CN111640882A - 一种显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置。其中，显示面板包括衬底基板以及依次设置于衬底基板一侧的多个有机发光单元和阴极，显示面板包括第一显示区，第一显示区包括第一子显示区和第二子显示区，第一显示区中，有机发光单元在衬底基板所在平面上的垂直投影位于第一子显示区，显示面板还包括位于有机发光单元远离阴极一侧的掩模层，掩模层包括至少一个掩模开口，掩模开口在衬底基板所在平面上的垂直投影位于第二子显示区，阴极包括镂空结构，镂空结构在衬底基板所在平面上的垂直投影位于掩模开口在衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。本发明提供的显示面板及其制造方法、显示装置，提高了屏下摄像头的成像质量。

Description

一种显示面板及其制造方法、显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。

背景技术

现有的显示面板中，在显示区域设置摄像头放置区域，为整机摄像头提供空间，从而实现屏下摄像头功能，以利于提高屏占比，而由于阴极的光透过率只有55％，使得屏下摄像头接收到的光线较少，降低了摄像头的成像质量。

发明内容

本发明提供一种显示面板及其制造方法、显示装置，以提高摄像头的成像质量。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括衬底基板以及依次设置于所述衬底基板一侧的多个有机发光单元和阴极；

所述显示面板包括第一显示区，所述第一显示区包括第一子显示区和第二子显示区，所述第一显示区中，所述有机发光单元在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述第一子显示区；

所述显示面板还包括位于所述有机发光单元远离所述阴极一侧的掩模层，所述掩模层包括至少一个掩模开口，所述掩模开口在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述第二子显示区；

所述阴极包括镂空结构，所述镂空结构在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述掩模开口在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制造方法，该方法包括：

提供衬底基板并在所述衬底基板一侧制备掩模层，所述衬底基板包括第一显示区，所述第一显示区包括第一子显示区和第二子显示区；

在所述掩模层上制备至少一个掩模开口，所述掩模开口在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述第二子显示区；

在所述掩模层远离所述衬底基板的一侧依次制备多个有机发光单元和阴极，所述有机发光单元在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述第一子显示区；

采用刻蚀光线从所述衬底基板远离所述阴极的一侧刻蚀所述阴极，所述掩模开口用于透过所述刻蚀光线，以使所述阴极形成镂空结构，所述镂空结构在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述掩模开口在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第一方面所述的任一显示面板。

本发明实施例提供的显示面板，通过在第一显示区的阴极上设置镂空结构，增大第一显示区的光透过率，使得设置在第一显示区的摄像头等传感器能够接受到更多的光线，有助于提高传感器的成像质量。通过在有机发光单元远离阴极的一侧设置掩模层，掩模层包括至少一个掩模开口，从而可采用刻蚀光线从衬底基板远离阴极的一侧进行照射来刻蚀阴极，以使阴极形成镂空结构，工艺简单，精确度高。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为第一显示区的局部放大示意图；

图3为图2沿A-A’方向的剖面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。

图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图6为图4中掩模层和刻蚀光线汇聚结构的俯视结构示意图；

图7为图5中掩模层和刻蚀光线汇聚结构的俯视结构示意图；

图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图11为图10中掩模层和刻蚀光线汇聚结构的俯视结构示意图；

图12为本发明实施例提供的一种掩模层和刻蚀光线汇聚结构的俯视结构示意图；

图13为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图14为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图15为本发明实施例提供的另一种掩模层和刻蚀光线汇聚结构的俯视结构示意图；

图16为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图17为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图18为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图19为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图20为本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程示意图；

图21为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图22为图21沿B-B’方向的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2为第一显示区的局部放大示意图，图3为图2沿A-A’方向的剖面结构示意图，如图1-3 所示，本发明实施例提供的显示面板包括衬底基板10以及依次设置于衬底基板 10一侧的多个有机发光单元11和阴极12，显示面板包括第一显示区20，第一显示区20包括第一子显示区201和第二子显示区202，第一显示区20中，有机发光单元11在衬底基板10所在平面上的垂直投影位于第一子显示区201，显示面板还包括位于有机发光单元11远离阴极12一侧的掩模层13，掩模层13 包括至少一个掩模开口131，掩模开口131在衬底基板10所在平面上的垂直投影位于第二子显示区202，阴极12包括镂空结构121，镂空结构121在衬底基板10所在平面上的垂直投影位于掩模开口131在衬底基板10所在平面上的垂直投影覆盖范围内。

