JP2010238549A - 有機電界発光表示パネル及び有機電界発光表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 水分及び酸素の侵入を抑制でき、極めて封止性能が高い有機電界発光表示パネル及び有機電界発光表示パネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の有機電界発光表示パネルは、支持基板上に、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む有機電界発光表示領域と、該有機電界発光表示領域の外周に配される少なくとも1つの柱状構造体と、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止する封止基板と、を有し、前記有機電界発光素子と前記柱状構造体とが、無機絶縁膜により被覆されており、前記封止基板が、前記無機絶縁膜で被膜された柱状構造体と接着されることを特徴とする。
【選択図】 図10
【解決手段】 本発明の有機電界発光表示パネルは、支持基板上に、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む有機電界発光表示領域と、該有機電界発光表示領域の外周に配される少なくとも1つの柱状構造体と、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止する封止基板と、を有し、前記有機電界発光素子と前記柱状構造体とが、無機絶縁膜により被覆されており、前記封止基板が、前記無機絶縁膜で被膜された柱状構造体と接着されることを特徴とする。
【選択図】 図10
Description
本発明は、高い封止性能を有する有機電界発光表示パネル及び有機電界発光表示パネルの製造方法に関する。
近年、特に注目を浴びているデバイスに、有機電界発光表示パネルがある。有機電界発光表示パネルを構成する有機電界発光素子は、電気信号に応じて発光し、かつ、発光物質として有機化合物を用いて構成される素子である。有機電界発光素子は、生来的に広視野角及び高コントラスト並びに高速応答などの優れた表示特性を有している。また、薄型軽量かつ高画質な小型から大型までの表示装置を実現する可能性がある。
そのため、有機電界発光素子は、ブラウン管(CRT)や液晶表示装置(LCD)に代わる素子として注目されているが、有機電界発光素子は、水分や酸素に弱く、水分及び酸素が有機電界発光素子に触れると、ダークスポット(非発光欠陥)を生じ、輝度が減少するという問題がある。
そのため、有機電界発光素子は、ブラウン管(CRT)や液晶表示装置(LCD)に代わる素子として注目されているが、有機電界発光素子は、水分や酸素に弱く、水分及び酸素が有機電界発光素子に触れると、ダークスポット(非発光欠陥)を生じ、輝度が減少するという問題がある。
従来、有機電界発光表示パネルは、支持基板上に配される有機電界発光素子を封止基板で封止したものが知られている。
例えば、図13に示す有機電界発光表示パネル300は、支持基板1上に、陽極10と、陽極10の周辺を囲むように配される絶縁層12と、陽極10上に配される有機発光層14と、陰極15とを備え、無機絶縁膜16で被膜された有機電界発光素子を有し、該有機電界発光素子を封止するように、接着性樹脂層21を介して支持基板1と封止基板2とを貼り合わせて構成されている。
しかしながら、この有機電界発光表示パネル300は、接着性樹脂層21の水分及び酸素に対する遮断性が乏しく、該接着性樹脂層21が配される有機電界発光表示パネルの端部側からの水分及び酸素の侵入量が多いという問題がある。
例えば、図13に示す有機電界発光表示パネル300は、支持基板1上に、陽極10と、陽極10の周辺を囲むように配される絶縁層12と、陽極10上に配される有機発光層14と、陰極15とを備え、無機絶縁膜16で被膜された有機電界発光素子を有し、該有機電界発光素子を封止するように、接着性樹脂層21を介して支持基板1と封止基板2とを貼り合わせて構成されている。
しかしながら、この有機電界発光表示パネル300は、接着性樹脂層21の水分及び酸素に対する遮断性が乏しく、該接着性樹脂層21が配される有機電界発光表示パネルの端部側からの水分及び酸素の侵入量が多いという問題がある。
水分や酸素による有機電界発光素子の機能劣化を抑制するものとしては、例えば、支持基板と封止基板とを樹脂層を介して貼り合わせる表示装置において、少なくとも一方の面上に、樹脂材料を複数個所に分散させて塗布した後、封止基板を押圧して一体化させる方法が開示されている(特許文献1参照)。
しかしながら、この場合、支持基板と封止基板との貼り合わせ時において、気泡を低減させることが可能であるものの、樹脂材料の封止性については検討されておらず、基板端部側からの水分及び酸素の侵入量を低減させることができないという問題がある。
しかしながら、この場合、支持基板と封止基板との貼り合わせ時において、気泡を低減させることが可能であるものの、樹脂材料の封止性については検討されておらず、基板端部側からの水分及び酸素の侵入量を低減させることができないという問題がある。
また、有機電界発光表示基板及びカラーフィルター基板の外周を封止材にて封止するトップエミッション型パネルであって、カラーフィルターの領域と封止材との間にリブ構造体を設けた構成が提案されている。
しかしながら、この場合、リブ構造体は、有機電界発光表示基板とカラーフィルターの基板とで画成される表示領域に対して、樹脂系充填材を均一に充填できるように設けられるものであり、リブ構造体は、感光性樹脂で形成されるものであることから、基板端部側からの水分及び酸素の侵入量を低減させることができないという問題がある。
したがって、基板端部側からの水分及び酸素の侵入量を低減させる封止機構を有する有機電界発光表示パネルとしては、満足できるものが提供されていないというのが現状である。
しかしながら、この場合、リブ構造体は、有機電界発光表示基板とカラーフィルターの基板とで画成される表示領域に対して、樹脂系充填材を均一に充填できるように設けられるものであり、リブ構造体は、感光性樹脂で形成されるものであることから、基板端部側からの水分及び酸素の侵入量を低減させることができないという問題がある。
したがって、基板端部側からの水分及び酸素の侵入量を低減させる封止機構を有する有機電界発光表示パネルとしては、満足できるものが提供されていないというのが現状である。
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、水分及び酸素の侵入を抑制でき、極めて封止性能が高い有機電界発光表示パネル及び有機電界発光表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するため、本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、以下の知見を得た。
有機電界表示パネルの封止性能は、無機膜を配することにより、向上させることができが、無機膜は、応力や着色があるため、ある程度の膜厚までしか成膜できず、無機膜による永久的な封止(水分及び酸素の遮断)が困難である。
しかしながら、有機電界発光表示パネル内の有機電界発光表示領域の外周に環状の柱状構造体を配し、該柱状構造体を無機膜(無機絶縁膜)で被膜することとすれば、支持基板と封止基板とを貼り合わせる際に必要な接着剤層の厚みを極めて薄くして該接着剤を通じた水分及び酸素の侵入を大幅に低減させることができ、また、該無機膜(無機絶縁膜)により、水分及び酸素を遮断する封止性能を大幅に向上させることを見出した。
即ち、例えば、同じ透水率を有する接着剤層の厚みを1/10に抑えることができれば、該接着剤層を通じて侵入する水分及び酸素を1/10に低減させることが可能となり、前記無機膜(無機絶縁膜)で被膜された柱状構造体を基板の端部側に配することで、封止性能を大幅に向上させることができるとの知見を得た。
有機電界表示パネルの封止性能は、無機膜を配することにより、向上させることができが、無機膜は、応力や着色があるため、ある程度の膜厚までしか成膜できず、無機膜による永久的な封止(水分及び酸素の遮断)が困難である。
しかしながら、有機電界発光表示パネル内の有機電界発光表示領域の外周に環状の柱状構造体を配し、該柱状構造体を無機膜(無機絶縁膜)で被膜することとすれば、支持基板と封止基板とを貼り合わせる際に必要な接着剤層の厚みを極めて薄くして該接着剤を通じた水分及び酸素の侵入を大幅に低減させることができ、また、該無機膜(無機絶縁膜)により、水分及び酸素を遮断する封止性能を大幅に向上させることを見出した。
即ち、例えば、同じ透水率を有する接着剤層の厚みを1/10に抑えることができれば、該接着剤層を通じて侵入する水分及び酸素を1/10に低減させることが可能となり、前記無機膜(無機絶縁膜)で被膜された柱状構造体を基板の端部側に配することで、封止性能を大幅に向上させることができるとの知見を得た。
更に、前記柱状構造体は、有機電界発光素子の陽極又は陰極の周部に配される絶縁膜と、同一の材料で形成することとすれば、該柱状構造体と絶縁膜との形成工程を同時に行うことができ、また、該柱状構造体及び絶縁膜に対する、無機膜(無機絶縁膜)の被膜を同時に行うことができ、更に、支持基板に配される柱状構造体の頂部と、封止基板の支持基板側に配された接着剤層とを重ねた状態で押圧し、両基板を貼り合わせてこととすれば、接着剤層を極めて薄くすることができることから、これらの極めて簡易な製造プロセスによって、接着剤層を封止性能を大幅に向上させた有機電界発光表示パネルを製造することができるとの知見を得た。
