JP2016152132A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ガスバリア膜及び封止膜の少なくとも一方を積層膜とした場合において、この積層膜を、抵抗性を持つ容量素子として機能しにくくする。【解決手段】基板100は、樹脂材料を含んでいる。第1積層膜210は、基板100の第1面102に形成され、複数の層を積層した構成を有している。発光部140は第1積層膜210の上に形成されており、有機層を含んでいる。第2積層膜220は、第1積層膜210及び発光部140の上に形成され、複数の層を積層した構成を有している。そして、第1積層膜210のいずれかの層は、第1積層膜210の他の層と比較して厚い。【選択図】図1

Description

本発明は、発光装置に関する。
近年は、発光部に有機EL(Organic Electroluminescence)素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機EL素子は、有機層を、第1電極及び第2電極で挟んだ構成を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、発光部は封止される必要がある。発光部を封止する方法の一つに、封止層を用いる方法がある。封止層を形成する方法としては、ALD(Atomic Layer Deposition)法、CVD法、又はスパッタリング法などの気相成膜法がある。
一方、有機EL素子の基板として樹脂基板を用いることが検討されている。樹脂基板を用いると、発光装置に可撓性を持たせることができる。ただし、樹脂材料は水分を透過する。有機EL素子の有機層に水分が到達すると、この水分に起因して有機層が劣化してしまう。これに対して、樹脂基板にガスバリア膜を形成することが検討されている。例えば特許文献1には、無機膜と応力緩和膜を積層したガスバリア膜が開示されている。応力緩和膜は、大気圧プラズマ法によって形成されている。さらに特許文献1には、有機EL素子を封止する封止膜も、このガスバリア膜と同じ方法で形成することが記載されている。
国際公開第2006/067952号公報
基板を樹脂で形成した場合、上記したように、ガスバリア膜を形成する必要がある。本発明者が検討した結果、ガスバリア膜及び封止膜の少なくとも一方を、薄い層を複数積層した積層膜にすると、この積層膜が抵抗性を持つ容量素子として機能することが判明した。このような容量素子が存在すると、発光装置の発光品質や発光装置の検査に影響がでる。例えば、有機EL素子を動作させるために第1電極及び第2電極の間に電圧を印加した場合、積層膜に電荷が蓄積されることにより有機EL素子が発光するタイミングが遅れてしまう。そして有機EL素子を停止させるため第1電極及び第2電極の間に電圧を印加しなくなった場合、積層膜に蓄積された電荷が有機EL素子に向けて流れ、有機EL素子の発光が停止するタイミングが遅れてしまう。
本発明が解決しようとする課題としては、ガスバリア膜及び封止膜の少なくとも一方を積層膜とした場合において、この積層膜を、抵抗性を持つ容量素子として機能しにくくすることが一例として挙げられる。
請求項1に記載の発明は、樹脂材料を含む基板と、
前記基板の第1面に形成され、複数の層を積層した第1積層膜と、
前記第1積層膜の上に形成され、有機層を含む発光部と、
前記第1積層膜及び前記発光部の上に形成され、複数の層を積層した第2積層膜と、
を備え、
前記第1積層膜のいずれかの層は、前記第1積層膜の他の層と比較して厚い発光装置である。
請求項4に記載の発明は、樹脂材料を含む基板と、
前記基板の第1面に形成され、複数の層を積層した第1積層膜と、
前記第1積層膜の上に形成され、有機層を含む発光部と、
前記第1積層膜及び前記発光部の上に形成され、複数の層を積層した第2積層膜と、
を備え、
前記第2積層膜のいずれかの層は、前記第2積層膜の他の層と比較して厚い発光装置である。
実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第1積層膜の構成を示す断面図である。 第2積層膜の構成を示す断面図である。 第1積層膜の構成の第1の変形例を示す図である。 第2積層膜の構成の第1の変形例を示す図である。 第1積層膜の第2の変形例を示す断面図である。 第2積層膜の第2の変形例を示す断面図である。 実施例1に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図8から第2電極及び第2積層膜を取り除いた図である。 図9から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。 図8のA−A断面図である。 実施例2に係る発光装置の平面図である。 図12から隔壁、第2電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図12のB−B断面図である。 図12のC−C断面図である。 図12のD−D断面図である。 発光装置の等価回路図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置10は、基板100、発光部140、第1積層膜210、第2積層膜220、第3積層膜310、及び第4積層膜320を備えている。基板100は樹脂材料を含んでいる。第1積層膜210は複数の層を積層した構造を有しており、基板100の第1面102に形成されている。発光部140は第1積層膜210より上に形成されており、有機層を含んでいる。第2積層膜220は複数の層を積層した構造を有しており、発光部140を覆っている。