CN114384723A - 一种前置光源及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种前置光源及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域。本发明通过在衬底上设置遮光层，在遮光层上设置驱动功能层，并在驱动功能层上设置发光器件层和吸光层；发光器件层包括多个发光器件，吸光层包括围绕每个发光器件的侧面设置的吸光结构；吸光结构被配置为对发光器件的侧面出射的光线进行阻挡。通过在驱动功能层上设置围绕每个发光器件的侧面的吸光结构，则发光器件的侧面出射的光线可被吸光结构阻挡，进而改善了发光器件侧面出射的光线直接从显示装置的出光面出射出去，而引起的对比度下降的问题，并且，当吸光结构可以阻挡发光器件的侧面出射的光线时，遮光层的覆盖面积可相应减小，进而提高了显示装置的开口率。

Description

一种前置光源及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种前置光源及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，反射式LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)由于其相对于透射式LCD具有节能、护眼等优点，被广泛应用于可穿戴设备、电子标签、电子书等领域。
目前，反射式LCD包括显示面板和前置光源，在外界环境光较强时，前置光源处于关闭状态，通过显示面板直接反射环境光以实现显示效果，而当外界环境光较弱时，需要借助前置光源提供光线以实现显示效果。
但是，对于反射式LCD，当外界环境光较弱时，前置光源提供的光线中会有部分光线直接从反射式LCD的出光面出射出去，从而影响反射式LCD的对比度。
发明内容
本发明提供一种前置光源及其制作方法、显示装置，以解决现有的前置光源提供光线中会有部分光线直接从反射式LCD的出光面出射出去，从而影响反射式LCD的对比度的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种前置光源，包括：衬底、设置在所述衬底上的遮光层以及设置在所述遮光层上的驱动功能层；
所述前置光源还包括设置在所述驱动功能层上的发光器件层和吸光层；所述发光器件层包括多个发光器件，所述吸光层包括围绕每个所述发光器件的侧面设置的吸光结构，所述发光器件的侧面为所述发光器件中沿着垂直于所述衬底方向设置的表面；
其中，所述吸光结构，被配置为对所述发光器件的侧面出射的光线进行阻挡。
可选的，所述驱动功能层包括依次设置在所述遮光层上的第一钝化层、第一导电层、第二钝化层、第二导电层和第三导电层；
其中，所述第二导电层通过贯穿所述第二钝化层的第一过孔与所述第一导电层连接，所述第三导电层包括第一导电结构和第二导电结构。
可选的，所述发光器件包括正极引脚和负极引脚；
所述正极引脚与所述第一导电结构连接，所述负极引脚与所述第二导电结构连接。
可选的，所述驱动功能层还包括设置在所述遮光层与所述第一钝化层之间的平坦层；
在垂直于所述衬底的方向上，所述正极引脚的高度和所述负极引脚的高度相同，所述正极引脚和所述负极引脚对应位置处的所述平坦层的厚度相同，且所述正极引脚和所述负极引脚对应位置处的所述第一钝化层的厚度也相同；
或者，在垂直于所述衬底的方向上，所述正极引脚的高度和所述负极引脚的高度不相同，所述正极引脚和所述负极引脚中的高度最大的引脚对应的位置处，所述平坦层和所述第一钝化层具有朝向所述衬底方向凹陷的凹陷结构。
可选的，所述第一导电层在所述衬底上的正投影、所述第二导电层在所述衬底上的正投影以及所述发光器件在所述衬底上的正投影，均位于所述遮光层在所述衬底上的正投影之内。
可选的，所述吸光结构远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的距离，小于或等于所述发光器件远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的距离。
可选的，所述前置光源还包括设置在所述驱动功能层上的平整层，以及覆盖所述平整层和所述发光器件层的粘接层；
所述前置光源还包括设置在所述粘接层上的光学调节层，所述光学调节层包括与所述发光器件一一对应的光学调节结构；
其中，所述光学调节结构，被配置为对所述发光器件朝向显示面板出射的光线的出射角度进行调节。
可选的，所述光学调节结构的折射率大于所述粘接层的折射率。
可选的，所述光学调节结构在所述衬底上的正投影覆盖所述发光器件在所述衬底上的正投影。
可选的，所述光学调节结构在远离所述衬底一侧的表面为弧面，所述弧面向远离所述衬底的方向凸起。
可选的，所述发光器件层包括的多个所述发光器件被划分为第一微LED(LightEmitting Diode，发光二极管)器件、第二微LED器件和第三微LED器件；
其中，所述第一微LED器件为红光微LED器件，所述第二微LED器件为绿光微LED器件，所述第三微LED器件为蓝光微LED器件；
或者，所述第一微LED器件包括蓝光微LED器件和设置在所述蓝光微LED器件出光面上的第一光转换层，所述第二微LED器件包括所述蓝光微LED器件和设置在所述蓝光微LED器件出光面上的第二光转换层，所述第三微LED器件包括所述蓝光微LED器件，且所述第一光转换层和所述第二光转换层所采用的荧光材料不同。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种前置光源的制作方法，包括：
在衬底上形成遮光层；
在所述遮光层上形成驱动功能层；
在所述驱动功能层上分别形成发光器件层和吸光层；
其中，所述发光器件层包括多个发光器件，所述吸光层包括围绕每个所述发光器件的侧面设置的吸光结构，所述发光器件的侧面为所述发光器件中沿着垂直于所述衬底方向设置的表面；所述吸光结构，被配置为对所述发光器件的侧面出射的光线进行阻挡。
可选的，所述在所述遮光层上形成驱动功能层的步骤，包括：
在所述遮光层上依次形成第一钝化层、第一导电层、第二钝化层、第二导电层和第三导电层；
其中，所述第二导电层通过贯穿所述第二钝化层的第一过孔与所述第一导电层连接，所述第三导电层包括第一导电结构和第二导电结构。
可选的，在所述驱动功能层上分别形成发光器件层和吸光层的步骤之后，还包括：
在所述驱动功能层上形成平整层；
形成覆盖所述平整层和所述发光器件层的粘接层；
在所述粘接层上形成光学调节层；
其中，所述光学调节层包括与所述发光器件一一对应的光学调节结构；所述光学调节结构，被配置为对所述发光器件朝向显示面板出射的光线的出射角度进行调节。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示装置，包括显示面板以及上述的前置光源；所述前置光源设置在所述显示面板的出光侧，且所述前置光源中的发光器件的发光面朝向所述显示面板的出光侧；
其中，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括反射层，所述反射层包括多个漫反射结构。
