TWI535329B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

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高晟洙
鄭哲宇
朴順龍
安致旭
高武恂
金沃炳
鄭又碩
趙一龍
金泰奎
李德珍
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Description

有機發光顯示裝置
本發明係關於一有機發光顯示裝置，更明確地說，係關於一透明有機發光顯示裝置。
有機發光顯示裝置於視角、對比、反應速度與功率消耗皆具有絕佳的特性，且因此係廣泛應用於個人可攜式應用，例如MP3播放器或行動電話與TV。
該有機發光顯示裝置具有自發光特性，且因此並不需要光源，不像液晶顯示(LCD)裝置需要光源。因此，該有機發光顯示裝置的厚度與重量皆可減少。
同時，透明有機發光顯示裝置可藉由插入透明薄膜電晶體(TFT)或透明有機發光裝置於其中。
然而，於透明有機發光顯示裝置中，位於使用者對面的物件或影像在開關關閉狀態中，不僅會穿透有機發光顯示裝置也會穿透如TFT的圖形、各種線路，以及其間的空間。此外，即使當該有機發光顯示裝置為透明顯示裝置時，上述該等有機發光裝置、TFT以及該等線路的穿透性並不高，且其間的空間非常小。因此，有機發光顯示裝置的穿透性並不高。
同時，使用者會看見因上述該等圖形所造成的變形影像，該等圖形即為有機發光裝置、TFT，與該等線路。由於該等圖形間的距離為數百奈米，其係與可見光波長相同，因此會造成傳送光線的漫射。
同時，相較於LCD裝置，兩側(底部與頂部)發光型顯示裝置可利用有機發光顯示裝置而輕易製造。
然而，由於反射陽極無法用於兩側發光型顯示裝置，光共振效應不會被利用，因此會較難獲得高的外部耦合效率。若一透明陽極被換為一半穿透式陽極以增進該兩側發光型顯示裝置的外部耦合效率，該有機發光顯示裝置的穿透性係降低。因此，很難製造透明有機發光顯示裝置。
本發明提供一透明有機發光顯示裝置，其具有穿透區域，於兩側發光期間，其有增進的穿透性與增進的外部耦合效率。
本發明也提供一透明有機發光顯示裝置，於其中傳送光的漫射係減少，以防止傳送影像的變形。
根據本發明一態樣，一有機發光顯示裝置包含：一基板；複數個TFT，其係形成於該基板的一第一表面之上；一保護層，其覆蓋該等複數個TFT；複數個第一像素電極，其係形成於該保護層之上且各自電性連結至該等複數個TFT，並且該等電極係與該等複數個TFT重疊以覆蓋該等複數個TFT，並且包含一反射層，其係由一光反射傳導材料所形成；一第二像素電極，其係由一光穿透傳導材料所形成，且其係置於該保護層上，以各自電性連結至該等複數個第一像素電極；一相對電極，其係形成以使得光線會於其上穿透與反射，並且係 置於該等複數個第一像素電極與該第二像素電極對面；一有機層，其係於該等複數個第一與該第二像素電極與該相對電極之間，且包含一發射層。
該相對電極可包含下列群體中至少一選定金屬：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，與其合金。
該第二像素電極可由下列群體中至少一選定金屬氧化物：ITO、IZO、ZnO，與In2O3。
該等複數個第一像素電極與該第二像素電極可彼此連結。
該反射層可包含下列群組中至少一選定金屬：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，與其合金。
