JPH10199677A - Ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH10199677A JPH10199677A JP9005814A JP581497A JPH10199677A JP H10199677 A JPH10199677 A JP H10199677A JP 9005814 A JP9005814 A JP 9005814A JP 581497 A JP581497 A JP 581497A JP H10199677 A JPH10199677 A JP H10199677A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＬ素子におけるガラス基板の表面に制御性
よく滑らかな凹凸を形成する。 【解決手段】 ガラス基板１上に形成されたフォトレジ
スト２の表面に凹凸を形成し、このフォトレジスト２の
表面に形成された凹凸を、イオンミリングによってガラ
ス基板１の表面に転写して、ガラス基板１の表面に滑ら
かな凹凸を形成する。この凹凸が形成されたガラス基板
１の表面に、下部電極層、下部絶縁層、発光層、上部絶
縁層、上部電極層を積層形成して、ＥＬ素子を得る。
よく滑らかな凹凸を形成する。 【解決手段】 ガラス基板１上に形成されたフォトレジ
スト２の表面に凹凸を形成し、このフォトレジスト２の
表面に形成された凹凸を、イオンミリングによってガラ
ス基板１の表面に転写して、ガラス基板１の表面に滑ら
かな凹凸を形成する。この凹凸が形成されたガラス基板
１の表面に、下部電極層、下部絶縁層、発光層、上部絶
縁層、上部電極層を積層形成して、ＥＬ素子を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）素子を製造する方法に関する。
ルミネッセンス）素子を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ＥＬ素子においては、ガラス基板の
一主面上に下部電極、下部絶縁層、発光層、上部絶縁
層、上部電極が順に積層形成されている。ここで、一般
に発光層の屈折率はその両面に接する下部絶縁層および
上部絶縁層の屈折率よりも大きいため、発光層の界面で
全反射が生じる。この全反射により、発光層からの光の
うちかなりの割合が発光層内部に閉じこめられて外部に
取り出されず、これがＥＬ素子の発光輝度を低下させる
要因になっている。
一主面上に下部電極、下部絶縁層、発光層、上部絶縁
層、上部電極が順に積層形成されている。ここで、一般
に発光層の屈折率はその両面に接する下部絶縁層および
上部絶縁層の屈折率よりも大きいため、発光層の界面で
全反射が生じる。この全反射により、発光層からの光の
うちかなりの割合が発光層内部に閉じこめられて外部に
取り出されず、これがＥＬ素子の発光輝度を低下させる
要因になっている。
【０００３】この問題を解決するため、米国特許第４，
７７４，４３５号明細書には、ガラス基板表面に凹凸を
形成し、その山部と谷部の曲率半径を発光層の薄膜の５
倍以下に設定することにより、発光層と絶縁層の界面で
の全反射を防ぐようにしたものが開示されている。
７７４，４３５号明細書には、ガラス基板表面に凹凸を
形成し、その山部と谷部の曲率半径を発光層の薄膜の５
倍以下に設定することにより、発光層と絶縁層の界面で
の全反射を防ぐようにしたものが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のものに
おいては、ガラス基板の表面上に凹凸を形成する方法と
して、化学的エッチング、機械研磨、型加工及びそれら
の組み合わせを提案している。しかしながら、代表的な
化学的エッチングであるフッ酸を用いるものでは、ガラ
ス表面の凹凸の形状の制御は困難である。また、機械研
磨では研磨表面が荒れるために成膜時の段切れの原因と
なる恐れがある。また、型加工を用いるものでは所望の
微細な凹凸を備えた型を製作するのは一般的な方法では
困難である。
おいては、ガラス基板の表面上に凹凸を形成する方法と
して、化学的エッチング、機械研磨、型加工及びそれら
の組み合わせを提案している。しかしながら、代表的な
化学的エッチングであるフッ酸を用いるものでは、ガラ
ス表面の凹凸の形状の制御は困難である。また、機械研
磨では研磨表面が荒れるために成膜時の段切れの原因と
