JP2006318776A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1電極3、有機エレクトロルミネッセンス層4及び第2電極5が基板側から順に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子2を有する第1基板1に対向して、第1基板1に対向する側に設けられた第2電極5より低比抵抗のパターン化された導電性膜7を有する第2基板6を貼り合わせるとともに、導電性膜7を第2電極5と電気的に接続する。
【選択図】 図1
Description
また、低抵抗化には金属であるAgを薄くすることにより透光性が得られるが、そのためには膜厚を20nm以下とするのが望ましく、そうすると、低抵抗膜が得られないという問題がある。
図9は、従来の有機EL素子を用いたアクティブマトリクス型のトップエミッション型表示装置の説明図であり、上図は要部平面図であり、また、下図は上図におけるA−A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図であり、ガラス基板61上にSiN膜62及びSiO2 膜63を介して多結晶シリコン島状領域64を形成するとともに、この多結晶シリコン島状領域64の上にSiO2 膜からなるゲート絶縁膜65を介してAlからなるゲート電極66を設け、次いで、全面を覆うようにSiO2 膜67を設けたのち、ソース・ドレイン領域に対する開口を形成してソース電極68及びドレイン電極69を形成することによってアクティブ素子としてのTFTを形成する。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、第1電極3、有機エレクトロルミネッセンス層4及び第2電極5が基板側から順に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子2を有する第1基板1に対向して、第1基板1に対向する側に設けられた第2電極5より低比抵抗のパターン化された導電性膜7を有する第2基板6を貼り合わせるとともに、導電性膜7が第2電極5と電気的に接続されていることを特徴とする。
この場合、第2電極5に透光性を持たせるためには、半透明金属薄膜或いは酸化物透明導電膜の少なくともいずれかを用いれば良い。
この場合の外光反射防止構造としては、凹凸構造或いはブラックマトリックスのいずれかが典型的なものである。
また、両面表示装置とする場合には、第1電極3を透光性を有する材料で構成することが必要になる。
図2参照
まず、第1ガラス基板11上にAlからなる陽極12をストライプ状に設けたのち、所定の位置に開口部を有する蒸着マスクを用いて有機EL層13を堆積させる。
なお、図2における第1段目〜第3段目の図は、第4段目に示す平面図におけるA−A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。
図3参照
図3は、本発明の実施例2の有機EL素子を用いたトップエミッション型表示装置の概略的要部断面図であり、感光性ポリイミドからなる凸状絶縁膜19を形成したものであり、それにともなって断面形状は異なっているがそれ以外の製造工程は上記の実施例1と全く同様である。
図4参照
図4は、本発明の実施例3の有機EL素子を用いたトップエミッション型表示装置の概略的要部断面図であり、第2ガラス基板21と補助電極22との間に黒色樹脂からなるブラックマトリクス23を設けたものであり、それ以外の製造工程は上記の実施例1と全く同様である。
図5参照
図5は、本発明の実施例4の有機EL素子を用いたトップエミッション型表示装置の概略的要部断面図であり、第2ガラス基板21の第1ガラス基板11との対向面側に凹凸構造24を形成し、凹凸構造24を利用して補助電極22の表示面側を凹凸構造としたものであり、それ以外の製造工程は上記の実施例1と全く同様である。
図6参照
図6は、本発明の実施例5の有機EL素子を用いたトップエミッション型表示装置の概略的要部断面図であり、第2ガラス基板21のかわりにホットメルト接着剤32が表面にコーティングされた可撓性を有するPET(ポリエチレンテレフタレート)からなる透明フィルム基板31を設けたものであり、それ以外の製造工程は上記の実施例1と基本的に同様である。
図7参照
まず、第1ガラス基板41上にSiN膜42及びSiO2 膜43を介して多結晶シリコン島状領域44を形成するとともに、この多結晶シリコン島状領域44の上にSiO2 膜からなるゲート絶縁膜45を介してAlからなるゲート電極46を設け、次いで、全面を覆うようにSiO2 膜47を設けたのち、ソース・ドレイン領域に対する開口を形成してTi/Al/Ti構造のソース電極48及びドレイン電極49を形成することによってアクティブ素子としてのTFTを形成する。
なお、この場合の補助電極22は、第2ガラス基板の外周部において互いに電気的に接続されている。
再び、図1参照