可选的，每个所述发光器件至少对应20×20个呈矩阵排布的所述漫反射结构。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
通过在衬底上设置遮光层，在遮光层上设置驱动功能层，并在驱动功能层上设置发光器件层和吸光层；发光器件层包括多个发光器件，吸光层包括围绕每个发光器件的侧面设置的吸光结构，发光器件的侧面为发光器件中沿着垂直于衬底方向设置的表面；吸光结构被配置为对发光器件的侧面出射的光线进行阻挡。通过在驱动功能层上设置围绕每个发光器件的侧面的吸光结构，则发光器件的侧面出射的光线可被吸光结构阻挡，进而改善了发光器件侧面出射的光线直接从显示装置的出光面出射出去，而引起的对比度下降的问题，并且，当吸光结构可以阻挡发光器件的侧面出射的光线时，遮光层的覆盖面积可相应减小，进而提高了显示装置的开口率。
附图说明
图1示出了相关的一种前置光源的结构示意图；
图2示出了本发明实施例的一种前置光源的结构示意图；
图3示出了本发明实施例的另一种前置光源的结构示意图；
图4示出了本发明实施例的再一种前置光源的结构示意图；
图5示出了本发明实施例的前置光源的平面示意图；
图6示出了本发明实施例的一种前置光源的制作方法的流程图；
图7示出了本发明实施例在衬底上形成遮光层后的结构示意图；
图8示出了本发明实施例在遮光层上依次形成平坦层、第一钝化层和第一导电层后的结构示意图；
图9示出了本发明实施例对平坦层和第一钝化层进行图案化处理形成凹陷结构后的结构示意图；
图10示出了本发明实施例形成第二钝化层、第二导电层和第三导电层后的结构示意图；
图11示出了本发明实施例形成第三钝化层后的结构示意图；
图12示出了本发明实施例在第三钝化层上形成吸光层后的结构示意图；
图13示出了本发明实施例的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示，在相关技术中，前置光源包括衬底11、依次设置在衬底11上的遮光层12和驱动功能层13，以及设置在驱动功能层13上的发光器件14。
当外界环境光较弱时，发光器件14正常发光，发光器件14除了向显示面板的方向提供显示所需的光线外，还存在侧面出光，当发光器件14侧面出射的光线入射至衬底11与外界环境的界面时，若其入射角θ小于全反射临界角，则会有部分光线从衬底11与外界环境的界面折射出去，即前置光源提供的光线中会有部分光线直接从显示装置的出光面出射出去，而发光器件14提供给显示面板的光线经显示面板反射后，也会向衬底11的方向出射，因此，发光器件14侧面出射的光线若直接从显示装置的出光面出射出去，会影响显示装置的对比度。
为了提高显示装置的对比度，通常需要增大遮光层12的边缘超出发光器件14的边缘的距离W，即增大遮光层12的覆盖面积，来提高发光器件14侧面出射的光线入射至衬底11与外界环境的界面时的入射角θ，使得入射角θ大于或等于全反射临界角，从而使得该光线发生全反射，则发光器件14侧面出射的光线全部反射至显示面板，而不会直接从衬底11与外界环境的界面折射出去，从而提高显示装置的对比度。
但是，当遮光层12的覆盖面积增大时，会导致显示装置的开口率降低。
因此，本发明实施例通过在驱动功能层上设置围绕每个发光器件的侧面的吸光结构，则发光器件的侧面出射的光线可被吸光结构阻挡，进而改善了发光器件侧面出射的光线直接从显示装置的出光面出射出去，而引起的对比度下降的问题，并且，当吸光结构可以阻挡发光器件的侧面出射的光线时，遮光层的覆盖面积可相应减小，进而提高了显示装置的开口率。
实施例一
参照图2，示出了本发明实施例的一种前置光源的结构示意图，图3示出了本发明实施例的另一种前置光源的结构示意图，图4示出了本发明实施例的再一种前置光源的结构示意图。
本发明实施例提供了一种前置光源，包括：衬底21、设置在衬底21上的遮光层22以及设置在遮光层22上的驱动功能层23；前置光源还包括设置在驱动功能层23上的发光器件层和吸光层；发光器件层包括多个发光器件24，吸光层包括围绕每个发光器件24的侧面设置的吸光结构25，发光器件24的侧面为发光器件24中沿着垂直于衬底21方向设置的表面；其中，吸光结构25，被配置为对发光器件24的侧面出射的光线进行阻挡。
具体的，衬底21可以为玻璃基板、石英基板、金属基板、树脂基板等，在衬底21上设置有遮光层22，遮光层22的材料为黑色遮光材料，如氧化钼MoOx或黑色树脂材料等，其用于对驱动功能层23中的金属膜层进行遮挡，防止外界环境光较强时，外界环境光照射到驱动功能层23中的金属膜层而引起反光。
驱动功能层23用于驱动发光器件层中的发光器件24进行发光，发光器件层包括多个呈阵列分布的发光器件24，发光器件24可以为微LED器件，也可以为一般的LED器件。微LED器件指的是Micro-LED器件或Mini-LED器件，Micro-LED器件的长度小于50微米，优选的，Micro-LED器件的长度为10微米～50微米，Mini-LED的长度为50微米至150微米，优选的，Micro-LED器件的长度为80微米至120微米。当发光器件24为微LED器件时，由于Micro-LED器件和Mini-LED器件具有尺寸小、亮度高等特点，则采用微LED器件作为发光器件24的前置光源，其向显示面板提供的光线亮度更高，且使得前置光源更加轻薄。
由于发光器件24除了向显示面板的出光侧提供显示所需的光线外，还存在侧面出光，为了防止发光器件24侧面出射的光线直接从显示装置的出光面出射出去，在驱动功能层23上设置围绕每个发光器件24的侧面的吸光结构25，则发光器件24的侧面出射的光线可被吸光结构25阻挡，使得发光器件24的侧面出射的光线无法从显示装置的出光面出射出去，从而提高了显示装置的对比度；并且，当吸光结构25可以阻挡发光器件24的侧面出射的光线时，遮光层22的覆盖面积可相应减小，进而提高了显示装置的开口率。
其中，吸光结构25的材料为有机材料，如黑色树脂材料，其允许光线透过的透过率小于预设值，如预设值为5％，则吸光结构25允许光线透过的透过率小于5％。吸光结构25的厚度与吸光结构25允许光线透过的透过率以及吸光结构25的OD(Optical Density，光密度)值相关，即吸光结构25的厚度等于吸光结构25的透过率与吸光结构25的OD值的比值，而吸光结构25的OD值与吸光结构25所采用的材料相关，当吸光结构25的材料一旦选定，吸光结构25的OD值即可确定。
具体的，如图2至图4所示，驱动功能层23包括依次设置在遮光层22上的第一钝化层232、第一导电层233、第二钝化层234、第二导电层235和第三导电层236；其中，第二导电层235通过贯穿第二钝化层234的第一过孔与第一导电层233连接，第三导电层236包括第一导电结构2361和第二导电结构2362。
在本发明实施例中，第一钝化层232、第一导电层233、第二钝化层234、第二导电层235和第三导电层236，沿垂直于衬底21的方向依次远离衬底21设置。
