KR20170057336A - 발광 장치 - Google Patents

발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170057336A
KR20170057336A KR1020177009952A KR20177009952A KR20170057336A KR 20170057336 A KR20170057336 A KR 20170057336A KR 1020177009952 A KR1020177009952 A KR 1020177009952A KR 20177009952 A KR20177009952 A KR 20177009952A KR 20170057336 A KR20170057336 A KR 20170057336A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
electrode
light emitting
insulating film
layer
Prior art date
Application number
KR1020177009952A
Other languages
English (en)
Inventor
겐지 아오키
히로무 나라
도모야 가가미
마사키 고마다
Original Assignee
파이오니아 가부시키가이샤
도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파이오니아 가부시키가이샤, 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤 filed Critical 파이오니아 가부시키가이샤
Publication of KR20170057336A publication Critical patent/KR20170057336A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H01L27/326—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H01L27/3218—
    • H01L51/5012—
    • H01L51/5203—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes

Abstract

기판 (100) 은 투광성의 기판이다. 발광부 (140) 는 제 1 전극 (110), 유기층 (120), 및 제 2 전극 (130) 을 가지고 있다. 또, 발광 장치 (10) 는 제 1 영역 (102), 제 2 영역 (104), 및 제 3 영역 (106) 을 가지고 있다. 제 1 영역 (102) 은 제 2 전극 (130) 과 겹치는 영역이다. 제 2 전극 (130) 이 차광성을 가지고 있는 경우, 제 1 영역 (102) 은 광을 통과시키지 않는 영역이다. 제 2 영역 (104) 은, 복수의 발광부 (140) 사이의 영역 중 절연막 (150) 을 포함하는 영역이다. 제 3 영역 (106) 은, 복수의 발광부 (140) 사이의 영역 중 절연막 (150) 을 포함하지 않는 영역이다. 그리고, 제 2 영역 (104) 의 폭은 제 3 영역 (106) 의 폭보다 좁다.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 장치에 관한 것이다.
최근에는 유기 EL 을 이용한 발광 장치의 개발이 진행되고 있다. 이 발광 장치는 조명 장치나 표시 장치로서 사용되고 있고, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기층을 끼운 구성을 가지고 있다. 그리고, 일반적으로는 제 1 전극에는 투명 재료가 사용되고 있고, 제 2 전극에는 금속 재료가 사용되고 있다.
유기 EL 을 이용한 발광 장치 중 하나로, 특허문헌 1 에 기재된 기술이 있다. 특허문헌 1 의 기술은, 유기 EL 을 이용한 표시 장치에 광 투과성 (시스루) 을 갖게 하기 위해서 제 2 전극을 화소의 일부에만 형성하고 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 복수의 제 2 전극 사이에 위치하는 영역은 광을 투과시키기 때문에, 표시 장치는 광 투과성을 가질 수 있다. 또한, 특허문헌 1 에 기재된 기술에 있어서, 복수의 제 2 전극 사이에는 화소를 획정 (劃定) 하기 위해서 투광성의 절연막이 형성되어 있다. 특허문헌 1 에 있어서, 이 절연막의 재료로서, 산화 실리콘 등의 무기 재료나, 아크릴 수지 등의 수지 재료가 예시되어 있다.
일본 공개특허공보 2011-23336호
광 투과성을 평가하는 지표로서 광선 투과율이 있다. 이 광선 투과율은, 어느 물체에 입사한 광이 투과된 비율을 나타내는 것이다. 일반적으로, 투광성 재료에 있어서의 광의 광선 투과율은 100 ％ 는 아니다. 이 때문에, 특허문헌 1 에서 나타내어지는 바와 같이 광을 투과시키는 영역에 절연막이 존재하고 있으면, 이 절연막을 투과할 때에 광의 일부가 흡수되어 버린다. 이 경우, 발광 장치의 광선 투과율은 저하되어 버린다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제로는, 발광 장치의 광선 투과율을 높이는 것을 일례로서 들 수 있다.
청구항 1 에 기재된 발명은, 투광성의 기판과,
상기 기판에 형성되고, 투광성의 제 1 전극, 상기 제 1 전극과 적어도 일부가 겹쳐 있는 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하는 유기층을 갖는 복수의 발광부와,
상기 제 1 전극의 가장자리를 덮는 절연막을 구비하고,
상기 복수의 발광부는 서로 이간되어 있고,
상기 절연막의 적어도 일부는 상기 제 2 전극으로 덮여 있지 않고,
상기 기판에 수직인 방향으로부터 본 경우에 있어서,
상기 제 2 전극과 겹치는 영역인 제 1 영역과,
상기 복수의 발광부 사이의 영역 중 상기 절연막을 포함하는 영역인 제 2 영역과,
상기 복수의 발광부 사이의 영역 중 상기 절연막을 포함하지 않는 영역인 제 3 영역을 갖고,
상기 제 2 영역의 폭은 상기 제 3 영역의 폭보다 좁은 발광 장치이다.
상기 서술한 목적, 및 그 밖의 목적, 특징 및 이점은, 이하에 서술하는 바람직한 실시형태, 및 그것에 부수되는 이하의 도면에 의해 더욱 분명해진다.
도 1 은, 실시형태에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 발광 장치의 발광부를 확대한 도면이다.
도 3 은, 발광 장치의 평면도이다.
도 4 는, 실시예 1 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5 는, 실시예 2 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6 은, 실시예 3 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 7 은, 실시예 4 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 8 은, 각 도면은 도 7 의 점선 α 로 둘러싼 영역을 확대한 도면이다.
도 9 는, 실시예 5 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 10 은, 도 9 에 나타낸 발광 장치의 평면도이다.
도 11 은, 도 10 의 변형예를 나타내는 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 사용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.