本発明は、前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
<1> 支持基板上に、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む有機電界発光表示領域と、該有機電界発光表示領域の外周に配される少なくとも1つの柱状構造体と、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止する封止基板と、を有し、前記有機電界発光素子と前記柱状構造体とが、無機絶縁膜により被覆されており、前記封止基板が、前記無機絶縁膜で被膜された柱状構造体と接着されることを特徴とする有機電界発光表示パネルである。
<2> 有機電界発光素子の厚みをXとし、柱状構造体における前記有機電界発光素子の厚み方向の長さをYとしたとき、次式、X<Yの関係を満たす前記<1>に記載の有機電界発光表示パネルである。
<3> 封止基板上に、支持基板上の柱状構造体と噛合可能な少なくとも1つの柱状構造体が配される前記<1>から<2>のいずれかに記載の有機電界発光表示パネルである。
<4> 支持基板上に、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む有機電界発光表示領域と、該有機電界発光表示領域の外周に配される少なくとも1つの柱状構造体と、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止する封止基板と、を有する有機電界発光表示パネルの製造方法であって、前記陽極又は陰極が配された支持基板上に、絶縁性の樹脂組成物層を形成する樹脂組成物層形成工程と、前記樹脂組成物層に対して露光及び現像を行うことにより、前記絶縁層と、前記柱状構造体とを形成する露光現像工程と、前記絶縁層をエッチバックするエッチバック工程と、前記陽極又は陰極上に有機電界発光層と、前記陽極又は陰極の対となる電極とをこの順で積層し、有機電界発光素子を形成する有機電界発光素子形成工程と、前記有機電界発光素子と前記柱状構造体とを、無機絶縁膜により被覆する無機絶縁膜被覆工程と、前記無機絶縁膜で被膜された柱状構造体と、前記封止基板とを押圧しながら接着する封止工程と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示パネルの製造方法である。
<5> 樹脂組成物層形成工程において、樹脂組成物層がモノマー蒸着法により形成される前記<4>に記載の有機電界発光表示パネルの製造方法である。
<1> 支持基板上に、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む有機電界発光表示領域と、該有機電界発光表示領域の外周に配される少なくとも1つの柱状構造体と、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止する封止基板と、を有し、前記有機電界発光素子と前記柱状構造体とが、無機絶縁膜により被覆されており、前記封止基板が、前記無機絶縁膜で被膜された柱状構造体と接着されることを特徴とする有機電界発光表示パネルである。
<2> 有機電界発光素子の厚みをXとし、柱状構造体における前記有機電界発光素子の厚み方向の長さをYとしたとき、次式、X<Yの関係を満たす前記<1>に記載の有機電界発光表示パネルである。
<3> 封止基板上に、支持基板上の柱状構造体と噛合可能な少なくとも1つの柱状構造体が配される前記<1>から<2>のいずれかに記載の有機電界発光表示パネルである。
<4> 支持基板上に、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む有機電界発光表示領域と、該有機電界発光表示領域の外周に配される少なくとも1つの柱状構造体と、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止する封止基板と、を有する有機電界発光表示パネルの製造方法であって、前記陽極又は陰極が配された支持基板上に、絶縁性の樹脂組成物層を形成する樹脂組成物層形成工程と、前記樹脂組成物層に対して露光及び現像を行うことにより、前記絶縁層と、前記柱状構造体とを形成する露光現像工程と、前記絶縁層をエッチバックするエッチバック工程と、前記陽極又は陰極上に有機電界発光層と、前記陽極又は陰極の対となる電極とをこの順で積層し、有機電界発光素子を形成する有機電界発光素子形成工程と、前記有機電界発光素子と前記柱状構造体とを、無機絶縁膜により被覆する無機絶縁膜被覆工程と、前記無機絶縁膜で被膜された柱状構造体と、前記封止基板とを押圧しながら接着する封止工程と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示パネルの製造方法である。
<5> 樹脂組成物層形成工程において、樹脂組成物層がモノマー蒸着法により形成される前記<4>に記載の有機電界発光表示パネルの製造方法である。
本発明によれば、従来の前記諸問題を解決することができ、前記目的を達成することができ、本発明は、水分及び酸素の侵入を抑制でき、極めて封止性能が高い有機電界発光表示パネル及び有機電界発光表示パネルの製造方法を提供することができる。
(有機電界発光表示パネル)
本発明の有機電界発光表示パネルは、支持基板上に、有機電界発光表示領域と、柱状構造体と、封止基板とを有してなる。
本発明の有機電界発光表示パネルは、支持基板上に、有機電界発光表示領域と、柱状構造体と、封止基板とを有してなる。
−支持基板−
前記支持基板としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料が挙げられる。
例えば、前記支持基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
前記支持基板としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料が挙げられる。
例えば、前記支持基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
前記支持基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、前記支持基板の形状としては、板状であることが好ましい。前記支持基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。
前記支持基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
前記支持基板には、その表面又は裏面に透湿防止層(ガスバリア層)を設けることができる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、特に制限はなく、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、さらに必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
前記透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、特に制限はなく、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、さらに必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
−柱状構造体−
前記柱状構造体は、前記有機電界発光表示領域の外周に配される柱状の構造体としてなり、有機電界発光表示領域を囲む環状の部材として構成される。
前記柱状構造体は、前記有機電界発光表示領域の外周に配される柱状の構造体としてなり、有機電界発光表示領域を囲む環状の部材として構成される。
前記柱状構造体の形状としては、柱状であれば、特に制限はなく、断面視において、矩形状、正方形状、台形状等が挙げられる。
前記柱状構造体における前記有機電界発光素子の厚み方向(図10におけるT方向)の長さ(Y)としては、特に制限はないが、0.5μm〜50μmが好ましく、1.0μm〜20μmがより好ましく、2.0μm〜5.0μmが特に好ましい。
0.5μm未満であると、有機電界発光素子の厚みと同等以下となり、接着剤層が厚くなってしまい、50μmを超えると、加工が難しくなる。
また、前記柱状構造体の有機電界発光素子の厚みをXとし、前記柱状構造体における前記有機電界発光素子の厚み方向の長さをYとしたとき、次式、X<Yの関係を満たすことが好ましい。
前記X<Yの関係を満たすと、前記支持基板と前記封止基板との貼り合わせに用いられる接着剤層を薄くすることができ、該接着剤層を通じた水分及び酸素の侵入を低減させることができる。
前記柱状構造体における前記有機電界発光素子の厚み方向(図10におけるT方向)の長さ(Y)としては、特に制限はないが、0.5μm〜50μmが好ましく、1.0μm〜20μmがより好ましく、2.0μm〜5.0μmが特に好ましい。
0.5μm未満であると、有機電界発光素子の厚みと同等以下となり、接着剤層が厚くなってしまい、50μmを超えると、加工が難しくなる。