具体的，如图1所示，在显示面板的显示区设置第一显示区20，第一显示区20用于放置摄像头等传感器，其中，第一显示区20可以为矩形、圆形以及其他任意形状，本发明实施例对此不作限定。第一显示区20包括第一子显示区 201和第二子显示区202，有机发光单元11在衬底基板10所在平面上的垂直投影位于第一子显示区201，示例性的，参考图2和图3，有机发光单元11在衬底基板10所在平面上的垂直投影与第一子显示区201在衬底基板10所在平面上的垂直投影重叠，有机发光单元11用于发光，即第一子显示区201为发光区，第二子显示区202为有机发光单元11之间的非发光区。具体的，阴极12靠近有机发光单元11的一侧还包括像素定义层70，像素定义层70包括像素开口区 701和非开口区702，有机发光单元11位于像素开口701中。其中，发光区为像素开口区701，非发光区为非开口区702。

显示面板还包括位于有机发光单元11远离阴极12一侧的掩模层13，掩模层13包括至少一个掩模开口131，掩模开口131在衬底基板10所在平面上的垂直投影位于第二子显示区202，掩模开口131用于透过从衬底基板10侧入射至阴极12上的刻蚀光线。由于阴极12的光透过率只有55％，通过在阴极12上设置镂空结构121，镂空结构121在衬底基板10所在平面上的垂直投影位于掩模开口131在衬底基板10所在平面上的垂直投影覆盖范围内，从而增大第二子显示区202的光透过率，使得设置在第一显示区20的摄像头等传感器能够接受到更多的光线，有助于提高传感器的成像质量。

在制备显示面板时，在掩模层13远离衬底基板10的一侧依次制备多个有机发光单元11和一整层阴极12，采用刻蚀光线从衬底基板10远离阴极12的一侧刻蚀阴极12，刻蚀光线透过掩模开口131，以使阴极12形成镂空结构121，镂空结构121在衬底基板10所在平面上的垂直投影位于掩模开口131在衬底基板10所在平面上的垂直投影覆盖范围内。因此，通过在显示面板内部制备掩模层13，通过刻蚀光线从衬底基板10远离阴极12的一侧进行照射，即可将阴极 12刻蚀出镂空结构121，无需外置掩膜版进行对位，工艺简单，精确度高。并且，该方法与通过刻蚀光线从显示面板出光侧直接单点将阴极12图形化的方法相比，提高刻蚀效率的同时，不会对显示面板的其他区域造成热影响。

其中，刻蚀光线可采用激光，激光可以采用面激光，对衬底基板10进行整面照射，也可采用线激光，对衬底基板10进行扫描照射，激光也可替换为其他能够对阴极12进行刻蚀的光线，本发明实施例对此不作限定。

本发明实施例提供的显示面板，通过在第一显示区20的阴极12上设置镂空结构121，增大第一显示区20的光透过率，使得设置在第一显示区20的摄像头等传感器能够接受到更多的光线，有助于提高传感器的成像质量。通过在有机发光单元11远离阴极12的一侧设置掩模层13，掩模层13包括至少一个掩模开口131，从而可采用刻蚀光线从衬底基板10远离阴极12的一侧进行照射来刻蚀阴极12，以使阴极12形成镂空结构121，工艺简单，精确度高。

图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图4所示，可选的，本发明实施例提供的显示面板还包括至少一个刻蚀光线汇聚结构30，刻蚀光线汇聚结构30与掩模层13同层设置，或者，在垂直于衬底基板10所在平面的方向上，刻蚀光线汇聚结构30位于掩模层13与有机发光单元11之间，刻蚀光线汇聚结构30在掩模层13所在平面的垂直投影与掩模开口131至少部分重叠。

其中，如图4所示，以刻蚀光线汇聚结构30与掩模层13同层设置为例，刻蚀光线汇聚结构30位于掩模开口131中，当刻蚀光线从衬底基板10远离阴极12的一侧进行照射时，刻蚀光线透过掩模开口131，刻蚀光线汇聚结构30 用于汇聚刻蚀光线，从而将刻蚀光线的能量进行聚集，采用刻蚀光线汇聚结构 30可使得透过掩模开口131的刻蚀光线聚集在阴极12上，从而起到刻蚀光线能量放大的作用，从而可采用较少的刻蚀光线功率能量，实现对阴极12的刻蚀，减少能源浪费。

