JP2003257621A - 有機ｅｌ素子とその製造方法ならびに表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ素子とその製造方法ならびに表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 陰極や発光層の劣化を確実に防止し、信頼性
や発光特性を向上できる構造を有する有機ＥＬ素子とそ
の製造方法を提供。 【解決手段】 第１基板１６上に少なくとも、透明導電
性材料を含む陽極１７と、有機ＥＬ材料を含む発光層１
８と、発光層１８の形成領域の一部に形成され、金属層
を含む陰極２１とが第１基板１６側からこの順に積層さ
れ、さらに上記陰極２１に対応する反射防止層２８が積
層された有機ＥＬ素子であって、少なくとも陰極２１と
反射防止層２８の間に保護層２３と封止層２６の少なく
ともいずれか一方が形成された有機ＥＬ素子。
や発光特性を向上できる構造を有する有機ＥＬ素子とそ
の製造方法を提供。 【解決手段】 第１基板１６上に少なくとも、透明導電
性材料を含む陽極１７と、有機ＥＬ材料を含む発光層１
８と、発光層１８の形成領域の一部に形成され、金属層
を含む陰極２１とが第１基板１６側からこの順に積層さ
れ、さらに上記陰極２１に対応する反射防止層２８が積
層された有機ＥＬ素子であって、少なくとも陰極２１と
反射防止層２８の間に保護層２３と封止層２６の少なく
ともいずれか一方が形成された有機ＥＬ素子。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス（Electro-Luminescence, 本明細書ではＥ
Ｌと略記する）素子とその製造方法ならびに表示装置に
関し、特に信頼性に優れた有機ＥＬ素子の構成に関する
ものである。
ミネッセンス（Electro-Luminescence, 本明細書ではＥ
Ｌと略記する）素子とその製造方法ならびに表示装置に
関し、特に信頼性に優れた有機ＥＬ素子の構成に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、自発光型の表示装置として有機Ｅ
Ｌ素子を用いた表示装置が脚光を浴びている。また、有
機ＥＬ素子は自身が表示用ディスプレイとなるばかりで
なく、例えば反射型液晶パネルのような非発光型の表示
装置のフロントライト（照明装置）として用いることも
考えられている。有機ＥＬ素子を表示用ディスプレイと
して用いる場合には、基板上に陰極となる金属電極を形
成し、発光層を挟んで陽極となる透明電極側から視認す
る構成とすることができる。この場合、陰極は基板上の
全面にわたって形成すれば済み、パターニングは不要と
なる。これに対して、例えば表示装置のフロントライト
として用いる場合には、表示を視認するためには金属電
極からなる陰極を全面にわたって形成するわけにはいか
ず、パターニングが必要になる。
Ｌ素子を用いた表示装置が脚光を浴びている。また、有
機ＥＬ素子は自身が表示用ディスプレイとなるばかりで
なく、例えば反射型液晶パネルのような非発光型の表示
装置のフロントライト（照明装置）として用いることも
考えられている。有機ＥＬ素子を表示用ディスプレイと
して用いる場合には、基板上に陰極となる金属電極を形
成し、発光層を挟んで陽極となる透明電極側から視認す
る構成とすることができる。この場合、陰極は基板上の
全面にわたって形成すれば済み、パターニングは不要と
なる。これに対して、例えば表示装置のフロントライト
として用いる場合には、表示を視認するためには金属電
極からなる陰極を全面にわたって形成するわけにはいか
ず、パターニングが必要になる。
【０００３】図１７は表示装置のフロントライトとして
用いる従来の有機ＥＬ素子の基本構成例を示す図であ
る。この有機ＥＬ素子１０３は、ガラス基板１１６上に
透明電極（陽極）１１７、正孔輸送層１２２、有機ＥＬ
材料からなる発光層１１８、陰極１２１が積層され、さ
らにこれらを覆うように封止層１２６が形成され、その
上にカバーガラス１２７が形成された構造である。そし
て、双方の電極から発光層１１８に注入される正孔と電
子とが発光層１１８で再結合することによって発光す
る。
用いる従来の有機ＥＬ素子の基本構成例を示す図であ
る。この有機ＥＬ素子１０３は、ガラス基板１１６上に
透明電極（陽極）１１７、正孔輸送層１２２、有機ＥＬ
材料からなる発光層１１８、陰極１２１が積層され、さ
らにこれらを覆うように封止層１２６が形成され、その
上にカバーガラス１２７が形成された構造である。そし
て、双方の電極から発光層１１８に注入される正孔と電
子とが発光層１１８で再結合することによって発光す
る。
【０００４】上記有機ＥＬ素子１０３においては、陰極
１２１から発光層１１８への電子注入効率を高め、陰極
としての安定性を保ち、反射率を確保するために、仕事
関数の小さいＣａ（カルシウム）、Ｍｇ（マグネシウ
ム）等のアルカリ土類金属層１１９と、これよりも仕事
関数が大きく可視光反射率の高いＡｌ（アルミニウ
ム）、Ａｇ（銀）等の金属層１２０からなる積層電極を
陰極１２１として用いている。
１２１から発光層１１８への電子注入効率を高め、陰極
としての安定性を保ち、反射率を確保するために、仕事
関数の小さいＣａ（カルシウム）、Ｍｇ（マグネシウ
ム）等のアルカリ土類金属層１１９と、これよりも仕事
関数が大きく可視光反射率の高いＡｌ（アルミニウ
ム）、Ａｇ（銀）等の金属層１２０からなる積層電極を
陰極１２１として用いている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのような陰
極１２１には上記のように金属光沢を有するＡｌ等の金
属層が用いられているために視認側（カバーガラス１２
７側）から観察する際に、外部から入射した光が陰極１
２１で反射し、これにより表示が見づらくなったり、コ
ントラストが低下してしまう。そこで、上記の問題を改
善するために陰極１２１の上に酸化Ｃｒ等からなる低反
射層１２５を形成している。
極１２１には上記のように金属光沢を有するＡｌ等の金
属層が用いられているために視認側（カバーガラス１２
７側）から観察する際に、外部から入射した光が陰極１
２１で反射し、これにより表示が見づらくなったり、コ
ントラストが低下してしまう。そこで、上記の問題を改
善するために陰極１２１の上に酸化Ｃｒ等からなる低反
射層１２５を形成している。
【０００６】しかしながら上記低反射層を形成する際に
は、陰極１２１上にスパッタ法により酸化Ｃｒ層等を形
成後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングす
ることになるが、低反射層のパターニング時のフォトリ
ソグラフィー工程においてＡｌ等の金属層１２０が現像
液に晒されるが、これにより金属層１２０、さらには金
属層１２０のピンホールの存在によりその下層のアルカ
リ土類金属層１２５が腐食してしまい、信頼性の低下に
つながることになる。また、低反射層形成時のフォトリ
ソグラフィー工程において酸化クロム等の低反射層材料
の光吸収により発光層１１８が熱ダメージを受ける場合
があり、このことも信頼性や発光特性の低下につながっ
ていた。
は、陰極１２１上にスパッタ法により酸化Ｃｒ層等を形
成後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングす
ることになるが、低反射層のパターニング時のフォトリ
ソグラフィー工程においてＡｌ等の金属層１２０が現像
液に晒されるが、これにより金属層１２０、さらには金
属層１２０のピンホールの存在によりその下層のアルカ
リ土類金属層１２５が腐食してしまい、信頼性の低下に
つながることになる。また、低反射層形成時のフォトリ
ソグラフィー工程において酸化クロム等の低反射層材料
の光吸収により発光層１１８が熱ダメージを受ける場合
があり、このことも信頼性や発光特性の低下につながっ
ていた。
【０００７】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、陰極や発光層の劣化を確実に防止
し、信頼性や発光特性を向上できる構造を有する有機Ｅ
Ｌ素子とその製造方法を提供することを目的とする。
されたものであって、陰極や発光層の劣化を確実に防止
し、信頼性や発光特性を向上できる構造を有する有機Ｅ
Ｌ素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の有機ＥＬ素子は、第１基板上に少なくと
も、透明導電性材料を含む陽極と、有機ＥＬ材料を含む
発光層と、該発光層の形成領域の一部に形成され、金属
層を含む陰極とが上記第１基板側からこの順に積層さ
れ、さらに前記陰極に対応する反射防止層が積層された
有機ＥＬ素子であって、少なくとも上記陰極と上記反射
防止層の間に保護層と封止層の少なくともいずれか一方
が形成されたことを特徴とする。
めに、本発明の有機ＥＬ素子は、第１基板上に少なくと
も、透明導電性材料を含む陽極と、有機ＥＬ材料を含む
発光層と、該発光層の形成領域の一部に形成され、金属
層を含む陰極とが上記第１基板側からこの順に積層さ
れ、さらに前記陰極に対応する反射防止層が積層された
有機ＥＬ素子であって、少なくとも上記陰極と上記反射
防止層の間に保護層と封止層の少なくともいずれか一方
が形成されたことを特徴とする。
【０００９】本発明の有機ＥＬ素子においては、上記保
護層と封止層の少なくともいずれか一方と、上記反射防
止層とは、第２基板で覆われていてもよい。本発明の有
機ＥＬ素子においては、上記封止層は上記保護層上に形
成されていてもよい。本発明の有機ＥＬ素子において
は、少なくとも上記陰極と上記反射防止層との間に上記
保護層が形成され、少なくとも上記反射防止層に隣接し
て封止層が形成されていてもよい。本発明の有機ＥＬ素
子において、上記反射防止層としては、少なくともＣｒ
あるいは黒色顔料を含む層等のうちから適宜選択して用
いられる。Ｃｒを含む層としては、例えば、Ｃｒ／酸化
Ｃｒ積層層を挙げることができる。黒色顔料を含む層と
しては、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂にカーボン
ブラック等の黒色顔料を添加したものを挙げることがで
きる。また、上記保護層の材料としては、透明で、光透
過率が高いものを用いるのが好ましく、例えばＳｉＯ
2、Ｓｉ3Ｎ4 、ＣａＦ２、ＭｇＦ２ 、ＬｉＦ、エポキ
シ系の熱硬化性樹脂等のうちから適宜選択して用いられ
る。また、上記陰極と上記反射防止層の間に形成される
封止層としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、アク
リル樹脂等の光硬化性樹脂のうちから適宜選択して用い
られる。
護層と封止層の少なくともいずれか一方と、上記反射防
止層とは、第２基板で覆われていてもよい。本発明の有
機ＥＬ素子においては、上記封止層は上記保護層上に形
成されていてもよい。本発明の有機ＥＬ素子において
は、少なくとも上記陰極と上記反射防止層との間に上記
保護層が形成され、少なくとも上記反射防止層に隣接し
て封止層が形成されていてもよい。本発明の有機ＥＬ素
子において、上記反射防止層としては、少なくともＣｒ
あるいは黒色顔料を含む層等のうちから適宜選択して用
いられる。Ｃｒを含む層としては、例えば、Ｃｒ／酸化
Ｃｒ積層層を挙げることができる。黒色顔料を含む層と
しては、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂にカーボン
ブラック等の黒色顔料を添加したものを挙げることがで
きる。また、上記保護層の材料としては、透明で、光透
過率が高いものを用いるのが好ましく、例えばＳｉＯ
2、Ｓｉ3Ｎ4 、ＣａＦ２、ＭｇＦ２ 、ＬｉＦ、エポキ
シ系の熱硬化性樹脂等のうちから適宜選択して用いられ
る。また、上記陰極と上記反射防止層の間に形成される
封止層としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、アク
リル樹脂等の光硬化性樹脂のうちから適宜選択して用い
られる。
【００１０】本発明の対象となる有機ＥＬ素子は、陰極
が第１基板全面にわたって形成されているものではな
く、第１基板上に発光層を間に挟んで陽極の上方にパタ
ーニングにより陰極が部分的に形成され、さらにこの陰
極に対応する反射防止層がパターニングにより形成され
た構成のものである。このような構成の有機ＥＬ素子
を、従来法により製造する場合は第１基板上に陽極、発
光層、陰極を形成後、反射防止層をパターニングにより
形成するが、反射防止層のパターニング時のフォトリソ
グラフィー工程において陰極が現像液等の薬品に晒され
るため、これにより陰極が劣化したり、腐食してしま
い、信頼性の低下を引き起こしていた。また、従来法に
より製造する場合は反射防止層のパターニング時のフォ
トリソグラフィー工程において反射防止層形成用材料層
の光吸収により発光層が熱ダメージを受ける場合があ
り、このことも信頼性や発光特性の低下を引き起こして
いた。
が第１基板全面にわたって形成されているものではな
く、第１基板上に発光層を間に挟んで陽極の上方にパタ
ーニングにより陰極が部分的に形成され、さらにこの陰
極に対応する反射防止層がパターニングにより形成され
た構成のものである。このような構成の有機ＥＬ素子
を、従来法により製造する場合は第１基板上に陽極、発
光層、陰極を形成後、反射防止層をパターニングにより
形成するが、反射防止層のパターニング時のフォトリソ
グラフィー工程において陰極が現像液等の薬品に晒され
るため、これにより陰極が劣化したり、腐食してしま
い、信頼性の低下を引き起こしていた。また、従来法に
より製造する場合は反射防止層のパターニング時のフォ
トリソグラフィー工程において反射防止層形成用材料層
の光吸収により発光層が熱ダメージを受ける場合があ
り、このことも信頼性や発光特性の低下を引き起こして
いた。
【００１１】これに対して、本発明の有機ＥＬ素子にお
いては、少なくとも上記陰極と上記反射防止層の間に保
護層と封止層の少なくともいずれか一方が形成された構
成となっているため、例えば後述する本発明の第１の有
機ＥＬ素子の製造方法を用いることによって、反射防止
層のパターニング時のフォトリソグラフィー工程におい
て陰極が現像液等の薬品に晒されることがなく、陰極の
劣化を防止できる。また、反射防止層を黒色顔料含有樹
脂層等の黒色顔料を含む層から形成した場合には、反射