도 1 은, 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 감시자 (P) 는 도 1 의 기판 (100) 에 수직인 방향으로부터 발광 장치 (10) 의 광 사출면을 보고 있다. 도 2 는 발광 장치 (10) 의 발광부 (140) 를 확대한 도면이다. 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 는 조명 장치 또는 표시 장치이다. 도 1 및 도 2 는, 발광 장치 (10) 가 조명 장치인 경우를 나타내고 있다. 발광 장치 (10) 는, 기판 (100), 복수의 발광부 (140), 및 절연막 (150) 을 구비하고 있다. 기판 (100) 은 투광성의 재료가 사용되고 있다. 복수의 발광부 (140) 는 서로 이간되어 있고, 모두, 제 1 전극 (110), 유기층 (120), 및 제 2 전극 (130) 을 가지고 있다. 제 1 전극 (110) 은 투광성의 전극이고, 제 2 전극 (130) 은 차광성의 전극이며, 제 1 전극 (110) 과 적어도 일부가 겹쳐 있다. 단 제 2 전극 (130) 은 투광성의 전극이어도 된다. 유기층 (120) 은 제 1 전극 (110) 과 제 2 전극 (130) 사이에 위치하고 있다. 절연막 (150) 은 제 1 전극 (110) 의 가장자리를 덮고 있다. 또, 절연막 (150) 의 적어도 일부는 제 2 전극 (130) 으로 덮여 있지 않다.
그리고, 기판 (100) 에 수직인 방향으로부터 본 경우에 있어서, 발광 장치 (10) 는, 제 1 영역 (102), 제 2 영역 (104), 및 제 3 영역 (106) 을 가지고 있다. 제 1 영역 (102) 은 제 2 전극 (130) 과 겹치는 영역이다. 요컨대, 제 1 영역 (102) 은 기판 (100) 에 수직인 방향으로부터 본 경우에 있어서, 제 2 전극 (130) 에 덮여 있는 영역이다. 제 2 전극 (130) 이 차광성을 가지고 있는 경우, 제 1 영역 (102) 은 광을 통과시키지 않는 영역이다. 제 2 영역 (104) 은 복수의 발광부 (140) 사이의 영역 중 절연막 (150) 을 포함하는 영역이다. 제 3 영역 (106) 은 복수의 발광부 (140) 사이의 영역 중 절연막 (150) 을 포함하지 않는 영역이다. 그리고, 제 2 영역 (104) 의 폭은 제 3 영역 (106) 의 폭보다 좁다. 이하, 상세하게 설명한다.
기판 (100) 은, 예를 들어 유리 기판이나 수지 기판 등의 투광성을 갖는 기판이다. 기판 (100) 은 가요성을 가지고 있어도 된다. 가요성을 가지고 있는 경우, 기판 (100) 의 두께는, 예를 들어 10 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하이다. 기판 (100) 은, 예를 들어 사각형 등의 다각형이나 원형이다. 기판 (100) 이 수지 기판인 경우, 기판 (100) 은, 예를 들어 PEN (폴리에틸렌나프탈레이트), PES (폴리에테르술폰), PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), 또는 폴리이미드를 사용하여 형성되어 있다. 또, 기판 (100) 이 수지 기판인 경우, 수분이 기판 (100) 을 투과하는 것을 억제하기 위해서, 기판 (100) 의 적어도 일면 (바람직하게는 양면) 에, SiNx 나 SiON 등의 무기 배리어막이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
기판 (100) 의 일면에는 발광부 (140) 가 형성되어 있다. 발광부 (140) 는 제 1 전극 (110), 유기층 (120), 및 제 2 전극 (130) 을 이 순서로 적층시킨 구성을 가지고 있다. 발광 장치 (10) 가 조명 장치인 경우, 복수의 발광부 (140) 는 라인 형상으로 연장되어 있다. 한편, 발광 장치 (10) 가 표시 장치인 경우, 복수의 발광부 (140) 는 매트릭스를 구성하도록 배치되어 있거나, 세그먼트를 구성하거나 소정의 형상을 표시하도록 (예를 들어 아이콘을 표시하도록) 되어 있어도 된다. 그리고 복수의 발광부 (140) 는 화소별로 형성되어 있다.
제 1 전극 (110) 은 광 투과성을 갖는 투명 전극이다. 투명 전극의 재료는, 금속을 함유하는 재료, 예를 들어, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide) 등의 금속 산화물이다. 제 1 전극 (110) 의 두께는, 예를 들어 10 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하이다. 제 1 전극 (110) 은, 예를 들어 스퍼터링법 또는 증착법을 이용하여 형성된다. 또한, 제 1 전극 (110) 은 카본 나노 튜브, 또는 PEDOT/PSS 등의 도전성 유기 재료여도 된다. 본 도면에 있어서, 기판 (100) 상에는 복수의 선상의 제 1 전극 (110) 이 서로 평행하게 형성되어 있다. 이 때문에, 제 2 영역 (104) 및 제 3 영역 (106) 에는 제 1 전극 (110) 은 위치하고 있지 않다.
유기층 (120) 은 발광층을 가지고 있다. 유기층 (120) 은, 예를 들어, 정공 주입층, 발광층, 및 전자 주입층을 이 순서로 적층시킨 구성을 가지고 있다. 정공 주입층과 발광층 사이에는 정공 수송층이 형성되어 있어도 된다. 또, 발광층과 전자 주입층 사이에는 전자 수송층이 형성되어 있어도 된다. 유기층 (120) 은 증착법으로 형성되어도 된다. 또, 유기층 (120) 중 적어도 1 개의 층, 예를 들어 제 1 전극 (110) 과 접촉하는 층은 잉크젯법, 인쇄법, 또는 스프레이법 등의 도포법에 의해 형성되어도 된다. 또한, 이 경우, 유기층 (120) 의 나머지 층은 증착법에 의해 형성되어 있다. 또, 유기층 (120) 의 모든 층이 도포법을 이용하여 형성되어 있어도 된다.
