WO2017119069A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2017119069A1
WO2017119069A1 PCT/JP2016/050169 JP2016050169W WO2017119069A1 WO 2017119069 A1 WO2017119069 A1 WO 2017119069A1 JP 2016050169 W JP2016050169 W JP 2016050169W WO 2017119069 A1 WO2017119069 A1 WO 2017119069A1
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light
electrode
emitting device
layer
light emitting
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Inventor
真滋 中嶋
幸二 藤田
Original Assignee
パイオニア株式会社
東北パイオニア株式会社
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • An organic EL element is one of light sources of light emitting devices such as lighting devices and display devices.
  • the organic EL element has a configuration in which an organic layer is disposed between the first electrode and the second electrode.
  • an insulating layer may be used to define a light emitting portion of the organic EL element (for example, Patent Document 1).
  • a partition wall may be formed on the insulating layer in order to separate the second electrodes of the plurality of light emitting portions (for example, Patent Document 2).
  • the partition is formed on the auxiliary electrode of the first electrode.
  • a factor that causes deterioration (for example, oxidation) of the organic layer may occur.
  • a sealing structure having a hollow structure is employed, this deterioration factor diffuses into the hollow portion, and thus a problem does not easily occur.
  • the deterioration factor generated in the partition wall may reach the organic layer through the insulating film and deteriorate the organic layer constituting the light emitting part. In this case, the light emitting area of the light emitting unit is narrowed.
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to prevent an organic layer from being deteriorated due to a deterioration factor generated in a partition in a light emitting device having a film covering a light emitting portion.
  • the invention according to claim 1 is a substrate; A light emitting unit formed on the substrate and having a first electrode, a second electrode, and an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode; An insulating layer defining the light emitting portion; A partition wall located on the insulating layer; A coating film covering at least a part of the light emitting part, the insulating layer, and at least a part of the partition; With The second electrode is divided along the partition;
  • the light emitting device includes a light shielding layer located at least in a portion facing the light emitting unit and located between the partition and the substrate.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line BB in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
  • FIG. 3 is a DD sectional view of FIG. 2.
  • It is the 1st modification of FIG.
  • It is the 2nd modification of FIG.
  • It is sectional drawing which shows the structure of the principal part of the light-emitting device which concerns on a modification.
  • FIG. 1 is a plan view of a light emitting device 10 according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a view in which the coating film 200 is removed from FIG.
  • FIG. 3 is a diagram in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. 4 to 6, the coating film 200 is also shown for explanation.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a partition wall 170, a coating film 200, and a light shielding layer 190.
  • the light emitting unit 140 is formed on the substrate 100 and includes the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130.
  • the organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the insulating layer 150 defines the light emitting part 140.
  • the partition wall 170 is located on the insulating layer 150.
  • the covering film 200 covers at least a part of the light emitting part 140, the insulating layer 150, and at least a part of the partition wall 170.
  • the second electrode 130 is divided along the partition wall 170.
  • the light shielding layer 190 is located at least at a portion facing the light emitting unit 140 and is located between the partition wall 170 and the substrate 100.
  • the light emitting device 10 will be described in detail.
  • the light emitting device 10 is a display, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of lead wires 114, The organic layer 120, the second electrode 130, the plurality of lead wires 134, the plurality of partition walls 170, and the coating film 200 are included.
  • the light emitting device 10 may be either a bottom emission type light emitting device or a top emission type light emitting device.
  • the substrate 100 is formed of a light transmissive material such as glass or a light transmissive resin, and the surface of the substrate 100 opposite to the first electrode 110. Is the light extraction surface of the light emitting device 10.
  • the substrate 100 may be formed of the above-described translucent material or may be formed of a material that does not have translucency.
  • the substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. Further, the substrate 100 may have flexibility.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 1000 ⁇ m. In particular, when the substrate 100 is made of a glass material and has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • the material of the substrate 100 includes, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. Is formed.
  • an inorganic barrier film such as SiN x or SiON is formed on at least the light emitting surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress moisture from passing through the substrate 100. ing.
  • the light-emitting unit 140 includes the first electrode 110, the second electrode 130, and the organic layer 120 as described above.
