JP2008117735A - 光学用部品、並びに、それを用いた有機ｅｌ（エレクトロルミネッセンス）表示体 - Google Patents

光学用部品、並びに、それを用いた有機ｅｌ（エレクトロルミネッセンス）表示体 Download PDF

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Abstract

【課題】非発光部（ダークスポット）の発生および成長を抑制した有機ＥＬ表示体、並びに、それに用いる光学用部品を提供すること。
【解決手段】ガスバリア層を、濡れ指数が５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）の透明無機酸化物層とすることにより、ガスバリア層表面の水吸着性を低く抑えること。
ガスバリア層の組成を、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）とすること。
酸化珪素層に炭素を添加することにより、酸化珪素層の濡れ指数を低くすること。
【選択図】図１

Description

本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光する有機ＥＬ表示体に用いる、画面輝度向上を目的とした光学用部品、更には、有機ＥＬ表示体のダークスポット発生防止を目的としたガスバリア性を備えた光学用部品に関する。
本明細書に記載されている「ストラクチャー」とは、電子顕微鏡で輪郭の確認できる「微細凹凸」の業界用語であり、「ＥＬ」は「エレクトロルミネッセンス」の略語である。
また、本明細書では、屈折率の測定方法はＪＩＳ Ｋ７１４２に準拠し、また、配合を示す「部」は、質量基準とする。
有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物に正孔および電子を注入し再結合させて励起子を生成させ、励起子が失活する際の光の放出を利用する自発光素子である。
有機ＥＬ素子の最大の課題は、発光部の長寿命化である。
短寿命の一因として、非発光部（ダークスポット）の発生が挙げられる。
非発光部は、点灯累積時間が増加するに連れ成長し、非発光面積が増加し、発光部の発光輝度は低下する。
非発光部の直径が約２０μｍ以上に成長すると目視で確認できるようになり、有機ＥＬ素子としての寿命が尽きる事となる。
非発光部発生の主原因として、有機ＥＬ層に対する水蒸気および酸素の接触が知られている。
対策として、有機ＥＬ表示体内に捕水剤（酸化バリウム）を配設する試みが為されている。（例えば、特許文献１参照）
また、別対策として、有機ＥＬ表示体内に、厚さ０．０１〜２００μｍの酸化珪素、酸化アルミニウム、および、酸化チタンからなるバリア層を配設する試みが為されている。（例えば、特許文献２参照）
特開２００２−３３１８７号公報 国際出願ＰＣＴ／ＪＰ９６／００２３３号公報
しかし、有機ＥＬ表示体内に捕水剤（酸化バリウム）を配設する対策は、捕水剤として用いられる酸化バリウム（ＢａＯ）は劇物であるため、環境問題が生じる。
また、酸化バリウムは粉末なので封入する際に飛散するため、作業性が悪いという問題を抱えている。
また、有機ＥＬ表示体内に、厚さ０．０１〜２００μｍの酸化珪素、酸化アルミニウム、および、酸化チタンからなるバリア層を配設する対策は、酸化珪素、酸化アルミニウム、および、酸化チタンの表面が親水性であることから、そのバリア層の酸素透過率は良くても約０．１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍであり、水蒸気透過率は良くても約０．１ｇ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍであり、有機ＥＬ表示体に要求されるバリア性（酸素透過率＝１×１０−３ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ未満、水蒸気透過率＝１×１０−５ｇ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ未満）に到達していないという問題点を抱えている。
（一般に、酸素透過率および水蒸気透過率は、バリア層表面の水吸着性と、バリア層自体の酸素や水蒸気の拡散係数によって決定される）
本発明の課題は、非発光部（ダークスポット）の発生および成長を抑制した有機ＥＬ表示体、並びに、それに用いる光学用部品を提供することである。
請求項１に記載の発明は、マイクロレンズアレイ、基材、ストラクチャー層、平坦化層、第一のガスバリア層が順次積層された光学用部品であって、
前記第一のガスバリア層が５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）の濡れ指数を有する透明無機酸化物層であることを特徴とする光学用部品である。
マイクロレンズアレイの材料としては、電離放射線硬化型のウレタン樹脂、電離放射線硬化型アクリル樹脂などを用いることができる。
基材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）や不飽和ポリエステル等のポリエステル系樹脂、ポリメチルメタクリレートやメチルメタクリレート共重合体等のアクリル系樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）やジエチレングリコールビスアリルカーボネート等のポリカーボネート系樹脂、トリアセチルセルロース等のアセテート系樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体、スチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。
ストラクチャー層の材料としては、電離放射線硬化型のウレタン樹脂、電離放射線硬化型のアクリル樹脂を用いることができる。
平坦化層の材料としては、アルキルチタン酸塩を用いることができる。
アルキルチタン酸塩は、（後述の）第一のガスバリア層ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）より、屈折率が大きいので、第一のガスバリア層から平坦化層に入射する光が、平坦化層および第一のガスバリア層界面で全反射しない。
第一のガスバリア層を５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）という低い濡れ指数を有する透明無機酸化物層にすると、第一のガスバリア層は水が吸着し難く、よって、高いバリア性を有するガスバリア層となる。
請求項２に記載の発明は、前記透明無機酸化物層が、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の光学用部品である。
酸化珪素層に炭素を添加すると、酸化珪素層の濡れ指数が低くなる。
請求項３に記載の発明は、前記第一のガスバリア層上に透明電極を形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光学用部品である。
透明電極は、本発明の光学用部品を用いてなる表示体、例えば、本発明の有機ＥＬ表示体の電極として作用させる。
請求項４に記載の発明は、前記透明電極上にリン光性化合物を含有する有機ＥＬ素子が形成され、該有機ＥＬ素子上に、裏面反射電極が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体である。