なる恐れがある。また、型加工を用いるものでは所望の
微細な凹凸を備えた型を製作するのは一般的な方法では
困難である。
【０００５】本発明は上記問題に鑑みたもので、ガラス
基板の表面に制御性よく滑らかな凹凸を形成することを
目的とする。
基板の表面に制御性よく滑らかな凹凸を形成することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、表面にフォトレ
ジスト（２）が形成されたガラス基板（１）を用意し、
フォトレジスト（２）の表面に凹凸を形成し、このフォ
トレジスト（２）の表面に形成された凹凸をガラス基板
（１）の表面に転写してガラス基板（１）の表面に凹凸
を形成し、この凹凸が形成されたガラス基板（１）の表
面に、発光層（５）を挟んで絶縁層（４、６）および電
極層（３、７）を積層形成することを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明においては、表面にフォトレ
ジスト（２）が形成されたガラス基板（１）を用意し、
フォトレジスト（２）の表面に凹凸を形成し、このフォ
トレジスト（２）の表面に形成された凹凸をガラス基板
（１）の表面に転写してガラス基板（１）の表面に凹凸
を形成し、この凹凸が形成されたガラス基板（１）の表
面に、発光層（５）を挟んで絶縁層（４、６）および電
極層（３、７）を積層形成することを特徴としている。
【０００７】このようにフォトレジストを用いることに
より、ガラス基板上に制御性よく滑らかな凹凸を形成す
ることができる。また、請求項３に記載の発明において
は、表面にフォトレジスト（３１）が形成された型材
（３２）を用意し、フォトレジスト（３１）の表面に凹
凸を形成し、このフォトレジスト（３１）の表面に形成
された凹凸を型材（３２）の表面に転写して型材（３
２）の表面に凹凸を形成し、この凹凸が形成された型材
（３２）を用いてガラス基板（１）の表面に凹凸を形成
し、この凹凸が形成されたガラス基板（１）の表面に、
発光層（５）を挟んで絶縁層（４、６）および電極層
（３、７）を積層形成することを特徴としている。
より、ガラス基板上に制御性よく滑らかな凹凸を形成す
ることができる。また、請求項３に記載の発明において
は、表面にフォトレジスト（３１）が形成された型材
（３２）を用意し、フォトレジスト（３１）の表面に凹
凸を形成し、このフォトレジスト（３１）の表面に形成
された凹凸を型材（３２）の表面に転写して型材（３
２）の表面に凹凸を形成し、この凹凸が形成された型材
（３２）を用いてガラス基板（１）の表面に凹凸を形成
し、この凹凸が形成されたガラス基板（１）の表面に、
発光層（５）を挟んで絶縁層（４、６）および電極層
（３、７）を積層形成することを特徴としている。
【０００８】この発明においても、フォトレジストを用
いて型材の表面に制御性よく滑らかな凹凸を形成し、こ
の型材を用いることによってガラス基板上に滑らかな凹
凸を形成することができる。上記したガラス基板（１）
あるいは型材（３２）への転写は、請求項２、４に記載
の発明のように、イオンミリング、反応性化学エッチン
グ等の異方性エッチングを用いて行うことができる。
いて型材の表面に制御性よく滑らかな凹凸を形成し、こ
の型材を用いることによってガラス基板上に滑らかな凹
凸を形成することができる。上記したガラス基板（１）
あるいは型材（３２）への転写は、請求項２、４に記載
の発明のように、イオンミリング、反応性化学エッチン
グ等の異方性エッチングを用いて行うことができる。
【０００９】また、フォトレジスト（２、３１）の表面
に凹凸を形成する場合、請求項５に記載の発明のよう
に、フォトレジスト（２、３１）の表面に二光束の干渉
光を照射し、露光することによって行うことができる。
また、請求項６に記載の発明のように、フォトレジスト
（２、３１）の表面にスペックルパターン状の凹凸を形
成することによっても行うことができる。
に凹凸を形成する場合、請求項５に記載の発明のよう
に、フォトレジスト（２、３１）の表面に二光束の干渉
光を照射し、露光することによって行うことができる。
また、請求項６に記載の発明のように、フォトレジスト
（２、３１）の表面にスペックルパターン状の凹凸を形
成することによっても行うことができる。
【００１０】このように干渉光を用いることによって、
