的制备工艺，提高阵列基板的制备效率。且通过设置第三吸光部182a和第四吸光部182b能够减小第一显示区TA的第二金属层172的反射光量和第二显示区AA2的第二金属层172的反射光量之差，能够提高显示面板的显示效果。

平坦化层例如包括第一平坦化层和第二平坦化层，第一平坦化层位于第一金属层171和像素定义层160之间，第二平坦化层位于第一金属层171和第二金属层172之间。当第一吸光部181a和第二吸光部181b同层同材料设置时，第一吸光层181例如为第一平坦化层，第一平坦化层的材料包括吸光材料。当第三吸光部182a和第四吸光部182b同层同材料设置时，第二吸光层182例如为第二平坦化层，第二平坦化层的材料包括吸光材料。

凸起170a的设置位置有多种，凸起170a可以设置于第一金属层171和/或第二金属层172。

在一些可选的实施例中，凸起170a设置于第一金属层171。第一金属层171距离显示面板的出光面较近，金属层的反射光量主要来自于第一金属层171，将凸起170a设置于第一金属层171能够较好的改善第一显示区TA和第二显示区AA2之间的显示差异，提高显示面板的显示效果。

在一些可选的实施例中，第二吸光层182包括位于第二显示区AA2的第一连接通孔182c，且至少部分第二吸光层182的表面设置有第一凸部182d，第一凸部182d位于第二显示区AA2；第一金属层171包括和第一连接通孔182c对应设置的第一金属连接部171a，第一金属层171的凸起170a形成于第一凸部182d上。

在这些可选的实施例中，第二吸光层182上设置有第一凸部182d，在第二吸光层182上沉积或者选用其他工艺形成第一金属层171时，金属材料沉积于第一凸部182d上进而形成凸起170a，便于第一金属层171的制备成型。此外，另一些金属材料形成于第一连接通孔182c进而形成第一金属连接部171a，实现第一金属层171和第二金属层172的相互连接。

请一并参阅图2和图7，图7是还一示例中图2中B-B处的剖视图。

可选的，第二金属层172朝向像素定义层160的表面具有凸起170a。能够进一步减小第二显示区AA2的金属层的分布面积和第一显示区TA的金属层的分布面积之差，进而减小第一显示区TA的金属层的反射光量和第二显示区AA2的金属层的反射光量之差，进一步提高显示面板的显示效果。

第二金属层172的成型方式有多种，可选的，阵列基板还包括位于第二金属层172朝向衬底150一侧的绝缘层190，绝缘层190包括位于第二显示区AA2的第二连接通孔191，且至少部分绝缘层190的表面形成有第二凸部192，第二凸部192位于第二显示区AA2；第二金属层172包括和第二连接通孔191对应设置的第二金属连接部172a，第二金属层172的凸起170a形成于第二凸部192上。

在这些可选的实施例中，绝缘层190上设置有第一凸部182d，在绝缘层190上沉积或者选用其他工艺形成第二金属层172时，金属材料沉积于第二凸部192上进而形成凸起170a，便于第二金属层172的制备成型。此外，另一些金属材料形成于第二连接通孔191进而形成第二金属连接部172a，实现第二金属层172和其他金属层的相互连接。

第一金属层171上例如设置有电源信号线等。第二金属层172例如包括源漏电极等。

在一些可选的实施例中，像素定义层160包括位于第一显示区TA的第一像素定义部和位于第二显示区AA2的第二像素定义部，第一像素定义部的材料包括吸光材料。

在这些可选的实施例中，第一像素定义部能够吸收照射至第一显示区TA的金属层的自然光及第一显示区TA的金属层的反射光，能够改善第一显示区TA和第二显示区AA2之间的显示差异，提高显示面板的显示效果。

可选的，第二像素定义部的材料包括吸光材料。第二像素定义部能够吸收照射至第二显示区AA2的金属层的自然光及第二显示区AA2的金属层的反射光，第一像素定义部和第二像素定义部的材料均包括吸光材料，能够减小第一显示区TA的金属层的反射光量和第二显示区AA2的金属层的反射光量之差，进一步提高显示面板的显示效果。

