CN114361366A - 显示面板及电子设备 - Google Patents
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- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 55
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 57
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HDYNIWBNWMFBDO-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-2-chloropyridine Chemical compound ClC1=NC=CC=C1Br HDYNIWBNWMFBDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 268
- 239000010408 film Substances 0.000 description 104
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 26
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 16
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000003245 working effect Effects 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种显示面板及电子设备。所述显示面板，包括：发光层、第一电极、吸光膜；发光层位于第一电极上，发光层的出光方向为由第一电极指向发光层的方向；吸光膜位于第一电极背向发光层的一侧与发光层的周侧中的至少一侧。根据本发明的实施例，可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向的至少部分光强，从而，可以提高显示面板下方的感光元件的信噪比及灵敏度，并且，可以提升显示面板的对比度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及电子设备。
背景技术
相关技术中，随着全面屏技术的发展与进步，以屏下指纹识别为代表的屏下设计越来越多，这对屏下感光元件的工作效果的要求也提出了更高的要求。
然而，屏下感光元件在工作时容易被干扰。
发明内容
本发明提供一种显示面板及电子设备，以解决相关技术中的不足。
根据本发明实施例的第一方面，提供一种显示面板，包括：发光层、第一电极、吸光膜；
所述发光层位于所述第一电极上，所述发光层的出光方向为由所述第一电极指向所述发光层的方向；
所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧与所述发光层的周侧中的至少一侧。
在一个实施例中，所述第一电极为阳极或者阴极。
在一个实施例中，所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧。
在一个实施例中，当所述第一电极为阳极时，所述第一电极在所述发光层上的投影位于所述吸光膜在所述发光层上的投影内；当所述第一电极为阴极时，所述吸光膜在所述发光层上的投影位于所述第一电极在所述发光层上的投影内。
在一个实施例中，所述吸光膜位于所述发光层的周侧。
在一个实施例中，还包括像素定义层，所述像素定义层与所述吸光膜同层，所述像素定义层与所述吸光膜相邻。
在一个实施例中，所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧与所述发光层的周侧。
在一个实施例中，所述吸光膜包括第一吸光部与第二吸光部；
所述第一吸光部位于所述第一电极背向所述发光层的一侧，所述第二吸光部位于所述发光层的周侧。
在一个实施例中，所述第一电极在所述发光层上的投影位于所述第一吸光部在所述发光层上的投影内。
在一个实施例中，还包括像素定义层，所述像素定义层与所述第二吸光部同层，所述像素定义层与所述第二吸光部相邻。
在一个实施例中，所述吸光膜的材料包括碳纳米管、石墨烯、掺杂碳黑的聚酰亚胺、碳化钛、氧化钛、氮氧化钛、四氧化三铁、三氧化钼、硅与电绝缘性偶氮系材料中的至少一种；或者，
所述吸光膜的材料包括金属。