  • first electrode 110 and the second electrode 130 at least the electrode on the light emitting side is a transparent electrode having light transmittance. Note that both the first electrode 110 and the second electrode 130 may be transparent electrodes.
  • the transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide) or the like. is there.
  • the thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may be a carbon nanotube, a conductive organic material such as PEDOT / PSS, or a thin metal electrode.
  • the non-transparent electrode is selected from, for example, a first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In. Or a metal layer made of an alloy of metals selected from the first group.
  • This electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. Further, this electrode may have a structure in which a metal layer and a transparent conductive layer are laminated in this order.
  • the thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 60 nm and not more than 200 nm.
  • the first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 3). The end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.
  • the lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112.
  • one end side of the lead wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the lead wiring 114 is the first terminal 112.
  • the first electrode 110 and the lead-out wiring 114 are integrated.
  • a conductor layer 180 is formed on the first terminal 112 and the lead wiring 114.
  • the conductor layer 180 is formed using a metal having a lower resistance than that of the first electrode 110, such as Al or Ag.
  • the thickness of the conductor layer 180 is, for example, not less than 5 nm and not more than 500 nm.
  • the conductor layer 180 may have a multilayer structure.
  • the conductor layer 180 may have a configuration in which, for example, a Mo alloy layer, an Al alloy layer, and a Mo alloy layer are stacked in this order.
  • the total thickness of the Mo alloy layer and the Al alloy layer is, for example, not less than 5 nm and not more than 500 nm. In consideration of light shielding properties, the thickness of the conductor layer 180 is preferably 5 nm or more.
  • a part of the lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.
  • the conductor layer 180 may also be formed on the first electrode 110. In this case, the conductor layer 180 is formed in a portion of the first electrode 110 that does not function as the light emitting unit 140.
  • the organic layer 120 has, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the hole injection layer and the hole transport layer are formed using a material in which holes move (a hole-moving organic material).
  • the thickness of the hole injection layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 100 nm.
  • the hole transport layer is thinner than the hole injection layer, and the thickness thereof is, for example, 20 nm or more and 50 nm or less.
  • the light emitting layer is formed using a material that emits light upon recombination of electrons and holes.
  • the luminescent color of the light emitting layer may be any color.
  • the electron transport layer is formed using a material (electron mobility organic material) through which electrons move.
  • the thickness of the electron transport layer is, for example, 5 nm or more and 100 nm or less.
  • the electron injection layer is formed using, for example, an alkali metal compound such as LiF, a metal oxide typified by aluminum oxide, or a metal complex typified by lithium 8-hydroxyquinolate (Liq).
  • the thickness of the electron injection layer is, for example, not less than 0.1 nm and not more than 10 nm.
  • the total thickness of the organic layer 120 is, for example, not less than 50 nm and not more than 200 nm.
  • One of the hole injection layer and the hole transport layer may be omitted.
  • One of the electron transport layer and the electron injection layer may be omitted.
  • At least one (or all) of each layer constituting the organic layer 120 is formed using a coating material.
  • the film forming method used here is, for example, a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method.
  • at least one (or all) of the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer in the organic layer 120 may be formed using a coating material.
  • the remaining layers of the organic layer 120 are formed using a vapor deposition method.
  • the light emitting device 10 has a plurality of second electrodes 130. As shown in FIGS. 2 and 4 to 6, the plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a second direction (X direction in FIG. 2) intersecting the first direction. In the example shown in the figure, the first electrode 110 and the second electrode 130 are orthogonal to each other. A partition 170, which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130.
  • the light emitting unit 140 is disposed at each intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the light emitting unit 140 is defined by the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed on and between the plurality of first electrodes 110 as shown in FIGS. 2 and 4 to 6.
  • the insulating layer 150 is formed using a photosensitive organic material such as polyimide.
  • An opening 152 is formed in a region of the insulating layer 150 located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.
  • the opening 152 is formed, for example, through exposure and development processes.
  • the organic layer 120 is formed. Therefore, the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 overlap each other in the opening 152 of the insulating layer 150, and the organic EL element, that is, the light emitting unit 140 is formed by the stacked portion.