第一像素定义部和第二像素定义部的设置方式有多种，例如第一像素定义部和第二像素定义部同层同材料形成，能够简化阵列基板的制备工艺，提高阵列基板的制备效率。

在另一些可选的实施例中，第一像素定义部的吸光度大于第二像素定义部的吸光度。能够进一步减小第一显示区TA的金属层的反射光量和第二显示区AA2的金属层的反射光量之差，提高显示面板的显示效果。

可选的，第一像素定义部的吸光度OD值为1～10。当第一像素定义部的吸光度OD值在上述范围之内时，使得第一像素定义部具有较好的吸光性能，能较好的改善第一显示区TA和第二显示区AA2之间的显示差异，提高显示面板的显示效果。

可选的，第二像素定义部的吸光度OD值为1～10。当第二像素定义部的吸光度OD值在上述范围之内时，使得第二像素定义部具有较好的吸光性能，能较好的改善第一显示区TA和第二显示区AA2之间的显示差异，提高显示面板的显示效果。

衬底150可以采用玻璃、聚酰亚胺(Polyimide，PI)等透光材料制成。

可选的，像素定义层160包括位于第一区AA1的第一像素开口K1以及位于第一显示区TA的过渡像素开口K2。在一些实施例中，像素定义层160包括位于第二显示区AA2的第二像素开口K3。

在一些实施例中，请继续参阅图3，第一子像素110包括第一发光结构111、第一电极112以及第二电极113。第一发光结构111位于第一像素开口K1内，第一电极112位于第一发光结构111的朝向衬底150的一侧，第二电极113位于第一发光结构111的背离衬底150的一侧。第一电极112、第二电极113中的一个为阳极、另一个为阴极。

在一些实施例中，请继续参阅图4，第二子像素130包括第二发光结构131、第三电极132以及第四电极133。第二发光结构131位于第二像素开口K3内，第三电极132位于第二发光结构131的朝向衬底150的一侧，第四电极133位于第二发光结构131的背离衬底150的一侧。第三电极132、第四电极133中的一个为阳极、另一个为阴极。

在一些实施例中，请继续参阅图3，过渡子像素120包括过渡发光结构121、第五电极122以及第六电极123。过渡发光结构121位于过渡像素开口K2内，第五电极122位于第三发光结构的朝向衬底150的一侧，第六电极123位于第三发光结构的背离衬底150的一侧。第五电极122、第六电极123中的一个为阳极、另一个为阴极。

本实施例中，以第一电极112、第三电极132、第五电极122是阳极、第二电极113、第四电极133、第六电极123是阴极为例进行说明。

第一发光结构111、第二发光结构131、过渡发光结构121分别可以包括OLED发光层，根据第一发光结构111、第二发光结构131、过渡发光结构121的设计需要，各自还可以分别包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层或电子传输层中的至少一种。

在一些实施例中，第一电极112为透光电极。在一些实施例中，第一电极112包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)层或氧化铟锌层。在一些实施例中，第一电极112为反射电极，包括第一透光导电层、位于第一透光导电层上的反射层以及位于反射层上的第二透光导电层。其中第一透光导电层、第二透光导电层可以是ITO、氧化铟锌等，反射层可以是金属材料制成，例如是银材质制成。第三电极132、第五电极122分别可以配置为与第一电极112采用相同的材质。

在一些实施例中，第二电极113包括镁银合金层。第四电极133、第六电极123分别可以配置为与第二电极113采用相同的材质。在一些实施例中，第二电极113、第四电极133、第六电极123可以互连为公共电极。

在一些实施例中，每个第一发光结构111在衬底150上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成，第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。

在一些实施例中，每个第一电极112在衬底150上的正投影由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成，第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。

在一些实施例中，每个过渡发光结构121在衬底150上的正投影由一个第三图形单元组成或由两个以上第三图形单元拼接组成，第三图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。

在一些实施例中，每个第五电极122在衬底150上的正投影由一个第四图形单元组成或由两个以上第四图形单元拼接组成，第四图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。