根據本發明另一態樣，一有機發光顯示裝置包含：一基板，其分隔為一穿透區域與複數個第一像素區域，其係於該穿透區域間彼此間隔開來；複數個像素電路單位，其係形成於該基板的一第一表面上，該等像素電路的每一者包含至少一TFT，且係形成於該等複數個第一像素區域中每一者之上；一保護層，其係覆蓋該等複數個像素電路單元，且係於該穿透區域與該等複數個第一像素區域中形成；複數個第一像素電極，其係形成於該保護層上，且各自電性連結至該等複數個像素電路，該等電極係與該等複數個像素電路重疊，以覆蓋該等複數個像素電路，且其包含一反射層，其係由一光反射傳導材料形成；一第二像素電極，其係由一光穿透傳導材料形成，且其係置於該保護層之上，以此個別電性連結至該等複數個第一像素電極；一相對電極，其係形成以使該光線會於其上穿透與反射，且係置於該等複數個第一像素電極與第二像素電極對面；一有機層，其係夾置於該等複數個第一與第二像素電極以及該相對電極之間，並且包含一發射層。
該相對電極可包含下列群體中至少一選定金屬：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，與其合金。
該第二像素電極可由下列群體中至少一選定金屬氧化物：ITO、IZO、ZnO，與In2O3。
該等複數個第一像素電極與該第二像素電極可彼此連結。
該反射層可包含下列群組中至少一選定金屬：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，與其合金。
該有機發光顯示裝置可進一步包含複數條傳導線，其係電性連結至複數個像素電路單元，其中至少一條傳導線係配置以與該等第一像素電極中每一者重疊。
該保護層可由一透明材料形成。
一第二發射層，於其中光線係朝該基板與該相對電極發射，該發射層可置於對應於該第二像素電極之該穿透區域的至少一部分中。
複數個絕緣層可置於對應於該穿透區域之一區域中。
該等複數個絕緣層中至少一者可包含一開口，其係形成於該第二像素區域的至少一區域之中。
本發明更完整的了解以及許多其優點將配合附圖做詳盡描述，其中相同的圖示元件符號係指相同或類似的元件。
1‧‧‧基板
2‧‧‧顯示單元
11‧‧‧第一表面
21‧‧‧有機發光單元
23‧‧‧密封基板
24‧‧‧密封部件
25‧‧‧空間
26‧‧‧薄密封膜
211‧‧‧緩衝層
212a‧‧‧第一半導體主動層
212b‧‧‧第二半導體主動層
213‧‧‧閘極絕緣層
214a‧‧‧第一閘極電極
214b‧‧‧第二閘極電極
215‧‧‧中間絕緣層
216a‧‧‧第一源極電極
216b‧‧‧第二源極電極
217a‧‧‧第一汲極電極
217b‧‧‧第二汲極電極
218‧‧‧保護層
218a‧‧‧穿透孔
219‧‧‧像素界定層
220a‧‧‧底部電極
220b‧‧‧頂部電極
221‧‧‧第一像素電極
221a‧‧‧第一透明傳導層
221b‧‧‧反射層
221c‧‧‧第二透明傳導層
222‧‧‧第二像素電極
223‧‧‧有機層
223a‧‧‧第一功能層
223b‧‧‧發射層
223c‧‧‧第二功能層
224‧‧‧相對層
229‧‧‧開孔
TA‧‧‧穿透區域
PA1‧‧‧第一像素區域
PA2‧‧‧第二像素區域
PC‧‧‧像素電路單元
S‧‧‧掃描線
D‧‧‧資料線
V‧‧‧Vdd線
TR1‧‧‧第一TFT
TR2‧‧‧第二TFT
Cst‧‧‧電容
圖1所示係根據本發明一實施例的一有機發光顯示裝置的截面圖。
圖2所示係根據本發明一實施例於圖1中的該有機發光顯示裝置的一詳細截面圖。
圖3所示係根據本發明另一實施例於圖1中的該有機發光顯示裝置的一詳細截面圖。
圖4所示係根據本發明一實施例於圖2或圖3中的該有機發光單元的一圖示。
圖5所示係根據本發明一實施例於該有機發光單元的中包含的圖4中一像素電路單元的圖示。
圖6所示係根據本發明一實施例於圖5中該有機發光單元的一詳細平面圖。
圖7所示係圖6的該有機發光顯示裝置沿線A-A的截面圖。
圖8所示係根據本發明一實施例於圖7中的一第一像素區域的一詳細截面圖。
圖9所示係根據本發明一實施例於圖7中的一第二像素區域的一詳細截面圖。
圖10所示係根據本發明另一實施例的一有機發光單元的一截面圖。
下文中會配合圖示對本發明有更詳盡的描述，於其中顯示示範實施例。
圖1所示係根據本發明實施例的有機發光顯示裝置的截面圖。