图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图5所示，在垂直于衬底基板10所在平面的方向上，刻蚀光线汇聚结构30可设置于掩模层13与有机发光单元11之间的任意膜层，本领域技术人员可根据实际需要对刻蚀光线汇聚结构30的膜层位置进行设置。

继续参考图4，可选的，刻蚀光线汇聚结构30的光线汇聚距离为F，刻蚀光线汇聚结构30与阴极12之间的距离为D，其中，F≥D。

其中，如图4所示，刻蚀光线汇聚结构30可将透过的刻蚀光线汇聚至一焦点f，焦点f与刻蚀光线汇聚结构30之间的距离为光线汇聚距离F，通过设置光线汇聚距离F大于等于刻蚀光线汇聚结构30与阴极12之间的距离D，有助于降低刻蚀光线汇聚结构30的厚度，有利于实现轻薄的显示面板的同时，降低了刻蚀光线汇聚结构30的制备难度。可使刻蚀光线汇聚结构30贴近阴极12，从而满足F≥D。

需要注意的是，在其他实施例中，也可设置光线汇聚距离F小于刻蚀光线汇聚结构30与阴极12之间的距离D，只要刻蚀光线在阴极12上的刻蚀面积小于掩模开口131的面积，即可起到汇聚刻蚀光线的作用。

图6为图4中掩模层和刻蚀光线汇聚结构的俯视结构示意图，参考图4和图6，可选的，刻蚀光线汇聚结构30包括至少一个第一刻蚀光线汇聚结构301，第一刻蚀光线汇聚结构301的顶面为第一弧面41，第一刻蚀光线汇聚结构301 的折射率大于与第一弧面41接触的膜层的折射率，第一刻蚀光线汇聚结构301 在掩模层13所在平面的垂直投影覆盖掩模开口131，第一刻蚀光线汇聚结构301 的中心O1在掩模层13所在平面上的垂直投影位于掩模开口131中。

示例性的，如图4和图6所示，以刻蚀光线汇聚结构30与掩模层13同层设置为例，刻蚀光线汇聚结构30包括至少一个第一刻蚀光线汇聚结构301，第一刻蚀光线汇聚结构301的数量可根据实际需要进行设置，例如，第一刻蚀光线汇聚结构301的数量与掩模开口131的数量相同，第一刻蚀光线汇聚结构301 与掩模开口131一一对应设置，刻蚀光线汇聚结构30位于掩模开口131中，且第一刻蚀光线汇聚结构301在掩模层13所在平面的垂直投影与掩模开口131重叠。第一刻蚀光线汇聚结构301的顶面为第一弧面41，第一刻蚀光线汇聚结构301的折射率大于与第一弧面41接触的膜层的折射率，参考图4，第一刻蚀光线汇聚结构301为凸起结构，第一刻蚀光线汇聚结构301的折射率大于第一弧面41上方的膜层的折射率，且第一刻蚀光线汇聚结构301的中心O1在掩模层 13所在平面上的垂直投影位于掩模开口131中，因此，第一刻蚀光线汇聚结构 301具有将透过掩模开口131的刻蚀光线汇聚的作用。其中，第一刻蚀光线汇聚结构301的中心O1为第一刻蚀光线汇聚结构301的几何中心。

图7为图5中掩模层和刻蚀光线汇聚结构的俯视结构示意图，如图5和图 7所示，以刻蚀光线汇聚结构30设置于掩模层13与有机发光单元11之间为例，第一刻蚀光线汇聚结构301在掩模层13所在平面的垂直投影也可以大于与掩模开口131，从而便于调整第一刻蚀光线汇聚结构301的光线汇聚距离F，本领域技术人员可根据实际需要对此进行设置。

图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图8所示，示例性的，第一刻蚀光线汇聚结构301的顶面为第一弧面41，第一刻蚀光线汇聚结构301的折射率大于第一弧面41下方的膜层的折射率，且第一刻蚀光线汇聚结构301的中心O1在掩模层13所在平面上的垂直投影位于掩模开口131中，从而实现汇聚刻蚀光线的作用。此外，刻蚀光线汇聚结构30可以为单独设置的膜层，也可利用显示面板中原有的任意透明膜层进行设置，例如，如图8所示，在显示面板原有的透明膜层上设置第一刻蚀光线汇聚结构301，从而简化制备工艺。

