JP2000040584A - 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示素子Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属電極の鏡面反射による像の写り込みを防
止し、発光効率の高いＥＬ表示素子を提供することを目
的とする。 【解決手段】 透明基板２０１上に感光性樹脂溶液を塗
布し、所定の温度で乾燥し感光性樹脂膜を形成し、ラン
ダムに配置されたドットパターンが形成されたフォトマ
スクを使って露光し、加熱硬化してドット状のなだらか
な凹凸を有する樹脂膜２０２を形成する。さらに、ＩＴ
Ｏからなる透明電極２０３、ＴＰＤからなる正孔輸送層
２０４及びＡｌｑからなる電子輸送発光層２０５のＥＬ
層を形成し、さらに、アルミニウム膜からなる金属電極
２０６を形成し、エポキシ樹脂で表示素子全体を封止し
て本発明のＥＬ表示素子を得る。
止し、発光効率の高いＥＬ表示素子を提供することを目
的とする。 【解決手段】 透明基板２０１上に感光性樹脂溶液を塗
布し、所定の温度で乾燥し感光性樹脂膜を形成し、ラン
ダムに配置されたドットパターンが形成されたフォトマ
スクを使って露光し、加熱硬化してドット状のなだらか
な凹凸を有する樹脂膜２０２を形成する。さらに、ＩＴ
Ｏからなる透明電極２０３、ＴＰＤからなる正孔輸送層
２０４及びＡｌｑからなる電子輸送発光層２０５のＥＬ
層を形成し、さらに、アルミニウム膜からなる金属電極
２０６を形成し、エポキシ樹脂で表示素子全体を封止し
て本発明のＥＬ表示素子を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネッセンス表示素子に関する。
ネッセンス表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス表示素子
（以下、ＥＬ表示素子という）は視野角、応答速度に優
れ薄型軽量な自発光型の表示素子として注目されてい
る。一般にＥＬ表示素子は、前面に蛍光を取り出すため
の透明電極、背面に金属電極があり、その間に有機発光
層（エレクトロルミネッセンス層、以下、ＥＬ層とい
う）を有する構成となっている。ＥＬ層は、正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層など
の複数の薄膜からなることが多い。また、電極とＥＬ層
との間に誘電体層を持つ場合もある。いずれにしても、
ＥＬ表示素子は複数の薄膜の積層体であり、その作成方
法は、透明基板上に透明電極、ＥＬ層及び金属電極を順
次蒸着法またはスパッタ法で成膜・積層するものであ
る。
（以下、ＥＬ表示素子という）は視野角、応答速度に優
れ薄型軽量な自発光型の表示素子として注目されてい
る。一般にＥＬ表示素子は、前面に蛍光を取り出すため
の透明電極、背面に金属電極があり、その間に有機発光
層（エレクトロルミネッセンス層、以下、ＥＬ層とい
う）を有する構成となっている。ＥＬ層は、正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層など
の複数の薄膜からなることが多い。また、電極とＥＬ層
との間に誘電体層を持つ場合もある。いずれにしても、
ＥＬ表示素子は複数の薄膜の積層体であり、その作成方
法は、透明基板上に透明電極、ＥＬ層及び金属電極を順
次蒸着法またはスパッタ法で成膜・積層するものであ
る。
【０００３】ＥＬの発光を取り出すための透明電極とし
ては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いることが多い
が、成膜時に加熱する必要がある。ＥＬ層は、有機物で
あり各層の界面が重要であるため、熱劣化や融解を避け
なければならない。一方、金属（例えばアルミニウム）
電極は、基板の加熱を抑えて成膜することができる。そ
のため、透明基板上にまず透明電極を設け、その上にＥ
Ｌ層、金属電極を積層することが通常行われている。
ては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いることが多い
が、成膜時に加熱する必要がある。ＥＬ層は、有機物で
あり各層の界面が重要であるため、熱劣化や融解を避け
なければならない。一方、金属（例えばアルミニウム）
電極は、基板の加熱を抑えて成膜することができる。そ
のため、透明基板上にまず透明電極を設け、その上にＥ
Ｌ層、金属電極を積層することが通常行われている。
【０００４】ＥＬ層の厚さは、積層したものでも１５０
０Å以下と非常に薄い。そのため、外部からの光はＥＬ
層を容易に通過する。ＥＬ層、金属電極の積層は平坦な
基板上になされるため、金属電極も平坦であり鏡面とな
るから、ＥＬ層を通過した外光は、金属電極で鏡面反射
されて前面に戻される。したがって、ＥＬ表示素子は鏡
のように像の写り込みを起こしてしまい、表示の視認性
を著しく損なうという問題を有する。
０Å以下と非常に薄い。そのため、外部からの光はＥＬ
層を容易に通過する。ＥＬ層、金属電極の積層は平坦な
基板上になされるため、金属電極も平坦であり鏡面とな
るから、ＥＬ層を通過した外光は、金属電極で鏡面反射
されて前面に戻される。したがって、ＥＬ表示素子は鏡
のように像の写り込みを起こしてしまい、表示の視認性
を著しく損なうという問題を有する。
【０００５】金属電極の鏡面反射による像の写り込みの
問題を解決しようとして、いくつかの方法が考えられ
る。一つは、散乱板のような反射防止膜をＥＬ表示素子
前面に設けて、ＥＬ表示素子への外光の導入と結像を抑
止することである。一つは、偏光板や波長板をＥＬ表示
素子前面に設けて、外光の反射光をＥＬ表示素子内に閉
じこめてしまうことである。どちらもＥＬ表示素子前面
に何らかの光学フィルター類が設けられるもので、これ
によるＥＬ発光の損失や表示のボケは避けられない問題
である。
問題を解決しようとして、いくつかの方法が考えられ
る。一つは、散乱板のような反射防止膜をＥＬ表示素子
前面に設けて、ＥＬ表示素子への外光の導入と結像を抑
止することである。一つは、偏光板や波長板をＥＬ表示
素子前面に設けて、外光の反射光をＥＬ表示素子内に閉
じこめてしまうことである。どちらもＥＬ表示素子前面
に何らかの光学フィルター類が設けられるもので、これ
によるＥＬ発光の損失や表示のボケは避けられない問題
である。
【０００６】もう一つは、金属電極を低反射率の材料に
変更することである。然しながら、この構成では、背面
金属電極でのＥＬ発光反射損失があり、発光の利用効率
が悪くなってしまう問題がある。発光の利用効率を上げ
るには、背面金属電極でＥＬ発光を反射させ前面に取り
出す必要がある。もう一つは、ＥＬ層を挟む２つの電極
とも透明電極とし、ＥＬ表示素子の背面に拡散反射板を
設けることである。この場合は、発光部と反射板との距
離があるために、視差の問題が生じ、色のにじみが発生
する問題がある。いずれの方法も、像の写り込み問題の
解決策として最善とは言えない。
変更することである。然しながら、この構成では、背面
金属電極でのＥＬ発光反射損失があり、発光の利用効率
が悪くなってしまう問題がある。発光の利用効率を上げ
るには、背面金属電極でＥＬ発光を反射させ前面に取り
出す必要がある。もう一つは、ＥＬ層を挟む２つの電極
とも透明電極とし、ＥＬ表示素子の背面に拡散反射板を
設けることである。この場合は、発光部と反射板との距
離があるために、視差の問題が生じ、色のにじみが発生
する問題がある。いずれの方法も、像の写り込み問題の
解決策として最善とは言えない。
【０００７】ＥＬ発光を効率よく表示として取り出すに
は、背面への発光を金属電極で反射させると同時に、像
の写り込みを避けなければならない。そのためには、金
属電極の平坦性を下げて、鏡面を解消することが有効で
ある。これにより、反射率を落とすことなく像の写り込
みを避けることが可能となる。
は、背面への発光を金属電極で反射させると同時に、像
の写り込みを避けなければならない。そのためには、金
属電極の平坦性を下げて、鏡面を解消することが有効で
ある。これにより、反射率を落とすことなく像の写り込
みを避けることが可能となる。
【０００８】ＥＬ層と金属電極は、電子を注入するため