在一个实施例中，当所述吸光膜的材料包括电绝缘性偶氮系材料时，所述电绝缘性偶氮系材料为2-羟基-11H-苯并[a]-咔唑-3-羧酸芳基酰胺；
当所述吸光膜的材料包括金属时，所述吸光膜的材料包括铁、钛、钨与镍中的至少一种。
根据本发明实施例的第二方面，提供一种电子设备，包括上述任一种显示面板。
在一个实施例中，所述电子设备包括显示区与非显示区，所述显示区与所述非显示区相邻；所述非显示区包括透光区与非透光区，所述非透光区环绕所述显示区，所述透光区与所述非透光区相邻，所述透光区位于所述非透光区远离所述显示区的一侧；所述电子设备还包括感光元件；
所述发光层的至少部分与所述第一电极的至少部分位于所述显示区；所述吸光膜位于所述非透光区与所述显示区中的至少一处；所述感光元件位于所述显示面板背离出光面的一侧，所述感光元件在所述显示面板上的投影位于所述透光区。
根据上述实施例可知，由于发光层位于第一电极上，发光层的出光方向为由第一电极指向发光层的方向，吸光膜位于第一电极背向发光层的一侧与发光层的周侧中的至少一侧。这样，发光层发出的出光方向以外的光中的至少部分光会入射至吸光膜，吸光膜可吸收这部分光，从而，可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向的至少部分光强，进而，可以提高显示面板的对比度。
而且，在电子设备中，由于吸光膜可以吸收发光层发出的出光方向以外的光中的至少部分光，这样，可以减少发光层发出的出光方向以外的其他方向的至少部分光入射至感光元件，进而，可以避免感光元件受到发光层发出的光的干扰，提升感光元件的信噪比及灵敏度，同时，可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向的至少部分光的强度，进而，可以提高显示面板的对比度。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明实施例示出的一种显示面板的结构示意图；
图2是根据本发明实施例示出的一种吸光膜的材料的透过率示意图；
图3是根据本发明实施例示出的一种显示面板改进后的总透过率示意图；
图4是根据本发明实施例示出的一种显示面板的结构示意图；
图5是根据本发明实施例示出的另一种显示面板的结构示意图；
图6是根据本发明实施例示出的另一种显示面板的结构示意图；
图7是根据本发明实施例示出的另一种显示面板的结构示意图；
图8是根据本发明实施例示出的另一种显示面板的结构示意图；
图9是根据本发明实施例示出的另一种显示面板的结构示意图；
图10是根据本发明实施例示出的一种电子设备的结构示意图；
图11是根据本发明实施例示出的另一种电子设备的结构示意图；
图12是根据本发明实施例示出的另一种电子设备的结构示意图；
图13是根据本发明实施例示出的另一种电子设备的结构示意图；
图14是根据本发明实施例示出的另一种电子设备的结构示意图；
图15是根据本发明实施例示出的另一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板为顶发射结构，如图1所示，该显示面板包括：封装层10、光取出层11、阴极12、发光层13、阳极14、吸光膜15、像素定义层16、平坦化层20、缓冲层17、衬底18与驱动电路层19。其中，驱动电路层19包括漏电极191、源电极192、第一绝缘层193、栅极绝缘层194、栅极层195、第二绝缘层196与有源层197。其中，漏电极191、源电极192的位置可互换。有源层197的材料可为多晶硅。缓冲层17位于衬底18上，驱动电路层19位于缓冲层17背向衬底18的一侧，平坦化层20位于驱动电路层19背向衬底18的一侧，阳极14位于平坦化层20背向缓冲层17的一侧，发光层13位于阳极14背向驱动电路层19的一侧，阴极12位于发光层13背向阳极14的一侧，光取出层11位于阴极12背向发光层13的一侧，封装层10位于光取出层11背向阴极12的一侧，其中，吸光膜15位于阳极14与驱动电路层19之间，像素定义层16位于阳极14背离衬底18的一侧，像素定义层16上设置有开口，发光层13位于开口中。发光层13的出光方向为由阳极14指向发光层13的方向。
在本实施例中，由于吸光膜15位于阳极14背向发光层13的一侧，因此，吸光膜15可以吸收发光层13发出的经过阳极的光，从而，可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以提升显示面板的对比度。