干渉光の強度分布に従って、適当時間露光、現像するこ
とでフォトレジスト（２、３１）に所望のピッチと深さ
を備えた凹凸形状を形成することができる。
干渉光の強度分布に従って、適当時間露光、現像するこ
とでフォトレジスト（２、３１）に所望のピッチと深さ
を備えた凹凸形状を形成することができる。
【００１１】
（第１実施形態）この第１実施形態においては、ＥＬ素
子におけるガラス基板の表面上に、二光束による干渉露
光とイオンミリングによって、滑らかな凹凸を形成する
ようにしている。
子におけるガラス基板の表面上に、二光束による干渉露
光とイオンミリングによって、滑らかな凹凸を形成する
ようにしている。
【００１２】以下、本実施形態について具体的に説明す
る。まず、図１に示すように、ガラス基板１上にフォト
レジスト２を１．０μｍ程度スピンコートする。そし
て、Ａｒレーザー１１（出力１．０Ｗ、波長４８８ｎ
ｍ）を、ハーフミラー１２、１３を用いて二光束に分
け、それぞれをスペイシャルフィルター１４、１５とコ
リメータレンズ１６、１７を通して交差角度２８°で交
差させ、干渉光をフォトレジスト２の表面に照射する。
この場合、干渉光による干渉縞のピッチは、１．０μｍ
となる。干渉縞のピッチｄは、レーザー波長λ、交差角
度２θ、光の伝搬空間の屈折率ｎによって決定され、ｄ
＝λ／（２ｎｓｉｎθ）である。
る。まず、図１に示すように、ガラス基板１上にフォト
レジスト２を１．０μｍ程度スピンコートする。そし
て、Ａｒレーザー１１（出力１．０Ｗ、波長４８８ｎ
ｍ）を、ハーフミラー１２、１３を用いて二光束に分
け、それぞれをスペイシャルフィルター１４、１５とコ
リメータレンズ１６、１７を通して交差角度２８°で交
差させ、干渉光をフォトレジスト２の表面に照射する。
この場合、干渉光による干渉縞のピッチは、１．０μｍ
となる。干渉縞のピッチｄは、レーザー波長λ、交差角
度２θ、光の伝搬空間の屈折率ｎによって決定され、ｄ
＝λ／（２ｎｓｉｎθ）である。
【００１３】また、フォトレジスト２として東京応化製
ＯＦＰＲ−８００を用いた場合、上述した二光束の強度
がそれぞれ５０ｍＷ／ｃｍ2 のとき、６０秒程度の露光
と現像で、図２（ａ）に示すように、フォトレジスト２
に深さ約１．０μｍの凹凸が形成される。この後、Ａｒ
イオンで基板に対し垂直にイオンミリングを施すと、フ
ォトレジスト２の凹凸がガラス基板１にエッチバックさ
れ、図２（ｂ）に示すように、ガラス基板１の表面にピ
ッチ１．０（μｍ）、深さ１．０（μｍ）の滑らかな凹
凸が形成される。
ＯＦＰＲ−８００を用いた場合、上述した二光束の強度
がそれぞれ５０ｍＷ／ｃｍ2 のとき、６０秒程度の露光
と現像で、図２（ａ）に示すように、フォトレジスト２
に深さ約１．０μｍの凹凸が形成される。この後、Ａｒ
イオンで基板に対し垂直にイオンミリングを施すと、フ
ォトレジスト２の凹凸がガラス基板１にエッチバックさ
れ、図２（ｂ）に示すように、ガラス基板１の表面にピ
ッチ１．０（μｍ）、深さ１．０（μｍ）の滑らかな凹
凸が形成される。
【００１４】そして、ガラス基板１の凹凸が形成された
表面上に、図３に示すように、下部電極３、下部絶縁層
４、発光層５、上部絶縁層６、上部電極７を順次積層形
成する。具体的には、各膜は以下のようにして形成され
る。ガラス基板１の凹凸が形成された表面上にＩＴＯを
アルゴン（Ａｒ）及び酸素（Ｏ2 ）の混合ガス雰囲気中
で高周波スパッタして厚さ２０００Åの透明な下部電極
３を形成し、続いて、五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）を
ターゲツトとして、アルゴン及び酸素の混合ガス雰囲気
中で高周波スパッタして下部電極３上に厚さ４０００Å
の下部絶縁層４を形成する。
表面上に、図３に示すように、下部電極３、下部絶縁層
４、発光層５、上部絶縁層６、上部電極７を順次積層形
成する。具体的には、各膜は以下のようにして形成され
る。ガラス基板１の凹凸が形成された表面上にＩＴＯを
アルゴン（Ａｒ）及び酸素（Ｏ2 ）の混合ガス雰囲気中
で高周波スパッタして厚さ２０００Åの透明な下部電極
３を形成し、続いて、五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）を
ターゲツトとして、アルゴン及び酸素の混合ガス雰囲気
中で高周波スパッタして下部電極３上に厚さ４０００Å