此外，驱动功能层23还可以包括设置在遮光层22与第一钝化层232之间的平坦层231，以及设置在第三导电层236远离衬底21一侧的第三钝化层237，第三钝化层237具有暴露出第一导电结构2361的第二过孔以及暴露出第二导电结构2362的第三过孔。
其中，平坦层231覆盖遮光层22和衬底21，平坦层231的材料为有机材料，如树脂等；第一钝化层232设置在平坦层231远离衬底21的一侧，第一钝化层232可以为单层或叠层结构，每层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等；第一导电层233设置在第一钝化层232远离衬底21的一侧，第一导电层233的材料为金属材料，如铜、银等材料；第二钝化层234覆盖第一导电层233和第一钝化层232，并且，第二钝化层234具有贯穿并暴露出第一导电层233的第一过孔，第二钝化层234可以为单层或叠层结构，每层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等；第二导电层235设置在第二钝化层234远离衬底21的一侧，且第二导电层235通过贯穿第二钝化层234的第一过孔与第一导电层233连接，第二导电层235的材料为金属材料，如铜、银等材料；第三导电层236设置在第二导电层235远离衬底21的一侧，第三导电层236包括第一导电结构2361和第二导电结构2362，第一导电结构2361和第二导电结构2362同层设置在第二导电层235上，第三导电层236的材料为透明导电材料，如ITO(Indium TinOxides，氧化铟锡)；第三钝化层237覆盖第二导电层235、第三导电层236和第二钝化层234，并且，第三钝化层237具有贯穿并暴露出第一导电结构2361的第二过孔，以及贯穿并暴露出第二导电结构2362的第三过孔，第三钝化层237可以为单层或叠层结构，每层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。
需要说明的是，若驱动功能层23不包括设置在遮光层22与第一钝化层232之间的平坦层231时，第一钝化层232是直接覆盖遮光层22和衬底21的。
具体的，如图5所示，第一导电层233包括沿第一方向分布的多条第一导电引线2330，第二导电层235包括沿第二方向分布的多条第二导电引线2350，第一方向和第二方向存在预设夹角，该预设夹角不为0。例如，该预设夹角为90°，即第一方向和第二方向相互垂直。当第一方向和第二方向相互垂直时，第一方向与显示面板的行方向平行，第二方向与显示面板的列方向平行；或者，第一方向与显示面板的列方向平行，第二方向与显示面板的行方向平行。
需要说明的是，沿图5所示的前置光源中的截面A-A’得到的剖视图为图2至图4所示的结构，2341也就是贯穿第二钝化层234的第一过孔，第二导电层235通过第一过孔2341与第一导电层233连接。
另外，从图5中可以看出，吸光结构25围绕发光器件24的侧面设置，吸光结构25包围发光器件24的侧面，吸光结构25在衬底21上的正投影为矩形环状结构，即吸光结构25靠近发光器件24的侧面在衬底21的正投影为矩形，吸光结构25远离发光器件24的侧面在衬底21的正投影也为矩形；当然，吸光结构25在衬底21上的正投影也可以为其他封闭的环状结构，如圆形环状结构，即吸光结构25靠近发光器件24的侧面在衬底21的正投影为圆形，吸光结构25远离发光器件24的侧面在衬底21的正投影也为圆形。
在本发明实施例中，发光器件24包括正极引脚241和负极引脚242；正极引脚241与第一导电结构2361连接，负极引脚242与第二导电结构2362连接。
具体的，第一导电结构2361和第二导电结构2362同层设置在第二导电层235上，且第一导电结构2361和第二导电结构2362分别与第二导电层235连接。
当驱动功能层23还包括设置在第三导电层236远离衬底21一侧的第三钝化层237，此时，发光器件24具体是设置在驱动功能层23中的第三钝化层237上的，且发光器件24的正极引脚241通过贯穿第三钝化层237的第二过孔与第一导电结构2361连接，发光器件24的负极引脚242通过贯穿第三钝化层237的第三过孔与第二导电结构2362连接。另外，吸光结构25具体也是设置在驱动功能层23中的第三钝化层237上的。
当然，驱动功能层23中也可以不包括第三钝化层237，此时，发光器件24的正极引脚241直接与第一导电结构2361接触并连接，发光器件24的负极引脚242直接与第二导电结构2362接触并连接。
需要说明的是，在第一导电结构2361和第二导电结构2362之间的位置处，第二导电层235包括的第二导电引线2350是断开设置的。
发光器件24的具体驱动过程为：信号输入端向第一导电层233包括的第一导电引线2330提供驱动信号，则驱动信号通过第一过孔2341传输给对应的第二导电引线2350，第二导电引线2350将驱动信号传输至第一导电结构2361，第一导电结构2361再将驱动信号传输给发光器件24的正极引脚241，则驱动信号流经发光器件24，并从发光器件24的负极引脚242传输给第二导电结构2362，第二导电结构2362将流经发光器件24的驱动信号传输至第二导电引线2350，经由第二导电引线2350将驱动信号传输至信号输出端。因此，基于上述流经发光器件的驱动信号，可控制发光器件24正常进行发光。
在本发明一种可选的实施方式中，如图3所示，驱动功能层23还包括设置在遮光层22与第一钝化层232之间的平坦层231，在垂直于衬底21的方向上，正极引脚241的高度和负极引脚242的高度相同，正极引脚241和负极引脚242对应位置处的平坦层231的厚度相同，且正极引脚241和负极引脚242对应位置处的第一钝化层232的厚度也相同。
在实际产品中，前置光源中所采用的发光器件24的正极引脚241的高度和负极引脚242的高度可以是相同的，此时，为了保证将发光器件24固定在驱动功能层23上后，发光器件24远离衬底21一侧的表面能够与衬底21平行，无需对第一钝化层232和平坦层231进行图案化处理以形成凹陷结构，此时，正极引脚241和负极引脚242对应位置处的平坦层231的厚度相同，且正极引脚241和负极引脚242对应位置处的第一钝化层232的厚度也相同，即平坦层231远离衬底21一侧的表面和第一钝化层232远离衬底21一侧的表面均为完整的平面，不存在开孔区域。
在本发明另一种可选的实施方式中，如图2所示，驱动功能层23还包括设置在遮光层22与第一钝化层232之间的平坦层231，在垂直于衬底21的方向上，正极引脚241的高度和负极引脚242的高度不相同，正极引脚241和负极引脚242中的高度最大的引脚对应的位置处，平坦层231和第一钝化层232具有朝向衬底21方向凹陷的凹陷结构。
在实际产品中，前置光源中所采用的发光器件24的正极引脚241的高度和负极引脚242的高度也可以是不相同的，此时，为了保证将发光器件24固定在驱动功能层23上后，发光器件24远离衬底21一侧的表面能够与衬底21平行，需要在正极引脚241和负极引脚242中的高度最大的引脚对应的位置处，对第一钝化层232和平坦层231进行图案化处理以形成凹陷结构，此时，在正极引脚241和负极引脚242中的高度最大的引脚对应的位置处，平坦层231和第一钝化层232具有朝向衬底21方向凹陷的凹陷结构，即平坦层231远离衬底21一侧的表面和第一钝化层232远离衬底21一侧的表面不是完整的平面，存在开孔区域。