防止層形成の際に陰極や発光層に影響を与えることがな
く、陰極や発光層の劣化を防止できる。また、上記フォ
トリソグラフィー工程において反射防止層形成用材料層
が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が発光層に影響
を与えることがなく、発光層の劣化を防止できる。従っ
て、本発明によれば、陰極や発光層の劣化を確実に防止
でき、有機ＥＬ素子の信頼性や発光特性を向上させるこ
とができる。
いては、少なくとも上記陰極と上記反射防止層の間に保
護層と封止層の少なくともいずれか一方が形成された構
成となっているため、例えば後述する本発明の第１の有
機ＥＬ素子の製造方法を用いることによって、反射防止
層のパターニング時のフォトリソグラフィー工程におい
て陰極が現像液等の薬品に晒されることがなく、陰極の
劣化を防止できる。また、反射防止層を黒色顔料含有樹
脂層等の黒色顔料を含む層から形成した場合には、反射
防止層形成の際に陰極や発光層に影響を与えることがな
く、陰極や発光層の劣化を防止できる。また、上記フォ
トリソグラフィー工程において反射防止層形成用材料層
が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が発光層に影響
を与えることがなく、発光層の劣化を防止できる。従っ
て、本発明によれば、陰極や発光層の劣化を確実に防止
でき、有機ＥＬ素子の信頼性や発光特性を向上させるこ
とができる。
【００１２】また、例えば後述する本発明の第２の有機
ＥＬ素子の製造方法を用いることによって、第１の基板
上に陽極、発光層、陰極を形成し、さらにこの陰極上に
保護層を形成し、この保護層の上側に反射防止層を形成
しているので、陰極が保護層で覆われた構造となり、反
射防止層のパターニング時のフォトリソグラフィー工程
において陰極が現像液等の薬品に晒されることがなく、
陰極の劣化を防止できる。また、陰極上に保護層を形成
しているので、発光層も陰極を介して保護層で覆われた
構造となり、反射防止層を黒色顔料含有樹脂層等の黒色
顔料を含む層から形成した場合には、反射防止層形成の
際に陰極や発光層に影響を与えることがなく、陰極や発
光層の劣化を防止できる。また、上記のように発光層も
陰極を介して保護層で覆われた構造になっていると、上
記フォトリソグラフィー工程において反射防止層形成用
材料層が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が分散す
るので発光層に影響を与えることがなく、発光層の劣化
を防止できる。
ＥＬ素子の製造方法を用いることによって、第１の基板
上に陽極、発光層、陰極を形成し、さらにこの陰極上に
保護層を形成し、この保護層の上側に反射防止層を形成
しているので、陰極が保護層で覆われた構造となり、反
射防止層のパターニング時のフォトリソグラフィー工程
において陰極が現像液等の薬品に晒されることがなく、
陰極の劣化を防止できる。また、陰極上に保護層を形成
しているので、発光層も陰極を介して保護層で覆われた
構造となり、反射防止層を黒色顔料含有樹脂層等の黒色
顔料を含む層から形成した場合には、反射防止層形成の
際に陰極や発光層に影響を与えることがなく、陰極や発
光層の劣化を防止できる。また、上記のように発光層も
陰極を介して保護層で覆われた構造になっていると、上
記フォトリソグラフィー工程において反射防止層形成用
材料層が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が分散す
るので発光層に影響を与えることがなく、発光層の劣化
を防止できる。
【００１３】本発明の有機ＥＬ素子においては、上記封
止層はギャップ材が混合されたものであり、該ギャップ
材入り封止層は上記保護層上に略環状に形成されてお
り、上記ギャップ剤入り封止層より内側の空間内にマッ
チングオイルが充填されていてもよい。この構成によれ
ば、例えば後述する本発明の第１の有機ＥＬ素子の製造
方法により有機ＥＬ素子を製造する場合に、第１基板あ
るいは第２基板上にギャップ材入り封止層を略環状に形
成することで、封止層を略全面にわたって形成する場合
に比べて、上記陰極側の上記第１基板と上記反射防止層
側の第２基板を位置合わせする際に上記陰極側の上記第
１基板と上記反射防止層側の第２基板を移動させ易くな
り、アライメントが容易になる。上記マッチングオイル
としては、第２基板の屈折率に近似する屈折率を有する
ものが用いられ、例えば第２基板として屈折率が１．５
〜１．６程度のガラス基板を用いた場合には、マッチン
グオイルとしては屈折率が１．５０３程度のシリコン系
のマッチングオイル等が用いられる。このようなマッチ
ングオイルが上記空間内に充填されることにより、外側
から有機ＥＬ素子に入射した光の損失を抑えることがで
きる。
止層はギャップ材が混合されたものであり、該ギャップ
材入り封止層は上記保護層上に略環状に形成されてお
り、上記ギャップ剤入り封止層より内側の空間内にマッ
チングオイルが充填されていてもよい。この構成によれ
ば、例えば後述する本発明の第１の有機ＥＬ素子の製造
方法により有機ＥＬ素子を製造する場合に、第１基板あ
るいは第２基板上にギャップ材入り封止層を略環状に形
成することで、封止層を略全面にわたって形成する場合
に比べて、上記陰極側の上記第１基板と上記反射防止層
側の第２基板を位置合わせする際に上記陰極側の上記第
１基板と上記反射防止層側の第２基板を移動させ易くな
り、アライメントが容易になる。上記マッチングオイル
としては、第２基板の屈折率に近似する屈折率を有する
ものが用いられ、例えば第２基板として屈折率が１．５
〜１．６程度のガラス基板を用いた場合には、マッチン
グオイルとしては屈折率が１．５０３程度のシリコン系
のマッチングオイル等が用いられる。このようなマッチ
ングオイルが上記空間内に充填されることにより、外側
から有機ＥＬ素子に入射した光の損失を抑えることがで
きる。
【００１４】上記反射防止層の幅は、上記陰極の幅より
大きく形成されていてもよい。本発明の有機ＥＬ素子に
おいて、上記陰極はアルカリ土類金属層と金属層とを含
む積層電極からなることを特徴とする。上記アルカリ土
類金属としては、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシ
ウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）の
４元素を含むものである。また、上記金属層には、Ａｌ
（アルミニウム）、Ａｇ（銀）などの可視光反射率の高
い金属が多く用いられる。上記陰極を上記積層電極から
構成することで、陰極から発光層への電子注入効率を高
めることができ、しかも陰極としての安定性を保つこと
ができるうえ、反射率を確保できる。上記アルカリ土類
金属層の端面には、アルカリ土類金属のフッ化物層が形
成されていてもよい。上記アルカリ土類金属のフッ化物
は化学的に安定で酸素や水分との反応性が低いため、こ
のようなアルカリ土類金属のフッ化物層の内側のアルカ
リ土類金属層が大気中の酸素や水分と反応するのを防止
し、このアルカリ土類金属層の変性が抑えられ、素子の
信頼性を向上できる。
大きく形成されていてもよい。本発明の有機ＥＬ素子に
おいて、上記陰極はアルカリ土類金属層と金属層とを含
む積層電極からなることを特徴とする。上記アルカリ土
類金属としては、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシ
ウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）の
４元素を含むものである。また、上記金属層には、Ａｌ
（アルミニウム）、Ａｇ（銀）などの可視光反射率の高
い金属が多く用いられる。上記陰極を上記積層電極から
構成することで、陰極から発光層への電子注入効率を高
めることができ、しかも陰極としての安定性を保つこと
ができるうえ、反射率を確保できる。上記アルカリ土類
金属層の端面には、アルカリ土類金属のフッ化物層が形
成されていてもよい。上記アルカリ土類金属のフッ化物
は化学的に安定で酸素や水分との反応性が低いため、こ
のようなアルカリ土類金属のフッ化物層の内側のアルカ
リ土類金属層が大気中の酸素や水分と反応するのを防止
し、このアルカリ土類金属層の変性が抑えられ、素子の
信頼性を向上できる。
【００１５】本発明の第１の有機ＥＬ素子の製造方法
は、第１基板上に少なくとも、透明導電体層を含む陽極
と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、該発光層の形成領域
の一部に形成され、金属層を含む陰極とが上記第１基板
側からこの順に積層され、さらに上記陰極に対応する反
射防止層が積層された有機ＥＬ素子の製造方法であっ
て、第１基板上に少なくとも上記陽極、上記発光層、上
記陰極を形成する工程と、第２基板上に反射防止層形成
用材料層を形成し、該材料層のパターニングを行って反
射防止層を形成する工程と、上記陰極側の上記第１基板
と上記反射防止層側の第２基板を位置合わせし、封止層
を介して接着する工程とを含むことを特徴とする。
は、第１基板上に少なくとも、透明導電体層を含む陽極
と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、該発光層の形成領域
の一部に形成され、金属層を含む陰極とが上記第１基板
側からこの順に積層され、さらに上記陰極に対応する反
射防止層が積層された有機ＥＬ素子の製造方法であっ
て、第１基板上に少なくとも上記陽極、上記発光層、上
記陰極を形成する工程と、第２基板上に反射防止層形成
用材料層を形成し、該材料層のパターニングを行って反
射防止層を形成する工程と、上記陰極側の上記第１基板
と上記反射防止層側の第２基板を位置合わせし、封止層
を介して接着する工程とを含むことを特徴とする。
【００１６】本発明の第１の有機ＥＬ素子の製造方法の
上記陽極、上記発光層、上記陰極を形成する工程におい
て、上記陰極に隣接して保護層を形成することを特徴す
る。本発明の第１の有機ＥＬ素子の製造方法の上記陽
極、上記発光層、上記陰極を形成する工程において、少
なくとも上記陰極の上側に保護層を形成することを特徴
とする。本発明の第１の有機ＥＬ素子の製造方法におい
て、上記封止層は、少なくとも第２基板上の反射防止層
に隣接して形成してもよい。本発明の第１の有機ＥＬ素
子の製造方法において、上記封止層は上記反射防止層を
被覆するように形成してもよい。
上記陽極、上記発光層、上記陰極を形成する工程におい
て、上記陰極に隣接して保護層を形成することを特徴す
る。本発明の第１の有機ＥＬ素子の製造方法の上記陽
極、上記発光層、上記陰極を形成する工程において、少
なくとも上記陰極の上側に保護層を形成することを特徴
とする。本発明の第１の有機ＥＬ素子の製造方法におい
て、上記封止層は、少なくとも第２基板上の反射防止層
に隣接して形成してもよい。本発明の第１の有機ＥＬ素
子の製造方法において、上記封止層は上記反射防止層を
被覆するように形成してもよい。
【００１７】上記本発明の有機ＥＬ素子の構成は、上記
本発明の第１の製造方法を用いることによって容易に実
現することができる。すなわち、第１基板とは別の基板
（第２基板）を用い、この第２基板上に反射防止層をパ
ターニングにより形成し、この反射防止層を形成した第
２基板と、陽極、発光層、陰極と、必要により陰極の上
側や周囲に保護層を形成した第１基板とを貼り合せ、位
置合わせし、接着することによって、反射防止層のパタ
ーニング時のフォトリソグラフィー工程において陰極が
現像液等の薬品に晒されることがなく、陰極の劣化を防
止できる。また、反射防止層を黒色顔料含有樹脂層等の
黒色顔料を含む層から形成する場合には、黒色顔料を含
む層をスピンコート法により塗布するが、黒色顔料を含
む層を第２の基板の下側に形成することによって、黒色
顔料を含む層の形成の際に陰極や発光層に影響を与える
ことがなく、陰極や発光層の劣化を防止できる。また、
上記フォトリソグラフィー工程において反射防止層形成
用材料層が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が発光
層に影響を与えることがなく、陰極や発光層の劣化を防
止できる。従って、本発明によれば、発光層の劣化を確
実に防止でき、信頼性や発光特性が向上した有機ＥＬ素
子を製造できる。
本発明の第１の製造方法を用いることによって容易に実
現することができる。すなわち、第１基板とは別の基板
（第２基板）を用い、この第２基板上に反射防止層をパ
ターニングにより形成し、この反射防止層を形成した第
２基板と、陽極、発光層、陰極と、必要により陰極の上
側や周囲に保護層を形成した第１基板とを貼り合せ、位
置合わせし、接着することによって、反射防止層のパタ
ーニング時のフォトリソグラフィー工程において陰極が
現像液等の薬品に晒されることがなく、陰極の劣化を防
止できる。また、反射防止層を黒色顔料含有樹脂層等の
黒色顔料を含む層から形成する場合には、黒色顔料を含
む層をスピンコート法により塗布するが、黒色顔料を含
む層を第２の基板の下側に形成することによって、黒色
顔料を含む層の形成の際に陰極や発光層に影響を与える
ことがなく、陰極や発光層の劣化を防止できる。また、
上記フォトリソグラフィー工程において反射防止層形成
用材料層が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が発光
層に影響を与えることがなく、陰極や発光層の劣化を防
止できる。従って、本発明によれば、発光層の劣化を確
実に防止でき、信頼性や発光特性が向上した有機ＥＬ素
子を製造できる。
【００１８】本発明の第１の有機ＥＬ素子の製造方法に
おいて、上記陰極側の上記第１基板と上記反射防止層側
の第２基板を位置合わせし、封止層を介して接着する工
程において、上記第１基板あるいは第２基板上に略環状
に形成したギャップ剤入り封止層を介して第１基板と第
２基板とを接着し、上記ギャップ剤入り封止層の硬化後
に上記ギャップ剤入り封止層で囲まれた空間内にマッチ
ングオイルを注入、封止することを特徴とする。この構
成によれば、ギャップ材入り封止層を略環状に形成する
ことで、封止層を略全面にわたって形成する場合に比べ
て、上記陰極側の上記第１基板と上記反射防止層側の第
２基板を位置合わせする際に上記陰極側の上記第１基板
