JP6329177B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6329177B2
JP6329177B2 JP2015550577A JP2015550577A JP6329177B2 JP 6329177 B2 JP6329177 B2 JP 6329177B2 JP 2015550577 A JP2015550577 A JP 2015550577A JP 2015550577 A JP2015550577 A JP 2015550577A JP 6329177 B2 JP6329177 B2 JP 6329177B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
light
conductive film
side terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015550577A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2015079718A1 (ja
Inventor
俊彦 青木
俊彦 青木
昌希 村形
昌希 村形
陽介 佐藤
陽介 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Corp filed Critical Pioneer Corp
Publication of JPWO2015079718A1 publication Critical patent/JPWO2015079718A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6329177B2 publication Critical patent/JP6329177B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/813Anodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/84Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Description

本発明は、発光装置に関する。
近年は、有機EL(Organic Electroluminescence)素子やLED(Light Emitting Diode)などを有する発光素子の開発が進んでいる。発光素子を発光させる場合、発光素子に電力を供給する必要がある。一方、複数の発光素子を並列に設けた場合、例えばある発光素子において陽極と陰極が短絡した場合など、特定の発光素子に電流が集中する場合がある。この場合、発光素子が劣化する恐れがある。
これに対して特許文献1には、複数の発光素子を並列に接続する配線と、各発光素子を、ヒューズ型配線で接続することが記載されている。これにより、発光素子に過電流が流れることを抑制できる、と記載されている。
特開2004−296154号公報
特許文献1に記載の技術では、特定の発光素子に電流が集中した場合、ヒューズ型配線が溶断するため、その発光素子を再び発光させることはできない。このため、本発明者は、複数の発光素子のそれぞれに抵抗素子を接続することを検討した。しかし、発光素子に抵抗素子を接続すると、発光装置の製造コストが高くなってしまう。
本発明が解決しようとする課題としては、特定の発光素子に電流が集中することを抑制しつつ、発光素子の製造コストが高くならないようにすることが一例として挙げられる。
請求項1に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成された複数の有機EL素子と、
前記基板のうち前記複数の有機EL素子と重ならない位置に設けられた端子と、
前記基板に設けられ、前記端子と前記複数の有機EL素子とを接続する抵抗素子と、
を備える発光装置である。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
図2から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。 図3から第2電極を取り除いた図である。 図4から封止部材を取り除いた図である。 発光装置の平面図である。 図1の点線αで囲んだ領域の拡大図である。 発光装置の等価回路図である。 図1のA−A断面図である。 図1のB−B断面である。 発光装置の変形例の第1例を示す平面図である。 図9に示した発光装置の等価回路図である。 発光装置の変形例の第2例を示す平面図である。 発光装置の変形例の第3例を示す平面図である。 第4の変形例に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第5の変形例に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第6の変形例に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第7の変形例に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第8の変形例に係る発光装置の構成を示す変形例である。 第9の変形例に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第10の変形例に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第11の変形例に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図20のC−C断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
(実施形態)
図1、図2、図3、及び図4は、発光装置100の平面図である。図3は、図4から封止部材180を取り除いた図であり、図2は、図3から第2電極140を取り除いた図であり、図1は、図2から有機層130及び絶縁層170を取り除いた図である。
発光装置100は、例えば矩形などの多角形であり、複数の発光素子102(図2に図示)、第1発光側端子150、及び第2発光側端子160を有している。発光素子102は、例えば有機EL素子であるが、LED素子であってもよい。そして、複数の発光素子102によって発光部104が形成されている。以下、発光素子102が有機EL素子として説明を行う。