また、前記柱状構造体の有機電界発光素子の厚みをXとし、前記柱状構造体における前記有機電界発光素子の厚み方向の長さをYとしたとき、次式、X<Yの関係を満たすことが好ましい。
前記X<Yの関係を満たすと、前記支持基板と前記封止基板との貼り合わせに用いられる接着剤層を薄くすることができ、該接着剤層を通じた水分及び酸素の侵入を低減させることができる。
前記柱状構造体の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、ゴム系樹脂、またはエステル系樹脂等を用いることができるが、中でも加工が容易な点から、感光性の熱硬化型アクリル樹脂、又は光硬化型アクリル樹脂が好ましい。
前記柱状構造体の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂溶液を塗布する方法、樹脂シートを圧着または熱圧着する方法、モノマー蒸着法やスパッタリング法等により乾式重合する方法が挙げられる。
中でも、前記モノマー蒸着法が好ましく、前記モノマー蒸着法としては、フラッシュ蒸着法が挙げられる。
中でも、前記モノマー蒸着法が好ましく、前記モノマー蒸着法としては、フラッシュ蒸着法が挙げられる。
前記柱状構造体を前記支持基板上に配する数としては、特に制限はなく、前記環状の部材として1つあればよいが、1個〜5個が好ましく、1〜3個がより好ましい。
前記柱状構造体を複数個配すると、より効果的に水分及び酸素の侵入を防ぐことができる。
なお、前記柱状構造体を形成する基板としては、前記支持基板及び前記封止基板のいずれか、又は、前記支持基板及び前記封止基板のそれぞれとすることができる。
前記柱状構造体を複数個配すると、より効果的に水分及び酸素の侵入を防ぐことができる。
なお、前記柱状構造体を形成する基板としては、前記支持基板及び前記封止基板のいずれか、又は、前記支持基板及び前記封止基板のそれぞれとすることができる。
−有機電界発光表示領域−
前記有機電界発光表示領域は、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む領域からなる。
前記有機電界発光表示領域は、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む領域からなる。
−−絶縁層−−
前記絶縁層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記柱状構造体を形成する材料と同一の材料が好ましい。
前記柱状構造体を形成する材料と同一の材料とすると、前記柱状構造体と同時に形成することができ、製造プロセスを簡易化することができる。
前記絶縁層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記柱状構造体を形成する材料と同一の材料が好ましい。
前記柱状構造体を形成する材料と同一の材料とすると、前記柱状構造体と同時に形成することができ、製造プロセスを簡易化することができる。
前記絶縁層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記前記柱状構造体の形成方法と同様の形成方法を挙げることができる。
前記絶縁層は、前記柱状構造体と同時に形成されることが好ましい。
また、前記絶縁層は、一旦、前記柱状構造体と同時に形成された後、更にエッチバック処理により、形状を調整されることが好ましい。
前記エッチバック処理により、前記絶縁層の厚みを薄くすることができ、引いては、前記支持基板と前記封止基板との貼り合わせに用いられる接着剤層を薄くすることができる。
このようなエッチバック処理後の前記絶縁層の厚みとしては、0.1μm〜5.0μmが好ましく、0.2μm〜2.0μmがより好ましく、1.0μm〜2.0μmが特に好ましい。
前記絶縁層は、前記柱状構造体と同時に形成されることが好ましい。
また、前記絶縁層は、一旦、前記柱状構造体と同時に形成された後、更にエッチバック処理により、形状を調整されることが好ましい。
前記エッチバック処理により、前記絶縁層の厚みを薄くすることができ、引いては、前記支持基板と前記封止基板との貼り合わせに用いられる接着剤層を薄くすることができる。
このようなエッチバック処理後の前記絶縁層の厚みとしては、0.1μm〜5.0μmが好ましく、0.2μm〜2.0μmがより好ましく、1.0μm〜2.0μmが特に好ましい。
−−無機絶縁膜−−
前記無機絶縁膜は、前記有機電界発光素子及び前記柱状構造体を被覆するものであり、高い水分遮断性と、高い酸素遮断性を有する。前記有機電界発光素子における電極を保護する部材として、絶縁性を有する。
前記無機絶縁膜は、前記有機電界発光素子及び前記柱状構造体を被覆するものであり、高い水分遮断性と、高い酸素遮断性を有する。前記有機電界発光素子における電極を保護する部材として、絶縁性を有する。
前記無機絶縁膜の形成材料としては、前記諸特性を有するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al2O3、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、TiO2等の金属酸化物、SiNx、SiNxOy等の金属窒化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
前記無機絶縁膜の形成方法としては、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
前記無機絶縁膜の厚みとしては、特に制限はないが、0.1μm〜10μmが好ましく、0.5μm〜5.0μmがより好ましく、0.5μm〜3.0μmが特に好ましい。
0.1μm未満であると、有機電界発光素子に対する被覆性が悪くなり、10μmを超えると、無機絶縁膜の内部応力により、無機絶縁膜の剥れが生じる。
前記無機絶縁膜の厚みとしては、特に制限はないが、0.1μm〜10μmが好ましく、0.5μm〜5.0μmがより好ましく、0.5μm〜3.0μmが特に好ましい。
0.1μm未満であると、有機電界発光素子に対する被覆性が悪くなり、10μmを超えると、無機絶縁膜の内部応力により、無機絶縁膜の剥れが生じる。
前記無機絶縁膜で被覆された柱状構造体が配される前記有機電界発光表示パネルにおいては、前記無機絶縁膜により水分遮断及び酸素遮断が可能となる。
前記有機電界発光表示パネルにおける水分遮断性は、水蒸気透過度で表すことができ、1×10−2(g/m2/day)以下が好ましく、1×10−4(g/m2/day)以下がより好ましく、1×10−6(g/m2/day)以下が特に好ましい。1×10−2(g/m2/day)を超えると、有機電界発光素子の劣化、ダークスポット或いは発光面積に縮退が発生する。
前記有機電界発光表示パネルにおける水分遮断性は、水蒸気透過度で表すことができ、1×10−2(g/m2/day)以下が好ましく、1×10−4(g/m2/day)以下がより好ましく、1×10−6(g/m2/day)以下が特に好ましい。1×10−2(g/m2/day)を超えると、有機電界発光素子の劣化、ダークスポット或いは発光面積に縮退が発生する。
また、前記有機電界発光表示パネルにおける酸素遮断性は、酸素透過度で表すことができ、1×10−2(cc/m2/day)以下が好ましく、1×10−4(cc/m2/day)以下がより好ましく、1×10−6(cc/m2/day)以下が特に好ましい。1×10−2(cc/m2/day)を超えると、有機電界発光素子の劣化、ダークスポット或いは発光面積に縮退が発生する。
前記無機絶縁膜の成膜方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
−−有機電界発光素子−−
前記有機電界発光素子は、陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層(以下、単に「発光層」と称する場合がある。)を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
前記有機電界発光素子は、陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層(以下、単に「発光層」と称する場合がある。)を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
前記有機化合物層の積層の形態としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。さらに、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び/又は発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を有する。また、発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けてもよい。
尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、およびスプレー法等いずれによっても好適に形成することができる。
前記有機電界発光素子の厚み(X)としては、特に制限はないが、0.1μm〜3.0μmが好ましく、0.2μm〜2.0μmがより好ましく、0.2μm〜1.0μmが特に好ましい。
0.1μm未満であると、陽極または陰極の凹凸による短絡が起きやすくなり、3.0μmを超えると、高電圧駆動となってしまう。
