JPWO2016042638A1 - 発光装置 - Google Patents

Abstract

基板（１００）は透光性の基板である。発光部（１４０）は第１電極（１１０）、有機層（１２０）、及び第２電極（１３０）を有している。また、発光装置（１０）は、第１領域（１０２）、第２領域（１０４）、及び第３領域（１０６）を有している。第１領域（１０２）は第２電極（１３０）と重なる領域である。第２電極（１３０）が遮光性を有している場合、第１領域（１０２）は光を通さない領域である。第２領域（１０４）は、複数の発光部（１４０）の間の領域のうち絶縁膜（１５０）を含む領域である。第３領域（１０６）は、複数の発光部（１４０）の間の領域のうち絶縁膜（１５０）を含まない領域である。そして、第２領域（１０４）の幅は第３領域（１０６）の幅よりも狭い。

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は有機ＥＬを利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして、一般的には第１電極には透明材料が用いられており、第２電極には金属材料が用いられている。

有機ＥＬを利用した発光装置の一つに、特許文献１に記載の技術がある。特許文献１の技術は、有機ＥＬを利用した表示装置に光透過性（シースルー）を持たせるために、第２電極を画素の一部にのみ設けている。このような構造において、複数の第２電極の間に位置する領域は光を透過させるため、表示装置は光透過性を有することができる。なお、特許文献１に記載の技術において、複数の第２電極の間には、画素を画定するために、透光性の絶縁膜が形成されている。特許文献１において、この絶縁膜の材料として、酸化シリコンなどの無機材料や、アクリル樹脂などの樹脂材料が例示されている。

特開２０１１−２３３３６号公報

光透過性を評価する指標として光線透過率がある。この光線透過率は、ある物体に入射した光が透過した割合を示すものである。一般的に、透光性の材料における光の光線透過率は１００％ではない。このため、特許文献１で示されるように光を透過する領域に絶縁膜が存在していると、この絶縁膜を透過する際に光の一部が吸収されてしまう。この場合、発光装置の光線透過率は低下してしまう。

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の光線透過率を上げることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、透光性の基板と、
前記基板に形成され、透光性の第１電極、前記第１電極と少なくとも一部が重なっている第２電極、及び前記第１電極と第２電極の間に位置する有機層とを有する複数の発光部と、
前記第１電極の縁を覆う絶縁膜と、
を備え、
前記複数の発光部は互いに離間しており、
前記絶縁膜の少なくとも一部は前記第２電極で覆われておらず、
前記基板に垂直な方向から見た場合において、
前記第２電極と重なる領域である第１領域と、
前記複数の発光部の間の領域のうち前記絶縁膜を含む領域である第２領域と、
前記複数の発光部の間の領域のうち前記絶縁膜を含まない領域である第３領域と、
を有し、
前記第２領域の幅は前記第３領域の幅よりも狭い発光装置である。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 発光装置の発光部を拡大した図である。 発光装置の平面図である。 実施例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例４に係る発光装置の構成を示す断面図である。 各図は、図７の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。 実施例５に係る発光装置の構成を示す断面図である。 図９に示した発光装置の平面図である。 図１０の変形例を示す平面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。監視者Ｐは、図１の基板１００に垂直な方向から発光装置１０の光射出面を見ている。図２は発光装置１０の発光部１４０を拡大した図である。実施形態に係る発光装置１０は、照明装置または表示装置である。図１及び図２は、発光装置１０が照明装置である場合を示している。発光装置１０は、基板１００、複数の発光部１４０、及び絶縁膜１５０を備えている。基板１００は透光性の材料が用いられている。複数の発光部１４０は互いに離間しており、いずれも、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。第１電極１１０は透光性の電極であり、第２電極１３０は遮光性の電極であり、第１電極１１０と少なくとも一部が重なっている。ただし第２電極１３０は透光性の電極であってもよい。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。絶縁膜１５０は第１電極１１０の縁を覆っている。また、絶縁膜１５０の少なくとも一部は第２電極１３０で覆われていない。