リン光性化合物としては、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金錯体を用いることができる。
裏面反射電極の材料としては、Ａｌ、Ｌｉ、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｉｎや、それらを含む合金を用いることができる。
請求項５に記載の発明は、前記裏面反射電極上に、第二のガスバリア層を形成したことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体である。
第二のガスバリア層の材料としては、透明無機酸化物を用いることができる。
請求項６に記載の発明は、前記第二のガスバリア層が５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）の濡れ指数を有する透明無機酸化物層であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体である。
透明無機酸化物層の材料としては、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）を用いることができる。
請求項７に記載の発明は、前記第二のガスバリア層が、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）薄膜であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体である。
酸化珪素層に炭素を添加すると、酸化珪素層の濡れ指数が低くなる。
請求項８に記載の発明は、前記第二のガスバリア層上に、保護層を設けたことを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体である。
前記保護層の材料としては、前記第二のガスバリア層を保護できれば特に制限は無く、例えば、樹脂、または、樹脂と粘着材からなる保護フィルム等を用いることができる。
請求項１に記載の発明は、マイクロレンズアレイ、基材、ストラクチャー層、平坦化層、第一のガスバリア層が順次積層された光学用部品であって、
前記第一のガスバリア層が５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）の濡れ指数を有する透明無機酸化物層であることを特徴とする光学用部品である。
第一のガスバリア層を、濡れ指数が５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）の透明無機酸化物層とすることにより、第一のガスバリア層表面の水吸着性を低く抑え、結果、ガスバリア層の酸素透過率および水蒸気透過率を低く抑えた光学用部品を得ることができる。
請求項２に記載の発明は、前記透明無機酸化物層が、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の光学用部品である。
酸化珪素層に炭素を添加することにより、酸化珪素層の濡れ指数を低くすることができる。
透明無機酸化物層の組成は、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）が好ましい。
上記範囲より炭素量が少ない場合には、透明無機酸化物層の濡れ指数（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）が、５０ｄｙｎ／ｃｍ以上となり、透明無機酸化物層のガスバリア性が低下し、また、上記範囲より炭素量が多い場合には、透明無機酸化物層が脆くなってしまうからである。
請求項３に記載の発明は、前記第一のガスバリア層上に透明電極を形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光学用部品である。
透明電極を形成することにより、有機ＥＬ表示体の構成部品として用いることができる。
請求項４に記載の発明は、前記透明電極上にリン光性化合物を含有する有機ＥＬ素子が形成され、該有機ＥＬ素子上に、裏面反射電極が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体である。
リン光性化合物を用いることにより、従来の蛍光発光型有機ＥＬ素子の約４倍の内部量子効率を有する有機ＥＬ素子を作製することができる。
請求項５に記載の発明は、前記裏面反射電極上に、第二のガスバリア層を形成したことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体である。
裏面反射電極上に第二のガスバリア層を形成することにより、裏面反射電極にクラックやピンホール等の欠陥が生じて、その結果、裏面反射電極のガスバリア性が劣化した場合においても、第二のガスバリア層により、有機ＥＬ表示体としては高いガスバリア性を維持することができる。
請求項６に記載の発明は、前記第二のガスバリア層が５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）の濡れ指数を有する透明無機酸化物層であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体である。
第二のガスバリア層を、濡れ指数が５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）の透明無機酸化物層とすることにより、第二のガスバリア層表面の水吸着性を低く抑え、結果、ガスバリア層の酸素透過率および水蒸気透過率を低く抑えた有機ＥＬ表示体を得ることができる。
請求項７に記載の発明は、前記第二のガスバリア層が、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）薄膜であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体である。
酸化シリコン層に炭素を添加することにより、酸化シリコン層の濡れ指数を低くすることができる。
透明無機酸化物層の組成は、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）が好ましい。
上記範囲より炭素量が少ない場合には、透明無機酸化物層の濡れ指数（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）が、５０ｄｙｎ／ｃｍ以上となり、透明無機酸化物層のガスバリア性が低下し、また、上記範囲より炭素量が多い場合には、透明無機酸化物層が脆くなってしまうからである。
請求項８に記載の発明は、前記第二のガスバリア層上に、保護層を設けたことを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体である。
第二のガスバリア層上に、保護層を設けることにより、第二のガスバリア層にクラック等の欠陥が生じるのを防止し、その結果、有機ＥＬ表示体のガスバリア性を維持することができる。
以下、本発明の光学用部品の製造工程説明図（図１、図２、および、図３）を基に、本発明の光学用部品の製造方法を説明する。
まず、スタンパ用基板１００上に、フォトレジスト２００を塗布する。（図１（ａ）参照）