本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板可以包括上述任一实施方式的阵列基板。

示例性地，显示面板还可以包括封装层和位于封装层上方的偏光片和盖板，也可以直接在封装层上方直接设置盖板，无需设置偏光片，或者至少在第一区AA1的封装层上方直接设置盖板，无需设置偏光片，避免偏光片影响对应第一区AA1下方设置的感光元件的光线采集量，当然，第一区AA1的封装层上方也可以设置偏光片。

本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置可以包括上述任一实施方式的显示面板100。以下将以一种实施例的显示装置为例进行说明，该实施例中，显示装置包括上述实施例的显示面板100。

图8示出本发明第二方面实施例提供的一种显示装置的俯视示意图，图9示出图8中D-D向的剖面图。本实施例的显示装置中，显示面板100可以是上述其中一个实施例的显示面板100，显示面板100具有第一区AA1以及第二显示区AA2，第一区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率。

显示面板100包括相对的第一表面S1和第二表面S2，其中第一表面S1为显示面。显示装置还包括感光组件，该感光组件位于显示面板100的第二表面S2侧，感光组件与第一区AA1位置对应。

感光组件可以是图像采集装置，用于采集外部图像信息。本实施例中，感光组件为互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)图像采集装置，在其它一些实施例中，感光组件也可以是电荷耦合器件(Charge-coupled Device，CCD)图像采集装置等其它形式的图像采集装置。可以理解的是，感光组件可以不限于是图像采集装置，例如在一些实施例中，感光组件也可以是红外传感器、接近传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器等光传感器。此外，显示装置在显示面板100的第二表面S2还可以集成其它部件，例如是听筒、扬声器等。

根据本发明实施例的显示装置，显示装置的显示面板100本通过第一吸光部181a吸收光量，能够使得第二显示区AA2和第一显示区TA的驱动电路层170的反射光量接近，改善第一显示区TA和第二显示区AA2的显示差异，提高显示面板100的显示效果。

请参阅图10，图10是本发明第三方面实施例提供的一种阵列基板的制备方法流程示意图。

本发明第三方面的实施例还提供一种显阵列基板的制备方法，阵列基板可以为上述任一第一方面实施例提供的阵列基板。阵列基板具有第一显示区TA及第二显示区AA2，第一显示区TA及第二显示区AA2的设置方式如上所述，在此不再赘述。制备方法包括：

步骤S01：提供衬底150。

步骤S02：在衬底150上形成驱动电路层170，驱动电路层170包括金属层，金属层在第一显示区TA的分布密度大于其在第二显示区AA2的分布密度。

可选的，驱动电路层170还包括用于驱动位于第一显示区TA的过渡子像素120的过渡像素电路、及用于驱动位于第二显示区AA2的第二子像素130的第二像素电路。

步骤S03：在金属层上形成第一吸光部181a，第一吸光部181a的材料包括吸光材料。

可选的，在步骤S03之后还可以在第一吸光部181a上形成像素定义层160，像素定义层160包括本体部161和设置于本体部161的多个像素开口162，多个像素开口162包括位于第一区AA1的第一像素开口K1，第一子像素110的第一发光结构111位于第一像素开口K1。

根据本发明实施例制备的阵列基板，第一显示区TA的金属层分布密度大于第二显示区AA2的金属层的分布密度。吸光层180包括在第一显示区TA的第一吸光部181a，第一吸光部181a的材料包括吸光材料，使得第一吸光部181a能够吸收部分照射至金属层的自然光以及金属层的反射光，从而能够减少第一显示区TA的金属层的反射光量。因此本发明实施例的显示面板100通过第一吸光部181a吸收光量，能够使得第二显示区AA2和第一显示区TA的金属层的反射光量接近，改善第一显示区TA和第二显示区AA2的显示差异，提高显示面板100的显示效果。

请参阅图11，图10是本发明第三方面另一实施例提供的一种显示面板100的制备方法流程示意图。

可选的，金属层可以包括上述的第一金属层171和第二金属层172，那么在步骤S02中：

步骤S021：在衬底150上形成第二金属层172。

步骤S022：在第二金属层172上形成第二吸光层182，对第二吸光层182进行图案化处理，以在第二吸光层182上形成位于第二显示区AA2的第一连接通孔182c及第一凸部182d。