제 2 전극 (130) 은, 예를 들어, Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, 및 In 으로 이루어지는 제 1 군 중에서 선택되는 금속, 또는 이 제 1 군에서 선택되는 금속의 합금으로 이루어지는 금속층을 포함하고 있다. 이 경우, 제 2 전극 (130) 은 차광성을 가지고 있다. 제 2 전극 (130) 의 두께는, 예를 들어 10 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하이다. 단, 제 2 전극 (130) 은 제 1 전극 (110) 의 재료로서 예시한 재료를 사용하여 형성되어 있어도 된다. 제 2 전극 (130) 은, 예를 들어 스퍼터링법 또는 증착법을 이용하여 형성된다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 발광 장치 (10) 는 복수의 선상의 제 2 전극 (130) 을 가지고 있다. 제 2 전극 (130) 은, 제 1 전극 (110) 각각에 대해 형성되어 있으며, 또한 제 1 전극 (110) 보다 폭이 넓게 되어 있다. 이 때문에, 기판 (100) 에 수직인 방향으로부터 본 경우에 있어서, 폭 방향에 있어서 제 1 전극 (110) 전체가 제 2 전극 (130) 에 의해 겹쳐 있고, 또 덮여 있다. 또, 제 1 전극 (110) 은 제 2 전극 (130) 보다 폭이 넓고, 기판 (100) 에 수직인 방향으로부터 본 경우에 있어서, 폭 방향에 있어서 제 2 전극 (130) 전체가 제 1 전극 (110) 에 의해 덮여 있어도 된다.
제 1 전극 (110) 의 가장자리는 절연막 (150) 에 의해 덮여 있다. 절연막 (150) 은 예를 들어 폴리이미드 등의 감광성 수지 재료에 의해 형성되어 있고, 제 1 전극 (110) 중 발광부 (140) 가 되는 부분을 둘러싸고 있다. 제 2 전극 (130) 의 폭 방향의 가장자리는 절연막 (150) 상에 위치하고 있다. 바꾸어 말하면, 기판 (100) 에 수직인 방향으로부터 본 경우에 있어서, 절연막 (150) 의 일부는 제 2 전극 (130) 으로부터 돌출되어 있다. 또 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 유기층 (120) 은 절연막 (150) 상 및 측면에도 형성되어 있다. 단, 유기층 (120) 은 이웃하는 발광부 (140) 사이에서 분단되어 있다.
그리고 상기한 바와 같이, 발광 장치 (10) 는 제 1 영역 (102), 제 2 영역 (104), 및 제 3 영역 (106) 을 가지고 있다. 제 1 영역 (102) 은 제 2 전극 (130) 과 겹치는 영역이다. 제 2 영역 (104) 은 복수의 발광부 (140) 사이의 영역 중 절연막 (150) 을 포함하는 영역이다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 유기층 (120) 은 제 2 영역 (104) 에도 형성되어 있다. 제 3 영역 (106) 은 복수의 발광부 (140) 사이의 영역 중 절연막 (150) 을 포함하지 않는 영역이다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 유기층 (120) 은 제 3 영역 (106) 의 적어도 일부에는 형성되어 있지 않다. 그리고 제 2 영역 (104) 의 폭은 제 3 영역 (106) 의 폭보다 좁다. 또 제 3 영역 (106) 의 폭은 제 1 영역 (102) 의 폭보다 넓어도 되고, 좁아도 된다. 제 1 영역 (102) 의 폭을 1 로 한 경우, 제 2 영역 (104) 의 폭은 예를 들어 0 이상 (또는 0 초과) 0.2 이하이며, 제 3 영역 (106) 의 폭은 예를 들어 0.3 이상 2 이하이다. 또 제 1 영역 (102) 의 폭은, 예를 들어 50 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하이고, 제 2 영역 (104) 의 폭은 예를 들어 0 ㎛ 이상 (또는 0 ㎛ 초과) 100 ㎛ 이하이며, 제 3 영역 (106) 의 폭은 예를 들어 15 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하이다.
도 3 은 발광 장치 (10) 의 평면도이다. 또한, 도 1 은 도 3 의 A-A 단면에 대응하고 있다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 제 1 영역 (102), 제 2 영역 (104), 및 제 3 영역 (106) 은 모두 선상 또한 동일 방향으로 연장되어 있다. 그리고 본 도면 및 도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 2 영역 (104), 제 1 영역 (102), 제 2 영역 (104), 및 제 3 영역 (106) 이 이 순서로 반복해서 나열되어 있다.
다음으로, 발광 장치 (10) 의 제조 방법에 대해 설명한다. 먼저, 기판 (100) 에 제 1 전극 (110) 을, 예를 들어 스퍼터링법을 이용하여 형성한다. 이어서, 제 1 전극 (110) 을 예를 들어 포토리소그래피법을 이용하여 소정의 패턴으로 한다. 이어서, 제 1 전극 (110) 의 가장자리 상에 절연막 (150) 을 형성한다. 예를 들어 절연막 (150) 이 감광성 수지로 형성되어 있는 경우, 절연막 (150) 은 노광 및 현상 공정을 거침으로써 소정의 패턴으로 형성된다. 이어서, 유기층 (120) 및 제 2 전극 (130) 을 이 순서로 형성한다. 유기층 (120) 이 증착법으로 형성되는 층을 포함하는 경우, 이 층은, 예를 들어 마스크를 사용하거나 하여 소정의 패턴으로 형성된다. 제 2 전극 (130) 도, 예를 들어 마스크를 사용하거나 하여 소정의 패턴으로 형성된다. 그 후, 봉지 부재 (도시 생략) 를 사용하여 발광부 (140) 를 봉지한다.
본 실시형태에 있어서, 제 1 영역 (102), 제 2 영역 (104), 및 제 3 영역 (106) 중 제 1 영역 (102) 은 가장 광선 투과율이 낮다. 또, 제 2 영역 (104) 은 절연막 (150) 이 존재하고 있는 만큼, 제 3 영역 (106) 에 대해 광선 투과율이 낮아져 있다. 본 실시형태에서는 제 2 영역 (104) 의 폭은 제 3 영역 (106) 의 폭보다 좁다. 이 때문에, 발광 장치 (10) 에 있어서 제 2 영역 (104) 의 면적 점유율은 제 3 영역 (106) 의 면적 점유율보다 낮다. 따라서, 발광 장치 (10) 의 광선 투과율은 높아진다.