スタンパ用基板１００として使用することができる材料は、寸法安定性および低熱膨張性を有していれば、不透明もしくは透明のいずれであっても良く、例えば、アルミニウム、ガラス、水晶、銅、真鍮、鋼、マグネシウム、カドミウム、銀、金、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、および、ポリカーボネート、若しくは、上記材料からなる複合材料を用いることができ、光学用部品製造工程中、化学的不活性という観点から、ガラスが好ましい。
フォトレジスト２００として使用することができる材料は、電離放射線で露光することにより架橋もしくは高分子量のポリマーを形成し、かつ、溶媒への溶解性が減少する組成物であれば特に限定されないが、解像度の観点から、ナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジストが好ましい。
ナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジスト（フォトレジスト２００）とガラス板（スタンパ用基板１００）との密着性を向上させるため、ガラス板（スタンパ用基板１００）表面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）によりベーパー処理を施しても良い。
スタンパ用基板１００上へのフォトレジスト２００の塗布方法としては、ロールコート法、カーテンフローコート法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法、スピンコート法などを用いることができるが、ｎｍレベルのフォトレジスト２００薄膜の膜厚を均一にできるという観点から、スピンコート法が好ましい。
次に、活性線および光学系マスクを用いて、回折限界にてフォトレジスト２００を露光することにより、ポジ型のフォトレジスト２００を可溶化処理する。（図１（ｂ）参照）
活性線の光源としては、ＨｅＣｄレーザー、エキシマレーザー、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプ、Ｘ線、電子線等を用いることができるが、フォトレジスト２００としてナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジストを用いた場合は、解像度の観点から、ＨｅＣｄレーザーが好ましい。
露光方法としては、光学系マスクをフォトレジスト２００上に密着させた後に活性線を照射する方法の他、縮小投影露光装置またはミラー式投影露光装置等を使用する方法を用いることができるが、解像度の観点から、光学系マスクをフォトレジスト２００上に密着させた後に活性線を照射する方法が好ましい。
次に、現像液を用いて、可溶化処理したフォトレジスト２００´を除去（現像）する。（図１（ｃ）参照）
現像液としては、ケイ酸ナトリウム系、燐酸ナトリウム系あるいはこれらの緩衝液や水酸化第４アルキルアンモニウム等のアルカリ溶液を用いることができ、中でも、現像カブリが起こり難いテトラメチルアンモニウム水溶液が好ましい。
除去（現像）方法としては、スプレー法や浸漬法を用いることができるが、連続生産性
の観点からスプレー法が好ましい。
現像液には現像均一性を上げるため界面活性剤を添加しても良い。
添加する界面活性剤としては、現像阻害効果が少なく、現像液（アルカリ溶液）との相性の良いアニオン界面活性剤（例えば、Ｎ−アシルアミノ酸およびその塩、アルキルスルホカルボン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸塩、Ｎ−アシルメチルタウリン塩、アルキル硫酸塩ポリオキシアルキルエーテル硫酸塩、アルキル硫酸塩ポリオキシエチレンアルキルエーテル燐酸塩、ロジン酸石鹸、ヒマシ油硫酸エステル塩、ラウリルアルコール硫酸エステル塩、アルキルフェノール型燐酸エステル、アルキル型燐酸エステル、アルキルアリルスルホン酸塩など）を用いることができる。
上記アニオン界面活性剤の中でも、現像液との相溶性や安定性などの観点から分子量が比較的大きく浸透性が高い、アルキルスルホカルボン酸塩が好ましい。
次に、フォトレジスト２００´´上に導電化層３００を形成する。（図１（ｄ）参照）
導電化層３００の材料としては、ニッケルや銀を用いることができるが、コストの観点から、ニッケルが好ましい。
形成方法としては、無電解めっき法およびスパッタ法を用いることができるが、フォトレジスト２００´´と導電化層３００の密着性の観点から、スパッタ法が好ましい。
次に、導電化層３００を電極にして、電鋳法を用いて、導電化層３００上に金属層４００を形成する。（図１（ｅ）参照）
金属層４００の材料としては、ニッケルや銅を用いることができるが、光学用部品製造工程中の寸法安定性という観点から、ニッケルが好ましい。
次に、スタンパ用基板１００およびフォトレジスト２００´´を剥離することにより、スタンパ５００を得る。（図１（ｆ）参照）
次に、基材１の一方の面にストラクチャー前駆層２を積層する。（図２（ａ）参照）
基材１の材料としては、透明性、寸法安定性、機械的強度を有する材料であれば、特に限定されず、例えば、プラスチック板、プラスチックフィルム、ガラス板などを用いることができるが、光学用部品および有機ＥＬ表示体の小型軽量化の観点から、プラスチックフィルムが好ましい。
プラスチックフィルムの厚さは、７〜１００μｍの範囲から適宜選択することができるが、機械的強度およびコストの観点から、１１〜６５μｍが好ましい。
プラスチックフィルムの厚さが１１μｍ未満、特に、７μｍ未満の場合には、プラスチックフィルムに皺、カールが発生し易く、作業性が悪い。
ストラクチャー前駆層２の材料としては、加熱、γ線照射、紫外線照射、電子線照射などのエネルギー印加により硬化する樹脂であれば特に制限はないが、硬化による体積収縮が極めて少ないという観点から、紫外線硬化型アクリル樹脂が好ましい。
積層方法としては、溶剤を用いて（例えば）紫外線硬化型アクリル樹脂を希釈したペーストを生成し、該ペーストをダイコート法、スピンコート法、スクリーン印刷法、バーコート法、グラビアコート法、ディップコート法によって基材１上に塗工し、その後、乾燥する方法を用いることがきるが、該ペースト（高価）使用量歩留の観点から、ディップコート法が好ましい。
溶剤としては、沸点が適当である有機溶剤であれば特に限定されず、例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンを用いることができるが、例えば、紫外線硬化型アクリル樹脂を溶解する場合は、溶解性の観点から、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）が好ましい。
次に、ストラクチャー前駆層２にスタンパ５００を押圧し、ストラクチャーパターン２´を形成する。（図２（ｂ）参照）
次に、ストラクチャーパターン２´を硬化させることにより、ストラクチャー層２´´を形成する。（図２（ｃ）参照）
硬化させる方法としては、加熱する方法、および、γ線照射、紫外線照射、電子線照射などの電離放射線を照射する方法を、（ストラクチャーパターン２´構成樹脂を考慮したうえで選択し）用いることができる。