在一些实施例中，阳极14在发光层13上的投影位于吸光膜15在发光层13上的投影内。这样，可以确保所有发光层13发出的经过阳极14的光能够入射至吸光膜15，从而，可以使吸光膜15吸收这部分发光层13发出的出光方向以外的光，从而，可以进一步减小发光层13发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以进一步提升显示面板的对比度。
在一些实施例中，阳极14的材料可以为具有高反射率的材料，例如，阳极14的材料可以包括银，还可包括氧化铟锡，但不限于此。当阳极14的材料包括银与氧化铟锡时，阳极14的结构可以为一层银位于两层氧化铟锡之间，但不限于此，其中，两层氧化铟锡的厚度可以分别为10nm，银的厚度可以为100nm，但不限于此。这样，可以确保阳极14具有较高的反射率，可以减小从发光层13入射至阳极14的光的透过率，从而，可以使发光层13入射至阳极14的光被反射为向发光层13的出光方向聚集，进而，可以提高发光层13的出光效率，提升显示面板的对比度。
在一些实施例中，封装层10可以包括无机层，例如，封装层10的材料为氮化硅(SiNx)，或者，封装层10的材料为氮氧化硅(SiNOx)，但是不限于此。无机层可以采用化学气相沉积的方法制备。封装层10的无机层可以为单层或者多层。当封装层10的结构的多层无机物层之间可存在有机层，有机层可以通过喷墨打印的方法制备。
在一些实施例中，吸光膜15的吸光率大于95％，例如，吸光膜15的吸光率为96％、97％、98％或99％，但不限于此。这样，可以确保吸光膜15能够吸收大部分发光层13发出的入射至吸光膜15的光，从而，可以确保减小发光层发出的出光方向以外的其他方向的光强，可以确保提升显示面板的对比度。
在一些实施例中，吸光膜15的材料可以为碳纳米管、石墨烯、掺杂碳黑的聚酰亚胺、碳化钛、氧化钛、氮氧化钛(TiNxOy.nSiO2)、四氧化三铁、三氧化钼、硅与电绝缘性偶氮系材料中的至少一种，或者，吸光膜15的材料可以为金属。例如，吸光膜15的材料为碳纳米管，或者，吸光膜15的材料为多层石墨烯，或者，吸光膜15的材料为掺杂碳黑的聚酰亚胺，或者，吸光膜15的材料为碳化钛，或者，吸光膜15的材料为氧化钛，或者，吸光膜15的材料为氮氧化钛，或者，吸光膜15的材料为四氧化三铁，或者，吸光膜15的材料为三氧化钼，或者，吸光膜15的材料为硅，或者，吸光膜15的材料为电绝缘性偶氮系材料，或者，吸光膜15的材料为金属，但不限于此。优选的，吸光膜15的材料可以为多层石墨烯薄膜，石墨烯的层数可以为200层，当采用层数为200层的石墨烯作为吸光膜15的材料时，吸光膜15的透过率小于1％。
在一些实施例中，吸光膜15的材料可以为电绝缘性偶氮系材料，例如，吸光膜15的材料可以为2-羟基-11H-苯并[a]-咔唑-3-羧酸芳基酰胺，但不限于此。或者，吸光膜15的材料可以为金属，例如，吸光膜15的材料为铁，或者，吸光膜15的材料为钛，或者，吸光膜15的材料为钨，或者，吸光膜15的材料为镍，但不限于此。
在一些实施例中，采用掺杂碳黑的聚酰亚胺作为吸光膜15的材料，如图2所示，吸光膜15的材料掺杂碳黑的聚酰亚胺在各波段的透过率为透过率曲线21。如图2所示，吸光膜15在蓝光与绿光波段透过率很低，虽然在红光波段透过率偏高，但是，对仍然对漏光有较好的改善。
如图3所示，采用掺杂碳黑的聚酰亚胺作为吸光膜15的材料时对显示面板进行改进后在各波段的总透过率为透过率曲线31。如图3所示，吸光膜15在各波段的总透过率普遍较低。这样，可以确保吸光膜15在大部分波段的透过率较低，从而，可以确保吸光膜15能够吸收发光层13发出的入射至吸光膜15的大部分波段的光，进而，可以确保减小发光层发出的出光方向以外的其他方向的光强，可以确保提升显示面板的对比度。
表1列出了当阳极采用一层银位于两层氧化铟锡之间的结构时，绿色像素(G像素)和红色像素(R像素)的像素亮度、改善前的透光率、改善前的透光亮度、改善后的透光率与改善后的透光亮度。
表1
在一些实施例中，吸光膜15的材料为全波段吸收较强的材料，例如，吸光膜15的材料为四氧化三铁，或者，吸光膜15的材料为三氧化钼，或者，吸光膜15的材料为多层石墨烯，但不限于此。这样，可以确保吸光膜15在全波段的透过率较低，从而，可以确保吸光膜15能够吸收发光层13发出的入射至吸光膜15的全波段的光，进而，可以进一步确保减小发光层发出的出光方向以外的其他方向的光强，可以进一步确保提升显示面板的对比度。
在一些实施例中，衬底18可以为柔性衬底。这样，可以使显示面板具备弯曲的能力，从而，可以拓展显示面板的应用场景。
在一些实施例中，衬底18可以为刚性衬底。
在一些实施例中，驱动电路层19可以包括多个薄膜晶体管和电容，例如，驱动电路层19为7T1C结构，或者，驱动电路层19为2T1C结构，但不限于此。