第1発光側端子150及び第2発光側端子160は、発光素子102に電力を供給するために設けられている。このため、第1発光側端子150及び第2発光側端子160には、発光装置100に電力を供給するための接続部材(例えば金属配線)が接続される。第1発光側端子150は、第1の方向(図中左右方向)に延在しており、第2発光側端子160は第1の方向に交わる第2の方向(例えば図中上下方向)に延在している。
発光素子102は、基板110に、第1電極120(第1導電膜121の一部)、有機層130、及び第2電極140(第2導電膜141の一部)を積層した構成を有している。
本図に示す例では、発光素子102は、基板110の上に、第1電極120、有機層130、及び第2電極140がこの順に積層した構成を有している。ただし、第1電極120と第2電極140は逆になっていてもよい。
基板110は、たとえばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板110は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板110の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。この場合においても、基板110は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板110は、例えば矩形などの多角形である。
有機層130は、発光層を有している。有機層130は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層130の少なくとも一つの層は、塗布法によって形成されている。なお、有機層130の残りの層は、蒸着法によって形成されている。なお、有機層130は塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成しても構わない。
第1電極120は発光素子102の陽極として機能し、第2電極140は発光素子102の陰極として機能する。第1電極120及び第2電極140の一方(本図に示す例では第1電極120)は、光透過性を有する透明電極である。発光素子102が発光した光は、第1電極120及び第2電極140のうち透明電極となっている電極(本図に示す例では第1電極120)を介して外部に出射する。透明電極の材料は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子を含んでいる。
また、第1電極120及び第2電極140の他方(本図に示す例では第2電極140)は、Au、Ag、Pt、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。
より具体的には、第1電極120は、第1導電膜121のうち有機層130と重なっている領域(より詳細には有機層130と接している領域)である。図1に示すように、第1導電膜121は、第1発光側端子150に接続している。そして第1導電膜121は、基板110のうち、発光部104となる領域から第1発光側端子150まで連続して形成されている。本図に示す例では、基板110は矩形であり、第1発光側端子150は基板110のうち互いに対向する2辺に沿って設けられている。第1導電膜121は、この2辺の間に形成されている。
第1導電膜121のうち少なくとも第1電極120となる領域には、複数の開口122が設けられている。開口122は複数の発光素子102の間を延在しており、第1導電膜121を複数の第1電極120のそれぞれに分割している。そして、いずれの発光素子102が有する第1電極120も、第1導電膜121の他の部分を介して第1発光側端子150に接続している。このため、開口122が形成されていても、複数の発光素子102の第1電極120は互いにつながっており、共通の電極(一つの電極)として機能する。なお、第1導電膜121のうち第1発光側端子150の近くに位置している部分には、開口122がなくてもよい。
図1におけるすべての開口122は、一方の第1発光側端子150にまで到達せず、かつ、他方の第1発光側端子150にまで到達していない。ただし、少なくとも一部の開口122は、一方の第1発光側端子150まで延びて到達していても構わない。例えば、後述する高抵抗領域106における抵抗値を調整するために、すべての開口122が、2つの第1発光側端子150に到達していなくても構わない。
また、図3に示すように、複数の発光素子102の第2電極140は互いに繋がっている。言い換えると、第2電極140は、複数の発光素子102に共通の電極として形成されている。詳細には、第2電極140は第2導電膜141のうち有機層130と重なっている領域(より詳細には有機層130と接している領域)である。そして第2導電膜141は、有機層130及び絶縁層170の上に形成されており、また、第2発光側端子160に接続している。本図に示す例では、第2発光側端子160は、基板110のうち互いに対向する2辺に沿って形成されている。そして第2導電膜141は、これら2つの第2発光側端子160の間の領域を覆うように形成されている。
そして発光素子102は、例えば、第1導電膜121、有機層130、及び第2導電膜141の積層体のうち有機層130と第1導電膜121とが接しており、かつ有機層130と第2導電膜141とが接している領域と定義される。
図1〜図4に示す例において、第1発光側端子150及び第2発光側端子160は発光部104の外側に配置されている。詳細には、2つの第1発光側端子150が第2の方向に互いに離れて配置されており、かつ、2つの第2発光側端子160が第1の方向に互いに離れて配置されている。そして、発光部104は、2つの第1発光側端子150の間、かつ2つの第2発光側端子160の間に位置している。このようにすると、第1電極120には2つの第1発光側端子150から電圧が供給され、かつ第2電極140には2つの第2発光側端子160から電流又は電圧が供給されるため、発光部104の内部で電流又は電圧に分布が生じることを抑制できる。これにより、発光部104に輝度の分布が生じることを抑制できる。
より具体的には、上記したように、発光装置100は矩形である。そして、発光装置100の互いに対向する2辺のそれぞれに沿って第1発光側端子150が形成されており、発光装置100の残りの2辺のそれぞれに沿って第2発光側端子160が形成されている。そして、複数の発光素子102は、第1発光側端子150が延在している方向(第1の方向)に並んでいる。本図に示す例において、発光素子102は長方形であり、短辺が第1発光側端子150と平行な方向を向いている。第1発光側端子150の長さは、発光素子102の短辺よりも大きくなっている。