參考圖1，該有機發光顯示裝置包含基板1與形成於該基板1的一第一表面11上之顯示單元2。
上述有機發光顯示裝置中，外部光線穿透該基板1與該顯示單元2。該顯示單元2為兩側發射型發光單元，表示一影像係顯現於兩表面上，如圖1中所示。
該顯示單元2係形成以使得外部光可穿透之，其係將於下文中描述。參考圖1，自影像形成於其上之一側，使用者可自該側看到影像形成於該基板1的外部下表面之上。
圖2所示係根據本發明一實施例於圖1中的該有機發光顯示裝置的一詳細截面圖。
該顯示單元2包含一有機發光單元21，其係形成於該基板1的該第一表面11與一密封基板23之上，該密封基板密封該有機發光單元21。
該密封基板23係由一透明材料形成，使得一影像可自該有機發光單元21穿透過去，且避免空氣與水自外界滲透入該有機發光單元21之中。
該基板1與該密封基板23係利用一密封部件24而彼此耦合，其係形成於該基板1與該密封基板23的邊界部分之上，因此將該基板1與該密封基板23之間的一空間25密封。
圖3所示係根據本發明另一實施例於圖1中的該有機發光顯示裝置的一詳細截面圖。
如圖3中所示，一薄密封膜26係形成於該有機發光單元21之上，以保護該有機發光單元21不受外界空氣與水影響。該密封膜26可具有一結構，其中一層係由一無機材料形成，例如氧化矽或氮化矽，該結構其中一層係由一 有機材料形成，例如樹酯或聚醯亞胺，該等層係交替層疊，但並不限於此。該密封膜26可具有任何密封結構，其係為一透明薄膜。
圖4所示係根據本發明一實施例於圖2或圖3中的該有機發光單元21的一圖示，圖5所示係根據本發明一實施例該有機發光單元21所包含於圖4中的一像素電路單元的圖示。
參考圖2至圖5，該有機發光單元21係形成於該基板1之上，其包含一外部光會穿透期之穿透區域TA以及複數個於該穿透區域TA之間分開之第一像素區域PA1。複數個第二像素區域PA2係與該等第一像素區域PA1相鄰，且係形成於該穿透區域TA的至少一部分之上。也就是說，該第二像素區域PA2中，外部光可同時穿透與發射。
參考圖4，一像素電路單元PC係包含於該等第一像素區域PA1中的每一者中，且複數條傳導線(例如掃描線S、資料線D，與Vdd線V)係電性連結至該像素電路單元PC。雖未顯示於圖4中，根據該像素電路單元PC的配置，除了掃描線S、資料線D，與Vdd線V之外，其他各種傳導線可更進一步包含於其中。
參考圖5，該像素電路單元PC包含一第一薄膜電晶體(TFT)TR1，其係連接至一掃描線S與一資料線D；一第二TFT TR2，其係連接至該第一TFT TR1與一Vdd線V；以及一電容Cst，其係連接至該第一TFT TR1與該第二TFT TR2。於此，該第一TFT TR1為一切換電晶體，且該第二TFT TR2為一驅動電晶體。該第二TFT TR2係電性連結至一第一像素電極221。雖然該第一TFT TR1與該第二TFT TR2為圖5中的P型電晶體，其並不限於此，且其中至少一者也可為一N型電晶體。該等TFT與電容Cst如前所述的數量並不限於以上實施例。根據該像素電路單元PC，可有兩個或更多TFT與一個或更多電容Cst合併於其中。
參考圖4與圖5，該掃描線S、資料線D，與該Vdd線V係配置以與該第一像素電極221重疊。然而，本發明之實施例並不限於此，且該等複數條傳導線中至少一條，包含該掃描線S、該資料線D，與該Vdd線V，可與該第一像素電極221重疊，或是所有的該等複數條傳導線，包含該掃描線S、該資料線D、與該Vdd線V，可視情況配置以與該第一像素電極221相鄰。
如同下文中所將描述，該第一像素區域PA1變為一區域，其中該頂部發射係以一高光耦合效率實行於每一個子像素中。由於該像素電路單元PC係置於該頂部發射的區域中，該使用者可透過該包含該第二像素區域PA2的穿透區域TA看到一外部影像。意即，由於該像素電路單元PC的一傳導圖形並不包含於該穿透區域TA之中，且該傳導圖形為減低該穿透區域TA的穿透性的一最大因素，該穿透區域TA的該穿透性會進一步增進。