在一些实施例中，如图4所示，显示面板的公共层可以包括空穴注入层46、空穴传输层45、电子传输层42、电子注入层41、空穴阻挡层47、阴极12与光取出层11。光取出层11远离阴极12的一侧还可以设置一层氟化锂，以改善阴极的性能。非公共层可以包括蓝色微腔调节层441、蓝色发光层431、绿色微腔调节层442、绿色发光层432、红色微腔调节层443与红色发光层433，其中，蓝色微腔调节层441可以位于空穴传输层45与蓝色发光层431之间，绿色微腔调节层442可以位于空穴传输层45与绿色发光层432之间，红色微腔调节层443可以位于空穴传输层45与红色发光层433之间，但不限于此。
在一些实施例中，空穴注入层46的厚度可以为0～20nm，例如，空穴注入层46的厚度为0nm、5nm、10nm、15nm或20nm，但不限于此。空穴传输层45的厚度可以为70～150nm，例如，空穴传输层45的厚度为70nm、90nm、110nm、130nm或150nm，但不限于此。空穴阻挡层47的厚度可以为0～20nm，例如，空穴阻挡层47的厚度为0nm、5nm、10nm、15nm或20nm，但不限于此。电子传输层42的厚度可以为15～50nm，例如，电子传输层42的厚度可以为15nm、25nm、35nm、45nm或50nm，但不限于此。电子注入层41的厚度可以为0～5nm，例如，电子注入层41的厚度为0nm、1nm、2nm、3nm、4nm或5nm，但不限于此。阴极12的厚度可以为7～30nm，例如，阴极12的厚度为7nm、15nm、25nm或30nm，但不限于此。光取出层11的厚度可以为50～100nm，例如，光取出层11的厚度为50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或100nm，但不限于此。蓝色微腔调节层441的厚度可以为0～15nm，例如，蓝色微腔调节层441的厚度为0nm、5nm、10nm或15nm，但不限于此。蓝色发光层431的厚度可以为15～35nm，例如，蓝色发光层431的厚度为15nm、20nm、25nm、30nm或35nm，但不限于此。绿色微腔调节层442的厚度可以为25～40nm，例如，绿色微腔调节层442的厚度为25nm、30nm、35nm或40nm，但不限于此。绿色发光层432的厚度可以为25～40nm，例如，绿色发光层432的厚度为25nm、30nm、35nm或40nm，但不限于此。红色微腔调节层443的厚度可以为50～100nm，例如，红色微腔调节层443的厚度为50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或100nm，但不限于此。红色发光层433的厚度可以为35～55nm，例如，红色发光层433的厚度为35nm、40nm、45nm、50nm或55nm，但不限于此。
本发明实施例还提供另一种显示面板，该显示面板为顶发射结构，如图5所示，吸光膜15位于发光层13的周侧。像素定义层16与吸光膜15位于同一层，且像素定义层16与吸光膜15相邻，或者像素定义层16可环绕吸光膜15设置。图5中示出的是一种实施例，在其他实施例中，吸光膜15的覆盖的范围不限于此。
在本实施例中，由于吸光膜位于发光层的周侧。这样，可以使吸光膜吸收发光层发出的从发光层的周侧出射的光，从而，可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以提升显示面板的对比度。
本发明实施例还提供另一种显示面板，该显示面板为顶发射结构，如图6所示，吸光膜15位于阳极14背向发光层13的一侧以及发光层13的周侧，吸光膜15包括第一吸光部151与第二吸光部152，其中，第一吸光部151位于阳极14背向发光层13的一侧，第二吸光部152位于发光层13的周侧。像素定义层16与第二吸光部152相邻。
在本实施例中，由于吸光膜位于阳极背向发光层的一侧以及发光层的周侧。这样，可以使吸光膜吸收发光层发出的出光方向以外的其他方向的光，从而，可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以进一步提升显示面板的对比度。
在一些实施例中，如图6所示，阳极14在发光层13上的投影位于第一吸光部151在发光层13上的投影内。这样，可以确保所有发光层13发出的经过阳极14的光能够入射至第一吸光部151，从而，可以使第一吸光部151吸收这部分发光层13发出的出光方向以外的光，从而，可以进一步减小发光层13发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以进一步提升显示面板的对比度。
