CN109273518A - 显示基板及其制造方法、显示装置及其控制方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 393
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 42
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 23
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 21
- OOLUVSIJOMLOCB-UHFFFAOYSA-N 1633-22-3 Chemical compound C1CC(C=C2)=CC=C2CCC2=CC=C1C=C2 OOLUVSIJOMLOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- CPHGOBGXZQKCKI-UHFFFAOYSA-N 4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C=NC(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 CPHGOBGXZQKCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 claims description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 725
- 230000006870 function Effects 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- -1 bithiophene ethylene derivative Chemical class 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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- G—PHYSICS
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- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
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Abstract
本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置及其控制方法,属于显示技术领域。显示基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的第一像素层和第二像素层,第一像素层的子像素单元阵列排布形成多个第一像素列,第二像素层的子像素单元阵列排布形成多个第二像素列,多个第一像素列在衬底基板上的正投影与多个第二像素列在衬底基板上的正投影错开。本申请解决了显示装置的功能单一的问题,有助于丰富显示装置的功能。本申请用于OLED显示。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置及其控制方法。
背景技术
有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode;简称:OLED)显示装置是一种具有自主发光功能的显示装置,其具有厚度薄、重量轻、响应速度快、视角广以及色彩丰富等优点,广泛应用于显示行业。
OLED显示装置包括显示基板,显示基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的一个单面发光像素层,该单面发光像素层包括阵列排布的多个子像素单元,每个子像素单元包括依次叠加的透明阳极、发光层和金属阴极,在透明阳极与金属阴极之间的电压差的作用下发光层发光,使得OLED显示装置实现显示功能。
但是,上述OLED显示装置只能实现二维(英文:Two Dimensional;简称:2D)显示功能,因此上述OLED显示装置的功能单一。
发明内容
本申请提供一种显示基板及其制造方法、显示装置及其控制方法,可以解决显示装置的功能单一的问题。本申请的技术方案如下:
第一方面,提供一种显示基板,所述显示基板包括:
衬底基板以及设置在所述衬底基板上的第一像素层和第二像素层,所述第一像素层的子像素单元阵列排布形成多个第一像素列,所述第二像素层的子像素单元阵列排布形成多个第二像素列,所述多个第一像素列在所述衬底基板上的正投影与所述多个第二像素列在所述衬底基板上的正投影错开;
在所述第一像素层和所述第二像素层均存在处于亮态的子像素单元时,所述显示基板处于2D显示模式,所述第一像素层和所述第二像素层发射出的光线能够从所述显示基板的同一面射出;
在所述第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,所述第二像素层存在处于亮态的子像素单元时,所述显示基板处于3D显示模式,所述第二像素层发射出的光线能够通过所述第一像素层从所述显示基板的一面射出。
可选地,所述第一像素层为单面发光像素层,所述第二像素层为双面发光像素层,所述第一像素层的出光面为所述第一像素层远离所述第二像素层的一面,所述显示基板还包括:设置在所述第一像素层与所述第二像素层之间的第一变色层,以及,设置在所述第二像素层远离所述第一像素层的一侧的第二变色层,所述第一变色层和所述第二变色层均具有透光态和遮光态,
在所述第一像素层和所述第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,所述第一变色层处于透光态,所述第二变色层处于遮光态时,所述显示基板处于2D显示模式,所述第一像素层和所述第二像素层发射出的光线能够从所述显示基板的第一显示面射出;