また、前記有機電界発光素子の厚み(X)としては、前記柱状構造物の長さ(Y)よりも薄いことが好ましい。
0.1μm未満であると、陽極または陰極の凹凸による短絡が起きやすくなり、3.0μmを超えると、高電圧駆動となってしまう。
また、前記有機電界発光素子の厚み(X)としては、前記柱状構造物の長さ(Y)よりも薄いことが好ましい。
−−−陽極−−−
前記陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
前記陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
前記陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはITOが好ましい。
前記陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ITOを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
前記陽極は、前記支持基板上に形成されるのが好ましい。この場合、前記陽極は、前記支持基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
なお、前記陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
前記陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、10nm〜50μm程度であり、50nm〜20μmが好ましい。
前記陽極の抵抗値としては、103Ω/□以下が好ましく、102Ω/□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。
なお、前記透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
−−−陰極−−−
前記陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、前記陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。
なお、前記陰極の材料については、特開平2−15595号公報、特開平5−121172号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
前記陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
前記陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
前記陰極形成位置は、前記有機化合物層上が好ましい。この場合、陰極は、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、前記陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1nm〜5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
また、前記陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1nm〜5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
前記陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜5μm程度であり、50nm〜1μmが好ましい。
また、前記陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1nm〜10nmの厚さに薄く成膜し、さらにITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
また、前記陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1nm〜10nmの厚さに薄く成膜し、さらにITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
−−−有機化合物層−−−
前記有機電界発光素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
前記有機電界発光素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
前記有機電界発光素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等いずれによっても好適に形成することができる。
前記発光層、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の具体的な内容、及び、これらにより構成される前記有機電界発光表示素子の駆動方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開2009−016184号公報、特開2009−016579号公報、特開2009−031750号公報等に記載の内容を適用することができる。
前記有機電界発光素子は、陰極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であってもよい。この場合、無機絶縁膜の光透過率は60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。
前記有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、前記支持基板又は封止基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明または半透明電極、発光層、および金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、前記支持基板又は封止基板上に、透明または半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、2つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平9−180883号明細書に記載されている。第2の態様の場合の計算式は特開2004−127795号明細書に記載されている。
前記有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、前記支持基板又は封止基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明または半透明電極、発光層、および金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、前記支持基板又は封止基板上に、透明または半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、2つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平9−180883号明細書に記載されている。第2の態様の場合の計算式は特開2004−127795号明細書に記載されている。
前記有機電界発光表示パネルの表示をフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、2000年9月号、33〜37ページに記載されているように、色の3原色(青色(B)、緑色(G)、赤色(R))に対応する光をそれぞれ発光する有機電界発光素子を基板上に配置する3色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して3原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色(R)及び緑色(G)に変換する色変換法、などが知られている。
また、上記方法により得られる異なる発光色の有機EL素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色および黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。
また、上記方法により得られる異なる発光色の有機EL素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色および黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。
−封止基板−
前記封止基板は、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止するものであり、前記支持基板側の面に前記無機絶縁膜で被覆された柱状構造体と接着される接着剤層を有してなる。
前記封止基板は、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止するものであり、前記支持基板側の面に前記無機絶縁膜で被覆された柱状構造体と接着される接着剤層を有してなる。
−−接着剤層−−
前記接着剤層の材料としては、前記樹脂封止層で用いる材料と同じものを用いることができる。中でも、水分防止の点からエポキシ系の接着剤が好ましく、中でも光硬化型接着剤あるいは熱硬化型接着剤が好ましい。