紫外線を照射する場合、カーボンアーク、メタルハライドランプ、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯などを用い、１００〜３８０ｎｍの波長領域で紫外線を照射するのが好ましいが、（１μｍ以下の微細パターンを有するストラクチャー層を短時間に安価に製造できるという観点から）、２００〜３００ｎｍの波長領域で紫外線を照射するのが更に好ましい。
電子線を照射する場合、ダイナミトロン型、直線型、コックロフトワルトン型、バンデグラフ型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、高周波型などの各種電子線加速器等を用い、１００ｎｍ以下の波長領域で電子線を照射するのが好ましいが、（１μｍ以下の微細パターンを有するストラクチャー層を短時間に安価に製造できるという観点から）、５０ｎｍ以下の波長領域で電子線を照射するのが更に好ましい。
電離放射線を照射する方法を用いる場合、スタンパ５００の逆側から電離放射線を照射する。
次に、スタンパ５００を除去する。（図２（ｄ）参照）
次に、ストラクチャー層２´´を形成した面と逆側の面に、マイクロレンズアレイ３を形成する。（図２（ｅ）参照）
マイクロレンズアレイ３の形成方法としては、ストラクチャー層２´´を形成する際に用いたスタンパ５００の表面形状をマイクロレンズアレイ形状に変えた以外は、ストラクチャー層２´´を形成する方法と同様な方法を用いることができる。
次に、ストラクチャー層２´´上に平坦化層４を形成する。（図３（ｆ）参照）
平坦化層４の材料としては、ストラクチャー層２´´上に平滑に塗膜を形成でき、透明性および絶縁性を有する材料であれば特に制限は無いが、例えば、ポリキノリン、ポリイミド、ポリオレフィン、ポリアクリレート、ポリカーボネート等のポリマーや、酸化タンタル、酸化ケイ素、フッ素添加酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化チタン等の酸化物や、アルキルチタン酸塩などの有機金属や、窒化ケイ素等の窒化物を用いることができるが、第一のガスバリア層５から平坦化層４に入射する光の、平坦化層４および第一のガスバリア層５界面での全反射を防止できるという観点から、アルキルチタン酸塩が好ましい。
平坦化層４の平坦度としては、（本発明の光学用部品を用いて有機ＥＬ表示体を作製した場合、）ストラクチャー層２´´の表面形状が有機ＥＬ発光層に反映することを抑制し、有機ＥＬ発光層の厚みムラを抑制することが可能となり、その結果、電界集中による有機ＥＬ表示体の破壊を抑制することができるという観点から、０．２〜０．０１μｍが好ましいが、（水蒸気および酸素の遮断性に優れた第１のガスバリア層５を形成するという観点から、）更に好ましくは、０．１〜０．０１μｍである。
平坦度が０．０１μｍ未満の場合は、平坦化層と第一のガスバリア層の密着力が低く、平坦化層と第一のガスバリア層が剥離することが懸念される。
平坦化層４の厚さは、２〜６μｍの範囲から選択することができるが、３〜５μｍが好ましい。
平坦化層４の厚さが、５μｍを超えると、特に、６μｍを超えると、平坦化層４の透明性が低下し、また、平坦化層４の厚さが、３μｍ未満、特に、２μｍ未満であると、平坦性が低下することが懸念される。
平坦化層４の形成方法としては特に制限はないが、例えば、平坦化層４の材料をアルキルチタン酸塩とする場合、トリメチルアミンとエタノールおよびフルオロアルキルチタンメトキシドの混合液に、エタノールと二酸化硫黄およびフルオロアルキルチタンメトキシドの混合液を加え、その後、チタンエトキシドとエタノールの混合液を加え、その後、水と塩酸およびエタノールの混合液を加えた混合溶液をストラクチャー層２´´上に塗布し、その後、大気中で１３０〜１５０℃下にて焼成する方法を用いることができる。
次に、平坦化層４上に、第一のガスバリア層５を積層する。（図３（ｇ）参照）
第一のガスバリア層５の材料としては、酸化珪素を主体とし更に、炭素元素を含有するＳｉＯｘＣｙ（１．５≦ｘ≦２．２）（０．１≦ｙ≦０．５）が好ましいが、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．２≦ｙ≦０．３）が更に好ましい。
炭素が少ない（ｙ＜０．２、特に、ｙ＜０．１）場合には、第一のガスバリア層５が、延展性、柔軟性に欠けたクラックの発生し易い層となってしまう。
また、炭素が多い（０．３＜ｙ、特に、０．５＜ｙ）場合には、第一のガスバリア層５が、水蒸気および酸素透過量の大きいガスバリア性が悪い層となってしまう。
好ましい第一のガスバリア層５の濡れ指数は、５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）であるが、４０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）が更に好ましい。
第一のガスバリア層５の濡れ指数が、４０ｄｙｎ／ｃｍ以上、特に、５０ｄｙｎ／ｃｍ以上の場合には、第一のガスバリア層５が、水蒸気および酸素透過量の大きいガスバリア性が悪い層となってしまう。（図９参照）
第一のガスバリア層５の厚さは、２０ｎｍ〜１９０ｎｍの範囲から適宜選択することができるが、機械的強度およびコストの観点から、５０〜１５０ｎｍが好ましい。
第一のガスバリア層５の厚さが、１５０ｎｍを超えると、特に、２００ｎｍを超えると、第一のガスバリア層５にクラック等が入りやすくなる。
また、第一のガスバリア層５の厚さが、５０ｎｍ未満であると、特に、２０ｎｍ未満であると、十分なガスバリア性が得られないことが懸念される。
第一のガスバリア層５の積層方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法および抵抗加熱法などの真空蒸着法や、レーザーアブレーション法等を用いることができ、中でも、生産性および品質安定性に優れたガスバリア層を形成できるという観点から、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法が好ましい。
次に、第一のガスバリア層５上に、透明電極６を形成する。（図３（ｈ）参照）
透明電極６の材料としては、有機ＥＬ素子（屈折率１．６〜１．８）よりも屈折率が大きく、第一のガスバリア層５よりも屈折率が小さい、または／或いは、同等の材料であって、透明な良導体であれば特に制限は無いが、例えば、ＺｎＯ（屈折率ｎ＝１．９０）やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）（酸化インジウムスズ）（屈折率ｎ＝２．００）を用いることができる。
透明電極６の厚さは、１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲から選択することができるが、２０〜２００ｎｍが好ましい。
透明電極６の厚さが、２００ｎｍを超えると、特に、３００ｎｍを超えると、透明電極６にクラック等が入りやすくなる。
また、透明電極６の厚さが、２０ｎｍ未満であると、特に、１０ｎｍ未満であると、透明電極６が連続皮膜と成らず（島状となり）、良好な導電性（表面抵抗が１０３Ω／□以下）を示さないことが懸念される。
透明電極６の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法などにより第一のガスバリア層５上に厚さ数百ｎｍ膜厚のＺｎＯまたはＩＴＯを付着させ、湿式エツチング法、スパッタ法などで微細パターン化する方法や、第一のガスバリア層５上にパターニング用マスクを載置してのイオンプレーティング法を用いることができるが、低い処理温度で緻密な透明電極が得られるという観点から、パターニング用マスクを載置してのイオンプレーティング法が好ましい。
