KR100807560B1 - 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (16)
- 기판;상기 기판상에 위치하는 제1화소전극;상기 제1화소전극의 일부를 노출시키는 개구부를 구비하는 화소정의막;상기 화소정의막의 개구부에 의하여 노출된 제1화소전극의 상부에 위치하고, 상기 화소정의막의 개구부 내에 위치하는 제2화소전극;상기 제2화소전극의 상부에 위치하고, 상기 화소정의막의 개구부 내에 위치하는 제3화소전극;상기 제3화소전극 상에 위치하며, 발광층을 포함하는 유기막층; 및상기 유기막층의 상부에 위치하는 대향전극을 포함하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1화소전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TO(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2화소전극은 Al, Al 합금, Ag 및 Ag 합금으로 이루어진 군에서 선택 되는 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제3화소전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TO(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1화소전극은 50∼100Å의 두께인 것 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제2화소전극은 900∼2000Å의 두께인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 제3화소전극은 50∼100Å의 두께인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소정의막은 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 포토레지스트, 페놀계 포토레지스트 및 폴리이미드계 포토레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 기판;상기 기판상에 위치하고, 소오스/드레인 영역을 구비하는 반도체층 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터;상기 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 연결되는 제1화소전극;상기 제1화소전극의 일부를 노출시키는 개구부를 구비하는 화소정의막;상기 화소정의막의 개구부에 의하여 노출된 제1화소전극의 상부에 위치하고, 상기 화소정의막의 개구부 내에 위치하는 제2화소전극;상기 제2화소전극의 상부에 위치하고, 상기 화소정의막의 개구부 내에 위치하는 제3화소전극;상기 제3화소전극 상에 위치하며, 발광층을 포함하는 유기막층; 및상기 유기막층의 상부에 위치하는 대향전극을 포함하는 유기전계발광표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제1화소전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TO(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제2화소전극은 Al, Al 합금, Ag 또는 Ag 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제3화소전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TO(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 화소정의막은 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 포토레지스트, 페놀계 포토레지스트 및 폴리이미드계 포토레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 기판을 제공하고,상기 기판 상부에 반도체층, 게이트 전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하고,상기 박막트랜지스터를 포함하는 기판 전면에 보호막을 형성하고,상기 보호막을 식각하여 상기 소오스/드레인 전극 중 하나를 노출시키는 콘택홀을 형성하고,상기 보호막의 상부에 위치하고, 상기 콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 연결되는 제1화소전극을 형성하고,상기 제1화소전극 상에 제1화소전극의 일부를 노출시키는 개구부를 구비하는화소정의막을 형성하고,상기 화소정의막의 개구부에 의하여 노출된 제1화소전극의 상부에 위치하고, 상기 화소정의막의 개구부 내에 위치하는 제2화소전극을 형성하고,상기 제2화소전극의 상부에 위치하고, 상기 화소정의막의 개구부 내에 위치하는 제3화소전극을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제2화소전극 및 제3화소전극을 형성하는 것은 새도우 마스크를 마스크로 하여 화소정의막의 개구부 내에 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 새도우 마스크는 상기 화소정의막의 개구부를 형성하기 위해 사용된 마스크와 동일한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
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