JP2000315576A

JP2000315576A - 有機電界発光素子およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000315576A
Application number: JP2000053004A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Fujimori; 茂雄藤森; Yoshio Himeshima; 義夫姫島
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1999-03-01
Filing date: 2000-02-29
Publication date: 2000-11-14

Abstract

(57)【要約】【課題】有機電界発光素子の製造において、第一電極の
パターニング以降の工程における位置合わせを簡単かつ
正確に行うための位置合わせマークを基板上に形成す
る。【解決手段】基板上に絶縁層また第一電極層上の導電層
を用いて、光吸収性もしくは光反射性の位置合わせマー
クを形成することにより、薄膜層および第二電極のパタ
ーニング形成を精度よく、かつ効率的に実施することが
可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トディスプレイパネル、バックライト、照明、インテリ
ア、標識、看板、電子写真機などの分野に利用可能な電
気エネルギーを光に変換できる有機電界発光素子とその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔とが、両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合
して発光するという有機電界発光素子の研究開発が活発
に行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下での
高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が特徴
であり注目を集めている。

【０００３】有機電界発光素子を構成する基本的な要素
は、第一電極、発光層を含む薄膜層および第二電極であ
り、複数の画素からなる表示デバイスにおいては、これ
らをガラス基板上の所定の位置に精度よくパターニング
して形成することが製造方法の基本である。

【０００４】通常、ガラス基板上にインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）薄膜層を設けたＩＴＯ基板を使用し、これを
フォトリソグラフィ技術でパターニングして第一電極層
を形成し、その上に１）正孔輸送層／発光層、２）正孔
輸送層／発光層／電子輸送層、３）発光層／電子輸送
層、４）以上の組合せ物質を一層に混合した形態の発光
層のいずれかの薄膜層を、シャドーマスク法や隔壁法な
どによるドライプロセスで形成する。さらに、この薄膜
層の上に第一電極と交差する形で第二電極をパターニン
グ形成するが、この形成にもドライプロセスが用いられ
る。

【０００５】これらの各層は、それぞれ、その前の工程
で形成された層に対して位置合わせを行って形成するこ
とが重要であり、全工程を通して活用できる位置合わせ
システムを確立しておくことは不可欠である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】有機電界発光素子の製
造において、ＩＴＯ基板をパターニングして第一電極層
を形成する際に基板上にＩＴＯからなる位置合わせマー
クを形成し、これを後工程の位置合わせに利用すること
ができる。しかし、このマークは元来可視光域で透明と
いう特性を有するものであり、後工程におけるマスク類
の位置合わせを簡単かつ正確に行うという点で支障が大
であった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された第一電極と、前記第一電極上に形成された少なく
とも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層と、前記薄
膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発光素子
であって、前記基板上に光吸収性もしくは光反射性を有
する位置合わせマークが存在することを特徴とする有機
電界発光素子およびその製造方法である。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明について、詳細に説明す
る。本発明の有機電界発光素子の基板および第一電極は
本質的に透明である。透明基板の材料としては特に限定
されず、ポリメチルメタクリレート、ポリカルボネー
ト、ポリエステルなどのプラスチック板やフィルムを用
いることができるは、好適な例としてはガラス板をあげ
ることができる。ソーダライムガラス、無アルカリガラ
スなどが用いられ、また厚みも機械的強度を保つのに十
分な厚みがあればよい。透明な第一電極の材料として
は、酸化錫、酸化亜鉛、酸化バナジウム、酸化インジウ
ム、酸化錫インジウム（以下ＩＴＯ）などをあげること
ができる。パターニングを施す目的からは、加工性に優
れたＩＴＯを用いるのが好ましい。従って、有機電界発
光素子としては、基板としてはガラス材料を用い、第一
電極としてはＩＴＯ透明電極を用いることが好ましい。