  • the part (side surface) which demarcates the edge of the opening 152 among the insulating layers 150 is inclined, and the organic layer 120 and the second electrode 130 are also located on this part. However, since the organic layer 120 is not in contact with the first electrode 110, this portion does not constitute the light emitting unit 140.
  • each layer constituting the organic layer 120 is shown to protrude beyond the opening 152.
  • the organic layer 120 may or may not be formed continuously between adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends.
  • the organic layer 120 is not formed in the opening 154 described later.
  • the insulating layer 150 further has an opening 154.
  • the opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view.
  • the openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 2, that is, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at a predetermined interval. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154.
  • the lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.
  • the lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. A conductor layer 180 is also formed on the second terminal 132 and the lead wiring 134. A part of the lead wiring 134 is covered with an insulating layer 150.
  • a partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130.
  • the partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction.
  • the base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150.
  • the partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed.
  • the light used when exposing the partition 170 includes, for example, ultraviolet rays.
  • the partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.
  • the partition wall 170 In the cross section perpendicular to the direction in which the partition wall 170 extends, the partition wall 170 has a trapezoidal shape that is upside down (reverse trapezoid). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively.
  • the partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.
  • the light emitting device 10 has a coating film 200.
  • the covering film 200 is formed on at least the surface of the substrate 100 where the light emitting part 140 is formed, and covers the light emitting part 140. Specifically, the coating film 200 continuously covers the upper surfaces and side surfaces of the first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, the insulating layer 150, and the partition wall 170. The coating film 200 also covers a part of the lead wiring 114 and a part of the lead wiring 134.
  • the covering film 200 is formed of, for example, an insulating material, more specifically, a metal oxide such as aluminum oxide or titanium oxide. Moreover, the thickness of the coating film 200 is preferably 300 nm or less. Further, the thickness of the coating film 200 is, for example, 50 nm or more.
  • the coating film 200 is formed using, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method. In this case, the step coverage of the coating film 200 is increased.
  • the coating film 200 may have a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked. In this case, it may have a structure in which a first sealing layer made of a first material (for example, aluminum oxide) and a second sealing layer made of a second material (for example, titanium oxide) are repeatedly stacked. .
  • the lowermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer. Further, the uppermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer.
  • the coating film 200 may be a single layer in which the first material and the second material are mixed.
  • the coating film 200 may be formed using other film forming methods such as a CVD method or a sputtering method.
  • the coating film 200 is formed of an insulating film such as SiO 2 or SiN, and the film thickness is, for example, not less than 10 nm and not more than 1000 nm.
  • a resin layer for protecting the coating film 200 may be provided on the coating film 200.
  • This resin layer is formed using an epoxy resin or an acrylic resin.
  • the organic layer 120 and the second electrode 130 are both separated on the insulating layer 150 in the cross section in the direction crossing the partition wall 170.
  • the edge part of the organic layer 120 is located on the insulating layer 150.
  • the end portion of the organic layer 120 overlaps the insulating layer 150.
  • the end of the second electrode 130 is located on the organic layer 120.
  • the end portion of the organic layer 120 is located closer to the partition 170 than the end portion of the second electrode 130 and is not covered with the second electrode 130. For this reason, the above-described coating film 200 is in contact with the end of the organic layer 120.
  • a partition wall 170 is located between the two end portions of the divided organic layer 120. In other words, the organic layer 120 is divided along the partition 170, and the second electrode 130 is also divided along the partition 170.
  • the end portion of the organic layer 120 may be in contact with one side surface of the partition wall 170 or may not be in contact with the partition wall 170.
  • the organic layer 120 and the partition 170 are not in contact with each other, it is possible to suppress deterioration factors such as moisture included in the partition 170 from entering the organic layer 120.
  • the light emitting device 10 has a light shielding layer 190.
  • the light shielding layer 190 is located between the partition wall 170 and the substrate 100 in the thickness direction of the substrate 100. By providing the light shielding layer 190, it is difficult for light to reach from at least the portion of the partition wall 170 facing the light emitting unit 140 from the substrate 100 side.