图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图9所示，示例性的，可通过在第一刻蚀光线汇聚结构301的第一弧面41一侧增加其他膜层，来满足第一刻蚀光线汇聚结构301的折射率大于与第一弧面41接触的膜层的折射率，从而实现汇聚透过掩模开口131的刻蚀光线的作用。

继续参考图4-图7，可选的，第一刻蚀光线汇聚结构301的中心O1在掩模层13所在平面上的垂直投影与掩模开口131的中心O2重合。

其中，通过设置第一刻蚀光线汇聚结构301的中心O1在掩模层13所在平面上的垂直投影与掩模开口131的中心O2重合，使得透过掩模开口131的刻蚀光线向掩模开口131的中心方向汇聚，得到的阴极12的镂空结构121的中心在掩模层13所在平面上的垂直投影与掩模开口131的中心O2重合，便于对掩模层13的掩模开口131进行设计，有助于提高阴极12的刻蚀精度。其中，掩模开口131的中心O2为掩模开口131的几何中心。

图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，图11为图10 中掩模层和刻蚀光线汇聚结构的俯视结构示意图，如图10和图11所示，可选的，刻蚀光线汇聚结构30包括至少一个第二刻蚀光线汇聚结构302，第二刻蚀光线汇聚结构302包括至少一个凸起结构40，凸起结构40的顶面为第二弧面 42，凸起结构40的折射率小于与第二弧面42接触的膜层的折射率，掩模开口131包括边缘开口区域1311和中心开口区域1312，边缘开口区域1311环绕边缘开口区域1312，第二刻蚀光线汇聚结构302在掩模层13所在平面上的垂直投影与中心开口区域1312不重叠。

示例性的，如图10和图11所示，刻蚀光线汇聚结构30包括至少一个第二刻蚀光线汇聚结构302，第二刻蚀光线汇聚结构302的数量可根据实际需要进行设置，例如，第二刻蚀光线汇聚结构302的数量与掩模开口131的数量相同，第二刻蚀光线汇聚结构302与掩模开口131一一对应设置。第二刻蚀光线汇聚结构302包括至少一个凸起结构40，凸起结构40的顶面为第二弧面42，凸起结构40的折射率小于与第二弧面42接触的膜层的折射率。参考图10和图11，第二刻蚀光线汇聚结构302包括两个凸起结构40，且凸起结构40分布在掩模开口131相对的两侧，由于凸起结构40的折射率小于第二弧面42上方的膜层的折射率，凸起结构40对刻蚀光线起到发散的作用，掩模开口131包括边缘开口区域1311和中心开口区域1312，边缘开口区域1311环绕边缘开口区域1312，第二刻蚀光线汇聚结构302在掩模层13所在平面上的垂直投影与中心开口区域 1312不重叠，进一步的，设置凸起结构40的中心O3在掩模层13所在平面上的垂直投影与掩模开口131不重叠，使得掩模开口131边缘处的两个凸起结构 40能够将透过掩模开口131的刻蚀光线向两个凸起结构40连线的中心汇聚，从而使得第二刻蚀光线汇聚结构302具有将透过掩模开口131的刻蚀光线汇聚至阴极12的作用。其中，凸起结构40的中心O3为凸起结构40的几何中心。凸起结构40的数量可根据实际需要进行设置。此外，通过设置凸起结构40分布在掩模开口131相对的两侧，可使透过掩模开口131的刻蚀光线向掩模开口 131的中心方向汇聚，得到的阴极12的镂空结构121的中心在掩模层13所在平面上的垂直投影与掩模开口131的中心O2重合，便于对掩模层13的掩模开口131进行设计，有助于提高阴极12的刻蚀精度。

图12为本发明实施例提供的一种掩模层和刻蚀光线汇聚结构的俯视结构示意图，如图12所示，第二刻蚀光线汇聚结构302包括四个凸起结构40，且凸起结构40分布在掩模开口131边缘的等分点处，使得透过掩模开口131的刻蚀光线向掩模开口131的中心方向汇聚，得到的阴极12的镂空结构121的中心在掩模层13所在平面上的垂直投影与掩模开口131的中心重合，便于对掩模层 13的掩模开口131进行设计，有助于提高阴极12的刻蚀精度。对于具有其他数量凸起结构40的第二刻蚀光线汇聚结构302，通过设置凸起结构40均匀分布在掩模开口131的边缘，均可方便对掩模层13的掩模开口131进行设计，有助于提高阴极12的刻蚀精度。