と上記反射防止層側の第２基板を移動させ易くなり、ア
ライメントが容易になる。
おいて、上記陰極側の上記第１基板と上記反射防止層側
の第２基板を位置合わせし、封止層を介して接着する工
程において、上記第１基板あるいは第２基板上に略環状
に形成したギャップ剤入り封止層を介して第１基板と第
２基板とを接着し、上記ギャップ剤入り封止層の硬化後
に上記ギャップ剤入り封止層で囲まれた空間内にマッチ
ングオイルを注入、封止することを特徴とする。この構
成によれば、ギャップ材入り封止層を略環状に形成する
ことで、封止層を略全面にわたって形成する場合に比べ
て、上記陰極側の上記第１基板と上記反射防止層側の第
２基板を位置合わせする際に上記陰極側の上記第１基板
と上記反射防止層側の第２基板を移動させ易くなり、ア
ライメントが容易になる。
【００１９】本発明の第２の有機ＥＬ素子の製造方法
は、第１基板上に少なくとも、透明導電体層を含む陽極
と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、該発光層の形成領域
の一部に形成され、金属層を含む陰極とが上記第１基板
側からこの順に積層され、さらに上記陰極に対応する反
射防止層が積層された有機ＥＬ素子の製造方法であっ
て、第１基板上に少なくとも上記陽極、上記発光層、上
記陰極を形成した後、少なくとも上記陰極の上側に保護
層を形成する工程と、上記保護層の上側に反射防止層形
成用材料層を形成し、該材料層のパターニングを行って
反射防止層を形成する工程と、少なくとも上記反射防止
層に隣接して封止層を形成する工程とを含むことを特徴
とする。
は、第１基板上に少なくとも、透明導電体層を含む陽極
と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、該発光層の形成領域
の一部に形成され、金属層を含む陰極とが上記第１基板
側からこの順に積層され、さらに上記陰極に対応する反
射防止層が積層された有機ＥＬ素子の製造方法であっ
て、第１基板上に少なくとも上記陽極、上記発光層、上
記陰極を形成した後、少なくとも上記陰極の上側に保護
層を形成する工程と、上記保護層の上側に反射防止層形
成用材料層を形成し、該材料層のパターニングを行って
反射防止層を形成する工程と、少なくとも上記反射防止
層に隣接して封止層を形成する工程とを含むことを特徴
とする。
【００２０】本発明の第２の有機ＥＬ素子の製造方法に
おいて、上記反射防止層と上記封止層の上側に第２基板
を積層する工程を含むようにしてもよい。本発明の第２
の有機ＥＬ素子の製造方法においては、少なくとも上記
陰極の上側に保護層を形成する工程において、上記陰極
を被覆するように上記保護層を形成するようにしてもよ
い。
おいて、上記反射防止層と上記封止層の上側に第２基板
を積層する工程を含むようにしてもよい。本発明の第２
の有機ＥＬ素子の製造方法においては、少なくとも上記
陰極の上側に保護層を形成する工程において、上記陰極
を被覆するように上記保護層を形成するようにしてもよ
い。
【００２１】上記本発明の有機ＥＬ素子の構成は、上記
本発明の第２の製造方法を用いることによって容易に実
現することができる。すなわち、第１の基板上に陽極、
発光層、陰極を形成し、さらにこの陰極上に保護層を形
成し、この保護層の上側に反射防止層を形成しているの
で、陰極が保護層で覆われることとなり、反射防止層の
パターニング時のフォトリソグラフィー工程において陰
極が現像液等の薬品に晒されることがなく、陰極の劣化
を防止できる。また、反射防止層を黒色顔料含有樹脂層
等の黒色顔料を含む層から形成する場合には、黒色顔料
を含む層をスピンコート法により塗布するが、陰極上に
保護層を形成しているので、陰極だけでなく、発光層も
陰極を介して保護層で覆われたこととなり、黒色顔料を
含む層の形成の際に陰極や発光層に影響を与えることが
なく、陰極や発光層の劣化を防止できる。また、上記の
ように発光層も陰極を介して保護層で覆われていると、
上記フォトリソグラフィー工程において反射防止層形成
用材料層が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が分散
されることにより発光層に影響を与えることがなく、発
光層の劣化を防止できる。
本発明の第２の製造方法を用いることによって容易に実
現することができる。すなわち、第１の基板上に陽極、
発光層、陰極を形成し、さらにこの陰極上に保護層を形
成し、この保護層の上側に反射防止層を形成しているの
で、陰極が保護層で覆われることとなり、反射防止層の
パターニング時のフォトリソグラフィー工程において陰
極が現像液等の薬品に晒されることがなく、陰極の劣化
を防止できる。また、反射防止層を黒色顔料含有樹脂層
等の黒色顔料を含む層から形成する場合には、黒色顔料
を含む層をスピンコート法により塗布するが、陰極上に
保護層を形成しているので、陰極だけでなく、発光層も
陰極を介して保護層で覆われたこととなり、黒色顔料を
含む層の形成の際に陰極や発光層に影響を与えることが
なく、陰極や発光層の劣化を防止できる。また、上記の
ように発光層も陰極を介して保護層で覆われていると、
上記フォトリソグラフィー工程において反射防止層形成
用材料層が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が分散
されることにより発光層に影響を与えることがなく、発
光層の劣化を防止できる。
【００２２】本発明の第１又は第２の有機ＥＬ素子の製
造方法において、上記反射防止層形成用材料層はＣｒあ
るいは黒色顔料を含む層から形成してもよい。Ｃｒを含
む層としては、Ｃｒ／酸化Ｃｒ積層等を挙げることがで
き、これらの層はスパッタ法等の成膜法により形成でき
る。黒色顔料を含む層は、黒色顔料含有樹脂を挙げるこ
とができ、この黒色顔料を含む層はスピンコート法等の
塗布法により形成できる。上記保護層をＳｉＯ２から構
成する場合はスパッタ法により形成でき、また、Ｓｉ3
Ｎ4 から構成する場合は熱化学気相成長法により形成で
き、ＣａＦ、ＭｇＦ２ 、ＬｉＦ等から構成する場合は
蒸着法により形成でき、エポキシ系の熱硬化性樹脂等か
ら構成する場合はスピンコート法等の塗布法により形成
できる。本発明の第１又は第２の有機ＥＬ素子の製造方
法において、上記反射防止層形成用材料層をパターニン
グする際、反射防止層の幅が上記陰極の幅より大きくな
るようにしてもよい。かかる構成によれば、本発明の第
１の有機ＥＬ素子の製造方法により有機ＥＬ素子を製造
する場合に、上記陰極側の上記第１基板と上記反射防止
層側の第２基板を位置合わせする際にこれら第１基板と
第２基板の位置が多少ずれても上記陰極と上記反射防止
層を対向配置することができるので、アライメントが容
易である。また、本発明の第２の有機ＥＬ素子の製造方
法により有機ＥＬ素子を製造する場合に、陰極上に保護
層を介して反射防止層を形成する際に反射防止層の形成
位置が多少ずれたり、パターニング精度が多少悪くて
も、上記陰極と上記反射防止層を対向配置することがで
きる。
造方法において、上記反射防止層形成用材料層はＣｒあ
るいは黒色顔料を含む層から形成してもよい。Ｃｒを含
む層としては、Ｃｒ／酸化Ｃｒ積層等を挙げることがで
き、これらの層はスパッタ法等の成膜法により形成でき
る。黒色顔料を含む層は、黒色顔料含有樹脂を挙げるこ
とができ、この黒色顔料を含む層はスピンコート法等の
塗布法により形成できる。上記保護層をＳｉＯ２から構
成する場合はスパッタ法により形成でき、また、Ｓｉ3
Ｎ4 から構成する場合は熱化学気相成長法により形成で
き、ＣａＦ、ＭｇＦ２ 、ＬｉＦ等から構成する場合は
蒸着法により形成でき、エポキシ系の熱硬化性樹脂等か
ら構成する場合はスピンコート法等の塗布法により形成
できる。本発明の第１又は第２の有機ＥＬ素子の製造方
法において、上記反射防止層形成用材料層をパターニン
グする際、反射防止層の幅が上記陰極の幅より大きくな
るようにしてもよい。かかる構成によれば、本発明の第
１の有機ＥＬ素子の製造方法により有機ＥＬ素子を製造
する場合に、上記陰極側の上記第１基板と上記反射防止
層側の第２基板を位置合わせする際にこれら第１基板と
第２基板の位置が多少ずれても上記陰極と上記反射防止
層を対向配置することができるので、アライメントが容
易である。また、本発明の第２の有機ＥＬ素子の製造方
法により有機ＥＬ素子を製造する場合に、陰極上に保護
層を介して反射防止層を形成する際に反射防止層の形成
位置が多少ずれたり、パターニング精度が多少悪くて
も、上記陰極と上記反射防止層を対向配置することがで
きる。
【００２３】本発明の表示装置は、上記のいずれかの構
成の本発明の有機ＥＬ素子を含む照明手段と、該照明手
段から出射される光を反射表示に用いる表示手段とを備
えたことを特徴とする。かかる構成によれば、信頼性が
高く、発光特性が向上したフロントライト等の照明手段
を備えた表示装置を提供することができる。
成の本発明の有機ＥＬ素子を含む照明手段と、該照明手
段から出射される光を反射表示に用いる表示手段とを備
えたことを特徴とする。かかる構成によれば、信頼性が
高く、発光特性が向上したフロントライト等の照明手段
を備えた表示装置を提供することができる。
【００２４】また、上記表示手段として反射型液晶表示
装置を用いた場合、上記照明手段をなす有機ＥＬ素子の
陰極が、反射型液晶表示装置の非開口領域に対応して配
置されていることが望ましい。この構成によれば、有機
ＥＬ素子を有する照明手段を備えた場合でも反射型液晶
表示装置の開口率が低下することがなく、明るい表示を
得ることができる。
装置を用いた場合、上記照明手段をなす有機ＥＬ素子の
陰極が、反射型液晶表示装置の非開口領域に対応して配
置されていることが望ましい。この構成によれば、有機
ＥＬ素子を有する照明手段を備えた場合でも反射型液晶
表示装置の開口率が低下することがなく、明るい表示を
得ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発
明の第１の実施の形態を図１〜図７を参照して説明す
る。本実施の形態では、本発明の表示装置として液晶表
示装置を例に挙げて説明するが、本発明の有機ＥＬ素子
をフロントライト（照明手段）として備えている。ま
た、液晶表示装置のタイプとしては、薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を
スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方
式の反射型液晶表示装置の例を挙げる。
明の第１の実施の形態を図１〜図７を参照して説明す
る。本実施の形態では、本発明の表示装置として液晶表
示装置を例に挙げて説明するが、本発明の有機ＥＬ素子
をフロントライト（照明手段）として備えている。ま
た、液晶表示装置のタイプとしては、薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を
スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方
式の反射型液晶表示装置の例を挙げる。
【００２６】図１は本実施の形態の液晶表示装置の全体
の概略構成を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿
う断面図、図３は同、液晶表示装置のフロントライトの
部分のみを示す断面図、図４乃至図７はフロントライト
の製造方法を説明するための工程断面図である。また、
各図においては、各層や各構成要素を認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各構成要素毎に膜厚や寸法等
の縮尺を異ならせてある。
の概略構成を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿
う断面図、図３は同、液晶表示装置のフロントライトの
部分のみを示す断面図、図４乃至図７はフロントライト
の製造方法を説明するための工程断面図である。また、
各図においては、各層や各構成要素を認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各構成要素毎に膜厚や寸法等
の縮尺を異ならせてある。
【００２７】本実施の形態の液晶表示装置１は、図１に
示すように、液晶セル２（表示手段）と、その前面側に
配置されたフロントライト３（照明手段）とから概略構
成されている。液晶セル２は、ＴＦＴが形成された側の
素子基板４と対向基板５とが対向配置され、これら基板
４，５間に液晶層（図示略）が封入されている。素子基
板４の内面側には、多数のソース線６および多数のゲー
ト線７が互いに交差するように格子状に設けられてい
る。各ソース線６と各ゲート線７の交差点の近傍にはＴ
ＦＴ８が形成されており、各ＴＦＴ８を介して画素電極
９がそれぞれ接続されている。すなわち、マトリクス状
に配置された各画素１０毎に一つのＴＦＴ８と画素電極
９が設けられている。一方、対向基板５の内面側全面に
は、多数の画素１０がマトリクス状に配列されてなる表
示領域の全体にわたって一つの共通電極１１が形成され
ている。
示すように、液晶セル２（表示手段）と、その前面側に
配置されたフロントライト３（照明手段）とから概略構
成されている。液晶セル２は、ＴＦＴが形成された側の
素子基板４と対向基板５とが対向配置され、これら基板
４，５間に液晶層（図示略）が封入されている。素子基
板４の内面側には、多数のソース線６および多数のゲー
ト線７が互いに交差するように格子状に設けられてい
る。各ソース線６と各ゲート線７の交差点の近傍にはＴ
ＦＴ８が形成されており、各ＴＦＴ８を介して画素電極
９がそれぞれ接続されている。すなわち、マトリクス状
に配置された各画素１０毎に一つのＴＦＴ８と画素電極
９が設けられている。一方、対向基板５の内面側全面に
は、多数の画素１０がマトリクス状に配列されてなる表
示領域の全体にわたって一つの共通電極１１が形成され
ている。
【００２８】液晶セル２の断面構造は、図２に示すよう
に、下側に素子基板４となるガラス基板１３が配置さ
れ、ガラス基板１３の内面に各画素１０毎に画素電極９
が形成されている。一方、上側に対向基板５となるガラ
ス基板１４が配置され、ガラス基板１４の内面に共通電
極１１が形成されている。そして、素子基板４と対向基
板５との間にＴＮ液晶からなる液晶層１５が挟持されて
いる。なお、図２においては、各基板の内面側の各種配