次に、透明電極６上に、正孔輸送層７を積層する。（図４（ａ）参照）
正孔輸送層７の材料としては、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス−４−（−Ｎ−（ｍ−ビフェニル）−Ｎ−フェニル−４’−アミノビフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）（トリフェニルアミンの２量体）、および、ｍ−ＭＴＤＡＴＸＡ（スターバーストアミン）などを用いることができるが、イオン化ポテンシャルが高いという観点から、ｍ−ＭＴＤＡＴＸＡ（スターバーストアミン）（イオン化ポテンシャル＝５．１５）が好ましい。
正孔輸送層７の厚さとしては、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲から選択することができるが、無ピンホールおよび低コストの観点から、２０〜４０ｎｍが好ましい。
正孔輸送層７の積層方法としては、スピンコート法、ディップ法、蒸着法を用いることができるが、ｎｍレベルの正孔輸送層７薄膜を均一かつ無ピンホールとすることができるという観点から、蒸着法が好ましい。
次に、正孔輸送層７上に発光層８を形成する。（図４（ｂ）参照）
発光層８の材料としては、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金錯体や、Ａｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリラ）アルミニウム）（アルミキレート錯体）やジスチルアリーレン系化合物などを用いることができるが、内部量子効率が高いという観点から、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金錯体が好ましい。
発光層８の厚さとしては、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲から選択することができるが、２０〜４０ｎｍが好ましい。
なぜなら、発光層８の厚さが２０ｎｍ未満であると、特に１ｎｍ未満であると、耐電圧特性が低下し、有機ＥＬ素子の寿命が短くなり、４０ｎｍを超えると、特に５０ｎｍを超えると、駆動電圧が上昇してしまうからである。
発光層８の形成方法としては、例えば、発光層の材料を２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金錯体とする場合、ｍ−ＭＴＤＡＴＸＡ（スターバーストアミン）とＡＴＣＢＰとＩｒ−１２を共蒸着する方法を用いることができる。
次に、発光層８上に、正孔阻止層９を形成する。（図４（ｃ）参照）
正孔阻止層９の材料としては、バソキュプロイン（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール、バソフェナントロリン等を用いることができるが、正孔が陰極側から有機ＥＬ素子外部に流れ出難く発光効率が低下し難いという観点から、バソキュプロイン（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）が好ましい。
正孔阻止層９の厚さとしては、３ｎｍ〜５０ｎｍの範囲から選択することができるが、１０〜４０ｎｍであることが好ましい。
なぜなら、正孔阻止層９の厚さが１０ｎｍ未満であると、特に３ｎｍ未満であると、正孔阻止特性が悪く効率が低下し、４０ｎｍを超えると、特に５０ｎｍを超えると、駆動電圧が上昇してしまうからである。
正孔阻止層９の形成方法としては、例えば、正孔阻止層９の材料としてバソキュプロイン（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）を用いる場合、バソキュプロインを発光層８上に真空蒸着する方法を用いることができる。
次に、正孔阻止層９上に、電子輸送層１０を形成する。（図５（ｄ）参照）
電子輸送層１０の材料としては、電子を伝達する機能を有していれば特に限定されず、例えば、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）、α−ＮＰＤ、１，３，５−トリス［５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアオール］ベンゼン（ＴＰＯＢ）、トリス（８−ヒドロキシキノリラ）アルミニウム（Ａｌｑ３）（アルミキレート錯体）などを用いることができるが、中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧をより低くできるという観点から、トリス（８−ヒドロキシキノリラ）アルミニウム（Ａｌｑ３）が好ましい。
電子輸送層１０の厚さとしては、１ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選択することができるが、３０〜１００ｎｍが好ましい。
なぜなら、電子輸送層１０の厚さが３ｎｍ未満であると、特に、１ｎｍ未満であると短寿命であり、また、電子輸送層１０の厚さが１００ｎｍを超えると、特に、２００ｎｍを超えると駆動電圧が高くなるためである。
電子輸送層１０の形成方法としては、例えば、電子輸送層１０の材料としてトリス（８−ヒドロキシキノリラ）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いる場合、トリス（８−ヒドロキシキノリラ）アルミニウム（Ａｌｑ３）を正孔阻止層９上に真空蒸着する方法を用いることができる。
次に、電子輸送層１０上に、裏面電極バッファー層１１を形成する。（図５（ｅ）参照）
裏面電極バッファー層１１の材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物などを用いることができるが、中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧をより低くできるという観点から、フッ化リチウムが好ましい。
裏面電極バッファー層１１の厚さは、０．１〜１．０ｎｍの範囲から選択することができるが、駆動電圧を下げるという観点から、０．４〜０．６ｎｍが好ましい。
裏面電極バッファー層１１の形成方法としては、例えば、裏面電極バッファー層１１の材料としてフッ化リチウムを用いる場合、フッ化リチウムを電子輸送層１０上に真空蒸着する方法を用いることができる。
次に、裏面電極バッファー層１１上に裏面反射電極１２を形成する。（図５（ｆ）参照）
裏面反射電極１２の材料としては、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金、グラファイト薄膜等を用いることができるが、中でも、イオン化エネルギーの小さい電極を形成できるという観点から、Ａｌが好ましい。
裏面反射電極１２の厚さは、良好な電気伝導性が確保できる厚さであれば特に限定されず、５０〜３００ｎｍの範囲から選択することができるが、１００〜２００ｎｍが好ましい。
なぜなら、裏面反射電極１２の厚さが、１００ｎｍ未満であると、特に、５０ｎｍ未満であると、裏面反射電極１２が高抵抗（表面抵抗が１０３Ω／□超）となってしまうからである。
また、裏面反射電極１２の厚さの上限値には特に制限はないが、２００ｎｍを超えると、特に、３００ｎｍを超えると、生産性やコストパフォーマンスが悪くなる。
裏面反射電極１２の形成方法としては、浸漬法、キャスティング法、ブレードコート法、スプレイコート法、ロール法、インクジェット法、および、裏面電極バッファー層１１上にパターニング用マスクを載置しての真空蒸着法、スパッタリング法などを用いることができるが、裏面反射電極１２の形成と同時に真空下または減圧下において脱酸および除湿できるという観点から、裏面電極バッファー層１１上にパターニング用マスクを載置しての真空蒸着法およびスパッタリング法が好ましい。
裏面反射電極１２上に、第二のガスバリア層１３を形成する。（図６（ｇ）参照）
第二のガスバリア層１３の材料としては、酸化珪素を主体とし更に、炭素元素を含有するＳｉＯｘＣｙ（１．５≦ｘ≦２．２）（０．１≦ｙ≦０．５）が好ましいが、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．２≦ｙ≦０．３）が更に好ましい。
炭素が少ない（ｙ＜０．２、特に、ｙ＜０．１）場合には、第二のガスバリア層１３が、延展性、柔軟性に欠けたクラックの発生し易い層となってしまう。
また、炭素が多い（０．３＜ｙ、特に、０．５＜ｙ）場合には、第二のガスバリア層１３が、水蒸気および酸素透過量の大きいガスバリア性が悪い層となってしまう。
好ましい第二のガスバリア層１３の濡れ指数は、５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）であるが、４０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）が更に好ましい。
第二のガスバリア層１３の濡れ指数が、４０ｄｙｎ／ｃｍ以上、特に、５０ｄｙｎ／ｃｍ以上の場合には、第二のガスバリア層１３が、水蒸気および酸素透過量の大きいガスバリア性が悪い層となってしまう。（図９参照）
第二のガスバリア層１３の厚さは、２０ｎｍ〜１９０ｎｍの範囲から適宜選択することができるが、機械的強度およびコストの観点から、５０〜１５０ｎｍが好ましい。
第二のガスバリア層１３の厚さが、１５０ｎｍを超えると、特に、２００ｎｍを超えると、第二のガスバリア層１３にクラック等が入り易くなる。
また、第二のガスバリア層１３の厚さが、５０ｎｍ未満であると、特に、２０ｎｍ未満であると、十分なガスバリア性が得られないことが懸念される。
第二のガスバリア層１３の積層方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法および抵抗加熱法などの真空蒸着法や、レーザーアブレーション法等を用いることができ、中でも、生産性および品質安定性に優れたガスバリア層を形成できるという観点から、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法が好ましい。
最後に、第二のガスバリア層１３上に保護層１４を形成することにより、有機ＥＬ表示体を得る。（図６（ｉ）、（ｊ）参照）
保護層１４は、保護フィルム１４１および粘着層１４２で構成される。（図６（ｈ）参照）
保護フィルム１４１の材料としては、機械的強度を有するフィルムであれば特に制限は無く、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等のポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム等を用いることができるが、耐熱性の観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。
保護フィルム１４１の厚さは、１〜５０μｍの範囲から適宜選択することができるが、機械的強度およびコストの観点から、５〜４０μｍが好ましい。
粘着層１４２の材料としては、例えば、ポリビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂、ノボラック系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂などを用いることができるが、加工性の観点から、アクリル系樹脂が好ましい。
粘着層１４２の厚さは、接着力などに応じて、１〜５００μｍの範囲から適宜選択でき、加工性の観点から、５〜１００μｍが好ましい。
保護フィルム１４１上への粘着層１４２の積層方法としては、例えば、リバースコート法、グラビアコート法、ナイフコート法、ロールコート法、スプレー法、転写法を用いることができるが、塗布均一性の観点から、グラビアコート法が好ましい。
第二のガスバリア層１３上への保護層１４の積層方法としては、第二のガスバリア層１３上に粘着層１４２を重ねてロール等により貼合する方法を用いることができる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
また、下記実施例にて作製された光学用部品の第一のガスバリア層および第二のガスバリア層の濡れ指数、光学用部品の第一のガスバリア層および第二のガスバリア層の組成、光学用部品（マイクロレンズアレイ／基材／ストラクチャー層／平坦化層／第一のガスバリア層）の水蒸気透過率および酸素透過率、および、有機ＥＬ表示体（マイクロレンズアレイ／基材／ストラクチャー層／平坦化層／第一のガスバリア層／透明電極／有機ＥＬ素子／裏面反射電極／第二のガスバリア層）の水蒸気透過率および酸素透過率の評価方法は以下のとおりである。
（濡れ指数）
ＪＩＳ Ｋ ６７６８法を用いて、光学用部品の第一のガスバリア層、および、有機ＥＬ表示体の第二のガスバリア層の表面の濡れ指数を確認した。
（組成）
（ＥＳＣＡ法）
島津製作所社製、ＥＳＣＡ３２００（商品名）を用いて、Ｘ線源にはＭｇα線源を使用し、電圧５ｋＶ、電流３０ｍＡ、アナライザー透過エネルギー１０ｅＶ、光電子の取り込みは０．１ｅＶステップで１ポイントの収拾時間は１００ｍｓとした条件にて分析した。
また、膜の深さ方向の情報を得るために、熱陰極型エッチングイオン銃を用いて６０秒のエッチングを１０回行い、デプスプロファイルを得た。
分析はガスバリア層表面に対して法線上に検出器をセットした状態で行い、適正な帯電補正を行った。
ガスバリア層中の組成比は、Ｓｉ、Ｏ、Ｃのピーク面積に、各元素の感度補正係数（Ｃの１ｓを基準とし、Ｏの１ｓを２．８５、Ｓｉの２ｐを０．８７）を用いて補正を行いデプスプロファイルの平均を膜組成とした。
（水蒸気透過率）
ＪＩＳ Ｋ７１２９ Ｂ法を用いて、光学用部品のマイクロレンズアレイ側から第一のガスバリア層側への水蒸気透過率、および、有機ＥＬ表示体のマイクロレンズアレイ側から第二のガスバリア層側への水蒸気透過率を測定した。
（酸素透過率）
ＪＩＳ Ｋ７１２６ Ｂ法を用いて、光学用部品のマイクロレンズアレイ側から第一のガスバリア層側への酸素透過率、および、有機ＥＬ表示体のマイクロレンズアレイ側から第二のガスバリア層側への酸素透過率を測定した。
＜実施例１＞
（スタンパの作製）
まず、ガラス板（コーニング社製、１７３７（商品名））表面を島田理化社製の自動洗浄装置で洗浄し、その後、このガラス板をベーパーオーブン内にて、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）（東京応化工業社製、ＯＡＰ（商品名））蒸気を用いて、９０℃下において２分間ベーパー処理を行った。
次に、フォトレジスト（ポジ型フォトレジスト）（東京応化工業社製、ＯＦＰＲ−８００（商品名））を、湯浅社製のスピンコーターを用いて、前記ガラス板のベーパー処理面上に、４０００ｒｐｍ３０秒間のスピンコート条件にて、膜厚が３±１μｍの範囲になるように塗布し、その後、ＤＡＩＴＯＲＯＮ社製のクリーンオーブン内で９０℃下において５０分間プリベークした。
次に、レーザー干渉露光装置を用いて、ストラクチャー層を形成する為のパターンを有する光学系マスク（ＮＡ（開口数）０．９０）を介して、前記プリベークしたフォトレジストに、三方向より入射角度４０度にて波長４４２ｎｍのＨｅＣｄレーザーを照射することにより、露光した。
次に、０．３％のテトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、２５℃下において６０秒間現像処理を行い、その後、超純水でリンス処理を２５秒間行い、その後、乾燥した。
次に、ＤＣ平行平板型マグネトロンスパッタリング装置（Ｖａ−ｒｉａｎ社製、ＸＭ−８（商品名））内において、スパッタリングターゲットとしてＮｉターゲット、スパッタガスとして圧力０．３ＰａのＡｒガスを用いて、初期真空度５×１０−３Ｐａにて、ＲＦパワー３００Ｗの条件で、Ｎｉをスパッタすることにより、フォトレジスト上に厚さが６００ÅのＮｉ導電化層を形成した。
次に、以下の様なＮｉ鍍金液を生成した。
スルファルミ酸ニッケル・４水塩・・・５００ｇ／Ｌ
硼酸・・・・・・・・・・・・・・・・３７ｇ／Ｌ
ｐＨ・・・・・・・・・・・・・・・・３．８
次に、４０℃に保温した上記Ｎｉ鍍金液に、前記Ｎｉ導電化層を浸漬し、通電電流時間積分値３００ＡＨの条件にて鍍金を行うことにより、前記Ｎｉ導電化層上に厚さ３００μｍのニッケル鍍金膜を形成した。
最後に、ガラス板（ストラクチャー形成用スタンパ用基板）およびフォトレジストを剥離することにより、ストラクチャー形成用スタンパを得た。
同様にして、マイクロレンズアレー形成用スタンパを得た。
（光学用部品の作製）
まず、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を用いて、紫外線硬化型アクリルモノマーＲ１２８Ｈ（商品名）（日本化薬社製）を固形分４５質量％に希釈したペーストを、ディップコート法を用いて、厚さ６０μｍのメタアクリル樹脂フィルム（住友化学社製、テクノロイＳＮ１０１（商品名））の両面に、膜厚３±１μｍになるように塗布し、その後、６０℃にて予備乾燥した。
次に、前記紫外線硬化型アクリル樹脂Ｒ１２８Ｈ（商品名）（日本化薬社製）コーティング面の他方に、１ＭＰａの圧力をかけて１分間前記ストラクチャー形成用スタンパを圧接した後、メタアクリル樹脂フィルム側から７５０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで波長２５０ｎｍの紫外線を照射して前記紫外線硬化型アクリル樹脂を硬化することによりストラクチャー層を形成し、その後、ストラクチャー形成用スタンパを除去した。
次に、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を用いて、紫外線硬化型アクリルモノマーＲ１２８Ｈ（商品名）（日本化薬社製）を固形分４５質量％に希釈したペーストを、厚さ６０μｍのメタアクリル樹脂フィルム（住友化学社製、テクノロイＳＮ１０１（商品名））のストラクチャー層形成面と逆側の面上に、グラビアコーターを用いて、膜厚３±１μｍになるように塗布し、その後、６０℃にて予備乾燥した。
次に、該紫外線硬化型アクリル樹脂Ｒ１２８Ｈ（商品名）（日本化薬社製）塗布面上に、１ＭＰａの圧力をかけて１分間前記マイロレンズアレー形成用スタンパを圧接した後、前記ストラクチャー層側から７５０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで波長２５０ｎｍの紫外線を照射して前記紫外線硬化型アクリル樹脂を硬化することによりマイロレンズアレーを形成し、その後、マイロレンズアレー形成用スタンパを除去した。
次に、エタノール２００部とトリメチルアミン１部およびフルオロアルキルチタンメトキシド１０部からなる混合溶液Ａを生成した。
次に、エタノール２００部と二酸化硫黄１部およびフルオロアルキルチタンメトキシド１０部からなる混合溶液Ｂを生成した。
次に、チタンエトキシド３８０部とエタノール３８００部からなる混合溶液Ｃを生成した。
次に、水４８００部と塩酸４部およびエタノール３８０部からなる混合溶液Ｄを生成した。
次に、混合溶液Ａに混合溶液Ｂを加え、その後、混合溶液Ｃを加え、その後、混合溶液Ｄを加えることにより混合溶液Ｅを生成し、その後、グラビアコーターを用いて、混合溶液Ｅをストラクチャー層上に塗布し、その後、１４０℃下において大気中で焼成することにより、厚さ４±１μｍの平坦化層を形成した。
次に、プラズマＣＶＤ装置（アネルバ社製、平行平板型プラズマＣＶＤ装置、ＰＥＤ−４０１）内に装着し、７０℃に加熱した。
次に、ＣＶＤ装置内を、油回転ポンプおよびターボモレキュラーポンプを用いて、到達真空度３．０×１０−３Ｐａまで減圧した。
次に、プラズマＣＶＤ装置のガス導入口から、５０ｓｃｃｍのシラン（ＳｉＨ４）ガスと、５０ｓｃｃｍのメタン（ＣＨ４）ガスと、５０ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）ガスと、１００ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、プラズマＣＶＤ装置の成膜チャンバー内圧力を９．９〜１０．１Ｐａに保ち、１３．５６ＭＨｚの周波数を有する電力（投入電力３００Ｗ）を印加することにより、前記平坦化層上に膜厚が１５０ｎｍ±１０ｎｍの第１のガスバリア層を形成した。
第１のガスバリア層の組成は、ＳｉＯ１．８Ｃ０．３であった。
また、第１のガスバリア層の濡れ指数は、３５ｄｙｎ／ｃｍであった。
また、光学用部品（マイクロレンズアレイ／基材／ストラクチャー層／平坦化層／第一のガスバリア層）の水蒸気透過率は、０．０２ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍであった。
光学用部品（マイクロレンズアレイ／基材／ストラクチャー層／平坦化層／第一のガスバリア層）の酸素透過率は、０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍであった。
次に、第１のガスバリア層上にパターニング用マスクを載置して、公知のイオンプレーティング法を用いて、膜厚１５０ｎｍ±１２ｎｍのＺｎＯを積層し、透明電極を形成した。
次に、３×１０−４Ｐａ下において、ｍ−ＭＴＤＡＴＸＡを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃにて、実施例１で作製した光学用部品の透明電極（表面温度２５±１℃）上に真空蒸着することにより、膜厚５０±１１ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、３×１０−４Ｐａ下において、ＡＴＣＢＰとＩｒ−１２を、各々、蒸着速度０．３ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１３ｎｍ／ｓｅｃにて正孔輸送層（表面温度２５±１℃）上に共蒸着することにより、膜厚３０±１０ｎｍの発光層を形成した。