の下部絶縁層４を形成する。
【００１５】次に、下部絶縁層４上に硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）
を添加した硫化亜鉛：マンガン（ＺｎＳ：Ｍｎ）発光層
５を蒸着により形成する。具体的には、ガラス基板１の
温度を１２０℃に保持し、蒸着装置内を５×１０-4Ｐａ
以下に維持し、電子ビーム蒸着を行って、厚さ６０００
Åの発光層５を形成する。
Ｓ）を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）
を添加した硫化亜鉛：マンガン（ＺｎＳ：Ｍｎ）発光層
５を蒸着により形成する。具体的には、ガラス基板１の
温度を１２０℃に保持し、蒸着装置内を５×１０-4Ｐａ
以下に維持し、電子ビーム蒸着を行って、厚さ６０００
Åの発光層５を形成する。
【００１６】次に、発光層５上に五酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5 ）から成る上部絶縁層６を下部絶縁層４と同一の
方法で形成し、この下部絶縁層４上に厚さ５０００Åの
厚さの上部電極７を蒸着により形成する。蒸着材料とし
ては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2
Ｏ3 ）を加えて混合し、ペレット状に成形したものを用
い、成膜装置としてはイオンプレーティング装置を用い
る。具体的には、ガラス基板１の温度を１５０℃に保持
したままイオンプレーティング装置内を５×１０-3Ｐａ
まで排気し、その後、アルゴンガスを導入して６．５×
１０-1Ｐａに保ち、成膜速度が１．０〜３．０Å／ｓｅ
ｃの範囲となるようビーム電力及び高周波電力を調整す
る。
2 Ｏ5 ）から成る上部絶縁層６を下部絶縁層４と同一の
方法で形成し、この下部絶縁層４上に厚さ５０００Åの
厚さの上部電極７を蒸着により形成する。蒸着材料とし
ては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2
Ｏ3 ）を加えて混合し、ペレット状に成形したものを用
い、成膜装置としてはイオンプレーティング装置を用い
る。具体的には、ガラス基板１の温度を１５０℃に保持
したままイオンプレーティング装置内を５×１０-3Ｐａ
まで排気し、その後、アルゴンガスを導入して６．５×
１０-1Ｐａに保ち、成膜速度が１．０〜３．０Å／ｓｅ
ｃの範囲となるようビーム電力及び高周波電力を調整す
る。
【００１７】このようにして、凹凸が形成されたガラス
基板１の表面上に、下部電極３、下部絶縁層４、発光層
５、上部絶縁層６、上部電極７が形成されたＥＬ素子を
得ることができる。そして、このＥＬ素子においては、
図４に示すように、臨界角以上の角度で発光層５と絶縁
層４、６の界面に入射する光が、界面で全反射を数回繰
り返し、凹凸の先端の部分で、光の入射角度が臨界角以
下になって発光層５から外部に取り出される。従って、
光の取り出し効率を向上させることができる。 （第２実施形態）ＥＬ素子におけるガラス基板１の表面
上に滑らかな凹凸を形成する第２実施形態について説明
する。
基板１の表面上に、下部電極３、下部絶縁層４、発光層
５、上部絶縁層６、上部電極７が形成されたＥＬ素子を
得ることができる。そして、このＥＬ素子においては、
図４に示すように、臨界角以上の角度で発光層５と絶縁
層４、６の界面に入射する光が、界面で全反射を数回繰
り返し、凹凸の先端の部分で、光の入射角度が臨界角以
下になって発光層５から外部に取り出される。従って、
光の取り出し効率を向上させることができる。 （第２実施形態）ＥＬ素子におけるガラス基板１の表面
上に滑らかな凹凸を形成する第２実施形態について説明
する。
【００１８】図５（ａ）に示すように、すりガラス２１
の裏面から波長４８８ｎｍのＡｒレーザー光をφ１００
ｍｍに拡大して入射させると、ランダムな光の干渉によ
ってスペックルパターンが生じる。これを２００ｍｍ先
に置いた写真乾板２２に写すと、平均ピッチ１．０μｍ
のスペックルパターン状の透過率をもったフォトマスク
が構成される。なお、スペックルパターンの平均ピッチ
Δは、レーザー照射幅Ｍ、レーザー波長λ、すりガラス
と写真乾板の距離ｚによって決定され、Δ＝λｚ／Ｍで
ある。
の裏面から波長４８８ｎｍのＡｒレーザー光をφ１００