前記接着剤層の材料としては、前記樹脂封止層で用いる材料と同じものを用いることができる。中でも、水分防止の点からエポキシ系の接着剤が好ましく、中でも光硬化型接着剤あるいは熱硬化型接着剤が好ましい。
また、前記材料にフィラーを添加することも好ましい。
前記材料に添加されるフィラーとしては、SiO2、SiO(酸化ケイ素)、SiON(酸窒化ケイ素)またはSiN(窒化ケイ素)等の無機材料が好ましい。フィラーの添加により、封止剤の粘度が上昇し、加工適正が向上し、および耐湿性が向上する。
前記材料に添加されるフィラーとしては、SiO2、SiO(酸化ケイ素)、SiON(酸窒化ケイ素)またはSiN(窒化ケイ素)等の無機材料が好ましい。フィラーの添加により、封止剤の粘度が上昇し、加工適正が向上し、および耐湿性が向上する。
前記接着剤層は、乾燥剤を含有してもよい。前記乾燥剤としては、酸化バリウム、酸化カルシウム、または酸化ストロンチウムが好ましい。
前記接着剤層に対する前記乾燥剤の添加量としては、0.01質量%以上20質量%以下であることが好ましく、さらに好ましくは0.05質量%以上15質量%以下である。これよりも少ないと、乾燥剤の添加効果が薄れることになる。またこれよりも多い場合には封止接着剤中に乾燥剤を均一分散させることが困難になり好ましくない。
前記接着剤層に対する前記乾燥剤の添加量としては、0.01質量%以上20質量%以下であることが好ましく、さらに好ましくは0.05質量%以上15質量%以下である。これよりも少ないと、乾燥剤の添加効果が薄れることになる。またこれよりも多い場合には封止接着剤中に乾燥剤を均一分散させることが困難になり好ましくない。
前記接着剤層を形成する接着剤としては、特に限定されることはなく、前記材料を含む接着剤用いることができる。例えば、光硬化型エポキシ系接着剤としては長瀬ケムテック(株)製のXNR5516を挙げることができる。そこに直接前記乾燥剤を添加し、分散せしめればよい。
前記接着剤層の塗布厚みとしては、0.1mm〜5.0mmであることが好ましく、0.1mm〜2.0mmがより好ましく、0.5mm〜1.0mmが特に好ましい。
0.1mmよりも薄いと、前記接着剤を均一に塗れなくなり好ましくない。5.0mmよりも厚いと、水分が侵入する道筋が広くなり好ましくない。
0.1mmよりも薄いと、前記接着剤を均一に塗れなくなり好ましくない。5.0mmよりも厚いと、水分が侵入する道筋が広くなり好ましくない。
前記封止基板による封止の方法としては、前記封止基板の前記支持基板側の面に対して、前記乾燥剤の入った前記接着剤をディスペンサー等により任意量塗布し、前記接着剤層を形成した後、該接着剤層と、前記支持基板上に配される無機絶縁膜で被覆された柱状構造物の頂部とを重ねた状態で前記封止基板を前記支持基板側に向けて押圧し、更に硬化させることにより行うことができる。
前記押圧後の前記接着剤層の厚みとしては、1μm〜200μmが好ましく、1μm〜100μmがより好ましく、1μm〜50μmが特に好ましい。
前記押圧後の前記接着剤層の厚みが、1μm〜50μmであると、前記接着剤層を通じた水分及び酸素の侵入を大幅に低減することができる。
前記押圧後の前記接着剤層の厚みが、1μm〜50μmであると、前記接着剤層を通じた水分及び酸素の侵入を大幅に低減することができる。
なお、前記接着剤層の厚みは、以下の方法により測定することができる。
即ち、走査型電子顕微鏡(SEM)や透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて断面を測定する方法が挙げられる。
即ち、走査型電子顕微鏡(SEM)や透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて断面を測定する方法が挙げられる。
−−柱状構造体−−
また、前記封止基板には、前記支持基板上の柱状構造体と噛合可能な柱状構造体が配されるのが好ましい。
前記封止基板に配される柱状構造体の配設数としては、前記支持基板上の柱状構造体の数と同数とすることができる。
前記封止基板に配される柱状構造体と、前記支持基板上の柱状構造体とが、複数配される場合には、一の基板側において隣接する柱状構造体の間に、他の基板側の柱状構造体が噛合されることが好ましい。
この場合、一の基板側において隣接する柱状構造体の間に前記接着剤層を形成し、該接着剤層と、該隣接する柱状構造体の間に、噛合される柱状構造体の頂部とが接着されるようにするのが好ましい。
このような噛合構造を有すると、前記接着剤層を通じて前記有機電界発光表示領域に侵入する水分及び酸素を極めて良好に遮断することができる。
また、前記封止基板には、前記支持基板上の柱状構造体と噛合可能な柱状構造体が配されるのが好ましい。
前記封止基板に配される柱状構造体の配設数としては、前記支持基板上の柱状構造体の数と同数とすることができる。
前記封止基板に配される柱状構造体と、前記支持基板上の柱状構造体とが、複数配される場合には、一の基板側において隣接する柱状構造体の間に、他の基板側の柱状構造体が噛合されることが好ましい。
この場合、一の基板側において隣接する柱状構造体の間に前記接着剤層を形成し、該接着剤層と、該隣接する柱状構造体の間に、噛合される柱状構造体の頂部とが接着されるようにするのが好ましい。
このような噛合構造を有すると、前記接着剤層を通じて前記有機電界発光表示領域に侵入する水分及び酸素を極めて良好に遮断することができる。
なお、前記封止基板に配される柱状構造体のその他の事項については、前記支持基板上の柱状構造体について説明した事項を適用することができる。
更に、前記封止基板と有機電界発光素子の間の空間には、水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。前記水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、および酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、およびシリコーンオイル類が挙げられる。
以下では、前記有機電界発光表示パネルの一実施形態について、図面を用いて説明するが、本発明は、この実施形態に限られるものではない。
図10は、本発明の前記有機電界発光表示パネルの一実施形態である有機電界発光表示パネル100の概略構成を示す断面図である。
支持基板1上には、陽極10が配され、該陽極10の周部に絶縁膜12が形成されている。また、陽極10上には、有機発光層14と陰極15とがこの順で配されている。
また、支持基板1上の端部側には、断面略矩形状からなる2つの柱状構造体13が配され、該柱状構造体13は、有機電界発光素子の厚み方向の長さ(Y)が、有機電界発光素子の厚み(X)よりも長くなるように形成されている。即ち、有機電界発光素子の厚みをXとし、柱状構造体における前記有機電界発光素子の厚み方向の長さをYとしたとき、次式、X<Yの関係を満たすように形成されている。なお、ここでは、陽極10と有機発光層14と陰極15との積層体を有機電界発光素子とする。
これら有機電界発光素子と柱状構造体13とは、無機絶縁膜16により表面を一様に被覆されている。
図10は、本発明の前記有機電界発光表示パネルの一実施形態である有機電界発光表示パネル100の概略構成を示す断面図である。
支持基板1上には、陽極10が配され、該陽極10の周部に絶縁膜12が形成されている。また、陽極10上には、有機発光層14と陰極15とがこの順で配されている。
また、支持基板1上の端部側には、断面略矩形状からなる2つの柱状構造体13が配され、該柱状構造体13は、有機電界発光素子の厚み方向の長さ(Y)が、有機電界発光素子の厚み(X)よりも長くなるように形成されている。即ち、有機電界発光素子の厚みをXとし、柱状構造体における前記有機電界発光素子の厚み方向の長さをYとしたとき、次式、X<Yの関係を満たすように形成されている。なお、ここでは、陽極10と有機発光層14と陰極15との積層体を有機電界発光素子とする。
これら有機電界発光素子と柱状構造体13とは、無機絶縁膜16により表面を一様に被覆されている。
有機電界発光表示パネル100は、前記支持基板1に対向して貼り合わされる封止基板2を有する。封止基板2は、接着剤層21を介して無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13と接着され、有機電界発光素子と絶縁膜12とを含む有機電界発光領域側を封止するようにしている。
この有機電界発光表示パネル100を平面から視た状態を図11に示す。図11は、有機電界発光表示パネル100を平面から視た場合の概略構成を示す断面図である。
該図11に示すように、有機電界発光表示パネル100は、支持基板1上に配された有機電界発光領域50の外周に、2つの柱状構造体13が環状に配されている。
この有機電界発光表示パネル100を平面から視た状態を図11に示す。図11は、有機電界発光表示パネル100を平面から視た場合の概略構成を示す断面図である。
該図11に示すように、有機電界発光表示パネル100は、支持基板1上に配された有機電界発光領域50の外周に、2つの柱状構造体13が環状に配されている。
このような構成からなる有機電界発光表示パネル100は、その端部側において、無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13により、有機電界発光表示パネル100外部からの水分及び酸素の遮断を可能とされ、また、該無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13と封止基板の間の接着剤層21が薄く形成されていることから、該接着剤層21を通じた水分及び酸素の侵入を抑制することができ、高い封止性能を得ることができる。
