JP6496365B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、透過型の表示装置とその駆動方法に関する。特に有機EL(エレクトロルミ
ネセンス)素子が適用された透過型の表示装置とその駆動方法に関する。
有機EL素子の研究開発が盛んに行われている。有機EL素子の基本的な構成は、一対
の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加する
ことにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。
有機EL素子が適用された発光装置の一つに表示装置がある。このような表示装置とし
ては、単純マトリクス方式(パッシブマトリクス方式ともいう)やアクティブマトリクス
方式が適用された表示装置が知られている。有機EL素子は膜状に形成可能な自発光の素
子であり、液晶表示装置等で必要であったバックライトを必要としないため、薄型、軽量
、高コントラストで、且つ低消費電力駆動が可能な表示装置を実現できる。例えば、有機
EL素子を用いた表示装置の一例が特許文献1に記載されている。
また近年、表示装置の多様化が求められている。その一つに表示部に光透過性を持たせ
、その向こう側が視認可能な、いわゆるシースルー機能を持たせた表示装置がある。この
ようなシースルー機能を有する表示装置は、車両のフロントガラス、家屋やビルなどの建
築物の窓ガラス、店舗のショーウィンドウのガラスやケース、または携帯電話やタブレッ
ト端末などの情報携帯端末や、ヘッドマウントディスプレイなどのウェアラブルディスプ
レイ、または航空機などに用いられるヘッドアップディスプレイなど、様々な用途への応
用が期待されている。
特開2002−324673号公報
シースルー機能を有する表示装置において、表示する画像の表示品位の向上が求められ
ている。しかしながら従来では、シースルー機能を有する表示装置を介して透過する光(
以下、透過光ともいう)と画素部からの発光が混在して視認されてしまうため、明瞭な表
示画像を得ることができなかった。
また、情報端末機器やウェアラブルディスプレイなどは、バッテリによって駆動電力を
供給する必要があるため、駆動可能時間を長くするために表示装置の低消費電力化も求め
られている。
本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって本発明の一
態様は、有機EL素子が適用され、表示品位が向上した透過型の表示装置、およびその駆
動方法を提供することを課題の一とする。また、低消費電力駆動が可能な透過型の表示装
置を提供することを課題の一とする。
本発明の一態様は、上記課題の少なくとも一を解決するものである。
表示画像の表示品位を向上させるための方法として、表示素子の高輝度化や色純度の向
上、あるいは表示部の高精細化などが挙げられる。
ここで、上記課題を解決するため、外光を透過しない発光素子を有する画素部と、外光
を透過する透過部を備える表示装置の構成に想到し、課題の解決に至った。画素部の有す
る発光素子は、視認側とは反対側の電極として、反射性を有する電極を設けることにより
、外光を遮断する構成とする。さらに画素部に設けられる発光素子と重なるカラーフィル
タを設ける構成とすればよい。
すなわち、本発明の一態様の表示装置は、第1〜第nの特定波長帯域の光のうちいずれ
かを選択的に透過する第1〜第nのカラーフィルタと、第1〜第nのカラーフィルタのい
ずれかと重畳し、且つ上記第1〜第nの特定波長帯域の光を発光する複数の発光素子と、
可視光を透過する透過部と、を有する。また、複数の発光素子のそれぞれは、第1の電極
層と、第2の電極層と、これらの間に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を有す
る。さらに、カラーフィルタ側の第2の電極層は、可視光に対して透光性を有し、第1の
電極層は、可視光に対して反射性を有することを特徴とする。
このような構成とすることにより、外光は透過部のみで透過し、発光素子を備える領域
では透過しないため、発光素子からの発光と外光からの透過光が混在することがなく、明
瞭な表示画像を得ることができる。さらに発光素子からの発光は、カラーフィルタを介し
て視認されるため色純度を高めることができ、より鮮明な表示画像を得ることができる。
したがって、より表示品位が向上した透過型の表示装置とすることができる。
さらに上記構成とすることにより、異なる発光色を透過するカラーフィルタと発光素子
の対(以下本明細書中では、互いに重畳する一つのカラーフィルタと一つの発光素子の対
を表示素子と定義する)間での発光素子の構成を同一とすることができる。したがってメ
タルマスク等を用いて異なる発光色の発光素子を作り分ける場合と比較して、発光素子間
距離を小さくすることができるため、高精細な、または高い開口率を有する表示装置とす
ることができる。
また、上記表示装置において、第2の電極層は、可視光に対して透光性とともに反射性
を有し、発光素子の少なくとも一は、第1の電極層と第2の電極層との間に、光学調整層
を有することが好ましい。
また、このような構成とすることにより、光学調整層が設けられた表示素子は、光学干
渉によって特定の波長帯域の光の発光強度を高めることが可能で、発光素子からの発光の
色純度をさらに高めることができる。したがって、より明瞭な表示画像を得ることができ
る。
また、上記表示装置において、透過部は、複数の透過発光素子を備え、透過発光素子は
、第3の電極層と、第2の電極層と、これらの間に挟持された発光性の有機化合物を含む
層とを備え、第3の電極層は、可視光に対して透光性を有することが好ましい。
またこのように、透過部には可視光に対して透光性を有する透過発光素子を設けること
が好ましい。当該透過発光素子は、表示素子と共通の発光性の有機化合物を有するため、
カラーフィルタを備えた表示素子と、当該透過発光素子とを同時に駆動させて画像を表示
させることにより、表示素子のみを駆動させる場合よりも低電力で駆動させることができ
る。
また、当該透過発光素子を駆動させて画像を表示する場合、カラーフィルタが設けられ
ている視認側とは反対側(裏面側ともいう)にも、透過発光素子からの発光により画像を
表示することができ、両面射出型の表示装置として用いることもできる。
また、透過発光素子を非発光状態としたまま、表示素子のみを駆動し、画像を表示させ
ることもできる。このとき、透過発光素子からは透過光のみが視認され、より透過光量を
大きくすることができるため、背景が暗い場合などには特に有効である。また裏面側に画
像を表示させたくない場合は、透過発光素子を非発光状態とすることにより、裏面側から
表示画像を視認できないようにすることもできる。
また、上記表示装置は、上述の透過発光素子の占有面積が、表示素子の各々の占有面積
よりも大きいことが好ましい。
また、上記表示装置は、上述の複数の透過発光素子の占有面積の総和が、表示素子の占
有面積の総和よりも大きいことが好ましい。
上述のように、発光素子の視認側とは反対側の電極として反射性の電極を用いることに
より発光輝度が高められているため、透過部に設けられる透過発光素子の面積を大きくし
ても高い表示品位を維持することが可能である。透過発光素子の面積が大きいほど、透過
光量を大きくすることができるため好ましい。
各々の透過発光素子の面積は、各々の表示素子の面積よりも大きくすることが可能であ
るし、透過発光素子の面積の総和を、表示素子の面積の総和よりも大きくすることもでき
る。例えば、赤色、青色、緑色を呈する表示素子と、白色を呈する透過発光素子から画素
が構成されていた場合、透過発光素子の占有面積を各々の表示素子の占有面積よりも大き
くすることもできるし、3つの表示素子の占有面積の総和よりも大きくすることもできる
また、本発明の一態様の表示装置の駆動方法は、ある波長帯域の光を発光し、且つ可視
光に対して非透光性を有する表示素子と、該波長帯域の光を発光し、且つ可視光に対して
透光性を有する透過発光素子と、を少なくとも備える表示装置の駆動方法であって、表示
素子及び透過発光素子を駆動して画像を表示する第1のモードと、表示素子のみを駆動し
て画像を表示する第2のモードと、を切り替えることを特徴とする。
このように、例えば、背景が暗い場合などには透過発光素子を発光させずに表示素子を
駆動することにより、透過光量を増加させ、一方背景輝度が高い場合などでは、透過発光
素子を同時に駆動させることにより、低消費電力で表示装置を駆動することができる。さ
らに、透過発光素子を用いることで、表示画像の輝度を高めることもできるため、明るい
場所であっても明瞭な画像を表示することができる。
また、本発明の他の一態様の表示装置の駆動方法は、第1の波長帯域の光を発光し、且
つ可視光に対して非透光性を有する第1の表示素子と、第2の波長帯域の光を発光し、且
つ可視光に対して非透光性を有する第2の表示素子と、第1の波長帯域の光及び第2の波
長帯域の光を発光し、且つ可視光に対して透光性を有する透過発光素子と、を少なくとも
備える表示装置の駆動方法であって、第1の表示素子、第2の表示素子、及び透過発光素
子を駆動して画像を表示する第1のモードと、透過発光素子を駆動せずに第1の発光素子
、及び第2の発光素子を駆動して画像を表示する第2のモードと、を切り替えることを特
徴とする。
このように、複数の表示素子から複数の発光色を得る構成とすることにより、カラー表
示可能な透過型の表示装置においても低消費電力駆動を実現できる。
なお、本明細書中において、表示装置とは複数の画素を備える画像表示装置をいう。ま
た、表示装置にコネクター、例えばFPC(Flexible printed cir
cuit)TCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジ
ュール、TCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または画素が形成された
基板にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装さ
れたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
本発明によれば、有機EL素子が適用され、表示品位が向上した透過型の表示装置、お
よびその駆動方法を提供できる。また、低消費電力駆動が可能な透過型の表示装置を提供
できる。
本発明の一態様の、表示装置を説明する図。 本発明の一態様の、表示装置を説明する図。 本発明の一態様の、表示素子及び透過部の配置例を説明する図。 本発明の一態様の、表示素子及び透過部の配置例を説明する図。 本発明の一態様の、表示装置を説明する図。 本発明の一態様の、表示装置を説明する図。 本発明の一態様の、表示装置を説明する図。 本発明の一態様の、EL層を説明する図。 本発明の一態様の、表示装置の応用例を説明する図。 本発明の一態様の、トランジスタの構成例を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成におい
て、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用
い、その繰り返しの説明は省略する。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について、図1〜4を参照して
説明する。
〈構成例〉
