JP2022164806A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子を封止膜で封止した場合において、封止膜に電荷が蓄積されにくくする。【解決手段】第２絶縁層１５０の一部は、構造物の一例である。発光部１４０は基板１００に形成されており、有機層１２０を有している。第１引出配線１１４は基板１００に形成されており、発光部１４０に電気的に接続する。第２絶縁層１５０の一部は第１引出配線１１４の上に位置している。第１絶縁層１５６は無機絶縁材料からなり、第２絶縁層１５０の縁のうち第１引出配線１１４の上に位置する部分を覆う。封止膜１６０は、基板１００に形成されており、第２絶縁層１５０、第１絶縁層１５６及び発光部１４０を覆っている。そして、封止膜１６０と第１引出配線１１４の間には、第２絶縁層１５０又は第１絶縁層１５６が位置している。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は、発光素子として有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極と、第２電極とで挟んだ構成を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、有機ＥＬ素子は封止される必要がある。有機ＥＬ素子を封止する方法の一つに、封止膜を用いる方法がある。例えば特許文献１及び２には、封止膜として複数の封止層を積層した積層膜を用いることが記載されている。

例えば特許文献１には、下側の封止層の材料に、酸化カルシウム、アルミナ、シリカ、チタニア、酸化インジウム、酸化スズ、酸化シリコン、窒化シリコン、又は窒化アルミニウムを用いること、及び、上側の封止層に有機層を用いることが記載されている。

また特許文献２には、封止膜を４層構造にすることが記載されている。そして最も下の封止層の材料にＳｉＮ，ＳｉＯＮ、又はＳｉＯを用い、その上の封止層にアモルファスシリコン、ＳｉＯ_２、又はＳｉＯを用い、その上の封止層に有機物を用い、一番上の封止層にＳｉＮ，ＳｉＯＮ、又はＳｉＯを用いることが記載されている。

特開２０１２－２３８６１１号公報 特開２０１４－１７９２７８号公報

封止膜を用いて有機ＥＬ素子を封止する場合、この封止膜は第１電極と第２電極の双方に接する。本発明者が検討した結果、封止膜を、導電性膜と絶縁性膜との積層構造にした場合（特にこの積層構造を繰り返し積層した場合）、この封止膜が抵抗性を持つ容量素子として機能することが判明した。このような容量素子が存在すると、発光装置の発光品質や発光装置の検査に影響がでる。ここで有機ＥＬ素子を動作させるために第１電極及び第２電極の間に電圧を印加した場合、封止膜に電荷が蓄積されることにより有機ＥＬ素子が発光するタイミングが遅れてしまう。そして有機ＥＬ素子を停止させるため第１電極及び第２電極の間に電圧を印加しなくなった場合、封止膜に蓄積された電荷が有機ＥＬ素子に向けて流れ、有機ＥＬ素子の発光が停止するタイミングが遅れてしまう。

本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子を封止膜で封止した場合において、封止膜に電荷が蓄積されにくくすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板の上に形成され、有機層を有する発光部と、
前記基板の上の前記発光部が形成される領域以外に形成され、前記発光部に電気的に接続する配線と、
前記配線の少なくとも一部の上に形成された絶縁性の構造物と、
前記構造物の縁のうち前記配線の上に位置する部分を覆い、無機絶縁材料からなる第１絶縁層と、
前記基板の上に形成され、前記構造物、前記第１絶縁層の少なくとも一部、及び前記発光部を覆う封止膜と、
を備え、
前記封止膜と前記配線の間には、前記構造物又は前記第１絶縁層が位置している発光装置である。

第１の実施形態に係る発光装置の平面図である。 図１から隔壁、第２電極、有機層、第１絶縁層、及び第２絶縁層を取り除いた図である。 図１のＡ－Ａ断面図である。 図１のＢ－Ｂ断面図である。 図１のＣ－Ｃ断面図である。 図３の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。 封止膜が第１引出配線と第２引出配線に接している場合の発光装置の等価回路図である。 変形例に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図９から第２電極を取り除いた図である。 図から有機層、第２絶縁層、及び第１絶縁層を取り除いた図である。 図９のＤ－Ｄ断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、第１絶縁層１５６、及び第２絶縁層１５０を取り除いた図である。図３は図１のＡ－Ａ断面図であり、図４は図１のＢ－Ｂ断面図であり、図５は図１のＣ－Ｃ断面図である。図１及び図２において、説明のため封止膜１６０は点線で示されている。

