JP2016181373A

JP2016181373A - 発光装置

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Publication number: JP2016181373A
Application number: JP2015060483A
Authority: JP
Inventors: 田中　信介; Shinsuke Tanaka; 信介田中
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2015-03-24
Filing date: 2015-03-24
Publication date: 2016-10-13

Abstract

【課題】出荷後に封止膜の封止能力が低下するリスクを減らす。【解決手段】発光部は基板に形成されており、有機層を有している。封止膜２００は発光部を封止している。被覆層２１０は封止膜２００の上に形成され、水分及び酸素の少なくとも一方により劣化する。保護膜２２０は被覆層２１０の上に形成され、水分の透過率が被覆層２１０よりも低い材料によって形成されている。被覆層２１０は、例えば蛍光性を有する有機材料を用いて形成されており、保護膜２２０は、例えば金属又は無機材料を用いて形成されている。【選択図】図５

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は、発光部に有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極及び第２電極で挟んだ構成を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、発光部は封止される必要がある。発光部を封止する方法の一つに、封止膜を用いる方法がある。封止膜を形成する方法としては、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法、又はスパッタリング法などの気相成膜法がある。

気相成膜法を用いて封止膜を形成した場合、異物が入るなどして、封止膜に欠陥が入る可能性がある。特許文献１には、この欠陥を検出するために封止膜の上に検査用導電膜を形成し、第２電極と検査用導電膜の間に直流又は交流の電圧を印加することが記載されている。

特開２００８−１６６９９号公報

第２電極の上や第２電極が形成される前に異物が存在した場合、封止膜は、この異物、あるいは異物上に形成される第２電極の上に形成される。ここで、異物と第２電極の境目において、封止膜は薄くなりやすい。この場合、出荷後にこの薄くなった部分に亀裂が生じ、封止膜の封止能力が低下する恐れがある。しかし、特許文献１に記載の技術では、この薄くなった部分に孔が形成されていないと、異常と判定できない。このため、出荷前に特許文献１に記載の検査を行っても、出荷後に封止能力が低下するリスクを減らすことは難しい。

本発明が解決しようとする課題としては、出荷後に封止能力が低下するリスクを減らすことが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、基材と、
前記基材に形成され、有機層を有する発光部と、
前記発光部を封止する封止膜と、
前記封止膜の上に形成され、水分及び酸素の少なくとも一方により劣化する被覆層と、
前記被覆層の上に形成され、水分の透過率が前記被覆層よりも低い材料によって形成された保護膜と、
を備える発光装置である。

請求項５に記載の発明は、基材と、
前記基材に形成され、有機層を有する発光部と、
前記発光部を封止する封止膜と、
前記封止膜の上に形成され、蛍光性を有していて有機材料からなる被覆層と、
前記被覆層の上に形成され、金属又は無機材料を用いて形成された保護膜と、
を備える発光装置である。

第１の実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。図１から被覆層、保護膜、封止膜、及び第２電極を取り除いた図である。図２から絶縁層及び有機層を取り除いた図である。図１のＡ−Ａ断面図である。図４の点線αで囲まれた領域を拡大した図である。図４の点線αで囲まれた領域を拡大した図である。第２の実施形態に係る発光装置の平面図である。図７から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。図７のＢ−Ｂ断面図である。図７のＣ−Ｃ断面図である。図７のＤ−Ｄ断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、図１から被覆層２１０、保護膜２２０、封止膜２００、及び第２電極１３０を取り除いた図である。図３は、図２から絶縁層１５０及び有機層１２０を取り除いた図である。図４は図１のＡ−Ａ断面図である。なお、図１において、説明のため、封止膜２００、被覆層２１０、及び保護膜２２０は点線で示されている。

本実施形態に係る発光装置１０は、基板１００（基材）、発光部１４０、封止膜２００、被覆層２１０、及び保護膜２２０を備えている。発光部１４０は基板１００に形成されており、有機層１２０を有している。封止膜２００は発光部１４０を封止している。被覆層２１０は封止膜２００の上に形成され、水分及び酸素の少なくとも一方により劣化する。保護膜２２０は被覆層２１０の上に形成され、水分の透過率が被覆層２１０よりも低い材料によって形成されている。被覆層２１０は、例えば蛍光性を有する有機材料を用いて形成されており、保護膜２２０は、例えば金属又は無機材料を用いて形成されている。以下、発光装置１０について詳細に説明する。

発光装置１０が後述のボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０が後述のトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。ここで、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませる。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。

基板１００には発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、発光を生じさせるための構造、例えば有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。

なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、基板１００を光が透過する場合、すなわち発光装置１０からの発光が基板１００を透過して行われる場合（すなわちトムエミッション型）の例である。他の場合として、基板１００とは逆側を光が透過する場合がある。すなわち、発光装置１０からの発光が基板１００を透過しないで行われる場合（トップエミッション型）である。トップエミッション型では、逆積型と、順積型との２種類の積層構造を採用できる。逆積型では、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料はボトムエミッション型と逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。他方の順積型では、上記した第２電極１３０の材料の上に第１電極１１０の材料を形成し、更にその上に有機層１２０、さらにその上に薄く成膜した第２電極１３０を形成することで、基板１００とは逆側から光を取出す構造である。なお、薄く成膜する材料は、例えば第２電極１３０の材料として例示した材料やＭｇＡｇ合金などである。本実施形態にかかる発光装置１０は、ボトムエミッション型、及び上記した２種類のトップエミッション型のいずれの構造であってもよい。

有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。

発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。

発光部１４０は、封止膜２００によって封止されている。封止膜２００は、基板１００のうち発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。ただし、第１端子１１２及び第２端子１３２は封止膜２００で覆われていない。封止膜２００は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの無機材料によって形成されている。また、封止膜２００の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。

封止膜２００は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、封止膜２００の段差被覆性は高くなる。またこの場合、封止膜２００は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、封止膜２００は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。

ただし、封止膜２００は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、封止膜２００は、ＳｉＯ_２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

そして、封止膜２００のうち少なくとも発光部１４０と重なる領域には、被覆層２１０及び保護膜２２０が形成されている。図１及び図４に示す例において、封止膜２００は、基板１００のうち第１端子１１２と重なる領域及び第２端子１３２と重なる領域を除いたほぼ全域に形成されている。これに対して被覆層２１０及び保護膜２２０は、発光部１４０と重なる領域及びその周囲に設けられている。言い換えると、被覆層２１０及び保護膜２２０は、封止膜２００の一部の領域を覆っていない。ただし、被覆層２１０及び保護膜２２０も、基板１００のうち第１端子１１２と重なる領域及び第２端子１３２と重なる領域を除いたほぼ全域に形成されていてもよい。

被覆層２１０は、水分及び酸素の少なくとも一方により劣化する材料を用いて形成されている。この材料は、例えば蛍光性を有している有機材料、具体的には有機層１２０を構成するいずれかの層（例えば発光層）と同一の材料である。被覆層２１０の材料には、例えば、Ａｌｑ３（tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium）等を用いることができる。この場合、発光装置１０の製造コストを低くすることができる。ただし、被覆層２１０は他の材料を用いて形成されていてもよい。被覆層２１０は例えば単層構造を有しており、その厚さは、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下である。

保護膜２２０は、水分の透過率が前記被覆層よりも低い材料、例えば金属又は無機材料を用いて形成されている。この金属材料又は無機材料には、例えばＡｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇ合金、Ａｕ、Ｃｕ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、又はＳｉＯＮが用いられる。そして保護膜２２０は、例えばＣＶＤ法又は真空蒸着法を用いて形成されている。保護膜２２０は、例えば短層構造である。また、保護膜２２０の厚さは、例えば５０μｍ以上３００μｍ以下である。

次に、発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０を形成する。この工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２も形成される。次いで、絶縁層１５０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に形成する。

次いで、封止膜２００を、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＡＬＤ法などの成膜法を用いて形成する。このとき、封止膜２００は発光部１４０と重なる領域を含めて、基板１００のほぼ全面に形成される。

次いで、封止膜２００の上に被覆層２１０を形成する。被覆層２１０が有機層で形成される場合、被覆層２１０は、蒸着法又は塗布法を用いて形成される。次いで、被覆層２１０の上に保護膜２２０を、例えば真空蒸着法又はＣＶＤ法を用いて形成する。ここで、被覆層２１０及び保護膜２２０は、封止膜２００と比較して段差被覆性が低い成膜方法を用いて形成される。

その後、封止膜２００のうち、第１端子１１２及び第２端子１３２と重なる部分を除去する。なお、この除去工程は、封止膜２００を形成した後、被覆層２１０を形成する前に行われてもよい。

図５は、図４の点線αで囲まれた領域を拡大した図である。上記したように、発光部１４０の上（具体的には第２電極１３０の上）には、封止膜２００が形成されている。ここで、第２電極１３０の上に異物Ｍが位置していた場合、または第２電極１３０が形成される前に異物Ｍが形成されていた場合（異物Ｍのサイズは、一般的に、発光装置１０の有機層１２０や第２電極１３０の膜厚のオーダーの数十〜数百倍となるため、異物Ｍの場所が第２電極１３０の上であるかの如何を問わない）、封止膜２００は、異物Ｍを覆うように形成される。ここで、封止膜２００は段差被覆性の高い方法で形成されているため、第２電極１３０の上に異物Ｍが位置していても、第２電極１３０及び異物Ｍを隙間なく覆うことができる場合がある。このような場合において、例えば発光装置１０が工場から出荷された後に、異物Ｍが第２電極１３０の上から移動すると、封止膜２００にピンホールが形成されてしまう。このような理由で形成されたピンホールは、工場における出荷前検査では検出できない。

これに対して本実施形態では、封止膜２００の上には被覆層２１０及び保護膜２２０が形成されている。被覆層２１０及び保護膜２２０は、封止膜２００よりも段差被覆性が低い方法を用いて形成されている。このため、異物Ｍが存在した場合、異物Ｍの周囲において被覆層２１０及び保護膜２２０には不連続な部分（隙間Ｓ）が形成される。

ここで、被覆層２１０は水分及び酸素の少なくとも一方により劣化する材料を用いて形成されている。このため、保護膜２２０に隙間Ｓが形成されていると、隙間Ｓから酸素又は水分が入り込み、図６に示すように、被覆層２１０のうち異物Ｍの周囲に位置する部分が劣化し、劣化部２１２となる。このため、劣化部２１２の有無を調べることにより、異物Ｍの有無を判断することができる。ここで被覆層２１０が蛍光性を有している場合、劣化部２１２は蛍光性を失う。このため、被覆層２１０に、被覆層２１０が蛍光を発するための波長の光を照射し、被覆層２１０のうち蛍光を発しない部分の有無を調べることにより、異物Ｍの有無を判断することができる。この検査は、例えば目視や画像検査により行われる。従って、劣化部２１２を有する発光装置１０を不良品にすることにより、発光装置１０が工場から出荷された後に被覆層２１０にピンホールが形成されることを抑制できる。

なお、被覆層２１０は段差被覆性が高い方法により形成されていてもよい。この場合においても、保護膜２２０に隙間Ｓが形成されていると、上記したメカニズムによって異物Ｍの有無を例えば目視で判定することができる。

（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図８は、図７から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図９は図７のＢ−Ｂ断面図であり、図１０は図７のＣ−Ｃ断面図であり、図１１は図７のＤ−Ｄ断面図である。なお、図９、図１０、及び図１１において、封止膜２００、被覆層２１０、及び保護膜２２０は省略されている。

本実施形態に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。

第１電極１１０は、第１方向（図７におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。

引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。導体層１８０は、複数の層を積層した構成（例えばＭｏ合金層、Ａｌ合金層、及びＭｏ合金層をこの順に積層した構成）を有していてもよい。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。

絶縁層１５０は、図７、及び図９〜図１１に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図７におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図７におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図７におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図７におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。

引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。

なお、図９及び図１０に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図７に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１１に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。

第２電極１３０は、図７、図９〜図１１に示すように、第１方向と交わる第２方向（図７におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。

そして、発光装置１０は封止膜２００、被覆層２１０、及び保護膜２２０を有している。封止膜２００、被覆層２１０、及び保護膜２２０の構成及びレイアウトは、第１の実施形態に示した通りである。ただし本実施形態では、第１端子１１２及び第２端子１３２は、基板１００のうち同一の辺に沿って配置されている。そして、封止膜２００のうち第１端子１１２と重なっている部分及び第２端子１３２と重なっている部分には、いずれも開口２０２が形成されている。開口２０２は、封止膜２００のうち第１端子１１２と重なる部分（又は第２端子１３２と重なる部分）が除去されることにより、形成されている。

次に、本実施形態における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。

次いで、引出配線１１４上及び引出配線１３４上に、導体層１８０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態と同様である。

そして、封止膜２００、被覆層２１０、及び保護膜２２０を形成する。次いで、被覆層２１０に劣化部２１２が形成されているか否かを検査する。この検査方法も、第１の実施形態と同様である。

本実施形態によれば、発光部１４０を用いたディスプレイにおいて、第１の実施形態と同様に、封止膜２００の下に異物Ｍが位置しているか否かを調べることができる。このため、発光装置１０が工場から出荷された後に被覆層２１０にピンホールが形成されることを抑制できる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０発光装置
１００基板
１１０第１電極
１２０有機層
１３０第２電極
１４０発光部
２００封止膜
２１０被覆層
２１２劣化部
２２０保護膜

Claims

基材と、
前記基材に形成され、有機層を有する発光部と、
前記発光部を封止する封止膜と、
前記封止膜の上に形成され、水分及び酸素の少なくとも一方により劣化する被覆層と、
前記被覆層の上に形成され、水分の透過率が前記被覆層よりも低い材料によって形成された保護膜と、
を備える発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
前記被覆層は蛍光性を有している有機材料を用いて形成されている発光装置。
請求項２に記載の発光装置において、
前記有機材料は、前記有機層の少なくとも一部の層と同一の材料である発光装置。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記封止膜は無機材料により形成されており、
前記保護膜は、金属又は無機材料を用いて形成されている発光装置。
基材と、
前記基材に形成され、有機層を有する発光部と、
前記発光部を封止する封止膜と、
前記封止膜の上に形成され、蛍光性を有していて有機材料からなる被覆層と、
前記被覆層の上に形成され、金属又は無機材料を用いて形成された保護膜と、
を備える発光装置。
請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記封止膜は多層構造を有しており、
前記封止膜を構成する複数の層のそれぞれは、前記保護膜よりも薄い発光装置。
請求項６に記載の発光装置において、
前記保護膜は単層構造を有している発光装置。
請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記封止膜はＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されており、
前記保護膜はＣＶＤ法又は真空蒸着法を用いて形成されている発光装置。
請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記封止膜は前記発光部及び前記発光部の周囲に位置する領域に形成されており、
前記被覆層は、前記封止膜のうち前記発光部と重なる領域に形成されており、かつ前記封止膜の一部を覆っていない発光装置。