【０００９】本発明の光吸収性もしくは光反射性の位置
合わせマークの光吸収率もしくは光反射率は、第一電極
の有するそれらより大きいことが好ましく、具体的には
光吸収率もしくは光反射率は２０％以上である。さら
に、肉眼による認識性や機械による検出性を考慮する
と、可視光域すなわち４００〜７００ｎｍの波長域の一
部において光吸収率もしくは光反射率が２０％以上とな
ることが好ましい。

【００１０】これらの位置合わせマークは、後工程のマ
スク類の位置合わせやその他の素子形成作業の基準とな
るものである。第一電極をパターニングした後、絶縁層
をフォトリソグラフィ法で形成する際の基板とフォトマ
スクの位置合わせ、発光層を含む薄膜層形成や第二電極
形成における基板とシャドーマスクとの位置合わせに利
用することを初めとして、封止板と基板との位置合わせ
にも利用される。この封止板には第二電極に対するガイ
ド電極として機能する導電性パターンがあってもよい
が、その場合においては特に基板との位置合わせが重要
になり、基板上の位置合わせマークの存在が必須であ
る。さらに、駆動回路接続のためのリード線、ＴＡＢ、
ＦＰＣなどを第一電極および第二電極に合わせて接続す
るなどの基板と電極引出手段との整合をとるためにも本
発明の位置合わせマークが有効に活用される。素子形成
や駆動回路接続の後、不要になった部分の基板ガラスの
カットを行う場合にも位置合わせマークを基準に利用す
ることで作業を正確かつ再現性よく進めることが可能に
なる。

【００１１】このように光吸収率もしくは光反射率が２
０％以上の位置合わせマークの一つは、有機電界発光素
子を構成する際に用いる絶縁層からなるパターンであ
る。

【００１２】ＩＴＯ透明膜を形成したガラス基板を用い
て第一電極をパターニングした後、この第一電極に位置
合わせして絶縁層をパターニングするが、その際に同時
に、絶縁層の一部を利用して位置合わせマークを形成す
ることができる。

【００１３】本発明の絶縁層には、第一電極のエッジを
保護し、発光領域を規定する層間絶縁層や、隔壁法によ
るパターニングで用いられる隔壁、シャドーマスク法に
よるパターニングでマスク傷防止のために用いられるス
ペーサーなども含まれる。

【００１４】層間絶縁層は、パターニングされた第一電
極と後工程で形成されるパターニングされた第二電極と
の絶縁のため設けられる縁膜層であり、絶縁層のない第
一電極上には少なくとも有機化合物からなる発光層を含
む薄膜層が形成され、第一電極と第二電極に挟まれた部
分が素子の発光部となるものである。

【００１５】これらの絶縁層は、第一電極がパターニン
グされた基板上の全面に絶縁材料を形成したあと、フォ
トレジストをパターニングしてからエッチングする方法
で、あるいは、あらかじめパターニングしておいたフォ
トレジスト上に絶縁材料を蒸着するなどしてからリフト
オフする方法で形成できるが、この際、第一電極層から
離れた一部分に位置合わせマークを同時にパターニング
形成することができる。絶縁層の特性により、その位置
合わせマークは光吸収性もしくは光反射性となる。

【００１６】この絶縁層には種々の無機系および有機系
材料が用いられるが、無機材料としては、例えば酸化ケ
イ素をはじめとする酸化マンガン、酸化バナジウム、酸
化チタンなどの酸化物材料、ケイ素、ガリウム砒素など
の半導体材料、ガラス材料、セラミックス材料などを、
有機材料としては、ポリビニル系、ポリイミド系、ポリ
スチレン系、アクリル系、ノボラック系、シリコーン系
などのポリマー材料などが好ましく用いられる。例え
ば、一般的にポリイミド系材料は若干着色しているので
本発明の効果を得るための材料として好ましい。勿論、
これに限定されるものではなく、絶縁性の大きな材料が
無色透明であれば、絶縁能を低下させない範囲で着色す
るなどの手段を用いることが可能であり、２０％以上の
光吸収性もしくは光反射性の状態に加工することができ
る。さらに、この絶縁層を表示コントラストを向上させ
るためのブラックマトリクスとして利用することができ
るが、この場合には黒色からなる可視度の高い位置合わ
せマークが形成できる。