そして、基板１００に垂直な方向から見た場合において、発光装置１０は、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６を有している。第１領域１０２は第２電極１３０と重なる領域である。つまり、第１領域１０２は基板１００に垂直な方向から見た場合において、第２電極１３０に覆われている領域である。第２電極１３０が遮光性を有している場合、第１領域１０２は光を通さない領域である。第２領域１０４は、複数の発光部１４０の間の領域のうち絶縁膜１５０を含む領域である。第３領域１０６は、複数の発光部１４０の間の領域のうち絶縁膜１５０を含まない領域である。そして、第２領域１０４の幅は第３領域１０６の幅よりも狭い。以下、詳細に説明する。

基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形や円形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されているのが好ましい。

基板１００の一面には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。発光装置１０が照明装置の場合、複数の発光部１４０はライン状に延在している。一方、発光装置１０が表示装置の場合、複数の発光部１４０はマトリクスを構成するように配置されているか、セグメントを構成したり所定の形状を表示するように（例えばアイコンを表示するように）なっていてもよい。そして複数の発光部１４０は、画素別に形成されている。

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。本図において、基板１００の上には、複数の線状の第１電極１１０が互いに平行に形成されている。このため、第２領域１０４及び第３領域１０６には第１電極１１０は位置していない。

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。本図に示す例において、発光装置１０は複数の線状の第２電極１３０を有している。第２電極１３０は、第１電極１１０のそれぞれに対して設けられており、かつ第１電極１１０よりも幅が広くなっている。このため、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第１電極１１０の全体が第２電極１３０によって重なっており、また覆われている。また、第１電極１１０は、第２電極１３０よりも幅が広く、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第２電極１３０の全体が第１電極１１０によって覆われていてもよい。

第１電極１１０の縁は、絶縁膜１５０によって覆われている。絶縁膜１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０となる部分を囲んでいる。第２電極１３０の幅方向の縁は、絶縁膜１５０上に位置している。言い換えると、基板１００に垂直な方向から見た場合において、絶縁膜１５０の一部は第２電極１３０から食み出ている。また本図に示す例において、有機層１２０は絶縁膜１５０の上及び側面にも形成されている。ただし、有機層１２０は隣り合う発光部１４０の間で分断されている。

そして上記したように、発光装置１０は第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６を有している。第１領域１０２は第２電極１３０と重なる領域である。第２領域１０４は、複数の発光部１４０の間の領域のうち絶縁膜１５０を含む領域である。本図に示す例において、有機層１２０は第２領域１０４にも形成されている。第３領域１０６は、複数の発光部１４０の間の領域のうち絶縁膜１５０を含まない領域である。本図に示す例において、有機層１２０は第３領域１０６の少なくとも一部には形成されていない。そして第２領域１０４の幅は、第３領域１０６の幅よりも狭い。また第３領域１０６の幅は第１領域１０２の幅よりも広くてもよいし、狭くてもよい。第１領域１０２の幅を１とした場合、第２領域１０４の幅は例えば０以上（又は０超）０．２以下であり、第３領域１０６の幅は例えば０．３以上２以下である。また第１領域１０２の幅は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であり、第２領域１０４の幅は例えば０μｍ以上（又は０μｍ超）１００μｍ以下であり、第３領域１０６の幅は例えば１５μｍ以上１０００μｍ以下である。

図３は発光装置１０の平面図である。なお、図１は図３のＡ−Ａ断面に対応している。本図に示す例において、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６は、いずれも線状かつ同一方向に延在している。そして本図及び図１に示すように、第２領域１０４、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６が、この順に繰り返し並んでいる。

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００に第１電極１１０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第１電極１１０を例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。次いで、第１電極１１０の縁の上に絶縁膜１５０を形成する。例えば絶縁膜１５０が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁膜１５０は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、封止部材（図示せず）を用いて発光部１４０を封止する。