  • the light shielding layer 190 is located between the partition wall 170 and the substrate 100, for example, as shown in FIG.
  • the light shielding layer 190 is located between the first electrode 110 and the insulating layer 150.
  • the light shielding layer 190 is covered with the insulating layer 150.
  • the light shielding layer 190 preferably has a metal layer, for example, an Al layer.
  • the light shielding layer 190 is formed in the same process as the conductor layer 180, for example. In this case, the light shielding layer 190 is formed using the same material as the conductor layer 180.
  • the light shielding layer 190 is located at least in a portion facing the light emitting unit 140. Specifically, the light shielding layer 190 overlaps at least a portion of the partition wall 170 facing the light emitting unit 140. As described above, the light emitting unit 140 is formed at each intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130. In the direction in which the first electrode 110 extends, the light shielding layer 190 includes a plurality of light emitting units. 140. The width of the light shielding layer 190 is preferably larger than the width of the light emitting unit 140 in the direction in which the second electrode 130 extends.
  • the light shielding layer 190 is located at a portion where the partition 170 and the first electrode 110 intersect.
  • a certain light shielding layer 190 (first light shielding layer 190) and a light shielding layer 190 (second light shielding layer 190) located adjacent thereto are separated from each other. For this reason, the adjacent 1st electrode 110 does not short-circuit.
  • the width of the light shielding layer 190 is larger than the width of the upper surface of the partition 170. In other words, the entire partition 170 is covered with the light shielding layer 190 in the width direction of the partition 170. For this reason, it is further difficult for light to reach the partition wall 170 from the substrate 100 side.
  • the light shielding layer 190 has electroconductivity, it is preferable that the light shielding layer 190 is connected to the conductor layer 180. In this way, the light shielding layer 190 and the conductor layer 180 also function as auxiliary electrodes for the first electrode 110. In the example shown in FIG. 3, since the light shielding layer 190 is formed in the same process as the conductor layer 180, the light shielding layer 190 is integrated with the conductor layer 180.
  • FIG. 7 is a sectional view taken along the line DD of FIG. In FIG. 7, the coating film 200 is also shown for the sake of explanation.
  • the width of the light shielding layer 190 is smaller than the width of the first electrode 110.
  • the width of the light shielding layer 190 may be substantially equal to the width of the first electrode 110 as shown in the first modification of FIG. 8, or the light shielding layer as shown in the second modification of FIG.
  • the width of 190 may be larger than the width of the first electrode 110.
  • the first electrode 110 and the lead wires 114 and 134 are formed on the substrate 100.
  • the conductor layer 180 is formed on the lead wiring 114, on the first terminal 112, on the lead wiring 134, and on the second terminal 132.
  • the light shielding layer 190 is also formed.
  • the insulating layer 150 is formed, and the partition 170 and the organic layer 120 are further formed in this order.
  • the second electrode 130 is formed using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. At this time, the upper surface of the partition 170 serves as a mask, and the second electrode 130 is divided.
  • the coating film 200 is formed using, for example, an ALD method.
  • the partition wall 170 when the partition wall 170 is irradiated with light, a factor that deteriorates the organic layer 120 may be generated from the partition wall 170. This possibility is particularly great when the partition 170 is formed using a photosensitive material.
  • the light emitting device 10 in the light emitting device 10 according to the present embodiment, at least a portion of the partition wall 170 facing the light emitting unit 140 is covered with the light shielding layer 190. For this reason, it is difficult for light to reach the partition wall 170 from the substrate 100 side. Therefore, it can suppress that the deterioration factor of the organic layer 120 generate
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a light emitting device 10 according to a modification, and corresponds to FIG. 7 in the embodiment.
  • the light emitting device 10 according to this modification has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment except that the light shielding layer 190 is located between the first electrode 110 and the substrate 100.
  • the conductor layer 180 is also located between the lead-out wiring 114 (or the lead-out wiring 134) and the substrate 100.