【００１７】本発明の光吸収率もしくは光反射率が２０
％以上の位置合わせマークのもう一つは、第一電極層上
に形成された導電層からなるパターンである。導電層を
形成する材料はアルミニウム、クロム、銅、ニッケル、
亜鉛、銀、金、錫などが好ましいが、これらに限定され
るものではなく、また、第一電極のガイド電極材料であ
ってもよい。第一電極のガイド電極をパターニングする
と同時に位置合わせマークもパターニングすれば、工程
数の増加もない。

【００１８】さらに、この導電層からなる位置合わせマ
ークは、その上に絶縁層が形成されていることが好まし
い。また、第一電極層が導電層からなるパターンと同一
平面形状にパターニングされていてもよい。

【００１９】この導電層からなる位置合わせマークは、
第一電極層上の少なくとも一部分に形成した導電層をパ
ターニングすることで形成される。第一電極層としては
多くの場合にＩＴＯ透明膜が用いられるので、この第一
電極層上の少なくとも一部分に導電層を形成する材料か
らなる膜を形成し、これを第一電極のパターニングと同
時にパターニングして位置合わせマークが形成できる。
この場合、第一電極層は導電層からなるパターンと同一
平面形状にパターニングされている。

【００２０】この方法によれば、基板の所定の領域に導
電層を形成する工程が必要であるが、第一電極のパター
ニング形成と位置合わせマークが同時にでき、後工程の
全てに利用できる位置合わせマークを形成することがで
きる。

【００２１】位置合わせマークが第一電極層上に形成さ
れた導電層からなるパターンである場合、その導電層上
に絶縁層が形成されていることが好ましい。導電層を構
成する材料には酸・アルカリなどに侵されるものがあ
り、素子形成における後工程においてこれらの薬剤と接
触する機会が考えられるので、マークとしての機能を保
護するため、その上に絶縁層が形成されていることが好
ましい。その場合、マークとしての機能を発揮するた
め、導電層を可視状態に保つような絶縁層であることが
好ましいが、マークの形状によってはこれに限定されな
い。

【００２２】これらの位置合わせマークの設置場所およ
びその形状はとくに限定されるものでなく、工程上適当
な位置に、適当な形状で形成することができる。上記し
たように位置合わせマークは基板とマスクの位置合わせ
の他にも活用されるので素子形成の全工程を考慮してマ
ーク形成の位置を決めることが肝要である。

【００２３】ＩＴＯ膜をパターニングして形成した位置
合わせマークを利用することは不可能ではない。ＩＴＯ
膜は、例えば５５０ｎｍ光での透過率は９０％以上であ
るため、位置合わせマークとしての利用は前記導電層や
絶縁層を利用する場合と比べるとそれほど容易ではない
が、ＩＴＯ膜からなる位置合わせマークは全くの透明性
を示すものでもないので、可視光域での識別も不可能で
はない。また、ＩＴＯ膜は３６０ｎｍ以下の紫外光を吸
収するので、紫外線感受性センサーを利用することで、
これをマークとすることも可能である。

【００２４】このような位置合わせマークを利用したア
ライメント作業は、紫外光または赤外光を用いて、それ
ぞれの波長の光の検出に適したセンサーなどの利用して
作業を行うことは可能であるが、後工程で感光性を有す
るフォトレジストを用いてパターニングするような場合
には、紫外光の利用にも制限があり、煩雑な工程を必要
とするなどの問題点がある。また、位置合わせマーク上
にフォトレジストなどが塗布される場合には、その屈折
率の影響で位置合わせマークの検出はより難しくなる。
従って、原則的には光の波長で限定されるものではない
が、検出の容易さや用いる機器の入手の容易さなどから
可能な限り可視光域で行うことが好ましく、その位置合
わせマークは少なくとも可視光域に反射または吸収があ
ることが好ましい。