在所述第一像素层中的所有子像素单元均处于暗态,所述第二像素层存在处于亮态的子像素单元,所述第一变色层处于透光态,所述第二变色层处于遮光态时,所述显示基板处于3D显示模式,所述第二像素层发射出的光线能够通过所述第一变色层和所述第一像素层从所述显示基板的第一显示面射出;
在所述第一像素层和所述第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,所述第一变色层处于遮光态,所述第二变色层处于透光态时,所述显示基板处于双面显示模式,所述第一像素层发射出的光线能够从所述显示基板的第一显示面射出,所述第二像素层发射出的光线能够通过所述第二变色层从所述显示基板的第二显示面射出;
其中,所述第一显示面为所述第一像素层远离所述衬底基板的一面,所述第二显示面与所述第一显示面相对。
可选地,所述第一变色层和所述第二变色层均为整层结构;或者,
所述第一变色层为由多个第一光栅条构成的光栅结构,所述第二变色层为由多个第二光栅条构成的光栅结构,所述多个第一光栅条、所述多个第二光栅条和所述多个第二像素列这三者在所述衬底基板上的正投影一一对应重合。
可选地,所述第一变色层和所述第二变色层均为光致变色层,且所述第一变色层与所述第二变色层不同。
可选地,所述第一变色层为红外光致变色层,所述第二变色层为紫外光致变色层。
可选地,所述第一变色层的形成材料为掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,所述第二变色层的形成材料为掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二双二苯咪唑对环芳烷。
可选地,所述第一像素层和所述第二像素层位于所述衬底基板的不同板面所在侧,所述第一变色层位于所述衬底基板与所述第一像素层之间。
可选地,所述第一像素层的每个子像素单元包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠加的金属阴极、发光层和透明阳极,所述第二像素层的每个子像素单元包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠加的透明阳极、发光层和透明阴极。
可选地,第一像素列的宽度a、任意相邻的两个第一像素列之间的距离b以及人眼瞳距i满足关系式b=ia/(i+a)。
第二方面,提供一种显示基板的制造方法,所述方法包括:
在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层,所述第一像素层的子像素单元阵列排布形成多个第一像素列,所述第二像素层的子像素单元阵列排布形成多个第二像素列,所述多个第一像素列在所述衬底基板上的正投影与所述多个第二像素列在所述衬底基板上的正投影错开;
其中,在所述第一像素层和所述第二像素层均存在处于亮态的子像素单元时,所述显示基板处于2D显示模式,所述第一像素层和所述第二像素层发射出的光线能够从所述显示基板的同一面射出;
在所述第一像素层中的所有子像素单元均处于暗态,所述第二像素层存在处于亮态的子像素单元时,所述显示基板处于3D显示模式,所述第二像素层发射出的光线能够通过所述第一像素层从所述显示基板的一面射出。
可选地,在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层之前,所述方法还包括:在衬底基板的第一板面上形成第一变色层,所述第一变色层具有透光态和遮光态;
所述在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层,包括:
在所述衬底基板形成有所述第一变色层的第一板面上形成第一像素层,所述第一像素层为单面发光像素层,所述第一像素层的出光面为所述第一像素层远离所述第一变色层的一面;
在所述衬底基板的第二板面上形成第二像素层,所述第二像素层为双面发光像素层;
在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层之后,所述方法还包括:
在所述衬底基板形成有所述第二像素层的第二板面上形成第二变色层,所述第二变色层具有透光态和遮光态;
其中,在所述第一像素层和所述第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,所述第一变色层处于透光态,所述第二变色层处于遮光态时,所述显示基板处于2D显示模式,所述第一像素层和所述第二像素层发射出的光线能够从所述显示基板的第一显示面射出;
在所述第一像素层中的所有子像素单元均处于暗态,所述第二像素层存在处于亮态的子像素单元,所述第一变色层处于透光态,所述第二变色层处于遮光态时,所述显示基板处于3D显示模式,所述第二像素层发射出的光线能够通过所述第一变色层和所述第一像素层从所述显示基板的第一显示面射出;
在所述第一像素层和所述第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,所述第一变色层处于遮光态,所述第二变色层处于透光态时,所述显示基板处于双面显示模式,所述第一像素层发射出的光线能够从所述显示基板的第一显示面射出,所述第二像素层发射出的光线能够通过所述第二变色层从所述显示基板的第二显示面射出;
所述第一显示面为所述第一像素层远离所述衬底基板的一面,所述第二显示面与所述第一显示面相对。
可选地,所述在衬底基板的第一板面上形成第一变色层,包括:采用掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,在衬底基板的第一板面上形成第一变色层;
所述在所述衬底基板形成有所述第二像素层的第二板面上形成第二变色层,包括:采用掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二双二苯咪唑对环芳烷,在所述衬底基板形成有所述第二像素层的第二板面上形成第二变色层。
可选地,所述在所述衬底基板形成有所述第一变色层的第一板面上形成第一像素层,所述第一像素层为单面发光像素层,所述第一像素层的出光面为所述第一像素层远离所述第一变色层的一面,包括:在所述衬底基板形成有所述第一变色层的第一板面上形成依次叠加的金属阴极、发光层和透明阳极;
所述在所述衬底基板的第二板面上形成第二像素层,所述第二像素层为双面发光像素层,包括:在所述衬底基板的第二板面上形成依次叠加的透明阳极、发光层和透明阴极。
第三方面,提供一种显示装置,所述显示装置包括第一方面或第一方面的任一可选方式所述的显示基板、红外光源和紫外光源,所述红外光源和所述紫外光源均设置在所述显示装置内。
可选地,所述红外光源位于所述第一变色层的侧面,所述紫外光源位于所述第二变色层的侧面。
第四方面,提供一种显示装置的控制方法,用于第三方面或第三方面的可选方式所述的显示装置,所述方法包括:控制所述第一像素层和所述第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,禁止所述红外光源发光,并控制所述紫外光源发光,所述显示基板处于2D显示模式,所述第一像素层和所述第二像素层发射出的光线能够从所述显示基板的第一显示面射出,所述第一显示面为所述第一像素层远离所述衬底基板的一面。
第五方面,提供一种显示装置的控制方法,用于第三方面或第三方面的可选方式所述的显示装置,所述方法包括:控制所述第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,控制所述第二像素层存在处于亮态的子像素单元,禁止所述红外光源发光,并控制所述紫外光源发光,所述显示基板处于3D显示模式,所述第二像素层发射出的光线能够通过所述第一变色层和所述第一像素层从所述显示基板的第一显示面射出,所述第一显示面为所述第一像素层远离所述衬底基板的一面。
第六方面,提供一种显示装置的控制方法,用于第三方面或第三方面的可选方式所述的显示装置,所述方法包括:控制所述第一像素层和所述第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,控制所述红外光源发光,并禁止所述紫外光源发光,所述显示基板处于双面显示模式,所述第一像素层发射出的光线能够从所述显示基板的第一显示面射出,所述第二像素层发射出的光线能够通过所述第二变色层从所述显示基板的第二显示面射出,所述第一显示面为所述第一像素层远离所述衬底基板的一面,所述第二显示面与所述第一显示面相对。
本申请提供的技术方案带来的有益效果是:
本申请提供的显示基板及其制造方法、显示装置及其控制方法,在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的同一面射出;在第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,第二像素层存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一像素层从显示基板的一面射出。由于显示基板具有2D显示模式和3D显示模式,因此显示基板的功能丰富,从而显示装置的功能丰富。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的,并不能限制本申请。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一种传统的显示基板的结构示意图;
图2是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图;
图3是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图;
图4是本申请实施例提供的再一种显示基板的结构示意图;
图5是本申请实施例提供的一种显示基板的部分区域的放大图;
图6是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图;
图7是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图;
图8是本申请实施例提供的一种显示装置的控制方法的方法流程图;
图9是本申请实施例提供的另一种显示装置的控制方法的方法流程图;
图10是本申请实施例提供的显示装置处于2D显示模式的工作状态示意图;
图11是本申请实施例提供的显示装置处于3D显示模式的工作状态示意图;
图12是本申请实施例提供的显示装置处于双面显示模式的工作状态示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
OLED显示装置包括显示基板,请参考图1,其示出了一种传统的显示基板的结构示意图,该显示基板包括衬底基板01以及设置在衬底基板01上的单面发光像素层02,该单面发光像素层02包括阵列排布的多个子像素单元(图1中未标出),每个子像素单元包括依次叠加的透明阳极(图1中未示出)、发光层(图1中未示出)和金属阴极(图1中未示出),在透明阳极与金属阴极之间的电压差的作用下发光层发光,使得该显示基板实现显示功能,从而显示装置实现显示功能。但是,该显示基板只能实现2D显示功能,其功能单一,导致显示装置的功能单一,而随着时代的发展,显示装置朝着多功能和高集成度的方向发展,图1所示的显示基板难以满足显示装置的多功能和高集成度的要求。
本申请实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置及其控制方法,显示基板具有2D显示功能和3D显示功能,并且该显示基板还可以具有双面显示功能,因此该显示基板的功能丰富,从而包括该显示基板的显示装置的功能丰富,该显示基板能够满足显示装置的多功能和高集成度的要求。本申请的详细方案请参考下述实施例的描述。
请参考图2,其示出了本申请实施例提供的一种显示基板1的结构示意图,参见图2,该显示基板1包括衬底基板11以及设置在衬底基板11上的第一像素层12和第二像素层13,第一像素层12包括多个子像素单元121,第二像素层13包括多个子像素单元131,第一像素层12的子像素单元121阵列排布形成多个第一像素列(图2中未标出),第二像素层13的子像素单元131阵列排布形成多个第二像素列(图2中未标出),多个第一像素列在衬底基板11上的正投影与多个第二像素列在衬底基板11上的正投影错开。