第3積層膜310は複数の層を積層した構造を有しており、基板100の第2面104に形成されている。第4積層膜320は複数の層を積層した構造を有しており、第3積層膜310に重ねて形成されている。言い換えると、第2面104には、第3積層膜310及び第4積層膜320がこの順に形成されている。そして、第3積層膜310の層の数は第1積層膜210の層の数と同一であり、かつ、基板100側から層を数えた場合において、第3積層膜310を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第1積層膜210のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。また、第4積層膜320の層の数は第2積層膜220の層の数と同一であり、かつ、基板100側から層を数えた場合において、第4積層膜320を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第2積層膜220のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。以下、詳細に説明する。
基板100は、樹脂材料を含んでおり、可視光を透過する。基板100は、例えば樹脂基板であり、その厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。基板100に用いられる樹脂は、例えばPEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルサルホン)、PET(ポリエチレンテレフタラート)、又はポリイミドである。
基板100の第1面102には、発光部140が形成されている。発光部140は、第1電極、有機層、及び第2電極をこの順に積層させた構成を有している。
第1電極は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IWZO(Indium Tungsten Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide)等の金属酸化物である。第1電極の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。第1電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第1電極は、カーボンナノチューブ、PEDOT/PSSなどの導電性有機材料を用いて形成されていてもよい。
有機層は発光層を有している。有機層は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層のうち少なくとも一つの層、例えば第1電極と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
第2電極は、例えば、Al、Au、Ag(AgインクやAgナノワイヤの場合もある)、Pt、Mg、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第2電極は遮光性を有している。第2電極の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。ただし、第2電極は、第1電極の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第2電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
また、発光部140は第2積層膜220を用いて封止されている。第2積層膜220は、複数の層を積層した構成を有している。第2積層膜220を構成する層は、いずれも無機膜であり、ALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて形成されている。
また、基板100の第1面102には第1積層膜210が形成されており、基板100の第2面104には第3積層膜310及び第4積層膜320がこの順に形成されている。第1積層膜210、第3積層膜310、及び第4積層膜320は、水分が基板100を透過することを抑制するために形成されており、いずれも複数の層を積層した構成を有している。そして、これらのいずれの層も、ALD法を用いて形成されている。第1積層膜210、第2積層膜220、第3積層膜310、及び第4積層膜320は、例えば無機膜で形成されている。
なお、第3積層膜310は第1積層膜210と同一の工程で形成されている。このため、第3積層膜310の層数は第1積層膜210の層数と同じであり、かつ、基板100側から数えた場合において、第3積層膜310を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第1積層膜210のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。さらに、製造条件によっては、第3積層膜310は、各層の厚さも含めて第1積層膜210と同一の構造を有していることもある。
また、第4積層膜320は第2積層膜220と同一の工程で形成されている。このため、第4積層膜320の層数は第2積層膜220の層数と同じであり、かつ、基板100側から数えた場合において、第4積層膜320を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第2積層膜220のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。さらに、製造条件によっては、第4積層膜320は、各層の厚さも含めて第2積層膜220と同一の構造を有していることもある。
なお、基板100の第1面102と第1積層膜210の間には、平坦化層(例えば有機層)が設けられていてもよい。また、基板100の第2面104と第3積層膜310の間にも平坦化層が形成されていてもよい。
図2は、第1積層膜210の構成を示す断面図である。第1積層膜210は、第1層212及び第2層214を有している。第1層212及び第2層214は、例えば酸化金属膜である。具体的には、第1層212は酸化アルミニウム(Al)を用いて形成されており、第2層214は酸化チタン(TiO)を用いて形成されている。第1層212及び第2層214の厚さは、いずれも3nm以上10nm以下である。ただし、これら各層の厚さはこの範囲に限定されない。また、第1積層膜210は、第1層212及び第2層214をこの順に繰り返し積層した構成を有していてもよい。また、第1積層膜210は、互いに異なる材料を有する3つの層を1回または複数回積層した積層膜であってもよい。
なお、上記したように、第3積層膜310も本図に示した構成を有している。
図3は、第2積層膜220の構成を示す断面図である。第2積層膜220は、第1層222及び第2層224を複数回繰り返し積層した構成を有している。このため、第2積層膜220は、第1積層膜210よりも厚くなっている。第2積層膜220を第1積層膜210よりも厚くすることにより、第2積層膜220の封止能力は向上する。なお、第1層222は酸化アルミニウム(Al)を用いて形成されており、第2層224は酸化チタン(TiO)を用いて形成されている。酸化チタンは室温の状態で絶縁性を有するが、例えば薄膜にすると、導電性を有する。第1層222及び第2層224の厚さは、いずれも3nm以上10nm以下である。ただし、これら各層の厚さはこの範囲に限定されない。
なお、上記したように、第4積層膜320も本図に示した構成を有している。
図4は、第1積層膜210の構成の第1の変形例を示す図である。本図に示す例において、第1積層膜210は、第1層212及び第2層214をこの順に繰り返し積層した構成を有している。そして、第1積層膜210のいずれかの層は、第1積層膜210を構成する他の層と比較して厚くなっている。本図に示す例では、第1積層膜210のうち最も上の層(すなわち発光部140に面する層)が、第1積層膜210を構成する他の層と比較して厚くなっている。例えば最も上の第1層212の厚さは、それ以外の層のうち最も厚い層の厚さの4倍以上である。また、この第1層212の厚さは、例えば、第1積層膜210の厚さの20%以上80%以下である。
なお、第1積層膜210が図4に示した構成を有している場合、第3積層膜310も図4に示した構成を有している。この場合、第3積層膜310のうち最も基板100の第2面104から遠い層は、第3積層膜310の他の層と比較して厚くなっている。
図5は、第2積層膜220の構成の第1の変形例を示す図である。本図に示す例において、第2積層膜220は、第1層222及び第2層224をこの順に繰り返し積層した構成を有している。ただし、第2積層膜220が有する層の数は第1積層膜210が有する層の数よりも多いため、第2積層膜220は第1積層膜210よりも厚くなっている。そして、第2積層膜220のいずれかの層は、第2積層膜220を構成する他の層と比較して厚くなっている。本図に示す例では、最も下の第1層222(すなわち発光部140に面する層)が、第2積層膜220を構成する他の層と比較して厚くなっている。例えば最も下の第1層222の厚さは、それ以外の層のうち最も厚い層の厚さの4倍以上である。また、この第1層222の厚さは、例えば、第2積層膜220の厚さの20%以上80%以下である。
なお、第2積層膜220が図5に示した構成を有している場合、第4積層膜320も図5に示した構成を有している。この場合、第4積層膜320のうち最も基板100に近い層は、第4積層膜320の他の層と比較して厚くなっている。
図6は、第1積層膜210の第2の変形例を示す断面図である。本変形例に係る第1積層膜210は、発光部140側から数えて2層目以上に位置する層が、第1積層膜210の他の層と比較して厚くなっている点を除いて、図4に示した第1積層膜210と同様の構成である。なお、第1積層膜210が図6に示した構成を有している場合、第3積層膜310も図6に示した構成を有している。
図7は、第2積層膜220の第2の変形例を示す断面図である。本変形例に係る第2積層膜220は、基板100側から数えて2層目以上に位置する層が、第2積層膜220の他の層と比較して厚くなっている点を除いて、図5に示した第2積層膜220と同様の構成である。なお、第2積層膜220が図7に示した構成を有している場合、第4積層膜320も図7に示した構成を有している。
なお、図2に示した第1積層膜210は、図3に示した第2積層膜220、図5に示した第2積層膜220、及び図7に示した第2積層膜220のいずれと組み合わせて使用されていてもよい。また、図4に示した第1積層膜210は、図3に示した第2積層膜220、図5に示した第2積層膜220、及び図7に示した第2積層膜220のいずれと組み合わせて使用されていてもよい。さらに、図6に示した第1積層膜210は、図3に示した第2積層膜220、図5に示した第2積層膜220、及び図7に示した第2積層膜220のいずれと組み合わせて使用されていてもよい。
図17は、発光装置10の等価回路図である。本図に示す例において、発光装置10は、第1端子112及び第2端子132を有している。第1端子112は、引出配線114を介して発光部140の第1電極に接続しており、第2端子132は、引出配線134を介して発光部140の第2電極に接続している。
発光装置10の発光部140を発光させるとき、第1引出配線114と第2引出配線134の間には電圧が印加される。また、第1積層膜210は第1引出配線114と第2引出配線134に接している。また、第1積層膜210は複数の層を積層した構成を有している。このため、等価回路で見た場合、第1積層膜210は、第1引出配線114と第2引出配線134の間に、容量と抵抗とを直列に接続した構成となる。このため、第1積層膜210にある程度電流が流れ、その結果、発光部140が発光するときに第1積層膜210に電荷が蓄積されてしまう。この電荷は、第1引出配線114と第2引出配線134の間に電圧が印加されなくなったとき、発光部140に流れる。これにより、発光部140のオフにするときの応答速度は低下してしまう。また、発光部140を点灯させるとき、電流の一部は第1積層膜210に流れてしまう。このため、発光部140を点灯させるときの応答速度も低下してしまう。
これに対して本実施形態によれば、第1引出配線114と第2引出配線134の間において、第1積層膜210の少なくとも一部の層は、他の層よりも厚くなっている。このため、図17の等価回路図における抵抗の大きさは、大きくなる。従って、第1積層膜210に電流は流れにくくなり、その結果、発光部140の応答速度は低下しにくくなる。第1積層膜210のうち発光部140に最も近い層を他の層より厚くすると、特に第1積層膜210に電流は流れにくくなる。
なお、第2積層膜220についても同様である。
次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず、基板100を準備する。次いで、例えばALD法を用いて、基板100の第1面102に複数の無機層を形成する。これにより、第1面102には第1積層膜210が形成する。ALD法において、膜となる原子または分子は基板100の第2面104にも到達する。言い換えると、ALD法は被覆性が高い。このため、ALD法を用いて第1積層膜210を形成する際、基板100の第2面104には第3積層膜310が形成される。
次いで、基板100の第1積層膜210上に、発光部140の第1電極、有機層、及び第2電極をこの順に形成する。これにより、発光部140が形成される。なお、この工程において、発光部140の端子も形成される。
次いで、例えばALD法を用いて、基板100の第1積層膜210の上及び発光部140の上に、複数の無機層を形成する。これにより、第1面102の上及び発光部140の上には、封止膜である第2積層膜220が形成される。また、上記したように、ALD法は被覆性が高い。このため、ALD法を用いて第2積層膜220を形成する際、基板100の第2面104には第4積層膜320が形成される。
以上、本実施形態によれば、基板100の第1面102側には第1積層膜210及び第2積層膜220が形成されており、基板100の第2面104側には第3積層膜310及び第4積層膜320が形成されている。第1積層膜210の層数は第3積層膜310の層数と同じであり、かつ、基板100側から層を数えた場合において、第3積層膜310を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第1積層膜210のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。また、第4積層膜320の層の数は第2積層膜220の層の数と同一であり、かつ、基板100側から層を数えた場合において、第4積層膜320を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第2積層膜220のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。このため、第1積層膜210に起因して基板100に加わる応力は、第3積層膜310に起因して基板100に加わる応力によって打ち消される。また、第2積層膜220に起因して基板100に加わる応力は、第4積層膜320に起因して基板100に加わる応力によって打ち消される。従って、基板100に加わる応力は小さくなる。
特に本実施形態では、第1積層膜210及び第3積層膜310はALD法を用いて同時に形成されているため、互いに同一の構造になる。また、第2積層膜220及び第4積層膜320はALD法を用いて同時に形成されているため、互いに同一の構造になる。従って、基板100に加わる応力は特に小さくなる。
また、第4積層膜320は基板100のバリア膜として機能するため、水分が基板100を透過する可能性はさらに低くなる。
(実施例1)
図8は、実施例1に係る発光装置10の構成を示す平面図である。説明のため、図8において第2積層膜220は点線で示されている。図9は、図8から第2電極130及び第2積層膜220を取り除いた図である。図10は図9から有機層120及び絶縁層150を取り除いた図である。図11は図8のA−A断面図である。
本実施例において、発光装置10は照明装置であり、基板100、及び発光部140を備えている。発光部140は、第1電極110、有機層120、及び第2電極130を有している。第1電極110、有機層120、及び第2電極130の構成は、実施形態の通りである。
第1電極110の縁は、絶縁層150によって覆われている。絶縁層150は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第1電極110のうち発光部140の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層150を設けることにより、第1電極110の縁において第1電極110と第2電極130が短絡することを抑制できる。絶縁層150は、例えば、絶縁層150となる樹脂材料を塗布した後、この樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。
また、発光装置10は、第1端子112及び第2端子132を有している。第1端子112は第1電極110に接続しており、第2端子132は第2電極130に接続している。第1端子112及び第2端子132は、例えば、第1電極110と同一の材料で形成された層を有している。なお、第1端子112と第1電極110の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第2端子132と第2電極130の間にも引出配線が設けられていてもよい。
また、発光装置10は第1積層膜210、第2積層膜220、第3積層膜310、及び第4積層膜320を有している。これらの積層膜の構成、及び基板100の構成は、実施形態の通りである。
次に、発光装置10の製造方法を説明する。まず、基板100に第1積層膜210及び第3積層膜310を形成する。次いで、第1積層膜210上に第1電極110を形成する。この工程において、第1端子112及び第2端子132も形成される。次いで、絶縁層150、有機層120、及び第2電極130をこの順に形成する。次いで、第2積層膜220及び第4積層膜320を形成する。
本実施例によれば、実施形態と同様に、発光部140を用いた照明装置において、基板100に加わる応力を小さくすることができる。
(実施例2)
図12は、実施例2に係る発光装置10の平面図である。説明のため、図12において第2積層膜220は点線で示されている。図13は、図12から隔壁170、第2電極130、有機層120、及び絶縁層150を取り除いた図である。図14は図12のB−B断面図であり、図15は図12のC−C断面図であり、図16は図12のD−D断面図である。
本実施例に係る発光装置10はディスプレイであり、基板100、第1電極110、発光部140、絶縁層150、複数の開口152、複数の開口154、複数の引出配線114、有機層120、第2電極130、複数の引出配線134、及び複数の隔壁170を有している。
第1電極110は、第1方向(図12におけるY方向)にライン状に延在している。そして第1電極110の端部は、引出配線114に接続している。
引出配線114は、第1電極110を第1端子112に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線114の一端側は第1電極110に接続しており、引出配線114の他端側は第1端子112となっている。本図に示す例において、第1電極110及び引出配線114は一体になっている。そして引出配線114の上には、導体層160が形成されている。導体層160は、第1電極110よりも抵抗が低い材料、例えばAlを用いて形成されている。なお、導体層160は、多層構造を有していてもよい。なお、引出配線114の一部は絶縁層150によって覆われている。
絶縁層150は、図12、及び図14〜図16に示すように、複数の第1電極110上及びその間の領域に形成されている。絶縁層150には、複数の開口152及び複数の開口154が形成されている。複数の第2電極130は、第1電極110と交差する方向(例えば直交する方向:図12におけるX方向)に互いに平行に延在している。そして、複数の第2電極130の間には、詳細を後述する隔壁170が延在している。開口152は、平面視で第1電極110と第2電極130の交点に位置している。具体的には、複数の開口152は、第1電極110が延在する方向(図12におけるY方向)に並んでいる。また、複数の開口152は、第2電極130の延在方向(図12におけるX方向)にも並んでいる。このため、複数の開口152はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
開口154は、平面視で複数の第2電極130のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口154は、開口152が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向(例えば図12におけるY方向、すなわち第1電極110に沿う方向)で見た場合、開口154は、所定の間隔で配置されている。開口154からは、引出配線134の一部分が露出している。そして、引出配線134は、開口154を介して第2電極130に接続している。
引出配線134は、第2電極130を第2端子132に接続する配線であり、第1電極110と同一の材料からなる層を有している。引出配線134の一端側は開口154の下に位置しており、引出配線134の他端側は、絶縁層150の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線134の他端側が第2端子132となっている。そして引出配線134の上には、導体層160が形成されている。なお、引出配線134の一部は絶縁層150によって覆われている。
開口152と重なる領域には、有機層120が形成されている。有機層120の正孔注入層は第1電極110に接しており、有機層120の電子注入層は第2電極130に接している。このため、発光部140は、開口152と重なる領域それぞれに位置していることになる。
なお、図14及び図15に示す例では、有機層120を構成する各層は、いずれも開口152の外側まではみ出している場合を示している。そして図12に示すように、有機層120は、隔壁170が延在する方向において、隣り合う開口152の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図16に示すように、有機層120は、開口154には形成されていない。
第2電極130は、図12、図14〜図16に示すように、第1方向と交わる第2方向(図12におけるX方向)に延在している。そして隣り合う第2電極130の間には、隔壁170が形成されている。隔壁170は、第2電極130と平行すなわち第2方向に延在している。隔壁170の下地は、例えば絶縁層150である。隔壁170は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁170はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
隔壁170は、断面が台形の上下を逆にした形状(逆台形)になっている。すなわち隔壁170の上面の幅は、隔壁170の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁170を第2電極130より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第2電極130を基板100の一面側に形成することで、複数の第2電極130を一括で形成することができる。また、隔壁170は、有機層120を分断する機能も有している。
そして本実施例においても、基板100の第1面102には第1積層膜210及び第2積層膜220が形成されており、基板100の第2面104には第3積層膜310及び第4積層膜320が形成されている。第2積層膜220は、発光部140を封止している。なお、本実施例では、第1端子112及び第2端子132は、基板100のうち同一の辺に沿って配置されている。このため、第2積層膜220のうち第1端子112を露出するための開口と、第2端子132を露出するための開口は互いに繋がっている。
次に、本実施例における発光装置10の製造方法を説明する。まず、基板100に第1積層膜210及び第3積層膜310を形成する。これらの形成方法は、実施形態に示した通りである。
次いで、基板100の第1面102に第1電極110、引出配線114,134を形成する。次いで、引出配線114上及び引出配線134上に、導体層160を形成する。次いで、絶縁層150を形成し、さらに隔壁170を形成する。次いで、有機層120及び第2電極130を形成する。これらの形成方法は、実施例1と同様である。
次いで、基板100に第2積層膜220及び第4積層膜320を形成する。これらの形成方法は実施形態に示した通りである。
本実施例によれば、実施形態と同様に、発光部140を用いたディスプレイにおいて、基板100に加わる応力を小さくすることができる。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
100 基板
102 第1面
104 第2面
110 第1電極
112 第1端子
114 引出配線
120 有機層
130 第2電極
132 第2端子
134 引出配線
140 発光部
210 第1積層膜
212 第1層
214 第2層
220 第2積層膜
222 第1層
224 第2層
310 第3積層膜
320 第4積層膜

Claims (6)

  1. 樹脂材料を含む基板と、
    前記基板の第1面に形成され、複数の層を積層した第1積層膜と、
    前記第1積層膜の上に形成され、有機層を含む発光部と、
    前記第1積層膜及び前記発光部の上に形成され、複数の層を積層した第2積層膜と、
    を備え、
    前記第1積層膜のいずれかの層は、前記第1積層膜の他の層と比較して厚い発光装置。
  2. 請求項1に記載の発光装置において、
    前記第2積層膜のいずれかの層は、前記第2積層膜の他の層と比較して厚い発光装置。
  3. 請求項1又は2に記載の発光装置において、
    前記第1積層膜のうち前記発光部に面する層は、前記第1積層膜の他の層と比較して厚い発光装置。
  4. 樹脂材料を含む基板と、
    前記基板の第1面に形成され、複数の層を積層した第1積層膜と、
    前記第1積層膜の上に形成され、有機層を含む発光部と、
    前記第1積層膜及び前記発光部の上に形成され、複数の層を積層した第2積層膜と、
    を備え、
    前記第2積層膜のいずれかの層は、前記第2積層膜の他の層と比較して厚い発光装置。
  5. 請求項2又は4に記載の発光装置において、
    前記第2積層膜のうち前記発光部に面する層は、前記第1積層膜の他の層と比較して厚い発光装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記基板の第2面に形成され、複数の層を積層した第3積層膜と、
    前記第3積層膜に重ねて形成され、複数の層を積層した第4積層膜と、
    を備え、
    前記第3積層膜の層の数は前記第1積層膜の層の数と同一であり、かつ、前記基板側から層を数えた場合において、前記第3積層膜を構成する前記複数の層のそれぞれの材料は、前記第1積層膜のうち対応する積層順に位置する前記層の材料と同一であり、
    前記第4積層膜の層の数は前記第2積層膜の層の数と同一であり、かつ、前記基板側から層を数えた場合において、前記第4積層膜を構成する前記複数の層のそれぞれの材料は、前記第4積層膜のうち対応する積層順に位置する前記層の材料と同一である発光装置。
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