に完全に接していることが望ましいため、金属電極だけ
平坦性を落とすことは出来ない。同様に正孔を注入する
ためにＥＬ層と透明電極も完全に接している必要があ
る。したがって、金属電極の平坦性を下げるには、透明
電極、ＥＬ層、金属電極の積層体全体で平坦性を下げな
ければならず、そのためには、下地の平坦性を下げれば
よい。
に完全に接していることが望ましいため、金属電極だけ
平坦性を落とすことは出来ない。同様に正孔を注入する
ためにＥＬ層と透明電極も完全に接している必要があ
る。したがって、金属電極の平坦性を下げるには、透明
電極、ＥＬ層、金属電極の積層体全体で平坦性を下げな
ければならず、そのためには、下地の平坦性を下げれば
よい。
【０００９】然しながら、単純に下地の平坦性を下げれ
ばよいと言うわけではない。例えば、ガラス表面をフッ
酸処理して得られる曇りガラスの表面は、光散乱が強す
ぎて表示がぼける可能性がある。フォトリソグラフィで
ガラス表面に適当なパターンを形成したものは、パター
ンの断面形状に角があり、この上に積層していくと上下
電極の短絡や断線を招きやすくなるという問題がある。
表面の形状の制御をより簡単な方法で行う必要がある。
基板表面に型押しをするエンボス法の適用も考えられる
が、大きな面積で精度良く行うために精度の高いエンボ
ス版と押圧装置が必要で、設備投資にコストがかさむ問
題がある。
ばよいと言うわけではない。例えば、ガラス表面をフッ
酸処理して得られる曇りガラスの表面は、光散乱が強す
ぎて表示がぼける可能性がある。フォトリソグラフィで
ガラス表面に適当なパターンを形成したものは、パター
ンの断面形状に角があり、この上に積層していくと上下
電極の短絡や断線を招きやすくなるという問題がある。
表面の形状の制御をより簡単な方法で行う必要がある。
基板表面に型押しをするエンボス法の適用も考えられる
が、大きな面積で精度良く行うために精度の高いエンボ
ス版と押圧装置が必要で、設備投資にコストがかさむ問
題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑み考案されたもので、金属電極の鏡面反射による像の
写り込みを防止し、発光効率の高いＥＬ表示素子を提供
することを目的とする。
鑑み考案されたもので、金属電極の鏡面反射による像の
写り込みを防止し、発光効率の高いＥＬ表示素子を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するために、まず請求項１においては、透明基板
上に複数のアノード電極、有機エレクトロルミネッセン
ス層及びカソード電極をこの順に積層してなる有機エレ
クトロルミネッセンス表示素子において、前記透明基板
上に位置的にランダムなドット状の凹凸が形成されてい
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示
素子としたものである。
を解決するために、まず請求項１においては、透明基板
上に複数のアノード電極、有機エレクトロルミネッセン
ス層及びカソード電極をこの順に積層してなる有機エレ
クトロルミネッセンス表示素子において、前記透明基板
上に位置的にランダムなドット状の凹凸が形成されてい
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示
素子としたものである。
【００１２】また、請求項２においては、前記ドット状
の凹凸がドット径１０μｍ以下、高さが５００Å以上の
なだらかな曲面で構成されていることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス表示素子としたものである。
の凹凸がドット径１０μｍ以下、高さが５００Å以上の
なだらかな曲面で構成されていることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス表示素子としたものである。
【００１３】さらにまた、請求項３においては、前記ド
ット状の凹凸は前記透明基板上の感光性樹脂膜をパター
ン露光して、加熱硬化することにより形成されているこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素子
としたものである。
ット状の凹凸は前記透明基板上の感光性樹脂膜をパター
ン露光して、加熱硬化することにより形成されているこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素子
としたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。本発明者らは、金属の鏡面反射による像の写り
込みを防止する方法を鋭意検討した結果透明基板上にド
ット状のなだらかな凹凸を形成して、透明電極、ＥＬ層
及び金属電極を形成すると鏡面反射による像の写り込み
を防止できることを見いだした。具体的には、ドット径
が１０μｍ以下、高さが５００Å以上のなだらかな曲面
で構成されているランダムに配置されたドット状の凹凸
を形成して、透明電極、ＥＬ層及び金属電極を形成する
と金属電極の鏡面反射による像の写り込みを防止でき
る。
明する。本発明者らは、金属の鏡面反射による像の写り
込みを防止する方法を鋭意検討した結果透明基板上にド
ット状のなだらかな凹凸を形成して、透明電極、ＥＬ層
及び金属電極を形成すると鏡面反射による像の写り込み
を防止できることを見いだした。具体的には、ドット径
が１０μｍ以下、高さが５００Å以上のなだらかな曲面
で構成されているランダムに配置されたドット状の凹凸
を形成して、透明電極、ＥＬ層及び金属電極を形成する
と金属電極の鏡面反射による像の写り込みを防止でき
る。
【００１５】具体的には、まず、透明基板２０１上に感
光性樹脂溶液を塗布し、所定の温度で乾燥し感光性樹脂
膜を形成する。ここで、透明基板としては石英基板、ガ
ラス基板、プラスチック基板などが使用できる。感光性
樹脂膜の物性は化学的安定性、熱的安定性に加え透明性
が要求される。感光性樹脂溶液の塗布方法はスピンコー
ト法、ロールコート法、印刷法等があり、使用する感光
性樹脂溶液に応じて適宜選択すればよい。
光性樹脂溶液を塗布し、所定の温度で乾燥し感光性樹脂
膜を形成する。ここで、透明基板としては石英基板、ガ
ラス基板、プラスチック基板などが使用できる。感光性
樹脂膜の物性は化学的安定性、熱的安定性に加え透明性
が要求される。感光性樹脂溶液の塗布方法はスピンコー
ト法、ロールコート法、印刷法等があり、使用する感光
性樹脂溶液に応じて適宜選択すればよい。
【００１６】次に、感光性樹脂膜上に所定のドットパタ
ーンを有するフォトマスクを用いて露光する。ここで、
フォトマスクは、ドット状のパターンが位置的にランダ
ムに分布しているものである。ドットパターン径は１０
μｍ以下であれば良いが使用する感光性樹脂に応じて適
宜設定する。
ーンを有するフォトマスクを用いて露光する。ここで、
フォトマスクは、ドット状のパターンが位置的にランダ
ムに分布しているものである。ドットパターン径は１０
μｍ以下であれば良いが使用する感光性樹脂に応じて適
宜設定する。
【００１７】次に、露光後の基板をオーブンにて所定の
温度で加熱し、露光された感光性樹脂膜を硬化し透明基
板２０１上にドット状の凹凸樹脂膜２０２を形成する
（図１参照）。加熱条件は樹脂膜が十分に硬化する条件
でよい。加熱すると、露光部に対し未露光部が低くな
り、その結果ドットパターンに対応したドット状のなだ
らかな凹凸ができる。露光部と未露光部で相対的な高低
差が生じるのは、露光部では感光性部材の反応が進む
が、未露光部では未反応物が多く加熱によりこれが蒸発
霧散するためと考えられる。この方法による凹凸の断面
形状は走査電子顕微鏡観察によると正弦的な連続的曲線
で構成されている。凹凸の段差は、膜厚を厚くしたり、
露光量を増やすことによりある程度制御可能であるが、
概ね５０Å〜１μｍで制御することが出来る。
温度で加熱し、露光された感光性樹脂膜を硬化し透明基
板２０１上にドット状の凹凸樹脂膜２０２を形成する
（図１参照）。加熱条件は樹脂膜が十分に硬化する条件
でよい。加熱すると、露光部に対し未露光部が低くな
り、その結果ドットパターンに対応したドット状のなだ
らかな凹凸ができる。露光部と未露光部で相対的な高低