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

発光部（１４０）は基板（１００）の上に形成されており、第１電極（１１０）、有機層（１２０）、及び第２電極（１３０）を有している。有機層（１２０）は第１電極（１１０）と第２電極（１３０）の間に位置している。絶縁層（１５０）は発光部（１４０）を画定している。隔壁（１７０）は絶縁層（１５０）の上に位置している。被覆膜（２００）は、発光部（１４０）、絶縁層（１５０）の少なくとも一部、及び隔壁（１７０）の少なくとも一部を覆っている。第２電極（１３０）は隔壁（１７０）に沿って分断している。遮光層（１９０）は、少なくとも発光部（１４０）に対向する部分に位置し、且つ隔壁（１７０）と基板（１００）の間に位置している。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機ＥＬ素子を有する発光装置において、有機ＥＬ素子の発光部を画定するために絶縁層が用いられることがある（例えば特許文献１）。
　また、一つの基板の上に複数の発光部を設ける場合、これら複数の発光部の第２電極を分離するために、絶縁層の上に隔壁を形成することがある（例えば特許文献２）。特許文献２において、隔壁は第１電極の補助電極の上に形成されている。
特開２００７－２５０５２０号公報 特開２０１２－２０４２５０号公報
　本発明者が検討した結果、隔壁に光（特に紫外線を含む光）が照射すると、有機層を劣化（例えば酸化）させる因子（以下、劣化因子と記載）が発生し得ることが判明した。中空構造の封止構造を採用した場合、この劣化因子は中空部分に拡散するため、問題は生じにくい。これに対して膜を用いて発光部を被覆した場合、隔壁で発生した劣化因子は、絶縁膜を介して有機層に到達し、発光部を構成する有機層を劣化させることがある。この場合、発光部の発光領域が狭くなってしまう。
　本発明が解決しようとする課題としては、発光部を被覆する膜を有する発光装置において、隔壁で発生した劣化因子に起因して有機層が劣化しないようにすることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、基板と、
　前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
　前記発光部を画定する絶縁層と、
　前記絶縁層の上に位置する隔壁と、
　前記発光部、前記絶縁層の少なくとも一部、及び前記隔壁の少なくとも一部を覆う被覆膜と、
を備え、
　前記第２電極は、前記隔壁に沿って分断しており、
　少なくとも前記発光部に対向する部分に位置し、且つ前記隔壁と前記基板の間に位置する遮光層を備える発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の平面図である。 図１から被覆膜を取り除いた図である。 図２から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図２のＡ－Ａ断面図である。 図２のＢ－Ｂ断面図である。 図２のＣ－Ｃ断面図である。 図２のＤ－Ｄ断面図である。 図７の第１の変形例である。 図７の第２の変形例である。 変形例に係る発光装置の要部の構成を示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（実施形態）
　図１は、実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１から被覆膜２００を取り除いた図である。図３は、図２から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図４は図２のＡ－Ａ断面図であり、図５は図２のＢ－Ｂ断面図であり、図６は図２のＣ－Ｃ断面図である。なお、図４～図６において、説明のため被覆膜２００も示している。
　実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、絶縁層１５０、隔壁１７０、被覆膜２００、及び遮光層１９０を備えている。発光部１４０は基板１００の上に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。絶縁層１５０は発光部１４０を画定している。隔壁１７０は絶縁層１５０の上に位置している。被覆膜２００は、発光部１４０、絶縁層１５０の少なくとも一部、及び隔壁１７０の少なくとも一部を覆っている。第２電極１３０は隔壁１７０に沿って分断している。遮光層１９０は、少なくとも発光部１４０に対向する部分に位置し、且つ隔壁１７０と基板１００の間に位置している。以下、発光装置１０について詳細に説明する。
　図１～図６に示す例において、発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、複数の隔壁１７０、及び被覆膜２００を有している。
　発光装置１０は、ボトムエミッション型の発光装置及びトップエミッション型の発光装置のいずれであってもよい。発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
　発光部１４０は、上記したように、第１電極１１０、第２電極１３０、及び有機層１２０を有している。
　第１電極１１０及び第２電極１３０のうち少なくとも光が射出する側の電極は、光透過性を有する透明電極である。なお、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透明電極であってもよい。
　透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
　第１電極１１０及び第２電極１３０のうち透光性を有していない電極は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。また、この電極は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。