또, 절연막 (150) 은 투광성 재료에 의해 형성되어 있는데, 일반적으로 투광성 재료의 광선 투과율은 광의 파장에 따라 상이하다. 이 때문에, 절연막 (150) 의 폭이 넓으면, 절연막 (150) 을 광이 투과할 때에 그 광의 스펙트럼 분포가 바뀌어 버린다. 이 경우, 발광 장치 (10) 를 개재하여 물건을 보면, 그 물건의 색이 실제와는 상이한 색으로 보여 버린다. 즉 발광 장치 (10) 를 개재시킴으로써 물건의 색이 변화되어 버린다. 예를 들어, 청색의 파장 400 ㎚ ∼ 600 ㎚ 의 흡수가 50 ％ 가 되어 다른 파장의 흡수보다 큰 경우, 발광 장치 (10) 를 개재하여 물건을 보았을 때에 청색이 약해지고, 황색 빛을 띈 것으로 보여 버린다. 이에 반하여 본 실시형태에서는 제 2 영역 (104) 의 폭은 제 3 영역 (106) 의 폭보다 좁기 때문에, 상기한 색의 변화를 억제할 수 있다.
실시예
(실시예 1)
도 4 는, 실시예 1 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도로, 실시형태에 있어서의 도 1 에 대응하고 있다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 유기층 (120) 의 레이아웃을 제외하고, 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
본 실시형태에 있어서, 유기층 (120) 은 제 3 영역 (106) 의 전체 면에 형성되어 있다. 바꾸어 말하면 유기층 (120) 은 제 1 영역 (102), 제 2 영역 (104), 및 제 3 영역 (106) 에 걸쳐 연속해서 형성되어 있다. 그리고 유기층 (120) 은 복수의 발광부 (140) 를 연결하도록 연속적으로 형성되어 있다.
본 실시예에 의해서도, 실시형태와 마찬가지로, 발광 장치 (10) 의 광선 투과율은 높아진다. 또 유기층 (120) 을 연속적으로 형성하고 있기 때문에, 유기층 (120) 을 형성하기 위한 비용이 낮아진다.
(실시예 2)
도 5 는, 실시예 2 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도로, 실시형태에 있어서의 도 2 에 대응하고 있다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 제 2 전극 (130) 의 폭을 제외하고, 실시예 1 에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
본 실시예에 있어서, 제 2 전극 (130) 의 폭은 제 1 전극 (110) 의 폭보다 좁다. 이 때문에, 기판 (100) 에 수직인 방향으로부터 본 경우에 있어서, 폭 방향에 있어서의 제 1 전극 (110) 의 단부는 제 2 전극 (130) 으로부터 돌출되어 있다. 바꾸어 말하면, 제 2 영역 (104) 의 일부는 제 1 전극 (110) 과 겹쳐 있다.
본 실시예에 의해서도, 실시형태와 마찬가지로, 발광 장치 (10) 의 광선 투과율은 높아진다.
(실시예 3)
도 6 은, 실시예 3 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도로, 실시형태에 있어서의 도 2 에 대응하고 있다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 박리 방지부 (160) 를 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시예 1 에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
박리 방지부 (160) 는 기판 (100) 중 발광부 (140) 가 형성되어 있는 면에 형성되어 있다. 박리 방지부 (160) 는 제 1 전극 (110) 에 대해 절연되어 있고, 기판 (100) 보다 절연막 (150) 과의 밀착성이 높은 재료로 형성되어 있다. 절연막 (150) 은, 제 1 전극 (110) 의 가장자리로부터 박리 방지부 (160) 에 걸쳐 형성되어 있다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 박리 방지부 (160) 는 제 1 전극 (110) 과 동일한 재료로 형성되어 있으며, 또한 물리적으로 제 1 전극 (110) 으로부터 분리됨으로써 제 1 전극 (110) 에 대해 절연되어 있다. 이 경우, 박리 방지부 (160) 는 제 1 전극 (110) 과 동일 공정으로 형성된다. 그리고 절연막 (150) 은 기판 (100) 중 박리 방지부 (160) 와 제 1 전극 (110) 사이에 위치하는 영역 상에도 형성되어 있다. 그리고 절연막 (150) 의 가장자리는 박리 방지부 (160) 상에 위치하고 있다.
본 실시예에 의해서도, 실시형태와 마찬가지로, 발광 장치 (10) 의 광선 투과율은 높아진다. 또, 절연막 (150) 의 가장자리는 박리 방지부 (160) 상에 위치하고 있다. 박리 방지부 (160) 는 기판 (100) 과 비교하여 절연막 (150) 과의 밀착성이 높다. 따라서, 절연막 (150) 이 박리되는 것을 억제할 수 있다.
(실시예 4)
도 7 은, 실시예 4 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도로, 실시형태에 있어서의 도 2 에 대응하고 있다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 도전부 (170) 를 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시예 3 에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
도전부 (170) 는, 예를 들어 제 1 전극 (110) 의 보조 전극이며, 제 1 전극 (110) 에 접촉되어 있다. 도전부 (170) 는 제 1 전극 (110) 보다 저항값이 낮은 재료에 의해 형성되어 있고, 예를 들어 적어도 1 개의 금속층을 사용하여 형성되어 있다. 도전부 (170) 는, 예를 들어 Mo 또는 Mo 합금 등의 제 1 금속층, Al 또는 Al 합금 등의 제 2 금속층, 및 Mo 또는 Mo 합금 등의 제 3 금속층을 이 순서로 적층시킨 구성을 가지고 있다. 이들 3 개의 금속층 중 제 2 금속층이 가장 두껍다. 그리고 도전부 (170) 는 절연막 (150) 에 의해 덮여 있다. 이 때문에, 도전부 (170) 는 유기층 (120) 및 제 2 전극 (130) 의 어느 것에도 직접 접속되어 있지 않다.
