JP6555911B2

JP6555911B2 - 発光装置

Info

Publication number: JP6555911B2
Application number: JP2015063250A
Authority: JP
Inventors: 淳志田口; 博樹丹; 範明和氣; 高橋　正樹; 正樹高橋
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2015-03-25
Filing date: 2015-03-25
Publication date: 2019-08-07
Anticipated expiration: 2035-03-25
Also published as: JP2016184474A

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は、有機ＥＬ素子を発光部として利用する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極及び第２電極で挟んだ構成を有している。このような発光装置には、用途によっては透明であることが要求される場合がある。発光装置を透明にするためには、第１電極及び第２電極を、透明導電材料で形成すればよい。

一方、発光装置を透明にした場合、有機ＥＬ素子の電極の縁が目立つこともある。これに対して特許文献１には、陰極が形成されていない領域に、陰極と同じ材料及び同一の厚みを有する補正層を設けることが記載されている。陰極の例として、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム等の低仕事関数の金属薄膜が記載されている。この補正層は、絶縁層を挟んで陰極の上に形成されている。

なお、特許文献２には、透明基材上に屈折率制御層および透明電極層が順に形成されている透明電極付き基板にて記載されている。屈折率制御層は、平均屈折率１．４５〜１．６０で全体の膜厚は１０００〜２５００ｎｍである2層以上の積層体となっている。

特開２００２−２７０３７７号公報特開２０１４−１９８４２３号公報

特許文献１に記載されているように、発光装置を透明にした場合、有機ＥＬ素子の電極の縁が目立つこともある。しかし特許文献１に記載の技術では、陰極が形成されていない領域に、陰極と同じ材料及び同一の厚みを有する補正層を設ける必要がある。このため、発光装置の透明性が低下してしまう。

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の透明性が低下することを抑制しつつ、電極の縁を目立ちにくくすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、透光性の基板と、
前記基板に形成された透光性の配線と、
前記基板及び前記配線の上に形成された絶縁層と、
前記配線の側面のうち前記絶縁層と重なる領域の少なくとも一部に形成された中間層と、
を備え、
前記中間層の屈折率は、前記第１電極の屈折率と、前記絶縁層の屈折率の間である発光装置である。

請求項８に記載の発明は、透光性の基板と、
前記基板に形成された透光性の配線と、
前記基板及び前記配線の上に形成された絶縁層と、
前記配線の側面のうち前記絶縁層と重なる領域の少なくとも一部に形成された中間層と、
を備え、
前記中間層は、前記配線を構成する材料と前記絶縁層を構成する材料を含んでいる発光装置である。

請求項９に記載の発明は、透光性の基板と、
前記基板に形成された透光性の配線と、
前記基板及び前記配線の上に形成された絶縁層と、
前記配線の側面のうち前記絶縁層と重なる領域の少なくとも一部に形成された中間層と、
を備え、
前記中間層は、シリコン、酸素、及び窒素を含んでいる発光装置である。

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。図１から隔壁、絶縁層、及び第２電極を取り除いた図である。図１のＡ−Ａ断面図である。図１のＢ−Ｂ断面図である。図１のＣ−Ｃ断面図である。第２の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。第２の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。第２の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、以下の説明において、透光性を有するとは、少なくとも可視光を透過することを意味する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、図１から隔壁１７０、絶縁層１５０、及び第２電極１３０を取り除いた図である。図３は図１のＡ−Ａ断面図であり、図４は図１のＢ−Ｂ断面図であり、図５は図１のＣ−Ｃ断面図である。

実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、絶縁層１５０、有機層１２０、第２電極１３０、及び中間層２００を備えている。基板１００は透光性の基板である。第１電極１１０は基板１００に形成されており、透光性を有している。絶縁層１５０は基板１００及び第１電極１１０の上に形成されており、かつ、第１電極１１０と重なる開口１５２を有している。有機層１２０は少なくとも開口１５２内に位置している。第２電極１３０は有機層１２０の上に形成されており、透光性を有している。中間層２００は、第１電極１１０の側面のうち絶縁層１５０と重なる領域の少なくとも一部に形成されている。そして中間層２００の屈折率は、第１電極１１０の屈折率と絶縁層１５０の屈折率の間である。