如上文所述，根據本發明該實施例，該有機發光單元21係分為該第一像素區域PA1與該穿透區域TA，且大部份的傳導圖形係置於該第一像素區域PA1之中，該等傳導圖形會減低該有機發光顯示裝置的整體穿透性，以此可增加該穿透區域TA的穿透性，因而增加一影像形成的整體區域(圖2或圖3的該有機發光單元21)的穿透性，其係與一傳統透明顯示裝置作比較。
根據本發明該實施例，該像素電路單元PC與該第一像素區域PA重疊，且因此會防止外部影像變形，其係由於外部光源因像素電路單元PC中元件的圖形而漫射。
雖然傳導線，包含掃描線S、資料線D，與Vdd線V也可配置以跨越該第一像素區域PA與另一相鄰第一像素區域PA1之間的該穿透區域TA，這些傳導線非常薄且僅在使用者靠近觀察時會被看見，且不會影響該有機發光單元 21的整體穿透率。因此，並不影響該透明顯示裝置的製造。同時，即使該使用者會看不到由該第一像素區域PA1所覆蓋的一外部影像的一部分，當看整個顯示裝置時，由於該第一像素區域PA1為複數個點於一透明玻璃一表面上的排列，該使用者可看到外部影像而沒有任何問題。
該第一像素電極221係包含於該第一像素區域PA1之中，該第一像素電極221係電性連結至該像素電路單元PC，且該像素電路單元PC與該第一像素電極221重疊，以被該第一像素電極221覆蓋。同時，至少一個上述傳導線，包含該掃描線S、資料線D，與Vdd線V可被排列以通過該第一像素電極221。同時，由於該傳導線相對於該像素電路單元PC係幾乎不減少該有機發光顯示裝置的穿透性，所有的該等傳導線可配置以與該第一像素電極221相鄰，其係根據該有機發光顯示裝置的設計。該第一像素電極221包含一反射層，其係由一光反射傳導金屬形成，其將於下文中描述，且因此該第一像素電極221覆蓋該像素電路單元PC，其與該反射層重疊，且防止由該第一像素區域PA1中的該像素電路單元PC造成的外部影像變形。
同時，一第二像素電極222係進一步置於該穿透區域TA中以形成該第二像素區域PA2。如將於下文中所描述，該第二像素電極222係由一光穿透金屬氧化物形成，以此外部光線可穿透該第二像素區域PA2。
圖6所示係根據本發明一實施例的該有機發光單元的一詳細平面圖，並且顯示圖5的該像素電路單元PC，圖7所示係圖6的該有機發光顯示單元沿線A-A的截面圖。
參考圖6與圖7，一緩衝層211係形成於該基板1的該第一表面11之上，且該第一TFT TR1、該電容Cst以及該第二TFT TR2係形成於該緩衝層211之上。
首先，一第一半導體主動層212a與一第二半導體主動層212b係形成於該緩衝層211之上。
該緩衝層211防止雜質滲入該有機發光單元21之中，並且可使該基板1的表面平坦化，且可由一種可實行這些功能的材料所形成。舉例來說，該緩衝層211可由無機材料形成，其係如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦，或氮化鈦，或其可由有機材料形成，其係如聚醯亞胺、聚酯、丙烯酸，或由此等材料堆疊形成。同時，根據所需，可包含或不包含緩衝層211。
第一半導體主動層212a與第二半導體主動層212b可由聚矽形成，但並不限於此。該第一半導體主動層212a與該第二半導體主動層212b也可由一氧化半導體形成。舉例來說，第一半導體主動層212a與第二半導體主動層212b可為G-I-Z-O層[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c層](a、b與c滿足a0、b0、及c>0)。
閘極絕緣層213係形成於該緩衝層211之上，以覆蓋第一半導體主動層212a與第二半導體主動層212b，且第一閘極電極214a與第二閘極電極214b係形成於該閘極絕緣層213之上。