第1発光側端子150は、第1導電膜121の一部(第1層152)の上に第2層154を積層した構成を有している。言い換えると、第1発光側端子150、高抵抗領域106、及び第1電極120は、連続した一つの第1導電膜121(単一の導電膜)を含んでいる。そして第1層152は第1電極120と一体になっている。このため、第1発光側端子150と第1電極120の間の距離を短くして、これらの間の抵抗値を小さくすることができる。また、発光装置100の縁に存在する非発光領域を狭くすることができる。
なお、本実施形態において、発光装置100の縁は、発光装置100(又は基板110)の端面からある程度内側までの領域を指している。別の言い方をすれば、発光装置100の縁は、発光装置100の端部のことである。発光装置100の端部は、例えば、発光装置100の発光部104(又は後述する絶縁層170)と基板110の端面の間の領域である。
第2層154は、第1電極120よりも抵抗値が低い材料(例えばAlなどの金属、またはMo/Al/Moなどの金属の積層膜)によって形成されている。そして、第1発光側端子150に電圧を供給する接続部材は、第2層154に接続している。なお、第2層154は、第1電極120よりも透光性が低い。なお、第1発光側端子150は、第1層152のみで形成されていても良いし、少なくとも一部が第2層154のみで形成されていても良い。
また、第2発光側端子160は、第1層162の上に第2層164を積層した構成を有している。第1層162は第1導電膜121と同様の材料又は同様の材料と他の材料を有する組成物により形成されている。ただし、第1層162は第1電極120から分離している。第2層164は、第2層154と同様の材料により形成されている。なお、第2発光側端子160は、第1層162のみで形成されていても良いし、少なくとも一部が第2層164のみで形成されていても良い。
第1発光側端子150及び第2発光側端子160には、導電部材が接続する。第1発光側端子150の第1層152及び第2層154は、いずれも少なくとも一つの発光素子102の端部に沿って延在している。このため、第1発光側端子150は長くなり、発光装置100に電力を供給する導電部材の配置の制約が少なくなる。従って、導電部材を第1発光側端子150に取り付けやすくなる。同様に、第2発光側端子160の第1層162及び第2層164は、いずれも少なくとも一つの発光素子102の端部に沿って延在している。このため、第2発光側端子160は長くなり、発光装置100に電力を供給する導電部材の配置の制約が少なくなる。従って、導電部材を第2発光側端子160に取り付けやすくなる。
また、第1発光側端子150に第2層154を設け、かつ第2発光側端子160に第2層164を設けたため、第1発光側端子150及び第2発光側端子160の抵抗値を小さくすることができる。
なお、第1発光側端子150の幅(図1における左右方向の幅)及び第2発光側端子160の幅(図1における上下方向の幅)は、いずれも発光部104の幅の50%以上であるのが好ましい。
また、上記した導電部材のうち第1発光側端子150(又は第2発光側端子160)に接続している部分は、発光部104の中心と重なっているのが好ましい。このようにすると、発光装置100の電極に電圧分布が生じることをさらに抑制できるため、発光装置100の内部で輝度に分布が生じることをさらに抑制できる。
第1電極120には、補助電極124(第3導電膜すなわち導電層の一例)が接している。本図に示す例では、補助電極124は、第1電極120のうち基板110とは逆側の面に設けられている。補助電極124は、複数の発光素子102のそれぞれに沿って設けられており、開口122の近くに位置している。別の見方をすれば、補助電極124は、隣り合う発光素子102の間に位置している。補助電極124は、例えば開口122に隣接している。そして補助電極124うち開口122側の縁から、開口122のうち補助電極124側の縁までの距離は、例えば700μm以上2000μm以下である。補助電極124は、第1電極120よりも抵抗値の低い材料(例えばAlなどの金属)によって形成されている。補助電極124が形成されることにより、第1電極120の面内で電圧降下が生じることを抑制できる。これにより、発光装置100の輝度に分布が生じることを抑制できる。
なお、本図に示す例において、補助電極124は2つの第1発光側端子150の間を延在しているが、2つの第1発光側端子150の第2層154のいずれにも直接接続していない。ただし、補助電極124は、いずれかの第2層154に直接接続していてもよい。
図2に示すように、第1導電膜121のうち第2層154で覆われていない領域の上には、絶縁層170が形成されている。絶縁層170は、例えばポリイミドなどの感光性の樹脂又は酸化ケイ素等の無機材料によって形成されている。絶縁層170には、複数の開口172が設けられている。開口172は、開口122及び補助電極124と平行に延在している。ただし、開口172は補助電極124及び第1電極120の開口122に重なっていない。このため、補助電極124は絶縁層170に覆われており、また、開口122のうち発光部104の内部に位置する部分も、絶縁層170によって覆われている。また、少なくとも開口172の内部には、上記した有機層130が形成されている。そして、第1電極120及び第2電極140の間に電圧又は電流が印加されることにより、開口172内に位置する有機層130は発光する。言い換えると、開口172のそれぞれの中に発光素子102が形成されている。
図2に示すように、第1導電膜121には、有機層130が成膜されている成膜部分と、有機層130が成膜されていない未成膜部分がある。この未成膜部分は、後述する高抵抗領域106の一部を構成している。この未成膜部分の一部は、絶縁層170で覆われていない露出領域126となっている。そして、上記した開口122は、成膜部分と未成膜部分の一方又は双方に形成されている。図1〜図4に示す例では、開口122は、成膜部分と未成膜部分の双方に形成されている。また、第1発光側端子150の第1層152は、この未成膜部分に設けられている。
また、図4に示すように、複数の発光素子102は封止部材180によって封止されている。封止部材180は、基板110と同様の多角形の金属箔又は金属板(例えばAl箔又はAl板)の縁部182の全周を押し下げた形状を有している。そして縁部182は接着材又は粘着材等で基板110に固定されている。