また、発光装置１０は配線１１６を有している。配線１１６は基板１００の上に形成されており、透光性を有している。絶縁層１５０は、配線１１６の上にも形成されている。そして中間層２００は、配線１１６の側面のうち絶縁層１５０と重なる領域の少なくとも一部に形成されている。中間層２００の屈折率は、配線１１６の屈折率と絶縁層１５０の屈折率の間である。以下、詳細に説明する。

実施形態に係る発光装置１０は、表示装置であり、基板１００、第１電極１１０、複数の第１端子１１２、複数の第２端子１３２、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。

基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。基板１００がガラス基板の場合、基板１００の屈折率ｎ_１は、例えば１．４以上１．６以下である。

発光部１４０は基板１００に形成されており、有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。

第１電極１１０は、基板１００の上に形成されており、透光性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばマスクを用いたスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、薄い金属材料（例えばＡｇまたはＡｇ合金）、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。第１電極１１０の屈折率ｎ_２は基板１００の屈折率ｎ_１よりも大きく、例えば１．８以上２．２以下である。

第１電極１１０は、第１方向（図１及び図２におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に電気的かつ物理的に接続している。引出配線１１４は、第１電極１１０と同様の材料を用いて形成されている。このため、引出配線１１４は透光性を有している。本実施例では、引出配線１１４は第１電極１１０と一体になっている。そして、引出配線１１４は第１端子１１２に接続している。本図に示す例では、引出配線１１４の端部が第１端子１１２になっている。

複数の第１電極１１０となる導体パターン上及びその間に位置する基板１００の上には、絶縁層１５０が形成されている。絶縁層１５０は、第１電極１１０となる導体パターンの上面の一部を覆っている。絶縁層１５０は、例えばポリイミド系樹脂などの、透光性を有する感光性の樹脂材料を用いて形成されている。絶縁層１５０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を用いて形成されていてもよい。絶縁層１５０の屈折率ｎ_３は、基板１００の屈折率ｎ_１と第１電極１１０の屈折率ｎ_２の間に位置しており、例えば１．６以上１．８以下である。

有機層１２０の上には、第２電極１３０が形成されている。第２電極１３０は、第１電極１１０と同様に、透光性を有する透明電極である。第２電極１３０を構成する材料には、第１電極１１０を構成する材料として例示した材料を用いることができる。ただし、第１電極１１０と第２電極１３０は互いに異なる材料を用いて形成されていてもよいし、互いに同じ材料を用いて形成されていてもよい。また、第２電極１３０の膜厚及び第２電極１３０の形成方法は、第１電極１１０の膜厚及び第２電極１３０の形成方法と同様である。ただし、第２電極１３０の膜厚は第１電極１１０の膜厚と異なっていてもよい。

第２電極１３０は、第１方向と交わる第２方向（図１におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在しており、第２電極１３０を互いに分離するために設けられている。

詳細には、隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。

隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。

なお、発光装置１０は隔壁１７０を有していなくてもよい。この場合、第２電極１３０は、スパッタリング時又は蒸着時にマスクを用いることにより、所定のパターンに形成される。

また、絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。開口１５２は、基板１００と平行な面において、第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。

そして、開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０は発光層を有している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。

詳細には、有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。そして、有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。

なお、図３及び図４に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図４に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図５に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。

また、上記したように、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。このため、図３に示すように、第１電極１１０は、厳密には、第１電極１１０となる導体パターンが延在する方向において、第１電極１１０となる導体パターンのうち開口１５２と重なる領域と定義することができる。この定義に従った第１電極１１０において、上面のうち幅方向の縁（図４における第１電極１１０の両端）は、絶縁層１５０で覆われている。そして、第１電極１１０となる導体パターンのうち隣り合う第１電極１１０の間に位置する部分は、配線１１６と定義することができる。配線１１６は、絶縁層１５０によって覆われている。