図1(A)は、表示装置100の概略図である。
表示装置100は複数の画素110を有し、各々の画素110は、赤色の発光を呈する
表示素子101R、緑色の発光を呈する表示素子101G、青色の発光を呈する表示素子
101B、及び透過部103を有する。ここで、各々の表示素子に共通する特徴を説明す
る場合には、これらの表示素子をまとめて表示素子101と表記することとする。
表示素子101Rは、発光素子111とカラーフィルタ105Rを備える。同様に、表
示素子101Gは発光素子111とカラーフィルタ105Gを備え、表示素子101Bは
発光素子111とカラーフィルタ105Bを備える。
ここで、表示装置100において、カラーフィルタが設けられる側が、表示画像や透過
光を視認可能な視認側となる。また、視認側とは反対側のことを裏面側と呼ぶ。
発光素子111は、第1の電極層113上にEL層115と第2の電極層117が順に
積層されて構成されている。ここで、カラーフィルタ側に設けられた第2の電極層117
は、可視光に対して透光性を有する。またカラーフィルタとは反対側に設けられた第1の
電極層113は、可視光に対して反射性を有する。したがって、発光素子111からの発
光は、カラーフィルタ側に射出される。ここで第1の電極層113が反射性を有するため
、EL層115の第1の電極層113側への発光を反射して、第2の電極層117側に射
出することができるため、干渉効果を利用すれば発光素子111の発光強度を高めること
ができる。なお、発光素子111の具体的な構成例については、後の実施の形態で説明す
る。
表示素子101Rに設けられるカラーフィルタ105Rは、赤色の波長帯域の光を選択
的に透過する。また表示素子101Gに設けられるカラーフィルタ105Gは、緑色の波
長帯域の光を選択的に透過する。また表示素子101Bに設けられるカラーフィルタ10
5Bは、青色の波長帯域の光を選択的に透過する。
発光素子111からの発光は、少なくとも赤色の波長帯域の光と、緑色の波長帯域の光
と、青色の波長帯域の光を含む。好ましくは発光素子111として、白色発光を呈する発
光素子とする。したがって、カラーフィルタ105Rを介して射出される表示素子101
Rからの発光Rは、赤色を呈する。同様に、カラーフィルタ105Gを介して射出される
表示素子101Gからの発光Gは緑色を呈し、カラーフィルタ105Bを介して射出され
る表示素子101Bからの発光Bは、青色を呈する。
このように、画素110にそれぞれ赤色、緑色、青色を発光する表示素子を備えること
により、フルカラーの表示装置100とすることができる。
透過部103は、可視光を透過する領域である。透過光Tは、当該透過部103を介し
て表示装置100を透過する。
一方、表示素子101が設けられた領域では、透過光Tは第1の電極層113によって
反射されて透過しない。なお、第1の電極層113の裏面側に、反射防止層を設け、透過
光Tが反射しないようにすることもできる。
透過光Tは、画素110内の透過部103が設けられた領域では透過し、また表示素子
101が設けられた領域では、第1の電極層113によって反射されて透過しない。した
がって、各発光素子からの発光と、外光からの透過光が混在することなく、明瞭な表示画
像を得ることができる。
また、発光素子111からの発光は、カラーフィルタを介して射出されるため、表示素
子101からの発光の色純度を高めることができ、より鮮明な表示画像を得ることができ
る。
また、表示素子101はカラーフィルタによって発光素子111からの発光の一部の波
長帯域の光を透過させるため、各々の表示素子101に設けられる発光素子111を共通
の構成とすることができる。そのため各表示素子間で発光素子をつくり分ける工程を省略
することができ、作製にかかる歩留まりを向上させることができる。またメタルマスク等
を用いて発光素子をつくり分ける場合と比較して、隣接素子間の距離を小さくすることが
可能なため、高精細な、または高い開口率を有する表示装置100とすることができる。
このような構成の表示装置100とすることにより、表示品位が向上した透過型の表示
装置とすることができる。
ここで、透過部103には、透光性を有する発光素子を設ける構成とすることができる
。以下では、透過部103に透過発光素子を備える表示装置の構成例について説明する。
なお、上記と共通する部分については、説明を省略するか、簡略化して説明する。
図1(B)は、表示装置120の概略図である。
表示装置120は、複数の画素110を有する。画素110は、表示素子101R、表
示素子101G、表示素子101B、及び透過部103を有する。ここで表示装置120
は、透過部103の構成以外は表示装置100と同様の構成である。
透過部103は、透過発光素子131を備える。透過発光素子131は、第3の電極層
133上に、EL層115、第2の電極層117が順に積層されて構成される。
透過発光素子131を構成するEL層115及び第2の電極層117は、発光素子11
1と同一の層を適用する。一方、第3の電極層133は、可視光に対して透光性を有する
したがって、透過発光素子131からの発光Wは、少なくとも赤色の波長帯域の光と、
緑色の波長帯域の光と、青色の波長帯域の光を含む発光、好ましくは白色発光となる。ま
た第3の電極層133及び第2の電極層117が共に透光性を有するため、透過発光素子
131からの発光は、視認側及び裏面側の両面に射出される。
また、透過発光素子131の第3の電極層133及び第2の電極層117が共に透光性
を有するため、透過発光素子131は光を透過する。したがって透過部103において、
透過発光素子131が設けられた領域を透過した光と、それ以外の領域から透過した光が
、透過光Tとして視認側から視認される。
このように、透過発光素子131は、第3の電極層133以外を発光素子111と同様
の構成とすることができるため、容易に形成することができる。また、画像表示時には、
各表示素子と透過発光素子131とを同時に駆動させて画像を表示することにより、表示
素子のみを駆動させた場合よりも低電力で駆動させることができる。
また、このような構成とすることにより、視認側に対してはフルカラーの表示装置とし
て機能し、裏面側からは単色(白色)発光の表示装置として機能するため、両面射出型の
表示装置として用いることもできる。
また、透過発光素子131を非発光状態としたまま、表示素子101のみを駆動して画
像を表示すると、透過発光素子131からは透過光のみが視認され、透過光Tの光量を大
きくすることができる。このような駆動方法は背景が暗い場合などには特に有効である。
また、裏面に画像を表示させたくない場合などでも、このような駆動方法を用いることも
できる。
このように、背景の輝度に応じて、または用途に応じてその駆動方法を制御することが
できる。このように状況に応じて駆動方法を制御することで、消費電力を低減することが
できる。
なお、本実施の形態では透過部103を各画素に一つまたは複数設ける構成としたが、
透過部103を備える画素と透過部103を備えない画素とが混在していてもよい。また
、異なる画素間に共通する透過部103を備える構成としてもよい。例えば、隣接する画
素間に透過部103を設ける構成としてもよい。なお、透過部103に透過発光素子13
1を備える構成とする場合には、画素に一つ以上の透過発光素子131を備える構成とす
ることが好ましい。
また、本実施の形態では、画素が赤色、緑色、青色の3色のそれぞれの発光を呈する3
つの表示素子を有する構成としたが、画素の構成はこれに限られず、1つ以上の表示素子
を有する構成とすればよい。
画素に表示素子を1つだけ設ける場合は、その発光素子がある波長帯域の光を発光する
構成とし、当該光を選択して透過するカラーフィルタを設ければよい。このような構成と
することにより、色純度が高められた単色の表示装置として用いることができる。またこ
のとき透過部に透過発光素子を設ける場合には、視認側及び裏面側には上記の波長帯域の
光で画像を表示させることができる。
また、画素に表示素子を2つ以上設ける場合には、上記表示装置と同様に、その発光素
子がいずれも複数の波長帯域の光を発光する構成とし、各々の表示素子には上記複数の波
長帯域の光のいずれかを選択して透過するカラーフィルタを設ける構成とすればよい。ま
たこのとき透過部に透過発光素子を設ける場合には、当該透過発光素子は、視認側及び裏
面側に上記複数の波長帯域の光を発光する。
ここで、表示素子内の発光素子の対向する電極間に光学調整層を設け、マイクロキャビ
ティ(微小共振)効果により発光強度を高める構成とすることが好ましい。光学調整層を
設けた発光素子を有する表示素子からの発光を、色純度の高いものとすることができるた
め、より表示品位が向上した表示装置とすることができる。
図2(A)は、光学調整層が適用された表示装置140の概略図である。
表示装置140は、図1(B)に示す表示装置120と対比して、表示素子101R、
101G、101Bの構成が異なる。
表示素子101及び透過部103内の各々の発光素子を構成する視認側の第2の電極層
117は、可視光に対して透光性及び反射性を有する。したがって、第2の電極層117
に到達した可視光の一部は透過し、他の一部は反射する。
したがって、可視光に対して透光性を持たず、かつ反射性を有する第1の電極層113
を備える発光素子では、第1の電極層113と第2の電極層117の間の光学距離を調整
することでマイクロキャビティ効果により、発光強度を高め、かつ色純度を向上すること
ができる。
青色の発光を呈する表示素子101B内の発光素子141Bは、青色の波長帯域の光を
強めるように、第1の電極層113と第2の電極層117との光学距離は光学調整層を用
いずに調整する。
赤色の発光を呈する表示素子101R内の発光素子141Rは、赤色の波長帯域の光を
強めるように、第1の電極層113と第2の電極層117との間に、光学距離を調整する
ための光学調整層149Rを備える。光学調整層149Rは可視光を透過する材料からな
る。
緑色の発光を呈する表示素子101G内の発光素子141Gは、緑色の波長帯域の光を
強めるように、第1の電極層113と第2の電極層117との間に、光学距離を調整する
ための光学調整層149Gを備える。光学調整層149Gは、上記と同様に可視光を透過
する材料からなる。
なお、図2(A)には、光学調整層149R及び149GをEL層115と第1の電極
層113の間に設ける構成を示したが、これに限られず、第1の電極層113と第2の電
極層117との間のいずれかの位置に設ける構成とすればよい。また電極層間に2層以上
の光学調整層を設ける構成としてもよい。
ここで、光学調整層として、透過部103内の透過発光素子を構成する透光性を有する
第3の電極層133と同一の層を適用することもできる。これらを同一の層で形成するこ
とにより、工程を簡略化できるため好ましい。
図2(B)は、表示装置160の概略図である。
表示装置160は、光学調整層及び第3の電極層の構成が異なる点で、上記表示装置1
40と相違している。
透過部103に設けられる透過発光素子171は、透光性を有する導電性材料からなる
導線層が積層された、第3の電極層173を有する。第3の電極層173の各々の層は、
同一材料から構成されていることが好ましい。またこのとき、積層された各々の層の界面
は明瞭でない場合がある。
赤色の発光を呈する表示素子101R内の発光素子161Rは、光学調整層169Rを
有する。光学調整層169Rは、上記第3の電極層173と同一の、積層された導電層か
ら形成されている。