도 8(a) 는, 도 7 의 점선 α 로 둘러싼 영역을 확대한 도면의 제 1 예이다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 도전부 (170) 는, 제 1 층 (172) 상에 제 2 층 (174) 을 적층한 구성을 가지고 있다. 제 1 층 (172) 은, 예를 들어 Al 또는 Al 합금 등의 금속으로 형성되어 있고, 제 2 층 (174) 은 제 1 층 (172) 보다 경도가 높고 에칭 레이트가 낮은 도전 재료, 예를 들어 Mo 또는 Mo 합금으로 형성되어 있다. 또, 제 1 층 (172) 은 제 2 층 (174) 보다 저저항인 재료에 의해 형성되어 있다. 제 1 층 (172) 이 AlNd 합금으로 형성되어 있는 경우, 제 2 층 (174) 은 MoNb 합금으로 형성되어 있다. 제 1 층 (172) 의 두께는, 예를 들어 50 ㎚ 이상 1000 ㎚ 이하이다. 바람직하게는 600 ㎚ 이하이다. 제 2 층 (174) 은 제 1 층 (172) 보다 얇다. 제 2 층 (174) 의 두께는, 예를 들어 100 ㎚ 이하, 바람직하게는 60 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 30 ㎚ 이하이다.
또, 제 2 층 (174) 의 가시광의 반사율은 제 1 층 (172) 의 가시광의 반사율보다 낮다. 예를 들어 파장 530 ㎚ 의 광에 있어서, 제 2 층 (174) 의 반사율은 60 ％ 정도, 제 1 층 (172) 의 반사율은 90 ％ 정도이다.
그리고, 제 1 층 (172) 의 폭은 제 2 층 (174) 의 폭보다 좁게 되어 있다. 이 때문에, 도전부 (170) 의 폭 방향에 있어서, 제 1 층 (172) 의 단부는 제 2 층 (174) 의 단부보다 도전부 (170) 의 중심측에 위치하고 있다. 제 1 층 (172) 의 단부와 제 2 층 (174) 의 단부의 간격 (d) 은, 바람직하게는 150 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 300 ㎚ 이상이다.
또, 도전부 (170) 의 적어도 일부는 제 2 전극 (130) 과 겹쳐 있다. 도전부 (170) 중 제 2 전극 (130) 과 겹쳐 있는 부분의 폭 (w) 은, 예를 들어 150 ㎚ 이상인 것이 바람직하다. 본 도면에 나타내는 예에서는, 도전부 (170) 의 전부 (全部) 가 제 2 전극 (130) 과 겹쳐 있다.
도전부 (170) 를 형성하는 타이밍은, 제 1 전극 (110) 을 형성한 후, 절연막 (150) 을 형성하기 전이다. 도전부 (170) 는, 예를 들어 이하와 같이 하여 형성된다. 먼저, 제 1 층 (172) 및 제 2 층 (174) 을, 예를 들어 스퍼터법 등의 성막법을 이용하여 이 순서로 형성한다. 이어서, 제 2 층 (174) 상에 레지스트 패턴 (도시 생략) 을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 제 2 층 (174) 및 제 1 층 (172) 을 에칭 (예를 들어 웨트 에칭) 한다. 이 때, 에칭에 등방성을 갖게 한다. 또, 이 에칭의 조건에 있어서, 제 1 층 (172) 의 에칭 레이트는 제 2 층 (174) 의 에칭 레이트보다 빠르다. 이 때문에, 제 1 층 (172) 은 제 2 층 (174) 보다 빠르게 에칭된다. 그 결과, 제 1 층 (172) 의 측면은 제 2 층 (174) 의 측면보다 도전부 (170) 의 중심측으로 들어간다. 요컨대, 제 1 층 (172) 의 단부는 제 2 층 (174) 의 단부보다 도전부 (170) 의 중심측에 위치하게 된다. 또한, 간격 (d) 의 크기는 에칭 조건 (예를 들어 에칭 시간) 을 조정함으로써 제어된다.
본 실시예에 의해서도, 실시형태와 마찬가지로, 발광 장치 (10) 의 광선 투과율은 높아진다. 또, 제 1 전극 (110) 상에 도전부 (170) 를 형성하고 있기 때문에, 제 1 전극 (110) 의 외관상의 저항값을 낮게 할 수 있다. 또, 발광 장치 (10) 를 개재하여 물건을 보았을 때의 물건의 색이 실제와 상이한 색으로 보이는 것을 억제하고 있다.
또, 도전부 (170) 는 절연막 (150) 에 덮여 있기 때문에, 도전부 (170) 의 단면에서 광이 반사되면, 절연막 (150) 을 투과하는 광의 양이 증가해 버린다. 절연막 (150) 의 광선 투과율은 광의 파장에 따라 상이하기 때문에, 절연막 (150) 을 투과하는 광의 양이 증가하면, 발광 장치 (10) 를 개재하여 물건을 본 경우에, 그 물건의 색이 변화된 것과 같이 보일 가능성이 높아진다. 이에 반하여 본 실시형태에서는, 제 2 층 (174) 의 가시광의 반사율은 제 1 층 (172) 의 가시광의 반사율보다 낮다. 그리고, 제 1 층 (172) 의 단부는 제 2 층 (174) 의 단부보다 도전부 (170) 의 중심측에 위치하고 있다. 따라서, 제 1 층 (172) 의 단부에 입사하는 광의 적어도 일부는 제 2 층 (174) 에 의해 차단된다. 이로써, 절연막 (150) 을 투과하는 광의 양을 줄일 수 있다.
또한, 도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 도전부 (170) 는, 제 2 층 (174) 상에 제 1 층 (172) 을 적층한 구성을 가지고 있어도 된다. 이 경우, 제 1 층 (172) 의 단부에서 반사된 광의 적어도 일부는 기판 (100) 에 입사되기 전에 제 2 층 (174) 에 의해 차단된다. 이로써, 절연막 (150) 을 투과하는 광의 양을 줄일 수 있다.