中間絕緣層215係形成於該閘極絕緣層213之上，以覆蓋第一半導體主動層212a與第二半導體主動層212b，且第一源極電極216a、第一汲極電極217a、第二源極電極216b以及第二汲極電極217b係形成於該中間絕緣層215之上，以經由接觸孔與第一半導體主動層212a及第二半導體主動層212b接觸。
參考圖7，掃描線S可與第一閘極電極214a及第二閘極電極214b同時形成。同時，資料線D係於第一源極電極216a形成時形成，且其係連接至第一源極電極216a，且Vdd線V係於第二源極電極216b形成時形成，且其係連接至第二源極電極216b。
電容Cst的一底部電極220a係與第一閘極電極214a及第二閘極電極214b同時形成，且電容Cst的頂部電極220b係與第一電極217a同時形成。
第一TFT TR1、電容Cst以及第二TFT TR2並不限於此，且其他各種結構也可形成。舉例來說，上述之第一TFT TR1及第二TFT TR2具有頂部閘極結構，但其也可具有底部閘極結構，其中第一閘極電極214a與第二閘極電極214b係置於第一半導體主動層212a與第二半導體主動層212b之下。同時，其他不同於上述的各種TFT結構皆可使用。
保護層218係形成以覆蓋第一TFT TR1、電容Cst及第二TFT TR2。 保護層218可為單一絕緣層或多層絕緣層，其具有平坦化上表面。保護層218可由無機及/或有機材料形成。
如圖6與7中所示，第一像素電極221係形成於保護層218之上，以覆蓋第一TFT TR1、電容Cst及第二TFT TR2。第一像素電極221係連接至第二TFT TR2的第二汲極電極217b，其係藉由於保護層218中所形成的穿透孔218a而連接。
第二像素電極222係形成於保護層218之上，其係與第一像素電極221相鄰。第一像素電極221與第二像素電極222較佳而言係彼此相連結。如圖6中所示，第一像素電極221與第二像素電極222的連接結構係形成於每一個像素中為一絕緣島狀物。
像素界定層219係形成於保護層218之上，以覆蓋第一像素電極221與第二像素電極222的邊緣。有機層223與相對電極224係依序堆疊於第一像素電極221之上。相對電極224可各別形成於整個第一與第二像素區域PA1與PA2以及穿透區域TA之上。
有機層223可由小分子有機層或聚合有機層形成。當由該小分子有機層形成時，該有機層223可由單一層形成，其係由電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)或包含這些層的多層結構。該小分子有機層的有機材料的例子，其包含銅酞藍(CuPc)，N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-二氨基聯苯(N,N’-Di(Naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine，NPB)，以及參(8-羥基-喹啉酸基)鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3)。該小分子有機層可藉由利用真空沉積法形成。EML係形成於紅、綠及藍色像素的每一者中，且HIL、HTL、ETL及EIL係由紅、綠及藍色像素所共用的共同層。因此，如圖7中所示，HIL、HTL、ETL及EIL係形成以覆蓋該整個第一與第二像素區域PA1與PA2以及穿透區域TA，如相對電極224形成。
該第一像素電極221與該第二像素電極222可作為陽極電極，而該相對電極224可做為陰極，或是該等個別的第一與第二像素電極221與222與相對電極224可交換。
該第一像素電極221尺寸係對應於各個像素的該第一像素區域PA1。該第二像素電極222的尺寸係對應於各個像素的該第二像素區域PA2。
該相對電極224可由一共電極形成，以覆蓋該有機發光單元21的全部像素。
根據本發明該實施例，第一像素電極221可包含反射層，且相對電極224可為半穿透、半反射電極。因此，第一像素區域PA1為頂部發射型區域，影像係於其中且朝向相對電極224形成。
