JP5907766B2 - 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法に関する。

有機ＥＬ素子を用いた照明装置およびバックライトなどの発光デバイスにおいて、輝度むらを低減すべく、補助電極を設けることが知られている（例えば、引用文献１、引用文献２および引用文献３参照）。
特許文献１ 特開２００４−１４１２８号公報
特許文献２ 特開２００８−１０２４４号公報
特許文献３ 特開２００７−８０７７０号公報

ところで、有機ＥＬ素子などのエレクトロルミネセンス素子を用いた発光デバイスの市場の拡大を図るべく、発光デバイスの新たな用途の開発が要求されている。

本発明の一態様に係る発光デバイスは、第１電極層および第２電極層と、第１電極層と第２電極層との間に配置されている発光層と、第１方向に延伸して配置されており、第１方向の電気抵抗が第１電極層より低く、第１方向に沿って第１電極層と電気的に接続されている第１電気接続部を有し、外部からの駆動電圧をそれぞれに独立して印加可能な複数の第１電極と、第１方向とは異なる第２方向に延伸して複数の第１電極と交差して配置されており、第２方向の電気抵抗が第２電極層より低く、第２方向に沿って第２電極層と電気的に接続されている第２電気接続部を有し、外部から駆動電圧をそれぞれに独立して印加可能な複数の第２電極とを含む。

上記発光デバイスにおいて、複数の第１電極のそれぞれは、第１電極層上に帯状に配列されており、発光層は、第１電極層上および複数の第１電極上に堆積されていてもよい。

上記発光デバイスは、第２電極層上に配置されており、第２方向に沿って複数の貫通部が形成されている絶縁層をさらに備え、複数の第２電極のそれぞれは、絶縁層の複数の貫通部のそれぞれを覆って、絶縁層上に帯状に配列されており、複数の貫通部を介して第２電極層と電気的に接続されていてもよい。上記発光デバイスにおいて、絶縁層上の複数の第２電極は、第２電極層より厚くてもよい。

上記発光デバイスにおいて、複数の第２電極のそれぞれは、第２電極層上に帯状に配列されていてもよい。上記発光デバイスは、第２電極層上および複数の第２電極上に配置されており、第１方向に沿って複数の貫通部が形成されている絶縁層をさらに備え、第２電極層および発光層は、複数の貫通部にそれぞれ対応する位置に、内面に絶縁層が形成されている複数の貫通部を有し、複数の第１電極のそれぞれは、絶縁層、第２電極層、および発光層の複数の貫通部のそれぞれを覆って、絶縁層上に帯状に配列されており、複数の貫通部を介して第１電極層と電気的に接続されていてもよい。

上記発光デバイスにおいて、複数の第２電極は、第２電極層より厚くてもよい。第２電極層と複数の第２電極とは同一材料で形成されていてもよい。第１電極層は、透明導電膜でもよい。

上記発光デバイスにおいて、複数の第１電極のうちの一の第１電極と複数の第２電極のうちの一の第２電極とに駆動電圧が印加された場合に、一の第１電極と一の第２電極とが交差している領域を中心とする発光領域が、一の第１電極と一の第２電極に隣接している他の第２電極とが交差している領域、または一の第１電極に隣接している他の第１電極と一の第２電極とが交差している領域に重なるように、複数の第１電極の配置間隔および複数の第２電極の配置間隔が定められてもよい。

本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法は、第１電極層を形成する工程と、第１電極層上に、第１方向に延伸する帯状の複数の第１電極を形成する工程と、第１電極層および複数の第１電極の上方に発光層を形成する工程と、発光層の上方に第２電極層を形成する工程と、第２電極層上に、第１方向とは異なる第２方向に沿って複数の貫通部が形成されている絶縁層を形成する工程と、絶縁層上に、絶縁層の複数の貫通部のそれぞれを覆い、複数の貫通部を介して第２電極層と電気的に接続される、第２方向に延伸する帯状の複数の第２電極を形成する工程とを含む。

本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法は、第１電極層を形成する工程と、第１電極層の上方に発光層を形成する工程と、発光層の上方に第２電極層を形成する工程と、第２電極層上に、第２方向に延伸する帯状の複数の第２電極を形成する工程と、第２電極層上および複数の第２電極上に絶縁層を形成する工程と、複数の第２電極に重ならない領域に、第１方向とは異なる第２方向に沿って、絶縁層、第２電極層、および発光層を貫通する複数の貫通部を形成する工程と、絶縁層上に、複数の貫通部をそれぞれ覆い、複数の貫通部を介して第１電極層と電気的に接続される、第１方向に延伸する帯状の複数の第１電極を形成する工程とを含む。