本发明实施例还提供另一种显示面板，该显示面板为底发射结构，如图7所示，吸光膜15位于阴极12北向发光层13的一侧。
在本实施例中，由于吸光膜位于阴极背向发光层的一侧，因此，吸光膜可以吸收发光层发出的经过阴极的光，从而，可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以提升显示面板的对比度。
在一些实施例中，吸光膜15在发光层13上的投影位于阴极12在发光层13上的投影内。这样，可以在确保显示面板之外入射至显示面板的光可以正常透射到封装层背向阴极12的一侧，同时确保发光层13发出的经过阴极12的光能够入射至吸光膜15，从而，可以使吸光膜15吸收这部分发光层13发出的出光方向以外的光，从而，可以进一步减小发光层13发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以进一步提升显示面板的对比度。
本发明实施例还提供另一种显示面板，该显示面板为底发射结构，如图8所示，吸光膜15位于发光层13的周侧。像素定义层16与吸光膜15位于同一层，且像素定义层16与吸光膜15相邻。图8中示出的是一种实施例，在其他实施例中，吸光膜15覆盖的范围不限于此。
在本实施例中，由于吸光膜位于发光层的周侧。这样，可以使吸光膜吸收发光层发出的从发光层的周侧出射的光，从而，可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以提升显示面板的对比度。
本发明实施例还提供另一种显示面板，该显示面板为底发射结构，如图9所示，吸光膜15位于阴极12背向发光层13的一侧以及发光层13的周侧，吸光膜15包括第一吸光部151与第二吸光部152，其中，第一吸光部151位于阴极12背向发光层13的一侧，第二吸光部152位于发光层13的周侧。像素定义层16与第二吸光部152相邻。像素定义层16透明。
在本实施例中，由于吸光膜位于阴极背向发光层的一侧与发光层的周侧。这样，可以使吸光膜吸收发光层发出的出光方向以外的其他方向的光，从而，可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以进一步提升显示面板的对比度。
在一些实施例中，第一吸光部151在发光层13上的投影位于阴极12在发光层13上的投影内。这样，可以在确保从显示面板之外入射至显示面板的光可以正常透射到封装层背向阴极12的一侧，同时确保发光层13发出的经过阴极12的光能够入射至第一吸光部151，从而，可以使吸光膜15吸收这部分发光层13发出的出光方向以外的光，从而，可以进一步减小发光层13发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以进一步提升显示面板的对比度。
本发明实施例还提供一种电子设备，如图10所示，该电子设备，包括显示区901与非显示区902，显示区901与非显示区902相邻，非显示区902包括透光区9021与非透光区9022，非透光区9022环绕显示区901，透光区9021与非透光区9022相邻，透光区9021位于非透光区9022远离显示区901的一侧，电子设备还包括感光元件91，发光层13的至少部分与阳极14的至少部分位于显示区901，吸光膜15位于非透光区9022与显示区901，并且，吸光膜15位于阳极14背向发光层13的一侧，感光元件91位于显示面板背离出光面的一侧，感光元件91在显示面板上的投影位于透光区9021。
在本实施例中，由于吸光膜位于阳极背向发光层的一侧，因此，吸光膜可以吸收发光层发出的经过阳极的光，并且，由于感光元件位于电子设备的透光区，因此，可以保证需要入射至感光元件的光不受影响，从而，可以在不影响感光元件工作的同时避免发光层发出的出光方向以外的光入射至感光元件，进而，可以提高感光元件的信噪比及灵敏度，同时，吸光膜可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以提升电子设备的对比度。
本发明实施例还提供另一种电子设备，如图11所示，吸光膜15位于非透光区9022，并且，吸光膜15位于发光层13的周侧，感光元件91位于显示面板背离出光面的一侧，感光元件91在显示面板上的投影位于透光区9021。