為達此目的，該第一像素電極221可包含反射層，其係由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，與其化合物形成，以及金屬氧化層，其係由具高功函數的ITO、IZO、ZnO，或In2O3形成。相對電極224可由功函數小的金屬形成，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，或其合金。該相對電極224可由薄膜形成，其厚度為100至300r。一透明保護層(未顯示於圖中)可進一步形成於該相對電極224之上。
當該第一像素電極221為一反射電極，置於其下的該像素電路單元PC係被該第一像素電極221覆蓋。因此，形成圖7的該相對電極224的左上側，使用者不會看到第一TFT TR1、電容Cst及第二TFT TR2的圖形。
並且，由於該第一像素電極221為反射電極，光線僅會於相對電極224之上照射至使用者。因此，朝向使用者相對側所損失的光量會減少。此外，如上述，第一像素電極221覆蓋其下的像素電路單元PC的各種圖形，且因此使用者可看見更清楚的穿透影像。
同時，第二像素電極222係由透明電極形成。第二像素電極222可由金屬氧化層形成，舉例來說，ITO、IZO、ZnO，或In2O3，其如上述具有高功函數且無反射層。當第二像素電極222為透明的時，使用者可穿透第二像素區域PA2看到一穿透影像於基板1之下。
第二像素電極222可與第一像素電極221同時形成，其係藉由將第一像素電極221的透明金屬氧化層圖形化所形成，除了反射層之外，以此延伸至該第二像素電極222。
保護層218、閘極絕緣層213、中間絕緣層215以及像素界定層219較佳而言係由透明絕緣層形成。基板1的穿透性係小於或等於該等絕緣層的總穿透性。
圖8所示係根據本發明實施例於圖7之第一像素區域中的詳細截面圖，而圖9所示係根據本發明實施例於圖7之第二像素區域中的詳細截面圖。
該第一像素電極221可由層疊形成，其包含第一透明傳導層221a、反射層221b以及第二透明傳導層221c。第一透明傳導層221a與第二透明傳導層221c可由具有高功函數之ITO、IZO、ZnO或In2O3形成。該反射層221b可由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或一如上述之化合物形成。
有機層223包含第一功能層223a、發射層223b以及第二功能層223c，其係形成於該第一像素電極221之上，且相對電極224係形成於有機層223之上。
第一功能層223a可包含HIL及HTL，且第二功能層223c可包含EIL及ETL。
距離t於反射層221b的表面與相對電極224之間，其係經調整以對應於自該發射層223b發射之光線的波長形成光共振。因此，該距離t可根據紅、綠及藍色像素變化。為了調整該距離t以產生光共振，輔助層(未顯示於圖中)可使該距離t可根據該等像素的顏色變化，其可進一步形成於第一功能層223a及/或第二功能層223c之上。
第一像素區域PA1具有上述結構，其為頂部發射型區域，影像係形成於其中且朝向相對電極224，且藉由調整該距離t以產生光共振，可使其光外部耦合效率最大化。
同時，第二像素電極222係僅由透明傳導材料形成，如上述不具有反射層。因此，第一像素電極221的第一透明傳導層221a與第二透明傳導層221c中至少一者可延伸以形成第二像素電極222。
有機層223包含第一功能層223a、發射層223b以及第二功能層223c，其係形成於第二像素電極222之上，且相對電極224係形成於有機層223之上。
由於第二像素區域PA2的第二像素電極222並不包含反射層，如上述的光共振距離並不需要被調整。同時，第二像素區域PA2為雙向(頂部與底部)發射型區域，其會形成一影像朝向相對電極224與第二像素電極222。因此，當顯示單元2操作時，第二像素區域PA2形成一影像作為雙向發射型區域，且當該顯示單元2不操作時，該第二像素區域PA2為一穿透區域，外部影像係穿透之。 同時，由於第二像素區域PA2並不利用光共振，其光外部耦合效率會減低。由於這些特性，即使當該顯示單元2操作時，使用者可透過第二像素區域PA2看見外部穿透影像。