上記発光デバイスの製造方法において、複数の第１電極は、第１方向の電気抵抗が第１電極層より低くてもよい。複数の第２電極は、第２方向の電気抵抗が第２電極層より低くてもよい。

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

第１の実施形態に係る発光デバイスの陰極側から見た図である。 図１に示すＡ−Ａ断面図である。 図１に示すＢ−Ｂ断面図である。 図１に示すＣ−Ｃ断面図である。 図１に示すＤ−Ｄ断面図である。 第１電極および第２電極の間隔について説明するための図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの陰極側から見た図である。 図５に示すＡ−Ａ断面図である。 図５に示すＢ−Ｂ断面図である。 図５に示すＣ−Ｃ断面図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、第１の実施形態に係る発光デバイス１００の陰極側から見た図を示す。図２Ａは、図１に示すＡ−Ａ断面図を示す。図２Ｂは、図１に示すＢ−Ｂ断面図を示す。図２Ｃは、図１に示すＣ−Ｃ断面図を示す。図２Ｄは、図１に示すＤ−Ｄ断面図を示す。

第１の実施形態に係る発光デバイス１００は、基板１０、第１電極層２０、発光層３０、第２電極層４０、絶縁層５０、複数の第１電極６０および複数の第２電極７０を備える。発光デバイス１００は、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ発光デバイスである。なお、発光デバイス１００は、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ発光デバイス、または両面光取出し型の有機ＥＬ発光デバイスでもよい。

第１の実施形態に係る発光デバイス１００によれば、複数の第１電極６０と第１電極層２０とが電気的に接続され、複数の第２電極７０と第２電極層４０とが電気的に接続されている。よって、複数の第１電極６０のうちの一の第１電極６０と、複数の第２電極７０のうちの一の第２電極７０とにそれぞれ駆動電圧を印加した場合、駆動電圧に伴う電流が第１電極層２０および第２電極層４０まで流れる。これにより、発光層３０は、一の第１電極６０と一の第２電極７０とが交差している交差領域に加えてその交差領域の周縁領域まで発光する。そして、交差領域から遠くなるほど駆動電圧に伴う電流は流れにくくなるので、交差領域を１つの画素と捉えた場合、画素の周縁部が交差領域から遠くなるに従って暗くなるように光る。よって、一の第１電極６０と一の第２電極７０とに駆動電圧を印加した場合、発光デバイス１００は、周囲がぼやけて光る画素を表現できる。

例えば、いわゆるパッシブマトリックス方式により、発光させる交差領域を順次切り替えながら発光層３０を発光させ、光の演出を行う場合、交差領域のそれぞれの面積が大きいと、発光する交差領域の角部が目立ち、光による滑らかな波やゆらぎの表現を十分に実現できない。これに対して発光デバイス１００によれば、交差領域の周縁部を交差領域から遠くになるほど暗くなるように光らせることができる。したがって、たとえ交差領域のそれぞれの面積が大きくても、発光する交差領域の角部が目立たない。よって、発光デバイス１００は、観察者に違和感を与えることなく、光による波やゆらぎなどを表現できる。

基板１０は、ガラスまたは高分子フィルムなどの光透過性を有する板材を用いることができる。第１電極層２０は、陽極であり、透明導電膜でもよい。第１電極層２０は、光透過性導電性材料により構成されてもよい。ここで、「光透過性」とは、光を透過する性質を有することを意味する。光透過性導電性材料は、可視光域（３５０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における光の透過率が概ね５０％を超える性質を有し、かつ表面抵抗値が１０^７Ω以下の材料のことをいう。具体的には、光透過性導電性材料として、インジウムドープの酸化錫（ＩＴＯ）、インジウムドープの酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛などを用いることができる。表面抵抗の低さの観点からは、インジウムドープの酸化錫を用いて第１電極層２０を構成することが好ましい。第１電極層２０は、例えば、スパッタ法、蒸着法、パルスレーザー堆積法などにより基板１０上にＩＴＯ薄膜を形成することにより形成される。