例如，正极引脚241的高度大于负极引脚242的高度，则在正极引脚241对应的位置处，对第一钝化层232和平坦层231进行图案化处理以形成凹陷结构，使得正极引脚241对应的位置处的平坦层231和第一钝化层232具有朝向衬底21方向凹陷的凹陷结构。
需要说明的是，正极引脚241的高度指的是正极引脚241对应的位置处，发光器件24靠近衬底21一侧的表面与第三导电层236远离衬底21一侧的表面之间的距离，负极引脚242的高度指的是负极引脚242对应的位置处，发光器件24靠近衬底21一侧的表面与第三导电层236远离衬底21一侧的表面之间的距离，且发光器件24靠近衬底21一侧的表面指的是发光器件24中除正极引脚241和负极引脚242以外的结构，其靠近衬底21一侧的表面；凹陷结构的深度是根据正极引脚241和负极引脚242的高度差确定的，当正极引脚241和负极引脚242的高度差小于或等于第一钝化层232的厚度时，只需对第一钝化层232进行图案化处理，而当正极引脚241和负极引脚242的高度差大于第一钝化层232的厚度时，除了需要对第一钝化层232进行图案化处理外，还需要对平坦层231进行刻蚀处理。
根据发光器件24的正极引脚241和负极引脚242的高度，合理设置平坦层231和第一钝化层232的结构，使得在将发光器件24固定在驱动功能层23上后，发光器件24远离衬底21一侧的表面与衬底21平行，进而保证各个发光器件24能够准确地向显示面板出光侧的对应位置处提供光线。
在本发明实施例中，如图5所示，第一导电层233在衬底21上的正投影、第二导电层235在衬底21上的正投影以及发光器件24在衬底21上的正投影，均位于遮光层22在衬底21上的正投影之内。
由于第一导电层233和第二导电层235的材料均为金属材料，若外界环境光直接照射到第一导电层233和第二导电层235上会发生反射，从而导致显示装置出现反光，因此，通过遮光层22对驱动功能层23中的第一导电层233和第二导电层235进行遮挡，可避免外界环境光照射到第一导电层233和第二导电层235上引起的反光。并且，由于发光器件24的正极引脚241和负极引脚242的材料也为金属材料，通过遮光层22对发光器件24也进行遮挡，相应的，可避免外界环境光照射到发光器件24的引脚上引起的发光。
此外，吸光结构25在衬底21上的正投影也位于遮光层22在衬底21上的正投影之内，第三导电层236在衬底21上的正投影也位于遮光层22在衬底21上的正投影之内。
在本发明实施例中，吸光结构25远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离，小于或等于发光器件24远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离。
当吸光结构25远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离等于发光器件24远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离时，吸光结构25远离衬底21一侧的表面与发光器件24远离衬底21一侧的表面位于同一平面。
由于在实际制作过程中，先在驱动功能层23上制作吸光结构25，再通过巨量转移技术将发光器件24转移到驱动功能层23上，将发光器件24转移到驱动功能层23上之后，还需要采用压合工艺将发光器件24与驱动功能层23中的第三导电层236进行压合。若吸光结构25远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离大于发光器件24远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离，则由于吸光结构25的存在，无法将发光器件24稳定地压合并固定在第三导电层236上，进而会导致发光器件24与第三导电层236的接触不良；因此，为了保证压合后的发光器件24能稳定地固定在第三导电层236上，需要合理设置吸光结构25在垂直于衬底21的方向上的高度，使得在将发光器件24固定在驱动功能层23后，吸光结构25远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离，小于或等于发光器件24远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离。
进一步的，如图4所示，前置光源还包括设置在驱动功能层23上的平整层26，以及覆盖平整层26和发光器件层的粘接层27；前置光源还包括设置在粘接层27上的光学调节层，光学调节层包括与发光器件24一一对应的光学调节结构28；其中，光学调节结构28，被配置为对发光器件24朝向显示面板出射的光线的出射角度进行调节。
具体的，当吸光结构25远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离，小于发光器件24远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离时，平整层26除了填充在发光器件24与吸光结构25之间的区域以及吸光结构25远离发光器件24的区域，还会覆盖吸光结构25远离衬底21一侧的表面，使得平整层26远离衬底21一侧的表面与发光器件24远离衬底21一侧的表面位于同一平面，此时，粘接层27覆盖平整层26和发光器件层；当吸光结构25远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离，等于发光器件24远离衬底21一侧的表面到衬底21的距离时，平整层26填充在发光器件24与吸光结构25之间的区域以及吸光结构25远离发光器件24的区域，且平整层26的厚度与发光器件24和吸光结构25的厚度相关，使得平整层26远离衬底21一侧的表面与发光器件24远离衬底21一侧的表面位于同一平面，此时，粘接层27除了覆盖平整层26和发光器件层外，还覆盖吸光层。
此外，在粘接层27远离衬底21的一侧还设置有光学调节层，光学调节层包括与发光器件24一一对应的光学调节结构28，光学调节结构28被配置为对发光器件24朝向显示面板出射的光线的出射角度进行调节。
通过在各个发光器件24的发光面设置光学调节结构28，可有效调节前置光源向显示面板的出光侧出射的光线的出射角度，从而降低显示装置中的各个像素之间由于反射光相互干扰造成的串扰。具体的，光学调节结构28是将发光器件24朝向显示面板出射的光线的出射角度减小，即通过光学调节结构28对发光器件24朝向显示面板出射的光线起到收敛作用。
例如，针对发光器件层中的相邻两个发光器件B1和B2，其对应的像素分别为像素1和像素2，发光器件B1用于向像素1提供红色的入射光线，红色的入射光线经像素1反射后，向显示装置的出光侧提供红色的反射光，发光器件B2用于向像素2提供绿色的入射光线，绿色的入射光线经像素2反射后，向显示装置的出光侧提供绿色的反射光，若发光器件B1朝向显示面板出射的光线的出射角度较大，则发光器件B1除了会向像素1提供红色的入射光线外，还会向像素2提供红色的入射光线，则像素2实际上接收到的光线包括发光器件B1提供的红色入射光线以及发光器件B2提供的绿色入射光线，因此，像素2反射至显示装置的出光侧的光线实际上包括红光和绿光的混合光，而不是原本所需的绿光，因此，若发光器件24朝向显示面板出射的光线的出射角度过大，会导致显示装置中的各个像素之间由于反射光相互干扰造成的串扰。
其中，平整层26的材料为硅胶，粘接层27的材料为OCA(Optically ClearAdhesive，光学胶)，光学调节结构28的材料为有机材料，如树脂型光刻胶。
在本发明实施例中，光学调节结构28的折射率大于粘接层27的折射率。粘接层27的折射率一般为1.6，则光学调节结构28的折射率大于1.6。
通过合理选择光学调节结构28的材料，使得光学调节结构28的折射率大于粘接层27的折射率，则发光器件24出射的光线经过粘接层27与光学调节结构28之间的界面时会发生折射，且由于光学调节结构28的折射率大于粘接层27的折射率，使得入射至粘接层27与光学调节结构28之间的界面处的光线的入射角，大于折射后的光线的折射角，因此，发光器件24朝向显示面板出射的光线经过粘接层27和光学调节结构28之后，其出射角度会减小。
在本发明实施例中，光学调节结构28在衬底21上的正投影覆盖发光器件24在衬底21上的正投影。
通过合理设置光学调节结构28的位置以及覆盖面积，使得光学调节结构28在衬底21上的正投影覆盖发光器件24在衬底21上的正投影，则发光器件24朝向显示面板出射的光线，全部需要经过光学调节结构28，从而保证光学调节结构28对发光器件24朝向显示面板出射的全部光线的出射角度都进行调节，进一步降低显示装置中的各个像素之间由于反射光相互干扰造成的串扰。
此外，光学调节结构28在衬底21的正投影与吸光结构25在衬底21上的正投影可以存在重合区域，也可以不存在重合区域，本发明实施例对此不做限制。
需要说明的是，每个发光器件24均对应一定数量的像素，而光学调节结构28的焦点主要取决于：前置光源与显示面板之间的距离，以及每个发光器件24与对应的像素的数量比。
在本发明实施例中，光学调节结构28在远离衬底21一侧的表面为弧面，弧面向远离衬底21的方向凸起。
在实际产品中，通过合理设置光学调节结构28的形状，来进一步调节发光器件24朝向显示面板出射的光线的出射角度。在实际产品中，需要根据前置光源与显示面板之间的距离来选择光学调节结构28的形状，以使得发光器件24朝向显示面板出射的光线经过光学调节结构28后可以达到合适的出射角度。
当前置光源与显示面板之间的距离不同时，光学调节结构28的形状也不同，光学调节结构28的形状主要通过光学调节结构28的接触角来衡量，接触角指的是光学调节结构28的表面切线与粘接层27远离衬底21一侧的表面的夹角。
在本发明实施例中，发光器件层包括的多个发光器件24被划分为第一微LED器件、第二微LED器件和第三微LED器件。其中，第一微LED器件为红光微LED器件，第二微LED器件为绿光微LED器件，第三微LED器件为蓝光微LED器件；或者，第一微LED器件包括蓝光微LED器件和设置在蓝光微LED器件出光面上的第一光转换层，第二微LED器件包括蓝光微LED器件和设置在蓝光微LED器件出光面上的第二光转换层，第三微LED器件包括蓝光微LED器件，且第一光转换层和第二光转换层所采用的荧光材料不同。
具体的，发光器件层包括的多个发光器件24被划分为三类，其分别为第一微LED器件、第二微LED器件和第三微LED器件，第一微LED器件发出的光线为红光，第二微LED器件发出的光线为绿光，第三微LED器件发出的光线为蓝光。当然，发光器件层包括的多个发光器件24被划分的种类不局限于三种，还可以为两种、四种等。
第一种结构，第一微LED器件为红光微LED器件，第二微LED器件为绿光微LED器件，第三微LED器件为蓝光微LED器件，红光微LED器件发出的光线为红光，绿光微LED器件发出的光线为绿光，蓝光微LED器件发出的光线为蓝光。因此，通过控制红光微LED器件、绿光微LED器件和蓝光微LED器件是否发出光线，以及发出的光线的亮度等，向显示面板的出光侧提供各种颜色的光线。
第二种结构，第一微LED器件、第二微LED器件和第三微LED器件均包括蓝光微LED器件，且第一微LED器件还包括设置在蓝光微LED器件出光面上的第一光转换层，第二微LED器件还包括设置在蓝光微LED器件出光面上的第二光转换层，通过第一光转换层可将蓝光微LED器件发出的蓝光转换为红光，通过第二光转换层可将蓝光微LED器件发出的蓝光转换为绿光。
由于蓝光微LED器件的成本比红光微LED器件和绿光微LED器件的成本低，因此，在发光器件层中，相对于分别设置红光微LED器件、绿光微LED器件和蓝光微LED器件来向显示面板的出光侧提供光线，通过蓝光微LED器件和光转换层的配合提供光线，可有效降低前置光源的制作成本。
需要说明的是，本发明实施例的前置光源提供的光线包括红光、绿光和蓝光，而不是白光，因此，包围发光器件24侧面的吸光结构25，在阻挡发光器件24侧面出射的光线后，除了提高显示装置的对比度之外，还可改善发光器件24侧面出射的光线对从显示面板反射后的光线造成的串扰。
在本发明实施例中，通过在驱动功能层上设置围绕每个发光器件的侧面的吸光结构，则发光器件的侧面出射的光线可被吸光结构阻挡，进而改善了发光器件侧面出射的光线直接从显示装置的出光面出射出去，而引起的对比度下降的问题，并且，当吸光结构可以阻挡发光器件的侧面出射的光线时，遮光层的覆盖面积可相应减小，进而提高了显示装置的开口率。
实施例二
参照图6，示出了本发明实施例的一种前置光源的制作方法的流程图，具体可以包括如下步骤：
步骤601，在衬底上形成遮光层。
在本发明实施例中，如图7所示，提供一衬底21，在衬底21上采用构图工艺形成遮光层22。遮光层22的材料为黑色树脂材料，则先在衬底21上遮光薄膜，采用掩膜板对遮光薄膜进行曝光，曝光后进行显影，以得到遮光层22。
步骤602，在所述遮光层上形成驱动功能层。
在本发明实施例中，在衬底21上形成遮光层22之后，在遮光层22上形成驱动功能层23。
在本发明一种可选实施方式中，当驱动功能层23不包括设置在遮光层22与第一钝化层232之间的平坦层231时，步骤602具体包括：在所述遮光层上依次形成第一钝化层、第一导电层、第二钝化层、第二导电层和第三导电层；其中，所述第二导电层通过贯穿所述第二钝化层的第一过孔与所述第一导电层连接，所述第三导电层包括第一导电结构和第二导电结构。
而当驱动功能层23还包括设置在遮光层22与第一钝化层232之间的平坦层231时，步骤602具体包括：在所述遮光层上依次形成平坦层、第一钝化层、第一导电层、第二钝化层、第二导电层和第三导电层。
下面以驱动功能层23包括平坦层231为例，说明驱动功能层23的具体形成过程。
如图8所示，在衬底21上形成遮光层22之后，先在遮光层22上形成平坦层231，平坦层231覆盖遮光层22和衬底21，然后，在平坦层231上形成第一钝化层232，第一钝化层232可采用沉积工艺形成，接着，在第一钝化层232上采用构图工艺形成第一导电层233。该构图工艺具体可以包括薄膜沉积工艺、曝光、显影和刻蚀工艺等。
如图9所示，若前置光源中所采用的发光器件24的正极引脚241的高度和负极引脚242的高度是不相同的，还需要对第一钝化层232和平坦层231进行图案化处理，以形成朝向衬底21方向凹陷的凹陷结构2321。具体的，先在第一导电层233和第一钝化层232上涂覆光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，曝光后进行显影，得到光刻胶去除区域，对光刻胶去除区域处的第一钝化层232进行刻蚀，形成贯穿第一钝化层232的开口，然后，对开口处的平坦层231进行刻蚀，形成凹陷结构2321，最后去除残留的光刻胶。
需要说明的是，若前置光源中所采用的发光器件24的正极引脚241的高度和负极引脚242的高度是相同的，则形成凹陷结构2321的步骤可省略。
如图10所示，在形成凹陷结构2321之后，先通过沉积工艺形成第二钝化层234，第二钝化层234覆盖第一导电层233和第一钝化层232，然后，对第二钝化层234进行图案化处理，形成贯穿第二钝化层234的第一过孔2341；接着，第二钝化层234上依次沉积第二导电薄膜和第三导电薄膜，在第三导电薄膜上涂覆光刻胶，曝光、显影后对第三导电薄膜采用湿法刻蚀工艺进行刻蚀，形成第三导电层236，第三导电层236包括第一导电结构2361和第二导电结构2362；然后，在第三导电层236和第二导电薄膜上涂覆光刻胶，曝光、显影后对第二导电薄膜采用湿法刻蚀工艺进行刻蚀，形成第二导电层235，第二导电层235通过贯穿第二钝化层234的第一过孔2341与第一导电层233连接。
当驱动功能层23还包括设置在第三导电层236远离衬底21一侧的第三钝化层237时，如图11所示，在形成第二导电层235和第三导电层236之后，采用沉积工艺形成覆盖第二导电层235、第三导电层236和第二钝化层234的第三钝化层237，然后，对第三钝化层237进行图案化处理，形成贯穿第三钝化层237的第二过孔2371和第三过孔2372，第二过孔2371暴露出第一导电结构2361，第三过孔2372暴露出第二导电结构2362，最终得到本发明实施例的驱动功能层23。
步骤603，在所述驱动功能层上分别形成发光器件层和吸光层。
在本发明实施例中，如图12所示，在遮光层22上形成驱动功能层23之后，先在驱动功能层23上形成吸光层，具体的是在驱动功能层23中的第三钝化层237上形成吸光层，吸光层包括多个吸光结构25，吸光结构25的材料为有机材料。
具体的，在遮光层22上形成驱动功能层23之后，先在驱动功能层23上采用涂覆工艺形成吸光薄膜，采用掩膜板对吸光薄膜进行曝光，曝光后进行显影以得到吸光层。
在驱动功能层23上形成吸光层之后，在驱动功能层23上形成发光器件层，得到如图2所示的结构，发光器件层包括多个发光器件24。
具体的，是采用巨量转移技术将发光器件24的正极引脚241插入到第二过孔2371，并将发光器件24的负极引脚242插入到第三过孔2372，以实现将发光器件24转移到驱动功能层23上，接着，采用压合工艺将发光器件24与驱动功能层23中的第三导电层236进行压合，以实现将发光器件24的正极引脚241与第一导电结构2361固定连接，并将发光器件24的负极引脚242与第二导电结构2362固定连接。
其中，发光器件层包括多个发光器件24，吸光层包括围绕每个发光器件24的侧面设置的吸光结构25，发光器件24的侧面为发光器件24中沿着垂直于衬底21方向设置的表面；吸光结构25，被配置为对发光器件24的侧面出射的光线进行阻挡。
进一步的，在步骤603之后，还包括：在所述驱动功能层上形成平整层；形成覆盖所述平整层和所述发光器件层的粘接层；在所述粘接层上形成光学调节层；其中，所述光学调节层包括与所述发光器件一一对应的光学调节结构；所述光学调节结构，被配置为对所述发光器件朝向显示面板出射的光线的出射角度进行调节。
在本发明实施例中，在驱动功能层23上分别形成发光器件层和吸光层之后，如图4所示，还可在驱动功能层23上形成平整层26，接着，采用涂覆工艺形成覆盖平整层26和发光器件层的粘接层27；最后，在粘接层27上形成光学调节层，光学调节层包括与发光器件24一一对应的光学调节结构28。
具体的，光学调节结构28的材料为有机材料，如树脂型光刻胶，在形成粘接层27之后，在粘接层27上采用涂覆工艺形成光学调节薄膜，采用掩膜板对光学调节薄膜进行曝光，曝光后进行显影以得到光学调节层。
在本发明实施例中，通过在驱动功能层上设置围绕每个发光器件的侧面的吸光结构，则发光器件的侧面出射的光线可被吸光结构阻挡，进而改善了发光器件侧面出射的光线直接从显示装置的出光面出射出去，而引起的对比度下降的问题，并且，当吸光结构可以阻挡发光器件的侧面出射的光线时，遮光层的覆盖面积可相应减小，进而提高了显示装置的开口率。
实施例三
参照图13，示出了本发明实施例的显示装置的结构示意图。
本发明实施例提供了一种显示装置，包括显示面板以及上述的前置光源；前置光源设置在显示面板的出光侧，且前置光源中的发光器件24的发光面朝向显示面板的出光侧；其中，显示面板包括阵列基板30，阵列基板30包括反射层33，反射层33包括多个漫反射结构330。
具体的，显示面板包括相对设置的阵列基板30和对盒基板40，以及设置在阵列基板30和对盒基板40之间的液晶层50。显示面板的出光侧为对盒基板40远离阵列基板30的一侧，即前置光源设置在对盒基板40远离阵列基板30的一侧。
在显示时，前置光源中的发光器件24发出的光线向阵列基板30侧照射，光线被阵列基板30中的反射层33反射后经过对盒基板40，进而向显示面板的出光侧出射，反射光线从显示面板的出光侧出射之后，会进入前置光源，并从前置光源中的遮光层22的开口区域出射出去，以实现显示面板的显示，显示装置的出光侧也就是前置光源远离显示面板的一侧。
阵列基板30包括基板31以及设置在基板31上的驱动电路32，驱动电路32包括设置在基板31上的有源层321、覆盖有源层321和基板31的栅绝缘层322、设置在栅绝缘层322上的栅极层、覆盖栅极层和栅绝缘层322的层间介质层325，以及设置在层间介质层325上的源漏电极层。
其中，栅极层包括沿阵列基板30的行方向分布的栅线、栅极323和第一极板324，栅线、栅极323和第一极板324同层设置，且栅线与栅极323连接；源漏电极层包括沿阵列基板30的列方向分布的数据线、源极326、漏极327和第二极板328，数据线、源极326、漏极327和第二极板328同层设置，且数据线与源极326连接，源极326通过贯穿层间介质层325和栅绝缘层322的第四过孔与有源层321连接，漏极327通过贯穿层间介质层325和栅绝缘层322的第五过孔与有源层321连接。第一极板324和第二极板328相对设置，共同构成存储电容，存储电容用于保持数据线通过驱动晶体管向像素电极输入的充电电压，以确保像素电极在显示器件保持其电场。
此外，阵列基板30还包括覆盖源漏电极层和层间介质层325的反射层33，反射层33包括覆盖源漏电极层和层间介质层325的第一反射子层331，以及设置在第一反射子层331上的第二反射子层332，第一反射子层331具有贯穿的第六过孔，第二反射子层332通过第六过孔与漏极327连接。
其中，第一反射子层331的材料为有机材料，如树脂等，第二反射子层332的材料为反射金属材料，如银等材料。第一反射子层331远离基板31一侧的表面包括多个第一弧面，该第一弧面向远离基板31的方向凸起，第二反射子层332与第一反射子层331相接触的表面与第一反射子层331远离基板31一侧的表面相匹配，而第二反射子层332远离基板31一侧的表面也包括多个第二弧面，该第二弧面向远离基板31的方向凸起，第二弧面也就是反射层33的反射面。
具体的，通过曝光、显影和高温回流工艺可将第一反射子层331远离基板31一侧的表面制作成多个第一弧面，在第一反射子层331上沉积第二反射子层332后，第二反射子层332远离基板31一侧的表面也就形成了多个第二弧面。因此，通过设置第一反射子层331，无需采用较为复杂的半色调掩膜工艺，即可形成包括多个漫反射结构330的反射层33，漫反射结构330实际上指的是第一弧面和第二弧面对应位置处的第一反射子层331和第二反射子层332。
反射层33包括多个漫反射结构330，漫反射结构330远离基板31一侧的表面也就是反射面，该反射面为第二弧面，通过设置漫反射结构330，能够使得不同入射角度的入射光入射反射层33的反射面时的反射光强度分布曲线接近余弦函数，即使得不同入射角度的入射光入射至反射层33的反射面时的反射光强度分布曲线呈正态分布，与朗伯体反射曲线基本一致，从而使该漫反射结构330能够形成类朗伯体反射结构，朗伯体反射结构能实现不管入射光来自何方，沿各方向漫射光的发光强度总与入射角的余弦函数成正比，从而使来自任意方向的光亮度相同，进而不仅能提高采用阵列基板30的显示面板的亮度均一性和对比度，而且任意方向的入射光，经过该反射面之后都能形成沿垂直于弧面上各点切线所在平面的方向的漫反射光，从而能提高采用该阵列基板30的显示面板的视角范围，进而提升采用该阵列基板30的显示面板的显示效果。
进一步的，每个发光器件24至少对应20×20个呈矩阵排布的漫反射结构330，通过合理控制每个发光器件24与对应的漫反射结构330的数量比，进一步降低显示装置中的各个像素之间由于反射光相互干扰造成的串扰。
经实验发现，当一个像素至少对应10×10个呈矩阵排布的漫反射结构330时，经漫反射结构330反射后的各个角度的光线的光亮度均相同，而每个发光器件24均对应4个像素，因此，每个发光器件24至少对应20×20个呈矩阵排布的漫反射结构330。
如图13所示，阵列基板30还包括覆盖第二反射子层332的平坦化层34，以及设置在平坦化层34上的像素电极35，像素电极35通过贯穿平坦化层34的第七过孔与第二反射子层332连接。
在实际制作过程中，在制作得到如图13所示的显示面板之后，可通过光学胶将前置光源和显示面板进行粘接，并固定在一起，形成显示装置。
本发明实施例中的前置光源为直下式前置光源，显示面板为反射式显示面板，关于前置光源的具体描述可以参照实施例一和实施例二的描述，本发明实施例对此不再赘述。
在实际应用中，显示装置可以为：手机、平板电脑、显示器、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例中，通过在驱动功能层上设置围绕每个发光器件的侧面的吸光结构，则发光器件的侧面出射的光线可被吸光结构阻挡，进而改善了发光器件侧面出射的光线直接从显示装置的出光面出射出去，而引起的对比度下降的问题，并且，当吸光结构可以阻挡发光器件的侧面出射的光线时，遮光层的覆盖面积可相应减小，进而提高了显示装置的开口率。
对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种前置光源及其制作方法、显示装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (16)

1.一种前置光源，其特征在于，包括：衬底、设置在所述衬底上的遮光层以及设置在所述遮光层上的驱动功能层；
所述前置光源还包括设置在所述驱动功能层上的发光器件层和吸光层；所述发光器件层包括多个发光器件，所述吸光层包括围绕每个所述发光器件的侧面设置的吸光结构，所述发光器件的侧面为所述发光器件中沿着垂直于所述衬底方向设置的表面；
其中，所述吸光结构，被配置为对所述发光器件的侧面出射的光线进行阻挡。
2.根据权利要求1所述的前置光源，其特征在于，所述驱动功能层包括依次设置在所述遮光层上的第一钝化层、第一导电层、第二钝化层、第二导电层和第三导电层；
其中，所述第二导电层通过贯穿所述第二钝化层的第一过孔与所述第一导电层连接，所述第三导电层包括第一导电结构和第二导电结构。
3.根据权利要求2所述的前置光源，其特征在于，所述发光器件包括正极引脚和负极引脚；
所述正极引脚与所述第一导电结构连接，所述负极引脚与所述第二导电结构连接。
4.根据权利要求3所述的前置光源，其特征在于，所述驱动功能层还包括设置在所述遮光层与所述第一钝化层之间的平坦层；
在垂直于所述衬底的方向上，所述正极引脚的高度和所述负极引脚的高度相同，所述正极引脚和所述负极引脚对应位置处的所述平坦层的厚度相同，且所述正极引脚和所述负极引脚对应位置处的所述第一钝化层的厚度也相同；
或者，在垂直于所述衬底的方向上，所述正极引脚的高度和所述负极引脚的高度不相同，所述正极引脚和所述负极引脚中的高度最大的引脚对应的位置处，所述平坦层和所述第一钝化层具有朝向所述衬底方向凹陷的凹陷结构。
5.根据权利要求2所述的前置光源，其特征在于，所述第一导电层在所述衬底上的正投影、所述第二导电层在所述衬底上的正投影以及所述发光器件在所述衬底上的正投影，均位于所述遮光层在所述衬底上的正投影之内。
6.根据权利要求1所述的前置光源，其特征在于，所述吸光结构远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的距离，小于或等于所述发光器件远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的距离。
7.根据权利要求1所述的前置光源，其特征在于，所述前置光源还包括设置在所述驱动功能层上的平整层，以及覆盖所述平整层和所述发光器件层的粘接层；
所述前置光源还包括设置在所述粘接层上的光学调节层，所述光学调节层包括与所述发光器件一一对应的光学调节结构；
其中，所述光学调节结构，被配置为对所述发光器件朝向显示面板出射的光线的出射角度进行调节。
8.根据权利要求7所述的前置光源，其特征在于，所述光学调节结构的折射率大于所述粘接层的折射率。
9.根据权利要求7所述的前置光源，其特征在于，所述光学调节结构在所述衬底上的正投影覆盖所述发光器件在所述衬底上的正投影。
10.根据权利要求7所述的前置光源，其特征在于，所述光学调节结构在远离所述衬底一侧的表面为弧面，所述弧面向远离所述衬底的方向凸起。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的前置光源，其特征在于，所述发光器件层包括的多个所述发光器件被划分为第一微LED器件、第二微LED器件和第三微LED器件；
其中，所述第一微LED器件为红光微LED器件，所述第二微LED器件为绿光微LED器件，所述第三微LED器件为蓝光微LED器件；
或者，所述第一微LED器件包括蓝光微LED器件和设置在所述蓝光微LED器件出光面上的第一光转换层，所述第二微LED器件包括所述蓝光微LED器件和设置在所述蓝光微LED器件出光面上的第二光转换层，所述第三微LED器件包括所述蓝光微LED器件，且所述第一光转换层和所述第二光转换层所采用的荧光材料不同。
12.一种前置光源的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成遮光层；
在所述遮光层上形成驱动功能层；
在所述驱动功能层上分别形成发光器件层和吸光层；
其中，所述发光器件层包括多个发光器件，所述吸光层包括围绕每个所述发光器件的侧面设置的吸光结构，所述发光器件的侧面为所述发光器件中沿着垂直于所述衬底方向设置的表面；所述吸光结构，被配置为对所述发光器件的侧面出射的光线进行阻挡。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述遮光层上形成驱动功能层的步骤，包括：
在所述遮光层上依次形成第一钝化层、第一导电层、第二钝化层、第二导电层和第三导电层；
其中，所述第二导电层通过贯穿所述第二钝化层的第一过孔与所述第一导电层连接，所述第三导电层包括第一导电结构和第二导电结构。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述驱动功能层上分别形成发光器件层和吸光层的步骤之后，还包括：
在所述驱动功能层上形成平整层；
形成覆盖所述平整层和所述发光器件层的粘接层；
在所述粘接层上形成光学调节层；
其中，所述光学调节层包括与所述发光器件一一对应的光学调节结构；所述光学调节结构，被配置为对所述发光器件朝向显示面板出射的光线的出射角度进行调节。
15.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板以及如权利要求1至11中任一项所述的前置光源；所述前置光源设置在所述显示面板的出光侧，且所述前置光源中的发光器件的发光面朝向所述显示面板的出光侧；
其中，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括反射层，所述反射层包括多个漫反射结构。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，每个所述发光器件至少对应20×20个呈矩阵排布的所述漫反射结构。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115188752A (zh) * 2022-06-30 2022-10-14 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板、显示装置及控制方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000075293A (ja) * 1998-09-02 2000-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置、照明付きタッチパネル及び反射型液晶表示装置
JP2007041536A (ja) * 2005-05-20 2007-02-15 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 表示装置及び液晶表示装置
CN104808391A (zh) * 2015-05-26 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 一体化前置光源及其制作方法、反射式显示装置
CN105870134A (zh) * 2016-05-06 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 单侧发光光源及其制作方法、显示装置
CN106907620A (zh) * 2017-04-17 2017-06-30 京东方科技集团股份有限公司 前置光源和包括该前置光源的显示装置
CN107101176A (zh) * 2017-04-19 2017-08-29 厦门天马微电子有限公司 液晶显示装置、侧光式背光模组及其光源

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101610885B1 (ko) * 2007-01-17 2016-04-08 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 프린팅­기반 어셈블리에 의해 제조되는 광학 시스템
KR102521100B1 (ko) * 2018-01-08 2023-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000075293A (ja) * 1998-09-02 2000-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置、照明付きタッチパネル及び反射型液晶表示装置
JP2007041536A (ja) * 2005-05-20 2007-02-15 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 表示装置及び液晶表示装置
CN104808391A (zh) * 2015-05-26 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 一体化前置光源及其制作方法、反射式显示装置
CN105870134A (zh) * 2016-05-06 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 单侧发光光源及其制作方法、显示装置
CN106907620A (zh) * 2017-04-17 2017-06-30 京东方科技集团股份有限公司 前置光源和包括该前置光源的显示装置
CN107101176A (zh) * 2017-04-19 2017-08-29 厦门天马微电子有限公司 液晶显示装置、侧光式背光模组及其光源

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