緑色の発光を呈する表示素子101G内の発光素子161Gは、光学調整層169Gを
有する。光学調整層169Gは、上記第3の電極層173を構成するいずれかの導電層か
ら構成されている。
光学調整層169R及び169Gは、透光性の導電性材料からなる導電層で構成されて
いるため、上記表示装置140と同様、各々の発光素子の発光強度を高めることができる
。さらに、各々の表示素子101からの発光の色純度を高めることができるため、表示品
位の高い表示装置となる。
〈表示素子、透過部の配置例〉
以下では、画素に含まれる表示素子や透過部の配置例について説明する。
図3及び図4は、画素の配置例を示す上面概略図である。図3及び図4には、少なくと
も一つの画素を含む領域について示している。
図3(A)に示す配置例では、表示素子101R、101G、101Bのそれぞれが縦
方向にストライプ状に配置されている。また、隣接する表示素子間に、透過部103が設
けられている。
ここで、図3(A)には、同色の表示素子間(例えば2つの表示素子101Rの間)に
は、例えば配線等が設けられ、光を透過しない非透過部107を有する。なお、配線材料
として透光性を有する材料を用いる場合には、非透過部107を設置する必要が無く、極
めて開口率の高い表示装置とすることができる。
図3(B)に示す配置例では、図3(A)と同様に表示素子101R、101G、10
1B、及び透過部103が縦方向にストライプ状に配置されているが、透過部103は一
つの画素に一つだけ設けられる。
また、図3(C)に示す配置例では、透過部103が横方向にストライプ状に設けられ
ている。
このように、同じ色の発光を呈する複数の表示素子101をストライプ状に設けること
により、表示素子101を構成するカラーフィルタを一方向に連続して設けることができ
る。
一方、透過部103の四方を表示素子で囲む構成とすることもできる。
例えば図4(A)に示す構成では、一つの画素110内の透過部103を、該画素11
0と隣接する二つの画素の表示素子で囲うように、表示素子101R、101G、101
Bが配置されている。また画素110は、格子状に配置されている。
図4(B)に示す構成では、図4(A)と同様の画素110が、縦方向には交互にずれ
て配置されている。
また、図4(C)に示す構成では、画素110は、一つの透過部103と、3種類の表
示素子のうちいずれか2つを有する。また隣接する画素110は、上記3種類の表示素子
のうち、残りの1つを有する。この2種類の画素110によってフルカラーを表示するこ
とができる。
例えば図3(A)から(C)に示すように、透過部103がストライプ状に等間隔に配
置していた場合、その間隔の大きさによっては、透過光が回折し、線状のムラが視認され
てしまう場合がある。図4に示すように、透過部103の四方を表示素子で囲む構成とす
ることにより、このような光の回折による線状のムラを抑制することができるため好まし
い。
なお、上記で例示した配置例において、各表示素子の面積は、各表示素子に設けられる
発光素子の輝度や発光効率といった特性に応じて、適宜調整すればよい。また、透過部の
面積についても同様に、透過部における透過率を元に、要求される開口率(透過度)に応
じて適宜調整すればよい。また、画素内の表示素子の配列順や位置関係なども適宜変更で
きることは言うまでもない。
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、透過部に透過発光素子を有する表示装置の構成例について、図面を
参照して説明する。
本発明の一態様の透過型の表示装置は、単純マトリクス方式、及びアクティブマトリク
ス方式のいずれにも適用することができる。以下では、アクティブマトリクス方式が適用
された表示装置の一例について説明する。
図5(A)は、本発明の一態様の表示装置200の上面概略図である。
表示装置200は、対向する第1の基板211と第2の基板212を有する。また、第
1の基板211上に、複数の画素110を有する表示部201、走査線駆動回路202、
及び信号線駆動回路203が設けられている。また第1の基板211と第2の基板212
は、表示部201を囲って設けられた封止材213によって接着され、第1の基板211
、第2の基板212、及び封止材213で囲まれた封止領域が形成されている。また、走
査線駆動回路202及び信号線駆動回路203と、封止領域外に設けられた外部入力端子
205とを電気的に接続する配線が封止領域内外に延在して設けられている。また外部入
力端子205と電気的に接続されたFPC207により、走査線駆動回路202や信号線
駆動回路203等を駆動する電源電位や駆動信号などの信号を入力することができる。
表示部201に設けられた画素110は、実施の形態1で例示した画素を適用すること
ができる。また、第1の基板211及び第2の基板212は、可視光に対して透光性を有
する。したがって、表示装置200は、画素110内の透過部103を介して光を透過す
ることが可能な、透過型の表示装置である。
〈表示部の構成例〉
以下では、表示部201の構成例について説明する。
[構成例1]
本構成例では、画素の備える表示素子に、当該表示素子が設けられる第1の基板とは反
対側に発光する上面発光型の発光素子が適用された表示部の構成の一例について説明する
図5(B)は、表示部201内の一つの画素110を含む領域における上面概略図であ
る。なお、明瞭化のため図5(B)にはEL層115、第2の電極層117等は明示して
いない。
画素110は、表示素子101R、101G、及び101B並びに透過部103を有す
る。表示素子101が備える発光素子は、第1の基板211とは反対側に発光する、上面
発光型の発光素子である。一方、透過部103は透過発光素子を備える。ここで、表示素
子101は、可視光に対して反射性を有する第1の電極層113を有する。一方、透過発
光素子は、可視光に対して透光性を有する第3の電極層133を有する。
また、ここでは図示しないが、少なくとも第1の電極層113や第3の電極層133を
覆うEL層115と、EL層115を覆う第2の電極層117が設けられている。また、
第2の基板212には、第1の電極層113と重なる領域に、カラーフィルタが設けられ
ている。
各々の表示素子101及び透過部103は、スイッチング用のトランジスタ221a、
駆動用のトランジスタ221b、及び容量素子222を有する。トランジスタ221aは
、ゲートが走査線駆動回路202と電気的に接続し、ソースまたはドレインの一方が信号
線駆動回路203と電気的に接続し、ソースまたはドレインの他方がトランジスタ221
bのゲートと電気的に接続する。トランジスタ221bは、ソースまたはドレインの一方
が信号線駆動回路203と電気的に接続し、ソースまたはドレインの他方が第1の電極層
113または第3の電極層133と電気的に接続する。また、容量素子222は、トラン
ジスタ221aのソースまたはドレインの他方と電気的に接続する導電層と、トランジス
タ221bのソースまたはドレインの一方と電気的に接続する導電層が絶縁層を介して重
なる領域に形成されている。なお、ここでは2つのトランジスタと一つの容量からなる構
成を示しているが、これに限定されず、1以上のトランジスタや容量素子を有する構成と
することができる。またトランジスタと容量素子以外の機能素子(例えばダイオード素子
や抵抗素子)を設けてもよい。
また、画素110には、トランジスタ221aのゲートと電気的に接続する配線、及び
トランジスタ221aのソースまたはドレインの一方と電気的に接続する配線、並びにト
ランジスタ221bのソースまたはドレインの一方と電気的に接続する配線の計3つの配
線が設けられている。なお、これら配線は、表示素子や透過部の回路構成やこれを駆動す
るための信号の数や種類に応じて、その数を適宜変更すればよい。
本構成例の表示素子101内の発光素子は、表示素子101が設けられる第1の基板2
11とは反対側に光を射出する上面発光型の発光素子である。したがって、表示素子10
1内の第1の電極層113は、トランジスタ221a、トランジスタ221b、容量素子
222、及び上記複数の配線の一部を覆って形成することが可能で、発光面積を大きくす
ることができる。
また、透過部103においては、第1の基板211側及び第2の基板212側の両方に
光を射出する両面発光型の透過発光素子が適用される。ここで、透過部103に設けられ
る第3の電極層133を、トランジスタ221a、トランジスタ221b、容量素子22
2、及び上記複数の配線の一部を覆って形成し発光領域としてもよいが、その場合裏面側
への発光の一部が遮られてしまう。したがって図5(B)には、第3の電極層133を、
トランジスタや配線などと重ならないように設ける構成を示す。例えば、トランジスタや
容量素子などの素子が、光が照射されることによって劣化や特性の変動などの影響がある
場合には、このような構成とすることが好ましい。一方、光の影響が無い場合には、表示
素子101と同様に第3の電極層133がこれらを覆って形成してもよく、その場合は第
2の基板212側に発光する発光面積を大きくすることができる。
なお、本構成例では、各々の表示素子101及び透過部103に設けるトランジスタを
同一のものとしているが、各々に設けられる発光素子または透過発光素子の特性に応じて
、異なる特性のトランジスタとしてもよい。特に各々の駆動用のトランジスタ221bの
トランジスタサイズ(ゲート長またはゲート幅など)を最適化することは有効である。
本構成例で示した構成により、表示素子に上面発光型の発光素子を備えた透過型の表示
装置を実現できる。
[構成例2]
本構成例では、画素の備える表示素子に、当該表示素子が設けられる第1の基板側に発
光する下面発光型の発光素子が適用された表示部の構成の一例について説明する。なお、
構成例1と重複する部分については、説明を省略するか、簡略化して説明する。
図6(A)は、画素110を含む領域の上面概略図である。本構成例で例示する画素1
10は、表示素子101及び透過部103内の電極層の構成が異なる点で、構成例1と相
違している。
各々の表示素子101、及び透過部103には、可視光に対して透光性(または透光性
及び反射性)を有する第2の電極層117が設けられている。
また、ここでは図示しないが、各々の第2の電極層117を覆うEL層115が設けら
れている。さらに、表示素子101内の第2の電極層117と重なる領域には、可視光に
対して反射性を有するが透過性を持たない第1の電極層113が、また透過部103内の
第2の電極層117と重なる領域には、可視光に対して透光性を有する第3の電極層13
3が、それぞれ設けられている。
したがって、表示素子101内の発光素子は、第1の基板211側に発光する、下面発
光型の発光素子である。また、透過部103内の透過発光素子は、可視光を透過し、且つ
第1の基板211側及び第2の基板212側の両面に発光する、両面発光型の発光素子と
なる。
さらに、表示素子101内の第2の電極層117よりも下側(EL層115とは反対側
)には、各々の第2の電極層117と重なる領域にそれぞれカラーフィルタが設けられて
いる。
このような構成により、表示素子に下面発光型の発光素子を備えた透過型の表示装置を
実現できる。
[構成例3]
上記構成例では、各表示素子と透過部の面積がほぼ同じ構成を示したが、透過部の面積
を大きくすることが好ましい。以下では、透過部の面積を各々の表示素子よりも大きくす
る場合の構成例について説明する。