発光層３０は、第１電極層２０と第２電極層４０との間に配置されている。発光層３０は、第１電極層２０上および複数の第１電極６０上に堆積されている。発光層３０は、一般の有機ＥＬ素子において陽極と陰極とに狭持された部分を示し、電子注入層、電子輸送層、有機層、正孔注入層、および正孔輸送層などを有する。発光層３０は、有機化合物のほかに、薄膜のアルカリ金属または無機材料を用いて構成されてもよい。

第２電極層４０は、陰極であり、発光層３０の上方に配置されている。第２電極層４０は、例えば、ＡｌまたはＡｇなどの導電性材料を用いて、蒸着法、スパッタ法などの方法により発光層３０上に形成される。基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ発光デバイスの場合、第２電極層４０は光透過性である必要はない。一方、トップエミッション型または両面取出し型の有機ＥＬ発行デバイスの場合、第２電極層４０は、光透過性導電材料により構成される。この場合、第２電極層４０は、第１電極層２０で用いられる材料と同一の材料により構成されてもよい。なお、本実施形態においては、第２電極層４０は、発光層３０上に配置されている。しかし、発光デバイス１００の製造工程において、吸湿によって発光層３０を構成する各層が劣化するのを抑制する観点から、発光層３０の最表面（第２電極層４０との界面）に第２電極層４０とは別に、バッファ層として導電性の他の層を形成してもよい。

複数の第１電極６０は、第１方向Ｘに延伸して配置されており、第１方向Ｘの電気抵抗が第１電極層より低い。複数の第１電極６０は、第１方向Ｘに沿って第１電極層２０と電気的に接続されている第１電気接続部６２を有し、外部からの駆動電圧をそれぞれに独立して印加できる。複数の第１電極６０のそれぞれは、第１電極層２０上に帯状に配列されている。複数の第１電極６０は、それぞれ個別の取出電極に接続され、それぞれの取出電極を介してそれぞれ個別に駆動電圧が印加される。

複数の第２電極７０は、第１方向Ｘとは異なる第２方向Ｙに延伸して複数の第１電極６０と交差して配置されている。複数の第２電極７０は、第２電極層４０より厚くてもよい。複数の第２電極７０は、第２方向Ｙの電気抵抗が第２電極層より低く、第２方向Ｙに沿って第２電極層４０と電気的に接続されている第２電気接続部７２を有し、外部から駆動電圧をそれぞれに独立して印加できる。複数の第２電極７０は、それぞれ個別の取り出し電極に接続され、それぞれの取出電極を介してそれぞれ個別に駆動電圧が印加される。

複数の第１電極６０および複数の第２電極７０は、第２電極層４０と同一の導電性材料で構成されてもよい。また、複数の第２電極７０は、第２電極層４０よりも表面抵抗が低い導電性材料で構成されてもよい。

絶縁層５０は、第２電極層４０上に配置されており、第２方向Ｙに沿って複数の貫通部５２が形成されている。複数の第２電極７０のそれぞれは、絶縁層５０の複数の貫通部５２のそれぞれを覆って、絶縁層５０上に帯状に配列されており、複数の貫通部５２を介して第２電極層４０と電気的に接続されている。絶縁層５０は、有機化合物により構成してもよい。レーザースクライブ法により複数の貫通部５２を形成する場合には、用いられるレーザーの波長（例えば、５３２ｎｍまたは３５５ｎｍ）に合せて、可視光波長域に吸収を有する有機化合物であることが好ましい。絶縁層５０は、低分子有機化合物、高分子有機化合物などがあり、低分子有機化合物の場合は蒸着法、高分子有機化合物の場合は印刷等で形成できる。絶縁層５０の具体例としては、例えば、［トリス（８−ハイドロキシキノリナート）］アルミニウム(ＩＩＩ)（以下、Ａｌｑ₃と略す）、Ｐｅｒｙｌｅｎｅ、４，４'−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと略す）、４，４'-ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（以下、ＣＢＰと略す）、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）カルシウム（以下、Ｃａ（ＤＰＭ）₂と略す）、などが例示される。中でも絶縁抵抗の高さの観点から、Ａｌｑ₃、Ｐｅｒｙｌｅｎｅ、α−ＮＰＤ、ＣＢＰ、Ｃａ（ＤＰＭ）₂を少なくとも１つ含有することが好ましい。