图13为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图13所示，在垂直于衬底基板10所在平面的方向上，刻蚀光线汇聚结构30可设置于掩模层13与有机发光单元11之间的任意膜层，本领域技术人员可根据实际需要对刻蚀光线汇聚结构30的膜层位置进行设置。

图14为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图14所示，示例性的，凸起结构40的顶面为第二弧面42，凸起结构40的折射率小于第二弧面42上方的膜层的折射率，且凸起结构40的中心O3在掩模层13所在平面上的垂直投影与掩模开口131不重叠，从而实现汇聚刻蚀光线的作用。此外，刻蚀光线汇聚结构30可以为单独设置的膜层，也可利用显示面板中原有的任意透明膜层进行设置，例如，如图14所示，在显示面板原有的透明膜层上设置第二刻蚀光线汇聚结构302，从而简化制备工艺。

图15为本发明实施例提供的另一种掩模层和刻蚀光线汇聚结构的俯视结构示意图，如图15所示，可选的，凸起结构40在掩模层13所在平面上的垂直投影为环形，且覆盖边缘开口区域1312。

示例性的，如图15所示，凸起结构40在掩模层13所在平面上的垂直投影为环形，且凸起结构40的中心O3与的掩模开口131的中心O2重合，使得透过掩模开口131的刻蚀光线向掩模开口131的中心方向汇聚，得到的阴极12的镂空结构121的中心在掩模层13所在平面上的垂直投影与掩模开口131的中心 O2重合，便于对掩模层13的掩模开口131进行设计，有助于提高阴极12的刻蚀精度。

可选的，掩模层13位于衬底基板10靠近有机发光单元11的一侧，或者，衬底基板10包括第一基板101和第二基板102，掩模层13位于第一基板101 和第二基板102之间。

继续参考图14，以掩模层13位于衬底基板10靠近有机发光单元11的一侧为例，衬底基板10可以为单层衬底基板，制备显示面板时，可在衬底基板 10一侧制备掩膜层13。

其中，掩膜层13可采用Ti/Al/Ti材料或是金属MO等显示面板中的常规金属材料，从而可采用原有制备工艺制备掩膜层13，降低工艺复杂度，掩膜层13 的厚度可设置为500nm-1000nm，采用较厚的厚度可避免刻蚀光线对掩膜层13 产生影响，并且该厚度与现有的TFT中金属层厚度相当，从而有助于将TFT中的金属层复用为掩膜层13。

图16为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图16所示，以衬底基板10为双层衬底基板为例，衬底基板10包括第一基板101和第二基板102，掩模层13位于第一基板101和第二基板102之间。在制备显示面板时，在第一基板101一侧制备掩模层13，然后在掩模层13远离第一基板101的一侧制备第二基板102。

其中，衬底基板10可采用PI材料，从而实现柔性显示面板，第二基板102 可对显示面板起到保护作用，掩模层13设置在第一基板101和第二基板102之间，可对柔性显示面板起到额外的支撑作用。

图17为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图17所示，可选的，本发明实施例提供的显示面板还包括位于衬底基板10与有机发光单元 11之间的驱动电路和阳极51，驱动电路包括薄膜晶体管50，薄膜晶体管50包括源极61、栅极62和漏极63，薄膜晶体管50还包括有源层64，掩模层13与栅极62、源极61、漏极63和阳极51中的任意一个同层设置。

示例性的，如图17所示，设置阳极51复用为掩模层13，在制备阳极51 的同时形成掩模层13，无需增加制备工艺，也不会对显示面板的厚度造成影响。

其中，当掩膜层13位于衬底基板10一侧表面或者掩膜层13位于衬底基板 10内的时候，驱动电路和阳极51在掩模层13所在平面上的垂直投影与掩模开口131不交叠，从而避免驱动电路和阳极51遮挡透过掩模开口131的刻蚀光线。