因此，當使用者的位置係於相對電極224之上時，使用者可透過第一像素區域PA1看見一清楚且明亮的影像，且其光外部耦合效率高，並且同時也可透過第二像素區域PA2看見一模糊的外部穿透影像。
同時，根據本發明之實施例，為了進一步增進穿透區域TA的穿透性並且防止由穿透區域TA中的多層透明絕緣層造成的光干涉，以及防止色純度 的降低，並防止由該光干涉造成的變色，開孔229會形成於該絕緣層的至少一部分中，其係於對應於第二像素區域PA2的至少一區域中。
根據本發明本實施例，該穿透區域TA的該區域需要增加，或是該穿透區域TA中形成材料的穿透性需要增加，以增加該穿透區域TA的外部光線的穿透性。然而，由於該像素電路單元PC的設計中的限制，很難增加該穿透區域TA的面積。因此，該穿透區域TA中形成材料的穿透性需要增加。然而，由於該材料的發展限制，該材料的穿透性也很難增加。此外，由於該第二像素區域PA2占據了該穿透區域TA的大部分面積，要增加外部光線穿透該穿透區域TA的穿透性係相當困難的。
因此，根據本發明本實施例，開孔229(連結圖10描述於下文中)係形成於該等絕緣層中至少一部分中，其係於對應於該第二像素區域PA2的至少一區域中。
圖10所示係根據本發明另一實施例的有機發光單元的截面圖。
參考圖10，於該有機發光單元21中，該開孔229係形成於該保護層218中，其覆蓋該像素電路單元PC。於圖10中，該開孔229係形成於該保護層218之中，但本發明並不限於此。同時，連接至該開孔229的該等開孔可進一步形成於中間絕緣層215、閘極絕緣層213以及緩衝層211中之至少一者中，以因而進一步增加穿透區域TA的穿透性。開孔229並不與掃描線S、資料線D以及Vdd線V接觸，開孔229較佳而言係形成為越寬越好。
根據本發明，當雙側發光時，係提供一透明有機發光顯示裝置對於外部光線的穿透性會增加，並且其光外部耦合效率會增加。
同時，係提供一透明有機發光顯示裝置，於其中的穿透光散射係減少以防止一穿透影像變形。
本發明雖特別配合示範實施例顯示與描述，熟習本技藝人士應了解其形式上與細節可有各種變化而不脫離本發明精神與範疇，其係定義於下列申請專利範圍中。
1‧‧‧基板
2‧‧‧顯示單元
11‧‧‧第一表面

Claims (15)

  1. 一有機發光顯示裝置，其包含：一基板；複數個薄膜電晶體(TFT)形成於該基板的一第一表面上；一保護層，其係覆蓋該等複數個TFT；複數個第一像素電極，其係形成於該保護層之上且個別電性連結至該等複數個TFT，該等第一像素電極與該等複數個TFT重疊以覆蓋該等複數個TFT，該等第一像素電極包含一反射層，其由一光反射傳導材料形成；一第二像素電極，其係由一光穿透傳導材料形成，並且係置於該保護層之上以個別電性連結至該等複數個第一像素電極；一相對電極，其係形成以使光線自其穿透並反射，該等相對電極係置於該等複數個第一像素電極與該第二像素電極對面；一有機層，其係置於該等複數個第一與第二像素電極以及該相對電極之間，並包含一發射層；其中，該等第一像素電極與該第二像素電極的連接結構係獨立形成於各像素中，該等第一像素電極與該相對電極重疊的區域中，影像係朝向該相對電極的方向形成，該第二像素電極與該相對電極重疊的區域中，影像係朝向該第二像素電極與該相對電極的方向形成， 該第二像素電極與該等複數個TFT係配置為彼此不重疊。
  2. 根據申請專利範圍第1項的該有機發光顯示裝置，其中該相對電極包含選自下列群組中至少一金屬，其包含：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，與其合金。