在本实施例中，由于吸光膜位于发光层的周侧，因此，吸光膜可以吸收发光层发出的从发光层周侧出射的光，并且，由于感光元件位于电子设备的透光区，因此，可以保证需要入射至感光元件的光不受影响，从而，可以在不影响感光元件工作的同时避免发光层发出的出光方向以外的光入射至感光元件，进而，可以提高感光元件的信噪比及灵敏度，同时，吸光膜可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以提升电子设备的对比度。
本发明实施例还提供另一种电子设备，如图12所示，吸光膜15位于非透光区9022与显示区901，并且，吸光膜15位于阳极14背向发光层13的一侧以及发光层13的周侧，感光元件91位于显示面板背离出光面的一侧，感光元件91在显示面板上的投影位于透光区9021。
在本实施例中，由于吸光膜位于阳极背向发光层的一侧以及发光层的周侧，因此，吸光膜可以吸收发光层发出的出光方向以外的其他方向的光，并且，由于感光元件位于电子设备的透光区，因此，可以保证需要入射至感光元件的光不受影响，从而，可以在不影响感光元件工作的同时避免发光层发出的出光方向以外的光入射至感光元件，进而，可以提高感光元件的信噪比及灵敏度，同时，吸光膜可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以提升电子设备的对比度。
本发明实施例还提供另一种电子设备，如图13所示，吸光膜15位于非透光区9022与显示区901，并且，吸光膜15位于阴极12背离发光层13的一侧，感光元件91位于显示面板背离出光面的一侧，感光元件91在显示面板上的投影位于透光区9021。
在本实施例中，由于吸光膜位于阴极背向发光层的一侧，因此，吸光膜可以吸收发光层发出的经过阴极的光，并且，由于感光元件位于电子设备的透光区，因此，可以保证需要入射至感光元件的光不受影响，从而，可以在不影响感光元件工作的同时避免发光层发出的出光方向以外的光入射至感光元件，进而，可以提高感光元件的信噪比及灵敏度，同时，吸光膜可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以提升电子设备的对比度。
本发明实施例还提供另一种电子设备，如图14所示，吸光膜15位于非透光区9022，并且，吸光膜15位于发光层13的周侧，感光元件91位于显示面板背离出光面的一侧，感光元件91在显示面板上的投影位于透光区9021。
在本实施例中，由于吸光膜位于发光层的周侧，因此，吸光膜可以吸收发光层发出的从发光层周侧出射的光，并且，由于感光元件位于电子设备的透光区，因此，可以保证需要入射至感光元件的光不受影响，从而，可以在不影响感光元件工作的同时避免发光层发出的出光方向以外的光入射至感光元件，进而，可以提高感光元件的信噪比及灵敏度，同时，吸光膜可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以提升电子设备的对比度。
本发明实施例还提供另一种电子设备，如图15所示，吸光膜15位于非透光区9022与显示区901，并且，吸光膜15位于阴极12背向发光层13的一侧以及发光层13的周侧，感光元件91位于显示面板背离出光面的一侧，感光元件91在显示面板上的投影位于透光区9021。
在本实施例中，在本实施例中，由于吸光膜位于阴极背向发光层的一侧以及发光层的周侧，因此，吸光膜可以吸收发光层发出的出光方向以外的其他方向的光，并且，由于感光元件位于电子设备的透光区，因此，可以保证需要入射至感光元件的光不受影响，从而，可以在不影响感光元件工作的同时避免发光层发出的出光方向以外的光入射至感光元件，进而，可以提高感光元件的信噪比及灵敏度，同时，吸光膜可以减小发光层发出的出光方向以外的其他方向上的光强，进而，可以提升电子设备的对比度。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：手机、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (14)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：发光层、第一电极、吸光膜；
所述发光层位于所述第一电极上，所述发光层的出光方向为由所述第一电极指向所述发光层的方向；