【００２５】以下に本発明の位置合わせマークの状態を
図で説明する。ここでは便宜上マークの形状として十字
形を用いたが、これに限定されるものではなく、種々の
形状で用いることができる。

【００２６】図１は本発明の位置合わせマークの一つの
タイプの平面図を示すが、これはマークそのものが絶縁
層１２や導電層１２で形成されているもので「通常タイ
プ」と呼称する。利用できるもう一つのタイプの平面図
を図５に示した。これを「反転タイプ」と呼称する。通
常タイプをポジ型とするならば、反転タイプはネガ型に
相当するものであり、マーク形状部分の周囲が絶縁層や
導電層で形成されている。この場合、十字形状の光吸収
性もしくは光反射性は小さいがその周囲をマークと見な
すことで光吸収性もしくは光反射性が発揮される。

【００２７】図２は、通常タイプの位置合わせマークを
ＩＴＯ膜（図２の場合第一電極１１）上に形成した場合
の断面図であり、図３はガラス基板１０上に直接形成し
たマークを示す断面図である。図４は、ＩＴＯ膜上のマ
ーク形成材料、例えば導電層１２をＩＴＯ１１のパター
ニングと同時にパターニングした場合に形成される同一
平面形状にパターニングされた位置合わせマークの断面
図である。図６は、図５に示す反転タイプの位置合わせ
マークの断面図であり、マーク部分は絶縁層１２または
導電層１２である。

【００２８】これらによりフォトマスクやシャドーマス
クの位置合わせができ、基板と封止板との位置合わせ、
駆動回路の接続などが可能になる。

【００２９】図７と図８は、それぞれ通常タイプおよび
反転タイプの位置合わせマークが導電層１３で形成され
た場合に、その上に形成された絶縁層１４を示す断面図
である。図７ではマークが光吸収性もしくは光反射性を
有するので、その上の絶縁層１４の光吸収性もしくは光
反射性は大きくない方が好ましいが、図８のような状態
で形成された絶縁層１４は、それ自体がブラックマトリ
クス材料のように不透明であってもよい。

【００３０】

【実施例】以下、実施例をあげて本発明を説明するが、
本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

【００３１】実施例１厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラス基板表面にスパッタ
リング蒸着法によって厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明膜が
形成されたＩＴＯ基板を１２０×９０ｍｍの大きさに切
断した。ＩＴＯ基板上にフォトレジストを塗布して、通
常のフォトリソグラフィ法により露光・現像を行ってフ
ォトレジストをパターニングした。ＩＴＯの不要部分を
エッチングして除去した後、フォトレジストを除去する
ことで、ＩＴＯ電極膜を長さ９０ｍｍ、幅８０μｍのス
トライプ状にパターニングした。このストライプ状第一
電極は１００μｍピッチで８１６本配置された。

【００３２】第一電極がパターニングされた基板上の全
面に、ポリイミド系の感光性コーティング剤（東レ
（株）製、ＵＲ−３１００）をスピンコート法で塗布
し、クリーンオーブンにより窒素雰囲気下で８０℃、１
時間プリベーキングした。次に、この塗布膜にフォトマ
スクを介して紫外線露光して所望部分を光硬化させ、現
像液（東レ（株）製、ＤＶ−５０５）を用いて現像し
た。その後、クリーンオーブン中で１８０℃、３０分
間、さらに２５０℃、３０分間ベーキングして、絶縁層
を形成した。この絶縁層は第一電極の端部を被覆し後工
程で形成される発光層を含む薄膜層のための開口部を空
けてマトリクス状に形成される。薄膜層用の開口部の大
きさは６５×２３５μｍである。このような開口部は、
それぞれの第一電極上には開口部長手方向で３００μｍ
ピッチでもって２００個配列されている。

