JP2016170963A

JP2016170963A - 発光装置

Info

Publication number: JP2016170963A
Application number: JP2015049671A
Authority: JP
Inventors: 中村　毅; Takeshi Nakamura; 毅中村
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2015-03-12
Filing date: 2015-03-12
Publication date: 2016-09-23

Abstract

【課題】抵抗駆動方式の発光装置において、発光装置を薄くする。
【解決手段】発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、第１端子１１２、及び第１抵抗層２００を備えている。発光部１４０は基板１００に形成されており、第１電極１１０を有している。第１端子１１２は基板１００に形成されており、第１電極１１０に電気的に接続している。第１抵抗層２００は第１端子１１２の上に形成されており、第１電極１１０よりも抵抗が高い材料を用いて形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は、発光素子として有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極と、第２電極とで挟んだ構成を有している。有機ＥＬ素子を有する発光装置には、例えば照明装置や表示装置がある。

例えば特許文献１には、有機ＥＬ素子を有する表示装置において、複数の画素それぞれに対して抵抗体を設けることが記載されている。この抵抗体は画素と同じ基板に設けられており、配線の少なくとも一部として設けられている。

また特許文献２には、有機ＥＬ素子を有する表示装置において、電極よりも抵抗の高い材料を用いて端子を形成することが記載されている。

また特許文献３には、有機ＥＬ素子を有する表示装置において、画素による輝度のばらつきを抑制するために、配線の抵抗値を画素別に異ならせるために、配線の形状を画素別に異ならせることが記載されている。

特開２００１−１５５８５６号公報特開２００７−１８７６８号公報特開２００７−７２０３３号公報

有機ＥＬ素子を発光装置の光源にすると、発光装置を薄くすることができる。一方、有機ＥＬ素子を発光装置の光源にすると、発光装置に電流を制限するための回路を設ける必要がある。発光装置の電流を細かく制御したい場合、発光装置に、マイコンを有する制御回路を設けることになる。一方、発光装置の電流を一定値に制御すればよい場合、マイコンを有する制御回路を設けると、発光装置のコストが高くなってしまう。このようなコスト高を抑制するためには、抵抗を用いて発光装置の電流を制限すればよい（抵抗駆動方式）。しかし、発光装置にディスクリートタイプの抵抗素子を設けると、発光装置が厚くなってしまう。

本発明が解決しようとする課題としては、抵抗駆動方式の発光装置において、発光装置を薄くすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成され、第１電極を含む発光部と、
前記基板に形成され、前記第１電極に電気的に接続している第１端子と、
前記第１端子の上に形成され、前記第１電極よりも抵抗が高い材料を用いて形成されている第１抵抗層と、
を備える発光装置である。

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。図１から第２電極、封止部、第１抵抗層、及び第２抵抗層を取り除いた図である。図２から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。図１のＡ−Ａ断面図である。発光装置の等価回路を、電源やスイッチとともに示す図である。変形例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。図６の変形例を示す断面図である。変形例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。変形例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。変形例４に係る発光装置の構成を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１において、説明のため封止部１６０を点線で示している。図２は図１から第２電極１３０、封止部１６０、第１抵抗層２００、及び第２抵抗層２１０を取り除いた図である。図３は、図２から有機層１２０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図４は図１のＡ−Ａ断面図である。

実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、第１端子１１２、及び第１抵抗層２００を備えている。発光部１４０は基板１００に形成されており、第１電極１１０を有している。第１端子１１２は基板１００に形成されており、第１電極１１０に電気的に接続している。第１抵抗層２００は第１端子１１２の上に形成されており、第１電極１１０よりも抵抗が高い材料を用いて形成されている。以下、発光装置１０について詳細に説明する。

発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光部１４０が形成される面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。

基板１００には発光部１４０が形成されている。発光部１４０は有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、薄い金属層（例えばＡｇ層）、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。

有機層１２０は、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層（例えば正孔注入層）は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されていてもよいし、塗布法を用いて形成されていてもよい。

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。

なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、発光装置１０がボトムエミッション型の場合である。発光装置１０がトップエミッション型である場合、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料は逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。

第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層１５０を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。絶縁層１５０は、例えば、絶縁層１５０となる樹脂材料を塗布した後、この樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。

また、発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に電気的に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に電気的に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２には、導通部材、例えばボンディングワイヤやリード部材が取り付けられる。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。第１端子１１２のうち第１電極１１０と同一の材料で形成された層は、第１電極１１０と一体になっている。一方、第２端子１３２のうち第１電極１１０と同一の材料で形成された層は、第１電極１１０から分離している。