继续参考图17，有机发光单元11之间还可包括像素定义层70，像素定义层70用于防止有机发光单元11之间混色，并有助于遮挡薄膜晶体管50中金属层的反光，从而保证显示效果。其中，可在像素定义层70设置透光开口71，透光开口71在掩模层13所在平面的垂直投影与掩模开口131至少部分交叠，从而进一步增大第二子显示区202的光透过率，也可采用刻蚀光线从衬底基板 10远离阴极12的一侧进行照射，通过透过掩模开口131的刻蚀光线在像素定义层70刻蚀出透光开口71。

继续参考图17，阴极12远离有机发光单元11的一侧还可设置薄膜封装层 14，从而对显示面板起到保护作用。

图18为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图18所示，可选的，本发明实施例提供的显示面板还包括位于衬底基板10与有机发光单元 11之间的栅极绝缘层65、层间绝缘层66和平坦化层67，刻蚀光线汇聚结构30 与栅极绝缘层65、层间绝缘层66和平坦化层67中的任意一个同层设置。

示例性的，如图18所示，设置刻蚀光线汇聚结构30与层间绝缘层66同层设置，在制备层间绝缘层66的同时形成刻蚀光线汇聚结构30，无需增加制备工艺，也不会对显示面板的厚度造成较大影响。此外，通常无机层的折射率大于有机层的折射率，因此，采用图18所示的显示面板，刻蚀光线汇聚结构30 与平坦化层67之间满足折射率要求，无需再增加其他膜层。

图19为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图19所示，可选的，通过调整刻蚀光线的功率，或者采用其他方式，将阴极12以及位于阴极12和掩模层13之间的膜层全部进行刻蚀，从而进一步增大第二子显示区202 的光透过率。

本发明实施例提供的显示面板，通过在第一显示区20的阴极12上设置镂空结构121，增大第一显示区20的光透过率，使得设置在第一显示区20的摄像头等传感器能够接受到更多的光线，有助于提高传感器的成像质量。通过在有机发光单元11远离阴极12的一侧设置掩模层13，掩模层13包括至少一个掩模开口131，从而可采用刻蚀光线从衬底基板10远离阴极12的一侧进行照射来刻蚀阴极12，以使阴极12形成镂空结构121，工艺简单，精确度高。并且，通过设置刻蚀光线汇聚结构30，使得透过掩模开口131的刻蚀光线聚集在阴极 12上，起到刻蚀光线能量放大的作用，从而可采用较少的刻蚀光线功率能量，实现对阴极12的刻蚀，减少能源浪费。通过将显示面板中原有的金属层复用为掩模层13，将刻蚀光线汇聚结构30与显示面板中原有的透明层同层设置，无需增加制备工艺，同时避免对显示面板的厚度造成影响。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制造方法，用于制备上述实施例提供的任一显示面板，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述，图20为本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程示意图，如图20所示，该方法包括如下步骤：

步骤110、提供衬底基板并在所述衬底基板一侧制备掩模层，所述衬底基板包括第一显示区，所述第一显示区包括第一子显示区和第二子显示区。

步骤120、在所述掩模层上制备至少一个掩模开口，所述掩模开口在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述第二子显示区。

步骤130、在所述掩模层远离所述衬底基板的一侧依次制备多个有机发光单元和阴极，所述有机发光单元在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述第一子显示区。

步骤140、采用刻蚀光线从所述衬底基板远离所述阴极的一侧刻蚀所述阴极，所述掩模开口用于透过所述刻蚀光线，以使所述阴极形成镂空结构，所述镂空结构在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述掩模开口在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。

可选的，在所述掩模层上制备至少一个掩模开口之后，且在所述掩模层远离所述衬底基板的一侧依次制备多个有机发光单元和阴极之前，还包括：

制备至少一个刻蚀光线汇聚结构，所述刻蚀光线汇聚结构在所述掩模层所在平面的垂直投影与所述掩模开口至少部分重叠。

本发明实施例提供的显示面板的制造方法，通过在显示面板内部制备掩模层13，通过刻蚀光线从衬底基板10远离阴极12的一侧进行照射，即可将阴极 12刻蚀出镂空结构121，无需外置掩膜版进行对位，工艺简单，精确度高。并且，该方法与通过刻蚀光线从显示面板出光侧直接单点将阴极12图形化的方法相比，提高刻蚀效率的同时，不会对显示面板的其他区域造成热影响。通过设置刻蚀光线汇聚结构30，使得透过掩模开口131的刻蚀光线聚集在阴极12上，起到刻蚀光线能量放大的作用，从而可采用较少的刻蚀光线功率能量，实现对阴极12的刻蚀，减少能源浪费。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图21为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图21所示，该显示装置80包括本发明任意实施例所述的显示面板81，因此，本发明实施例提供的显示装置80具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置80可以为图21所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。