또, 도 8(c) 에 나타내는 바와 같이, 도전부 (170) 는 제 2 층 (174), 제 1 층 (172), 및 제 2 층 (174) 을 이 순서로 적층한 구성을 가지고 있어도 된다. 도 8(c) 의 예에 있어서, 2 개의 제 2 층 (174) 의 막 두께는 서로 상이해도 되고, 서로 동일해도 된다.
(실시예 5)
도 9 는, 실시예 5 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 10 은 도 9 에 나타낸 발광 장치 (10) 의 평면도이다. 단, 도 10 에 있어서 일부 부재는 생략되어 있다. 도 9 는 도 10 의 B-B 단면에 대응하고 있다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 봉지 부재 (180) 및 건조제 (190) 를 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시형태 또는 실시예 1 ∼ 4 중 어느 것에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
본 도면에 나타내는 예에 있어서, 기판 (100) 의 평면 형상은, 예를 들어 사각형 등의 다각형이나 원형이다. 봉지 부재 (180) 는 투광성을 가지고 있고, 예를 들어 유리 또는 수지를 사용하여 형성되어 있다. 봉지 부재 (180) 는 기판 (100) 과 동일한 다각형이나 원형이고, 중앙에 오목부를 형성한 형상을 가지고 있다. 그리고 봉지 부재 (180) 의 가장자리는 접착재에 의해 기판 (100) 에 고정되어 있다. 이로써, 봉지 부재 (180) 와 기판 (100) 으로 둘러싸인 공간은 봉지된다. 그리고 복수의 발광부 (140) 는 모두 봉지된 공간 중에 위치하고 있다.
또, 발광 장치 (10) 는 제 1 단자 (112), 제 1 인출 배선 (114), 제 2 단자 (132), 및 제 2 인출 배선 (134) 을 구비하고 있다. 제 1 단자 (112), 제 1 인출 배선 (114), 제 2 단자 (132), 및 제 2 인출 배선 (134) 은 모두 기판 (100) 중 발광부 (140) 와 동일 면에 형성되어 있다. 제 1 단자 (112) 및 제 2 단자 (132) 는 봉지 부재 (180) 의 외부에 위치하고 있다. 제 1 인출 배선 (114) 은 제 1 단자 (112) 와 제 1 전극 (110) 을 접속시키고 있고, 제 2 인출 배선 (134) 은 제 2 단자 (132) 와 제 2 전극 (130) 을 접속시키고 있다. 바꾸어 말하면, 제 1 인출 배선 (114) 및 제 2 인출 배선 (134) 은 모두 봉지 부재 (180) 의 내측으로부터 외측으로 연장되어 있다.
제 1 단자 (112), 제 2 단자 (132), 제 1 인출 배선 (114), 및 제 2 인출 배선 (134) 은, 예를 들어, 제 1 전극 (110) 과 동일한 재료로 형성된 층을 가지고 있다. 또, 제 1 단자 (112), 제 2 단자 (132), 제 1 인출 배선 (114), 및 제 2 인출 배선 (134) 중 적어도 1 개의 적어도 일부는, 이 층 상에, 제 1 전극 (110) 보다 저저항인 금속막 (예를 들어 도전부 (170) 와 동일한 막) 을 가지고 있어도 된다. 이 금속막은 제 1 단자 (112), 제 2 단자 (132), 제 1 인출 배선 (114), 및 제 2 인출 배선 (134) 전부에 형성되어 있을 필요는 없다. 제 1 단자 (112), 제 1 인출 배선 (114), 제 2 단자 (132), 및 제 2 인출 배선 (134) 중 제 1 전극 (110) 과 동일한 재료로 형성된 층은, 제 1 전극 (110) 과 동일 공정으로 형성되어 있다. 이 때문에, 제 1 전극 (110) 은 제 1 단자 (112) 의 적어도 일부의 층과 일체로 되어 있다. 또 이것들이 금속막을 가지고 있는 경우, 이 금속막은, 예를 들어 도전부 (170) 와 동일 공정으로 형성된다. 이 경우, 제 1 단자 (112), 제 1 인출 배선 (114), 제 2 단자 (132), 및 제 2 인출 배선 (134) 의 광선 투과율은 기판 (100) 의 광선 투과율보다 낮아진다.
본 도면에 나타내는 예에 있어서, 제 1 인출 배선 (114) 및 제 2 인출 배선 (134) 은 1 개의 발광부 (140) 에 대해 1 개씩 형성되어 있다. 복수의 제 1 인출 배선 (114) 은 모두 동일한 제 1 단자 (112) 에 접속되어 있고, 복수의 제 2 인출 배선 (134) 은 모두 동일한 제 2 단자 (132) 에 접속되어 있다. 그리고, 제 1 단자 (112) 에는 본딩 와이어 또는 리드 단자 등의 도전 부재를 통하여 제어 회로의 정극 단자가 접속되고, 제 2 단자 (132) 에는 본딩 와이어 또는 리드 단자 등의 도전 부재를 통하여 제어 회로의 부극 단자가 접속된다.
그리고, 건조제 (190) 는, 봉지 부재 (180) 에 의해 봉지된 공간 중, 기판 (100) 에 수직인 방향으로부터 본 경우에 있어서 어느 발광부 (140) 에도 겹치지 않는 영역, 예를 들어 제 1 인출 배선 (114) 및 제 2 인출 배선 (134) 중 적어도 일방과 겹치는 영역에 배치되어 있다.