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。

引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に電気的に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側は第２端子１３２となっている。

第１端子１１２及び第２端子１３２には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの導通部材が接続される。本図に示す例では、第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００の同一の辺に沿って配置されている。このため、導通部材としてＦＰＣを用いた場合、第１端子１１２及び第２端子１３２を、一つのＦＰＣに接続することができる。

また、発光装置１０は中間層２００を有している。中間層２００は、第１電極１１０の側面のうち絶縁層１５０と重なる領域の少なくとも一部（好ましくは全部）、及び、配線１１６の側面のうち絶縁層１５０と重なる領域の少なくとも一部（好ましくは全部）に形成されている。本図に示す例において、中間層２００は、第１端子１１２の側面、引出配線１１４の側面、第２端子１３２の側面、及び引出配線１３４の側面にも形成されている。中間層２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。

中間層２００の屈折率ｎ_４は、第１電極１１０の屈折率ｎ_２と絶縁層１５０の屈折率ｎ_３の間である。このようにするためには、中間層２００を、例えば第１電極１１０を構成する材料と絶縁層１５０を構成する材料の双方を用いて形成すればよい。この場合、中間層２００における第１電極１１０と同じ材料の体積含有率は、例えば３０％以上７０％以下である。なお、第１電極１１０と同じ材料の体積含有率は、例えば中間層２００の断面写真における第１電極１１０と同じ材料の面積比率と置き換えることができる。

また中間層２００を酸窒化シリコンなど、シリコン、酸素、及び窒素を含む材料を用いて形成してもよい。この場合、中間層２００の酸素含有率に対する中間層２００の窒素含有率の比率は、例えば２以上９以下である。なお、この比率は、例えばＸＲＦ（X‐ray Fluorescence）や、ＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）におけるピーク高さの比と置き換えることもできる。

次に、本実施形態における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、配線１１６、第１端子１１２、第２端子１３２、及び引出配線１１４，１３４を形成する。これらは、例えばマスクを用いたスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。ただし、これらは他の方法を用いて形成されてもよい。

次いで、第１電極１１０の側面、第１端子１１２の側面、第２端子１３２の側面、配線１１６の側面、及び引出配線１１４，１３４の側面に、中間層２００を形成する。中間層２００が第１電極１１０を構成する材料と絶縁層１５０を構成する材料を用いて形成されている場合、中間層２００は、例えば第１電極１１０を構成する材料を塗布し、かつ絶縁層１５０を構成する材料を塗布し、その後これらを加熱処理することにより、形成される。なお、第１電極１１０を構成する材料を含む塗布材料と、絶縁層１５０を構成する塗布材料とを予め混ぜておき、この混合材料を塗布して加熱処理しても、中間層２００を形成することができる。

また、中間層２００がシリコン、酸素、及び窒素を含む材料を用いて形成されている場合、中間層２００は、例えばＣＶＤ法などの気相法及びリソグラフィー法を用いて形成される。

次いで、基板１００、第１電極１１０の上に、絶縁層１５０となる感光性の絶縁膜を、例えば塗布法を用いて形成する。その後、この絶縁膜を露光及び現像する。これにより、絶縁層１５０が形成される。この工程において、開口１５２，１５４も形成される。次いで、隔壁１７０、有機層１２０、及び第２電極１３０を、この順に形成する。