图22为图21沿B-B’方向的剖面结构示意图，如图21和图22所示，可选的，本发明实施例提供的显示装置还包括传感器82，传感器82在衬底基板10上的垂直投影位于第一显示区20。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (13)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板以及依次设置于所述衬底基板一侧的多个有机发光单元和阴极；

所述显示面板包括第一显示区，所述第一显示区包括第一子显示区和第二子显示区，所述第一显示区中，所述有机发光单元在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述第一子显示区；

所述显示面板还包括位于所述有机发光单元远离所述阴极一侧的掩模层，所述掩模层包括至少一个掩模开口，所述掩模开口在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述第二子显示区；

所述阴极包括镂空结构，所述镂空结构在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述掩模开口在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括至少一个刻蚀光线汇聚结构，所述刻蚀光线汇聚结构与所述掩模层同层设置，或者，在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述刻蚀光线汇聚结构位于所述掩模层与所述有机发光单元之间；

所述刻蚀光线汇聚结构在所述掩模层所在平面的垂直投影与所述掩模开口至少部分重叠。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述刻蚀光线汇聚结构的光线汇聚距离为F，所述刻蚀光线汇聚结构与所述阴极之间的距离为D，其中，F≥D。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述刻蚀光线汇聚结构包括至少一个第一刻蚀光线汇聚结构，所述第一刻蚀光线汇聚结构的顶面为第一弧面，所述第一刻蚀光线汇聚结构的折射率大于与所述第一弧面接触的膜层的折射率；

所述第一刻蚀光线汇聚结构在所述掩模层所在平面的垂直投影覆盖所述掩模开口，所述第一刻蚀光线汇聚结构的中心在所述掩模层所在平面上的垂直投影位于所述掩模开口中。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一刻蚀光线汇聚结构的中心在所述掩模层所在平面上的垂直投影与所述掩模开口的中心重合。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述刻蚀光线汇聚结构包括至少一个第二刻蚀光线汇聚结构，所述第二刻蚀光线汇聚结构包括至少一个凸起结构，所述凸起结构的顶面为第二弧面，所述凸起结构的折射率小于与所述第二弧面接触的膜层的折射率；

所述掩模开口包括边缘开口区域和中心开口区域，所述边缘开口区域环绕所述边缘开口区域；

所述第二刻蚀光线汇聚结构在所述掩模层所在平面上的垂直投影与所述中心开口区域不重叠。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述凸起结构在所述掩模层所在平面上的垂直投影为环形，且覆盖所述边缘开口区域。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述掩模层位于所述衬底基板靠近所述有机发光单元的一侧；或者，

所述衬底基板包括第一基板和第二基板，所述掩模层位于所述第一基板和所述第二基板之间。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述衬底基板与所述有机发光单元之间的驱动电路和阳极，所述驱动电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、栅极和漏极；

所述掩模层与所述栅极、所述源极、所述漏极和所述阳极中的任意一个同层设置。

10.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板并在所述衬底基板一侧制备掩模层，所述衬底基板包括第一显示区，所述第一显示区包括第一子显示区和第二子显示区；

在所述掩模层上制备至少一个掩模开口，所述掩模开口在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述第二子显示区；

在所述掩模层远离所述衬底基板的一侧依次制备多个有机发光单元和阴极，所述有机发光单元在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述第一子显示区；

采用刻蚀光线从所述衬底基板远离所述阴极的一侧刻蚀所述阴极，所述掩模开口用于透过所述刻蚀光线，以使所述阴极形成镂空结构，所述镂空结构在所述衬底基板所在平面上的垂直投影位于所述掩模开口在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在所述掩模层上制备至少一个掩模开口之后，且在所述掩模层远离所述衬底基板的一侧依次制备多个有机发光单元和阴极之前，还包括：

制备至少一个刻蚀光线汇聚结构，所述刻蚀光线汇聚结构在所述掩模层所在平面的垂直投影与所述掩模开口至少部分重叠。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10中任一项所述的显示面板。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，还包括传感器，所述传感器在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一显示区。

Images