図5は、図1の点線αで囲んだ領域の拡大図である。図6は、発光装置100の等価回路図である。上記したように、補助電極124は、第1発光側端子150の第2層154に直接繋がっていない。このため、第1導電膜121のうち補助電極124が形成されていない領域は高抵抗領域106となり、第1導電膜121の残りの領域は低抵抗領域108となる。高抵抗領域106の単位長さあたりの抵抗値は、低抵抗領域108の単位長さあたりの抵抗値よりも大きい。好ましくは、高抵抗領域106の抵抗値は、低抵抗領域108の抵抗値よりも大きい。
なお、高抵抗領域106は、第1発光側端子150と発光部104との間に抵抗が生じればよく、高い抵抗値を有していても、小さい抵抗値を有していても構わない。例えば、高抵抗領域106は、第1導電膜121のうち高抵抗領域106となる領域を細くしたり薄くすることにより形成されていても良い。また、第1導電膜121のうち高抵抗領域106が配置される領域を除去し、その部分に第1導電膜121よりも高抵抗な膜や、チップコンデンサを配置しても良い。ただし、第1発光側端子150からの電圧、又は電流が供給される際、発光部104に供給される電圧又は電流が一つの発光素子102に集中することを抑止する、いわゆる電流制限抵抗の領域となる点で、高い抵抗値を有していることが好ましい。また発光装置100の中に複数の高抵抗領域106が設けられているが、これら複数の高抵抗領域106の少なくともひとつの抵抗値は、他の高抵抗領域106の抵抗値と異なっていても良い。
そして図6に示すように、高抵抗領域106は、陽極端子である第1発光側端子150と発光素子102の間に位置する抵抗素子(保護用の抵抗素子)として機能する。この抵抗素子が設けられることにより、いずれかの発光素子102において第1電極120と第2電極140が短絡しても、この発光素子102に電流が集中して発光装置100が劣化することを抑制できる。また、高抵抗領域106を設けることにより、保護用の抵抗素子を設けて第1電極120に接続する必要がない。従って、発光装置100の製造コストを低くすることができる。なお、高抵抗領域106の長さ、すなわち第1電極120のうち補助電極124を有していない部分の長さは、発光素子102の長さ(図2における上下方向の長さ)の1%以上50%以下である。発光素子102の長さは、発光部104の面積を大きくできる点で3%以上30%以下であることが好ましく、さらに好ましくは5%以下10%以下である。
なお、言い換えると、発光装置10において、基板110には、複数の発光素子102、第1発光側端子150及び第2発光側端子160、ならびに抵抗素子が設けられていることになる。
図5に示す例において、高抵抗領域106の面積は低抵抗領域108の面積よりも小さい。このため、高抵抗領域106が発光素子102と重なることを抑制できる。なお、高抵抗領域106が発光素子102と重なると、発光素子102の輝度に分布が生じる可能性が出てくる。
図7は、図1のA−A断面図である。上記したように、第1発光側端子150は、第1電極120の端部(第1層152)の上に第2層154を積層した構成を有している。また、有機層130は封止部材180によって封止されている。封止部材180の内側には、乾燥剤が配置されていてもよい。封止部材180の縁部182は、絶縁性の接着層184を介して、基板110の上に形成された層(A−A断面では第2層154)に固定されている。ただし、第2層154のうち基板110の縁に近い部分は、縁部182から露出している。そして、第2層154のうち縁部182から露出している部分には、上記した導電部材が接続される。
図8は、図1のB−B断面である。上記したように、第2発光側端子160は、第1層162の上に第2層164(遮光層)を積層した構成を有している。封止部材180の縁部182は、絶縁性の接着層184を介して、第2発光側端子160の一部に固定されている。そして、第2発光側端子160のうち縁部182から露出している部分には、上記した導電部材が接続される。
(第1の変形例)
図9は、発光装置100の第1の変形例を示す平面図であり、図1に対応している。図10は、図9に示した発光装置100の等価回路図であり、図6に対応している。本図に示す例において、開口122には、相対的に長い開口122aと、開口122aに対して短い開口122bがある。言い換えると、開口122の少なくとも2つは、互いに長さが異なる。そして、開口122aの隣に位置する高抵抗領域106(図5参照)における第1導電膜121の面積は、開口122bの隣に位置する高抵抗領域106における第1導電膜121の面積よりも小さいため、抵抗値が高くなる。言い換えると、複数の発光素子102のうち少なくとも一つの高抵抗領域106は、他の発光素子102の高抵抗領域106に対して異なる抵抗値を有している。このため、開口122aを適切な位置に設けることにより、発光部104の輝度に分布が生じることを抑制できる。
例えば本図に示す例では、基板110は矩形であり、第1発光側端子150は基板110のうち互いに対向する2辺に設けられており、第2発光側端子160は残りの2辺に設けられている。このような場合、最も第2発光側端子160の近くに位置する発光素子102は、他の発光素子102と比べて輝度が高くなる。そこで、基板110の端部側に位置する開口122を開口122aとして、基板110の中央側に位置する開口122よりも短くする。一例として、最も第2発光側端子160の近くに位置する開口122を開口122aにすると、発光部104の輝度に分布が生じることを抑制できる。
(第2の変形例)
図11は、発光装置100の第2の変形例を示す平面図であり、図9に対応している。本図に示す発光装置100は、開口122の長さが同じである代わりに、少なくとも一つの補助電極124の長さが他の補助電極124の長さと異なっている点を除いて、図9に示した発光装置100と同様の構成である。具体的には、高抵抗領域106の抵抗を大きくしたい発光素子102において、補助電極124を他の補助電極124より短くする。言い換えると、少なくとも2つの補助電極124の長さは互いに異なっている。このようにしても、発光部104の輝度に分布が生じることを抑制できる。例えば図11に示す例では、基板110の端部側に位置する補助電極124aは、基板110の中央側に位置する補助電極124bよりも長くなっている。
(第3の変形例)
図12は、発光装置100の第3の変形例の要部を示す平面図である。本図は、発光装置100のうち第1発光側端子150の近くを拡大した図である。本図において、有機層130、第2電極140、及び封止部材180は省略されている。