구체적으로는, 건조제 (190) 는, 예를 들어 CaO, BaO 의 건조 부재를 함유하고 있다. 건조제 (190) 의 광선 투과율은 기판 (100) 의 광선 투과율보다 낮다. 건조제 (190) 는 봉지 부재 (180) 의 기판 (100) 에 대향하는 면에 고정되어 있다. 본 도면에 나타내는 예에서는, 건조제 (190) 는 제 1 인출 배선 (114) 과 겹치는 영역 및 제 2 인출 배선 (134) 과 겹치는 영역 각각에 배치되어 있다. 바꾸어 말하면, 건조제 (190) 는 사각형의 기판 (100) 중 서로 대향하는 2 변을 따르도록 배치되어 있지만, 나머지 2 변을 따르는 위치, 즉 나머지 2 변과 발광부 (140) 에는 배치되어 있지 않다.
도 11 은, 도 10 의 변형예를 나타내는 평면도이다. 본 도면에 나타내는 예에 있어서, 제 1 단자 (112) 및 제 2 단자 (132) 의 일부는 봉지 부재 (180) 의 내측에 위치하고 있다. 그리고, 건조제 (190) 의 적어도 일부는 제 1 단자 (112) 및 제 2 단자 (132) 중 적어도 일방과 겹쳐 있다.
본 실시예에 의해서도, 실시형태와 마찬가지로, 발광 장치 (10) 의 광선 투과율은 높아진다. 또, 기판 (100) 에 수직인 방향으로부터 본 경우에 있어서, 건조제 (190) 는 발광부 (140) 와 겹쳐 있지 않고, 기판 (100) 의 가장자리 근처에 위치하고 있다. 따라서, 건조제 (190) 를 발광부 (140) 와 겹치는 위치에 형성한 경우와 비교하여, 건조제 (190) 는 사용자에게 잘 시인되지 않게 된다. 특히 본 실시형태에서는, 건조제 (190) 는 제 1 인출 배선 (114) 및 제 2 인출 배선 (134) 과 겹쳐 있다. 제 1 인출 배선 (114) 및 제 2 인출 배선 (134) 도 광선 투과율이 낮다. 이 때문에, 건조제 (190) 를 제 1 인출 배선 (114) 및 제 2 인출 배선 (134) 과 겹치지 않는 경우와 비교하여, 발광 장치 (10) 의 광선 투과율은 향상된다. 특히 제 1 단자 (112) 및 제 2 단자 (132) 와 건조제 (190) 를 겹친 경우, 이것들을 겹치지 않는 경우와 비교하여, 발광 장치 (10) 의 광선 투과율은 크게 향상된다.
또, 발광부 (140) 의 휘도는 유기층 (120) 의 온도에 따라 상이하다. 건조제 (190) 를 유기층 (120) 과 겹치는 위치에 형성한 경우, 발광부 (140) 로부터 방사된 열의 적어도 일부는 건조제 (190) 에 의해 흡수된다. 따라서, 유기층 (120) 중 건조제 (190) 와 겹치는 영역의 온도는 유기층 (120) 의 다른 영역과 비교하여 낮아진다. 이 경우, 발광부 (140) 의 휘도에 면내 편차가 생긴다.
이에 반하여 본 실시예에서는, 건조제 (190) 는 발광부 (140) 와 겹쳐 있지 않다. 따라서, 발광부 (140) 의 휘도에 면내 편차가 생기는 것을 억제할 수 있다.
또, 제 1 전극 (110) 및 제 2 전극 (130) 의 저항에서 기인하여, 발광부 (140) 중 제 1 인출 배선 (114) 근처에 위치하는 영역의 휘도, 및 제 2 인출 배선 (134) 근처에 위치하는 영역의 휘도는 발광부 (140) 중심부의 휘도와 비교하여 높아진다. 한편, 본 실시예에서는, 건조제 (190) 는 제 1 인출 배선 (114) 과 겹치는 위치 및 제 2 인출 배선 (134) 과 겹치는 위치에 형성되어 있다. 이로써, 유기층 (120) 중 제 1 인출 배선 (114) 근처에 위치하는 영역의 온도, 및 제 2 인출 배선 (134) 근처에 위치하는 영역의 온도는 모두 유기층 (120) 중 발광부 (140) 중심부에 위치하는 영역의 온도보다 낮아진다. 이로써, 제 1 전극 (110) 및 제 2 전극 (130) 의 저항에서 기인한 발광부 (140) 의 휘도의 편차는 흡수된다. 따라서, 발광부 (140) 의 휘도의 면내 편차는 작아진다.
이상, 도면을 참조하여 실시형태 및 실시예에 대해 서술하였지만, 이것들은 본 발명의 예시로, 상기 이외의 여러 가지 구성을 채용할 수도 있다.

Claims (6)

  1. 투광성의 기판과,
    상기 기판에 형성되고, 투광성의 제 1 전극, 상기 제 1 전극과 적어도 일부가 겹쳐 있는 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하는 유기층을 갖는 복수의 발광부와,
    상기 제 1 전극의 가장자리를 덮는 절연막을 구비하고,
    상기 복수의 발광부는 서로 이간되어 있고,
    상기 절연막의 적어도 일부는 상기 제 2 전극으로 덮여 있지 않고,
    상기 기판에 수직인 방향으로부터 본 경우에 있어서,
    상기 제 2 전극과 겹치는 영역인 제 1 영역과,
    상기 복수의 발광부 사이의 영역 중 상기 절연막을 포함하는 영역인 제 2 영역과,
    상기 복수의 발광부 사이의 영역 중 상기 절연막을 포함하지 않는 영역인 제 3 영역을 갖고,
    상기 제 2 영역의 폭은 상기 제 3 영역의 폭보다 좁은, 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 영역, 상기 제 1 영역, 상기 제 2 영역, 및 상기 제 3 영역이 반복해서 이 순서로 나열되어 있는, 발광 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 영역, 상기 제 2 영역, 및 상기 제 3 영역이 동일 방향으로 연장되어 있는, 발광 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기층의 적어도 일부는 상기 제 1 영역, 상기 제 2 영역, 및 상기 제 3 영역에 걸쳐 연속해서 형성되어 있는, 발광 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 상에 형성되며, 또한 상기 절연막에 덮여 있어 상기 제 1 전극보다 저항값이 낮은 재료로 이루어지는 도전부를 갖는, 발광 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판에 형성되고, 상기 제 1 전극에 대해 절연되어 있으며, 상기 기판보다 상기 절연막과의 밀착성이 높은 재료로 이루어지는 박리 방지부를 구비하고,
    상기 절연막은, 상기 제 1 전극의 가장자리로부터 상기 박리 방지부에 걸쳐 형성되어 있으며, 또한 상기 절연막의 가장자리는 상기 박리 방지부 상에 위치하고 있는, 발광 장치.