次に、本発明の前記有機電界発光表示パネルの他の実施形態を、図12を用いて説明する。
図12は、本発明の前記有機電界発光表示パネルの他の実施形態である有機電界発光表示パネル200の概略構成を示す断面図である。
支持基板1の端部側には、無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13が3つ配されている。
また、封止基板2の支持基板1側において、支持基板1と同様に、無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13が3つ配されている。
また、封止基板2における無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13のそれぞれは、封止基板における無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13のそれぞれと噛合うように順々に配されている。
支持基板1及び封止基板2における無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13のそれぞれは、接着剤層21を介して接着されている。なお、その他の事項については、前記一の実施形態と同様に構成されている。
図12は、本発明の前記有機電界発光表示パネルの他の実施形態である有機電界発光表示パネル200の概略構成を示す断面図である。
支持基板1の端部側には、無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13が3つ配されている。
また、封止基板2の支持基板1側において、支持基板1と同様に、無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13が3つ配されている。
また、封止基板2における無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13のそれぞれは、封止基板における無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13のそれぞれと噛合うように順々に配されている。
支持基板1及び封止基板2における無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13のそれぞれは、接着剤層21を介して接着されている。なお、その他の事項については、前記一の実施形態と同様に構成されている。
このような構成からなる有機電界発光表示パネル200は、その端部側において、無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13により、有機電界発光表示パネル200外部からの水分及び酸素の遮断を可能とされ、また、該無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13と封止基板の間の接着剤層21が薄く形成されており、更に、支持基板1及び封止基板2における、それぞれの無機絶縁膜16で被覆された柱状構造体13が噛合うように配されていることから、該接着剤層21を通じた水分及び酸素の侵入を抑制することができ、極めて高い封止性能を得ることができる。
(有機電界発光表示パネルの製造方法)
本発明の有機電界発光表示パネルの製造方法は、支持基板上に、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む有機電界発光表示領域と、該有機電界発光表示領域の外周に配される少なくとも1つの柱状構造体と、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止する封止基板と、を有する有機電界発光表示パネルの製造方法であり、樹脂組成物形成工程と、露光現像工程と、エッチバック工程と、有機電界発光素子形成工程と、無機絶縁膜被覆工程と、封止工程とを含んでなる。
本発明の有機電界発光表示パネルの製造方法は、支持基板上に、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む有機電界発光表示領域と、該有機電界発光表示領域の外周に配される少なくとも1つの柱状構造体と、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止する封止基板と、を有する有機電界発光表示パネルの製造方法であり、樹脂組成物形成工程と、露光現像工程と、エッチバック工程と、有機電界発光素子形成工程と、無機絶縁膜被覆工程と、封止工程とを含んでなる。
−樹脂組成物形成工程−
前記樹脂組成物形成工程は、前記陽極又は陰極が配された支持基板上に、絶縁性の樹脂組成物層を形成する工程としてなる。
前記絶縁性の樹脂組成物層を形成する樹脂組成物としては、本発明の前記有機電界発光表示パネルにおける前記柱状構造体の材料として説明をした、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、ゴム系樹脂、またはエステル系樹脂等を用いることができ、中でも加工が容易な点から、感光性の熱硬化型アクリル樹脂、又は光硬化型アクリル樹脂が好ましい。
前記樹脂組成物形成工程は、前記陽極又は陰極が配された支持基板上に、絶縁性の樹脂組成物層を形成する工程としてなる。
前記絶縁性の樹脂組成物層を形成する樹脂組成物としては、本発明の前記有機電界発光表示パネルにおける前記柱状構造体の材料として説明をした、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、ゴム系樹脂、またはエステル系樹脂等を用いることができ、中でも加工が容易な点から、感光性の熱硬化型アクリル樹脂、又は光硬化型アクリル樹脂が好ましい。
また、前記絶縁性の樹脂組成物層を形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂溶液を塗布する方法、樹脂シートを圧着または熱圧着する方法、モノマー蒸着法やスパッタリング法等により乾式重合する方法が挙げられる。
中でも、前記モノマー蒸着法が好ましく、前記モノマー蒸着法としては、フラッシュ蒸着法が挙げられる。
中でも、前記モノマー蒸着法が好ましく、前記モノマー蒸着法としては、フラッシュ蒸着法が挙げられる。
−露光現像工程−
前記露光現像工程は、前記樹脂組成物層に対して露光及び現像を行うことにより、絶縁層と、前記柱状構造体とを形成する工程としてなる。
前記露光の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の露光方法を適用することができる。
また、前記現像の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の現像方法を適用することができ、例えば、公知のウェットエッチング法、ドライエッチング法により現像することができる。
前記露光現像工程は、前記樹脂組成物層に対して露光及び現像を行うことにより、絶縁層と、前記柱状構造体とを形成する工程としてなる。
前記露光の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の露光方法を適用することができる。
また、前記現像の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の現像方法を適用することができ、例えば、公知のウェットエッチング法、ドライエッチング法により現像することができる。
−エッチバック工程−
前記エッチバック工程は、前記絶縁層をエッチバックする工程としてなる。
前記エッチバックの方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、酸素アッシング処理により、前記絶縁層を縮退させるようにエッチングする方法が好ましい。
前記酸素アッシング処理の酸素流量としては、特に制限はないが、10Sccm〜50Sccmが好ましい。
また、圧力条件としては、特に制限はないが、1.0Pa〜6.0Paが好ましい。
また、出力されるRFパワーとしては、200W〜800Wが好ましい。
前記エッチバック工程は、前記絶縁層をエッチバックする工程としてなる。
前記エッチバックの方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、酸素アッシング処理により、前記絶縁層を縮退させるようにエッチングする方法が好ましい。
前記酸素アッシング処理の酸素流量としては、特に制限はないが、10Sccm〜50Sccmが好ましい。
また、圧力条件としては、特に制限はないが、1.0Pa〜6.0Paが好ましい。
また、出力されるRFパワーとしては、200W〜800Wが好ましい。
−有機電界発光素子形成工程−
前記有機電界発光素子形成工程は、前記有機電界発光層と前記支持基板上に配された陽極又は陰極と対をなす電極とをこの順で積層する工程としてなる。
前記有機電界発光層の材料及び形成法法としては、特に制限はなく、本発明の前記有機電界発光表示パネルにおける有機電界発光層の材料及び形成方法を適用できる。