図12の上から下に向かって、発光装置100は、第1発光側端子150、抵抗領域105、及び発光部104が示されている。ここで抵抗領域105は、第1発光側端子150と発光部104との間に抵抗が生じていればよく、高い抵抗値を有していても、小さい抵抗値を有していても構わない。ただし、抵抗領域105は、第1発光側端子150からの電圧又は電流が発光部104に供給される際、電圧又は電流が一つの発光素子102(例えば有機EL素子)に集中することを抑止する、いわゆる電流制限抵抗の領域となる点で、一定値以上(高い)抵抗値を有していることが好ましい。
第1発光側端子150は比較的広い領域を有する。第1発光側端子150は、第1電極120を構成する第1導電膜121の上に、第1導電膜121より抵抗値が小さい金属で構成される第4導電膜156が堆積した積層構造となっている。ここで、第4導電膜156は、Al等の金属材料で構成された膜、又は酸化しにくいMo等で前述した金属材料を挟んだ積層膜で構成してもよい。第4導電膜156は、例えばMo合金、Al合金、及びMo合金をこの順に積層した膜である。
抵抗領域105は、第1導電膜121の一部である。第1導電膜121は複数の開口122を有する。また、抵抗領域105の抵抗値を調整するため、少なくとも一部に上記した第4導電膜156が積層されていても構わない。図示の例では、第1発光側端子150にある第4導電膜156が抵抗領域側に突出することにより突出部158が形成されている。そして、突出部158は、発光部104(各発光素子102)に向かって延びている。突出部158の長さは、抵抗領域105の長さと略同じ又は小さくても構わなく、抵抗領域105の長さに対して0%〜100%の間で適宜設定することができる。図示の場合には、突出部158の長さは抵抗領域105の長さの30〜50%程度である。
発光部104の発光素子102のそれぞれにおいて、その外周部(端部)には第5導電膜190が形成されている。第5導電膜190は、第1発光側端子150又は基板110の1辺に沿って延在した後、屈曲して第1導電膜121の開口122に沿って向かって延びている。この開口122に沿っている部分は、補助電極124になっている。第5導電膜190は、例えば第4導電膜156と同様の層構成を有している。第5導電膜190は、開口122の上には形成されていない。すなわち第5導電膜190は、発光素子102のそれぞれに対して設けられている。この第1発光側端子150又は基板110の1辺に沿って形成された第5導電膜190を絶縁層170が覆っており、絶縁層170も発光部104の周囲を囲むように環状に形成されている。また、第1導電膜121の開口122に沿って延びている第5導電膜190(例えば補助電極124)及び第1導電膜121の開口122を絶縁層170が覆っている。言い換えると、絶縁層170は環状の部分と、その環状の部分の内側に位置していて開口122に沿う部分(直線状の部分)を備えている。
なお、第1導電膜121のうち絶縁層170の環状の部分で覆われる領域(第5導電膜190が形成されている領域を含む)も抵抗を有しているため、抵抗領域105として用いても構わない。これにより、抵抗領域の抵抗値の調整幅を拡大でき、また抵抗領域105の一部を発光部104の一部と重複させることで、非発光部の面積を小さくすることができる。
(第4の変形例)
図13は、第4の変形例に係る発光装置100の構成を示す平面図であり、実施形態の図1に対応している。本変形例に係る発光装置100は、第1発光側端子150及び第2発光側端子160を一つずつ有している点を除いて、実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
本変形例においても、図5に示した高抵抗領域106が設けられているため、発光部104に供給される電圧又は電流が一つの発光素子102に集中することを抑制できる。
(第5の変形例)
図14は、第5の変形例に係る発光装置100の構成を示す平面図であり、実施形態の図1に対応している。本変形例に係る発光装置100は、第1導電膜121の平面形状をのぞいて、実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
本変形例において、第1導電膜121のうち第1電極120として機能する領域は、複数の発光素子102を一つの単位として複数に分割されている。そして、これら一つの単位に属する複数の第1電極120は、共通の高抵抗領域106を介して第1発光側端子150に接続している。本変形例において、高抵抗領域106は、第1導電膜121の一部を細くした狭幅領域125によって構成されている。そして狭幅領域125の幅及び長さを調節することにより、狭幅領域125には所望の抵抗値が与えられる。
本変形例においても、図5に示した高抵抗領域106が設けられているため、発光部104に供給される電圧又は電流が一つの発光素子102に集中することを抑制できる。
(第6の変形例)
図15は、第6の変形例に係る発光装置100の構成を示す平面図であり、実施形態の図1に対応している。本変形例に係る発光装置100は、第1発光側端子150の構成を除いて、実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
本変形例において、第1発光側端子150の第1層152は、第1発光側端子150の一部の領域にのみ形成されている。そして第1発光側端子150のうち第1層152が形成されていない部分において、第2層154は基板110に接している。本図に示す例では、第1層152は、第1発光側端子150のうち発光部104側の領域にのみ形成されているが、第1層152の平面形状は本図に示す例に限定されない。
本変形例においても、図5に示した高抵抗領域106が設けられているため、発光部104に供給される電圧又は電流が一つの発光素子102に集中することを抑制できる。
(第7の変形例)
図16は、第7の変形例に係る発光装置100の構成を示す平面図であり、実施形態における図1に対応している。本変形例に係る発光装置100は、配線151を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
配線151は、第1発光側端子150と発光部104の間を延在しており、2つの第1発光側端子150を接続している。配線151は、第1発光側端子150と同様に第2層154を有している。なお、第1発光側端子150においても第2層154の下に第1層152が形成されていても良い。配線151の幅は、補助電極124の幅よりも広い。そして配線151が設けられることによって、2つの第1発光側端子150の間で電圧に差が生じることを抑制できる。
本変形例においても、図5に示した高抵抗領域106が設けられているため、発光部104に供給される電圧又は電流が一つの発光素子102に集中することを抑制できる。
(第8の変形例)