実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、第１引出配線（配線）１１４、第２絶縁層１５０、第１絶縁層１５６、及び封止膜１６０を有している。第２絶縁層１５０の一部は、構造物の一例である。発光部１４０は基板１００に形成されており、有機層１２０を有している。第１引出配線１１４は基板１００のうち発光部１４０が形成されている領域以外に形成されており、発光部１４０に電気的に接続する。第２絶縁層１５０の一部は第１引出配線１１４の上に位置している。第１絶縁層１５６は無機絶縁材料からなり、第２絶縁層１５０の縁のうち第１引出配線１１４の上に位置する部分を覆う。封止膜１６０は、基板１００に形成されており、第２絶縁層１５０、第１絶縁層１５６の少なくとも一部、及び発光部１４０を覆っている。そして、封止膜１６０と第１引出配線１１４の間には、第２絶縁層１５０又は第１絶縁層１５６が位置している。以下、詳細に説明する。

本図に示す例において、発光装置１０は表示装置であり、基板１００、第１電極１１０、複数の第１端子１１２（端子）、複数の第２端子１３２（端子）、発光部１４０、第２絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、第１絶縁層１５６、複数の第１引出配線１１４（配線）、有機層１２０、第２電極１３０、複数の第２引出配線１３４（配線）、及び複数の隔壁１７０を有している。

発光装置１０が後述のボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０が後述のトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。

発光部１４０は有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。発光部１４０は、表示装置の画素ごとに設けられている。

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。

なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、基板１００を光が透過する場合（例えば発光装置１０におけるボトムエミッション型）の例である。一方で、基板１００とは逆側を光が透過する場合（例えば発光装置１０におけるトップエミッション型）もある。このトップエミッション型には、逆積型と、順積型との２種類の積層構造がある。逆積型では、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料はボトムエミッション型と逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。他方の順積型では、上記した第２電極１３０の材料の上に第１電極１１０の材料を形成し、更にその上に有機層１２０、さらにその上に薄く成膜した第２電極１３０を形成することで、基板１００とは逆側から光を取出す構造である。本実施形態にかかる発光装置１０は、ボトムエミッション型、及び上記した2種類のトップエミッション型のいずれの構造であってもよい。

また、第１電極１１０は、第１方向（図１におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、第１引出配線１１４に接続している。第１引出配線１１４は、第１電極１１０と同様の材料からなる導電層を有している。この導電層は、第１電極１１０と一体になっている。本図に示す例において、第１引出配線１１４の端部が第１端子１１２になっている。また、第１端子１１２は複数設けられているため、第１引出配線１１４も複数設けられている。

第１引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されてもよい。導体層１８０は、第１引出配線１１４よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。導体層１８０は単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。導体層１８０が単層構造を有している場合、導体層１８０は、例えばＡｌ又はＡｌ合金を用いて形成されている。導体層１８０が多層構造を有している場合、導体層１８０は、例えば、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第１導電層、Ａｌ又はＡｌ合金などの金属層である第２導電層、及び、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第３導電層をこの順に積層した構成を有している。第２導電層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。好ましくは１００ｎｍ以下である。また第１導電層及び第３導電層は、第２導電層よりも薄く、例えば３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、導体層１８０は第１端子１１２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。

第２絶縁層１５０は、例えばポリイミド、エポキシ、アクリルやノボラック系の樹脂材料（有機材料）によって形成されており、可視光に対して透光性を有する。第２絶縁層１５０は、例えば、第２絶縁層１５０となる樹脂材料に感光性の材料を混入させ、この樹脂材料を塗布し、さらにこの樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。また、第２絶縁層１５０は、インクジェット法やスクリーン印刷法を用いて形成されてもよい。第２絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、第２引出配線１３４の一部分が露出している。そして、第２引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。

第２引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる導電層を有している。この導電層は第１電極１１０から分離している。第２引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、第２引出配線１３４の他端側は、第２絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、第２引出配線１３４の他端側は第２端子１３２となっている。そして第２引出配線１３４の上には、導体層１８０が形成されてもよい。導体層１８０は第２端子１３２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。なお、本図に示す例において、第２端子１３２は複数設けられている。このため、第２引出配線１３４も複数設けられている。

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子輸送層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。

なお、図３及び図４に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図５に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。

第２電極１３０は、図１～図４に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば第２絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。

また、第１端子１１２及び第２端子１３２には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの導通部材が接続される。本図に示す例では、第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００の同一の辺（第１辺）に沿って配置されている。このため、導通部材としてＦＰＣを用いた場合、第１端子１１２及び第２端子１３２を、一つのＦＰＣに接続することができる。