　以下、第１電極１１０が透光性を有しており、第２電極１３０が透光性を有していないとして、説明を行う。この場合、第２電極１３０の厚さは、例えば６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
　第１電極１１０は、第１方向（図３におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
　引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。導体層１８０の厚さは、例えば５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。なお、導体層１８０は多層構造を有していてもよい。この場合、導体層１８０は、例えばＭｏ合金層、Ａｌ合金層、及びＭｏ合金層をこの順に積層させた構成を有していてもよい。Ｍｏ合金層の厚さとＡｌ合金層の厚さの合計は、例えば５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。遮光性を考慮すると、導体層１８０の厚さは５ｎｍ以上であることが好ましい。
　引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。なお、図３及び図５に示すように、第１電極１１０の上にも導体層１８０が形成されていてもよい。この場合、導体層１８０は、第１電極１１０のうち発光部１４０として機能しない部分に形成されている。
　有機層１２０は、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。正孔注入層及び正孔輸送層は、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）を用いて形成されている。正孔注入層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。正孔輸送層は正孔注入層より薄く、その厚さは例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層は、電子と正孔の再結合に伴って発光する材料を用いて形成されている。発光層の発光色は何色であってもよい。このため、発光層の材料は発光性の有機材料であれば何であってもよい。電子輸送層は、電子が移動する材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成されている。電子輸送層の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。電子注入層は、例えばＬｉＦなどのアルカリ金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、又はリチウム８－ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体を用いて形成される。電子注入層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。なお、有機層１２０全体の厚さは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
　なお、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は無くてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方はなくてもよい。
　有機層１２０を構成する各層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されている。ここで用いられる成膜方法は、例えば、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法である。例えば、有機層１２０のうち正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されている。なお、有機層１２０の残りの層は、蒸着法を用いて形成されている。
　発光装置１０は第２電極１３０を複数有している。複数の第２電極１３０は、図２、図４～図６に示すように、第１方向と交わる第２方向（図２におけるＸ方向）に、互いに平行に延在している。本図に示す例では、第１電極１１０と第２電極１３０は互いに直交している。複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。そして、発光部１４０は、第１電極１１０と第２電極１３０の交点のそれぞれに配置されている。
　発光部１４０は、絶縁層１５０によって画定されている。詳細には、絶縁層１５０は、図２、及び図４～図６に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の有機材料を用いて形成されている。そして、絶縁層１５０のうち第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置する領域には、開口１５２が形成されている。複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。開口１５２は、例えば露光及び現像工程を経て形成される。
　開口１５２内には、有機層１２０が形成されている。このため、絶縁層１５０の開口１５２において、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０が重なっており、この積層部によって有機ＥＬ素子すなわち発光部１４０が形成されている。
　なお、絶縁層１５０のうち開口１５２の縁を画定する部分（側面）は傾斜しており、この部分の上にも有機層１２０及び第２電極１３０が位置している。しかし有機層１２０は第１電極１１０に接していないため、この部分は発光部１４０を構成しない。
　図４及び図５に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。図５に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図６に示すように、有機層１２０は、後述する開口１５４には形成されていない。