本実施形態において、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６のうち第１領域１０２は最も光線透過率が低い。また、第２領域１０４は絶縁膜１５０が存在している分、第３領域１０６に対して光線透過率が低くなっている。本実施形態では第２領域１０４の幅は第３領域１０６の幅よりも狭い。このため、発光装置１０において第２領域１０４の面積占有率は、第３領域１０６の面積占有率よりも低い。従って、発光装置１０の光線透過率は高くなる。

また、絶縁膜１５０は透光性の材料によって形成されているが、一般的に、透光性の材料の光線透過率は光の波長によって異なる。このため、絶縁膜１５０の幅が広いと、絶縁膜１５０を光が透過する際に、その光のスペクトル分布が変わってしまう。この場合、発光装置１０を介して物を見ると、その物の色が実際とは異なる色に見えてしまう。すなわち発光装置１０を介することによって物の色が変化してしまう。例えば、青色の波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの吸収が５０％となり、他の波長の吸収より大きい場合、発光装置１０を介して物を見たときに青色が弱くなり、黄みがかって見えてしまう。これに対して本実施形態では第２領域１０４の幅は第３領域１０６の幅よりも狭いため、上記した色の変化を抑制できる。

（実施例１）
図４は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図１に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、有機層１２０のレイアウトを除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。

本実施形態において、有機層１２０は第３領域１０６の全面に形成されている。言い換えると有機層１２０は第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６にわたって連続して形成されている。そして有機層１２０は、複数の発光部１４０を繋ぐように連続的に形成されている。

本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光線透過率は高くなる。また有機層１２０を連続的に形成しているため、有機層１２０を形成するためのコストが低くなる。

（実施例２）
図５は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図２に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、第２電極１３０の幅を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。

本実施例において、第２電極１３０の幅は第１電極１１０の幅よりも狭い。このため、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向における第１電極１１０の端部は第２電極１３０から食み出している。言い換えると、第２領域１０４の一部は第１電極１１０と重なっている。

本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光線透過率は高くなる。

（実施例３）
図６は、実施例３に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図２に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、剥離防止部１６０を備えている点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。

剥離防止部１６０は基板１００のうち発光部１４０が形成されている面に設けられている。剥離防止部１６０は第１電極１１０に対して絶縁しており、基板１００よりも絶縁膜１５０との密着性が高い材料から形成されている。絶縁膜１５０は、第１電極１１０の縁から剥離防止部１６０に渡って形成されている。本図に示す例において、剥離防止部１６０は、第１電極１１０と同一の材料から形成されており、かつ物理的に第１電極１１０から分離することにより、第１電極１１０に対して絶縁している。この場合、剥離防止部１６０は第１電極１１０と同一工程で形成される。そして絶縁膜１５０は、基板１００のうち剥離防止部１６０と第１電極１１０の間に位置する領域の上にも形成されている。そして絶縁膜１５０の縁は剥離防止部１６０上に位置している。

本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光線透過率は高くなる。また、絶縁膜１５０の縁は剥離防止部１６０上に位置している。剥離防止部１６０は、基板１００と比較して絶縁膜１５０との密着性が高い。従って、絶縁膜１５０が剥離することを抑制できる。

（実施例４）
図７は、実施例４に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図２に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、導電部１７０を備えている点を除いて、実施例３に係る発光装置１０と同様の構成である。

導電部１７０は、例えば第１電極１１０の補助電極であり、第１電極１１０に接触している。導電部１７０は第１電極１１０よりも抵抗値が低い材料によって形成されており、例えば少なくとも一つの金属層を用いて形成されている。導電部１７０は、例えばＭｏ又はＭｏ合金などの第１金属層、Ａｌ又はＡｌ合金などの第２金属層、及びＭｏ又はＭｏ合金などの第３金属層をこの順に積層させた構成を有している。これら３つの金属層のうち第２金属層が最も厚い。そして導電部１７０は、絶縁膜１５０によって覆われている。このため、導電部１７０は有機層１２０及び第２電極１３０のいずれにも直接接続していない。