また、基板１００には第１絶縁層１５６が形成されている。第１絶縁層１５６は、無機絶縁材料を用いて形成されており、少なくとも一部の第１引出配線１１４の少なくとも一部を覆っている。具体的には、第２絶縁層１５０及び第１絶縁層１５６を一つの絶縁層１５７とみなした場合、絶縁層１５７は、好ましくはすべての第１引出配線１１４を覆っているのが好ましい。また図１及び図２に示す例では、絶縁層１５７は、第２引出配線１３４も覆っている。ただし、絶縁層１５７は、複数の第１引出配線１１４及び複数の第２引出配線１３４からなる配線群のうち、一部の配線を覆っていなくてもよい。例えば、絶縁層１５７は、複数の第１引出配線１１４を覆っていなくてもよいし、複数の第２引出配線１３４を覆っていなくてもよい。また、絶縁層１５７は、一部の第１引出配線１１４及び一部の第２引出配線１３４を覆っていなくてもよい。ただし、いずれの場合においても、第１絶縁層１５６は、第２絶縁層１５０の縁（端面）のうち第１引出配線１１４の上に位置する部分を覆っている。

さらに絶縁層１５７は、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４の少なくとも一方の端部を覆っていなくてもよい。例えば本図に示す例では、絶縁層１５７は、第１引出配線１１４のうち第１電極１１０とは逆側の端部（すなわち第１端子１１２）を覆っていない。また、絶縁層１５７は、第２引出配線１３４のうち第２電極１３０とは逆側の端部（すなわち第２端子１３２）を覆っていない。

発光装置１０は、さらに封止膜１６０を有している。封止膜１６０は発光部１４０を封止するために設けられている。封止膜１６０は、基板１００のうち発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。封止膜１６０は、例えば絶縁材料、さらに具体的には無機材料によって形成されている。また、封止膜１６０の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜１６０の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。封止膜１６０は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成されている。特にＡＬＤ法を用いることにより、封止膜１６０の段差被覆性は高くなる。そして第１引出配線１１４及び封止膜１６０の間、及び第２引出配線１３４と封止膜１６０の間の少なくとも一方（好ましくは双方）には、第２絶縁層１５０及び第１絶縁層１５６の少なくとも一方が位置している。

第１端子１１２及び第２端子１３２は、封止膜１６０から露出している。このため、封止膜１６０の縁の一部は、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４と重なっている。

図１に示す例において、封止膜１６０の縁のうち第１引出配線１１４と重なる部分及び第２引出配線１３４と重なる部分は、いずれも第１絶縁層１５６の上に位置している。そして、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は、いずれも封止膜１６０と直接接していない。このことにより、封止膜１６０を介して第１引出配線１１４どうし、第２引出配線１３４どうし、また、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４間の導通を回避できる。

なお、封止膜１６０は発光部１４０となる領域及びその周囲を被覆している。このため、発光部１４０、第１絶縁層１５６、及び第２絶縁層１５０の面積の和は、基板１００のうち封止膜１６０によって覆われている領域の面積の１００％以上１１０％以下になっている。

図６は、図３の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。本図に示すように、封止膜１６０は複数の膜を積層した積層構造を有している。このようにすることで、一つの膜で封止膜１６０を形成する場合と比較して、封止膜１６０に生じる膜応力を小さくすることができる。なお、封止膜１６０を構成するいずれの膜も、無機膜で形成されている。そしてこれら無機膜は、例えばＡＬＤ法やＣＶＤ法を用いて形成される。

封止膜１６０は、少なくとも３つの膜を積層した構成を有している。これらの膜の厚さは、いずれも例えば３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。なお、図６に示した例において、封止膜１６０を構成する封止層の層数は、４つである。ただし封止膜１６０を構成する封止層の層数は、これ以上（例えば１０層以上）であってもよい。

本図に示す例において、封止膜１６０は、第１の材料からなる第１封止膜１６２と、第２の材料からなる第２封止膜１６４とをこの順に繰り返し積層した構成を有している。第１の材料は絶縁材料である。第２の材料も絶縁材料であるのが好ましい。第１の材料は、例えば酸化アルミニウムであり、第２の材料は、例えば酸化チタンである。酸化チタンは室温の状態で絶縁性を有するが、例えば、薄膜形成することで導電性を有することが知られている。発光部１４０に接する封止層を酸化アルミニウムで形成することにより、封止膜１６０の常温における防湿性を高めることができる。また、第１封止膜１６２を覆う第２封止膜１６４を酸化チタンで形成することにより、封止膜１６０の高温での防湿性を高めることができる。