　絶縁層１５０は、さらに開口１５４を有している。開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図２におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
　引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁１７０を露光するときの光は、例えば紫外線を含んでいる。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
　隔壁１７０が延在する方向に対して垂直な断面において、隔壁１７０は、台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
　そして、発光装置１０は被覆膜２００を有している。被覆膜２００は、基板１００のうち、少なくとも発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。詳細には、被覆膜２００は、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０、並びに隔壁１７０の上面及び側面を連続して覆っている。また、被覆膜２００は、引出配線１１４の一部及び引出配線１３４の一部も覆っている。被覆膜２００は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの金属酸化物によって形成されている。また、被覆膜２００の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また被覆膜２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。
　被覆膜２００は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、被覆膜２００の段差被覆性は高くなる。またこの場合、被覆膜２００は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、被覆膜２００は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。
　ただし、被覆膜２００は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、被覆膜２００は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　被覆膜２００の上には、被覆膜２００を保護するための樹脂層が設けられていてもよい。この樹脂層は、エポキシ系又はアクリル系などの樹脂を用いて形成される。
　図４及び図６に示すように、隔壁１７０に交わる方向の断面において、有機層１２０及び第２電極１３０は、いずれも絶縁層１５０の上で分断している。詳細には、有機層１２０の端部は絶縁層１５０の上に位置している。言い換えると、有機層１２０の端部は絶縁層１５０と重なっている。また、第２電極１３０の端部は有機層１２０の上に位置している。そして、有機層１２０の端部は、第２電極１３０の端部よりも隔壁１７０の近くに位置しており、第２電極１３０で覆われていない。このため、上記した被覆膜２００は有機層１２０の端部に接している。また、これら分断している有機層１２０の２つの端部の間に、隔壁１７０が位置している。言い換えると、有機層１２０は隔壁１７０に沿って分断しており、第２電極１３０も隔壁１７０に沿って分断している。
　有機層１２０の端部は、隔壁１７０の一方の側面に接触している場合もあれば、隔壁１７０に接触していない場合もある。有機層１２０と隔壁１７０が接触していない場合、隔壁１７０が含む水分などの劣化要因が有機層１２０に侵入することを抑制できる。
　発光装置１０は、遮光層１９０を有している。遮光層１９０は、基板１００の厚さ方向において、隔壁１７０と基板１００の間に位置している。遮光層１９０が設けられることにより、隔壁１７０のうち少なくとも発光部１４０に対向している部分には、基板１００側から光が到達しにくくなる。
　遮光層１９０は、例えば図４に示すように、隔壁１７０と基板１００の間に位置している。遮光層１９０は、例えば、第１電極１１０と絶縁層１５０の間に位置している。言い換えると遮光層１９０は絶縁層１５０によって覆われている。遮光層１９０は、金属層、例えばＡｌ層を有しているのが好ましい。遮光層１９０は、例えば導体層１８０と同一の工程で形成されている。この場合、遮光層１９０は、導体層１８０と同一の材料を用いて形成されている。
　また、図３に示すように、平面レイアウトにおいて、遮光層１９０は、少なくとも発光部１４０に対向している部分に位置している。具体的には、遮光層１９０は、隔壁１７０のうち少なくとも発光部１４０に対向している部分と重なっている。上記したように、発光部１４０は第１電極１１０と第２電極１３０の交点のそれぞれに形成されているが、第１電極１１０が延在している方向において、遮光層１９０は複数の発光部１４０の間に位置している。そして、第２電極１３０が延在している方向において、遮光層１９０の幅は発光部１４０の幅よりも大きいのが好ましい。
　隔壁１７０が延在する方向（図３のＸ方向）において、遮光層１９０は、隔壁１７０と第１電極１１０が交わる部分に位置している。そして、ある遮光層１９０（第１の遮光層１９０）と、その隣に位置する遮光層１９０（第２の遮光層１９０）は、互いに分離されている。このため、隣り合う第１電極１１０は短絡しない。
　また、隔壁１７０の幅方向（図３のＹ方向）において、遮光層１９０の幅は隔壁１７０の上面の幅よりも大きい。言い換えると隔壁１７０の幅方向において、隔壁１７０の全体は遮光層１９０によって覆われている。このため、隔壁１７０には、さらに基板１００側から光が到達しにくい。
