WO2013175574A1 - 有機ｅｌパネルおよびこれを用いた発光装置の製造方法 - Google Patents

有機ｅｌパネルおよびこれを用いた発光装置の製造方法 Download PDF

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石塚　真一
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パイオニア株式会社
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    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence panel (hereinafter referred to as an organic EL panel) and a method for manufacturing a light emitting device using the same.
  • LED lighting emits light in a narrow region, it is necessary to diffuse light by some method.
  • illumination using an organic EL panel has a merit that a wide and uniform light can be obtained because the organic EL panel itself emits surface light.
  • the organic EL panel is very thin, and it is possible to illuminate the wall surface of the room itself by attaching the organic EL panel to a wall or ceiling, etc., and a flexible substrate using flexible plastic Can be attached to the curved surface by providing flexibility.
  • the characteristics of the organic EL panel vary depending on the manufacturing process, lot, or light emitting layer material. Due to the variation in the characteristics of the light emitting layer, for example, the characteristics of the light emission luminance (current density-luminance efficiency) vary among the organic EL panels juxtaposed for illumination over a wide area.
  • Patent Document 1 includes an organic EL panel that includes an output detection terminal, performs feedback control for controlling power supplied to the light emitting element based on the output of the output detection terminal, and uses a plurality of panels. It is disclosed that the variation in the light emission luminance of the organic EL panel in the case of configuring the above is suppressed.
  • Patent Document 1 it is effective to suppress the light emission luminance of the organic EL panel by controlling the power supplied to the light emitting element so that the outputs of the output detection terminals are the same.
  • the feedback control circuit since the feedback control circuit is formed, there is a problem that the control circuit is incorporated in the drive circuit system of the organic EL panel, the circuit becomes complicated as a whole, and the manufacturing cost increases.
  • the problem to be solved by the present invention is, for example, the above-described problem, and it is possible to reduce the light emission luminance between organic EL panels with a relatively simple configuration without using a control circuit and low manufacturing costs. It is an object of the present invention to provide a light emitting device for an organic EL panel that can suppress the above.
  • the organic EL panel of the invention according to claim 1 is a substrate, a light emitting portion of the organic EL panel provided on the substrate, a current supply terminal provided on the substrate for supplying a current to the light emitting portion, A current density adjusting unit electrically connected in parallel to the light emitting unit with respect to the current supply terminal and provided on the substrate, and the current density of the light emitting unit is reduced by processing the current density adjusting unit. It is characterized by adjusting.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 1.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of an IC chip that forms a part of the organic EL panel of FIG. 1.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of an IC chip that forms a part of the organic EL panel of FIG. 1.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of an IC chip that forms a part of the organic EL panel of FIG. 1.
  • an organic EL panel 1 includes a transparent substrate 3 made of a transparent material such as a substantially rectangular glass that bears the light emitting portion 2 at the center thereof.
  • External connection terminals 4a and 4b which are current supply terminals, are provided in the vicinity of one end of the substrate 3 in the longitudinal direction, for example.
  • the external connection terminals 4a and 4b are connected to the trunk portions 5a and 5b of the conductive pattern 5 provided on the substrate 3, respectively.
  • the trunk paths 5 a and 5 b extend along the edge of the substrate 3 in parallel with each other at a position sandwiching the light emitting section 2.
  • Branch portions 9-1a, 9-1b, 9-2a, 9-2b, 9-3a, 9-3b, 10-1a, 10-1b, 10-2a, 10-2b, 10-3a of the conductive pattern 5 10-3b extends from the main path portions 5a and 5b and is connected to anodes and cathodes of current density adjusting portions 6-1, 6-2, 6-3, 7-1, 7-2, 7-3. .
  • the trunk portion 5a is connected to the anodes of the current density adjusting portions 6-1, 6-2, 6-3, 7-1, 7-2, 7-3 by branch portions 9-1a, 9 of the conductive pattern 5.
  • the trunk portion 5b is connected to the cathodes of the current density adjusting portions 6-1, 6-2, 6-3, 7-1, 7-2, 7-3 with the branch portions 9-1b, 9 of the conductive pattern 5.
  • the conductive pattern 5 When viewed from the external connection terminals 4a and 4b of the organic EL panel 1 (for example, 4a is the positive side and 4b is the negative side), the conductive pattern 5 has the trunk portions 5a and 5b and the branch portions 8a, 8b, 9- 1a, 9-1b, 9-2a, 9-2b, 9-3a, 9-3b, 10-1a, 10-1b, 10-2a, 10-2b, 10-3a, 10-3b, and the light emitting unit 2
  • the current density adjusting units 6-1, 6-2, 6-3, 7-1, 7-2 and 7-3 are electrically connected in parallel to each other to form a parallel circuit.
  • the occupied area of the light emitting unit 2 on the substrate 3 is larger than any occupied area of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3.
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 are arranged on the substrate 3 so as to be separated from each other outside one side of the light emitting unit 2.
  • the current density adjusting units 7-1 to 7-3 are arranged apart from each other on the other outer side of the light emitting unit 2.
  • three current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are arranged on the side of the light emitting unit 2, respectively.
  • the numbers of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are not limited thereto.
  • the areas of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 may be the same or different. When the areas are different, the difference between the areas may be set constant, or may be a constant magnification or a power of 2.
  • the areas of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 can be set to known values in advance.
  • a mark or the like that can be visually recognized or detected is on or near the substrate 3.
  • the cutting means for example, a laser or the like is used, but a mechanical, electromagnetic or optical method can be used.
  • the organic EL panel 1 of the present embodiment can adjust the current density of the light emitting part freely by disconnecting any of the current density adjusting parts 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3. It is.
  • the shape of the substrate 3 is not limited to a rectangle but may be a square. Further, it may be circular or elliptical. In short, it is only necessary that the current density adjusting unit is disposed on the side of the light emitting unit 2. Also, the pattern shape of the conductive pattern 5 is such that a current path including a current density adjusting unit is connected in parallel to the light emitting unit 2, and the current flowing through the light emitting unit 2 can be freely controlled by cutting at least one portion of the conductive pattern 5. Any shape that changes is acceptable.
  • the organic EL panel 1 according to the present invention is provided with an effective light-emitting area EA including the light-emitting portion 2 as a light-emitting area, and a post-processing that enables post-processing on the side thereof. That is, the processing area PA is provided.
  • this organic EL is obtained by cutting a part of the conductive pattern 5 by laser processing, peeling off a part of the cathode of the current density adjusting unit, or cutting the substrate 3.
  • the voltage-current characteristics of the panel 1, that is, the current density can be adjusted.
  • the light emitting unit 2 includes a transparent electrode 11 that is, for example, an anode laminated on a substrate 3.
  • a hole transport layer 12 is stacked on the transparent electrode 11
  • an organic EL light emitting layer 13 is stacked on the hole transport layer 12
  • an electron transport layer 14 is stacked on the organic EL light emitting layer 13, and an electron transport layer 14 is stacked.
  • a metal electrode 15 as a cathode is laminated on the top.
  • indium tin oxide can be used as the anode material
  • aluminum Al
  • cathode material indium tin oxide
  • the structure of the organic functional layer including the hole transport layer 12, the organic EL light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 stacked on each other between the transparent electrode 11 and the metal electrode 15 is a three-layer structure.
  • an organic functional layer is, for example, a single layer structure of the organic EL light-emitting layer 13, a two-layer structure including the hole transport layer 12 and the organic EL light-emitting layer 13, or a hole injection layer, a hole transport layer 12, and an organic EL light-emitting layer. 13, various structures such as a five-layer structure including an electron transport layer 14 and an electron injection layer (not shown) can be taken.
  • the light emitting section 2 is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-42658, and many of R (red), G (green), and B (blue) striped organic EL laminated bodies are R, G, A structure juxtaposed in the order of B can also be taken (not shown).
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are also respectively R, G, and B. It is necessary to have a stripe structure corresponding to each group (not shown).
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 have the same layer structure as the light emitting unit 2. Accordingly, the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 can be formed by the same process as the light emitting unit 2.
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are resistors.
  • each of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 includes a conductive layer 16 formed on the substrate 3 and a resistor stacked on the conductive layer 16.
  • a multilayer resistor comprising the layer 17.
  • each of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 may be a one-layered resistor of the conductive layer 16.
  • the material of the conductive layer 16 a known conductive material such as Al, Cr, ITO or the like can be used.
  • a material of the resistance layer 17 for example, Al or Cr may be used.
  • a material having desired resistance characteristics can be used.
  • the conductive layer 16 and / or the resistance layer 17 may be made of the same material as one layer in the light emitting unit 2.
  • the conductive layer 16 is made of the same material as the transparent electrode 11 serving as an anode and the metal layer 15 serving as a cathode, the conductive layer 16 and the resistance layer are formed in the course of the manufacturing process of the light emitting unit 2. 17 can be formed.
  • the resistance values of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 may be the same or different. When the resistance values are different, the difference between the resistance values may be set constant, or may be a constant magnification or a power of two.
  • the resistance values of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 can be set to known values in advance.
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 may include a chip component 18 such as a chip resistor.
  • each of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 is an IC chip in which a parallel circuit of a diode D1 and a variable resistor VR1 as shown in FIG. Also good.
  • the variable resistor VR1 in FIG. 4 can be replaced with a semi-fixed resistor.
  • Such an IC chip may be an IC chip having a series circuit of a diode D2 as shown in FIG. 5 and resistors R1, R2 and R3 connected in parallel.
  • An IC chip of a current mirror circuit as shown in FIG. 6 can also be used.
  • FIG. 7 shows a case where the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 include the chip component 18.
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 include a chip component mounting unit 19 on which the chip component 18 can be mounted.
  • the chip component 18 has, for example, a shape in which an IC chip (not shown) is embedded with a resin material, and has a positive terminal 20A at one end and a negative terminal 20B at the other end. Further, the chip component mounting portion 19 has a positive terminal 21A and a negative terminal 21B corresponding to the positive terminal 20A and the negative terminal 20B of the chip component 18.
  • the chip component 18 By attaching the chip component 18 to the chip component mounting portion 19, the positive terminal 20A and the positive terminal 21A are connected, the negative terminal 20B and the negative terminal 21B are connected, and current can be supplied through the branch portion. .
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are resistors, they may be outside a sealing unit (not shown) for blocking the light emitting element from moisture or the like.
  • the chip component mounting unit 19 is connected later according to the electrical characteristics of the organic EL panel 1.
  • the mounted chip component 18 can be replaced with the chip component 18 having the optimum electrical characteristics with different resistance values.
  • the electrical characteristics of the organic EL panel 1 are measured before the chip component 18 is mounted on the chip component mounting portion 19, and the optimal chip component 18 is mounted so as to obtain a desired electrical characteristic according to the measurement result. May be.
  • the chip component mounting portion 19 on which the chip component 18 can be mounted may be provided in at least a part of the current density adjusting portions 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3. Further, the chip component 18 mounted on the chip component mounting unit 19 may be the same type of IC chip in each of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3, or different types. An IC chip may be used.
  • the shape of each of these terminal portions is not limited to the illustrated shape, and can take various shapes in which the chip component 18 and the chip mount portion 19 are connected.
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 include a chip part 18, chip part mounting parts 19A and 19B, and joint parts 22A and 22B.
  • the chip component mounting portion 19A has a positive terminal 21A
  • the chip component mounting portion 19B has a negative terminal 21B.
  • the chip component mounting portions 19A and 19B are formed of a metal such as Al on the substrate 3 and are arranged apart from each other.
  • the chip component 18 has a positive terminal 20A and a negative terminal 20B corresponding to the positive terminal 21A and the negative terminal 21B, and is disposed on the chip components 19A and 19B.
  • the positive terminal 20A and the positive terminal 21A are connected
  • the negative terminal 20B and the negative terminal 21B are connected, and current can be supplied via the branch portion.
  • the joining portions 22A and 22B are formed of, for example, solder or silver paste, and join the positive terminal 20A and the positive terminal 21A, and join the negative terminal 20B and the negative terminal 21B. Further, the chip component 18, the chip component mounting portions 19A and 19B, and the joint portions 22A and 22B may be covered with, for example, a resin material, and molded and cured.
  • a part of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 is stacked on a part of the chip component mounting unit 19. As a result, the adhesion of the chip component mounting portion 19 is improved, and the chip component mounting portion 19 is hardly peeled off from the substrate 3.
  • a substrate 3 made of a transparent material such as glass or plastic is prepared, and a transparent electrode 11 that is an anode pattern is formed on the substrate 3 (step S1).
  • a conductive material having a large work function for example, indium tin oxide (ITO) having a thickness of about 1000 to 3000 mm or gold having a thickness of about 800 to 1500 mm can be used.
  • ITO indium tin oxide
  • an anode pattern is formed on the substrate 3 by, for example, vapor deposition or sputtering, and patterned by photolithography.
  • a hole transport layer 12 is formed on the anode pattern made of the transparent electrode 11 (step S2).
  • the organic EL light emitting layer 13 is applied on the hole transport layer 12 formed in step S2 (step S3).
  • the electron transport layer 14 is formed on the organic EL light emitting layer 13 applied in Step S3 (Step S4).
  • a metal electrode 15 as a cathode is formed on the electron transport layer 14 (step S5).
  • a metal having a small work function for example, aluminum, magnesium, indium, silver, or an alloy of about 100 to 5000 mm in thickness can be used.
  • the external connection terminals 4a and 4b and the conductive pattern 5 are formed on the substrate 3 by a known method.
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 have the same layer structure as the light emitting unit 2, it can be performed simultaneously with the manufacturing process of the organic EL panel 1 shown in FIG. .
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are resistors, first, the conductive layer 16 is formed on the substrate 3 prepared in step S1 of the manufacturing process of the organic EL panel 1. Is formed (step SP1).
  • the conductive layer 16 is formed by a known method. If the conductive layers 16 of the current density adjusting portions 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are made of the same material as the transparent electrode 11 of the light emitting portion 2, step S1 of the manufacturing process of the organic EL panel 1 Can be done at the same time. In the case where each of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 is a single-layer resistor of the conductive layer 16, this manufacturing process ends.
  • each of the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 is a laminated resistor of the conductive layer 16 and the resistance layer 17, a resistance is formed on the conductive layer 16 formed in step SP1.
  • Layer 17 is formed (step SP2).
  • the resistance layer 17 is formed by a known method.
  • the resistance layer 17 is the same as the metal electrode 15 of the light emitting unit 2, the formation of the resistance layer 17 can be performed simultaneously with step S ⁇ b> 5 of the manufacturing process of the organic EL panel 1.
  • the conductive layer 16 has a one-layer structure.
  • the chip component mounting portion 19 is formed, and the positive terminal 21A and the negative terminal 21B corresponding to the positive terminal 20A and the negative terminal 20B of the chip component 18 are formed.
  • the chip component mounting portion 19 is formed and corresponds to the positive terminal 20A and the negative terminal 20B of the chip component 18.
  • a positive terminal 21A and a negative terminal 21B are formed.
  • FIG. 12 illustrates a method for manufacturing a light emitting device.
  • the organic EL panel 1 shown in FIG. 1 is prepared (Step SS1).
  • step SS2 the organic EL panel 1 is driven (step SS2). That is, in this step, the positive and negative terminals of the DC power supply are connected to the external connection terminals 4a and 4b of the organic EL panel 1. From external connection terminals 4a and 4b to trunk sections 5a and 5b, branch sections 8a and 8b, 9-1a, 9-1b, 9-2a, 9-2b, 9-3a, 9-3b, 10-1a, 10 -1b, 10-2a, 10-2b, 10-3a, and 10-3b, DC power is supplied to the light emitting unit 2, current density adjusting units 6-1 to 6-3, and 7-1 to 7-3.
  • step SS3 the electrical characteristics and emission luminance of the organic EL panel 1 are adjusted (step SS3).
  • the electrical characteristics such as voltage and resistance between the external connection terminals 4a and 4b of the organic EL panel 1 and the light emission luminance of the light emitting unit 2 in the effective light emitting area EA are measured, and the light emission in the effective light emitting area EA is measured.
  • the external connection terminals 4a and 4b are adjusted so as to have desired electrical characteristics so that the portion 2 has a desired light emission luminance. It is also possible to measure either the electrical characteristics such as the voltage or resistance between the external connection terminals 4a and 4b of the organic EL panel 1 and the light emission luminance of the light emitting unit 2 in the effective light emitting area EA.
  • the electrical characteristics can be adjusted between the external connection terminals 4a and 4b.
  • the number of current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 included in the parallel circuit by the conductive pattern 5 is adjusted. can do.
  • the branch section 9-3a connecting the main path section 5a to the anode of the current density adjusting section 6-3 is disconnected, and the current density adjusting section 6-3 is removed from the parallel circuit of the organic EL panel 1.
  • the overall resistance value of the parallel circuit is increased, and the voltage between the external connection terminals 4a and 4b can be adjusted. That is, it is possible to adjust the current flowing individually in the light emitting unit 2 between the branch units 8a and 8b.
  • the main road part 5a and the anode of the current density adjusting part 6-2 are connected.
  • the branch part 9-2a is cut with a laser or the like, and the current density adjusting part 6-2 is disconnected from the parallel circuit of the organic EL panel 1.
  • a part of the cathode of the current density adjusting unit may be peeled off, and the branch part 9-2b may be cut with a laser or the like.
  • a part of the conductive pattern (for example, branch portions 9-1a, 9-1b, 9-2a, 9-2b, 9-3a, 9-3b, 10-1a, 10-1b, 10-2a, 10-2b, 10-3a, or 10-3b) is cut with a laser or the like as necessary to adjust the electrical characteristics of the parallel circuit of the organic EL panel 1, and the current density adjusting unit Any one or more of 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are separated from the parallel circuit of the organic EL panel 1.
  • the conductive pattern 5 including is made of a metal of a known conductive material and can be easily cut by a laser or the like.
  • the branch portion 9-3a connecting the trunk portion 5a and the anode of the current density adjusting portion 6-3 is cut by a laser, but the trunk portion 5b and the current density adjusting portion are cut.
  • the branch part 9-3b connecting the cathode of the part 6-3 may be cut.
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 have the same layer structure as the light emitting unit 2, the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 ⁇ 7-3 will also emit light. In the case where it interferes with the measurement of the light emission luminance of the light emitting section 2, the current density adjusting sections 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are masked or covered, and the current density adjusting section 6-1. The light emitting portions of ⁇ 6-3 and 7-1 to 7-3 may be hidden.
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 include the chip component mounting unit 19, in this step, the voltage between the external connection terminals 4a and 4b of the organic EL panel 1 Electrical characteristics such as resistance and the light emission luminance of the light emitting section 2 in the effective light emitting area EA are measured, and the optimum chip component 18 is later replaced so that the light emitting section 2 in the effective light emitting area EA has a desired light emission luminance. Thus, adjustment may be made so that desired electrical characteristics are obtained between the external connection terminals 4a and 4b.
  • a light emitting device using the organic EL panel 1 after the adjustment of the electrical characteristics and the light emission luminance is completed is assembled (step SS4).
  • the organic EL panel 1 with adjusted emission luminance is subjected to other necessary inspections and processes such as deburring and cleaning, and a light emitting device using the organic EL panel 1 is assembled.
  • the light emitting unit 2 and the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 in the effective light emitting area EA have the outer shape and the stacked structure as the stacked body. Are different from each other.
  • the stacked structure in the light emitting section 2 is, for example, a juxtaposed structure of stripe-shaped organic EL stacked groups, and the current density adjusting sections 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are arranged.
  • the light emitting part 2 and the current density adjusting parts 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 are formed in parallel by a series of processes as a juxtaposed structure of stripe-shaped organic EL laminates. Is possible.
  • the position of the boundary line between the effective light emitting area EA and the post-processing area PA in the longitudinal direction of the substrate 3 can be selected.
  • the organic EL panel 1 according to the present invention can be stored in a case (not shown) having a transparent window having a shape conforming to a predetermined standard, for example, and can be commercialized as a light emitting device, that is, a lighting device. is there.
  • the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 to 7-3 have the same layer structure as the light emitting unit 2, the current density adjusting units 6-1 to 6-3 and 7-1 ⁇ 7-3 may be provided in the effective light emitting area EA.

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Abstract

【課題】発光輝度のばらつきの少ない有機ＥＬパネル及びこれを用いた発光装置の製造方法を提供する。 【解決手段】　本発明の有機ＥＬパネルは、基板と、前記基板上に設けられた有機ＥＬパネルの発光部と、前記発光部に電流を供給する前記基板上に設けられた電流供給端子と、前記電流供給端子に対して前記発光部と電気的に並列に接続され、前記基板上に設けられた電流密度調整部とを含み、前記電流密度調整部の加工によって、前記発光部の電流密度を調整する。　また、本発明による発光装置の製造方法は、上記した有機ＥＬパネルの後処理加工領域を加工処理することによって発光特性を調整した後に、処理後の有機ＥＬパネルを含む発光装置を製造する。

Description

有機ＥＬパネルおよびこれを用いた発光装置の製造方法
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンスパネル（以下、有機ＥＬパネルという）およびこれを用いた発光装置の製造方法に関する。
　照明装置のエネルギー効率を改善すべく、白熱球や蛍光灯に代わる光源の研究開発が進められている。最近では高輝度ＬＥＤ(発光ダイオード)などが候補のひとつとして有力視されており、実際に応用製品が商品化されている。そして、それを追う形で有機ＥＬパネルを用いた照明も市場が立ち上がりつつある。
　ＬＥＤ照明は発光素子が狭い領域において発光するため光を何らかの方法で拡散させる必要がある。これに対して、有機ＥＬパネルを用いた照明は有機ＥＬパネル自体が面発光するので、広く均一な光を得ることができるメリットがある。また、有機ＥＬパネルが非常に薄型であり、壁や天井などに有機ＥＬパネルを張り付けることで部屋の壁面そのものを照明にすることも可能であり、可撓性を有するプラスチックを用いたフレキシブル基板を利用し、可撓性を持たせることにより曲面に張り付けることもできる。
　有機ＥＬパネルは、製造時のプロセス、ロットまたは発光層の材料の違いにより、発光層の特性にばらつきが生じる。この発光層の特性のばらつきにより、例えば、広い面積の照明のために並置される有機ＥＬパネル毎に、発光輝度（電流密度－輝度効率）の特性のばらつきが生じることになる。
　この発光輝度のばらつきを解消するためには、有機ＥＬパネルの発光輝度が一定になるように駆動回路で調整する必要がある。また、有機ＥＬパネルの交換時に、有機ＥＬパネルの個体差により、発光輝度が異なるため、有機ＥＬパネル毎に調整が必要になる。さらに、複数の有機ＥＬパネルを用いた発光装置を構成する場合には、有機ＥＬパネルを直列に接続して駆動すると、隣接する有機ＥＬパネルとの発光輝度が異なり、見栄えが悪くなるという問題がある。
　例えば、特許文献１には、有機ＥＬパネルに、出力検知端子を備え、この出力検知端子の出力に基づいて発光素子への供給電力を制御するフィードバック制御を行い、複数のパネルを用いた発光装置を構成する場合の有機ＥＬパネルの発光輝度のばらつきを抑えることが開示されている。
特開２００９－５４４２６号公報
　しかしながら、特許文献１の発明によれば、出力検知端子の出力が同一になるように発光素子への供給電力を制御することにより、有機ＥＬパネルの発光輝度を抑制することには有効であると考えられるが、フィードバック制御回路を形成する故、有機ＥＬパネルの駆動回路系に制御回路を組み入れることになり全体として回路が複雑になり、製造コストも増大するという問題がある。
　そこで本発明が解決しようとする課題は、上記した問題が一例として挙げられ、制御回路を使わずに比較的簡単な構成で、製造コストも安くしながらも、有機ＥＬパネル間の発光輝度のばらつきを抑制することを可能にした有機ＥＬパネルの発光装置を提供することが本発明の目的である。
　請求項１に係る発明の有機ＥＬパネルは、基板と、前記基板上に設けられた有機ＥＬパネルの発光部と、前記発光部に電流を供給する前記基板上に設けられた電流供給端子と、前記電流供給端子に対して前記発光部と電気的に並列に接続され、前記基板上に設けられた電流密度調整部とを含み、前記電流密度調整部の加工によって、前記発光部の電流密度を調整することを特徴としている。
本発明の実施例である有機ＥＬパネルの平面図である。 図１のＡ－Ａ線に沿った断面図である。 図１のＢ－Ｂ間に沿った断面図である。 図１の有機ＥＬパネルの一部を形成するＩＣチップの回路図である。 図１の有機ＥＬパネルの一部を形成するＩＣチップの回路図である。 図１の有機ＥＬパネルの一部を形成するＩＣチップの回路図である。 電流密度調整部がチップ部品を含む場合の斜視図である。 電流密度調整部がチップ部品を含む場合の平面図である。 電流密度調整部がチップ部品を含む場合の断面図である。 有機ＥＬパネルの製造プロセスの工程図である。 電流密度調整部の製造プロセスの工程図である。 有機ＥＬ発光装置の製造方法の工程図である。
　本発明の実施例である有機ＥＬパネル及びこれを用いた発光すなわち照明装置の製造方法を図１乃至図１２により説明する。
　図１に示すとおり、本発明による有機ＥＬパネル１は、発光部２をその中央部に担う、例えば略長方形のガラス等の透明材からなる透明な基板３を含んでいる。基板３の例えば長手方向の一方の端部近傍にあって、電流供給端子である外部接続端子４ａ、４ｂが設けられている。外部接続端子４ａ、４ｂには、基板３上に設けられる導電パターン５の幹路部５ａ、５ｂが各々接続されている。幹路部５ａ、５ｂは、発光部２を挟む位置において互いに並行に基板３の縁部に沿って伸長している。
　幹路部５ａ、５ｂの間であって、発光部２の両側方の基板３上には電流密度調整部６－１、６－２、６－３、７－１、７－２、７－３が各々設けられている。幹路部５ａ、５ｂの各々と発光部２の陽極及び陰極の各々との間を導電パターン５の枝路部８ａ、８ｂによって接続されている。
　以下、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３が発光部２と同一の層構造の場合の実施例を示す。
　導電パターン５の枝路部９－１ａ、９－１ｂ、９－２ａ、９－２ｂ、９－３ａ、９－３ｂ、１０－１ａ、１０－１ｂ、１０－２ａ、１０－２ｂ、１０－３ａ、１０－３ｂは幹路部５ａ、５ｂから延びて電流密度調整部６－１、６－２、６－３、７－１、７－２、７－３の陽極、陰極に接続されている。
　幹路部５ａは電流密度調整部６－１、６－２、６－３、７－１、７－２、７－３の陽極との間を導電パターン５の枝路部９－１ａ、９－２ａ、９－３ａ、１０－１ａ、１０－２ａ、１０－３ａによって接続されている。幹路部５ｂは電流密度調整部６－１、６－２、６－３、７－１、７－２、７－３の陰極との間を導電パターン５の枝路部９－１ｂ、９－２ｂ、９－３ｂ、１０－１ｂ、１０－２ｂ、１０－３ｂによって接続されている。
　有機ＥＬパネル１の外部接続端子４ａ、４ｂ（例えば、４ａを正側とし、４ｂを負側とする）からみて、導電パターン５は幹路部５ａ、５ｂ及び枝路部８ａ、８ｂ、９－１ａ、９－１ｂ、９－２ａ、９－２ｂ、９－３ａ、９－３ｂ、１０－１ａ、１０－１ｂ、１０－２ａ、１０－２ｂ、１０－３ａ、１０－３ｂにより、発光部２と、電流密度調整部６－１、６－２、６－３、７－１、７－２及び７－３と、を互いに電気的に並列に接続し、並列回路を形成している。
　発光部２の基板３上での占有面積は、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３のいずれの占有面積より大きい。
　電流密度調整部６－１～６－３は、基板３上に発光部２の一方の外側において互いに離間して配置されている。電流密度調整部７－１～７－３は、発光部２の他方の外側において互いに離間して配置されている。
　図１に示した実施例においては発光部２の側方にそれぞれ３つずつ電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３が配置されている。しかし、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の数はこれに制限されるものではない。
　電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の各面積は同じであっても良いし、異なっても良い。各面積が異なる場合には、各面積の差は一定に設定されていても良いし、一定の倍率または２のべき乗でも良い。予め、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の各面積を既知の値に設定しておくこともできる。
　なお、枝路部９－１ａ、９－１ｂ、９－２ａ、９－２ｂ、９－３ａ、９－３ｂ、１０－１ａ、１０－１ｂ、１０－２ａ、１０－２ｂ、１０－３ａ、１０－３ｂ及び電流密度調整部６－１～６－３、７－１～７－３を含む領域において、基板３上の他の部分から切断手段によって切断容易になっている切断容易箇所すなわち切断容易部（図示せず）が設けられているのが好ましい。
　切断容易箇所の位置を示すために、切断容易箇所が視認もしくは検知可能なマークなどを基板３上もしくはその近傍にあれば、さらに望ましい。切断手段は、例えばレーザなどを使用するが、機械的、電磁的もしくは光学的手法を用い得る。
　これによって、有機ＥＬパネル１の並列回路から電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３を当該切断容易箇所毎に切断することにより１つずつ切り離すことが容易になる。本実施例の有機ＥＬパネル１は、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３のいずれかの切り離しにより、発光部の電流密度を調整自在に調整することが可能である。
　更に、基板３の形状は長方形に限らず、正方形であっても良い。また、円形や楕円形であっても良い。要するに、発光部２の側方に電流密度調整部が配置されていれば良い。また、導電パターン５のパターン形状も、発光部２に並列に電流密度調整部を含む電流路が接続されていて、導電パターン５の少なくとも１箇所の切断によって、発光部２に流れる電流を自在に変化する形状であれば良いのである。
　ここで明らかなことは、本発明による有機ＥＬパネル１においては、発光部２を含んで発光領域として有効な有効発光領域ＥＡが設けられ、その側方には後処理加工を可能にした後処理加工領域ＰＡが設けられているということである。
　この後処理加工領域ＰＡ内において、レーザ加工により導電パターン５の一部を切断したり、電流密度調整部の一部の陰極を剥離したり、基板３を切断したりすることにより、この有機ＥＬパネル１の電圧電流特性すなわち電流密度を調整することができる。
　図２に示すとおり、発光部２は、基板３上に積層された例えば陽極である透明電極１１を含んでいる。透明電極１１上にはホール輸送層１２が積層され、ホール輸送層１２上には有機ＥＬ発光層１３が積層され、有機ＥＬ発光層１３上には電子輸送層１４が積層され、電子輸送層１４上には陰極である金属電極１５が積層されている。
　良く知られているように、発光部２において、陽極の材料として、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を用いる一方、陰極の材料として、アルミニウム（Ａｌ）を用いることができる。
　図示した発光部２においては、透明電極１１と金属電極１５との間に互いに積層されたホール輸送層１２、有機ＥＬ発光層１３及び電子輸送層１４からなる有機機能層の構造は３層構造のものである。しかしながら、かかる有機機能層は、例えば、有機ＥＬ発光層１３の単一層構造、ホール輸送層１２及び有機ＥＬ発光層１３からなる２層構造、或いはホール注入層、ホール輸送層１２、有機ＥＬ発光層１３、電子輸送層１４、電子注入層からなる５層構造等の種々の構造を取り得る（図示せず）。
　また、発光部２は例えば特開２００７－４２６５８号公報で開示されているが如きＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のストライプ状の有機ＥＬ積層体の多数がＲ、Ｇ、Ｂの順に並置された構造も取り得る（図示せず）。
　発光部２がＲ、Ｇ、Ｂのストライプの有機ＥＬ積層体の並置構造の場合には、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３もＲ、Ｇ、Ｂ各群ごとに対応したストライプの構造にする必要がある（図示せず）。
　電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３は、発光部２と同一の層構造で構成されている。これによって、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３は、発光部２と同一のプロセスによって形成され得る。
　別の実施例として、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３が抵抗体の場合を示す。
　図３に示すとおり、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の各々は、基板３上に形成された導電層１６と、導電層１６上に積層された抵抗層１７と、からなる積層抵抗体である。また、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の各々は、導電層１６の１層構造の抵抗体であってもよい。
　導電層１６の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、ＩＴＯ等、既知の導電材料を用いることができる。抵抗層１７の材料として、例えば、ＡｌまたはＣｒでも良い。所望の抵抗特性を有する材料を用いることが可能である。
　また、導電層１６及び抵抗層１７の両方またはどちらか一方は発光部２の中の１つの層と材質が同一とすることができる。この場合、特に、導電層１６は陽極である透明電極１１、抵抗層１７は陰極である金属電極１５と同一の材質とすれば、発光部２の製造プロセスの過程において、導電層１６及び抵抗層１７を形成され得る。
　電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の各抵抗値は同じであっても良いし、異なっても良い。各抵抗値が異なる場合には、各抵抗値の差は一定に設定されていても良いし、一定の倍率または２のべき乗でも良い。予め、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の各抵抗値を既知の値に設定しておくこともできる。
　更に、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３は、チップ抵抗器などのチップ部品１８を含んでも良い。また、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３は、例えば、図４に示すようなダイオードＤ１と可変抵抗ＶＲ１との並列回路をＩＣチップにしたものであっても良い。図４の可変抵抗ＶＲ１は半固定抵抗に置き換えることもできる。
　かかるＩＣチップとしては、図５に示すようなダイオードＤ２と、並列接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２及びＲ３と、の直列回路のＩＣチップでも良い。図６に示すようなカレントミラー回路のＩＣチップを用いることもできる。
　図７に電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３がチップ部品１８を含む場合を示す。電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３は、チップ部品１８をマウントし得るチップ部品マウント部１９を含んでいる。チップ部品１８は、例えば、樹脂材によってＩＣチップ（図示せず）を包埋した形状であり、一方の端部に正端子２０Ａ、他方の端部に負端子２０Ｂを有する。また、チップ部品マウント部１９は、チップ部品１８の正端子２０Ａ及び負端子２０Ｂに対応する正端子２１Ａ及び負端子２１Ｂを有する。
　チップ部品１８をチップ部品マウント部１９に取り付けることにより、正端子２０Ａと正端子２１Ａとが接続され、負端子２０Ｂと負端子２１Ｂとが接続され、枝路部を介して電流が供給可能である。電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３が抵抗体の場合は発光素子を水分などから遮断するための封止部(図示せず)の外側にあってもよい。また、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３がチップ部品マウント部１９を含む場合は有機ＥＬパネル１の電気的特性に応じて後からチップ部品マウント部１９にマウントされたチップ部品１８を、抵抗値の異なる電気的特性が最適なチップ部品１８に付け替えることができる。
　また、チップ部品１８をチップ部品マウント部１９にマウントする前に有機ＥＬパネル１の電気的特性の測定を行い、測定結果に応じて所望の電気的特性にすべく最適なチップ部品１８をマウントしても良い。
　なお、チップ部品１８をマウントし得るチップ部品マウント部１９は電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の少なくとも一部にあれば良い。更に、チップ部品マウント部１９にマウントするチップ部品１８は、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の各々において、同じ種類のＩＣチップでも良いし、種類の異なるＩＣチップでも良い。これらの各端子部の形状は、図示した形状に限定されるものではなく、チップ部品１８とチップマウント部１９とが接続される種々の形状を取り得る。
　図８及び図９にチップ部品マウント部１９の他の実施例を示す。電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３は、チップ部品１８、チップ部品マウント部１９Ａ、１９Ｂ及び接合部２２Ａ、２２Ｂを含んでいる。
　チップ部品マウント部１９Ａは正端子２１Ａを有し、チップ部品マウント部１９Ｂは負端子２１Ｂを有している。チップ部品マウント部１９Ａ及び１９Ｂは、基板３の上に例えばＡｌなどの金属で形成され、互いに離間して配置されている。チップ部品１８は、正端子２１Ａ及び負端子２１Ｂに対応する正端子２０Ａ及び負端子２０Ｂを有し、チップ部品１９Ａ及び１９Ｂの上に配置されている。これによって、正端子２０Ａと正端子２１Ａとが接続され、負端子２０Ｂと負端子２１Ｂとが接続され、枝路部を介して電流が供給可能である。
　接合部２２Ａ及び２２Ｂは、例えばハンダや銀ペースト等で形成され、正端子２０Ａと正端子２１Ａとを接合し、負端子２０Ｂと負端子２１Ｂとを接合している。また、チップ部品１８、チップ部品マウント部１９Ａ、１９Ｂ及び接合部２２Ａ、２２Ｂを例えば樹脂材などで覆い、成形して硬化させても良い。
　電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の一部は、チップ部品マウント部１９の一部の上に積層されている。これによって、チップ部品マウント部１９の密着性が良くなり、チップ部品マウント部１９が基板３上から剥がれにくくなる。
　図１０により有機ＥＬパネル１の製造プロセスを説明する。
　まず、ガラスやプラスチックなどの透明材からなる基板３を準備して、基板３上に陽極パターンである透明電極１１を形成する（ステップＳ１）。陽極には、仕事関数の大きな導電性材料、例えば厚さが1000～3000Å程度のインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又は厚さが 800～1500Å程度の金を用い得る。
　具体的には、基板３上に、陽極パターンを、例えば、蒸着法やスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィーによってパターニングする。
　ステップＳ１の次には、透明電極１１からなる陽極パターン上にホール輸送層１２を形成する（ステップＳ２）。ステップＳ２で形成したホール輸送層１２上に有機ＥＬ発光層１３を塗布する（ステップＳ３）。ステップＳ３で塗布した有機ＥＬ発光層１３上に電子輸送層１４を形成する（ステップＳ４）。
　次に、電子輸送層１４上に陰極である金属電極１５を形成する（ステップＳ５）。陰極である金属電極１５には、仕事関数が小さな金属、例えば厚さが約100～5000Å程度のアルミニウム、マグネシウム、インジウム、銀又は各々の合金を用い得る。
　基板３上に外部接続端子４ａ、４ｂ及び導電パターン５を既知の手法により形成する。
　図１１により電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の製造プロセスを説明する。
　電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３が、発光部２と同一の層構造の場合は、図１０に示す有機ＥＬパネル１の製造プロセスと同時に行うことができる。電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３が、抵抗体の場合は、まず、有機ＥＬパネル１の製造プロセスのステップＳ１で準備した基板３上に、導電層１６を形成する（ステップＳＰ１）。導電層１６の形成の方法は、既知の手法により形成する。電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の導電層１６が発光部２の透明電極１１と同一の材質の場合には、有機ＥＬパネル１の製造プロセスのステップＳ１と同時に行うことができる。電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の各々が導電層１６の１層構造の抵抗体の場合は、本製造プロセスを終了する。
　電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の各々が導電層１６と抵抗層１７との積層抵抗体の場合は、ステップＳＰ１で形成した導電層１６の上に抵抗層１７を形成する（ステップＳＰ２）。抵抗層１７は既知の手法により形成する。抵抗層１７が発光部２の金属電極１５と同一の場合には、抵抗層１７の形成は有機ＥＬパネル１の製造プロセスのステップＳ５と同時に行うことができる。
　なお、図７乃至図９に示すような電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３がチップ部品マウント部１９を含む場合には、導電層１６の１層構造の場合は、導電層１６を形成するときに、チップ部品マウント部１９を形成し、チップ部品１８の正端子２０Ａ及び負端子２０Ｂに対応する正端子２１Ａ及び負端子２１Ｂを形成する。導電層１６及び抵抗層１７の２層構造の場合は、導電層１６及び抵抗層１７の形成するときに、チップ部品マウント部１９を形成し、チップ部品１８の正端子２０Ａ及び負端子２０Ｂに対応する正端子２１Ａ及び負端子２１Ｂを形成する。
　図１２により発光装置の製造方法を説明する。
　図１に示した有機ＥＬパネル１を用意する（ステップＳＳ１）。
　ステップＳＳ１の次に有機ＥＬパネル１の駆動をする（ステップＳＳ２）。すなわち、このステップにおいては、有機ＥＬパネル１の外部接続端子４ａ、４ｂには、直流電源の正側負側の端子が接続される。外部接続端子４ａ、４ｂから幹路部５ａ、５ｂ、枝路部８ａ、８ｂ、９－１ａ、９－１ｂ、９－２ａ、９－２ｂ、９－３ａ、９－３ｂ、１０－１ａ、１０－１ｂ、１０－２ａ、１０－２ｂ、１０－３ａ、１０－３ｂを介して発光部２、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３に直流電力が供給される。
　次に、有機ＥＬパネル１の電気的特性及び発光輝度の調整をする（ステップＳＳ３）。このステップにおいては、有機ＥＬパネル１の外部接続端子４ａ、４ｂ間の電圧や抵抗などの電気的特性及び有効発光領域ＥＡ内の発光部２の発光輝度を測定し、有効発光領域ＥＡ内の発光部２が所望の発光輝度になるように外部接続端子４ａ、４ｂ間で所望の電気的特性になるように調整する。なお、有機ＥＬパネル１の外部接続端子４ａ、４ｂ間の電圧や抵抗などの電気的特性及び有効発光領域ＥＡ内の発光部２の発光輝度のどちらか一方の測定でもよい。
　すなわち、外部接続端子４ａ、４ｂ間で電気的特性を調整することができる。有機ＥＬパネル１の導電パターンの一部をレーザなどで切断して、導電パターン５による並列回路に含まれる電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の数を調整することができる。例えば、幹路部５ａから電流密度調整部６－３の陽極との間を接続している枝路部９－３ａを切断し、電流密度調整部６－３を有機ＥＬパネル１の並列回路から切り離す。
　これにより、並列回路の全体の抵抗値が上がり、外部接続端子４ａ、４ｂ間の電圧を調整することができる。すなわち、枝路部８ａ、８ｂ間の発光部２に個別に流れる電流を調整することができる。
　電流密度調整部６－３を有機ＥＬパネル１の並列回路から切り離し、有機ＥＬパネル１の外部接続端子４ａ、４ｂ間で所望の電気的特性に調整できた場合には、有機ＥＬパネル１の電気的特性及び発光輝度の調整ステップＳＳ３は終了する。
　また、有機ＥＬパネル１の外部接続端子４ａ、４ｂ間で所望の電気的特性に調整できなかった場合には、例えば、幹路部５ａと電流密度調整部６－２の陽極との間を接続している枝路部９－２ａをレーザなどで切断し、電流密度調整部６－２を有機ＥＬパネル１の並列回路から切り離す。なお、本切断ステップにおいては、電流密度調整部の一部の陰極を剥離することとしてもよく、枝路部９－２ｂをレーザなどで切断しても良い。
　このように導電パターンの一部（例えば、枝路部９－１ａ、９－１ｂ、９－２ａ、９－２ｂ、９－３ａ、９－３ｂ、１０－１ａ、１０－１ｂ、１０－２ａ、１０－２ｂ、１０－３ａ、１０－３ｂのいずれか１つ以上）を、有機ＥＬパネル１の並列回路の電気的特性の調整の必要に応じて、レーザなどで切断して、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３のいずれか１つ以上を有機ＥＬパネル１の並列回路から切り離す。枝路部９－１ａ、９－１ｂ、９－２ａ、９－２ｂ、９－３ａ、９－３ｂ、１０－１ａ、１０－１ｂ、１０－２ａ、１０－２ｂ、１０－３ａ、１０－３ｂを含む導電パターン５は、既知の導電材料の金属で構成されており、レーザなどで容易に切断することができる。
　本実施例において、例えば、幹路部５ａと電流密度調整部６－３の陽極との間を接続している枝路部９－３ａをレーザで切断したが、幹路部５ｂと電流密度調整部６－３の陰極との間を接続している枝路部９－３ｂを切断しても良い。
　電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３が発光部２と同一の層構造にしている場合には、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３も発光することになる。発光部２の発光輝度の測定に邪魔になる場合などは、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３にマスキングやカバーなどをして電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の発光部分を隠しても良い。
　電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３が、チップ部品マウント部１９を含む場合は、本ステップにおいて、有機ＥＬパネル１の外部接続端子４ａ、４ｂ間の電圧や抵抗などの電気的特性及び有効発光領域ＥＡ内の発光部２の発光輝度を測定し、有効発光領域ＥＡ内の発光部２が所望の発光輝度にすべく最適なチップ部品１８を後から付け替えることにより外部接続端子４ａ、４ｂ間で所望の電気的特性になるように調整しても良い。
　また、本ステップにおいて、チップ部品１８をチップ部品マウント部１９にマウントする前に有機ＥＬパネル１の外部接続端子４ａ、４ｂ間の電圧や抵抗などの電気的特性及び有効発光領域ＥＡ内の発光部２の発光輝度の測定を行い、当該測定の測定結果に応じて、外部接続端子４ａ、４ｂ間で所望の電気的特性にすべく最適なチップ部品１８をマウントしても良い。
　なお、有機ＥＬパネル１の外部接続端子４ａ、４ｂ間の電圧や抵抗などの電気的特性及び有効発光領域ＥＡ内の発光部２の発光輝度のどちらか一方の測定でもよい。
　次に、電気的特性及び発光輝度の調整完了後の有機ＥＬパネル１を用いた発光装置の組み立てをする（ステップＳＳ４）。例えば、発光輝度が調整された有機ＥＬパネル１は、バリ取りや洗浄など、その他必要な検査及び処理を行い、有機ＥＬパネル１を用いた発光装置の組み立てをする。
　なお、上記した実施例においては、有効発光領域ＥＡ内の発光部２と電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３とが、積層体としての外郭形状及び積層構造が互いに異なることとされている。しかしながら、本発明においては、発光部２における積層体構造を例えば、ストライプ形状の有機ＥＬ積層体群の並置構造とし、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３の各々もストライプ形状の有機ＥＬ積層体群の並置構造として、発光部２及び電流密度調整部６－１～６－３、７－１～７－３を同時並行的に一連のプロセスによって形成することが可能である。
　かかる場合においては、有効発光領域ＥＡと後処理加工領域ＰＡとの境界線の基板３の長手方向における位置を選択することも可能である。なんとなれば、本発明による有機ＥＬパネル１は、例えば所定の規格に従った形状の透明窓を備えたケース（図示せず）に収納して発光すなわち照明装置として製品化することができるからである。
　なお、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３は、発光部２と同一の層構造のときは、電流密度調整部６－１～６－３及び７－１～７－３を有効発光領域ＥＡ内に設けてもよい。
　更に、本発明の実施例においては、外部接続端子４ａ及び４ｂが正側及び負側であることを前提に説明を行なったが、かかる場合に限定されるものではなく、外部接続端子４ａ及び４ｂが負側及び正側であっても良い。
　１　有機ＥＬパネル
　２　発光部
　３　基板
　４ａ、４ｂ　外部接続端子
　５　導電パターン
　５ａ、５ｂ　幹路部
　６－１～６－３、７－１～７－３　電流密度調整部
　８ａ、８ｂ、９－１ａ～９－３ａ、９－１ｂ～９－３ｂ、１０－１ａ～１０－３ａ、１　０－１ｂ～１０－３ｂ　枝路部
　１１　透明電極（陽極）
　１２　ホール輸送層
　１３　有機ＥＬ発光層
　１４　電子輸送層
　１５　金属電極（陰極）
　１６　導電層
　１７　抵抗層
　１８　チップ部品
　１９　チップ部品マウント部
　２０Ａ　正端子
　２０Ｂ　負端子
　２１Ａ　正端子
　２１Ｂ　負端子
　２２Ａ、２２Ｂ　接合部
　ＥＡ　有効発光領域
　ＰＡ　後処理加工領域

Claims (9)

  1. 　基板と、前記基板上に設けられた有機ＥＬパネルの発光部と、前記発光部に電流を供給する前記基板上に設けられた電流供給端子と、前記電流供給端子に対して前記発光部と電気的に並列に接続され、前記基板上に設けられた電流密度調整部とを含み、前記電流密度調整部の加工によって、前記発光部の電流密度を調整することを特徴とする有機ＥＬパネル。
  2. 　前記電流密度調整部は、切断容易部を含み、前記電流密度調整部の加工は前記切断容易部を機械的、電磁的若しくは光学的手法により切断することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬパネル。
  3. 　前記電流密度調整部は、前記発光部と同一のプロセスで形成されていることを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬパネル。
  4. 　前記電流密度調整部は、抵抗体で形成されていることを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬパネル。
  5. 　前記電流密度調整部は、有効発光領域内に設けられていることを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬパネル。
  6. 　前記電流密度調整部は、チップ部品をマウントし得るチップ部品マウント部を含むことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬパネル。
  7. 　請求項１記載の有機ＥＬパネルの前記電流供給端子を介して電気的特性を測定する測定ステップと、
    　前記測定ステップにおける測定結果に応じて、前記有機ＥＬパネルの前記電流密度調整部への個別の電流路の一部を選択的に切断する切断ステップと、
    　前記切断ステップを経た有機ＥＬパネルを含む発光装置を形成する有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  8. 　前記測定ステップは、前記有機ＥＬパネルの発光部の発光輝度を測定する輝度測定ステップを含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
  9. 　請求項６記載の有機ＥＬパネルの前記電流供給端子を介して電気的特性を測定する測定ステップと、
    　前記測定ステップにおける測定結果に応じて、前記有機ＥＬパネルの前記チップ部品マウント部にチップ部品をマウントするマウントステップと、
    　前記マウントステップを経た有機ＥＬパネルを含む発光装置を形成する有機ＥＬ発光装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016170963A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 パイオニア株式会社 発光装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09305145A (ja) * 1996-05-16 1997-11-28 Fuji Electric Co Ltd 表示素子駆動方法
JPH11312582A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Nippon Seiki Kk 有機エレクトロルミネセンス
JP2001005420A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Nippon Seiki Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子
JP2006215227A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Seiko Epson Corp 発光装置の改善方法及び発光装置
JP2007011218A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Sharp Corp 表示装置
JP2008051977A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Denso Corp パッシブマトリックス型表示装置
JP2009123363A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Rohm Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス装置
JP2010170773A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09305145A (ja) * 1996-05-16 1997-11-28 Fuji Electric Co Ltd 表示素子駆動方法
JPH11312582A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Nippon Seiki Kk 有機エレクトロルミネセンス
JP2001005420A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Nippon Seiki Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子
JP2006215227A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Seiko Epson Corp 発光装置の改善方法及び発光装置
JP2007011218A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Sharp Corp 表示装置
JP2008051977A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Denso Corp パッシブマトリックス型表示装置
JP2009123363A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Rohm Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス装置
JP2010170773A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016170963A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 パイオニア株式会社 発光装置

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