そして、図１～３に示した第１絶縁層１５６は、第１封止膜１６２及び第２封止膜１６４の一方と同じ材料（特に好ましくは封止膜１６０の最下層と同一の材料）を用いて、かつこれらと同様の方法を用いて形成してもよい。ただし、第１絶縁層１５６は、封止膜１６０とは別の膜として形成されている。第１絶縁層１５６の膜厚は、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、例えば０．３μｍ以上１．５μｍ以下で形成される第２絶縁層１５０の膜厚よりも薄い。なお、第１絶縁層１５６の膜厚は、第１封止膜１６２の膜厚及び第２封止膜１６４の膜厚よりも厚くてもよい。

次に、本実施形態における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４を形成する。

次いで、第１引出配線１１４上及び第２引出配線１３４上を含む領域に、導体層１８０となる導電膜を形成する。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、導体層１８０が形成される。

次いで、第１電極１１０上に、第２絶縁層１５０となる感光性の絶縁層を形成し、この絶縁層を露光及び現像する。これにより、第２絶縁層１５０、及び開口１５２，１５４が形成される。次いで、第１絶縁層１５６を、例えば、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法を用いて形成する。この際、第１絶縁層１５６を形成すべきでない領域には、シャドーマスク法、フォトリソグラフィー法、リフトオフ法などで、形成された第1絶縁層１５６を除去する。リフトオフ法では、第１絶縁層の形成前に予めリフトオフ層が形成される。そして、リフトオフ法を用いて、第１絶縁層１５６のうち不要な部分は除去される。

次いで、第２絶縁層１５０の上に隔壁１７０を形成する。隔壁１７０の形成方法も、第２絶縁層１５０の形成方法と同様である。次いで、有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。

次いで、例えばＡＬＤ法を用いて、第１封止膜１６２及び第２封止膜１６４を、この順に繰り返し形成する。これにより、封止膜１６０が形成される。その後、封止膜１６０のうち、第１端子１１２上に位置する部分及び第２端子１３２上に位置する部分を除去する。封止膜１６０の除去は、例えばリフトオフ法を用いて行われる。この場合、封止膜１６０を形成する前に、封止膜１６０を除去すべき領域にはリフトオフ層が形成される。

図７は、封止膜１６０が第１引出配線１１４と第２引出配線１３４に接している場合の発光装置１０の等価回路図である。発光装置１０の発光部１４０を発光させるとき、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間には電圧が印加される。一方、封止膜１６０は絶縁膜により形成されているが、薄い封止層を多数積層した構成を有している。このため、図７に示した等価回路において、封止膜１６０は、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に、容量と抵抗とを直列に接続した構成となる。このため、封止膜１６０が第１引出配線１１４と第２引出配線１３４に接している場合、封止膜１６０にある程度電流が流れ、その結果、発光部１４０が発光するときに封止膜１６０に電荷が蓄積されてしまう。この電荷は、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に電圧が印加されなくなったとき、発光部１４０に流れる。これにより、発光部１４０のオフにするときの応答速度は低下してしまう。また、発光部１４０を点灯させるとき、電流の一部は封止膜１６０に流れてしまう。このため、発光部１４０を点灯させるときの応答速度も低下してしまう。

これに対して本実施形態によれば、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４の少なくとも一方と封止膜１６０の間には、第２絶縁層１５０又は第１絶縁層１５６が形成されている。このため、図７の等価回路図における抵抗の大きさは、大きくなる。従って、封止膜１６０に電流は流れにくくなり、その結果、発光部１４０の応答速度は低下しにくくなる。

（変形例）
図８は、変形例に係る発光装置１０の構成を示す平面図であり、実施形態における図１に対応している。本変形例に示す発光装置１０は、第２絶縁層１５０のレイアウト及び第１絶縁層１５６のレイアウトを除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。

具体的には、図１と比較して、第２絶縁層１５０のうち第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４を覆っている部分の面積は広くなり、その代わりに第１絶縁層１５６の面積は小さくなっている。その結果、第１引出配線１１４のうち第２絶縁層１５０によって覆われている部分の面積は、第１引出配線１１４のうち第１絶縁層１５６によって覆われている部分の面積よりも大きい。同様に、第２引出配線１３４のうち第２絶縁層１５０によって覆われている部分の面積は、第２引出配線１３４のうち第１絶縁層１５６によって覆われている部分の面積よりも大きい。