(付記1) 第1電極、有機エレクトロルミネッセンス層4及び第2電極5が基板側から順に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子2を有する第1基板1に対向して、前記第1基板1に対向する側に設けられた前記第2電極5より低比抵抗のパターン化された導電性膜7を有する第2基板6を貼り合わせるとともに、前記導電性膜7が前記第2電極5と電気的に接続されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(付記2) 上記第2電極5が透光性を有する材料からなることを特徴とする付記1記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(付記3) 上記第2電極5が、半透明金属薄膜或いは酸化物透明導電膜の少なくともいずれかからなることを特徴とする付記2記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(付記4) 上記導電性膜7の第2基板6に接する面が外光反射防止構造であることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 (付記5) 上記外光反射防止構造が、凹凸構造或いはブラックマトリックスのいずれかであることを特徴とする付記4記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(付記6) 上記第1基板1と第2基板6とがホットメルト接着剤による貼り合わせであることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(付記7) 上記第1基板1上に、上記有機エレクトロルミネッセンス素子2を駆動するスイッチング素子を設けたことを特徴とする付記1乃至6のいずれか1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(付記8) 上記導電性膜7は、ストライプ状もしくはマトリックス状のいずれかに形成されており、且つ、上記第2基板6上における画素領域外で接続されていることを特徴とする付記7記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(付記9) 上記第1電極3が、不透明の金属膜からなり、第2基板6側を表示面としたことを特徴とする付記1乃至8のいずれか1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(付記10) 上記第1電極3が、透光性を有する材料からなり、第1基板1側及び第2基板6側の両方を表示面としたことを特徴とする付記1乃至8のいずれか1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
2 有機エレクトロルミネッセンス素子
3 第1電極
4 有機エレクトロルミネッセンス層
5 第2電極
6 第2基板
7 導電性膜
11 第1ガラス基板
12 陽極
13 有機EL層
14 正孔注入層
15 正孔輸送層
16 発光層
17 電子輸送層
18 陰極
19 凸状絶縁膜
21 第2ガラス基板
22 補助電極
23 ブラックマトリクス
24 凹凸構造
31 透明フィルム基板
32 ホットメルト接着剤
33 補助電極
41 第1ガラス基板
42 SiN膜
43 SiO2 膜
44 多結晶シリコン島状領域
45 ゲート絶縁膜
46 ゲート電極
47 SiO2 膜
48 ソース電極
49 ドレイン電極
50 平坦化絶縁膜
51 陽極
52 凸状絶縁膜
53 有機EL層
54 陰極
61 ガラス基板
62 SiN膜
63 SiO2 膜
64 多結晶シリコン島状領域
65 ゲート絶縁膜
66 ゲート電極
67 SiO2 膜
68 ソース電極
69 ドレイン電極
70 平坦化絶縁膜
71 コンタクトホール
72 陽極
73 補助電極
74 SiO2 膜
75 有機EL層
76 陰極
77 封止板
Claims (5)
- 第1電極、有機エレクトロルミネッセンス層及び第2電極が基板側から順に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子を有する第1基板に対向して、前記第1基板に対向する側に設けられた前記第2電極より低比抵抗のパターン化された導電性膜を有する第2基板を貼り合わせるとともに、前記導電性膜が前記第2電極と電気的に接続されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 上記導電性膜の第2基板に接する面が外光反射防止構造であることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 上記外光反射防止構造が、凹凸構造或いはブラックマトリックスのいずれかであることを特徴とする請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 上記第1基板と第2基板とがホットメルト接着剤による貼り合わせであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 上記第1基板上に、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するスイッチング素子を設けたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
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