【００３３】この絶縁層を形成する際に、基板の角部に
十文字形状の位置あわせマークを少なくとも２カ所に形
成した。この場合、第一電極のパターニングと同時にＩ
ＴＯを利用した第一のマークを形成しておき、視認性は
悪いが、それに基づく位置合わせを行って絶縁層を形成
し、同時に絶縁層による第二の位置合わせマークを形成
し、以後の工程はこの第二の位置合わせマークを使用し
て作業を行った。

【００３４】十字形状の線の太さは２０μｍで長さは
０．５ｍｍとした。その光吸収率は４００〜５２０ｎｍ
の波長域の一部で２０％以上であった。

【００３５】第一電極と絶縁層を形成し位置合わせマー
クを形成した基板を洗浄した後、真空蒸着機内にセット
した。真空蒸着機内には発光層形成用シャドーマスク、
第二電極形成用シャドーマスク、発光層を含む薄膜層
を形成する材料の蒸着源類をセットすることができる。

【００３６】薄膜層は抵抗線加熱方式による真空蒸着法
で形成する。この時の真空度は２×１０^-4Ｐａ以下で、
蒸着中は蒸着源に対して基板を回転させた。まず、正孔
輸送層として、水晶振動子による膜厚モニター表示値
で、銅フタロシアニンを３０ｎｍ、ビス（Ｎ−エチルカ
ルバゾール）を１２０ｎｍ基板全面に蒸着した。

【００３７】次に発光層の形成を行うが、用いるシャド
ーマスクは次のようにして形成したものである。すなわ
ち、電鋳法によって電鋳母型上にＮｉ−Ｃｏ合金を析出
させることで、図９に示すようなストライプ状の開口部
３２を有し、それを横切るように形成された補強線３３
が存在し、マスク部分と補強線とが同一平面内に形成さ
れた構造を有する。このシャドーマスクの外形は１２０
×８４ｍｍ、マスク部分３１の厚さは２５μｍである。
長さ６４ｍｍ、幅１００μｍのストライプ状開口部３２
がピッチ３００μｍで２７２本配置されている。各スト
ライプ形状開口部には、開口部を横切り直交する幅２０
μｍの補強線３３がピッチ１．８ｍｍで形成されてい
る。さらに、基板上に形成した位置合わせマークとのア
ライメントのためマスク部の所定位置に位置合わせマー
クに対応した形状とサイズを有するマークを少なくとも
２カ所に形成した。シャドーマスクは外形が等しい幅４
ｍｍのステンレス鋼製フレーム３４に固定されている。

【００３８】前記発光層形成用シャドーマスクを基板前
方に配置して両者を密着させ、基板後方にはフェライト
系磁石（日立金属（株）製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置し
た。この際、基板上の絶縁層からなる第二の位置合わせ
マークとシャドーマスクの位置基準とが一致するように
配置して、ストライプ状第一電極がシャドーマスクのス
トライプ形状開口部の中心に位置し、補強線が絶縁層の
ある位置と一致するように、両者は位置合わせされてい
る。

【００３９】上記のように配置した基板に対して、赤色
（Ｒ）発光層の形成を行う。Ｒ発光層のホスト材料は、
８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）
（４０ｎｍ）であり、これにゲスト材料として１重量％
の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−
ジメチルアミノスチリル）−４−ピラン（ＤＣＭ）をド
ーピングする。

【００４０】次いで、発光層形成用シャドーマスクの配
置を第一電極の１ピッチ分だけずらした状態で、ホスト
材料はＲ発光層と同様のＡｌｑ３（４３ｎｍ）を、ゲス
ト材料は１，３，５，７，８−ペンタメチル−４，４−
ジフロロ−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−インダ
セン（ＰＭ５４６）を用いた緑色（Ｇ）発光層を形成し
た。さらに、１ピッチ分シャドーマスクを移動して青色
（Ｂ）発光層を形成した。Ｂ発光層としては、４，４’
−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ジフェニル（Ｄ
ＰＶＢｉ）を用いた。この場合にはゲスト材料を使用せ
ず、ＤＰＶＢｉのみを４０ｎｍ蒸着した。この後、基板
全面にＤＰＶＢｉを７０ｎｍ、Ａｌｑ３を２０ｎｍ蒸着
し、最後に薄膜層をリチウム蒸気に曝して電子輸送層を
形成した。