線やＴＦＴ８、配向膜等の図示は省略した。そして、液
晶セル２の上面にフロントライト３が配置されている。
フロントライト３の概略構成は、ガラス基板１６（第１
基板）上の全面に透明電極１７（陽極）および発光層１
８が形成され、発光層１８上の一部にＣａ層１９（アル
カリ土類金属層）とＡｌ層２０（可視光反射率の高い金
属層、導電体層）の２層からなるＣａ／Ａｌ積層電極２
１（陰極）が形成されている。さらに、これらを覆うよ
うに保護層２３が全面に形成され、さらにこの保護層２
３上に封止層２６が全面に形成され、この封止層２６上
の一部に上記Ｃａ／Ａｌ積層電極２１に対応する反射防
止層２８が形成され、そしてこれら封止層２６と反射防
止層２８がカバーガラス２７（第２基板）で覆われてい
る。
に、下側に素子基板４となるガラス基板１３が配置さ
れ、ガラス基板１３の内面に各画素１０毎に画素電極９
が形成されている。一方、上側に対向基板５となるガラ
ス基板１４が配置され、ガラス基板１４の内面に共通電
極１１が形成されている。そして、素子基板４と対向基
板５との間にＴＮ液晶からなる液晶層１５が挟持されて
いる。なお、図２においては、各基板の内面側の各種配
線やＴＦＴ８、配向膜等の図示は省略した。そして、液
晶セル２の上面にフロントライト３が配置されている。
フロントライト３の概略構成は、ガラス基板１６（第１
基板）上の全面に透明電極１７（陽極）および発光層１
８が形成され、発光層１８上の一部にＣａ層１９（アル
カリ土類金属層）とＡｌ層２０（可視光反射率の高い金
属層、導電体層）の２層からなるＣａ／Ａｌ積層電極２
１（陰極）が形成されている。さらに、これらを覆うよ
うに保護層２３が全面に形成され、さらにこの保護層２
３上に封止層２６が全面に形成され、この封止層２６上
の一部に上記Ｃａ／Ａｌ積層電極２１に対応する反射防
止層２８が形成され、そしてこれら封止層２６と反射防
止層２８がカバーガラス２７（第２基板）で覆われてい
る。
【００２９】また、説明を簡単にするため、図２におい
ては、液晶セル２の画素電極９の縁を実効的に表示に寄
与する開口領域Ｋとし、隣接する画素電極９間の領域を
図示しない遮光膜が配置された非開口領域Ｈとする。本
実施の形態の液晶表示装置１においては、有機ＥＬ素子
のＣａ／Ａｌ積層電極２１が液晶セル２の非開口領域Ｈ
に対応して配置されている。また、上記のようにこのＣ
ａ／Ａｌ積層電極２１に対応して反射防止層２８が形成
されているので、この反射防止層２８も液晶セル２の非
開口領域Ｈに対応して配置されていることになる。
ては、液晶セル２の画素電極９の縁を実効的に表示に寄
与する開口領域Ｋとし、隣接する画素電極９間の領域を
図示しない遮光膜が配置された非開口領域Ｈとする。本
実施の形態の液晶表示装置１においては、有機ＥＬ素子
のＣａ／Ａｌ積層電極２１が液晶セル２の非開口領域Ｈ
に対応して配置されている。また、上記のようにこのＣ
ａ／Ａｌ積層電極２１に対応して反射防止層２８が形成
されているので、この反射防止層２８も液晶セル２の非
開口領域Ｈに対応して配置されていることになる。
【００３０】フロントライト３の構成は、より詳細には
図３に示した通りである。ガラス基板１６上の全面にイ
ンジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと
略記する）等の透明導電膜からなる透明電極１７が形成
され、透明電極１７上に正孔輸送層２２、発光層１８が
順次積層されている。本実施の形態においては、正孔輸
送層２２の材料として例えばバイエル社製の商品名Ｂｙ
ｔｒｏｎＰ、発光層１８の材料として例えば高分子系白
色発光材料を用いることができる。また、発光層１８上
の一部にＣａ層１９（アルカリ土類金属層）とＡｌ層２
０（導電体層）の２層からなるＣａ／Ａｌ積層電極２１
が形成されている。そして、Ｃａ層１９の端面にはＣａ
Ｆ２層２５（アルカリ土類金属のフッ化物層）が形成さ
れている。さらに、このＣａ／Ａｌ積層電極２１の周囲
（発光層１８の上側）及び上側（発光層１８と反対側）
にＳｉＯ2、Ｓｉ３Ｎ４ 、ＣａＦ２、ＭｇＦ２ 、Ｌｉ
Ｆ、エポキシ系の熱硬化性樹脂等からなる保護層２３が
形成されている。
図３に示した通りである。ガラス基板１６上の全面にイ
ンジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと
略記する）等の透明導電膜からなる透明電極１７が形成
され、透明電極１７上に正孔輸送層２２、発光層１８が
順次積層されている。本実施の形態においては、正孔輸
送層２２の材料として例えばバイエル社製の商品名Ｂｙ
ｔｒｏｎＰ、発光層１８の材料として例えば高分子系白
色発光材料を用いることができる。また、発光層１８上
の一部にＣａ層１９（アルカリ土類金属層）とＡｌ層２
０（導電体層）の２層からなるＣａ／Ａｌ積層電極２１
が形成されている。そして、Ｃａ層１９の端面にはＣａ
Ｆ２層２５（アルカリ土類金属のフッ化物層）が形成さ
れている。さらに、このＣａ／Ａｌ積層電極２１の周囲
（発光層１８の上側）及び上側（発光層１８と反対側）
にＳｉＯ2、Ｓｉ３Ｎ４ 、ＣａＦ２、ＭｇＦ２ 、Ｌｉ
Ｆ、エポキシ系の熱硬化性樹脂等からなる保護層２３が
形成されている。
【００３１】さらにこの保護層２３の上側（積層電極２
１と反対側）にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、アクリ
ル樹脂等の光硬化性樹脂からなる封止層２６が全面に形
成されている。さらに封止層２６上の一部に上記Ｃａ／
Ａｌ積層電極２１に対応する反射防止層２８が形成され
ている。この反射防止層２８は、積層電極２１（特にＡ
ｌ層２０）の反射を防止するためのもので、液晶表示装
置１を視認側（カバーガラス２７側）から観察する際
に、外部から入射した光がＡｌ層２０で反射するのを防
止して、表示が視認し易く、コントラストを向上させた
ものである。この反射防止層２８は、Ｃｒあるいは黒色
顔料を含む層等からなるものである。上記Ｃｒを含む層
としては、例えば、Ｃｒ／酸化Ｃｒ積層を挙げることが
できる。また上記黒色顔料を含む層としては、例えば、
エポキシ系の熱硬化性樹脂にカーボンブラック等の黒色
顔料を添加したものを挙げることができる、反射防止層
２８の幅は、図２及び図３の点線で示すように、上記積
層電極２１の幅より大きく形成されていてもよい。そし
てこれら封止層２６と反射防止層２８の上側（積層電極
２１側と反対側）がカバーガラス２７（第２基板）で覆
われている。
１と反対側）にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、アクリ
ル樹脂等の光硬化性樹脂からなる封止層２６が全面に形
成されている。さらに封止層２６上の一部に上記Ｃａ／
Ａｌ積層電極２１に対応する反射防止層２８が形成され
ている。この反射防止層２８は、積層電極２１（特にＡ
ｌ層２０）の反射を防止するためのもので、液晶表示装
置１を視認側（カバーガラス２７側）から観察する際
に、外部から入射した光がＡｌ層２０で反射するのを防
止して、表示が視認し易く、コントラストを向上させた
ものである。この反射防止層２８は、Ｃｒあるいは黒色
顔料を含む層等からなるものである。上記Ｃｒを含む層
としては、例えば、Ｃｒ／酸化Ｃｒ積層を挙げることが
できる。また上記黒色顔料を含む層としては、例えば、
エポキシ系の熱硬化性樹脂にカーボンブラック等の黒色
顔料を添加したものを挙げることができる、反射防止層
２８の幅は、図２及び図３の点線で示すように、上記積
層電極２１の幅より大きく形成されていてもよい。そし
てこれら封止層２６と反射防止層２８の上側（積層電極
２１側と反対側）がカバーガラス２７（第２基板）で覆
われている。
【００３２】また、上記積層構造の膜厚の一例を挙げる
と、下側からガラス基板１６が０．５ｍｍ程度、透明電
極１７が１００〜２００ｎｍ程度（例えば１５０ｎ
ｍ）、正孔輸送層２２が５０ｎｍ程度、発光層１８が５
０ｎｍ程度、Ｃａ層１９が２０ｎｍ程度、Ａｌ層２０が
２００ｎｍ程度、発光層１８上の保護層２３（積層電極
２１が形成されていない部分の保護層２３）が５０ｎｍ
程度、反射防止層２８が形成されていない部分の封止層
２６が５μｍ程度、反射防止層２８が１００ｎｍ程度、
カバーガラス２７が０．１ｍｍ程度である。Ｃａ／Ａｌ
積層電極２１の幅が１０μｍ程度である。反射防止層２
８の幅はＣａ／Ａｌ積層電極２１の幅と同じ程度の幅で
ある。また、この反射防止層２８の幅は、図２及び図３
の点線で示したように上記積層電極２１の幅よりも１〜
２μｍ程度大きい幅であってもよい。
と、下側からガラス基板１６が０．５ｍｍ程度、透明電
極１７が１００〜２００ｎｍ程度（例えば１５０ｎ
ｍ）、正孔輸送層２２が５０ｎｍ程度、発光層１８が５
０ｎｍ程度、Ｃａ層１９が２０ｎｍ程度、Ａｌ層２０が
２００ｎｍ程度、発光層１８上の保護層２３（積層電極
２１が形成されていない部分の保護層２３）が５０ｎｍ
程度、反射防止層２８が形成されていない部分の封止層
２６が５μｍ程度、反射防止層２８が１００ｎｍ程度、
カバーガラス２７が０．１ｍｍ程度である。Ｃａ／Ａｌ
積層電極２１の幅が１０μｍ程度である。反射防止層２
８の幅はＣａ／Ａｌ積層電極２１の幅と同じ程度の幅で
ある。また、この反射防止層２８の幅は、図２及び図３
の点線で示したように上記積層電極２１の幅よりも１〜
２μｍ程度大きい幅であってもよい。
【００３３】以下、上記構成の有機ＥＬ素子からなるフ
ロントライトの製造方法について図４、図５を用いて説
明する。なお、図４乃至図７では基板の端部を合わせて
示す。まず最初に、図４（ａ）に示すように、ガラス基
板１６（第１基板）上に透明電極１７（透明導電体層）
となるＩＴＯ（透明導電性材料）等の透明導電膜２９、
正孔輸送層２２となるバイエル社製のＢｙｔｒｏｎ Ｐ
膜３０、発光層１８となる高分子系白色発光材料膜３
１、アルカリ土類金属層となるＣａ層１９、導電体層と
なるＡｌ層２０をこの順に成膜する。発光層１８の成膜
方法としては、低分子タイプの有機ＥＬ材料を用いる場
合には蒸着法など、高分子タイプの有機ＥＬ材料を用い
る場合にはインクジェット法等の液滴吐出法、スピンコ
ート法等の塗布法などを採用することができる。
ロントライトの製造方法について図４、図５を用いて説
明する。なお、図４乃至図７では基板の端部を合わせて
示す。まず最初に、図４（ａ）に示すように、ガラス基
板１６（第１基板）上に透明電極１７（透明導電体層）
となるＩＴＯ（透明導電性材料）等の透明導電膜２９、
正孔輸送層２２となるバイエル社製のＢｙｔｒｏｎ Ｐ
膜３０、発光層１８となる高分子系白色発光材料膜３
１、アルカリ土類金属層となるＣａ層１９、導電体層と
なるＡｌ層２０をこの順に成膜する。発光層１８の成膜
方法としては、低分子タイプの有機ＥＬ材料を用いる場
合には蒸着法など、高分子タイプの有機ＥＬ材料を用い
る場合にはインクジェット法等の液滴吐出法、スピンコ
ート法等の塗布法などを採用することができる。
【００３４】さらに、図４（ｂ）に示すように、Ａｌ層
２０上にフォトレジスト膜３３を順次形成する。なお、
基板１６の端部においては、任意のマスク材を形成した
上で成膜を行うことにより、発光層１８、正孔輸送層２
２、Ｃａ層１９およびＡｌ層２０の端面がガラス基板１
６の端面よりも若干内側に位置するように形成する。そ
の上で、フォトレジスト膜３３が発光層１８、正孔輸送
層２２、Ｃａ層１９およびＡｌ層２０の全ての端面を覆
うようにガラス基板１６の端面の位置まで形成する。
２０上にフォトレジスト膜３３を順次形成する。なお、
基板１６の端部においては、任意のマスク材を形成した
上で成膜を行うことにより、発光層１８、正孔輸送層２
２、Ｃａ層１９およびＡｌ層２０の端面がガラス基板１
６の端面よりも若干内側に位置するように形成する。そ
の上で、フォトレジスト膜３３が発光層１８、正孔輸送
層２２、Ｃａ層１９およびＡｌ層２０の全ての端面を覆
うようにガラス基板１６の端面の位置まで形成する。
【００３５】次に、図４（ｃ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー技術を用いてフォトレジスト膜３３の露
光、現像を行い、フォトレジストパターン２４を形成す
る。
ソグラフィー技術を用いてフォトレジスト膜３３の露
光、現像を行い、フォトレジストパターン２４を形成す
る。
【００３６】次に、図５（ｄ）に示すように、フォトレ
ジストパターン２４をマスク材としたドライエッチング
により、Ａｌ層２０、Ｃａ層１９を発光層１８の表面が
露出するまで順次エッチングする。エッチングガスとし
て、Ａｌ層２０には例えばＢＣｌ３を含む塩素系ガス、
Ｃａ層１９には例えばＡｒガスを用いたスパッタエッチ
ングを用いることができる。この工程により、Ｃａ／Ａ
ｌ積層電極２１がパターニングされる。なお、図４
（ａ）〜図５（ｄ）に示す工程ではフォトリソグラフィ
ー技術によりＣａ層１９、Ａｌ層２０のパターニングを
行ったが、図４（ａ）の示す工程において高分子系白色
発光材料膜３１を形成後にこの材料膜３１の上側にＣａ
／Ａｌ積層電極パターンに応じた開口が形成されたマス
ク材（図示略）を配置し、蒸着法によりＡｌ層２０、Ｃ
ａ層１９を順次形成するようにしてもよい。
ジストパターン２４をマスク材としたドライエッチング
により、Ａｌ層２０、Ｃａ層１９を発光層１８の表面が
露出するまで順次エッチングする。エッチングガスとし
て、Ａｌ層２０には例えばＢＣｌ３を含む塩素系ガス、
Ｃａ層１９には例えばＡｒガスを用いたスパッタエッチ
ングを用いることができる。この工程により、Ｃａ／Ａ
ｌ積層電極２１がパターニングされる。なお、図４
（ａ）〜図５（ｄ）に示す工程ではフォトリソグラフィ
ー技術によりＣａ層１９、Ａｌ層２０のパターニングを
行ったが、図４（ａ）の示す工程において高分子系白色
発光材料膜３１を形成後にこの材料膜３１の上側にＣａ
／Ａｌ積層電極パターンに応じた開口が形成されたマス
ク材（図示略）を配置し、蒸着法によりＡｌ層２０、Ｃ
ａ層１９を順次形成するようにしてもよい。
【００３７】次に、図５（ｅ）に示すように、プラズマ
フッ化処理を行うことにより、Ｃａ層１９のうち、露出
している端面の部分をフッ化してＣａＦ２層２５に変換
する。この際、実際にはＡｌ層２０の端面も若干フッ化
される。なお、ドライエッチング工程を経てＣａ層１９
の端面が露出した直後にプラズマフッ化処理を行えば、
Ｃａ層１９の変成をある程度抑えることはできるが、で
きればＣａ層１９の端面が露出した後からプラズマフッ
化処理を終了するまでの間、基板が大気に触れない不活
性ガス雰囲気下で作業を行うことが望ましい。そうする
と、Ｃａ層１９の変成を確実に防止することができる。
具体的には、ドライエッチング装置のチャンバー内に第
１基板を入れたまま、ガスの切り換えだけで各層のエッ
チングとプラズマフッ化処理を行うか、それが難しい場
合には窒素ガス等の不活性ガス雰囲気内で基板を搬送す
る等の方法を採ればよい。この後、フォトレジストパタ
ーン２４を剥離液により除去する。
フッ化処理を行うことにより、Ｃａ層１９のうち、露出
している端面の部分をフッ化してＣａＦ２層２５に変換
する。この際、実際にはＡｌ層２０の端面も若干フッ化
される。なお、ドライエッチング工程を経てＣａ層１９
の端面が露出した直後にプラズマフッ化処理を行えば、
Ｃａ層１９の変成をある程度抑えることはできるが、で
きればＣａ層１９の端面が露出した後からプラズマフッ
化処理を終了するまでの間、基板が大気に触れない不活
性ガス雰囲気下で作業を行うことが望ましい。そうする
と、Ｃａ層１９の変成を確実に防止することができる。
具体的には、ドライエッチング装置のチャンバー内に第
１基板を入れたまま、ガスの切り換えだけで各層のエッ
チングとプラズマフッ化処理を行うか、それが難しい場
合には窒素ガス等の不活性ガス雰囲気内で基板を搬送す
る等の方法を採ればよい。この後、フォトレジストパタ
ーン２４を剥離液により除去する。
【００３８】次に、図５（ｆ）に示すように、パターニ
ングしたＣａ／Ａｌ積層電極２１や発光層１８を覆うよ
うに保護層２３を全面に形成することにより、Ｃａ／Ａ
ｌ積層電極２１の周囲（側方）と上側に保護層２３が形
成される。ここで保護層をＳｉＯ2 から構成する場合は
スパッタ法が用いられ、Ｓｉ３Ｎ４ から構成する場合
は熱化学気相成長法が用いられ、ＣａＦ2 、ＭｇＦ２
、ＬｉＦ等から構成する場合は蒸着法が用いられ、エ
ポキシ系の熱硬化性樹脂から構成する場合はスピンコー
ト法等の塗布法によりする方法が用いられる。本実施形
態では上記のようにガラス基板１６上に透明電極１７、
正孔輸送層２２、発光層１８、Ｃａ／Ａｌ積層電極２
１、保護層２３を形成したものを陰極側のガラス基板
（陰極側の第１基板あるいは素子側のガラス基板）と呼
ぶことにする。
ングしたＣａ／Ａｌ積層電極２１や発光層１８を覆うよ
うに保護層２３を全面に形成することにより、Ｃａ／Ａ
ｌ積層電極２１の周囲（側方）と上側に保護層２３が形
成される。ここで保護層をＳｉＯ2 から構成する場合は
スパッタ法が用いられ、Ｓｉ３Ｎ４ から構成する場合
は熱化学気相成長法が用いられ、ＣａＦ2 、ＭｇＦ２
、ＬｉＦ等から構成する場合は蒸着法が用いられ、エ
ポキシ系の熱硬化性樹脂から構成する場合はスピンコー
ト法等の塗布法によりする方法が用いられる。本実施形
態では上記のようにガラス基板１６上に透明電極１７、
正孔輸送層２２、発光層１８、Ｃａ／Ａｌ積層電極２
１、保護層２３を形成したものを陰極側のガラス基板
（陰極側の第１基板あるいは素子側のガラス基板）と呼
ぶことにする。
【００３９】一方、図６（ｇ）に示すようにカバーガラ
ス２７（第２基板）上にＣｒあるいは黒色顔料を含む層
からなる反射防止層形成用材料層２８ａを形成後、この
反射防止層形成用材料層２８ａ上にフォトレジスト膜３
４を形成する。反射防止層形成用材料層２８ａの形成方
法としては、反射防止層形成用材料層２８ａをＣｒ層と
酸化Ｃｒとから形成する場合にはスパッタ法等の成膜法
により形成し、黒色顔料含有樹脂層から形成する場合に
は黒色顔料含有樹脂をスピンコート法により形成する。
ス２７（第２基板）上にＣｒあるいは黒色顔料を含む層
からなる反射防止層形成用材料層２８ａを形成後、この
反射防止層形成用材料層２８ａ上にフォトレジスト膜３
４を形成する。反射防止層形成用材料層２８ａの形成方
法としては、反射防止層形成用材料層２８ａをＣｒ層と
酸化Ｃｒとから形成する場合にはスパッタ法等の成膜法
により形成し、黒色顔料含有樹脂層から形成する場合に
は黒色顔料含有樹脂をスピンコート法により形成する。
【００４０】次に、図６（ｈ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー技術を用いてフォトレジスト膜３４の露
光、現像を行い、フォトレジストパターン３４ａを形成
する。次に、図６（ｉ）に示すように、フォトレジスト
パターン３４ａをマスク材としたウエットエッチングに
より、反射防止層形成用材料層２８ａをカバーガラス２
７の表面が露出するまでエッチングする。なお、反射防
止層形成用材料層２８ａをパターニングする際、反射防
止層２８の幅が積層電極２１の幅より大きくなるように
してもよい。この後、図６（ｊ）に示すようにフォトレ
ジストパターン３４ａを剥離液により除去すると、反射
防止層２８が得られる。なお、このフォトレジストパタ
ーン３４ａは除去せずに残したままでもよい。
ソグラフィー技術を用いてフォトレジスト膜３４の露
光、現像を行い、フォトレジストパターン３４ａを形成
する。次に、図６（ｉ）に示すように、フォトレジスト
パターン３４ａをマスク材としたウエットエッチングに
より、反射防止層形成用材料層２８ａをカバーガラス２
７の表面が露出するまでエッチングする。なお、反射防
止層形成用材料層２８ａをパターニングする際、反射防
止層２８の幅が積層電極２１の幅より大きくなるように
してもよい。この後、図６（ｊ）に示すようにフォトレ
ジストパターン３４ａを剥離液により除去すると、反射
防止層２８が得られる。なお、このフォトレジストパタ
ーン３４ａは除去せずに残したままでもよい。
【００４１】次に、図６（ｋ）に示すように、反射防止
層２８やカバーバラス２７の露出面を覆うように封止層
２６を全面に形成することにより、反射防止層２８の周
囲（側方）と下側に封止層２６が形成される。封止層２
６の形成方法としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
あるいはアクリル樹脂等の光硬化性樹脂から形成する場
合は、樹脂液をスピンコート法等により塗布することに
より形成する。本実施形態では上記のようにカバーガラ
ス２７上に反射防止層２８、封止層２６を形成したもの
を反射防止層側のカバーガラス（反射防止層側の第２基
板）と呼ぶことにする。
層２８やカバーバラス２７の露出面を覆うように封止層
２６を全面に形成することにより、反射防止層２８の周
囲（側方）と下側に封止層２６が形成される。封止層２
６の形成方法としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
あるいはアクリル樹脂等の光硬化性樹脂から形成する場
合は、樹脂液をスピンコート法等により塗布することに
より形成する。本実施形態では上記のようにカバーガラ
ス２７上に反射防止層２８、封止層２６を形成したもの
を反射防止層側のカバーガラス（反射防止層側の第２基
板）と呼ぶことにする。
【００４２】次に、図７に示すように陰極側のガラス基
板１６と反射防止層側のカバーガラス２７とを貼り合わ
せ、位置合わせし、接着することにより、図３に示すよ
うな本実施の形態の有機ＥＬ素子を備えたフロントライ
ト３が完成する。
板１６と反射防止層側のカバーガラス２７とを貼り合わ
せ、位置合わせし、接着することにより、図３に示すよ
うな本実施の形態の有機ＥＬ素子を備えたフロントライ
ト３が完成する。
【００４３】本実施の形態の有機ＥＬ素子を備えたフロ
ントライト３においては、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１と反
射防止層２８の間に保護層２３と封止層２６が形成され
た構成となっているため、このような構造のフロントラ
イトを製造する際には、上述のようにガラス基板１６と
は別の基板（カバーガラス２７）を用い、このカバーガ
ラス２７上に反射防止層２８をパターニングにより形成
し、この反射防止層側のカバーガラス２７と、陰極側の
ガラス基板１６とを貼り合わせ、位置合わせし、接着す
ることによって、反射防止層２８のパターニング時のフ
ォトリソグラフィー工程において積層電極２１、特にＡ
ｌ層２０が現像液等の薬品に晒されることがなく、積層
電極２１の劣化を防止できる。
ントライト３においては、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１と反
射防止層２８の間に保護層２３と封止層２６が形成され
た構成となっているため、このような構造のフロントラ
イトを製造する際には、上述のようにガラス基板１６と
は別の基板（カバーガラス２７）を用い、このカバーガ
ラス２７上に反射防止層２８をパターニングにより形成
し、この反射防止層側のカバーガラス２７と、陰極側の
ガラス基板１６とを貼り合わせ、位置合わせし、接着す
ることによって、反射防止層２８のパターニング時のフ
ォトリソグラフィー工程において積層電極２１、特にＡ
ｌ層２０が現像液等の薬品に晒されることがなく、積層
電極２１の劣化を防止できる。
【００４４】また、反射防止層２８を黒色顔料含有樹脂
層から形成した場合には、黒色顔料含有樹脂をスピンコ
ート法により塗布、形成するが、黒色顔料含有樹脂層を
カバーガラス２７側に形成することによって、黒色顔料
含有樹脂層の形成の際に陰極２１や発光層１８に影響を
与えることがなく、陰極１８や発光層１８の劣化を防止
できる。また、反射防止層形成用材料層２８ａをカバー
ガラス２７側に形成することによって反射防止層のパタ
ーニング時の上記フォトリソグラフィー工程において反
射防止層形成用材料層２８ａが紫外光を吸収しても、光
吸収による熱が発光層１８に影響を与えることがなく、
発光層１８の劣化を防止できる。従って、本実施形態の
有機ＥＬ素子を備えたフロントライト３及びその製造方
法によれば、陰極２１や発光層１８の劣化を確実に防止
でき、有機ＥＬ素子の信頼性や発光特性を向上させるこ
とができる。
層から形成した場合には、黒色顔料含有樹脂をスピンコ
ート法により塗布、形成するが、黒色顔料含有樹脂層を
カバーガラス２７側に形成することによって、黒色顔料
含有樹脂層の形成の際に陰極２１や発光層１８に影響を
与えることがなく、陰極１８や発光層１８の劣化を防止
できる。また、反射防止層形成用材料層２８ａをカバー
ガラス２７側に形成することによって反射防止層のパタ
ーニング時の上記フォトリソグラフィー工程において反
射防止層形成用材料層２８ａが紫外光を吸収しても、光
吸収による熱が発光層１８に影響を与えることがなく、
発光層１８の劣化を防止できる。従って、本実施形態の
有機ＥＬ素子を備えたフロントライト３及びその製造方
法によれば、陰極２１や発光層１８の劣化を確実に防止
でき、有機ＥＬ素子の信頼性や発光特性を向上させるこ
とができる。
【００４５】また、反射防止層１８の幅が陰極２１の幅
より大きい構成とした場合、このような構造のフロント
ライトを製造する際には、陰極側のガラス基板１６と反
射防止層側のカバーガラス２７を位置合わせする際にこ
れら陰極側のガラス基板１６と反射防止層側のカバーガ
ラス２７の位置が多少ずれても積層電極２１と反射防止
層１８を対向配置することができるので、アライメント
が容易である。また、本実施形態のフロントライト３で
は、上記アルカリ土類金属層１９の端面には、アルカリ
土類金属のフッ化物層２５を形成したことにより、アル
カリ土類金属層１９の端面が製造工程中に露出している
期間が少なくなり、アルカリ土類金属層１９が大気中の
酸素や水分と反応するのを防止し、このアルカリ土類金
属層の変性が抑えられ、素子の信頼性を向上できる。
より大きい構成とした場合、このような構造のフロント
ライトを製造する際には、陰極側のガラス基板１６と反
射防止層側のカバーガラス２７を位置合わせする際にこ
れら陰極側のガラス基板１６と反射防止層側のカバーガ
ラス２７の位置が多少ずれても積層電極２１と反射防止
層１８を対向配置することができるので、アライメント
が容易である。また、本実施形態のフロントライト３で
は、上記アルカリ土類金属層１９の端面には、アルカリ
土類金属のフッ化物層２５を形成したことにより、アル
カリ土類金属層１９の端面が製造工程中に露出している
期間が少なくなり、アルカリ土類金属層１９が大気中の
酸素や水分と反応するのを防止し、このアルカリ土類金
属層の変性が抑えられ、素子の信頼性を向上できる。
【００４６】そして、本実施の形態によれば、信頼性の
高く、発光特性が向上したフロントライト３を備えた液
晶表示装置を提供することができる。さらに、有機ＥＬ
素子のＣａ／Ａｌ積層電極２１が液晶セル２の非開口領
域に対応して配置されているので、有機ＥＬ素子を有す
るフロントライトを備えていても開口率が低下すること
がなく、明るい表示を得ることができる。
高く、発光特性が向上したフロントライト３を備えた液
晶表示装置を提供することができる。さらに、有機ＥＬ
素子のＣａ／Ａｌ積層電極２１が液晶セル２の非開口領
域に対応して配置されているので、有機ＥＬ素子を有す
るフロントライトを備えていても開口率が低下すること
がなく、明るい表示を得ることができる。
【００４７】なお、図５（ｆ）に示す工程ではパターニ
ングしたＣａ／Ａｌ積層電極２１の周囲（側方）と上側
に保護層２３を形成したが、図５（ｆ）の点線で示すよ
うにＣａ／Ａｌ積層電極２１の周囲（側方）に保護層２
３を形成し、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１の上面は露出して
いてもよい。また、図６（ｋ）に示す工程ではパターニ
ングした反射防止層２８の周囲（側方）と上側に封止層
２６を形成したが、図６（ｋ）の点線で示すように反射
防止層２８の周囲（側方）に封止層２６を形成（反射防
止層２８に隣接して封止層２６を形成）し、反射防止層
２８の上面は露出していてもよい。このようにＣａ／Ａ
ｌ積層電極２１の上面が露出した陰極側のガラス基板１
６と、反射防止層２８の上面が露出した反射防止層側の
カバーガラス２７を位置合わせし、接着することによ
り、図８に示すような本発明の他の実施の形態のフロン
トライト３ａが完成する。このフロントライト３ａで
は、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１と反射防止層２８が接して
いるが、このフロントライト３ａの製造の際にもガラス
基板１６とは別の基板（カバーガラス２７）を用い、こ
のカバーガラス２７上に反射防止層２８をパターニング
により形成するようにしているので、陰極２１や発光層
１８の劣化を確実に防止でき、有機ＥＬ素子の信頼性や
発光特性を向上させることができる。
ングしたＣａ／Ａｌ積層電極２１の周囲（側方）と上側
に保護層２３を形成したが、図５（ｆ）の点線で示すよ
うにＣａ／Ａｌ積層電極２１の周囲（側方）に保護層２
３を形成し、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１の上面は露出して
いてもよい。また、図６（ｋ）に示す工程ではパターニ
ングした反射防止層２８の周囲（側方）と上側に封止層
２６を形成したが、図６（ｋ）の点線で示すように反射
防止層２８の周囲（側方）に封止層２６を形成（反射防
止層２８に隣接して封止層２６を形成）し、反射防止層
２８の上面は露出していてもよい。このようにＣａ／Ａ
ｌ積層電極２１の上面が露出した陰極側のガラス基板１
６と、反射防止層２８の上面が露出した反射防止層側の
カバーガラス２７を位置合わせし、接着することによ
り、図８に示すような本発明の他の実施の形態のフロン
トライト３ａが完成する。このフロントライト３ａで
は、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１と反射防止層２８が接して
いるが、このフロントライト３ａの製造の際にもガラス
基板１６とは別の基板（カバーガラス２７）を用い、こ
のカバーガラス２７上に反射防止層２８をパターニング
により形成するようにしているので、陰極２１や発光層
１８の劣化を確実に防止でき、有機ＥＬ素子の信頼性や
発光特性を向上させることができる。
【００４８】[第２の実施の形態]以下、本発明の第２の
実施の形態を図９、図１０を参照して説明する。図９は
本実施の形態の液晶表示装置のフロントライトを示す断
面図、図１０はフロントライトの製造方法を説明するた
めの工程断面図である。本実施の形態の液晶表示装置の
液晶セルの基本構成は第１の実施の形態と全く同様であ
る。また、本実施形態の液晶表示装置のフロントライト
３ｂは、陰極側のガラス基板１６と反射防止層側のカバ
ーガラス２７の間に介在させる層が異なる以外は第１の
実施の形態と同様である。よって、図９、図１０におい
て図３〜図７と共通の構成要素には同一の符号を付し、
詳細な説明は省略する。なお、本実施形態での陰極側の
ガラス基板１６には、保護層２３が形成されていないも
のである。
実施の形態を図９、図１０を参照して説明する。図９は
本実施の形態の液晶表示装置のフロントライトを示す断
面図、図１０はフロントライトの製造方法を説明するた
めの工程断面図である。本実施の形態の液晶表示装置の
液晶セルの基本構成は第１の実施の形態と全く同様であ
る。また、本実施形態の液晶表示装置のフロントライト
３ｂは、陰極側のガラス基板１６と反射防止層側のカバ
ーガラス２７の間に介在させる層が異なる以外は第１の
実施の形態と同様である。よって、図９、図１０におい
て図３〜図７と共通の構成要素には同一の符号を付し、
詳細な説明は省略する。なお、本実施形態での陰極側の
ガラス基板１６には、保護層２３が形成されていないも
のである。
【００４９】第１の実施の形態ではＣａ／Ａｌ積層電極
２１の周囲（発光層１８の上側）及び上側（発光層１８
と反対側）に保護層２３が形成され、さらにこの保護層
２３の上側（積層電極２１と反対側）に封止層２６が形
成され、さらに封止層２６上の一部に上記Ｃａ／Ａｌ積
層電極２１に対応する反射防止層２８が形成されていた
のに対し、本実施の形態では、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１
の周囲（発光層１８の上側）及び上側（発光層１８と反
対側）に封止層２６が形成され、さらに封止層２６上の
一部に上記Ｃａ／Ａｌ積層電極２１に対応する反射防止
層２８が形成されており、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１と反
射防止層２８の間に保護層が設けられていない。
２１の周囲（発光層１８の上側）及び上側（発光層１８
と反対側）に保護層２３が形成され、さらにこの保護層
２３の上側（積層電極２１と反対側）に封止層２６が形
成され、さらに封止層２６上の一部に上記Ｃａ／Ａｌ積
層電極２１に対応する反射防止層２８が形成されていた
のに対し、本実施の形態では、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１
の周囲（発光層１８の上側）及び上側（発光層１８と反
対側）に封止層２６が形成され、さらに封止層２６上の
一部に上記Ｃａ／Ａｌ積層電極２１に対応する反射防止
層２８が形成されており、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１と反
射防止層２８の間に保護層が設けられていない。
【００５０】上記構成の有機ＥＬ素子を備えたフロント
ライト３ｂを製造する際には、陰極側のガラス基板１６
の作製方法は第１の実施の形態における図５（ｆ）の工
程の前までは全く共通であり、反射防止層側のカバーガ
ラス２７の作製方法は第１の実施の形態における図６
（ｊ）の工程までは全く共通であり、これら工程の後、
陰極側のガラス基板１６と反射防止層側のカバーガラス
２７を図１０に示すように陰極側のガラス基板１６の積
層電極２１上に封止層２６形成用の材料２６ａとしてア
クリル系光硬化性樹脂液又はエポキシ系熱硬化性樹脂液
を配置する。
ライト３ｂを製造する際には、陰極側のガラス基板１６
の作製方法は第１の実施の形態における図５（ｆ）の工
程の前までは全く共通であり、反射防止層側のカバーガ
ラス２７の作製方法は第１の実施の形態における図６
（ｊ）の工程までは全く共通であり、これら工程の後、
陰極側のガラス基板１６と反射防止層側のカバーガラス
２７を図１０に示すように陰極側のガラス基板１６の積
層電極２１上に封止層２６形成用の材料２６ａとしてア
クリル系光硬化性樹脂液又はエポキシ系熱硬化性樹脂液
を配置する。
【００５１】次いで、材料２６ａを配置した陰極側のガ
ラス基板１６と反射防止層側のカバーガラス２７を真空
排気可能なチャンバ（図示略）内に配置した後、上記チ
ャンバ内を真空排気し、これら陰極側のガラス基板１６
と反射防止層側のカバーガラス２７を貼り合わせ、その
後位置合わせし、接着することで、陰極側のガラス基板
１６と反射防止層側のカバーガラス２７間に封止層２６
が形成され、本実施の形態の有機ＥＬ素子を備えたフロ
ントライト３ｂが完成する。材料２６ａとしてアクリル
系光硬化性樹脂液を用いた場合は、位置合わせ、カバー
ガラス２７側から光照射を施して材料２６ａを硬化させ
る。
ラス基板１６と反射防止層側のカバーガラス２７を真空
排気可能なチャンバ（図示略）内に配置した後、上記チ
ャンバ内を真空排気し、これら陰極側のガラス基板１６
と反射防止層側のカバーガラス２７を貼り合わせ、その
後位置合わせし、接着することで、陰極側のガラス基板
１６と反射防止層側のカバーガラス２７間に封止層２６
が形成され、本実施の形態の有機ＥＬ素子を備えたフロ
ントライト３ｂが完成する。材料２６ａとしてアクリル
系光硬化性樹脂液を用いた場合は、位置合わせ、カバー
ガラス２７側から光照射を施して材料２６ａを硬化させ
る。
【００５２】本実施形態のフロントライト３ｂは、陰極
側のガラス基板１６と反射防止層側のカバーガラス２７
間に封止層２６が形成された構造であり、このフロント
ライト３ｂの製造の際にもガラス基板１６とは別の基板
（カバーガラス２７）を用い、このカバーガラス２７上
に反射防止層２８をパターニングにより形成するように
しているので、陰極２１や発光層１８の劣化を確実に防
止でき、有機ＥＬ素子の信頼性や発光特性を向上させる
ことができる。
側のガラス基板１６と反射防止層側のカバーガラス２７
間に封止層２６が形成された構造であり、このフロント
ライト３ｂの製造の際にもガラス基板１６とは別の基板
（カバーガラス２７）を用い、このカバーガラス２７上
に反射防止層２８をパターニングにより形成するように
しているので、陰極２１や発光層１８の劣化を確実に防
止でき、有機ＥＬ素子の信頼性や発光特性を向上させる
ことができる。
【００５３】[第３の実施の形態]以下、本発明の第３の
実施の形態を図１１、図１２を参照して説明する。図１
１は本実施の形態の液晶表示装置のフロントライトを示
す断面図、図１２は本実施の形態のフロントライトの製
造方法を説明するための工程図である。本実施の形態の
液晶表示装置の液晶セルの基本構成は第１の実施の形態
と全く同様である。また、本実施形態の液晶表示装置の
フロントライト３ｃは、陰極側のガラス基板１６と反射
防止層側のカバーガラス２７の間に介在させる層が異な
る以外は第１の実施の形態と同様である。よって、図１
１、図１２において図３〜図７と共通の構成要素には同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
実施の形態を図１１、図１２を参照して説明する。図１
１は本実施の形態の液晶表示装置のフロントライトを示
す断面図、図１２は本実施の形態のフロントライトの製
造方法を説明するための工程図である。本実施の形態の
液晶表示装置の液晶セルの基本構成は第１の実施の形態
と全く同様である。また、本実施形態の液晶表示装置の
フロントライト３ｃは、陰極側のガラス基板１６と反射
防止層側のカバーガラス２７の間に介在させる層が異な
る以外は第１の実施の形態と同様である。よって、図１
１、図１２において図３〜図７と共通の構成要素には同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５４】第１の実施の形態では保護層２３の上側
（積層電極２１と反対側）に封止層２６が略全面にわた
って形成され、さらに封止層２６上に反射防止層２８側
のカバーガラス２７が形成されていたのに対し、本実施
の形態では、保護層２６の上側にギャップ材入り封止層
２６ｃが略環状に形成され、ギャップ材入り封止層２６
ｃの上側に反射防止層側のカバーガラス２７が形成さ
れ、ギャップ剤入り封止層２６ｃと反射防止層側のカバ
ーガラス２７と保護層２３とによって囲まれた空間内に
マッチングオイル４０が充填されている。ギャップ材入
り封止層２６ｃは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等に
ギャップ材を充填したものである。マッチングオイル４
０は、カバーガラス２７の屈折率に近似する屈折率を有
するものが用いられ、例えばカバーガラス２７として屈
折率が１．５〜１．６程度のガラス基板を用いた場合に
は、マッチングオイルとしては屈折率が１．５０３程度
のシリコン系のマッチングオイル等が用いられる。
（積層電極２１と反対側）に封止層２６が略全面にわた
って形成され、さらに封止層２６上に反射防止層２８側
のカバーガラス２７が形成されていたのに対し、本実施
の形態では、保護層２６の上側にギャップ材入り封止層
２６ｃが略環状に形成され、ギャップ材入り封止層２６
ｃの上側に反射防止層側のカバーガラス２７が形成さ
れ、ギャップ剤入り封止層２６ｃと反射防止層側のカバ
ーガラス２７と保護層２３とによって囲まれた空間内に
マッチングオイル４０が充填されている。ギャップ材入
り封止層２６ｃは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等に
ギャップ材を充填したものである。マッチングオイル４
０は、カバーガラス２７の屈折率に近似する屈折率を有
するものが用いられ、例えばカバーガラス２７として屈
折率が１．５〜１．６程度のガラス基板を用いた場合に
は、マッチングオイルとしては屈折率が１．５０３程度
のシリコン系のマッチングオイル等が用いられる。
【００５５】上記構成の有機ＥＬ素子を備えたフロント
ライト３ｃを製造する際には、陰極側のガラス基板１６
の作製方法は第１の実施の形態における図５（ｆ）の工
程までは全く共通であり、反射防止層側のカバーガラス
２７の作製方法は第１の実施の形態における図６（ｊ）
の工程までは全く共通であり、これら工程の後、図１２
（ａ）に示すようにカバーガラス２７の反射防止層側の
面の周縁より内側にギャップ材入り封止層２６ｃを塗布
法により形成する。ここで形成したギャップ剤入り封止
層２６ｃには、２カ所の開口部２６ｄを設けることが、
後工程でマッチングオイル４０を充填する際に毛細管現
象によって充填し易い点で好ましい。また、開口部２６
ｄを１ヶ所とした場合は真空注入により確実に気泡をな
くせる点で好ましい。開口部２６ｄを１ヶ所設けるか、
あるいは２ヶ所設けるかについては便宜選択できる。
ライト３ｃを製造する際には、陰極側のガラス基板１６
の作製方法は第１の実施の形態における図５（ｆ）の工
程までは全く共通であり、反射防止層側のカバーガラス
２７の作製方法は第１の実施の形態における図６（ｊ）
の工程までは全く共通であり、これら工程の後、図１２
（ａ）に示すようにカバーガラス２７の反射防止層側の
面の周縁より内側にギャップ材入り封止層２６ｃを塗布
法により形成する。ここで形成したギャップ剤入り封止
層２６ｃには、２カ所の開口部２６ｄを設けることが、
後工程でマッチングオイル４０を充填する際に毛細管現
象によって充填し易い点で好ましい。また、開口部２６
ｄを１ヶ所とした場合は真空注入により確実に気泡をな
くせる点で好ましい。開口部２６ｄを１ヶ所設けるか、
あるいは２ヶ所設けるかについては便宜選択できる。
【００５６】次に、図１２（ｂ）に示すようにギャップ
剤入り封止層２６ｃを形成した反射防止層側のカバーガ
ラス２７を陰極側のガラス基板１６上に配置し、位置合
わせ後、両基板を加圧し、ギャップ発光層１８に影響し
ない程度に熱処理を施して硬化させることにより、この
ギャップ剤入り封止層２６ｃを介して陰極側のガラス基
板１６と反射防止層側のカバーガラス２７を接着する。
次に、ギャップ剤入り封止層２６ｃに形成した一方の開
口部２６ｄからマッチングオイル４０を充填後、２カ所
の開口部２６ｄを封止すると、本実施の形態の有機ＥＬ
素子を備えたフロントライト３ｃが完成する。
剤入り封止層２６ｃを形成した反射防止層側のカバーガ
ラス２７を陰極側のガラス基板１６上に配置し、位置合
わせ後、両基板を加圧し、ギャップ発光層１８に影響し
ない程度に熱処理を施して硬化させることにより、この
ギャップ剤入り封止層２６ｃを介して陰極側のガラス基
板１６と反射防止層側のカバーガラス２７を接着する。
次に、ギャップ剤入り封止層２６ｃに形成した一方の開
口部２６ｄからマッチングオイル４０を充填後、２カ所
の開口部２６ｄを封止すると、本実施の形態の有機ＥＬ
素子を備えたフロントライト３ｃが完成する。
【００５７】本実施形態のフロントライト３ｂは、陰極
側のガラス基板１６と反射防止層側のカバーガラス２７
間に略環状のギャップ剤入り封止層２６ｃが形成された
構造であり、このフロントライト３ｃの製造の際にもガ
ラス基板１６とは別の基板（カバーガラス２７）を用
い、このカバーガラス２７上に反射防止層２８をパター
ニングにより形成するようにしているので、陰極２１や
発光層１８の劣化を確実に防止でき、有機ＥＬ素子の信
頼性や発光特性を向上させることができる。上記のよう
な構造のフロントライト３ｃを製造する際にはギャップ
材入り封止層２６ｃを略環状に形成することで、封止層
を略全面にわたって形成する場合に比べて、陰極側のガ
ラス基板１６と反射防止層側のカバーバラス２７を位置
合わせする際に陰極側のガラス基板１６と反射防止層側
のカバーガラス２７を移動させ易くなり、位置合せが容
易になる。
側のガラス基板１６と反射防止層側のカバーガラス２７
間に略環状のギャップ剤入り封止層２６ｃが形成された
構造であり、このフロントライト３ｃの製造の際にもガ
ラス基板１６とは別の基板（カバーガラス２７）を用
い、このカバーガラス２７上に反射防止層２８をパター
ニングにより形成するようにしているので、陰極２１や
発光層１８の劣化を確実に防止でき、有機ＥＬ素子の信
頼性や発光特性を向上させることができる。上記のよう
な構造のフロントライト３ｃを製造する際にはギャップ
材入り封止層２６ｃを略環状に形成することで、封止層
を略全面にわたって形成する場合に比べて、陰極側のガ
ラス基板１６と反射防止層側のカバーバラス２７を位置
合わせする際に陰極側のガラス基板１６と反射防止層側
のカバーガラス２７を移動させ易くなり、位置合せが容
易になる。
【００５８】なお、図１２（ｂ）に示す工程ではパター
ニングしたＣａ／Ａｌ積層電極２１の周囲（側方）と上
側に保護層２３を形成したが、点線で示すようにＣａ／
Ａｌ積層電極２１の周囲（側方）に保護層２３を形成
し、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１の上面は露出していてもよ
い。また、図１２に示す工程ではギャップ材入り封止層
２６ｃの厚さが反射防止層２８の厚さより大きくなるよ
うに形成したが、図１２の点線で示すようにギャップ材
入り封止層２６ｃの厚さが反射防止層２８の厚さと同じ
厚さなるように形成してもよい。このようにＣａ／Ａｌ
積層電極２１の上面が露出した陰極側のガラス基板１６
と、反射防止層２８の厚さと同じ厚さのギャップ材入り
封止層２６ｃを形成した反射防止層側のカバーガラス２
７を位置合わせし、接着することにより、図１３に示す
ような本発明の他の実施の形態のフロントライト３ｄが
完成する。このフロントライト３ｄは、上記フロントラ
イト３ｃと同様の効果が得られる。
ニングしたＣａ／Ａｌ積層電極２１の周囲（側方）と上
側に保護層２３を形成したが、点線で示すようにＣａ／
Ａｌ積層電極２１の周囲（側方）に保護層２３を形成
し、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１の上面は露出していてもよ
い。また、図１２に示す工程ではギャップ材入り封止層
２６ｃの厚さが反射防止層２８の厚さより大きくなるよ
うに形成したが、図１２の点線で示すようにギャップ材
入り封止層２６ｃの厚さが反射防止層２８の厚さと同じ
厚さなるように形成してもよい。このようにＣａ／Ａｌ
積層電極２１の上面が露出した陰極側のガラス基板１６
と、反射防止層２８の厚さと同じ厚さのギャップ材入り
封止層２６ｃを形成した反射防止層側のカバーガラス２
７を位置合わせし、接着することにより、図１３に示す
ような本発明の他の実施の形態のフロントライト３ｄが
完成する。このフロントライト３ｄは、上記フロントラ
イト３ｃと同様の効果が得られる。
【００５９】[第４の実施の形態]以下、本発明の第４の
実施の形態を図１４、図１５、図１６を参照して説明す
る。図１４は本実施の形態の液晶表示装置のフロントラ
イトを示す断面図、図１５及び図１６は本実施の形態の
フロントライトの製造方法を説明するための工程断面図
である。本実施の形態の液晶表示装置の液晶セルの基本
構成は第１の実施の形態と全く同様である。また、本実
施形態の液晶表示装置のフロントライト３ｅは、反射防
止層２８の形成位置が異なる以外は第１の実施の形態と
同様である。よって、図１４〜図１６において図３〜図
７と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明
は省略する。
実施の形態を図１４、図１５、図１６を参照して説明す
る。図１４は本実施の形態の液晶表示装置のフロントラ
イトを示す断面図、図１５及び図１６は本実施の形態の
フロントライトの製造方法を説明するための工程断面図
である。本実施の形態の液晶表示装置の液晶セルの基本
構成は第１の実施の形態と全く同様である。また、本実
施形態の液晶表示装置のフロントライト３ｅは、反射防
止層２８の形成位置が異なる以外は第１の実施の形態と
同様である。よって、図１４〜図１６において図３〜図
７と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明
は省略する。
【００６０】第１の実施の形態ではＣａ／Ａｌ積層電極
２１の周囲（発光層１８の上側）及び上側（発光層１８
と反対側）に保護層２３が形成（Ｃａ／Ａｌ積層電極２
１を被覆するように保護層２３が形成）され、さらにこ
の保護層２３の上側（積層電極２１と反対側）に封止層
２６が形成され、さらに封止層２６上の一部に上記Ｃａ
／Ａｌ積層電極２１に対応する反射防止層２８が形成さ
れ、封止層２６と反射防止層２８の上側にカバーガラス
２７が設けられていたのに対し、本実施の形態では、Ｃ
ａ／Ａｌ積層電極２１の周囲（発光層１８の上側）及び
上側（発光層１８と反対側）に保護層２３が形成され、
さらにこの保護層２３上の一部に上記Ｃａ／Ａｌ積層電
極２１に対応する反射防止層２８が形成され、反射防止
層２８の周囲（保護層の上側）及び上側に封止層２６が
形成され（反射防止層２８に隣接して封止層２６が形成
され）、さらにこの封止層２６の上側にカバーガラス２
７が設けられている。従って本実施形態の液晶表示装置
のフロントライト３ｅでは、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１と
反射防止層２８の間に封止層２６は設けられておらず、
保護層２３が設けられており、反射防止層２８はカバー
ガラス２７の下側表面でなく、保護層２３と封止層２６
の間に設けられている。
２１の周囲（発光層１８の上側）及び上側（発光層１８
と反対側）に保護層２３が形成（Ｃａ／Ａｌ積層電極２
１を被覆するように保護層２３が形成）され、さらにこ
の保護層２３の上側（積層電極２１と反対側）に封止層
２６が形成され、さらに封止層２６上の一部に上記Ｃａ
／Ａｌ積層電極２１に対応する反射防止層２８が形成さ
れ、封止層２６と反射防止層２８の上側にカバーガラス
２７が設けられていたのに対し、本実施の形態では、Ｃ
ａ／Ａｌ積層電極２１の周囲（発光層１８の上側）及び
上側（発光層１８と反対側）に保護層２３が形成され、
さらにこの保護層２３上の一部に上記Ｃａ／Ａｌ積層電
極２１に対応する反射防止層２８が形成され、反射防止
層２８の周囲（保護層の上側）及び上側に封止層２６が
形成され（反射防止層２８に隣接して封止層２６が形成
され）、さらにこの封止層２６の上側にカバーガラス２
７が設けられている。従って本実施形態の液晶表示装置
のフロントライト３ｅでは、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１と
反射防止層２８の間に封止層２６は設けられておらず、
保護層２３が設けられており、反射防止層２８はカバー
ガラス２７の下側表面でなく、保護層２３と封止層２６
の間に設けられている。
【００６１】上記構成の有機ＥＬ素子を備えたフロント
ライト３ｅを製造する際には、第１の実施の形態におけ
る図５（ｆ）の工程までは全く共通であり、この工程の
後、図１５（ａ）に示すように保護層２３上にＣｒ／酸
化Ｃｒ積層層又は黒色顔料含有樹脂層からなる反射防止
層形成用材料層２８ａを形成後、この反射防止層形成用
材料層２８ａ上にフォトレジスト膜３４を形成する。次
に、図１５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー
技術を用いてフォトレジスト膜３４の露光、現像を行
い、フォトレジストパターン３４ａを形成する。次に、
図１５（ｃ）に示すように、フォトレジストパターン３
４ａをマスク材としたウエットエッチングにより、反射
防止層形成用材料層２８ａを保護層２３の表面が露出す
るまでエッチングする。なお、反射防止層形成用材料層
２８ａをパターニングする際、反射防止層２８の幅が積
層電極２１の幅より大きくなるようにしてもよい。
ライト３ｅを製造する際には、第１の実施の形態におけ
る図５（ｆ）の工程までは全く共通であり、この工程の
後、図１５（ａ）に示すように保護層２３上にＣｒ／酸
化Ｃｒ積層層又は黒色顔料含有樹脂層からなる反射防止
層形成用材料層２８ａを形成後、この反射防止層形成用
材料層２８ａ上にフォトレジスト膜３４を形成する。次
に、図１５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー
技術を用いてフォトレジスト膜３４の露光、現像を行
い、フォトレジストパターン３４ａを形成する。次に、
図１５（ｃ）に示すように、フォトレジストパターン３
４ａをマスク材としたウエットエッチングにより、反射
防止層形成用材料層２８ａを保護層２３の表面が露出す
るまでエッチングする。なお、反射防止層形成用材料層
２８ａをパターニングする際、反射防止層２８の幅が積
層電極２１の幅より大きくなるようにしてもよい。
【００６２】この後、図１６（ｄ）に示すようにフォト
レジストパターン３４ａを剥離液により除去すると、Ｃ
ａ／Ａｌ積層電極２１に対応する反射防止層２８が得ら
れる。次に、図１６（ｅ）に示すように反射防止層２８
や保護層２３の露出面を覆うように封止層２６を全面に
形成することにより、反射防止層２８の周囲（側方）と
上側に封止層２６が形成される。次に、図１６（ｆ）に
示すように封止層２６上にカバーガラス２７を配置する
ことにより、本実施の形態の有機ＥＬ素子を備えたフロ
ントライト３ｅが完成する。
レジストパターン３４ａを剥離液により除去すると、Ｃ
ａ／Ａｌ積層電極２１に対応する反射防止層２８が得ら
れる。次に、図１６（ｅ）に示すように反射防止層２８
や保護層２３の露出面を覆うように封止層２６を全面に
形成することにより、反射防止層２８の周囲（側方）と
上側に封止層２６が形成される。次に、図１６（ｆ）に
示すように封止層２６上にカバーガラス２７を配置する
ことにより、本実施の形態の有機ＥＬ素子を備えたフロ
ントライト３ｅが完成する。
【００６３】本実施形態のフロントライト３ｅは、Ｃａ
／Ａｌ積層電極２１と反射防止層２８との間に保護層２
３が形成された構造であり、このフロントライト３ｅの
製造の際には、上述のようにガラス基板１６上に透明電
極１７、正孔輸送層２２、発光層１８、Ｃａ／Ａｌ積層
電極２１を形成し、さらにこのＣａ／Ａｌ積層電極２１
上に保護層２３を形成し、この保護層２３上の一部に反
射防止層２８を形成しているので、Ｃａ／Ａｌ積層電極
２１が保護層２３で覆われた構造となり、反射防止層２
８のパターニング時のフォトリソグラフィー工程におい
て積層電極２１が現像液等の薬品に晒されることがな
く、積層電極２１の劣化を防止できる。
／Ａｌ積層電極２１と反射防止層２８との間に保護層２
３が形成された構造であり、このフロントライト３ｅの
製造の際には、上述のようにガラス基板１６上に透明電
極１７、正孔輸送層２２、発光層１８、Ｃａ／Ａｌ積層
電極２１を形成し、さらにこのＣａ／Ａｌ積層電極２１
上に保護層２３を形成し、この保護層２３上の一部に反
射防止層２８を形成しているので、Ｃａ／Ａｌ積層電極
２１が保護層２３で覆われた構造となり、反射防止層２
８のパターニング時のフォトリソグラフィー工程におい
て積層電極２１が現像液等の薬品に晒されることがな
く、積層電極２１の劣化を防止できる。
【００６４】また、反射防止層２８を黒色顔料含有樹脂
層から形成した場合には、黒色顔料含有樹脂をスピンコ
ート法により塗布、形成するが、Ｃａ／Ａｌ積層電極２
１上に保護層２３を形成しているので、Ｃａ／Ａｌ積層
電極２１だけでなく、発光層１８もＣａ／Ａｌ積層電極
２１を介して保護層２３で覆われた構造となり、黒色顔
料含有樹脂層の形成の際にＣａ／Ａｌ積層電極２１や発
光層１８に影響を与えることがなく、Ｃａ／Ａｌ積層電
極２１や発光層１８の劣化を防止できる。また、上記の
ように発光層１８も積層電極２１を介して保護層２３で
覆われた構造になっていると、上記フォトリソグラフィ
ー工程において反射防止層形成用材料層２８ａが紫外光
を吸収しても、光吸収による熱が分散するため発光層１
８に影響を与えることがなく、発光層１８の劣化を防止
できる。また、本実施形態の製造方法によりフロントラ
イト３ｅを製造する場合に、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１上
に保護層２３を介して反射防止層２８を形成する際に反
射防止層２８の形成位置が多少ずれたり、パターニング
精度が多少悪くても、積層電極２１と反射防止層２８を
対向配置することができる。
層から形成した場合には、黒色顔料含有樹脂をスピンコ
ート法により塗布、形成するが、Ｃａ／Ａｌ積層電極２
１上に保護層２３を形成しているので、Ｃａ／Ａｌ積層
電極２１だけでなく、発光層１８もＣａ／Ａｌ積層電極
２１を介して保護層２３で覆われた構造となり、黒色顔
料含有樹脂層の形成の際にＣａ／Ａｌ積層電極２１や発
光層１８に影響を与えることがなく、Ｃａ／Ａｌ積層電
極２１や発光層１８の劣化を防止できる。また、上記の
ように発光層１８も積層電極２１を介して保護層２３で
覆われた構造になっていると、上記フォトリソグラフィ
ー工程において反射防止層形成用材料層２８ａが紫外光