差が生じるのは、露光部では感光性部材の反応が進む
が、未露光部では未反応物が多く加熱によりこれが蒸発
霧散するためと考えられる。この方法による凹凸の断面
形状は走査電子顕微鏡観察によると正弦的な連続的曲線
で構成されている。凹凸の段差は、膜厚を厚くしたり、
露光量を増やすことによりある程度制御可能であるが、
概ね５０Å〜１μｍで制御することが出来る。
【００１８】次に、ドット状の凹凸樹脂膜２０２上にＩ
ＴＯからなる透明電極２０３を形成し、ＥＬ層（２０
４、２０５）及び金属電極２０６を形成して本発明の有
機エレクトロルミネセンス表示素子を作製する（図１参
照）。ここで、透明電極としてはＩＴＯの他ＩＺＯ（In
dium Zinc Oxide ）やAluminum Zinc Oxide などが使用
できる。ＥＬ層としては、９，１０−ジアリールアント
ラセン誘導体、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリ
レン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、９，１０
−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、８−キノリ
ノラートリチウム、トリス（８−キノリノラート）アル
ミニウム錯体（以下Ａｌｑと略す）、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−ベンジ
ジン（以下ＴＰＤと略す）、トリス（５，７−ジクロ
ロ、８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス
（５−クロロ−８キノリノラート）アルミニウム錯体、
ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（５−フ
ルオロ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリ
ス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５
−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビ
ス〔８−（パラートシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及
びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシ
クロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエ
ン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−Ｐ−フェニレン
ビニレン、あるいは特開平４―３１４８８号公報、米国
特許５１４１６７１号、同４７６９２９２号で言及され
ている蛍光物質やＮ, Ｎ’ジアリール置換ピロロピロー
ル化合物等があげられるが、上記例に特に限定されるも
のではない。金属電極としては、アルミニウムの他Ｍｇ
Ａｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉなどが使用できる。
ＴＯからなる透明電極２０３を形成し、ＥＬ層（２０
４、２０５）及び金属電極２０６を形成して本発明の有
機エレクトロルミネセンス表示素子を作製する（図１参
照）。ここで、透明電極としてはＩＴＯの他ＩＺＯ（In
dium Zinc Oxide ）やAluminum Zinc Oxide などが使用
できる。ＥＬ層としては、９，１０−ジアリールアント
ラセン誘導体、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリ
レン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、９，１０
−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、８−キノリ
ノラートリチウム、トリス（８−キノリノラート）アル
ミニウム錯体（以下Ａｌｑと略す）、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−ベンジ
ジン（以下ＴＰＤと略す）、トリス（５，７−ジクロ
ロ、８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス
（５−クロロ−８キノリノラート）アルミニウム錯体、
ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（５−フ
ルオロ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリ
ス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５
−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビ
ス〔８−（パラートシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及
びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシ
クロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエ
ン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−Ｐ−フェニレン
ビニレン、あるいは特開平４―３１４８８号公報、米国
特許５１４１６７１号、同４７６９２９２号で言及され
ている蛍光物質やＮ, Ｎ’ジアリール置換ピロロピロー
ル化合物等があげられるが、上記例に特に限定されるも
のではない。金属電極としては、アルミニウムの他Ｍｇ
Ａｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉなどが使用できる。
【００１９】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、エポキシ樹脂（ＹＤＰＮ−６０１：東都化成
（株）製）３９０ｇ及びアクリル酸１０８ｇを１，６−
ヘキサンジオールアクリレート７５０ｇ中に溶解させて
ハイドロキノン０．５ｇ及びメチルエチルアンモニウム
アイオダイド３ｇの存在下に１００〜１５０℃で２時間
反応させた。ついで、無水ヘッド酸２７９ｇを添加し、
１００〜１５０℃で２時間反応させて、水溶性光重合性
オリゴマーを得た。
まず、エポキシ樹脂（ＹＤＰＮ−６０１：東都化成
（株）製）３９０ｇ及びアクリル酸１０８ｇを１，６−
ヘキサンジオールアクリレート７５０ｇ中に溶解させて
ハイドロキノン０．５ｇ及びメチルエチルアンモニウム
アイオダイド３ｇの存在下に１００〜１５０℃で２時間
反応させた。ついで、無水ヘッド酸２７９ｇを添加し、
１００〜１５０℃で２時間反応させて、水溶性光重合性
オリゴマーを得た。
【００２０】次に、得られた水溶性光重合性オリゴマー
１００重量部、非水溶性光重合性オリゴマーとしてフェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−６０２：
東都化成（株）製）４０重量部、光重合性モノマーとし
てトリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰ−
Ａ：共栄社油脂（株）製）２０重量部、光重合開始剤と
してイルガキュア−６５１（チバガイギー社製）５重量
部、光硬化用触媒前駆体としてジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロアンチモネート０．５重量部及び重合禁
止剤としてハイドロキノン０．１重量部を酢酸ブチルセ
ロソルブ１０００重量部中で混合して、ネガ型感光性樹
脂溶液を得た。
１００重量部、非水溶性光重合性オリゴマーとしてフェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−６０２：
東都化成（株）製）４０重量部、光重合性モノマーとし
てトリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰ−
Ａ：共栄社油脂（株）製）２０重量部、光重合開始剤と
してイルガキュア−６５１（チバガイギー社製）５重量
部、光硬化用触媒前駆体としてジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロアンチモネート０．５重量部及び重合禁
止剤としてハイドロキノン０．１重量部を酢酸ブチルセ
ロソルブ１０００重量部中で混合して、ネガ型感光性樹
脂溶液を得た。
【００２１】次に、ガラス基板２０１上に上記ネガ型感
光性樹脂溶液をスピンコート法で塗布し、７０℃で３０
分乾燥し膜厚１．６μｍの感光性樹脂膜を形成した。直
径８μｍのドットパターンが一面にランダムに配置され
ているフォトマスクを用いて、感光性樹脂膜を５０ｍＪ
／ｃｍ2 の露光量で露光し、１５０℃で１時間加熱し、
ドット状の凹凸樹脂膜２０２を形成した。ドット状の凹
凸樹脂膜２０２表面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ高さ２０００Åのドット状のなだらかな凹凸が形成さ
れていた。
光性樹脂溶液をスピンコート法で塗布し、７０℃で３０
分乾燥し膜厚１．６μｍの感光性樹脂膜を形成した。直
径８μｍのドットパターンが一面にランダムに配置され
ているフォトマスクを用いて、感光性樹脂膜を５０ｍＪ
／ｃｍ2 の露光量で露光し、１５０℃で１時間加熱し、
ドット状の凹凸樹脂膜２０２を形成した。ドット状の凹
凸樹脂膜２０２表面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ高さ２０００Åのドット状のなだらかな凹凸が形成さ
れていた。
【００２２】次に、ドット状の凹凸樹脂膜２０２上に、
スパッタ法によりＩＴＯ膜を２０００Å形成し、所定の
フォトリソグラフィ法によって、パターニング処理して
ストライプ状の透明電極２０３を形成した。透明電極２
０３表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、下地の
形状を反映したドット状のなだらかな凹凸が形成されて
いた。
スパッタ法によりＩＴＯ膜を２０００Å形成し、所定の
フォトリソグラフィ法によって、パターニング処理して
ストライプ状の透明電極２０３を形成した。透明電極２
０３表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、下地の
形状を反映したドット状のなだらかな凹凸が形成されて
いた。
【００２３】次に、蒸着法により、透明電極２０３上に
ＴＰＤからなる正孔輸送層２０４及びＡｌｑからなる電
子輸送発光層２０５のＥＬ層を形成し、さらに、アルミ
ニウム膜からなる金属電極２０６を形成し、エポキシ樹
脂で表示素子全体を封止して本発明のＥＬ表示素子を得
た。
ＴＰＤからなる正孔輸送層２０４及びＡｌｑからなる電
子輸送発光層２０５のＥＬ層を形成し、さらに、アルミ
ニウム膜からなる金属電極２０６を形成し、エポキシ樹
脂で表示素子全体を封止して本発明のＥＬ表示素子を得
た。
【００２４】得られたＥＬ表示素子を透明電極側から見
たところ、金属電極の鏡面反射による像の写り込みは見
られなかった。電力を印加したところ、凹凸に起因する
ような電極の短絡、断線は見られなかった。
たところ、金属電極の鏡面反射による像の写り込みは見
られなかった。電力を印加したところ、凹凸に起因する
ような電極の短絡、断線は見られなかった。
【００２５】
【発明の効果】上記したように、本発明のＥＬ表示素子
は透明基板上に位置的にランダムなドット状のなだらか
な凹凸を形成して、透明電極、ＥＬ層及び金属電極を形
成するので、金属電極の鏡面反射による像の写り込みを
防止でき、発光効率の良い表示品質の優れたＥＬ表示素
子を得ることができる。また、ドット状のなだらかな凹
凸は感光性樹脂膜をランダムに配置されたドットパター
ンの露光と加熱硬化により形成できるので、ドット状の
凹凸サイズ及び形状を容易に制御でき、結果として金属
電極の鏡面反射による像の写り込み防止効果の最適化が
図れる。さらにまた、ドット状の凹凸は感光性樹脂膜の
パターン露光、加熱処理にて形成できるので、現像工程
が不要になり、より簡単な工程で形成できる。
は透明基板上に位置的にランダムなドット状のなだらか
な凹凸を形成して、透明電極、ＥＬ層及び金属電極を形
成するので、金属電極の鏡面反射による像の写り込みを
防止でき、発光効率の良い表示品質の優れたＥＬ表示素
子を得ることができる。また、ドット状のなだらかな凹
凸は感光性樹脂膜をランダムに配置されたドットパター
ンの露光と加熱硬化により形成できるので、ドット状の
凹凸サイズ及び形状を容易に制御でき、結果として金属
電極の鏡面反射による像の写り込み防止効果の最適化が
図れる。さらにまた、ドット状の凹凸は感光性樹脂膜の
パターン露光、加熱処理にて形成できるので、現像工程
が不要になり、より簡単な工程で形成できる。
【図１】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示素
子の一実施例を示す模式部分断面図である。
子の一実施例を示す模式部分断面図である。
２０１……透明基板 ２０２……ドット状の凹凸樹脂膜 ２０３……透明電極 ２０４……正孔輸送層 ２０５……電子注入発光層 ２０６……金属電極
Claims (3)
- 【請求項１】透明基板上に複数のアノード電極、有機エ
レクトロルミネッセンス層及びカソード電極をこの順に
積層してなる有機エレクトロルミネッセンス表示素子に
おいて、前記透明基板上に位置的にランダムなドット状
の凹凸が形成されていることを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス表示素子。 - 【請求項２】前記ドット状の凹凸はドット径１０μｍ以
下、高さが５００Å以上のなだらかな曲面で構成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス表示素子。 - 【請求項３】前記ドット状の凹凸は前記透明基板上の感
光性樹脂膜をパターン露光、加熱硬化することにより形
成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の
有機エレクトロルミネッセンス表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20781098A JP4352474B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20781098A JP4352474B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040584A true JP2000040584A (ja) | 2000-02-08 |
| JP4352474B2 JP4352474B2 (ja) | 2009-10-28 |
Family
ID=16545885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20781098A Expired - Fee Related JP4352474B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4352474B2 (ja) |
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093574A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2004047383A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイ素子及びその製造方法 |
| US6717359B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR100437886B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2004-06-30 | 한국과학기술원 | 고발광효율 광결정 유기발광소자 |