図８（ａ）は、図７の点線αで囲んだ領域を拡大した図の第１例である。本図に示す例において、導電部１７０は、第１層１７２の上に第２層１７４を積層した構成を有している。第１層１７２は、例えばＡｌ又はＡｌ合金などの金属で形成されており、第２層１７４は、第１層１７２よりも硬度が高くてエッチングレートが低い導電材料、 例えばＭｏ又はＭｏ合金で形成されている。また、第１層１７２は、第２層１７４よりも低抵抗な材料により形成されている。第１層１７２がＡｌＮｄ合金で形成されている場合、第２層１７４は、ＭｏＮｂ合金で形成されている。第１層１７２の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。好ましくは６００ｎｍ以下である。第２層１７４は第１層１７２よりも薄い。第２層１７４の厚さは、例えば１００ｎｍ以下、好ましくは６０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下である。

また、第２層１７４の可視光の反射率は、第１層１７２の可視光の反射率よりも低い。例えば波長５３０ｎｍの光において、第２層１７４の反射率は６０％程度、第１層１７２の反射率は９０％程度である。

そして、第１層１７２の幅は第２層１７４の幅よりも狭くなっている。このため、導電部１７０の幅方向において、第１層１７２の端部は、第２層１７４の端部よりも導電部１７０の中心側に位置している。第１層１７２の端部と第２層１７４の端部の間隔ｄは、好ましくは１５０ｎｍ以上、さらに好ましくは３００ｎｍ以上である。

また、導電部１７０の少なくとも一部は、第２電極１３０と重なっている。導電部１７０のうち第２電極１３０と重なっている部分の幅ｗは、例えば１５０ｎｍ以上であるのが好ましい。本図に示す例では、導電部１７０の全部が第２電極１３０と重なっている。

導電部１７０を形成するタイミングは、第１電極１１０を形成した後、絶縁膜１５０を形成する前である。導電部１７０は、例えば以下のようにして形成される。まず、第１層１７２及び第２層１７４を、例えばスパッタ法などの成膜法を用いてこの順に形成する。次いで、第２層１７４上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとして第２層１７４及び第１層１７２をエッチング（例えばウェットエッチング）する。この時、エッチングに等方性を持たせる。また、このエッチングの条件において、第１層１７２のエッチングレートは、第２層１７４のエッチングレートよりも速い。このため、第１層１７２は第２層１７４よりも速くエッチングされる。その結果、第１層１７２の側面は、第２層１７４の側面よりも、導電部１７０の中心側に入り込む。つまり、第1層１７２の端部は、第２層１７４の端部より導電部１７０の中心側に位置することになる。なお、間隔ｄの大きさは、エッチング条件（例えばエッチング時間）を調整することにより、制御される。

本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光線透過率は高くなる。また、第１電極１１０上に導電部１７０を形成しているため、第１電極１１０の見かけ上の抵抗値を低くすることができる。また、発光装置１０を介して物を見たときの物の色が実際と異なる色に見えることを抑制している。

また、導電部１７０は絶縁膜１５０に覆われているため、導電部１７０の端面で光が反射されると、絶縁膜１５０を透過する光の量が増えてしまう。絶縁膜１５０の光線透過率は光の波長によって異なるため、絶縁膜１５０を透過する光の量が増加すると、発光装置１０を介して物を見た場合に、その物の色が変化したように見える可能性が高くなる。これに対して本実施形態では、第２層１７４の可視光の反射率は、第１層１７２の可視光の反射率よりも低い。そして、第１層１７２の端部は第２層１７４の端部よりも導電部１７０の中心側に位置している。従って、第１層１７２の端部に入射する光の少なくとも一部は第２層１７４によって遮られる。これにより、絶縁膜１５０を透過する光の量を減らすことができる。

なお、図８（ｂ）に示すように、導電部１７０は、第２層１７４の上に第１層１７２を積層した構成を有していてもよい。この場合、第１層１７２の端部で反射した光の少なくとも一部は、基板１００に入射する前に第２層１７４によって遮られる。これにより、絶縁膜１５０を透過する光の量を減らすことができる。

また、図８（ｃ）に示すように、導電部１７０は、第２層１７４、第１層１７２、及び第２層１７４をこの順に積層した構成を有していてもよい。図８（ｃ）の例において、２つの第２層１７４の膜厚は互いに異なっていてもよいし、互いに同一であってもよい。

（実施例５）
図９は、実施例５に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図１０は図９に示した発光装置１０の平面図である。ただし、図１０において一部の部材は省略されている。図９は図１０のＢ−Ｂ断面に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、封止部材１８０及び乾燥剤１９０を備えている点を除いて、実施形態又は実施例１〜４のいずれかに係る発光装置１０と同様の構成である。

本図に示す例において、基板１００の平面形状は、例えば矩形などの多角形や円形である。封止部材１８０は透光性を有しており、例えばガラス又は樹脂を用いて形成されている。封止部材１８０は、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材１８０の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部材１８０と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして複数の発光部１４０は、いずれも封止された空間の中に位置している。

また、発光装置１０は、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４を備えている。第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４は、いずれも基板１００のうち発光部１４０と同一面に形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は封止部材１８０の外部に位置している。第１引出配線１１４は第１端子１１２と第１電極１１０とを接続しており、第２引出配線１３４は第２端子１３２と第２電極１３０とを接続している。言い換えると、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は、いずれも封止部材１８０の内側から外側に延在している。

第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。また、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４の少なくとも一つの少なくとも一部は、この層の上に、第１電極１１０よりも低抵抗な金属膜（例えば導電部１７０と同様の膜）を有していてもよい。この金属膜は、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４のすべてに形成されている必要はない。第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４のうち第１電極１１０と同一の材料で形成された層は、第１電極１１０と同一工程で形成されている。このため、第１電極１１０は、第１端子１１２の少なくとも一部の層と一体になっている。またこれらが金属膜を有している場合、この金属膜は、例えば導電部１７０と同一工程で形成される。この場合、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４の光線透過率は、基板１００の光線透過率よりも低くなる。

本図に示す例において、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は一つの発光部１４０について一つずつ形成されている。複数の第１引出配線１１４はいずれも同一の第１端子１１２に接続しており、複数の第２引出配線１３４はいずれも同一の第２端子１３２に接続している。そして、第１端子１１２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の正極端子が接続され、第２端子１３２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。

そして、乾燥剤１９０は、封止部材１８０で封止された空間のうち、基板１００に垂直な方向から見た場合においていずれの発光部１４０にも重ならない領域、例えば第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４の少なくとも一方と重なる領域に配置されている。

具体的には、乾燥剤１９０は、例えばＣａＯ，ＢａＯなどの乾燥部材を含有している。乾燥剤１９０の光線透過率は、基板１００の光線透過率よりも低い。乾燥剤１９０は、封止部材１８０の基板１００に対向する面に固定されている。本図に示す例では、乾燥剤１９０は、第１引出配線１１４と重なる領域及び第２引出配線１３４と重なる領域のそれぞれに配置されている。言い換えると、乾燥剤１９０は、矩形の基板１００のうち互いに対向する２辺に沿うように配置されているが、残りの２辺に沿う位置、すなわち残りの２辺と発光部１４０には配置されていない。

図１１は、図１０の変形例を示す平面図である。本図に示す例において、第１端子１１２及び第２端子１３２の一部は、封止部材１８０の内側に位置している。そして、乾燥剤１９０の少なくとも一部は、第１端子１１２及び第２端子１３２の少なくとも一方と重なっている。