以上のように構成された発光デバイス１００によれば、複数の第１電極６０および複数の第２電極７０にそれぞれ個別に駆動電圧を印加することで、駆動電圧が印加された一の第１電極６０および一の第２電極７０が交差している交差領域に加えてその交差領域の周縁領域まで発光層３０を発光させることができる。複数の第１電極６０および複数の第２電極７０に対して順次個別に駆動電圧を印加させることで、観察者に違和感を与えることなく、光による波やゆらぎなどを表現できる。

図３は、複数の第１電極６０の間隔ｗ１および複数の第２電極７０の間隔ｗ２について説明するための図である。隣接する交差領域を順次発光させることで、光による波やゆらぎなどを表現する場合、駆動電圧が印加された第１電極６０と第２電極７０とが交差する交差領域に隣接する交差領域まで発光させることで、観察者にさらに違和感を与えることなく、より滑らかな光の演出を実現できる。

そこで、複数の第１電極６０−１，６０−２，および６０−３のうちの一の第１電極６０−１と複数の第２電極７０−１，７０−２，および７０−３のうちの一の第２電極７０−３とに駆動電圧が印加された場合に、一の第１電極６０−１と一の第２電極７０−１とが交差している交差領域２０１を中心とする発光領域２１０が、一の第１電極６０−１と一の第２電極に隣接している他の第２電極７０−２とが交差している交差領域２０２、または一の第１電極６０−１に隣接している他の第１電極６０−３と一の第２電極７０−１とが交差している交差領域２０３に重なるように、複数の第１電極６０の配置間隔ｗ１および複数の第２電極の配置間隔ｗ２が定められてもよい。

より具体的には、第１電極層２０を、面積抵抗２０Ω／□（Ω／ｓｑ）のＩＴＯ薄膜で構成し、第１電極６０を面積抵抗０．１Ω／□（Ω／ｓｑ）のＡｇで構成する場合、配置間隔ｗ１は、１２ｍｍ以下であることが好ましい。また、第２電極層４０を、面積抵抗０．５Ω／□（Ω／ｓｑ）のＡｌ薄膜で構成し、第２電極７０を面積抵抗０．０５Ω／□（Ω／ｓｑ）のＡｇで構成する場合、配置間隔ｗ２は、１５０ｍｍ以下であることが好ましい。

図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄ、図４Ｅおよび図４Ｆは、第１の実施形態に係る発光デバイス１００の製造方法の各工程の一例を示す。

まず、ＩＴＯ薄膜が形成された基板１０の発光面側からレーザーを照射し、ＩＴＯ薄膜の一部を除去し、溝３１を形成する。これにより、基板１０上に第１電極層２０、および第２電極層４０の取出電極２２を形成する（図４Ａ）。なお、第２電極層４０の取出電極２２は形成しなくてもよい。

続いて、例えばマスク蒸着などでＡｇまたはＡｌを堆積させることで、第１電極層２０上に第１方向Ｘに延伸する帯状の複数の第１電極６０を形成する（図４Ｂ）。さらに、第１電極層２０および複数の第１電極６０の上方にマスク蒸着などにより発光層３０を形成し（図４Ｃ）、発光層３０の上方に第２電極層４０を形成する（図４Ｄ）。加えて、第２電極層４０上に、第１方向Ｘとは異なる、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙに沿って複数の貫通部５２が形成されている絶縁層５０を形成する（図４Ｅ）。絶縁層５０は、マスク蒸着により形成してもよい。そして、絶縁層５０上に、絶縁層５０の複数の貫通部５２のそれぞれを覆い、複数の貫通部５２を介して第２電極層４０と電気的に接続される、第２方向Ｙに延伸する帯状の複数の第２電極７０を形成する（図４Ｆ）。複数の第２電極７０は、マスク蒸着により形成してもよい。

以上の工程により、第１電極層２０に電気的に接続された複数の第１電極６０および第２電極層４０に電気的に接続された複数の第２電極７０を備えた発光デバイス１００を製造することができる。

図５は、第２の実施形態に係る発光デバイス１００の陰極側から見た図を示す。図６Ａは、図５に示すＡ−Ａ断面図を示す。図６Ｂは、図５に示すＢ−Ｂ断面図を示す。図６Ｃは、図５に示すＣ−Ｃ断面図を示す。

第２の実施形態に係る発光デバイス１００は、複数の第１電極６０および複数の第２電極７０の構成が第１の実施形態に係る発光デバイス１００と異なる。

第１電極層２０は、基板１０上に配置されており、発光層３０は、第１電極層２０の上方に配置されている。さらに、第２電極層４０は、発光層３０の上方に配置されている。そして、複数の第２電極７０のそれぞれは、第２方向Ｙに沿って第２電極層４０上に帯状に配列されている。複数の第２電極７０は、第２電極層より厚くてもよい。

絶縁層５０は、第２電極層４０上および複数の第２電極７０上に配置されている。絶縁層５０は、第１方向Ｘに沿って複数の貫通部５２が形成されている。第２電極層４０および発光層３０は、複数の貫通部５２にそれぞれ対応する位置に、内面に絶縁層が形成されている複数の貫通部５４を有する。

複数の第１電極６０のそれぞれは、絶縁層５０、第２電極層４０、および発光層３０の複数の貫通部５２および５４のそれぞれを覆って、絶縁層５０上に帯状に第１方向Ｘに沿って配列されており、複数の貫通部５２および５４を介して第１電極層２０と電気的に接続されている。

以上のように構成された発光デバイス１００によれば、複数の第１電極６０および複数の第２電極７０にそれぞれ個別に駆動電圧を印加することで、駆動電圧が印加された一の第１電極６０および一の第２電極７０が交差している交差領域に加えてその交差領域の周縁領域まで発光層３０を発光させることができる。複数の第１電極６０および複数の第２電極７０に対して順次個別に駆動電圧を印加させることで、観察者に違和感を与えることなく、光による波やゆらぎなどを表現できる。

図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図７Ｄ、図７Ｅ、図７Ｆおよび図７Ｇは、第２の実施形態に係る発光デバイス１００の製造方法の各工程の一例を示す。

まず、ＩＴＯ薄膜が形成された基板１０の発光面側からレーザーを照射し、ＩＴＯ薄膜の一部を除去し、溝３１を形成する。これにより、基板１０上に第１電極層２０、および第２電極層４０の取出電極２２を形成する（図７Ａ）。第１電極層２０の上方にマスク蒸着などにより発光層３０を形成し（図７Ｂ）、発光層３０の上方に第２電極層４０を形成する（図７Ｃ）。次いで、第２電極層４０上に、マスク蒸着などにより第２方向Ｙに延伸する帯状の複数の第２電極を形成する（図７Ｄ）。さらに、マスク蒸着などにより第２電極層４０上および複数の第２電極７０上に絶縁層５０を形成する（図７Ｅ）。加えて、複数の第２電極７０に重ならない領域に、第１方向Ｘとは異なる、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙに沿って、絶縁層５０、第２電極層４０、および発光層３０を貫通する複数の貫通部５２および５４を形成する（図７Ｆ）。複数の貫通部５２および５４は、基板１０の発光面側からレーザーを照射し、絶縁層５０、第２電極層４０、および発光層３０の一部を除去することで、形成されてもよい。そして、絶縁層５０上に、複数の貫通部５２および５４をそれぞれ覆い、かつ複数の貫通部５２および５４を介して第１電極層２０と電気的に接続される、第１方向Ｘに延伸する帯状の複数の第１電極６０を形成する（図７Ｇ）。

以上の工程により、絶縁層５０、第２電極層４０、および発光層３０を貫通する複数の貫通部５２および５４を介して第１電極層２０と電気的に接続される複数の第１電極６０が絶縁層５０上に形成された発光デバイス１００を製造できる。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

１０ 基板
２０ 第１電極層
３０ 発光層
４０ 電極層
５０ 絶縁層
５２ 貫通部
６０ 第１電極
７０ 第２電極
１００ 発光デバイス

Claims (14)