| US6787976B2 (en) | 2000-10-18 | 2004-09-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Luminous display element including an optical member for reflecting light in a direction opposite to an incident direction |
| WO2004084324A1 (de) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Osram Opto Semiconductors | Organische leuchtdiode mit integriertem bild |
| KR100459121B1 (ko) * | 2001-06-18 | 2004-12-03 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| WO2004112434A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Ｅｌ装置及びその製造方法並びにｅｌ装置を用いた液晶表示装置 |
| WO2004112435A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Ｅｌ装置及びその製造方法並びにｅｌ装置を用いた液晶表示装置 |
| WO2004112442A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Ｅｌ装置及びその製造方法並びにｅｌ装置を用いた液晶表示装置 |
| KR100477104B1 (ko) * | 2002-05-08 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광효율이 개선된 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2005174717A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| WO2005107327A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 発光ディスプレイ |
| US7071617B2 (en) | 2003-05-16 | 2006-07-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting apparatus and method for forming the same |
| US7132791B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-11-07 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Electroluminescence display |
| JP2006318776A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US7223146B2 (en) | 2002-03-04 | 2007-05-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing electroluminescent display device with interlayer insulating film having convex and concave portions |
| KR100731033B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2007-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100776907B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2007-11-19 | 산요덴키가부시키가이샤 | 발광 디스플레이 |
| KR100782938B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2007-12-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| CN100405632C (zh) * | 2006-01-10 | 2008-07-23 | 陕西科技大学 | 一种电子注入型有机电致发光显示器件 |
| JP2008171829A (ja) * | 2001-03-29 | 2008-07-24 | Fujifilm Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2009009861A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Tokyo Institute Of Technology | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2009021089A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Nippon Zeon Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| WO2009116531A1 (ja) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイス用基板、有機ｌｅｄ素子用積層体及びその製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| KR100936817B1 (ko) * | 2003-02-27 | 2010-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로루미네센스 표시소자 및 그 제조방법 |
| US7663142B2 (en) | 2002-06-28 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7724323B2 (en) | 2005-01-21 | 2010-05-25 | Seiko Epson Corporation | Pattern-forming method for manufacturing device having partitioning layer formed on foundation layer with preliminary partitioning and residue fragment formed by removing part of partitioning layer |
| US7990047B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
| JP2012084391A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ照明装置 |
| WO2012090712A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 株式会社日立製作所 | 有機発光装置 |
| US8389303B2 (en) | 2008-07-25 | 2013-03-05 | Tokyo Institute Of Technology | Organic EL element and method of manufacturing the same |
| WO2014017425A1 (ja) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | 三菱レイヨン株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、電極、ｅｌ素子、面発光体及び太陽電池 |