本変形例によっても、実施形態と同様に、封止膜１６０に電流は流れにくくなり、その結果、発光部１４０の応答速度は低下しにくくなる。

（第２の実施形態）
図９は、第２の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１０は、図９から第２電極１３０を取り除いた図である。図１１は、図１０から有機層１２０、第２絶縁層１５０、及び第１絶縁層１５６を取り除いた図である。図１２は図９のＤ－Ｄ断面図である。本図に示す発光装置１０は照明装置である。このため、発光部１４０は基板１００の縁を除いた領域に形成されている。

詳細には、第１電極１１０は基板１００のほぼ全面に形成されている。第２絶縁層１５０は第１電極１１０の縁を覆っている。第２絶縁層１５０は、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを防止している。また、有機層１２０は、第１電極１１０のうち第２絶縁層１５０で囲まれた領域の中に形成されている。言い換えると、第２絶縁層１５０は発光部１４０を画定している。なお、第１電極１１０の上には複数の補助電極が形成されていてもよい。

また、第１端子１１２と第１電極１１０の間には第１引出配線１１４が形成されており、第２端子１３２のうち第１電極１１０側の端部には、第２引出配線１３４が形成されている。第１端子１１２及び第１引出配線１１４は第１電極１１０と一体になっており、第２引出配線１３４は第２端子１３２と一体になっている。ただし、第２端子１３２及び第２引出配線１３４は第１電極１１０から分離している。

そして、第１引出配線１１４のうち第１端子１１２側の端部は第１絶縁層１５６によって覆われており、第２引出配線１３４は、第２電極１３０との接続部分（例えば、第２引出配線１３４のうち第１電極１１０側の端部）を除いて、第１絶縁層１５６によって覆われている。本実施形態においても、封止膜１６０の縁のうち第１引出配線１１４と重なる部分は第１絶縁層１５６の上に位置しており、封止膜１６０の縁のうち第２引出配線１３４と重なる部分も第１絶縁層１５６の上に位置している。言い換えると、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は、いずれも封止膜１６０と直接接していない。

本実施形態においても、第１引出配線１１４と封止膜１６０の間、及び第２引出配線１３４と封止膜１６０の間には、いずれも第１絶縁層１５６が位置している。このため、第１の実施形態と同様に、封止膜１６０に電流は流れにくくなり、その結果、発光部１４０の応答速度は低下しにくくなる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
１００ 基板
１１０ 第１電極
１１２ 第１端子（端子）
１１４ 第１引出配線（配線）
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１３２ 第２端子（端子）
１３４ 第２引出配線（配線）
１４０ 発光部
１５０ 第２絶縁層（構造物）
１５６ 第１絶縁層
１５７ 絶縁層
１６０ 封止膜

Claims (7)

1. 基板と、
   前記基板の上に形成され、第１電極、有機層、及び第２電極を有する発光部と、
   前記基板の上の前記発光部が形成される領域以外に形成され、前記第１電極に電気的に接続する第１配線及び前記第２電極に電気的に接続する第２配線と、
   前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一部の上に形成された絶縁性の構造物と、
   前記発光部を覆わずに前記構造物の縁のうち前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一部の上に位置する部分を覆い、無機絶縁材料からなる第１絶縁層と、
   前記基板の上に形成され、前記構造物、前記第１絶縁層の少なくとも一部、及び前記発光部を覆う封止膜と、
   を備え、
   前記封止膜と前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一方の間には、前記構造物又は前記第１絶縁層が位置している発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記封止膜の縁のうち前記第１配線又は前記第２配線と重なる部分は、前記第１絶縁層の上に位置する発光装置。
3. 請求項１又は２に記載の発光装置において、
   前記構造物は有機材料を用いて形成されている発光装置。
4. 請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記封止膜は少なくとも一つの無機材料膜を含んでおり、
   前記第１絶縁層は、前記無機材料膜と同じ材料を用いて形成された膜であり、かつ、前記無機材料膜とは異なる膜である発光装置。
5. 請求項１～４のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記発光部を画定している第２絶縁層を備え、
   前記構造物は前記第２絶縁層の一部である発光装置。
6. 請求項５に記載の発光装置において、
   前記発光部、前記第１絶縁層、及び前記第２絶縁層の面積の和は、前記基板のうち前記封止膜で覆われている領域の面積の１００％以上１１０％以下である発光装置。
7. 請求項１～６のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記第１配線及び前記第２配線に接続しており、かつ前記封止膜から露出している端子を備える発光装置。

Images