本実施形態において、基板１００、第１電極１１０、及び第２電極１３０は透光性を有している。従って、発光装置１０は透明なディスプレイになる。ただし、第１電極１１０の屈折率ｎ_２と絶縁層１５０の屈折率ｎ_３は異なるため、第１電極１１０の側面と絶縁層１５０の界面で光が散乱し、その結果、第１電極１１０の縁にユーザが気づく可能性がある。これに対して本実施形態において、第１電極１１０の側面のうち絶縁層１５０に面する領域の少なくとも一部（好ましくは全部）は、中間層２００で覆われている。中間層２００の屈折率ｎ_４は、第１電極１１０の屈折率ｎ_２と絶縁層１５０の屈折率ｎ_３の間に位置している。このため、中間層２００が設けられない場合と比較して、第１電極１１０の側面と絶縁層１５０の間で光は散乱しにくくなる、従って、ユーザは、第１電極１１０の縁に気づきにくくなる。

また、中間層２００は、配線１１６の側面、引出配線１１４のうち絶縁層１５０で覆われている部分の側面、及び引出配線１３４のうち絶縁層１５０で覆われている部分の側面にも形成されている。従って、これらの各側面と絶縁層１５０の間でも光は散乱しにくくなる。従って、ユーザは、配線１１６の縁、引出配線１１４の縁、及び引出配線１３４の縁にも気づきにくくなる。

（第２の実施形態）
図６、図７、及び図８は、第２の実施形態に係る発光装置１０の断面図であり、それぞれ第１の実施形態における図３、図４、及び図５に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は、中間層２００のレイアウトを除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成を有している。

本実施形態において、絶縁層１５０は、実施形態と同様に、第１電極１１０の上面のうち幅方向の縁（図７における第１電極１１０の両端）を覆っている。そして、中間層２００は、図６及び図７に示すように、第１電極１１０の上面のうち絶縁層１５０で覆われている領域の少なくとも一部（好ましくは全部）に形成されている。

また、中間層２００は、図６に示すように、配線１１６の上面のうち絶縁層１５０で覆われている領域の少なくとも一部に形成されている。図６及び図７に示す例において、配線１１６が延在する方向に直交する方向（図１のＹ方向）の断面において、絶縁層１５０及び中間層２００は配線１１６の全面に形成されている。言い換えると、中間層２００は配線１１６のうち絶縁層１５０で覆われている領域の全面に形成されている。

また、図８に示すように、中間層２００は、引出配線１３４のうち絶縁層１５０で覆われている領域の全面に形成されている。同様に、中間層２００は、引出配線１１４のうち絶縁層１５０で覆われている領域の全面に形成されている。

本実施形態によっても、ユーザは、第１電極１１０の縁、配線１１６の縁、引出配線１１４の縁、及び引出配線１３４の縁に気づきにくくなる。また、中間層２００が第１電極１１０の上面、配線１１６の上面、引出配線１１４の上面、及び引出配線１３４の上面にも形成されているため、中間層２００の位置に要求される精度は低くなる。従って、発光装置１０の製造コストを低くすることができる。

なお、第１の実施形態及び第２の実施形態において、中間層２００は、基板１００のうち、第１電極１１０の周囲に位置する部分、第１端子１１２の周囲に位置する部分、引出配線１１４の周囲に位置する部分、配線１１６の周囲に位置する部分、第２端子１３２の周囲に位置する部分、及び引出配線１３４の周囲に位置する部分に形成されていてもよい。

（第３の実施形態）
図９及び図１０は、第３の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１１、図１２、及び図１３は、発光装置１０の構成を示す断面図である。図９〜図１３は、実施形態における図１〜図５に対応している。

本実施形態に係る発光装置１０は、基板１００のうち発光部１４０が形成されている面にも中間層２００を有している点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。このため、中間層２００は、基板１００と第１電極１１０の間の少なくとも一部（図に示す例では全部）、基板１００と配線１１６の間の少なくとも一部（図に示す例では全部）、第１電極１１０の隣に位置する絶縁層１５０と基板１００の間の少なくとも一部（図に示す例では全部）、配線１１６の隣に位置する絶縁層１５０と基板１００の間の少なくとも一部（図に示す例では全部）、基板１００と引出配線１１４の間の少なくとも一部（図に示す例では全部）、及び、基板１００と引出配線１３４の間の少なくとも一部（図に示す例では全部）に形成されている。そして、基板１００に形成された中間層２００の屈折率ｎ_４は、基板１００の屈折率ｎ_１と第１電極１１０の屈折率ｎ_２の間に位置している。