図17は、第8の変形例に係る発光装置100の構成を示す変形例であり、実施形態における図1に対応している。本変形例に係る発光装置100は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
まず、第1発光側端子150及び第2発光側端子160は、基板110のうち同一の辺に沿って設けられている。具体的には、第1発光側端子150の両脇に、第2発光側端子160が設けられている。
そして、第2導電膜141の一部は第2発光側端子160と重なっており、この重なっている部分で第2発光側端子160に接続している。具体的には、第2導電膜141と第2発光側端子160とが重なっている部分には、絶縁層170(図2参照)が形成されていない。そしてこの部分で、第2導電膜141は第2発光側端子160に接している。
本変形例においても、図5に示した高抵抗領域106が設けられているため、発光部104に供給される電圧又は電流が一つの発光素子102に集中することを抑制できる。
(第9の変形例)
図18は、第9の変形例に係る発光装置100の構成を示す平面図であり、実施形態における図5に対応している。本変形例に係る発光装置100は、高抵抗領域106としてチップ抵抗107が設けられている点を除いて、実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
詳細には、第1導電膜121は、第1層152と第1電極120との間で分断されている。そしてこの分断されている領域は、チップ抵抗107を介して電気的に接続されている。チップ抵抗107の抵抗値は、適宜選択される。チップ抵抗107としては、公知のものを用いることができ、例えば角形、円筒形、金属板タイプ、樹脂モールドタイプ、セラミックケース封入タイプなどのチップ抵抗(抵抗体ともいう)を用いることができる。
本変形例によれば、高抵抗領域106としてチップ抵抗107が設けられているため、発光部104に供給される電圧又は電流が一つの発光素子102に集中することを抑制できる。また、高抵抗領域106の抵抗値として選択できる範囲を広げることができる。
(第10の変形例)
図19は、第10の変形例に係る発光装置100の構成を示す平面図であり、第9の変形例における図18に対応している。本変形例に係る発光装置100は、チップ抵抗107の代わりに高抵抗膜109が形成されている点を除いて、第9の変形例に係る発光装置100と同様の構成である。
高抵抗膜109は、第1導電膜121よりもシート抵抗が高い材料、例えば不純物が導入されたポリシリコンによって形成されている。なお、高抵抗膜109は他の材料によって形成されていても良い。高抵抗膜109は、例えば第1導電膜121を形成した後、絶縁層170を形成する前に、スパッタリング法やCVD法などの気相成長法や、インクジェット法や印刷法などの塗布法を用いて形成される。
本変形例によれば、高抵抗領域106として高抵抗膜109が設けられているため、発光部104に供給される電圧又は電流が一つの発光素子102に集中することを抑制できる。また、高抵抗領域106の抵抗値として選択できる範囲を広げることができる。
(第11の変形例)
図20は、第11の変形例に係る発光装置100の構成を示す平面図であり、第10の変形例における図19に対応している。図21は、図20のC−C断面図である。本変形例に係る発光装置100は、以下の点を除いて第10の変形例に係る発光装置100と同様の構成である。なお、本図では、説明のため、複数の発光素子102を図示している。
まず、発光部104は、複数種類の発光素子102(発光素子102a,102b,102c)を有している。これら複数種類の発光素子102a,102b,102cは、互いに異なる色(例えば赤、緑、及び青)の光を発光し、第1発光側端子150が延在する方向に繰り返し配置されている。そして第1発光側端子150は、複数の発光素子102a,102b,102cのそれぞれに対して設けられている(第1発光側端子150a,150b,150c)。
詳細には、発光素子102aの第1電極120a、発光素子102bの第1電極120b、及び発光素子102cの第1電極120cは、互いに分離している。第1発光側端子150a,150b,150cは、この順に、発光部104から離れる方向に配置されている。そして、第1電極120aは第1導電膜121によって第1発光側端子150aに接続されている。一方、第1電極120bは配線144を介して第1発光側端子150bに接続しており、第1電極120cも配線145を介して第1発光側端子150cに接続している。
図20に示すように、配線144は、第1発光側端子150aと交わる方向に延在しており、配線145は第1発光側端子150a及び第1発光側端子150bと交わる方向に延在している。ここで、配線144と第1発光側端子150aの間、配線145と第1発光側端子150aの間、及び配線145と第1発光側端子150bの間には、いずれも絶縁層174が設けられている。なお、絶縁層174は、例えば絶縁層170と同一工程で形成されている。また、配線144,145は、例えば第2導電膜141と同一工程で形成されている。
本変形例によれば、発光部104は複数種類の発光素子102a,102b,102cを有している。そして、発光素子102aの第1電極120aは第1発光側端子150aに接続しており、発光素子102bの第1電極120bは第1発光側端子150bに接続しており、発光素子102cの第1電極120cは第1発光側端子150cに接続している。第1発光側端子150a,150b,150cはいずれも基板110の上に形成されているが、基板110の上では電気的に分離している。このため、発光素子102a,102b,102cの発光強度は互いに独立して設定される。従って、発光装置100は調色可能になる。
また、第1電極120aと第1発光側端子150aの間には、例えば実施形態で示した構造の高抵抗領域106が形成されている。また、第1電極120bと第1発光側端子150bの間では、配線144の幅を細くすることによって高抵抗領域106が形成される。同様に、第1電極120cと第1発光側端子150cの間においても、配線145の幅を細くすることによって高抵抗領域106が形成される。従って、本変形例によっても、発光部104に供給される電圧又は電流が一つの発光素子102に集中することを抑制できる。
なお、補助電極124は、発光素子102a,102b,102cに沿って、各発光素子102a,102b,102cごとに設けられていてもよい。開口122は、発光素子102a毎、一組の発光素子102a,102b毎、又は、一組の発光素子102a,102b,102c毎に設けられてもよい。