本図に示す例において、基板１００は多角形、詳細には矩形である。そして第１端子１１２は、基板１００の一辺に沿って延在しており、第２端子１３２は、基板１００の他の一辺（例えば第１端子１１２に対向する辺）に沿って延在している。第１端子１１２及び第２端子１３２の長さは、例えば１ｃｍ以上である。ただし、第１端子１１２及び第２端子１３２の形状、レイアウト、及び数は、本図に示す例に限定されない。

また、発光装置１０は、封止部１６０を有している。封止部１６０は、発光部１４０を封止している。本図に示す封止部１６０は封止部材であり、例えばガラス、アルミニウムなどの金属、又は樹脂を用いて形成されている。封止部１６０は、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部１６０の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部１６０と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして発光部１４０は、この封止された空間の中に位置している。

なお、封止部１６０は原子層成長（ＡＬＤ）法で形成された膜又は化学気相成長（ＣＶＤ）法で形成された膜であってもよい。封止膜の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。封止膜がＡＬＤ法を用いて形成されている場合、封止膜は、例えば酸化アルミニウム膜又は酸化チタン膜の少なくとも一方を有している。封止膜がＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されている場合、封止膜は、ＳｉＯ_２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されている。

そして、第１端子１１２の上には第１抵抗層２００が形成されており、第２端子１３２の上には第２抵抗層２１０が形成されている。第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０は、いずれも第１電極１１０よりも高抵抗な材料を用いて形成されている。この高抵抗な材料は、例えば有機材料である。この有機材料としては、例えば有機層１２０を構成する層の少なくとも一つと同じものを使用することができる。このようにすると、有機層１２０を形成する工程において第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０を形成することができる。第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０は、有機層１２０を構成するすべての層を有していてもよいし、有機層１２０を構成する層の一部のみを有していてもよい。そして、この層の数を調整することにより、第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０の抵抗値を調整することができる。

ここで、第２抵抗層２１０の材料は第１抵抗層２００の材料と同じになる。また、第１抵抗層２００の膜厚は第２抵抗層２１０の膜厚とほぼ同じになる。具体的には、第２抵抗層２１０の厚さは、第１抵抗層２００の厚さの９０％以上１１０％以下である。このようにすると、第１抵抗層２００の抵抗値と第２抵抗層２１０の抵抗値を、ほぼ同じ値にすることができる。

ただし、第１抵抗層２００を構成する層の数と、第２抵抗層２１０を構成する層の数とを異ならせることもできるため、第１抵抗層２００の厚さに対する第２抵抗層２１０の厚さの比は、上記した範囲に限定されない。例えば第１電極１１０、第１端子１１２、及び第１抵抗層２００の合成抵抗の値を、第２電極１３０、第２端子１３２、及び第２抵抗層２１０の合成抵抗の値に合わせるために、第１抵抗層２００を第２抵抗層２１０よりも薄くしてもよい。

なお、第１抵抗層２００の材料及び第２抵抗層２１０の材料は、上記した例に限定されない。

また、図１に示す例において、第１抵抗層２００は第１端子１１２の９０％以上（好ましくは全面）を覆っており、第２抵抗層２１０は第２端子１３２の９０％以上（好ましくは全面）を覆っている。このようにすると、第１端子１１２のいずれの場所に上記した導通部材（例えばボンディングワイヤやリード部材）を取り付けても、後述する発光装置１０の等価回路において第１抵抗層２００の抵抗成分は現れ、また、第２端子１３２のいずれの場所に導通部材を取り付けても、発光装置１０の等価回路において第２抵抗層２１０の抵抗成分は現れる。

次に、発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００の第１面１０２に第１電極１１０を形成する。この工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２も形成される。次いで、基板１００の第１面１０２に、絶縁層１５０となる樹脂材料を塗布し、この樹脂材料を露光及び現像する。これにより、絶縁層１５０が形成される。

次いで、第１電極１１０のうち第１絶縁層１５０で囲まれた領域に、有機層１２０を形成する。この工程において、第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０も形成される。次いで、第２電極１３０を形成する。その後、封止部１６０を用いて、発光部１４０を封止する。

図５は、発光装置１０の等価回路を、電源やスイッチとともに示す図である。本実施形態によれば、発光部１４０の第１電極１１０には電源の＋端子が電気的に接続され、発光部１４０の第２電極１３０には電源の−端子が電気的に接続される。そして、発光部１４０の第１電極１１０と電源の間には第１抵抗層２００が存在し、発光部１４０の第２電極１３０と電源の間には第２抵抗層２１０が存在する。このため、マイコンを有する制御回路を用いなくても、発光部１４０に流れる電流を所望の値に制限することができる。また、ディスクリートタイプの抵抗素子を設ける場合と比較して、発光装置１０を薄くすることができ、かつ、発光装置１０の製造コストを低くすることができる。

発光装置１０に加わる電圧が１２Ｖ程度、発光部１４０の順方向電圧が８Ｖ程度の場合、第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０に加わる電圧は、合計で４Ｖ程度となる。この時の駆動電流を２５０ｍＡ程度とすると、第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０の合成抵抗値（直列抵抗の合計値）は８Ω程度となる。前述の通り、第１抵抗層２００と第２抵抗層２１０の抵抗値はほぼ同じ値であることが好ましいので、第１抵抗層２００及び第１端子１１２の合成抵抗値（直列抵抗の合計値）は４Ω程度、２抵抗層２１０及び第２端子１３２の合成抵抗値も４Ω程度が好ましい。

ここで、第１抵抗層２００の抵抗値と第２抵抗層２１０の抵抗値を揃えると、第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０のいずれか一方の発熱量が高くなることを抑制できる。

また、第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０を有機層１２０の少なくとも一つの層と同一の材料を用いて形成した場合、第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０を設けても、発光装置１０の工程数は増加しない。このため、発光装置１０の製造コストが上昇することを抑制できる。

（変形例１）
図６は、変形例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図４に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、第１低抵抗層２０２及び第２低抵抗層２１２を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。

第１低抵抗層２０２は第１抵抗層２００の上に形成されており、第２低抵抗層２１２は第２抵抗層２１０の上に形成されている。第１低抵抗層２０２及び第２低抵抗層２１２は、いずれも金属、例えばＡｕ、Ａｌ、又はＳｎを用いて形成されている。第１低抵抗層２０２及び第２低抵抗層２１２は、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成される。第１低抵抗層２０２及び第２低抵抗層２１２が第２電極１３０と同じ材料で形成されている場合、第１低抵抗層２０２及び第２低抵抗層２１２は、第２電極１３０と同一工程で形成されてもよい。また、第１低抵抗層２０２及び第２低抵抗層２１２は、第２電極１３０と異なる工程で形成されていてもよい。

本変形例によっても、発光装置１０は第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０を有しているため、発光部１４０に流れる電流を所望の値に制限することができる。また、第１抵抗層２００の上に金属からなる第１低抵抗層２０２を形成しているため、ボンディングワイヤやリード端子などの導通部材を第１端子１１２に固定しやすくなる。また、第２抵抗層２１０の上に金属からなる第２低抵抗層２１２を形成しているため、ボンディングワイヤやリード端子などの導通部材を第２端子１３２に固定しやすくなる。

なお、図６に示す例において、第１低抵抗層２０２は第１端子１１２に接しておらず、第２低抵抗層２１２は第２端子１３２に接していない。ただし、図７に示すように、第１低抵抗層２０２の幅を第１抵抗層２００の幅よりも広くして、第１低抵抗層２０２の下面の一部が第１端子１１２に接するようにしてもよい。また、第２低抵抗層２１２の幅を第２抵抗層２１０の幅よりも広くして、第２低抵抗層２１２の下面の一部が第２端子１３２に接するようにしてもよい。このようにすると、第１抵抗層２００の上面及び側面は第１低抵抗層２０２で覆われ、第２抵抗層２１０の上面及び側面は第２低抵抗層２１２で覆われる。従って、第１低抵抗層２０２を用いて第１抵抗層２００を水分等から保護することができ、また、第２低抵抗層２１２を用いて第２抵抗層２１０を水分等から保護することができる。

なお、図７に示す例において、第１低抵抗層２０２及び第２低抵抗層２１２は、第１低抵抗層２０２の抵抗値及び第２低抵抗層２１２の抵抗値を小さくすることを目的として、なるべく厚いのが好ましい。第１低抵抗層２０２の厚さ方向の抵抗値は第１抵抗層２００の厚さより大幅に小さいのが好ましい。また、第２低抵抗層２１２の厚さ方向の抵抗値は第２抵抗層２１０より大幅に小さいのが好ましい。

（変形例２）
図８は、変形例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図４に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、第２端子１３２が第２電極１３０と同一の層を用いて形成されている点、言い換えると第２端子１３２が第２電極１３０と一体になっている点を除いて、実施形態に係る発光装置１０又は変形例１に係る発光装置１０と同様の構成である。なお、本図は変形例１と同様の場合を示している。

本変形例によっても、発光装置１０は第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０を有しているため、発光部１４０に流れる電流を所望の値に制限することができる。また、第１抵抗層２００の上面は第１低抵抗層２０２で覆われており、第２抵抗層２１０の上面は第２低抵抗層２１２で覆われている。このため、第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０が有機層で形成されている場合、第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０が酸化することを抑制できる。従って、第２電極１３０と第２端子１３２の間の抵抗を低くすることができる。

（変形例３）
図９は、変形例３に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図４に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、導体層１８０を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置１０又は変形例１に係る発光装置１０と同様の構成である。なお、本図は変形例１と同様の場合を示している。

導体層１８０は、第１端子１１２と第１抵抗層２００の間、及び、第２端子１３２と第２抵抗層２１０の間のそれぞれに形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗が低い材料、例えば金属又は合金によって形成されている。導体層１８０は、単層構造であってもよいし多層構造であってもよい。導体層１８０は、例えばＭｏ合金層（例えばＭｏＮｂ層）、Ａｌ合金層（例えばＡｌＮｄ層）、及びＭｏ合金層（例えばＭｏＮｂ層）をこの順に形成した構成を有している。導体層１８０は、第１端子１１２の全面に形成されていてもよい。また、導体層１８０は第２端子１３２の全面に形成されていてもよい。

なお、導体層１８０は、第１電極１１０の上にも形成されていてもよい。この場合、導体層１８０のうち第１電極１１０の上に位置する部分は、例えば複数の線状の電極として形成され、第１電極１１０の補助電極として機能する。

本変形例によっても、発光装置１０は第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０を有しているため、発光部１４０に流れる電流を所望の値に制限することができる。また、導体層１８０を形成することにより、第１端子１１２、及び第２端子１３２の見かけ上の抵抗は低くなる。また、第１電極１１０に導体層１８０を形成した場合、第１電極１１０の見かけ上の抵抗は低くなるため、発光部１４０の輝度が面内でばらつきにくくなる。

（変形例４）
図１０は、変形例４に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図４に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、保護層２０４，２１４を有している点を除いて、実施形態又は変形例１〜３のいずれかと同様の構成を有している。本図は、変形例３と同様の場合を示している。

保護層２０４は、例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料を用いて形成されており、少なくとも第１抵抗層２００の側面を覆っている。保護層２１４も保護層２０４と同様の材料を用いて形成されており、少なくとも第２抵抗層２１０の側面を覆っている。本図に示す例では、保護層２０４は、第１抵抗層２００及び第１低抵抗層２０２の積層体の側面及び第１低抵抗層２０２の上面の縁を覆っている。また、保護層２１４は、第２抵抗層２１０及び第２低抵抗層２１２の積層体の側面及び第２低抵抗層２１２の上面の縁を覆っている。保護層２０４，２１４は互いに同一の工程で形成されている。なお、保護層２０４は、樹脂材料以外の材料で形成されていてもよい。

本変形例によっても、発光装置１０は第１抵抗層２００及び第２抵抗層２１０を有しているため、発光部１４０に流れる電流を所望の値に制限することができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０発光装置
１００基板
１１０第１電極
１１２第１端子
１２０有機層
１３０第２電極
１３２第２端子
１４０発光部
１８０導体層
２００第１抵抗層
２０２第１低抵抗層
２０４保護層
２１０第２抵抗層
２１２第２低抵抗層
２１４保護層

Claims

基板と、
前記基板に形成され、第１電極を含む発光部と、
前記基板に形成され、前記第１電極に電気的に接続している第１端子と、
前記第１端子の上に形成され、前記第１電極よりも抵抗が高い材料を用いて形成されている第１抵抗層と、
を備える発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１抵抗層の上に形成された金属層を備える発光装置。
請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記第１電極は透明導電材料を用いて形成されている発光装置。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第１抵抗層は有機材料を用いて形成されている発光装置。
請求項４に記載の発光装置において、
前記発光部は、前記第１電極の他に、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を備え、
前記有機層の少なくとも一部は前記有機材料を用いて形成されている発光装置。
請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光部は、前記第１電極の他に、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を備え、
前記基板に形成され、前記第２電極に電気的に接続している第２端子と、
前記第２端子の上に形成され、前記第２電極よりも抵抗が高い材料を有する第２抵抗層と、
を備える発光装置。
請求項６に記載の発光装置において、
前記第２抵抗層は、前記第１抵抗層と同じ材料で形成されており、
前記第２抵抗層の厚さは、前記第１抵抗層の厚さの９０％以上１１０％以下である発光装置。
請求項６又は７に記載の発光装置において、
前記第１抵抗層は前記第１端子の９０％以上を覆っており、
前記第２抵抗層は前記第２端子の９０％以上を覆っている発光装置。