ｍｍに拡大して入射させると、ランダムな光の干渉によ
ってスペックルパターンが生じる。これを２００ｍｍ先
に置いた写真乾板２２に写すと、平均ピッチ１．０μｍ
のスペックルパターン状の透過率をもったフォトマスク
が構成される。なお、スペックルパターンの平均ピッチ
Δは、レーザー照射幅Ｍ、レーザー波長λ、すりガラス
と写真乾板の距離ｚによって決定され、Δ＝λｚ／Ｍで
ある。
【００１９】そして、図５（ｂ）に示すように、写真乾
板２２を介して、ガラス基板１上に形成されたフォトレ
ジスト２を露光、現像すると、図５（ｃ）に示すよう
に、ランダムな凹凸がフォトレジスト２上に形成され
る。この後、フォトレジスト２上に形成された凹凸を、
第１実施形態と同様にイオンミリングにより、ガラス基
板１上に転写すると、図５（ｄ）に示すように、滑らか
な凹凸をもったガラス基板１が得られる。
板２２を介して、ガラス基板１上に形成されたフォトレ
ジスト２を露光、現像すると、図５（ｃ）に示すよう
に、ランダムな凹凸がフォトレジスト２上に形成され
る。この後、フォトレジスト２上に形成された凹凸を、
第１実施形態と同様にイオンミリングにより、ガラス基
板１上に転写すると、図５（ｄ）に示すように、滑らか
な凹凸をもったガラス基板１が得られる。
【００２０】なお、写真乾板２２によるフォトマスクを
用いずに、直接、フォトレジスト２をスペックルパター
ン様に露光することもできる。 （第３実施形態）ＥＬ素子におけるガラス基板１の表面
上に滑らかな凹凸を形成する第３実施形態について説明
する。
用いずに、直接、フォトレジスト２をスペックルパター
ン様に露光することもできる。 （第３実施形態）ＥＬ素子におけるガラス基板１の表面
上に滑らかな凹凸を形成する第３実施形態について説明
する。
【００２１】超鋼表面にガラスと融着防止のための白金
化合物を薄膜形成した型材３２の表面にフォトレジスト
３１をスピンコートする。第１実施形態と同様に、二光
束による干渉露光によりフォトレジスト３１を露光した
後、現像を経てフォトレジスト３１の表面上に、図６
（ａ）に示すように、滑らかな凹凸形状を形成する。こ
の凹凸形状を、第１実施形態と同様にイオンミリングに
より、型材３２の表面に転写し、型材３２の表面に、図
６（ｂ）に示すように、滑らかな凹凸を形成する。この
型材３２および他の型材３３により、図６（ｃ）、
（ｄ）に示す工程を経て、ガラス基板１の表面に滑らか
な凹凸を形成する。
化合物を薄膜形成した型材３２の表面にフォトレジスト
３１をスピンコートする。第１実施形態と同様に、二光
束による干渉露光によりフォトレジスト３１を露光した
後、現像を経てフォトレジスト３１の表面上に、図６
（ａ）に示すように、滑らかな凹凸形状を形成する。こ
の凹凸形状を、第１実施形態と同様にイオンミリングに
より、型材３２の表面に転写し、型材３２の表面に、図
６（ｂ）に示すように、滑らかな凹凸を形成する。この
型材３２および他の型材３３により、図６（ｃ）、
（ｄ）に示す工程を経て、ガラス基板１の表面に滑らか
な凹凸を形成する。
【００２２】なお、フォトレジスト３１に凹凸形状を形
成する場合、第２実施形態で示したスペックルパターン
を用いて行うようにしてもよい。上述した第１乃至第３
実施形態によれば、干渉光が滑らかで連続的な強度分布
をもち、また干渉縞のピッチが簡単な光学計算によって
設定でき、さらにフォトレジスト２、３１の露光時間の
調節によってフォトレジスト２、３１の残膜率を設定で
きることを利用して、フォトレジスト２、３１に滑らか
な凹凸形状を形成することができる。すなわち、ガラス
基板１上もしくは型材３２表面に塗布したフォトレジス
ト２、３１を干渉光の強度分布にしたがって適当時間露
光、現像することでフォトレジスト２、３１に滑らかな
凹凸形状を形成することができる。続いて、イオンミリ
ングにより、フォトレジスト２の凹凸形状をガラス基板
１上に転写することにより、ガラス基板１の表面に滑ら
かな凹凸を形成することができる。また、イオンミリン
グにより、フォトレジスト３１の凹凸形状を型材３２表
面に転写し、この型材３２を用いてガラス基板１の表面
に滑らかな凹凸を形成することができる。
成する場合、第２実施形態で示したスペックルパターン
を用いて行うようにしてもよい。上述した第１乃至第３
実施形態によれば、干渉光が滑らかで連続的な強度分布
をもち、また干渉縞のピッチが簡単な光学計算によって