なお、上記した実施形態及び変形例によれば、以下の構成が開示されている。
(付記1)
基板と、
前記基板に形成され、隣り合っており、第1導電膜、有機層、及び第2導電膜を有する複数の有機EL素子を備え、
前記複数の有機EL素子の前記第2導電膜は繋がっており、
前記複数の有機EL素子の前記第1導電膜は繋がっており、
前記第1導電膜は、前記複数の有機EL素子の間に位置する開口を有している発光装置。
(付記2)
付記1に記載の発光装置において、
前記第1導電膜は、前記有機層が成膜されている成膜部分と、前記有機層が成膜されていない未成膜部分を備える発光装置。
(付記3)
付記2に記載の発光装置において、
前記開口は、前記有機層の成膜部分及び前記有機層の未成膜部分のうち、一方又は双方に形成されている発光装置。
(付記4)
付記3に記載の発光装置において、
前記第1導電膜より抵抗値が低い材料で形成される第3導電膜が当該第1導電膜に接しており、
前記第3導電膜は、前記複数の有機EL素子の間に位置する発光装置。
(付記5)
付記4に記載の発光装置において、
前記第3導電膜は、前記有機層の成膜部分に形成されている発光装置。
(付記6)
付記5に記載の発光装置において、
前記複数の有機EL素子の前記第1導電膜に接続している第1端子と、
前記複数の有機EL素子の前記第2導電膜に接続している第2端子と、
を備え、
前記有機層の未成膜部分に、前記第1端子が設けられている発光装置。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
この出願は、2013年11月28日に出願された国際出願PCT/JP2013/082107を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (8)

  1. 基板と、
    前記基板に第1の方向に並んで形成され、それぞれが第1導電膜、有機層、及び第2導電膜を有する複数の有機EL素子と、
    前記第1導電膜に接続している第1端子と、
    を備え、
    前記複数の有機EL素子及び前記第1端子は、前記第1の方向に交わる第2の方向に並んでおり、
    前記複数の有機EL素子の前記第2導電膜は繋がっており、
    前記複数の有機EL素子の前記第1導電膜は繋がっており、
    前記第1導電膜は、少なくとも一部が前記複数の有機EL素子の間に位置する開口を有しており、
    前記開口の全周は前記第1導電膜によって囲まれている発光装置。
  2. 請求項1に記載の発光装置において、
    複数の前記開口を備え、
    前記複数の開口の少なくとも一つは、他の前記開口と長さが異なる発光装置。
  3. 請求項1に記載の発光装置において
    記第1導電膜は、前記開口が設けられている部分と前記第1端子の間に、前記開口が設けられている部分よりも幅が狭い狭幅領域を備える発光装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記第1導電膜は、前記有機層が成膜されている成膜部分と、前記有機層が成膜されていない未成膜部分を備える発光装置。
  5. 請求項4に記載の発光装置において、
    前記開口は、前記有機層の成膜部分及び前記有機層の未成膜部分のうち、一方又は双方に形成されている発光装置。
  6. 請求項5に記載の発光装置において、
    前記第1導電膜より抵抗値が低い材料で形成される第3導電膜が当該第1導電膜に接しており、
    前記第3導電膜は、前記複数の有機EL素子の間に位置する発光装置。
  7. 請求項6に記載の発光装置において、
    前記第3導電膜は、前記有機層の成膜部分に形成されている発光装置。
  8. 請求項7に記載の発光装置において
    記第2導電膜に接続している第2端子を備え、
    前記有機層の未成膜部分に、前記第1端子が設けられている発光装置。
JP2015550577A 2013-11-28 2014-03-07 発光装置 Active JP6329177B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPPCT/JP2013/082107 2013-11-28
PCT/JP2013/082107 WO2015079542A1 (ja) 2013-11-28 2013-11-28 発光装置
PCT/JP2014/056015 WO2015079718A1 (ja) 2013-11-28 2014-03-07 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015079718A1 JPWO2015079718A1 (ja) 2017-03-16
JP6329177B2 true JP6329177B2 (ja) 2018-05-23

Family

ID=53198531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015550577A Active JP6329177B2 (ja) 2013-11-28 2014-03-07 発光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160293671A1 (ja)
EP (1) EP3076755B1 (ja)
JP (1) JP6329177B2 (ja)
WO (2) WO2015079542A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104393188A (zh) * 2014-11-28 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036391A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Toray Ind Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2001110574A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子用電極
JP2002202737A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Nec Corp 発光素子の製造方法、発光素子
JP3983037B2 (ja) * 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