図6(B)は、画素110を含む領域の上面概略図である。本構成例で例示する画素1
10は、一つの画素110の占有面積と、透過部103の形状が異なる点で、構成例1と
相違している。
ここで、画素110は2行に分割され、そのうち1行に3つの表示素子(表示素子10
1R、101G、101B)が配置され、他の一行には一つの透過部103が占有して配
置されている。
透過部103内の第3の電極層133は、その下に設けられる配線の一部をまたいで形
成されている。ここで、第3の電極層133と配線とが重なる領域では、透過光、及び透
過発光素子からの裏面側の発光が遮光されるが、配線と重なる面積に対してこれと重なら
ない面積が十分に大きいため、さほど問題にはならない。なお、第3の電極層133と重
畳する領域には、透光性を有する配線を設ける構成としてもよい。
このように、透過部103の面積を大きくすると、透明度の高い表示装置とすることが
できるため好ましい。ここで透過部103内の透過発光素子の占有面積を、一つの表示素
子101の占有面積よりも大きくすることが好ましい。さらに、一画素に含まれる全ての
表示素子101の占有面積の総和よりも大きくする、言い換えると、表示装置全体として
、全ての透過発光素子の占有面積の総和を、全ての表示素子の占有面積の総和よりも大き
くすると、より透明度の高い表示装置とすることができるため好ましい。
本構成例では、1画素を等間隔に2行に分割して表示素子及び透過部を配置する構成を
示したが、これに限られず、各々の行、または列の幅を任意に変更できる。例えば、図6
(B)において、表示素子101の縦方向の長さよりも、透過部103の縦方向の長さが
長くなるように、画素を構成し、透過部103の占有面積を大きくすることもできる。
また、周期的に配列される各々の画素内には、少なくとも一つの表示素子101と少な
くとも一つの透過部103を有していればよく、画素内の表示素子101及び透過部10
3のそれぞれの形状や、占有面積、配置方法は上記構成例に限られるものではない。
以上が、透過発光素子が適用された画素を有する表示部の説明である。
なお、単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式が適用された表示装置とする場合に
は、トランジスタを設けない構成とすればよい。例えば表示素子や透過発光素子の一対の
電極と電気的に接続する2つの配線を周期的に配列する構成とすればよい。また、容量素
子を設ける場合には、上記2つの配線と同一の2層の導電層を用いて容量素子を形成する
ことが好ましい。
〈表示装置の断面構成例〉
以下では、本発明の一態様の表示装置について、断面構成の例を挙げて詳細に説明する
[構成例1]
図7(A)は、図5(A)中に示す、外部入力端子205、走査線駆動回路202、及
び表示部201を含む領域を切断する切断線A−B及びC−Dにおける、表示装置200
の断面概略図である。本構成例では、表示素子に上面発光型の発光素子を適用した場合の
一例について説明する。
第1の基板211及び第2の基板212に用いられる基板の材料としては、可視光に対
して透光性を有する材料を用いることができる。例えば、ガラス、石英などを用いること
ができる。また、作製工程での熱処理に耐えうるのであれば、アクリル樹脂などの透光性
を有する樹脂材料などを用いることもできる。また、極めて薄いガラスや可撓性を有する
樹脂などを基板に用いることにより、表示装置に可撓性を持たせることができる。
また、発光素子やトランジスタが形成される第1の基板211は、事前にシュリンクす
る程度に加熱され、基板内部または表面に吸着している水や水素、酸素などの不純物が低
減されていることが好ましい。当該加熱を行うことによって、発光素子やトランジスタの
作製工程中に不純物が拡散することが抑制され、信頼性の高い表示装置とすることができ
る。
外部入力端子205は、表示装置200内のトランジスタまたは発光素子を構成する導
電層で形成される。本構成例では、トランジスタのゲートを構成する導電層、並びにソー
ス電極及びドレイン電極を構成する導電層を積層して用いる。このように、複数の導電層
を積層して外部入力端子205とすることにより、FPC207の圧着工程に対する機械
的強度を高められるため好ましい。また、外部入力端子205に接して接続体209が設
けられ、当該接続体209を介してFPC207と外部入力端子205とが電気的に接続
している。接続体209としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状
またはシート状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることが
できる。金属粒子としては、例えばNi粒子をAuで被覆したものなど、2種類以上の金
属が層状となった粒子を用いることが好ましい。
図7(A)には、走査線駆動回路202として、いずれもnチャネル型のトランジスタ
231とトランジスタ232を組み合わせた回路を有する例を示している。なお、走査線
駆動回路202の構成はこれに限られず、nチャネル型のトランジスタとpチャネル型の
トランジスタを組み合わせた種々のCMOS回路や、pチャネル型のトランジスタで構成
される回路などを有する構成としてもよい。なお、信号線駆動回路203についても同様
である。また、本構成例では、表示部201が形成される基板上に走査線駆動回路202
及び信号線駆動回路203が形成されたドライバー一体型の構成を示すが、表示部201
が形成される基板とは別に走査線駆動回路202、信号線駆動回路203の一方または両
方を設ける構成としてもよい。
なお、表示部201、走査線駆動回路202、信号線駆動回路203を構成するトラン
ジスタの構造は特に限定されない。例えばスタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆ス
タガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のトラ
ンジスタのいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、トランジスタの用いる半導体
材料としては、例えばシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料を用いてもよいし、イン
ジウム、ガリウム、及び亜鉛のうち少なくともひとつを含む酸化物半導体材料を用いても
よい。また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非結晶半
導体、または結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、また
は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用
いるとトランジスタ特性の劣化が抑制されるため好ましい。
図7(A)には、トランジスタの構成として、ボトムゲート型のトランジスタを例に挙
げて示している。ここでは、トランジスタのゲート電極層よりも内側の領域に半導体層を
設ける構成となっている。このような構成とすることにより、第1の基板211側から光
が入射した場合に、ゲート電極層によって遮光されて半導体層に直接光が当たらないため
、光の照射によるトランジスタの電気特性の変動を抑制することができる。
ここで、上記トランジスタとは異なる構成についていくつかの例を挙げて図10を用い
て説明する。ここではボトムゲート型のトランジスタを例に挙げて説明する。
図10(A)は、ボトムゲート型のトランジスタ300の断面概略図である。
トランジスタ300は、ゲート電極層301と、ゲート電極層301を覆うゲート絶縁
層302と、ゲート絶縁層302を介してゲート電極層301と重なる半導体層303と
、半導体層303にそれぞれ電気的に接続されるソース電極層304a及びドレイン電極
層304bと、を有する。また、トランジスタ300を覆う絶縁層305が設けられてい
る。
ここでトランジスタ300は、ソース電極層304a及びドレイン電極層304bが、
半導体層303の上面の一部、及び側面の一部を覆って形成されている。ここでソース電
極層304a及びドレイン電極層304bのエッチングによる加工の際に、半導体層30
3の上面の一部がエッチングされてしまう場合がある。
なお、半導体層303の、ソース電極層304a及びドレイン電極層304bと接する
領域は、不純物をドーピングするなどして低抵抗化されていてもよい。また半導体として
シリコンを用いる場合には、金属とのシリサイドが形成されていてもよい。半導体層30
3のソース電極層304a及びドレイン電極層304bと接する領域を低抵抗化させるこ
とにより、当該電極層と半導体層303の接触抵抗を低減させることができる。ソース電
極層304a及びドレイン電極層304b間の抵抗を下げることができるため、オン電流
などのトランジスタ特性を向上させることができるため好ましい。
このような構成のトランジスタ300は、形成に要するフォトマスクを低減できるため
、作製工程を簡略化できる。
図10(B)に示すトランジスタ310は、半導体層303上に絶縁層306を有する
点で、図10(A)に示すトランジスタ300と相違している。
絶縁層306は、ソース電極層304a及びドレイン電極層304bのエッチングによ
る加工の際に、半導体層303を保護するために設けられる。また、絶縁層306を設け
ることにより、絶縁層306の形成工程以降において、半導体層303の少なくともチャ
ネルが形成される領域の上面が露出することがないため、これ以降の工程での汚染(金属
汚染、有機汚染)の影響を排除することができ、信頼性の高いトランジスタとすることが
できる。
図10(C)に示すトランジスタ320は、ソース電極層304a及びドレイン電極層
304bと半導体層303との接続のための開口部以外の半導体層303上に、絶縁層3
06が形成されている点で、図10(B)に示すトランジスタ310と相違している。
ソース電極層304a及びドレイン電極層304bはそれぞれ、絶縁層306に設けら
れた開口部を介して、半導体層303と電気的に接続されている。
また、図10(C)に示すように、絶縁層306が半導体層303の端部を覆って形成
されることにより、上記開口部以外の領域が露出することがなく、その後の工程における
汚染の影響を効果的に抑制できるため、信頼性の高いトランジスタとすることができる。
以上がトランジスタの構成例についての説明である。
図7(A)には、表示部201の一例として、一つの画素110内の表示素子101と
、透過部103の断面構造を示している。また、表示素子101及び透過部103には、
駆動用のトランジスタ221bを含む領域を示している。
表示素子101は、第1の電極層113上にEL層115と第2の電極層117が順に
積層された発光素子111を有する。第1の電極層113は、後に説明する絶縁層237
及び絶縁層238に設けられた開口部を介して駆動用のトランジスタ221bの一方の電
極(ソース電極またはドレイン電極)と電気的に接続される。
透過部103は、第3の電極層133上にEL層115と第2の電極層117が順に積
層された透過発光素子131を有する。第3の電極層133は、上記第1の電極層113
と同様に駆動用のトランジスタ221bの一方の電極(ソース電極またはドレイン電極)
と電気的に接続される。
反射性を有する第1の電極層113に用いることのできる材料としては、チタン、アル
ミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、コバルト、銅、ま
たはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。また
このような金属材料または合金材料にランタンやネオジム、シリコンやゲルマニウムなど
を添加してもよい。合金材料の例としては、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウム
とニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金(アル
ミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金などが挙
げられる。銀と銅の合金は耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウムを含む膜に
接して金属膜、または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウムを含む膜の酸化を抑
制することができる。アルミニウムを含む膜に接して設ける金属材料、または金属酸化物
材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、後に示す透光性を有する材
料からなる膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウムスズ酸
化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いるこ
とができる。
なお、上述の材料を透光性および反射性を有する第2の電極層117に用いる場合には
、上述の材料からなる導電膜を、透光性を有する程度に薄く形成する。
一方、透光性を有する第2の電極層117及び第3の電極層133に用いることのでき
る導電性材料としては、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物やグラフェンを用いること
ができる。また、上記導電性材料として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タン
グステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金
属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、これらの金属材料
の窒化物(例えば、窒化チタン)などを用いてもよい。なお、金属材料(またはその窒化
物)を用いる場合には、透光性を有する程度に上述の材料からなる導電膜を薄くすればよ
い。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシ
ウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができ
るため好ましい。
上述した導電膜は、スパッタリング法、蒸着法などの堆積法や、インクジェット法、ス
クリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形成することができる。
なお、透光性を有する上述の導電性酸化物膜をスパッタリング法によって形成する場合
、当該導電性酸化物を、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、透光性を向上さ
せることができる。
また導電性酸化物膜をEL層上に形成する場合、酸素濃度が低減されたアルゴンを含む
雰囲気下で成膜した第1の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜下
第2の導電性酸化物膜の積層膜とすると、EL層への成膜ダメージを低減させることがで
きるため好ましい。ここで第1の導電性酸化物膜を成膜する際のアルゴンガスの純度が高
いことが好ましく、例えば露点が−70℃以下、好ましくは−100℃以下のアルゴンガ
スを用いることが好ましい。
絶縁層233は、第1の電極層113または第3の電極層133の端部を覆って設けら
れている。そして、絶縁層233上に形成される第2の電極層117の被覆性を良好なも
のとするため、絶縁層233の上端または下端部に曲率半径(0.2μm〜3μm)を有
する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁層233の材料としては、光の照射によ
ってエッチャントに対する溶解性が変化するネガ型またはポジ型の感光性樹脂などの有機
化合物や、酸化シリコン、酸化窒化シリコンなどの無機化合物を用いることができる。
絶縁層238は、下部に設けられるトランジスタなどによる凹凸形状の影響を抑制する
ための平坦化層として機能する。絶縁層238を設けることにより、発光素子111及び
透過発光素子131のショートなどを抑制することができる。絶縁層238は、有機樹脂
などの有機化合物を用いて形成することができる。
また、第1の基板211の表面には、絶縁層234が設けられている。絶縁層234は
、第1の基板211に含まれる不純物が拡散することを抑制する。また、トランジスタの
半導体層に接する絶縁層235及び絶縁層236、並びにトランジスタを覆う絶縁層23
7は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制することが好ましい。これ
ら絶縁層には、例えばシリコンなどの半導体やアルミニウムなどの金属の、酸化物または
窒化物を用いることができる。また、このような無機絶縁材料の積層膜、または無機絶縁
材料と有機絶縁材料の積層膜を用いてもよい。なお、絶縁層234は、不要であれば設け
なくてもよい。
第2の基板212には、発光素子111と重なる位置にカラーフィルタ105が設けら
れている。カラーフィルタ105は、赤色、緑色、青色(または黄色)の光を透過する有
機樹脂を用いることができる。
また、隣接する表示素子101間、または表示素子101と透過部103との間には、
ブラックマトリクス241が設けられている。ブラックマトリクス241は隣接する発光
素子111または透過発光素子131から回り込む光を遮光し、混色を抑制する。ここで
カラーフィルタ105の端部を、ブラックマトリクス241と重なるように設けることに
より、光漏れを抑制することができる。ブラックマトリクス241は金属や顔料を含む有
機樹脂などの材料を用いて形成することができる。なお、ブラックマトリクス241は、
走査線駆動回路202などの表示部201以外の領域や、光が透過しない領域(例えば配
線と重なる領域)などに設けてもよい。
また、カラーフィルタ105及びブラックマトリクス241を覆うオーバーコート24
2が形成されている。オーバーコート242は、発光素子111や透過発光素子131か
らの発光を透過する材料から構成され、例えば無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることがで
きる。なお。オーバーコート242は、不要であれば設けなくてもよい。
なお、図7(A)に示す断面概略図では、表示素子101、及び透過部103をそれぞ
れ1つのみ図示しているが、表示部201に3種類(R、G、B)または4種類(R、G
、B、Y)の発光が得られる表示素子101を設ける構成とすることにより、フルカラー
表示が可能な表示装置とすることができる。
第1の基板211と第2の基板212は、第2の基板212の外周部において、封止材
213によって接着されている。封止材213としては、熱硬化樹脂、光硬化樹脂などの
有機樹脂や、低融点ガラスを含むガラス材料などを用いることができる。このようなガラ
ス材料は、水や酸素などの不純物に対してバリア性が高いため好ましい。また、封止材2
13としてガラス材料を用いる場合には、これと接する層にシリコン酸化物などの半導体
の酸化物や、アルミニウム酸化物などの金属酸化物といった、無機絶縁物を用いると、密
着性が向上するため好ましい。
また、発光素子111、及び透過発光素子131は第1の基板211、第2の基板21
2、及び封止材213に囲まれた封止領域内に設けられている。当該封止領域は、希ガス
または窒素ガスなどの不活性ガス、または有機樹脂などの固体、またはゲルなどの粘性体
で充填されていてもよく、減圧雰囲気となっていてもよい。また封止領域内を水や酸素な
どの不純物が低減されている状態とすると、発光素子111及び透過発光素子131の信
頼性が向上するため好ましい。
また、発光素子111及び透過発光素子131を覆う絶縁膜を設けると、これらが露出
しないため信頼性を向上させることができる。当該絶縁膜としては、水や酸素を透過しな
い材料を用いる。例えばシリコンやアルミニウムの酸化物または窒化物といった無機絶縁
膜を用いることが好ましい。
また、封止領域内の透過部103、及び発光素子111と重ならない領域に、乾燥剤を
設けてもよい。乾燥剤は、例えばアルカリ土類金属の酸化物(酸化カルシウムや酸化バリ
ウムなど)のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることができる。また
、その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分な
どの不純物を吸着する物質を用いてもよい。封止領域内に乾燥剤を設けることにより、水
分などの不純物を低減し、発光素子111及び透過発光素子131の信頼性を向上させる
ことができる。
以上が、画素の備える表示素子に、上面発光型の発光素子が適用された表示部を有する
表示装置の説明である。
[構成例2]
本構成例では、画素の備える表示素子に、下面発光型の発光素子が適用された表示部を
有する表示装置の一例について説明する。なお、上記構成例1と重複する部分については
、説明を省略するか、簡略化して説明する。
図7(B)は、表示装置250の断面概略図である。表示装置250は、表示素子10
1及び透過部103の構成が異なる点で、構成例1で例示した表示装置200と相違して
いる。
表示素子101内の発光素子111は、素子が形成される第1の基板211側に光を射
出する下面発光型の発光素子である。
発光素子111は、第2の電極層117上に、EL層115、第3の電極層133、第
1の電極層113が積層されて構成されている。ここで第2の電極層117は、可視光に
対して少なくとも透光性を有し、第1の電極層113は、可視光に対して反射性を有する
。したがって、発光素子111からの発光は、第1の基板211側に射出される。
また、透過発光素子131は、第2の電極層117上に、EL層115、及び第3の電
極層133が設けられている。ここで第3の電極層133は、可視光に対して透光性を有
する。したがって、透過発光素子131からの発光は、第1の基板211及び第2の基板
212の両側に射出される。さらに、透過発光素子131は可視光を透過することができ
る。
ここで、図7(B)に示すように、透過発光素子131を構成する第3の電極層133
を、発光素子111を構成する第1の電極層113と接して設ける構成とすることができ
る。なお、図7(B)には、発光素子111において第3の電極層133上に第1の電極
層113を設ける構成を示したが、これとは逆の積層順とし、第1の電極層113を覆っ
て第3の電極層133を設ける構成としてもよい。
また、トランジスタを覆う絶縁層237の、発光素子111と重なる位置に、カラーフ