【００４１】第二電極のパターニングには図１０に示す
ようにマスク部分３１の一方の面と補強線３３との間に
隙間が存在する構造のシャドーマスクを用いた。このシ
ャドーマスクの外形は１２０×８４ｍｍ、マスク部分の
厚さは１００μｍであり、長さ１００ｍｍ、幅２５０μ
ｍのストライプ状開口部３２がピッチ３００μｍで２０
０本配置されている。マスク部分の上には、幅４０μ
ｍ、厚さ３５μｍ、対向する二辺の間隔が２００μｍの
正六角形構造からなるメッシュ状の補強線が形成されて
いる。隙間の高さはマスク部分の厚さと等しく１００μ
ｍである。このシャドーマスクのマスク部分にも発光層
形成用シャドーマスクの場合と同様にして位置合わせマ
ークと対応させるためのマークを形成した。このシャド
ーマスクはステンレス鋼製のフレーム３４に固定して用
いられる。

【００４２】第二電極の蒸着時の真空度は３×１０^-4Ｐ
ａ以下で、蒸着中は２つの蒸着源に対して基板を回転さ
せた。発光層のパターニング形成と同様に、第二電極用
マスクを薄膜層までが形成された基板前方に配置して両
者を位置合わせマークを利用して所定の位置で密着さ
せ、基板後方には板磁石を配置した。この状態でアルミ
ニウムを４００ｎｍの厚さに蒸着して第二電極をパター
ニングした。第二電極は、間隔をあけて配置された複数
のストライプ状にパターニングされている第一電極と直
交する配置で、間隔をあけて配置された複数のストライ
プ状にパターニングされている。

【００４３】これらの発光層および第二電極のパターニ
ングの際、シャドーマスクの位置合わせは絶縁層により
形成された第二の位置合わせマークを利用しているた
め、ＩＴＯ透明膜による位置合わせマークに比べて視認
性が大いに向上しているので、作業を効率的に進めるこ
とができた。

【００４４】最後に、基板全面に一酸化ケイ素を２００
ｎｍの厚さまで電子ビーム蒸着法で蒸着して保護層を形
成した。

【００４５】本数８１６本のＩＴＯストライプ状第一電
極上にパターニングされたＲ、Ｇ、Ｂ発光層が形成さ
れ、第一電極と直交する幅２５０μｍ、ピッチ３００μ
ｍのストライプ状第二電極が２００本配置された単純マ
トリクス型ストライプ配列のカラー有機電界発光素子が
作製できた。Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの発光領域が１画素を形
成するので、本発光素子は３００μｍピッチで２７２×
２００画素を有する。色純度に優れると共に発光効率が
高い有機電界発光素子が得られた。

【００４６】実施例２実施例１と同様のＩＴＯ透明電極膜の形成された基板を
１２０×１００ｍｍの大きさに切断した。この基板の少
なくとも２カ所の角部の５×５ｍｍの部分にアルミニウ
ムを蒸着して導電層を形成した。この後は、実施例１と
同様にしてＩＴＯ透明電極膜のパターニングを行った
が、フォトマスクとして角部のアルミニウム蒸着部に実
施例１に示したと同じサイズの十字形状の位置合わせマ
ークを有するものを用いた。フォトレジストを塗布して
露光、現像を行い、ＩＴＯをエッチングすると同時に位
置あわせマークもパターニングすることで、角部に少な
くとも２カ所のＩＴＯ透明電極膜とアルミニウム膜とか
らなる位置合わせマークを有する第一電極がパターニン
グされた基板を得ることができる。この位置合わせマー
クの光反射率は可視光領域の広い範囲で７０％以上であ
った。