　なお、遮光層１９０が導電性を有している場合、遮光層１９０は、導体層１８０に接続しているのが好ましい。このようにすると、遮光層１９０及び導体層１８０は、第１電極１１０の補助電極としても機能する。なお、図３に示す例において、遮光層１９０は導体層１８０と同一工程で形成されているため、遮光層１９０は導体層１８０と一体になっている。
　図７は、図２のＤ－Ｄ断面図である。図７において、説明のため被覆膜２００も示している。本図に示す例において、遮光層１９０の幅は第１電極１１０の幅よりも小さくなっている。ただし、図８の第１の変形例に示すように、遮光層１９０の幅は第１電極１１０の幅とほぼ等しくてもよいし、図９の第２の変形例に示すように、遮光層１９０の幅は第１電極１１０の幅よりも大きくてもよい。
　次に、発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。この際、遮光層１９０も形成される。
　次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０及び有機層１２０をこの順に形成する。次いで、第２電極１３０を、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成する。この際、隔壁１７０の上面がマスクとなり、第２電極１３０は分断される。次いで、被覆膜２００を、例えばＡＬＤ法を用いて形成する。
　本実施形態において、隔壁１７０に光が照射されると、隔壁１７０から有機層１２０を劣化させる因子が発生する可能性がある。この可能性は、隔壁１７０が感光性の材料を用いて形成されている場合、特に大きくなる。
　これに対して本実施形態に係る発光装置１０において、隔壁１７０のうち少なくとも発光部１４０に対向する部分は、遮光層１９０によって覆われている。このため、基板１００側から隔壁１７０に光は到達しにくい。従って、隔壁１７０から有機層１２０の劣化因子が発生することを抑制できる。この結果、発光装置１０の寿命は長くなる。
（変形例）
　図１０は、変形例に係る発光装置１０の要部の構成を示す断面図であり、実施形態における図７に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、遮光層１９０が第１電極１１０と基板１００の間に位置している点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。本変形例において、図示していないが導体層１８０も引出配線１１４（又は引出配線１３４）と基板１００の間に位置している。
　本変形例によっても、隔壁１７０のうち少なくとも有機層１２０に対向する部分は、遮光層１９０によって覆われている。このため、実施形態と同様に、基板１００側から隔壁１７０に光は到達しにくい。従って、隔壁１７０から有機層１２０の劣化因子が発生することを抑制できる。この結果、発光装置１０の寿命は長くなる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (11)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
    　前記発光部を画定する絶縁層と、
    　前記絶縁層の上に位置する隔壁と、
    　前記発光部、前記絶縁層の少なくとも一部、及び前記隔壁の少なくとも一部を覆う被覆膜と、
    を備え、
    　前記第２電極は、前記隔壁に沿って分断しており、
    　少なくとも前記発光部に対向する部分に位置し、且つ前記隔壁と前記基板の間に位置する遮光層を備える発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　前記遮光層は前記絶縁層と前記第１電極の間に位置している発光装置。
  3. 　請求項２に記載の発光装置において、
    　前記第１電極は第１の方向に延在しており、
    　複数の前記第２電極が互いに並んで前記第１電極に交わる第２の方向に延在しており、
    　前記隔壁は前記第２の方向に延在しており、
    　前記発光部は前記第１電極と前記第２電極の交点のそれぞれに位置しており、
    　前記遮光層は、前記複数の発光部の間に位置している発光装置。
  4. 　請求項３に記載の発光装置において、
    　前記遮光層は導体層であり、
    　複数の前記第１電極が互いに並んでおり、
    　第１の前記第１電極と第１の前記隔壁が重なる領域に第１の前記遮光層が位置しており、
    　前記第１の第１電極の隣に位置する第２の前記第１電極と前記第１の隔壁が重なる領域に第２の前記遮光層が位置しており、
    　前記第１の遮光層と前記第２の遮光層は互いに分離されている発光装置。
  5. 　請求項４に記載の発光装置において、
    　前記複数の第１電極は補助電極を有しており、
    　前記遮光層は前記補助電極と同一の材料を用いて形成されている発光装置。
  6. 　請求項５に記載の発光装置において、
    　前記遮光層は金属層を有している発光装置。
  7. 　請求項６に記載の発光装置において、
    　前記金属層はＡｌ層である発光装置。
  8. 　請求項１～７のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記隔壁が延在する方向に対して垂直な断面において、前記隔壁の上面の幅は前記隔壁の下面の幅よりも広い発光装置。
  9. 　請求項８に記載の発光装置において、
    　前記隔壁の幅方向において、前記遮光層の幅は前記隔壁の上面の幅よりも大きい発光装置。
  10. 　請求項１～９のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記被覆膜は、前記隔壁の両側に位置する前記第２電極、並びに前記隔壁の側面及び上面を連続して覆っている発光装置。
  11. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記有機層の端部は前記隔壁の一方の側面に接触している発光装置。
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