所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧与所述发光层的周侧中的至少一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极为阳极或者阴极。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，当所述第一电极为阳极时，所述第一电极在所述发光层上的投影位于所述吸光膜在所述发光层上的投影内；当所述第一电极为阴极时，所述吸光膜在所述发光层上的投影位于所述第一电极在所述发光层上的投影内。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述吸光膜位于所述发光层的周侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括像素定义层，所述像素定义层与所述吸光膜同层，所述像素定义层与所述吸光膜相邻。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述吸光膜位于所述第一电极背向所述发光层的一侧与所述发光层的周侧。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述吸光膜包括第一吸光部与第二吸光部；
所述第一吸光部位于所述第一电极背向所述发光层的一侧，所述第二吸光部位于所述发光层的周侧。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极在所述发光层上的投影位于所述第一吸光部在所述发光层上的投影内。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，还包括像素定义层，所述像素定义层与所述第二吸光部同层，所述像素定义层与所述第二吸光部相邻。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述吸光膜的材料包括碳纳米管、石墨烯、掺杂碳黑的聚酰亚胺、碳化钛、氧化钛、氮氧化钛、四氧化三铁、三氧化钼、硅与电绝缘性偶氮系材料中的至少一种；或者，
所述吸光膜的材料包括金属。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，当所述吸光膜的材料包括电绝缘性偶氮系材料时，所述电绝缘性偶氮系材料为2-羟基-11H-苯并[a]-咔唑-3-羧酸芳基酰胺；
当所述吸光膜的材料包括金属时，所述吸光膜的材料包括铁、钛、钨与镍中的至少一种。
13.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至权利要求12任一种显示面板。
14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括显示区与非显示区，所述显示区与所述非显示区相邻；所述非显示区包括透光区与非透光区，所述非透光区环绕所述显示区，所述透光区与所述非透光区相邻，所述透光区位于所述非透光区远离所述显示区的一侧；所述电子设备还包括感光元件；
所述发光层的至少部分与所述第一电极的至少部分位于所述显示区；所述吸光膜位于所述非透光区与所述显示区中的至少一处；所述感光元件位于所述显示面板背离出光面的一侧，所述感光元件在所述显示面板上的投影位于所述透光区。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210001645.1A CN114361366B (zh) | 2022-01-04 | 2022-01-04 | 显示面板及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202210001645.1A CN114361366B (zh) | 2022-01-04 | 2022-01-04 | 显示面板及电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114361366A true CN114361366A (zh) | 2022-04-15 |
| CN114361366B CN114361366B (zh) | 2024-03-12 |
Family
ID=81104827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210001645.1A Active CN114361366B (zh) | 2022-01-04 | 2022-01-04 | 显示面板及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114361366B (zh) |
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