設定でき、さらにフォトレジスト２、３１の露光時間の
調節によってフォトレジスト２、３１の残膜率を設定で
きることを利用して、フォトレジスト２、３１に滑らか
な凹凸形状を形成することができる。すなわち、ガラス
基板１上もしくは型材３２表面に塗布したフォトレジス
ト２、３１を干渉光の強度分布にしたがって適当時間露
光、現像することでフォトレジスト２、３１に滑らかな
凹凸形状を形成することができる。続いて、イオンミリ
ングにより、フォトレジスト２の凹凸形状をガラス基板
１上に転写することにより、ガラス基板１の表面に滑ら
かな凹凸を形成することができる。また、イオンミリン
グにより、フォトレジスト３１の凹凸形状を型材３２表
面に転写し、この型材３２を用いてガラス基板１の表面
に滑らかな凹凸を形成することができる。
【００２３】なお、フォトレジスト２、３１の凹凸をガ
ラス基板１、型材３２に転写する場合、上記したイオン
ミリング以外に、反応性化学エッチング等の異方性エッ
チングを用いることもできる。
ラス基板１、型材３２に転写する場合、上記したイオン
ミリング以外に、反応性化学エッチング等の異方性エッ
チングを用いることもできる。
【図１】本発明の第１実施形態において、ガラス基板上
のフォトレジストに二光束の干渉光を照射する工程を示
す図である。
のフォトレジストに二光束の干渉光を照射する工程を示
す図である。
【図２】本発明の第１実施形態において、フォトレジス
トの表面に形成された凹凸を、イオンミリングにより、
ガラス基板の表面に転写する工程を示す図である。
トの表面に形成された凹凸を、イオンミリングにより、
ガラス基板の表面に転写する工程を示す図である。
【図３】凹凸が形成されたガラス基板上に、下部電極、
下部絶縁層、発光層、上部絶縁層、上部電極を積層形成
したものの断面構成を示す図である。
下部絶縁層、発光層、上部絶縁層、上部電極を積層形成
したものの断面構成を示す図である。
【図４】発光層からの光の取り出し経路を説明するため
の説明図である。
の説明図である。
【図５】本発明の第２実施形態において、フォトレジス
トの表面にスペックルパターン状の凹凸を形成し、それ
をガラス基板の表面に転写する工程を示す図である。
トの表面にスペックルパターン状の凹凸を形成し、それ
をガラス基板の表面に転写する工程を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態において、型材の表面に
塗布されたフォトレジストの表面に凹凸を形成し、それ
を型材の表面に転写し、この型材を用いてガラス基板の
表面に凹凸を形成する工程を示す図である。
塗布されたフォトレジストの表面に凹凸を形成し、それ
を型材の表面に転写し、この型材を用いてガラス基板の
表面に凹凸を形成する工程を示す図である。
１…ガラス基板、２…フォトレジスト、３…下部電極、
４…下部絶縁層、５…発光層、６…上部絶縁層、７…上
部電極、３１…フォトレジスト、３２…型材。
４…下部絶縁層、５…発光層、６…上部絶縁層、７…上
部電極、３１…フォトレジスト、３２…型材。
フロントページの続き (72)発明者 笹谷 卓也 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内
Claims (6)
- 【請求項１】 表面にフォトレジスト（２）が形成され
たガラス基板（１）を用意し、 前記フォトレジスト（２）の表面に凹凸を形成し、 このフォトレジスト（２）の表面に形成された凹凸を前
記ガラス基板（１）の表面に転写して前記ガラス基板
（１）の表面に凹凸を形成し、 この凹凸が形成されたガラス基板（１）の表面に、発光
層（５）を挟んで絶縁層（４、６）および電極層（３、
７）を積層形成することを特徴とするＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項２】 前記フォトレジスト（２）の表面に形成
された凹凸を、イオンミリング、反応性化学エッチング
等の異方性エッチングにより、前記ガラス基板（１）の
表面に転写することを特徴とする請求項１に記載のＥＬ
素子の製造方法。 - 【請求項３】 表面にフォトレジスト（３１）が形成さ
れた型材（３２）を用意し、 前記フォトレジスト（３１）の表面に凹凸を形成し、 このフォトレジスト（３１）の表面に形成された凹凸を