を吸収しても、光吸収による熱が分散するため発光層１
８に影響を与えることがなく、発光層１８の劣化を防止
できる。また、本実施形態の製造方法によりフロントラ
イト３ｅを製造する場合に、Ｃａ／Ａｌ積層電極２１上
に保護層２３を介して反射防止層２８を形成する際に反
射防止層２８の形成位置が多少ずれたり、パターニング
精度が多少悪くても、積層電極２１と反射防止層２８を
対向配置することができる。
【００６５】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記実施の形態ではアルカリ土類金属としてＣａの
例を挙げたが、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ等の他のアルカリ土類
金属の場合もＣａと同様の作用が生じるため、本発明に
適用することができる。また、有機ＥＬ素子の構成とし
ては、発光層と正孔輸送層の他、正孔注入層、電子注入
層などを備えた構成としてもよい。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記実施の形態ではアルカリ土類金属としてＣａの
例を挙げたが、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ等の他のアルカリ土類
金属の場合もＣａと同様の作用が生じるため、本発明に
適用することができる。また、有機ＥＬ素子の構成とし
ては、発光層と正孔輸送層の他、正孔注入層、電子注入
層などを備えた構成としてもよい。
【００６６】その他、上記実施の形態では表示装置とし
て液晶表示装置の例を挙げたが、例えば電気泳動表示装
置等の非発光型の反射型表示装置の照明手段として本発
明の有機ＥＬ素子を用いることができる。さらに、照明
手段として用いるだけでなく、本発明の有機ＥＬ素子自
身を表示装置として用いることもできる。ただしその場
合、陽極と陰極のパターニングを行い、パッシブマトリ
クス型表示装置として適用される。
て液晶表示装置の例を挙げたが、例えば電気泳動表示装
置等の非発光型の反射型表示装置の照明手段として本発
明の有機ＥＬ素子を用いることができる。さらに、照明
手段として用いるだけでなく、本発明の有機ＥＬ素子自
身を表示装置として用いることもできる。ただしその場
合、陽極と陰極のパターニングを行い、パッシブマトリ
クス型表示装置として適用される。
【００６７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明の有
機ＥＬ素子によれば少なくとも上記陰極と上記反射防止
層の間に保護層と封止層の少なくともいずれか一方が形
成された構成となっているため、その製造の際には、例
えば第１基板とは別の基板（第２基板）を用い、この第
２基板の一方の側に反射防止層をパターニングにより形
成し、この反射防止層を形成した第２基板と、陽極、発
光層、陰極と、必要により陰極の上側や周囲に保護層を
形成した第１基板とを貼り合せ、位置合わせし、接着す
ることによって、陰極や発光層の劣化を確実に防止し、
信頼性や発光特性を向上できる。また、上記構造の有機
ＥＬ素子の製造の際には、第１の基板上に陽極、発光
層、陰極を形成し、さらにこの陰極上に保護層を形成
し、この保護層の上側に反射防止層を形成することによ
り、陰極が保護層で覆われた構造となり、陰極や発光層
の劣化を確実に防止し、信頼性や発光特性を向上でき
る。
機ＥＬ素子によれば少なくとも上記陰極と上記反射防止
層の間に保護層と封止層の少なくともいずれか一方が形
成された構成となっているため、その製造の際には、例
えば第１基板とは別の基板（第２基板）を用い、この第
２基板の一方の側に反射防止層をパターニングにより形
成し、この反射防止層を形成した第２基板と、陽極、発
光層、陰極と、必要により陰極の上側や周囲に保護層を
形成した第１基板とを貼り合せ、位置合わせし、接着す
ることによって、陰極や発光層の劣化を確実に防止し、
信頼性や発光特性を向上できる。また、上記構造の有機
ＥＬ素子の製造の際には、第１の基板上に陽極、発光
層、陰極を形成し、さらにこの陰極上に保護層を形成
し、この保護層の上側に反射防止層を形成することによ
り、陰極が保護層で覆われた構造となり、陰極や発光層
の劣化を確実に防止し、信頼性や発光特性を向上でき
る。
【図１】 本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の
全体の概略構成を示す斜視図である。
全体の概略構成を示す斜視図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図３】 同、液晶表示装置のフロントライトを示す断
面図である。
面図である。
【図４】 同、フロントライトの製造方法を説明するた
めの工程断面図である。
めの工程断面図である。
【図５】 同、工程断面図の続きである。
【図６】 同、工程断面図の続きである。
【図７】 同、工程断面図の続きである。
【図８】 本発明の他の実施形態のフロントライトを示
す断面図である。
す断面図である。
【図９】 本発明の第２の実施形態のフロントライトを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１０】 同、フロントライトの製造方法を説明する
ための工程断面図である。
ための工程断面図である。
【図１１】 本発明の第３の実施形態のフロントライト
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１２】 同、フロントライトの製造方法を説明する
ための工程図である。
ための工程図である。
【図１３】 本発明の他の実施形態のフロントライトを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１４】 本発明の第４の実施形態のフロントライト
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１５】 同、フロントライトの製造方法を説明する
ための工程図である。
ための工程図である。
【図１６】 同、工程断面図の続きである。
【図１７】 従来の有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面
図である。
図である。
１ 液晶表示装置（表示装置）
２ 液晶セル（表示手段）
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ フロントライト
（照明手段） １６ ガラス基板（第１基板） １７ 透明電極（陽極） １８ 発光層 １９ Ｃａ層（アルカリ土類金属層） ２０ Ａｌ層（可視光反射率の高い金属層、導電層） ２１ Ｃａ／Ａｌ積層電極（陰極） ２２ 正孔輸送層 ２３ 保護層 ２４、３４ａ フォトレジストパターン（マスク材） ２５ ＣａＦ２層（アルカリ土類金属のフッ化物層） ２６ 封止層 ２６ｃ ギャップ材入り封止層、 ２７ カバーガラス（第２基板） ２８ 反射防止層 ２８ａ 反射防止層形成用材料層 ３３、３４ フォトレジスト膜 ４０ マッチングオイル Ｋ 開口領域 Ｈ 非開口領域
（照明手段） １６ ガラス基板（第１基板） １７ 透明電極（陽極） １８ 発光層 １９ Ｃａ層（アルカリ土類金属層） ２０ Ａｌ層（可視光反射率の高い金属層、導電層） ２１ Ｃａ／Ａｌ積層電極（陰極） ２２ 正孔輸送層 ２３ 保護層 ２４、３４ａ フォトレジストパターン（マスク材） ２５ ＣａＦ２層（アルカリ土類金属のフッ化物層） ２６ 封止層 ２６ｃ ギャップ材入り封止層、 ２７ カバーガラス（第２基板） ２８ 反射防止層 ２８ａ 反射防止層形成用材料層 ３３、３４ フォトレジスト膜 ４０ マッチングオイル Ｋ 開口領域 Ｈ 非開口領域
Claims (18)
- 【請求項１】 第１基板上に少なくとも、透明導電性材
料を含む陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、該発光
層の形成領域の一部に形成され、金属層を含む陰極とが
前記第１基板側からこの順に積層され、さらに前記陰極
に対応する反射防止層が積層された有機ＥＬ素子であっ
て、 少なくとも前記陰極と前記反射防止層の間に保護層と封
止層の少なくともいずれか一方が形成されたことを特徴
とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記保護層と封止層の少なくともいずれ
か一方と、前記反射防止層とは、第２基板で覆われてい
ることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記封止層は前記保護層上に形成されて
いることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ
素子。 - 【請求項４】 前記封止層はギャップ材が混合されたも
のであり、該ギャップ材入り封止層は前記保護層上に略
環状に形成されており、前記ギャップ剤入り封止層より
内側の空間内にマッチングオイルが充填されていること
を特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項５】 少なくとも前記陰極と前記反射防止層と
の間に前記保護層が形成され、少なくとも前記反射防止
層に隣接して封止層が形成されていることを特徴とする
請求項１又は２記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項６】 前記反射防止層は、少なくともＣｒある
いは黒色顔料を含む層であることを特徴とする請求項１
乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項７】 前記反射防止層の幅は、前記陰極の幅よ
り大きく形成されていることを特徴とする請求項１乃至
６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項８】 前記陰極はアルカリ土類金属層と金属層
とを含む積層電極からなることを特徴とする請求項１乃
至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項９】 第１基板上に少なくとも、透明導電体層
を含む陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、該発光層
の形成領域の一部に形成され、金属層を含む陰極とが前
記第１基板側からこの順に積層され、さらに前記陰極に
対応する反射防止層が積層された有機ＥＬ素子の製造方
法であって、 第１基板上に少なくとも前記陽極、前記発光層、前記陰
極を形成する工程と、 第２基板上に反射防止層形成用材料層を形成し、該材料
層のパターニングを行って反射防止層を形成する工程
と、 前記陰極側の前記第１基板と前記反射防止層側の第２基
板を位置合わせし、封止層を介して接着する工程とを含
むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記陽極、前記発光層、前記陰極を形
成する工程において、前記陰極に隣接して保護層を形成
することを特徴とする請求項９記載の有機ＥＬ素子の製
造方法。 - 【請求項１１】 前記陽極、前記発光層、前記陰極を形
成する工程において、少なくとも前記陰極の上側に保護
層を形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載
の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１２】 少なくとも第２基板上の前記反射防止
層に隣接して前記封止層を形成することを特徴とする請
求項９乃至１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の
製造方法。 - 【請求項１３】 前記陰極側の前記第１基板と前記反射
防止層側の第２基板を位置合わせし、封止層を介して接
着する工程において、 前記第１基板あるいは前記第２基板上に略環状に形成し
たギャップ剤入り封止層を介して接着し、前記ギャップ
剤入り封止層の硬化後に前記ギャップ剤入り封止層より
内側の空間内にマッチングオイルを注入、封止すること
を特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の
有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１４】 第１基板上に少なくとも、透明導電体
層を含む陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、該発光
層の形成領域の一部に形成され、金属層を含む陰極とが
前記第１基板側からこの順に積層され、さらに前記陰極
に対応する反射防止層が積層された有機ＥＬ素子の製造
方法であって、 第１基板上に少なくとも前記陽極、前記発光層、前記陰
極を形成した後、少なくとも前記陰極の上側に保護層を
形成する工程と、 前記保護層の上側に反射防止層形成用材料層を形成し、
該材料層のパターニングを行って反射防止層を形成する
工程と、少なくとも前記反射防止層に隣接して封止層を
形成する工程とを含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の
製造方法。 - 【請求項１５】 前記反射防止層と前記封止層の上側に
第２基板を積層する工程を含むことを特徴とする請求項
１４に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１６】 少なくとも前記陰極の上側に保護層を
形成する工程において、前記陰極を被覆するように前記
保護層を形成することを特徴とする請求項１４又は１５
に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１乃至８のいずれか一項に記載
の有機ＥＬ素子を含む照明手段と、該照明手段から出射
される光を反射表示に用いる表示手段とを備えたことを
特徴とする表示装置。 - 【請求項１８】 前記表示手段が反射型液晶表示装置で
あり、前記照明手段をなす前記有機ＥＬ素子の陰極が、
前記反射型液晶表示装置の非開口領域に対応して配置さ
れていることを特徴とする請求項１７に記載の表示装
置。
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