ィルタ105が設けられている。さらに、カラーフィルタ105を覆う絶縁層238が形
成されている。
以上が、画素の備える表示素子に、下面発光型の発光素子が適用された表示部を有する
表示装置の説明である。
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるEL層の一例について、図8を用いて
説明する。
図8(A)に示すEL層405は、第1の電極403と第2の電極407の間に設けら
れている。第1の電極403は、上記実施の形態で例示した第1の電極層113または第
3の電極層133と、また第2の電極407は、第2の電極層117と同様の構成を適用
することができる。
本実施の形態で例示するEL層405を有する発光素子は、上記実施の形態で例示した
表示装置に適用可能である。
EL層405は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていればよい。
そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性
の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質(電子輸送性
及び正孔輸送性が高い物質)を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することがで
きる。本実施の形態において、EL層405は、第1の電極403側から、正孔注入層7
01、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸送層704、及び
電子注入層705の順で積層されている。なお、これらを反転させた積層構造としてもよ
い。
図8(A)に示す発光素子の作製方法について説明する。
正孔注入層701は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質と
しては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物
、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル
酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることが
できる。また、フタロシアニン(略称:HPc)、銅(II)フタロシアニン(略称:
CuPc)等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
また、低分子の有機化合物である芳香族アミン化合物等を用いることができる。
さらに、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマーを含む)を用いることも
できる。また、酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
特に、正孔注入層701として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を
含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物
質を含有させた複合材料を用いることにより、第1の電極403からの正孔注入性を良好
にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の
高い物質とアクセプター性物質(電子受容体)とを共蒸着することにより形成することが
できる。該複合材料を用いて正孔注入層701を形成することにより、第1の電極403
からEL層405への正孔注入が容易となる。
複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ま
しい。具体的には、10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好
ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いて
もよい。
より具体的には、芳香族アミン化合物や、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分
子化合物などを用いることができる。
また、アクセプター性物質としては、有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることがで
きる。例えば、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げること
ができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化
モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好
ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやす
いため好ましい。
なお、高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層7
01に用いてもよい。
正孔輸送層702は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質と
しては、例えば、芳香族アミン化合物を用いることができる。これは主に10−6cm
/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質
であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、
単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、正孔輸送層702には、カルバゾール誘導体や、アントラセン誘導体や、そのほ
か正孔輸送性の高い高分子化合物を用いてもよい。
発光性の有機化合物を含む層703は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する
燐光性化合物を用いることができる。
なお、発光性の有機化合物を含む層703としては、発光性の有機化合物(ゲスト材料
)を他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種
のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く
、最高被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するために結晶
化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより
効率良く行うために、さらに異なる物質を添加してもよい。
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光性の有機化合物を含
む層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる
濃度消光を抑制することができる。
また、発光性の有機化合物を含む層703として高分子化合物を用いることができる。
また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものに
することで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性
の有機化合物を含む層を2つ有する発光素子において、第1の発光性の有機化合物を含む
層の発光色と第2の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにする
ことで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色
とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光
する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有
機化合物を含む層を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
電子輸送層704は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質と
しては、主に10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸
送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよ
い。
電子注入層705は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層705には、
リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム
、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を
用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることが
できる。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。
なお、上述した正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層7
03、電子輸送層704、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)
、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
EL層は、図8(B)に示すように、第1の電極403と第2の電極407との間に複
数積層されていてもよい。この場合、積層された第1のEL層800と第2のEL層80
1との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は上述の複
合材料で形成することができる。また、電荷発生層803は複合材料からなる層と他の材
料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与
性物質(ドナー性物質)と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層な
どを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光
などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併
せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発
光を呈する発光素子を得ることも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わ
せて用いることができる。
また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所
望の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第
1のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光
素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、3つ以上のEL層
を有する発光素子の場合でも同様である。
また、演色性のよい白色発光を得る場合、発光スペクトルが可視光全域に広がるものと
する必要があり、3つ以上のEL層が積層された発光素子とすることが好ましい。例えば
それぞれ赤色、青色、緑色の発光色のEL層を積層して発光素子を形成することができる
。このように異なる3色以上のEL層が積層された発光素子とすることにより演色性を高
めることができる。
第1の電極403と第2の電極407との間に光学調整層を形成してもよい。光学調整
層は、反射性を有する電極と透過性を有する電極との間の光学距離を調整する層である。
光学調整層を設けることにより、特定の範囲の波長の光の発光強度を高めることができる
ため、色調を調整することができる。
EL層405は、図8(C)に示すように、第1の電極403と第2の電極407との
間に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子
輸送層704、電子注入バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極40
7と接する複合材料層708を有していてもよい。
第2の電極407と接する複合材料層708を設けることで、特にスパッタリング法を
用いて第2の電極407を形成する際に、EL層405が受けるダメージを低減すること
ができるため、好ましい。複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物に
アクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
さらに、電子注入バッファー層706を設けることで、複合材料層708と電子輸送層
704との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を
電子輸送層704に容易に注入することができる。
電子注入バッファー層706には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、お
よびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭
酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロ
ゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩
を含む))等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
また、電子注入バッファー層706が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで
形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以
下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アル
カリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物
(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含
む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類
金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(
略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることも
できる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と
同様の材料を用いて形成することができる。
さらに、電子注入バッファー層706と複合材料層708との間に、電子リレー層70
7を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電
子輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子
を速やかに送ることが可能となる。
複合材料層708と電子注入バッファー層706との間に電子リレー層707が挟まれ
た構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層7
06に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造
である。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。
電子リレー層707は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のLU
MO準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸
送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する
。また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー
準位も複合材料層708におけるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層70
4に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエ
ネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のL
UMO準位は−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下とすると
よい。
電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料
または金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
電子リレー層707に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体として
は、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重
結合はアクセプター性(電子を受容しやすい性質)を有するため、電子の移動(授受)が
より容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられ
る。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を
低電圧でより安定に駆動することが可能になる。
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ま
しい。特に、金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすい分子構造を有する材
料は、アクセプター性が高いため好ましい。
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい
。具体的にはPhO−VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が
好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため
、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため
、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
電子リレー層707はさらにドナー性物質を含んでいてもよい。ドナー性物質としては
、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物(アルカリ金属化合
物(酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸
塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または
希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタ
セン(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用い
ることができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電
子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上
記した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位よ
り高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位として
は、−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下の範囲にLUMO
準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘
導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、
安定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料で
ある。
なお、電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とド
ナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すればよい。
正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、及び電子
輸送層704は前述の材料を用いてそれぞれ形成すればよい。
以上により、本実施の形態のEL層405を作製することができる。
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の応用例について、図9を用いて説明す
る。
本発明の一態様の透過型の表示装置は、例えば車両のフロントガラス、家屋やビルなど
の建築物の窓ガラス、店舗のショーウィンドウのガラスやケース、または携帯電話やタブ
レット端末などの情報携帯端末、ヘッドマウントディスプレイなどのウェアラブルディス
プレイ、携帯型のゲーム機や音響再生装置、デジタルカメラやデジタルビデオカメラのフ
ァインダー、または航空機や車両などに用いられるヘッドアップディスプレイなど、様々
な電子デバイスに応用できる。以下ではそのうちのいくつかについて図面を参照して説明
する。
図9(A)は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7400は、筐体7401
に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、ス
ピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、表示
装置を表示部7402に用いることにより作製される。
図9(A)に示す携帯電話機7400は、表示部7402を指などで触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は
、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする
表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表
示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力
を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場
合、表示部7402の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが
好ましい。
また、携帯電話機7400内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサ
を有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断して、
表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、または筐体7401の
操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種
類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動
画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表
示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7
402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用
光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
図9(B)は、図9(A)とは異なる構成の携帯電話機の一例である。
図9(B)に示す携帯電話機7000は、操作ボタン7003及びテンキー7004と
いった入力手段を複数有する点で大きく異なる。
携帯電話機7000は、筐体7001に組み込まれた表示部7002の他、操作ボタン
7003、テンキー7004、スピーカ7005、及びマイク7006を備えている。な
お、携帯電話機7000は、表示装置を表示部7002に用いることにより作製される。
図9(B)に示す携帯電話機7000は、操作ボタン7003、テンキー7004など
を操作することにより、情報を入力することができる。また電話を掛ける、或いはメール
を作成するなどの操作も、操作ボタン7003及びテンキー7004を操作することによ
り行うことができる。
また、携帯電話機7400と同様に携帯電話機7000の表示部7002に触れて操作
することもできる。このように、表示部7002に触れて動作させることに加え、複数の
操作ボタン7003及びテンキー7004でも操作可能とすることにより、状況によって
使用者が操作しやすいいずれかの方法を選択できるため好ましい。
また、透過型の表示装置が適用されているため、表示部7002に直接触れなくても操
作ボタン7003及びテンキー7004によって操作することで、透過像を指等で隠すこ
となく操作できる。
図9(C)は、ヘッドマウントディスプレイの一例である。
図9(C)に示すヘッドマウントディスプレイ7100は、フレーム7101に固定さ
れた表示部7102と、フレーム7101内に組み込まれた制御部7103を有する。な
お、ヘッドマウントディスプレイ7100は、表示装置を表示部7102に用いることに
より作製される。
制御部7103は、表示部7102に画像信号などを生成、送信し、表示部7102に
画像を表示させることができる。
また、制御部7103に赤外線、紫外線などの光センサ、またはアンテナなどを備え、
赤外線や紫外線、または電波によって送信される信号を受信し、当該信号に応じて画像を
表示部7102に表示させる構成としてもよい。
また、制御部7103には蓄電装置を備える構成としてもよい。その場合、無接点で充
電できる構成とすることが好ましい。
なお、上記制御部7103の一部の機能や、蓄電装置などを備える操作機を別途設け、
操作機からヘッドマウントディスプレイ7100に信号を送信する構成としてもよい。操
作機からヘッドマウントディスプレイ7100へは、無線または有線で信号または電力を
送信する。
図9(D)は、航空機に搭載されたヘッドアップディスプレイの一例である。
ヘッドアップディスプレイ7200は、表示部7202を有し、航空機のフロントガラ
ス7203と対向して設けられている。
ヘッドアップディスプレイ7200は、例えば高度、速度、方位、外気温、気圧、水平
軸、垂直軸などの情報(表示画像)が表示される。また、ヘッドアップディスプレイ72
00を通して観察される目標物の実像(透過像)と重ね合わせて、目標物の情報や、目標
物との距離などの情報も表示させることができる。
ヘッドアップディスプレイ7200を設けることにより、視界をずらすことなく、様々
な情報を得ることができる。
また、ヘッドアップディスプレイ7200は、操縦者の着座位置以外から表示画像が視
認されないように、視野角が狭められていてもよい。上述のように、透過像と表示画像を
重ね合わせて用いる場合には、想定外の位置から視認できる構成とすると、透過像と表示
画像が相対的にずれてしまい、情報が誤認されてしまう恐れがあるため、視野角を狭くし
ておくことは有効である。
なお、上記実施の形態で説明した表示装置を具備していれば、図9に示した電子機器に
特に限定されないことは言うまでもない。
上述した電子機器には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがっ
て、表示品位の高い透過型の表示部を備える電子機器とすることができる。また、低消費
電力駆動が可能な透過型の表示部を備える電子機器とすることができる。
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。
100 表示装置
101 表示素子
101R 表示素子
101G 表示素子
101B 表示素子
103 透過部
105 カラーフィルタ
105R カラーフィルタ
105G カラーフィルタ
105B カラーフィルタ
107 非透過部
110 画素
111 発光素子
113 第1の電極層
115 EL層
117 第2の電極層
120 表示装置
131 透過発光素子
133 第3の電極層
140 表示装置
141R 発光素子
141G 発光素子
141B 発光素子
149R 光学調整層
149G 光学調整層
161R 発光素子
161G 発光素子
169R 光学調整層
169G 光学調整層
171 透過発光素子
173 第3の電極層
160 表示装置
200 表示装置
201 表示部
202 走査線駆動回路
203 信号線駆動回路
205 外部入力端子
207 FPC
209 接続体
211 第1の基板
212 第2の基板
213 封止材
221a トランジスタ
221b トランジスタ
222 容量素子
231 トランジスタ
232 トランジスタ
233 絶縁層
234 絶縁層
235 絶縁層
236 絶縁層
237 絶縁層
238 絶縁層
241 ブラックマトリクス
242 オーバーコート
250 表示装置
300 トランジスタ
301 ゲート電極層
302 ゲート絶縁層
303 半導体層
304a ソース電極層
304b ドレイン電極層
305 絶縁層
306 絶縁層
310 トランジスタ
320 トランジスタ
403 第1の電極
405 EL層
407 第2の電極
701 正孔注入層
702 正孔輸送層
703 発光性の有機化合物を含む層
704 電子輸送層
705 電子注入層
706 電子注入バッファー層
707 電子リレー層
708 複合材料層
800 第1のEL層
801 第2のEL層
803 電荷発生層
7000 携帯電話機
7001 筐体
7002 表示部
7003 操作ボタン
7004 テンキー
7005 スピーカ
7006 マイク
7100 ヘッドマウントディスプレイ
7101 フレーム
7102 表示部
7103 制御部
7200 ヘッドアップディスプレイ
7202 表示部
7203 フロントガラス
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク

Claims (3)

  1. 第1の表示素子乃至第4の表示素子を有し、
    前記第1の表示素子は、
    第1の波長帯域の光を呈する、第1の発光素子と、
    前記第1の発光素子と重なる領域を有する、第1のカラーフィルタと、を有し、
    前記第2の表示素子は、
    第2の波長帯域の光を呈する、第2の発光素子と、
    前記第2の発光素子と重なる領域を有する、第2のカラーフィルタと、を有し、
    前記第3の表示素子は、
    第3の波長帯域の光を呈する、第3の発光素子と、
    前記第3の発光素子と重なる領域を有する、第3のカラーフィルタと、を有し、
    前記第4の表示素子は、可視光を透過する第4の発光素子を有し、かつカラーフィルタを有さず、
    前記第1の発光素子乃至前記第4の発光素子はそれぞれ、第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を有し、
    前記第1の発光素子乃至前記第3の発光素子を駆動するときに、前記第4の発光素子を非発光状態とする機能を有することを特徴とする発光装置。
  2. 第1の表示素子乃至第4の表示素子を有し、
    前記第1の表示素子は、
    第1の波長帯域の光を呈する、第1の発光素子と、
    前記第1の発光素子と重なる領域を有する、第1のカラーフィルタと、を有し、
    前記第2の表示素子は、
    第2の波長帯域の光を呈する、第2の発光素子と、
    前記第2の発光素子と重なる領域を有する、第2のカラーフィルタと、を有し、
    前記第3の表示素子は、
    第3の波長帯域の光を呈する、第3の発光素子と、
    前記第3の発光素子と重なる領域を有する、第3のカラーフィルタと、を有し、
    前記第4の表示素子は、可視光を透過する第4の発光素子を有し、
    前記第1の発光素子乃至前記第4の発光素子はそれぞれ、第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を有し、
    前記第1の発光素子乃至前記第3の発光素子を駆動するときに、前記第4の発光素子を非発光状態とする機能を有することを特徴とする発光装置。
  3. 請求項1又は請求項2において、
    前記第1の表示素子は、前記第2の表示素子と隣接するように配置され、
    前記第1の表示素子及び前記第2の表示素子は、前記第4の表示素子の第1の辺と隣接するように配置され、
    前記第3の表示素子は、前記第4の表示素子の第2の辺と隣接するように配置され、
    前記第1の辺は、前記第2の辺と連続した辺であることを特徴とする発光装置。
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