步骤S023：在第二吸光层182上形成第一金属层171，第一金属层171包括位于第一连接通孔182c的第一金属连接部171a和位于第一凸部182d上的凸起170a。那么在步骤S03中，在第一金属层171上形成第一吸光部181a。

在这些可选的实施例中，第一金属层171上形成有凸起170a，能够增大位于第二显示区AA2的第一金属层171的表面积，使得第二显示区AA2的第一金属层171面积与第一显示区TA的第一金属层171面积接近，进而减小第一显示区TA的第一金属层171的反射光量和第二显示区AA2的第一金属层171的反射光量之差，进一步提高显示面板100的显示效果。

可选的，第二金属层172上也可以设置有凸起170a，那么在步骤S021之前还包括：在衬底150上形成绝缘层190，对绝缘层190进行图案化处理，以在绝缘层190上形成位于第二显示区AA2的第二连接通孔191及第二凸部192。在步骤S021中：在绝缘层190上形成第二金属层172，第二金属层172包括位于第二连接通孔191的第二金属连接部172a和位于第二凸部192上的凸起170a。

以图6所示的实施例为例，一并结合图12至图17简述显示面板100的制备方法，显示面板100的制备方法包括：

步骤一：如图12所示，提供一衬底150，衬底150上形成有绝缘层190。

可选的，显示面板100包括薄膜晶体管、电容和数据线、扫描线等，薄膜晶体管包括有源层、栅极层和源漏电极层。那么在步骤一中，还包括在衬底150和绝缘层190之间形成有源层、栅极层、电容极板层、数据线和扫描线。

步骤二：如图13所示，在绝缘层190上形成第二金属层172。

可选的，第二金属层172可以为源漏电极层。绝缘层190上可以形成有第二连接通孔191，第二金属层172可以形成位于第二连接通孔191内的第二金属连接部172a。

在一些可选的实施例中，当第二金属层172上形成有凸起170a时，在步骤二内还在绝缘层190上形成第二凸部192，使得第二金属层172在第二凸部192上形成凸起170a。

步骤三：如图14所示，在第二金属层172上形成第二吸光层182，对第二吸光层182进行图案化处理，以在第二吸光层182上形成位于第二显示区AA2的第一连接通孔182c及第一凸部182d。

第二吸光层182可以为第二平坦化层，第二吸光层182包括第三吸光部182a和第四吸光部182b，第三吸光部182a和第四吸光部182b同层且同材料形成，第三吸光部182a和第四吸光部182b的材料均包括吸光材料。

步骤四：如图15所示，在第二吸光层182上形成第一金属层171，第一金属层171包括位于连接通孔的第一金属连接部171a和位于第一凸部182d上的凸起170a。

步骤五：如图16所示，在第一金属层171上形成第一吸光层181。

可选的，第一吸光层181可以为第一平坦化层，第一吸光层181包括第一吸光部181a和第二吸光部181b，第一吸光部181a和第二吸光部181b同层且同材料形成，第一吸光部181a和第二吸光部181b的材料均包括吸光材料。

步骤六：如图17所示，在第一吸光层181上形成像素定义层160，像素定义层160包括本体部161和设置于本体部161的多个像素开口162，多个像素开口162包括位于第一区AA1的第一像素开口K1，第一子像素110的第一发光结构111位于第一像素开口K1。

可选的，第一子像素110还包括第一电极112，第二子像素130还包括第三电极132，过渡子像素120还包括第五电极122，那么在步骤六中，在第一吸光层181上形成像素电极，对像素电极进行图案化处理形成第一电极112、第三电极132和第五电极122，在像素电极层上形成像素定义层160。

可选的，多个像素开口162还包括位于第一显示区TA的过渡像素开口K2和位于第二显示区AA2的第二像素开口K3。

可选的，像素定义层160可以包括位于第一显示区TA的第一像素定义部和位于第二显示区AA2的第二像素定义部，第一像素定义部和第二像素定义部可以同层且同材料形成，第一像素定义部和第二像素定义部的材料包括吸光材料。

根据本发明实施例制备的显示面板100，通过第一吸光部181a吸收光量，能够使得第二显示区AA2和第一显示区TA的金属层的反射光量接近，改善第一显示区TA和第二显示区AA2的显示差异，提高显示面板100的显示效果。

依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区围绕至少部分所述第一显示区，

所述阵列基板包括：

衬底；

驱动电路层，设置于所述衬底，所述驱动电路层包括位于所述第一显示区和所述第二显示区的金属层，且所述金属层在所述第一显示区的分布密度大于其在所述第二显示区的分布密度；

吸光层，位于所述金属层背离所述衬底的一侧，所述吸光层包括位于所述第一显示区的第一吸光部，所述第一吸光部的材料包括吸光材料。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层包括位于所述第二显示区的第二吸光部，所述第二吸光部的材料包括吸光材料；

优选的，所述第一吸光部的吸光度OD值为1～10，和/或，所述第二吸光部的吸光度OD值为1～10。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一吸光部和所述第二吸光部同层同材料制成；或者，所述第一吸光部的吸光度大于所述第二吸光部的吸光度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层背离所述衬底的表面具有凸起，所述凸起位于所述第二显示区；

优选的，所述金属层包括设置于所述衬底的第二金属层及位于所述第二金属层背离所述衬底一侧的第一金属层；

所述吸光层包括第一吸光层，所述第一吸光层位于所述第一金属层背离所述衬底的一侧；

优选的，所述吸光层还包括第二吸光层，所述第二吸光层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间；

优选的，所述第二吸光层包括位于所述第一显示区的第三吸光部，至少部分所述第三吸光部位于所述第二金属层背离所述衬底的一侧，且所述第三吸光部包括吸光材料；

优选的，所述第二吸光层还包括位于所述第二显示区的第四吸光部，至少部分所述第四吸光部位于所述第二金属层背离所述衬底的一侧，所述第四吸光部的材料包括吸光材料。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起设置于所述第一金属层；

优选的，所述第二吸光层包括位于所述第二显示区的第一连接通孔，且至少部分所述第二吸光层的表面设置有第一凸部，所述第一凸部位于所述第二显示区；

所述第一金属层包括和所述第一连接通孔对应设置的第一金属连接部，所述第一金属层的所述凸起形成于所述第一凸部上；

优选的，所述第二金属层背离所述衬底的表面表面具有所述凸起；

优选的，所述显示面板还包括位于所述第二金属层朝向所述衬底一侧的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述第二显示区的第二连接通孔，且至少部分所述绝缘层的表面形成有第二凸部，所述第二凸部位于所述第二显示区；

所述第二金属层包括和所述第二连接通孔对应设置的第二金属连接部，所述第二金属层的所述凸起形成于所述第二凸部上。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层包括所述金属层背离所述衬底层一侧的像素定义层，所述像素定义层包括位于所述第一显示区的第一像素定义部和位于所述第二显示区的第二像素定义部，所述第一像素定义部的材料包括吸光材料。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一吸光部在所述衬底上形成第一投影；

位于所述第一显示区的部分所述金属层在所述衬底上形成第二投影，所述第二投影位于所述第一投影之内；

优选的，所述第二投影和所述第一投影重叠。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，阵列基板具有第一显示区及第二显示区，所述第二显示区环绕至少部分所述第一显示区设置，所述制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成金属层，所述金属层在所述第一显示区的分布密度大于其在所述第二显示区的分布密度；

在所述金属层上形成第一吸光部，所述第一吸光部的材料包括吸光材料。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述金属层包括第一金属层和第二金属层，在所述衬底上形成金属层的步骤中：

在所述衬底上形成所述第二金属层；

在所述第二金属层上形成第二吸光层，对所述第二吸光层进行图案化处理，以在所述第二吸光层上形成位于所述第二显示区的第一连接通孔及第一凸部；

在所述第二吸光层上形成所述第一金属层，所述第一金属层包括位于所述连接通孔的第一金属连接部和位于所述第一凸部上的凸起。

Images