1. 第１電極層および第２電極層と、
   前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置されている発光層と、
   第１方向に延伸して配置されており、前記第１方向の電気抵抗が前記第１電極層より低く、前記第１方向に沿って前記第１電極層と電気的に接続されている第１電気接続部を有し、外部からの駆動電圧をそれぞれに独立して印加可能な複数の第１電極と、
   前記第１方向とは異なる第２方向に延伸して前記複数の第１電極と平面視でみて交差して配置されており、前記第２方向の電気抵抗が前記第２電極層より低く、前記第２方向に沿って前記第２電極層と電気的に接続されている第２電気接続部を有し、外部から駆動電圧をそれぞれに独立して印加可能な複数の第２電極と
   を含む発光デバイス。
2. 前記複数の第１電極のそれぞれは、前記第１電極層上に帯状に配列されており、
   前記発光層は、前記第１電極層上および前記複数の第１電極上に堆積されている請求項１に記載の発光デバイス。
3. 前記第２電極層上に配置されており、前記第２方向に沿って複数の貫通部が形成されている絶縁層をさらに備え、
   前記複数の第２電極のそれぞれは、前記絶縁層の前記複数の貫通部のそれぞれを覆って、前記絶縁層上に帯状に配列されており、前記複数の貫通部を介して前記第２電極層と電気的に接続されている請求項１または２に記載の発光デバイス。
4. 前記絶縁層上の前記複数の第２電極は、前記第２電極層より厚い請求項３に記載の発光デバイス。
5. 前記複数の第２電極のそれぞれは、前記第２電極層上に帯状に配列されている請求項１に記載の発光デバイス。
6. 前記第２電極層上および前記複数の第２電極上に配置されており、前記第１方向に沿って複数の貫通部が形成されている絶縁層をさらに備え、
   前記第２電極層および前記発光層は、前記複数の貫通部にそれぞれ対応する位置に、内面に絶縁層が形成されている複数の貫通部を有し、
   前記複数の第１電極のそれぞれは、前記絶縁層、前記第２電極層、および前記発光層の前記複数の貫通部のそれぞれを覆って、前記絶縁層上に帯状に配列されており、前記複数の貫通部を介して前記第１電極層と電気的に接続されている請求項５に記載の発光デバイス。
7. 前記複数の第２電極は、前記第２電極層より厚い請求項５または６に記載の発光デバイス。
8. 前記第２電極層と前記複数の第２電極とは同一材料で形成されている請求項１から７のいずれか一項に記載の発光デバイス。
9. 前記第１電極層は、透明導電膜である請求項１から８のいずれか一項に記載の発光デバイス。
10. 前記複数の第１電極のうちの一の第１電極と前記複数の第２電極のうちの一の第２電極とに駆動電圧が印加された場合に、前記一の第１電極と前記一の第２電極とが平面視でみて交差している領域を中心とする発光領域が、前記一の第１電極と前記一の第２電極に隣接している他の第２電極とが平面視でみて交差している領域、または前記一の第１電極に隣接している他の第１電極と前記一の第２電極とが平面視でみて交差している領域に重なるように、前記複数の第１電極の配置間隔および前記複数の第２電極の配置間隔が定められている請求項１から９のいずれか一項に記載の発光デバイス。
11. 第１電極層を形成する工程と、
    前記第１電極層上に、外部からの駆動電圧をそれぞれに独立して印加可能な前記第１方向に延伸する帯状の複数の第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極層および前記複数の第１電極の上方に発光層を形成する工程と、
    前記発光層の上方に第２電極層を形成する工程と、
    前記第２電極層上に、前記第１方向とは異なる第２方向に沿って複数の貫通部が形成されている絶縁層を形成する工程と、
    前記絶縁層上に、前記絶縁層の前記複数の貫通部のそれぞれを覆い、前記複数の貫通部を介して前記第２電極層と電気的に接続され、外部から駆動電圧をそれぞれに独立して印加可能な前記第２方向に延伸する帯状の複数の第２電極を形成する工程と
    を含む発光デバイスの製造方法。
12. 第１電極層を形成する工程と、
    前記第１電極層の上方に発光層を形成する工程と、
    前記発光層の上方に第２電極層を形成する工程と、
    前記第２電極層上に、外部から駆動電圧をそれぞれに独立して印加可能な第２方向に延伸する帯状の複数の第２電極を形成する工程と、
    前記第２電極層上および前記複数の第２電極上に絶縁層を形成する工程と、
    前記複数の第２電極に重ならない領域に、前記第１方向とは異なる第２方向に沿って、前記絶縁層、前記第２電極層、および前記発光層を貫通する複数の貫通部を形成する工程と、
    前記絶縁層上に、前記複数の貫通部をそれぞれ覆い、前記複数の貫通部を介して前記第１電極層と電気的に接続され、外部から駆動電圧をそれぞれに独立して印加可能な前記第１方向に延伸する帯状の複数の第１電極を形成する工程と
    を含む発光デバイスの製造方法。
13. 前記複数の第１電極は、前記第１方向の電気抵抗が前記第１電極層より低い請求項１１または１２に記載の発光デバイスの製造方法。
14. 前記複数の第２電極は、前記第２方向の電気抵抗が前記第２電極層より低い請求項１１から１３のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。

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