また前記陽極及び陰極の電極の材料及び形成方法についても、本発明の前記有機電界発光表示パネルにおける陽極及び陰極の材料及び形成方法を適用することができる。
前記有機電界発光素子形成工程は、前記有機電界発光層と前記支持基板上に配された陽極又は陰極と対をなす電極とをこの順で積層する工程としてなる。
前記有機電界発光層の材料及び形成法法としては、特に制限はなく、本発明の前記有機電界発光表示パネルにおける有機電界発光層の材料及び形成方法を適用できる。
また前記陽極及び陰極の電極の材料及び形成方法についても、本発明の前記有機電界発光表示パネルにおける陽極及び陰極の材料及び形成方法を適用することができる。
−無機絶縁膜被覆工程−
前記無機絶縁膜被覆は、前記有機電界発光素子と前記柱状構造体とを、前記無機絶縁膜により被覆する工程としてなる。
前記無機絶縁膜の被膜材料及び被膜方法としては、特に制限はなく、本発明の前記有機電界発光表示パネルにおける無機絶縁膜の被膜材料及び被膜方法を適用することができる。
前記無機絶縁膜被覆は、前記有機電界発光素子と前記柱状構造体とを、前記無機絶縁膜により被覆する工程としてなる。
前記無機絶縁膜の被膜材料及び被膜方法としては、特に制限はなく、本発明の前記有機電界発光表示パネルにおける無機絶縁膜の被膜材料及び被膜方法を適用することができる。
−封止工程−
前記封止工程は、前記無機絶縁膜で被膜された柱状構造体と、前記封止基板とを接着する工程としてなる。
前記封止の方法としては、特に制限はなく、本発明の前記有機電界発光表示パネルにおける封止の方法を適用することができ、例えば、前記封止基板による封止の方法としては、前記封止基板の前記支持基板側の面に対して、前記乾燥剤の入った前記接着剤をディスペンサー等により任意量塗布し、前記接着剤層を形成した後、該接着剤層と、前記支持基板上に配される無機絶縁膜で被覆された柱状構造物の頂部とを重ねた状態で前記封止基板を前記支持基板側に向けて押圧し、更に硬化させることにより行うことができる。
前記押圧の方法としては、特に制限はなく、エアー制御により加重する方法等が挙げられる。
前記封止工程は、前記無機絶縁膜で被膜された柱状構造体と、前記封止基板とを接着する工程としてなる。
前記封止の方法としては、特に制限はなく、本発明の前記有機電界発光表示パネルにおける封止の方法を適用することができ、例えば、前記封止基板による封止の方法としては、前記封止基板の前記支持基板側の面に対して、前記乾燥剤の入った前記接着剤をディスペンサー等により任意量塗布し、前記接着剤層を形成した後、該接着剤層と、前記支持基板上に配される無機絶縁膜で被覆された柱状構造物の頂部とを重ねた状態で前記封止基板を前記支持基板側に向けて押圧し、更に硬化させることにより行うことができる。
前記押圧の方法としては、特に制限はなく、エアー制御により加重する方法等が挙げられる。
以下では、本発明の有機電界発光表示パネルの製造プロセスの一例を図1〜図9を用いて説明する。
先ず、支持基板1上に陽極材料を成膜し、フォトリソグラフィー法により、レジストパターンを形成するようにし、ウェットエッチング法によりパターンにエッチングした後、レジストを除去して、陽極10を形成する(図1参照)。
次いで、陽極10を含む支持基板1上に絶縁性の樹脂組成物をスピンコート法、フラッシュ蒸着法等により樹脂組成物層11を形成する(図2参照)。
こうして支持基板1上に、陽極10と樹脂組成物層11とが配された状態で、部分的に遮光可能とするマスク20で覆い、光Lを照射して、選択的な露光を行い、樹脂を硬化させる(図3a参照)。
これを現像して、樹脂組成物層11から露光した部分以外の箇所を取り除くことで、陽極10の各端部を覆い、絶縁層12と、陽極10及び絶縁層12を含む有機電界発光表示領域の外周を囲う柱状構造体13とを形成する(図4参照)。
なお、本実施形態では、ネガ型の樹脂組成物層11の形成方法を説明したが、ポジ型の形成方法により、樹脂組成物層11を形成してもよい。
先ず、支持基板1上に陽極材料を成膜し、フォトリソグラフィー法により、レジストパターンを形成するようにし、ウェットエッチング法によりパターンにエッチングした後、レジストを除去して、陽極10を形成する(図1参照)。
次いで、陽極10を含む支持基板1上に絶縁性の樹脂組成物をスピンコート法、フラッシュ蒸着法等により樹脂組成物層11を形成する(図2参照)。
こうして支持基板1上に、陽極10と樹脂組成物層11とが配された状態で、部分的に遮光可能とするマスク20で覆い、光Lを照射して、選択的な露光を行い、樹脂を硬化させる(図3a参照)。
これを現像して、樹脂組成物層11から露光した部分以外の箇所を取り除くことで、陽極10の各端部を覆い、絶縁層12と、陽極10及び絶縁層12を含む有機電界発光表示領域の外周を囲う柱状構造体13とを形成する(図4参照)。
なお、本実施形態では、ネガ型の樹脂組成物層11の形成方法を説明したが、ポジ型の形成方法により、樹脂組成物層11を形成してもよい。
次いで、柱状構造体13を保護するように、マスク20を介して、酸素アッシング処理を行い(図5参照)、絶縁層12をエッチングし、絶縁層12の厚みを薄くする(図6参照)。
その後、陽極10上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機発光層14を真空蒸着法により形成し、さらに、陰極材料を真空蒸着法等により形成し、陰極15を形成する(図7参照)。
この状態で、表示領域及び柱状構造体13を被覆するように、無機絶縁膜16を成膜する(図8参照)。
その後、陽極10上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機発光層14を真空蒸着法により形成し、さらに、陰極材料を真空蒸着法等により形成し、陰極15を形成する(図7参照)。
この状態で、表示領域及び柱状構造体13を被覆するように、無機絶縁膜16を成膜する(図8参照)。
次いで、封止基板2の支持基板1側に配されたUV硬化性接着剤と柱状構造体13の頂部とが重なるように封止基板の位置決めを行う。
なお、UV硬化性接着剤を周縁部のみに塗布して配してもよいが、基板全面に塗布してもよい。また、熱硬化性接着剤や熱可塑性接着シートを用いてもよい。
次いで、支持基板1と封止基板2を、図9において、矢印A方向から押圧しつつ、UV光を照射し、UV硬化性接着剤21を硬化させ、有機電界発光表示パネルを製造することができる(図10参照)。
なお、UV硬化性接着剤を周縁部のみに塗布して配してもよいが、基板全面に塗布してもよい。また、熱硬化性接着剤や熱可塑性接着シートを用いてもよい。
次いで、支持基板1と封止基板2を、図9において、矢印A方向から押圧しつつ、UV光を照射し、UV硬化性接着剤21を硬化させ、有機電界発光表示パネルを製造することができる(図10参照)。
このような製造プロセスからなる本発明の有機電界発光表示パネルの製造方法は、柱状構造体13と絶縁膜12との形成工程を同時に行うことができ、また、該柱状構造体13及び絶縁膜12に対する、無機絶縁膜16の被膜を同時に行うことができ、更に、支持基板1に配される柱状構造体13と、封止基板2の支持基板1側に配された接着剤層21とを重ねた状態で押圧し、両基板を貼り合わせることにより、接着剤層21を極めて薄くすることができることから、極めて簡易な製造プロセスにより、接着剤層を封止性能を大幅に向上させた有機電界発光表示パネルを製造することができる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
支持基板1上に陽極材料としてITO(膜厚100nm)をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法により、レジストパターンを形成するようにし、ウェットエッチング法によりパターンにエッチングした後、レジストを除去して、ITOからなる陽極10を形成した(図1参照)。
次いで、陽極10を含む支持基板1上に感光性樹脂材料(JSR製PC-405G)をスピンコートにて膜厚が3μmになるように塗布、乾燥させて樹脂組成物層11を形成した(図2参照)。
支持基板1上に、陽極10と樹脂組成物層11とが配された状態で、部分的に遮光可能とするマスク20で覆い、光Lを照射して、選択的な露光を行い(図3b参照)、これをアルカリ性現像液にて現像して、樹脂組成物層11から露光した部分を取り除くことで、陽極10の各端部を覆い、絶縁層12と、陽極10及び絶縁層12を含む表示領域の外周を囲う柱状構造体13とを形成した(図4参照)。次いで、220℃に昇温させたオーブンで1時間熱処理を行い、柱状構造体13を硬化させた。
支持基板1上に陽極材料としてITO(膜厚100nm)をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法により、レジストパターンを形成するようにし、ウェットエッチング法によりパターンにエッチングした後、レジストを除去して、ITOからなる陽極10を形成した(図1参照)。
次いで、陽極10を含む支持基板1上に感光性樹脂材料(JSR製PC-405G)をスピンコートにて膜厚が3μmになるように塗布、乾燥させて樹脂組成物層11を形成した(図2参照)。
支持基板1上に、陽極10と樹脂組成物層11とが配された状態で、部分的に遮光可能とするマスク20で覆い、光Lを照射して、選択的な露光を行い(図3b参照)、これをアルカリ性現像液にて現像して、樹脂組成物層11から露光した部分を取り除くことで、陽極10の各端部を覆い、絶縁層12と、陽極10及び絶縁層12を含む表示領域の外周を囲う柱状構造体13とを形成した(図4参照)。次いで、220℃に昇温させたオーブンで1時間熱処理を行い、柱状構造体13を硬化させた。
次いで、柱状構造体13を保護するように、マスク20を介して、酸素アッシング処理(条件:酸素20(Sccm)、圧力3.0(Pa)、RFパワー800(W))を行い(図5参照)、絶縁層12の膜厚が1μmになるようにエッチングした(図6参照)。
その後、陽極10上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機発光層14を真空蒸着法により形成し、さらに、陰極材料としてAl(膜厚100nm)を真空蒸着法により形成し、陰極15とした(図7参照)。
この状態で、表示領域及び柱状構造体13を被覆するように、イオンプレーティング法により、SiONからなる無機絶縁膜16(膜厚1μm)を成膜した(図8参照)。
その後、陽極10上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機発光層14を真空蒸着法により形成し、さらに、陰極材料としてAl(膜厚100nm)を真空蒸着法により形成し、陰極15とした(図7参照)。
この状態で、表示領域及び柱状構造体13を被覆するように、イオンプレーティング法により、SiONからなる無機絶縁膜16(膜厚1μm)を成膜した(図8参照)。
次いで、周縁部にUV硬化性接着剤21(ナガセケムテック製:XNR5516)が塗布された封止基板2を作製した。ここで周縁部は、支持基板1と封止基板2とを合わせる際に、柱状構造体13の頂部と一致する位置とした。
なお、本実施例では、UV硬化性接着剤を周縁部のみに塗布して配したが、基板全面に塗布してもよい。また、熱硬化性接着剤や熱可塑性接着シートを用いてもよい。
次いで、支持基板1と封止基板2を、図9において、矢印A方向から押圧しつつ、UV光を照射し、UV硬化性接着剤21を硬化させ、実施例1における有機電界発光表示パネルを製造した。
なお、本実施例では、UV硬化性接着剤を周縁部のみに塗布して配したが、基板全面に塗布してもよい。また、熱硬化性接着剤や熱可塑性接着シートを用いてもよい。
次いで、支持基板1と封止基板2を、図9において、矢印A方向から押圧しつつ、UV光を照射し、UV硬化性接着剤21を硬化させ、実施例1における有機電界発光表示パネルを製造した。
(実施例2)
支持基板1上に陽極材料としてITO(膜厚100nm)をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法により、レジストパターンを形成するようにし、ウェットエッチング法によりパターンにエッチングした後、レジストを除去して、ITOからなる陽極10を形成した(図1参照)。
次いで、陽極10を含む支持基板1上にフラッシュ蒸着装置にて、光透過性樹脂材料(ラジカル重合性モノマー、製品名:1,10デカンジオールジメタクリレート、製造元:新中村化学工業株式会社)を3μm成膜し、樹脂組成物層11を形成した(図2参照)。
支持基板1上に、陽極10と樹脂組成物層11とが配された状態で、部分的に遮光可能とするマスク20で覆い、光Lを照射して、選択的な露光を行い、樹脂を硬化させた(図3a参照)。
これを溶剤(電子工業用2-プロパノール)にて現像して、樹脂組成物層11から露光した部分以外の箇所を取り除くことで、陽極10の各端部を覆い、絶縁層12と、陽極10及び絶縁層12を含む表示領域の外周を囲う柱状構造体13とを形成した(図4参照)。
以降の工程は、実施例1と同様であるため、説明を省略する。
支持基板1上に陽極材料としてITO(膜厚100nm)をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法により、レジストパターンを形成するようにし、ウェットエッチング法によりパターンにエッチングした後、レジストを除去して、ITOからなる陽極10を形成した(図1参照)。
次いで、陽極10を含む支持基板1上にフラッシュ蒸着装置にて、光透過性樹脂材料(ラジカル重合性モノマー、製品名:1,10デカンジオールジメタクリレート、製造元:新中村化学工業株式会社)を3μm成膜し、樹脂組成物層11を形成した(図2参照)。
支持基板1上に、陽極10と樹脂組成物層11とが配された状態で、部分的に遮光可能とするマスク20で覆い、光Lを照射して、選択的な露光を行い、樹脂を硬化させた(図3a参照)。
これを溶剤(電子工業用2-プロパノール)にて現像して、樹脂組成物層11から露光した部分以外の箇所を取り除くことで、陽極10の各端部を覆い、絶縁層12と、陽極10及び絶縁層12を含む表示領域の外周を囲う柱状構造体13とを形成した(図4参照)。
以降の工程は、実施例1と同様であるため、説明を省略する。
本発明の有機電界発光表示パネルは、水分及び酸素の侵入を抑制でき、極めて封止性能が高いことから、屋内、屋外を問わず、様々な場所で好適に使用することができる。また、本発明の有機電界発光表示パネルの製造方法は、水分及び酸素の侵入を抑制でき、極めて封止性能が高い有機電界発光表示パネルを製造でき、また、製造プロセスが簡易であることから、種々の有機電界発光表示パネルの製造に好適に用いることができる。
1 支持基板
2 封止基板
10 陽極
11 樹脂組成物層
12 絶縁層
13 柱状構造体
14 有機発光層
15 陰極
16 無機絶縁膜
20 マスク
21 接着剤層
50 有機電界発光表示領域
100、200、300 有機電界発光表示パネル
2 封止基板
10 陽極
11 樹脂組成物層
12 絶縁層
13 柱状構造体
14 有機発光層
15 陰極
16 無機絶縁膜
20 マスク
21 接着剤層
50 有機電界発光表示領域
100、200、300 有機電界発光表示パネル
Claims (5)
- 支持基板上に、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極周部に配される絶縁層を含む有機電界発光表示領域と、該有機電界発光表示領域の外周に配される少なくとも1つの柱状構造体と、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止する封止基板と、を有し、
前記有機電界発光素子と前記柱状構造体とが、無機絶縁膜により被覆されており、
前記封止基板が、前記無機絶縁膜で被膜された柱状構造体と接着されることを特徴とする有機電界発光表示パネル。 - 有機電界発光素子の厚みをXとし、柱状構造体における前記有機電界発光素子の厚み方向の長さをYとしたとき、次式、X<Yの関係を満たす請求項1に記載の有機電界発光表示パネル。
- 封止基板上に、支持基板上の柱状構造体と噛合可能な少なくとも1つの柱状構造体が配される請求項1から2のいずれかに記載の有機電界発光表示パネル。
- 支持基板上に、有機電界発光素子及び該有機電界発光素子の陽極又は陰極に配される絶縁層を含む有機電界発光表示領域と、該有機電界発光表示領域の外周に配される少なくとも1つの柱状構造体と、前記支持基板と対向して前記有機電界発光表示領域を封止する封止基板と、を有する有機電界発光表示パネルの製造方法であって、
前記陽極又は陰極が配された支持基板上に、絶縁性の樹脂組成物層を形成する樹脂組成物層形成工程と、
前記樹脂組成物層に対して露光及び現像を行うことにより、前記絶縁層と、前記柱状構造体とを形成する露光現像工程と、
前記絶縁層をエッチバックするエッチバック工程と、
前記陽極又は陰極上に有機電界発光層と、前記陽極又は陰極の対となる電極とをこの順で積層し、有機電界発光素子を形成する有機電界発光素子形成工程と、
前記有機電界発光素子と前記柱状構造体とを、無機絶縁膜により被覆する無機絶縁膜被覆工程と、
前記無機絶縁膜で被膜された柱状構造体と、前記封止基板とを押圧しながら接着する封止工程と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示パネルの製造方法。 - 樹脂組成物層形成工程において、樹脂組成物層がモノマー蒸着法により形成される請求項4に記載の有機電界発光表示パネルの製造方法。
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JP2009085515A JP2010238549A (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 有機電界発光表示パネル及び有機電界発光表示パネルの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20170070489A (ko) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
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JP2019036452A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
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-
2009
- 2009-03-31 JP JP2009085515A patent/JP2010238549A/ja not_active Withdrawn
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