| KR20140123912A (ko) | 2013-04-15 | 2014-10-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| JP2015092505A (ja) * | 2007-11-09 | 2015-05-14 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子用の透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法 |
| CN104733632A (zh) * | 2013-12-18 | 2015-06-24 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| US20150362776A1 (en) | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display Device |
| CN108922979A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-11-30 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| JP2019036474A (ja) * | 2017-08-17 | 2019-03-07 | 株式会社神戸製鋼所 | 電子デバイス用金属基板 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130081531A (ko) | 2012-01-09 | 2013-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도너 필름 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4774435A (en) * | 1987-12-22 | 1988-09-27 | Gte Laboratories Incorporated | Thin film electroluminescent device |
| JPH04215291A (ja) * | 1990-02-05 | 1992-08-06 | Planar Syst Inc | 薄膜エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 |
| JPH065367A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Pioneer Electron Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH07198919A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-01 | Nec Corp | 反射板の製造方法 |
| US5485055A (en) * | 1994-07-11 | 1996-01-16 | Alliedsignal Inc. | Active matrix electroluminescent display having increased brightness and method for making the display |
| WO1996034514A1 (fr) * | 1995-04-25 | 1996-10-31 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif d'electroluminescence organique |
| JPH09115667A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 光学的素子 |
| JPH1010525A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Sharp Corp | 反射型基板およびその製造方法並びに反射型液晶表示装置 |
| JPH10123508A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Sharp Corp | 反射板、反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH10186359A (ja) * | 1998-01-12 | 1998-07-14 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置 |
| JPH10199677A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-07-31 | Denso Corp | Ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH118070A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
| JPH11283751A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH11329742A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光装置 |
| JPH11354275A (ja) * | 1998-06-04 | 1999-12-24 | Toyota Motor Corp | ３ｄ表示ｅｌ素子 |
-
1998
- 1998-07-23 JP JP20781098A patent/JP4352474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4774435A (en) * | 1987-12-22 | 1988-09-27 | Gte Laboratories Incorporated | Thin film electroluminescent device |
| JPH04215291A (ja) * | 1990-02-05 | 1992-08-06 | Planar Syst Inc | 薄膜エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 |
| JPH065367A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Pioneer Electron Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH07198919A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-01 | Nec Corp | 反射板の製造方法 |
| US5485055A (en) * | 1994-07-11 | 1996-01-16 | Alliedsignal Inc. | Active matrix electroluminescent display having increased brightness and method for making the display |
| WO1996034514A1 (fr) * | 1995-04-25 | 1996-10-31 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif d'electroluminescence organique |
| JPH09115667A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 光学的素子 |
| JPH1010525A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Sharp Corp | 反射型基板およびその製造方法並びに反射型液晶表示装置 |