KR1020177009952A 2014-09-18 2014-09-18 발광 장치 KR20170057336A (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/074692 WO2016042638A1 (ja) 2014-09-18 2014-09-18 発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170057336A true KR20170057336A (ko) 2017-05-24

Family

ID=55532704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177009952A KR20170057336A (ko) 2014-09-18 2014-09-18 발광 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20170294626A1 (ko)
EP (1) EP3197244A4 (ko)
JP (1) JPWO2016042638A1 (ko)
KR (1) KR20170057336A (ko)
WO (1) WO2016042638A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017149771A1 (ja) 2016-03-04 2017-09-08 パイオニア株式会社 発光装置および発光システム
WO2017183118A1 (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 パイオニア株式会社 発光装置
JP2018010780A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 パイオニア株式会社 発光装置
JPWO2018061102A1 (ja) * 2016-09-28 2019-07-11 パイオニア株式会社 発光装置
JP2018073526A (ja) * 2016-10-26 2018-05-10 パイオニア株式会社 発光装置
US11335890B2 (en) * 2016-12-19 2022-05-17 Pioneer Corporation Light-emitting device and light-emitting system
JP2022016557A (ja) * 2017-02-27 2022-01-21 パイオニア株式会社 発光装置
CN110071158B (zh) * 2019-04-29 2021-08-31 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩膜版和有机发光显示面板
CN110189639B (zh) * 2019-06-28 2020-12-04 昆山国显光电有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
JP2020064851A (ja) * 2019-09-25 2020-04-23 パイオニア株式会社 発光装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2734464B2 (ja) * 1990-02-28 1998-03-30 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2000075836A (ja) * 1998-09-02 2000-03-14 Sharp Corp 有機ｅｌ発光装置とその駆動方法
JP2000252063A (ja) * 1999-03-01 2000-09-14 Toppan Printing Co Ltd 色切換発光素子、色切換発光素子用基板及びカラー表示装置
JP2000252062A (ja) * 1999-03-04 2000-09-14 Pioneer Electronic Corp 発光ディスプレイパネルの製造方法
JP2001338770A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Tohoku Pioneer Corp 発光表示装置及びその製造方法
KR100883341B1 (ko) * 2001-04-26 2009-02-11 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전자 발광 디바이스와 전자발광 디바이스를 제조하기 위한방법
JP3806929B2 (ja) * 2002-09-27 2006-08-09 日本精機株式会社 有機ｅｌパネル
JP4534430B2 (ja) * 2003-04-24 2010-09-01 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP2007258688A (ja) * 2006-02-24 2007-10-04 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光装置
JP2008004290A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法
GB0618698D0 (en) * 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
JP4399839B2 (ja) * 2007-02-01 2010-01-20 エプソンイメージングデバイス株式会社 表示装置
US9721998B2 (en) * 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR101932564B1 (ko) * 2011-11-29 2018-12-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5970811B2 (ja) * 2011-12-28 2016-08-17 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置および電子機器
KR101682320B1 (ko) * 2012-10-31 2016-12-05 샤프 가부시키가이샤 일렉트로루미네센스 기판 및 그 제조 방법, 일렉트로루미네센스 표시 패널, 일렉트로루미네센스 표시 장치
JP6225413B2 (ja) * 2012-11-16 2017-11-08 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、インク容器、吐出装置、機能層の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法
JP6157866B2 (ja) * 2013-02-04 2017-07-05 株式会社東芝 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
JP2014154566A (ja) * 2013-02-04 2014-08-25 Toshiba Corp 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
JP5584329B1 (ja) * 2013-02-04 2014-09-03 株式会社東芝 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
KR102139577B1 (ko) * 2013-10-24 2020-07-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6535977B2 (ja) * 2014-03-27 2019-07-03 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法
US9478763B2 (en) * 2014-04-04 2016-10-25 Seiko Epson Corporation Light emitting element, light emitting device, display apparatus, and electronic equipment having a light emitting layer with host and assist dopant materials with different electron and hole transportation properties

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2016042638A1 (ja) 2017-06-15
US20170294626A1 (en) 2017-10-12
EP3197244A4 (en) 2018-06-06
WO2016042638A1 (ja) 2016-03-24
EP3197244A1 (en) 2017-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170057336A (ko) 발광 장치
JP2016062767A (ja) 発光装置
JPWO2018061102A1 (ja) 発光装置
US11267392B2 (en) Light-emitting system
JP6522311B2 (ja) 発光装置
JP2016062766A (ja) 発光装置
US20170213993A1 (en) Optical device
JP2016149223A (ja) 発光装置
JP2016072283A (ja) 発光装置
JP6457065B2 (ja) 発光装置
JP6555911B2 (ja) 発光装置
JP6725732B2 (ja) 発光装置
US20190319220A1 (en) Light-emitting device
WO2017163331A1 (ja) 発光装置、電子装置および発光装置の製造方法
WO2017183118A1 (ja) 発光装置
JP2018037202A (ja) 発光装置
JP2024023850A (ja) 発光装置
JP6644486B2 (ja) 発光装置
WO2018151026A1 (ja) 発光装置
JP6450124B2 (ja) 発光装置
JP2019036758A (ja) 発光装置
JP2021097252A (ja) 発光装置
US20190372050A1 (en) Light emitting device
JP2022173480A (ja) 発光装置
JP2021170561A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment