JP2009009861A - 有機el素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明支持基板1、透明電極3、有機層4及び金属電極5を備える有機EL素子の製造方法であって、
前記透明支持基板1上に硬化性樹脂2を塗布し、母型を押し付けつつ前記硬化性樹脂2を硬化させた後、前記母型を取り外して、前記透明支持基板1上に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層2を積層する工程と、
前記硬化性樹脂層2上に、前記透明電極3、前記有機層4及び前記金属電極5を、前記硬化性樹脂層2の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして、それぞれ積層して有機EL素子を得る工程と、
を含むことを特徴とするコルゲート構造を有する有機EL素子の製造方法。
【選択図】図2
Description
前記透明支持基板上に硬化性樹脂を塗布し、母型を押し付けつつ前記硬化性樹脂を硬化させた後、前記母型を取り外して、前記透明支持基板上に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層を積層する工程と、
前記硬化性樹脂層上に、前記透明電極、前記有機層及び前記金属電極を、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして、それぞれ積層して有機EL素子を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
基材上に形成された、光照射により体積変化するポリマーからなるポリマー膜の表面にレーザー光を照射し、前記ポリマー膜の表面に周期的な配列で凹凸を形成する工程と、
前記ポリマー膜上に母型材料を付着させ硬化させた後に、硬化後の母型材料を前記ポリマー膜から取り外して母型を得る工程と、
含む方法により得られたものであることが好ましい。
前記透明支持基板上に硬化性樹脂を塗布し、前記母型を押し付けつつ前記硬化性樹脂を硬化させた後、前記母型を取り外して、前記透明支持基板上に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層を積層する工程(第1の工程)と、
前記硬化性樹脂層上に、前記透明電極、前記有機層及び前記金属電極を、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして、それぞれ積層して有機EL素子を得る工程(第2の工程)と、
を含むことを特徴とする方法である。
(実施例1)
先ず、基材22上にアゾベンゼンポリマーをスピンコート法により、膜厚が0.8μmとなるように塗布し、アゾベンゼンポリマー膜23を形成した。その後、表面レリーフ型回折格子でアルゴンレーザー光を回折させ、その回折光をアゾベンゼンポリマー膜23の表面に照射した。次に、回折格子を120°回転させた後にレーザー光を回折させ、その回折光をアゾベンゼンポリマー膜23に照射し、次いで、回折格子を更に120°回転させた後にレーザー光を回折させ、その回折光をアゾベンゼンポリマー膜23に照射した(図4参照)。このようにして、アゾベンゼンポリマー膜23の表面に周期的な配列で凹凸を形成した(図3(a)参照)。なお、得られたアゾベンゼンポリマー膜23について、共焦点顕微鏡による表面形状測定を行った。得られた結果を図5に示す。
実施例1で作製した母型を用いずに、硬化性樹脂層に凹凸を形成しなかった以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
実施例1及び比較例1で得られた有機EL素子の発光スペクトルを測定した。なお、発光スペクトルは、以下のようにして測定した。すなわち、実施例1及び比較例1で得られた有機EL素子に10Vの電圧を印加した状態で、素子より7cmの距離に分光器(Ocean Optics社製、製品名「USB−2000」)を設置し、発光スペクトル解析を行った。得られた結果を図8に示す。図8に示した結果から明らかなように、本発明の有機EL素子を用いた場合(実施例1)は、十分な外部取り出し効率を達成できることが確認された。
硬化性樹脂層2の断面形状が正弦波形を有する場合と、硬化性樹脂層2の断面形状が矩形を有する場合について、有機EL素子の内部電界分布をシミュレートした。具体的には、硬化性樹脂層に形成された凹凸のピッチを300nmとし、凹凸の高さを50nmとし、硬化性樹脂層2上に透明電極3、厚みが110nmの有機層4及び金属電極5を、硬化性樹脂層2の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして積層した場合における有機EL素子の内部電界分布をそれぞれシミュレートした。得られた結果を図9に示す(図9(a)は硬化性樹脂層の断面形状が矩形を有する場合に対応し、図9(b)は硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有する場合に対応する。)。図9に示した結果からも明らかなように、硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有する場合には、硬化性樹脂層の断面形状が矩形を有する場合と比較して、有機EL素子に電圧をかけた際の素子内部の電界分布が均一となる傾向にあることが確認された。したがって、硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有することにより、電界集中による有機EL素子の破壊を抑制することができ、有機EL素子の長寿命化を図ることができることが確認された。
Claims (11)
- 透明支持基板、透明電極、有機層及び金属電極を備える有機EL素子の製造方法であって、
前記透明支持基板上に硬化性樹脂を塗布し、母型を押し付けつつ前記硬化性樹脂を硬化させた後、前記母型を取り外して、前記透明支持基板上に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層を積層する工程と、
前記硬化性樹脂層上に、前記透明電極、前記有機層及び前記金属電極を、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして、それぞれ積層して有機EL素子を得る工程と、
を含むことを特徴とするコルゲート構造を有する有機EL素子の製造方法。 - 前記硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記母型が、
基材上に形成された、光照射により体積変化するポリマーからなるポリマー膜の表面にレーザー光を照射し、前記ポリマー膜の表面に周期的な配列で凹凸を形成する工程と、
前記ポリマー膜上に母型材料を付着させ硬化させた後に、硬化後の母型材料を前記ポリマー膜から取り外して母型を得る工程と、
含む方法により得られたものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記光照射により体積変化するポリマーが、アゾベンゼンポリマーであることを特徴とする請求項3に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記母型材料が、シリコンゴム、ニッケル、ケイ素、炭化ケイ素、タンタル、グラッシーカーボン、石英、シリカからなる群から選択される少なくとも一つの材料であることを特徴とする請求項3又は4に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記透明電極が金からなる電極であることを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸のピッチが10〜1000nmの範囲であり、且つ凹凸の高さが10〜200nmの範囲であることを特徴とする請求項1〜6のうちのいずれか一項に記載の有機EL素子の製造方法。
- 透明支持基板、前記透明支持基板上に積層され、表面に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層、並びに、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして、前記硬化性樹脂層上に順次積層された透明電極、有機層及び金属電極を備えることを特徴とするコルゲート構造を有する有機EL素子。
- 前記硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有することを特徴とする請求項8に記載の有機EL素子。
- 前記透明電極が金からなる電極であることを特徴とする請求項8又は9に記載の有機EL素子。
- 前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸のピッチが10〜1000nmの範囲であり、且つ凹凸の高さが10〜200nmの範囲であることを特徴とする請求項8〜10のうちのいずれか一項に記載の有機EL素子。
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