| JPH10123508A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Sharp Corp | 反射板、反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH10199677A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-07-31 | Denso Corp | Ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH118070A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
| JPH10186359A (ja) * | 1998-01-12 | 1998-07-14 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置 |
| JPH11283751A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH11329742A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光装置 |
| JPH11354275A (ja) * | 1998-06-04 | 1999-12-24 | Toyota Motor Corp | ３ｄ表示ｅｌ素子 |
Cited By (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093574A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP4491942B2 (ja) * | 2000-09-19 | 2010-06-30 | 凸版印刷株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| US6787976B2 (en) | 2000-10-18 | 2004-09-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Luminous display element including an optical member for reflecting light in a direction opposite to an incident direction |
| US6898018B2 (en) | 2000-10-18 | 2005-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Luminous display element |
| KR100731033B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2007-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| US6717359B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US8614547B2 (en) | 2001-01-29 | 2013-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7427223B2 (en) | 2001-01-29 | 2008-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device, personal computer using the same, and portable telephone using the same |
| US7973471B2 (en) | 2001-01-29 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising transparent protrusion, first and second electrodes and organic layer |
| JP2008171829A (ja) * | 2001-03-29 | 2008-07-24 | Fujifilm Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR100459121B1 (ko) * | 2001-06-18 | 2004-12-03 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| KR100437886B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2004-06-30 | 한국과학기술원 | 고발광효율 광결정 유기발광소자 |
| KR100782938B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2007-12-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| US7223146B2 (en) | 2002-03-04 | 2007-05-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing electroluminescent display device with interlayer insulating film having convex and concave portions |
| KR100477104B1 (ko) * | 2002-05-08 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광효율이 개선된 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| US7663142B2 (en) | 2002-06-28 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2004047383A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイ素子及びその製造方法 |
| KR100936817B1 (ko) * | 2003-02-27 | 2010-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로루미네센스 표시소자 및 그 제조방법 |
| WO2004084324A1 (de) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Osram Opto Semiconductors | Organische leuchtdiode mit integriertem bild |
| US7132791B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-11-07 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Electroluminescence display |
| US7071617B2 (en) | 2003-05-16 | 2006-07-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting apparatus and method for forming the same |
| WO2004112434A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Ｅｌ装置及びその製造方法並びにｅｌ装置を用いた液晶表示装置 |
| WO2004112442A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Ｅｌ装置及びその製造方法並びにｅｌ装置を用いた液晶表示装置 |
| WO2004112435A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Ｅｌ装置及びその製造方法並びにｅｌ装置を用いた液晶表示装置 |