JP3894068B2 (ja) * 2002-07-31 2007-03-14 日本精機株式会社 多数個取り基板及びその製造方法
JP2004296154A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Konica Minolta Holdings Inc 電極とその製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4666247B2 (ja) * 2004-03-31 2011-04-06 日本精機株式会社 有機elパネルの製造方法
KR100653265B1 (ko) * 2004-04-19 2006-12-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP2005327667A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Seiko Epson Corp 有機el素子の製造方法、有機el素子製造システムおよび電子機器
KR100811473B1 (ko) * 2006-10-17 2008-03-07 엘지전자 주식회사 전계발광패널 및 그를 포함하는 광원장치
JP5112707B2 (ja) * 2007-01-26 2013-01-09 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
JP2008257951A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Toyota Industries Corp スキャナ用光源
JP2009157288A (ja) * 2007-12-28 2009-07-16 Nippon Seiki Co Ltd 多数個取り基板及びその製造方法
JP5263605B2 (ja) * 2009-01-28 2013-08-14 日本精機株式会社 マザーパネル及び有機elパネルの製造方法
JP5600895B2 (ja) * 2009-06-26 2014-10-08 富士ゼロックス株式会社 有機電界発光素子、露光装置、プロセスカートリッジ、画像形成装置、表示装置、有機電界発光素子の駆動方法
JP5706736B2 (ja) * 2011-03-31 2015-04-22 パナソニック株式会社 有機電界発光素子及び有機電界発光ユニット並びに照明器具
JP5907766B2 (ja) * 2012-03-14 2016-04-26 株式会社カネカ 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法
WO2013161005A1 (ja) * 2012-04-24 2013-10-31 パイオニア株式会社 有機elパネルおよびこれを用いた発光装置の製造方法
JP2014089825A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置、及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3076755A1 (en) 2016-10-05
EP3076755A4 (en) 2017-07-19
US20160293671A1 (en) 2016-10-06
WO2015079542A1 (ja) 2015-06-04
JPWO2015079718A1 (ja) 2017-03-16
WO2015079718A1 (ja) 2015-06-04
EP3076755B1 (en) 2023-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4561490B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP2007311159A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6329177B2 (ja) 発光装置
WO2015079543A1 (ja) 発光装置
JP2015106452A (ja) 発光装置
WO2017119068A1 (ja) 発光装置
JP2015106451A (ja) 発光装置
JP2019102444A (ja) Oled照明装置
JP7353331B2 (ja) 発光装置
JP6294071B2 (ja) 発光装置
JP6644486B2 (ja) 発光装置
JP2012049062A (ja) 照明装置
WO2015114763A1 (ja) 発光装置
JP2024023850A (ja) 発光装置
WO2018151027A1 (ja) 発光装置
JP2015162444A (ja) 発光装置
JP6700013B2 (ja) 発光装置
WO2016151718A1 (ja) 発光装置
JP2022002227A (ja) 発光装置
JP2016046141A (ja) 発光装置
JP2020053414A (ja) 発光装置
JP2015125974A (ja) 発光装置
JP6371532B2 (ja) 発光装置
WO2017183118A1 (ja) 発光装置
JP2015106453A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20170515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170530

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170711

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20170721

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20170721

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180309

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180327

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180419

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6329177

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150