【００４７】第一電極がパターニングされた基板上にリ
フトオフ用レジスト剤を塗布し、フォトリソ法を利用し
てリフトオフレジストパターンを形成した。基板上に二
酸化ケイ素を１５０ｎｍ蒸着した後、アセトン中で超音
波洗浄することによりレジスト上の二酸化ケイ素をリフ
トオフした。このようにして、第一電極の端部を被覆す
る二酸化ケイ素からなる絶縁層をパターニングした。絶
縁層が第一電極を露出せしめる開口部の大きさは実施例
１と同様の６５×２３５μｍであり、ピッチ１００μｍ
×３００μｍでマトリクス状に配置されている。本実施
例では、第一電極のパターニングの段階で光反射性を有
する位置合わせマークが形成されているので、これにア
ライメントして絶縁層のパターニングを容易に実行する
ことができた。また、絶縁層のパターニング工程におい
て二酸化ケイ素で位置合わせマークを覆ったので、その
後必要な洗浄プロセスなどからアルミニウム膜を保護す
ることができた。

【００４８】発光層を含む薄膜層の形成および第二電極
のパターニングは実施例１と同様にして有機電界発光素
子を製造することができた。本実施例においての位置合
わせプロセスは、マークの光反射性が大きいため視認性
が向上し、実施例１に比べてさらに作業が容易になっ
た。

【００４９】実施例３実施例１と同様のＩＴＯ透明膜が形成されたＩＴＯ基板
を１２０×１００ｍｍの大きさに切断した。この基板の
ＩＴＯ透明膜上全面に真空蒸着法によって約１００ｎｍ
のアルミニウム膜を形成した。このＩＴＯ膜／アルミニ
ウム膜の積層膜上にフォトレジストを塗布し、通常のフ
ォトリソ法により露光・現像を行ってフォトレジストを
パターニングした。ＩＴＯ膜／アルミニウム膜の積層膜
の不要部分をエッチング除去した後、フォトレジストを
除去することで、積層膜を長さ９０ｍｍ、幅８０μｍの
ストライプ状にパターニングして第一電極とした。この
ストライプ状パターンは１００μｍピッチで８１６本形
成した。

【００５０】ＩＴＯ膜とアルミニウム膜との積層膜をパ
ターニングする際に、ガラス基板の角部に実施例１と同
じ平面形状で図４に示す断面形状の位置合わせマークを
少なくとも２カ所に形成した。この位置合わせマークの
光反射率は可視光領域の広い範囲で７０％以上であっ
た。

【００５１】次に、ポジ型フォトレジスト（東京応化工
業（株）製、ＯＦＰＲ−８００）をスピンコート法によ
り基板上に厚さ３μｍになるように塗布した。この塗布
膜にフォトマスクを介してパターン露光し、現像してフ
ォトレジストのパターニングを行った。現像後に１６０
℃でキュアした。このパターニングに用いたフォトマス
クには、幅６５μｍ、長さ２３５μｍの絶縁層開口部
が、幅方向には１００μｍピッチで８１６個、長さ方向
には３００μｍピッチで２００個配置されている。

【００５２】この絶縁層をレジストとしてアルカリエッ
チングを行い、露出しているアルミニウム膜を完全に除
去して（レジスト現像時にアルミニウム膜は部分的に同
時エッチングされていたが、さらに完全にエッチングし
た）ＩＴＯ膜を露出させた。このようにして、ＩＴＯか
らなるストライプ状第一電極上の、絶縁層が存在する部
分にアルミニウムからなる第一電極用ガイド電極を形成
した。

【００５３】本実施例では、第一電極およびガイド電極
のパターニングの段階で、工程数を増やすことなく光反
射性を有する位置合わせマークが形成されるので、これ
にアライメントして絶縁層のパターニングなどを容易に
実行することができた。また、絶縁層のパターニング工
程において絶縁層自体で位置合わせマークを覆ったの
で、その後必要な洗浄プロセスなどからアルミニウム膜
を保護することができた。