| JP2005174717A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| US7903055B2 (en) | 2004-04-30 | 2011-03-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-emitting display |
| KR100776907B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2007-11-19 | 산요덴키가부시키가이샤 | 발광 디스플레이 |
| WO2005107327A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 発光ディスプレイ |
| US7724323B2 (en) | 2005-01-21 | 2010-05-25 | Seiko Epson Corporation | Pattern-forming method for manufacturing device having partitioning layer formed on foundation layer with preliminary partitioning and residue fragment formed by removing part of partitioning layer |
| JP2006318776A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US7990047B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
| CN100405632C (zh) * | 2006-01-10 | 2008-07-23 | 陕西科技大学 | 一种电子注入型有机电致发光显示器件 |
| JP2009009861A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Tokyo Institute Of Technology | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2009021089A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Nippon Zeon Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2015092505A (ja) * | 2007-11-09 | 2015-05-14 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子用の透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法 |
| WO2009116531A1 (ja) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイス用基板、有機ｌｅｄ素子用積層体及びその製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| JPWO2009116531A1 (ja) * | 2008-03-18 | 2011-07-21 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイス用基板、有機ｌｅｄ素子用積層体及びその製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| US8389303B2 (en) | 2008-07-25 | 2013-03-05 | Tokyo Institute Of Technology | Organic EL element and method of manufacturing the same |
| JP2012084391A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ照明装置 |
| WO2012090712A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 株式会社日立製作所 | 有機発光装置 |
| CN104508849B (zh) * | 2012-07-25 | 2017-06-13 | 三菱丽阳株式会社 | 层积体、层积体的制造方法、电极、el元件、面发光体以及太阳能电池 |
| CN104508849A (zh) * | 2012-07-25 | 2015-04-08 | 三菱丽阳株式会社 | 层积体、层积体的制造方法、电极、el元件、面发光体以及太阳能电池 |
| WO2014017425A1 (ja) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | 三菱レイヨン株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、電極、ｅｌ素子、面発光体及び太陽電池 |
| KR20140123912A (ko) | 2013-04-15 | 2014-10-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| US9583739B2 (en) | 2013-04-15 | 2017-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having an electrode with depressions |
| US10069114B2 (en) | 2013-04-15 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having an insulating layer of projections and depressions |
| CN104733632A (zh) * | 2013-12-18 | 2015-06-24 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| KR20170018388A (ko) | 2014-06-13 | 2017-02-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| US20150362776A1 (en) | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display Device |
| US10342124B2 (en) | 2014-06-13 | 2019-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP2019036474A (ja) * | 2017-08-17 | 2019-03-07 | 株式会社神戸製鋼所 | 電子デバイス用金属基板 |
| CN108922979A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-11-30 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4352474B2 (ja) | 2009-10-28 |
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| US20040263070A1 (en) | Organic electroluminescent display | |
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| JP2006216466A (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP3382332B2 (ja) | Ｌｅｄ素子 | |
| KR102713859B1 (ko) | 발광 장치 및 유기 el 장치, 그리고 이들의 제조 방법 |
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