さらに詳細には、絶縁層１５０の屈折率ｎ_３は、第１電極１１０の屈折率ｎ_２と基板１００の屈折率ｎ_１の間であり、中間層２００の屈折率ｎ_４は第１電極１１０の屈折率ｎ_２と絶縁層１５０の屈折率ｎ_３の間であるのが好ましい。また、ｎ_４は、√（ｎ_１×ｎ_２）と（ｎ_２＋ｎ_３）／２の間であるのが好ましい。さらに、有機層１２０の発光スペクトルの最大ピークの波長をλとして、中間層２００の厚さをｄとしたとき、０．９λ／４≦ｎ_４×ｄ≦１．１λ／４であり、かつ、√（ｎ_１×ｎ_２）≦ｎ_４≦（ｎ_２＋ｎ_３）／２であるのが好ましい。

なお、基板１００の上に形成されている中間層２００の材料は、第１の実施形態に示した中間層２００の材料と同じである。ただし、基板１００の上に形成されている中間層２００は、第１電極１１０の側面を覆う中間層２００の材料と異なっていてもよい。また、基板１００の上に形成されている中間層２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。

本実施形態によれば、第１電極１１０と基板１００の間には中間層２００が形成されている。中間層２００の屈折率ｎ_４は、基板１００の屈折率ｎ_１と第１電極１１０の屈折率ｎ_２の間に位置している。このため、ここに中間層２００を設けない場合と比較して、有機層１２０からの光の取り出し効率は向上する。ｎ_４が√（ｎ_１×ｎ_２）である場合、有機層１２０からの光の取り出し効率は、さらに向上する。また、０．９λ／４≦ｎ_４×ｄ≦１．１λ／４であり、かつ、ｎ_４が√（ｎ_１×ｎ_２）である場合も、有機層１２０からの光の取り出し効率は、さらに向上する。

また、中間層２００の屈折率ｎ_４は第１電極１１０の屈折率ｎ_２と絶縁層１５０の屈折率ｎ_３の間であるため、ユーザは、第１電極１１０の側面のうち絶縁層１５０と接する部分を視認しにくくなる。ｎ_４が（ｎ_２＋ｎ_３）／２の場合、第１電極１１０の側面のうち上記した部分は最も視認されにくくなる。従って、√（ｎ_１×ｎ_２）≦ｎ_４≦（ｎ_２＋ｎ_３）／２が、有機層１２０からの光の取り出し効率が良く、かつ第１電極１１０の側面のうち絶縁層１５０と接する部分を視認しにくい条件である。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０発光装置
１００基板
１１０第１電極
１１４引出配線
１１６配線
１２０有機層
１３０第２電極
１３４引出配線
１４０発光部
１５０絶縁層
１５２開口
２００中間層

Claims

透光性の基板と、
前記基板に位置する透光性の配線と、
前記基板及び前記配線の上に位置する絶縁層と、
前記配線の側面のうち前記絶縁層と重なる領域の少なくとも一部に位置する中間層と、
を備え、
前記中間層の屈折率は、前記配線の屈折率と、前記絶縁層の屈折率の間である発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
前記絶縁層は、前記配線の上面の少なくとも一部を覆っており、
前記中間層は、前記配線の上面のうち前記絶縁層に覆われている領域の少なくとも一部に位置している発光装置。
請求項２に記載の発光装置において、
前記配線が延在する方向に直交する方向の断面において、
前記絶縁層は前記配線の全体を覆っており、
前記中間層は、前記配線のうち前記絶縁層で覆われている領域の全面に位置している発光装置。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記中間層は、前記基板と前記絶縁層の間に位置している発光装置。
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記中間層はシリコン、酸素、及び窒素を含んでいる発光装置。
請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記配線はＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｇ、又はＡｇ合金を含んでいる発光装置。