  3. 根據申請專利範圍第1項的該有機發光顯示裝置，其中該第二像素電極係由選自下列群組中至少一金屬氧化物所形成，其包含：氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅，與In2O3。
  4. 根據申請專利範圍第1項的該有機發光顯示裝置，其中該等複數個第一像素電極與該第二像素電極係彼此連結。
  5. 根據申請專利範圍第1項的該有機發光顯示裝置，其中該反射層包含選自下列群組中至少一金屬，其包含：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，與其合金。
  6. 一有機發光顯示裝置，其包含：一基板，其係分為一穿透區域與複數個第一像素區域，其係於該穿透區域之間彼此分離；複數個像素電路單元，其係形成於該基板的一第一表面之上，該等像素電路的每一者包含至少一薄膜電晶體(TFT)，並且其係形成於該等複數個第一像素區域中的每一者之中；一保護層，其係覆蓋該等複數個像素電路單元，並且形成於該穿透區域與該等複數個第一像素區域中；複數個第一像素電極，其係形成於該保護層之上並且係各別電性連結於該等複數個像素電路，該等第一像素電極與該等複 數個像素電路重疊，以覆蓋該等複數個像素電路，且該等第一像素電極包含一反射層，其係由一光反射傳導材料形成；一第二像素電極，其係由一光穿透傳導材料形成且係置於該保護層之上，以個別電性連結至該等複數個第一像素電極；一相對電極，其係形成以使得光線於此穿透並且反射，該相對電極係放置於該等複數個第一像素電極與該第二像素電極對面；一有機層，其係置於該等複數個第一與第二像素電極與該相對電極之間，且包含一發射層；其中，該等第一像素電極與該第二像素電極的連接結構係獨立形成於各像素中，該等第一像素電極與該相對電極重疊的區域中，影像係朝向該相對電極的方向形成，該第二像素電極與該相對電極重疊的區域中，影像係朝向該第二像素電極與該相對電極的方向形成，該第二像素電極與該等複數個TFT係配置為彼此不重疊。
  7. 根據申請專利範圍第6項的該有機發光顯示裝置，其中該相對電極包含選自下列群組中至少一金屬，其包含：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，與其合金。
  8. 根據申請專利範圍第6項的該有機發光顯示裝置，其中該第二像素電極係由選自下列群組中至少一金屬氧化物形成，其包含：氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅，與In2O3。
  9. 根據申請專利範圍第6項的該有機發光顯示裝置，其中該等複 數個第一像素電極與該第二像素電極係彼此連結。
  10. 根據申請專利範圍第6項的該有機發光顯示裝置，其中該反射層包含選自下列群組中至少一金屬，其包含：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，與其合金。
  11. 根據申請專利範圍第6項的該有機發光顯示裝置，其進一步包含複數條傳導線，其係電性連結至該等複數個像素電路單元，其中至少一條傳導線係排列以與該等第一像素電極中每一者重疊。
  12. 根據申請專利範圍第6項的該有機發光顯示裝置，其中該保護層係由一透明材料形成。
  13. 根據申請專利範圍第6項的該有機發光顯示裝置，其進一步包含一第二像素區域，於其中光線係朝該基板與該相對電極發射，且其係置於對應於該第二像素電極之該穿透區域的至少一部分中。
  14. 根據申請專利範圍第13項的該有機發光顯示裝置，其進一步包含複數個絕緣層，其係置於對應於該穿透區域之一區域中。
  15. 根據申請專利範圍第14項的該有機發光顯示裝置，其中該等複數個絕緣層中至少一者包含一開孔，其係形成於該第二像素區域的至少一區域中。
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