【００５４】第一電極、ガイド電極および絶縁層を形成
し、位置合わせマークも同時に形成した基板を洗浄した
後、真空蒸着機内にセットした。発光層を含む薄膜層の
形成および第二電極のパターニングは実施例１と同様に
して有機電界発光素子を製造することができた。本実施
例においての位置合わせプロセスは、マークの光反射性
が大きいため視認性が向上し、実施例１に比べてさらに
作業が容易になった。

【００５５】

【発明の効果】基板上に光吸収性もしくは光反射性の位
置合わせマークを形成することにより、少なくとも有機
化合物からなる発光層を含む薄膜層および第二電極のパ
ターニング形成を精度よく、かつ効率的に実施すること
が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の位置合わせマークの一例（通常タイ
プ）を示す平面図。

【図２】図１の断面図の一例。

【図３】図１の断面図の一例。

【図４】図１の断面図の一例。

【図５】本発明の位置合わせマークの一例（反転タイ
プ）を示す平面図。

【図６】図５の断面図の一例。

【図７】本発明の絶縁層で覆われた位置合わせマークの
一例（通常タイプ）を示す断面図。

【図８】本発明の絶縁層で覆われた位置合わせマークの
一例（反転タイプ）を示す断面図。

【図９】本発明に使用される発光層パターニング用シャ
ドーマスクの一例を示す平面図。

【図１０】本発明に使用される第二電極パターニング用
シャドーマスクの一例を示す平面図。

【符号の説明】

１０基板１１第一電極１２絶縁層もしくは導電層１３導電層１４絶縁層３１マスク部分３２開口部３３補強線３４フレーム

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された第一電極と、前記第一
電極上に形成された少なくとも有機化合物からなる発光
層を含む薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極
とを含む有機電界発光素子であって、前記基板上に光吸
収性もしくは光反射性を有する位置合わせマークが存在
することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】基板および第一電極が透明であることを特
徴とする請求項１記載の有機電界発光素子。
【請求項３】位置合わせマークの光吸収率もしくは光反
射率が第一電極のそれよりも大きいことを特徴とする請
求項１記載の有機電界発光素子。
【請求項４】位置合わせマークの光吸収率もしくは光反
射率が２０％以上であることを特徴とする請求項１記載
の有機電界発光素子。
【請求項５】位置合わせマークが絶縁層からなるパター
ンであることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光
素子。
【請求項６】位置合わせマークが第一電極層上に形成さ
れた導電層からなるパターンであることを特徴とする請
求項１記載の有機電界発光素子。
【請求項７】位置合わせマークが第一電極層上に形成さ
れた導電層からなるパターンであり、かつ、前記導電層
上に絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１
記載の有機電界発光素子。
【請求項８】第一電極層が導電層からなるパターンと同
一平面形状にパターニングされていることを特徴とする
請求項６もしくは７記載の有機電界発光素子。
【請求項９】請求項１記載の有機電界発光素子の製造方
法であって、基板上の少なくとも一部分に形成された光
吸収性もしくは光反射性を有する層をパターニングする
ことで位置合わせマークを形成することを特徴とする有
機電界発光素子の製造方法。
【請求項１０】第一電極をパターニングした後、前記第
一電極に位置合わせして光吸収性もしくは光反射性を有
する絶縁層をパターニングすると同時に、前記絶縁層の
一部を利用して位置合わせマークを形成することを特徴
とする請求項９記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１１】第一電極層上の少なくとも一部分に形成
した導電層をパターニングすることで位置合わせマーク
を形成することを特徴とする請求項９記載の有機電界発
光素子の製造方法。
【請求項１２】第一電極層上の少なくとも一部分に形成
した導電層を前記第一電極層と同時にパターニングする
ことで、前記第一電極層と前記導電層とが同一平面形状
にパターニングされた位置合わせマークを形成すること
を特徴とする請求項９記載の有機電界発光素子の製造方
法。
【請求項１３】導電層をパターニングした後に、前記導
電層上に絶縁層を形成することを特徴とする請求項１１
または１２記載の有機電界発光素子の製造方法。