前記型材（３２）の表面に転写して前記型材（３２）の
表面に凹凸を形成し、 この凹凸が形成された型材（３２）を用いてガラス基板
（１）の表面に凹凸を形成し、 この凹凸が形成されたガラス基板（１）の表面に、発光
層（５）を挟んで絶縁層（４、６）および電極層（３、
７）を積層形成することを特徴とするＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項４】 前記フォトレジスト（３１）の表面に形
成された凹凸を、イオンミリング、反応性化学エッチン
グ等の異方性エッチングにより、前記型材（３２）の表
面に転写することを特徴とする請求項３に記載のＥＬ素
子の製造方法。 - 【請求項５】 前記フォトレジスト（２、３１）の表面
に二光束の干渉光を照射し、露光して、前記フォトレジ
スト（２、３１）の表面に凹凸を形成することを特徴と
する請求項１乃至４のいずれか１つに記載のＥＬ素子の
製造方法。 - 【請求項６】 前記フォトレジスト（２、３１）の表面
にスペックルパターン状の凹凸を形成することを特徴と
する請求項１乃至４のいずれか１つに記載のＥＬ素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9005814A JPH10199677A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9005814A JPH10199677A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199677A true JPH10199677A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11621561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9005814A Pending JPH10199677A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199677A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000040584A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| KR100437886B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2004-06-30 | 한국과학기술원 | 고발광효율 광결정 유기발광소자 |
| JP2008186815A (ja) * | 2001-03-23 | 2008-08-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 薄膜型発光体及びその製造方法 |
| WO2012090712A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 株式会社日立製作所 | 有機発光装置 |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP9005814A patent/JPH10199677A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000040584A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| JP2008186815A (ja) * | 2001-03-23 | 2008-08-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 薄膜型発光体及びその製造方法 |
| KR100437886B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2004-06-30 | 한국과학기술원 | 고발광효율 광결정 유기발광소자 |
| WO2012090712A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 株式会社日立製作所 | 有機発光装置 |
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