本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光線透過率は高くなる。また、基板１００に垂直な方向から見た場合において、乾燥剤１９０は発光部１４０と重なっておらず、基板１００の縁の近くに位置している。従って、乾燥剤１９０を発光部１４０と重なる位置に設けた場合と比較して、乾燥剤１９０はユーザに視認されにくくなる。特に本実施形態では、乾燥剤１９０は第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４と重なっている。第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４も、光線透過率が低い。このため、乾燥剤１９０を、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４と重ねない場合と比較して、発光装置１０の光線透過率は向上する。特に第１端子１１２及び第２端子１３２と乾燥剤１９０を重ねた場合、これらを重ねない場合と比較して、発光装置１０の光線透過率は大きく向上する。

また、発光部１４０の輝度は、有機層１２０の温度によって異なる。乾燥剤１９０を有機層１２０と重なる位置に設けた場合、発光部１４０から放射された熱の少なくとも一部は乾燥剤１９０によって吸収される。従って、有機層１２０のうち乾燥剤１９０と重なる領域の温度は、有機層１２０の他の領域と比べて低くなる。この場合、発光部１４０の輝度に面内ばらつきが生じる。

これに対して本実施例では、乾燥剤１９０は発光部１４０と重なっていない。従って、発光部１４０の輝度に面内ばらつきが生じることを抑制できる。

また、第１電極１１０及び第２電極１３０の抵抗に起因して、発光部１４０のうち第１引出配線１１４の近くに位置する領域の輝度、及び第２引出配線１３４の近くに位置する領域の輝度は、発光部１４０の中心部の輝度と比較して高くなる。一方、本実施例では、乾燥剤１９０は第１引出配線１１４と重なる位置及び第２引出配線１３４と重なる位置に設けられている。これにより、有機層１２０のうち第１引出配線１１４の近くに位置する領域の温度、及び第２引出配線１３４の近くに位置する領域の温度は、いずれも有機層１２０のうち発光部１４０の中心部に位置する領域の温度よりも低くなる。これにより、第１電極１１０及び第２電極１３０の抵抗に起因した発光部１４０の輝度のばらつきは吸収される。従って、発光部１４０の輝度の面内ばらつきは小さくなる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (6)

1. 透光性の基板と、
   前記基板に形成され、透光性の第１電極、前記第１電極と少なくとも一部が重なっている第２電極、及び前記第１電極と第２電極の間に位置する有機層とを有する複数の発光部と、
   前記第１電極の縁を覆う絶縁膜と、
   を備え、
   前記複数の発光部は互いに離間しており、
   前記絶縁膜の少なくとも一部は前記第２電極で覆われておらず、
   前記基板に垂直な方向から見た場合において、
   前記第２電極と重なる領域である第１領域と、
   前記複数の発光部の間の領域のうち前記絶縁膜を含む領域である第２領域と、
   前記複数の発光部の間の領域のうち前記絶縁膜を含まない領域である第３領域と、
   を有し、
   前記第２領域の幅は前記第３領域の幅よりも狭い発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記第２領域、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域が繰り返しこの順に並んでいる発光装置。
3. 請求項１又は２に記載の発光装置において、
   前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域が同一方向に延在している発光装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記有機層の少なくとも一部は前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域にわたって連続して形成されている発光装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記第１電極の上に形成され、かつ前記絶縁膜に覆われていて前記第１電極よりも抵抗値が低い材料からなる導電部を有する発光装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記基板に設けられ、前記第１電極に対して絶縁しており、前記基板よりも前記絶縁膜との密着性が高い材料からなる剥離防止部を備え、
   前記絶縁膜は、前記第１電極の縁から前記剥離防止部に跨って形成されており、かつ前記絶縁膜の縁は前記剥離防止部上に位置している発光装置。

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