次に、３×１０−４Ｐａ下において、バソキュプロインを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃにて発光層（表面温度２５±１℃）上に真空蒸着することにより、膜厚１０±５ｎｍの正孔阻止層を形成した。
次に、３×１０−４Ｐａ下において、Ａｌｑ３を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃにて正孔阻止層（表面温度２５±１℃）上に真空蒸着することにより、膜厚４０±１１ｎｍの電子輸送層を形成した。
次に、３×１０−４Ｐａ下において、フッ化リチウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃにて電子輸送層（表面温度２５±１℃）上に真空蒸着することにより、膜厚１±０．５ｎｍの裏面電極バッファー層を形成した。
次に、裏面電極バッファー層上にパターニング用マスクを載置して、３×１０−４Ｐａ下において、アルミニウムを、蒸着速度１ｎｍ／ｓｅｃにて裏面電極バッファー層（表面温度２５±１℃）上に真空蒸着することにより、膜厚１１０±１０ｎｍの裏面反射電極層を形成した。
次に、プラズマＣＶＤ装置（アネルバ社製、平行平板型プラズマＣＶＤ装置、ＰＥＤ−４０１）内に装着し、７０℃に加熱した。
次に、ＣＶＤ装置内を、油回転ポンプおよびターボモレキュラーポンプを用いて、到達真空度３．０×１０−３Ｐａまで減圧した。
次に、プラズマＣＶＤ装置のガス導入口から、５０ｓｃｃｍのシラン（ＳｉＨ４）ガスと、５０ｓｃｃｍのメタン（ＣＨ４）ガスと、５０ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）ガスと、１００ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、プラズマＣＶＤ装置の成膜チャンバー内圧力を９．９〜１０．１Ｐａに保ち、１３．５６ＭＨｚの周波数を有する電力（投入電力３００Ｗ）を印加することにより、前記平坦化層上に膜厚が１５０ｎｍ±１０ｎｍの第２のガスバリア層を形成した。
第２のガスバリア層の組成は、ＳｉＯ１．８Ｃ０．３であった。
また、第２のガスバリア層の濡れ指数は、３５ｄｙｎ／ｃｍであった。
また、有機ＥＬ表示体（マイクロレンズアレイ／基材／ストラクチャー層／平坦化層／第一のガスバリア層／透明電極／有機ＥＬ素子／裏面反射電極／第二のガスバリア層）の水蒸気透過率は、０．００１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍであった。
有機ＥＬ表示体（マイクロレンズアレイ／基材／ストラクチャー層／平坦化層／第一のガスバリア層／透明電極／有機ＥＬ素子／裏面反射電極／第二のガスバリア層）の酸素透過率は、０．００１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍであった。
次に、アクリル系粘着剤（ファインタックＳＰＳ−１０１６（商品名））（大日本インキ化学工業社製）１００重量部と架橋剤（ＤＮ−７５０−４５（商品名））（大日本インキ化学工業社製）１重量部の混合溶液を、グラビアコーターを用いて厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＮＳＣ（商品名））（帝人デュポンフィルム社製）上に塗布し、その後、１００℃で乾燥することにより厚さ４０±１μｍの粘着層を有する保護層を形成した。
最後に、粘着層と第二のガスバリア層を１ＭＰａの圧力をかけて１分間圧着することにより、有機ＥＬ表示体を得た。
本発明の光学用部品、並びに、それを用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体は、各種表示装置、及び、それらを用いた、看板、ネオン等の商業ディスプレイに利用できる。
本発明の光学用部品の作製に用いるスタンパの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の光学用部品の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の光学用部品の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体の製造方法を説明するための断面図である。
符号の説明
１・・・・・・・基材
２・・・・・・・ストラクチャー前駆層（電離放射線未照射）
２´・・・・・・ストラクチャーパターン
２´´・・・・・ストラクチャー層
３・・・・・・・マイクロレンズアレイ
４・・・・・・・平坦化層
５・・・・・・・第１のガスバリア層
６・・・・・・・透明電極
７・・・・・・・正孔輸送層
８・・・・・・・発光層
９・・・・・・・正孔阻止層
１０・・・・・・電子輸送層
１１・・・・・・裏面電極バッファー層
１２・・・・・・裏面反射電極層
１３・・・・・・第２のガスバリア層
１４・・・・・・保護層
１４１・・・・・保護フィルム
１４２・・・・・粘着層
１００・・・・・スタンパ用基板
２００・・・・・フォトレジスト
２００´・・・・可溶化処理したフォトレジスト
２００´´・・・フォトレジスト
３００・・・・・導電化層
４００・・・・・金属層
５００・・・・・スタンパ

Claims (8)

  1. マイクロレンズアレイ、基材、ストラクチャー層、平坦化層、第一のガスバリア層が順次積層された光学用部品であって、
    前記第一のガスバリア層が５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）の濡れ指数を有する透明無機酸化物層であることを特徴とする光学用部品。
  2. 前記透明無機酸化物層が、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の光学用部品。
  3. 前記第一のガスバリア層上に透明電極を形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光学用部品。
  4. 前記透明電極上にリン光性化合物を含有する有機ＥＬ素子が形成され、該有機ＥＬ素子上に、裏面反射電極が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体。
  5. 前記裏面反射電極上に、第二のガスバリア層を形成したことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体。
  6. 前記第二のガスバリア層が５０ｄｙｎ／ｃｍ未満（ＪＩＳ Ｋ ６７６８）の濡れ指数を有する透明無機酸化物層であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体。
  7. 前記第二のガスバリア層が、ＳｉＯｘＣｙ（１．７≦ｘ≦２）（０．１≦ｙ≦０．５）薄膜であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体。
  8. 前記第二のガスバリア層上に、保護層を設けたことを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示体。
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