在第一像素层12和第二像素层13均存在处于亮态的子像素单元时,显示基板1处于2D显示模式,第一像素层12和第二像素层13发射出的光线能够从显示基板1的同一面射出;在第一像素层12中的所有子像素单元121处于暗态,第二像素层13存在处于亮态的子像素单元131时,显示基板1处于3D显示模式,第二像素层13发射出的光线能够通过第一像素层12从显示基板1的一面射出。
综上所述,本申请实施例提供的显示基板,在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的同一面射出;在第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,第二像素层存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一像素层从显示基板的一面射出。由于显示基板具有2D显示模式和3D显示模式,因此,显示基板的功能丰富,从而显示装置的功能丰富。
可选地,第一像素层12和第二像素层13均包括红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元,第一像素层12的子像素单元121在衬底基板11上的正投影与第二像素层13的子像素单元131在衬底基板11上的正投影错开,并且,第一像素层12和第二像素层13中,不同颜色的子像素单元在衬底基板11上的正投影错开。示例地,第二像素层13的蓝色子像素单元在衬底基板11上的正投影位于第一像素层12的相邻的红色子像素单元和绿色子像素单元在衬底基板11上的正投影之间,第一像素层12的绿色子像素单元在衬底基板11上的正投影位于第二像素层13的蓝色子像素单元和红色子像素单元在衬底基板11上的正投影之间。需要说明的是,实际应用中,第一像素层12和第二像素层13还可以包括其他颜色的子像素单元,例如包括黄色子像素单元等,本申请实施例对此不做限定。
可选地,第一像素层12为单面发光像素层,第二像素层13为双面发光像素层,第一像素层12的出光面为第一像素层12远离第二像素层13的一面,请参考图3,其示出了本申请实施例提供的另一种显示基板1的结构示意图,在图2的基础上,该显示基板1还包括:设置在第一像素层12与第二像素层13之间的第一变色层14以及设置在第二像素层13远离第一像素层12的一侧的第二变色层15,第一变色层14和第二变色层15均具有透光态和遮光态,在一些实施场景中,透光态也称为透明态或开启(on)态,遮光态也称为非透明态、不透明态或关闭(off)态,第一变色层14和第二变色层15均可以在透光态与遮光态之间切换。
在图3所示的显示基板1中,在第一像素层12和第二像素层13均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层14处于透光态,第二变色层15处于遮光态时,显示基板1处于2D显示模式,第一像素层12和第二像素层13发射出的光线能够从显示基板1的第一显示面射出;在第一像素层12中的所有子像素单元121均处于暗态,第二像素层13存在处于亮态的子像素单元131,第一变色层14处于透光态,第二变色层15处于遮光态时,显示基板1处于3D显示模式,第二像素层13发射出的光线能够通过第一变色层14和第一像素层12从显示基板1的第一显示面射出;在第一像素层12和第二像素层13均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层14处于遮光态,第二变色层15处于透光态时,显示基板1处于双面显示模式,第一像素层12发射出的光线能够从显示基板1的第一显示面射出,第二像素层13发射出的光线能够通过第二变色层15从显示基板1的第二显示面25射出;其中,第一显示面为第一像素层12远离衬底基板11的一面,第二显示面与第一显示面相对。
可选地,如图2和图3所示,第一像素层12和第二像素层13位于衬底基板11的不同板面所在侧,如图3所示,第一变色层14位于衬底基板11与第一像素层12之间,第一显示面为第一像素层12远离衬底基板11的一面,第二显示面为第二变色层15远离衬底基板11的一面。
可选地,如图3所示,第一变色层14和第二变色层15均为整层结构,也即是,第一变色层14和第二变色层15的表面平整且不具有图案;或者,请参考图4,其示出了本申请实施例提供的再一种显示基板1的结构示意图,参见图4,第一变色层14为由多个第一光栅条141(图4中仅标出一个)构成的光栅结构,第二变色层15为由多个第二光栅条151(图4中仅标出一个)构成的光栅结构,多个第一光栅条141、多个第二光栅条151和多个第二像素列这三者在衬底基板11上的正投影一一对应重合。其中,图4所示的光栅结构为间歇式光栅结构,将第一变色层14和第二变色层15设置为光栅结构可以节省第一变色层14和第二变色层15的形成材料,降低显示基板1的制造成本。当第一变色层14为多个第一光栅条141构成的光栅结构时,第一变色层14与第一像素层12可以同层设置也可以异层设置,图4示出的是同层设置的情况,当第一变色层14与第一像素层12异层设置时,第一变色层14通常位于第一像素层12下方,此时,可以采用透明绝缘材料对每相邻的两个第一光栅条141之间的区域进行充填,以便于能够在第一变色层14上设置第一像素层12,透明绝缘材料可以为光刻胶、玻璃或石英等,本申请实施例对此不做限定。
可选地,第一变色层14和第二变色层15均为光致变色层,且第一变色层14与第二变色层15不同。可以采用一特定波长的光线照射第一变色层14使第一变色层14在透光态与遮光态之间切换,采用另一特定波长的光线照射第二变色层15使第二变色层15在透光态与遮光态之间切换。示例地,第一变色层14为红外光致变色层,第一变色层14的形成材料为掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,可以采用红外光线照射第一变色层14使第一变色层14在透光态与遮光态之间切换;第二变色层15为紫外光致变色层,第二变色层15的形成材料为掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二双二苯咪唑对环芳烷,可以采用紫外光线照射第二变色层15使第二变色层15在透光态与遮光态之间切换。需要说明的是,本申请实施例所述的第一变色层14和第二变色层15仅仅是示例性的,第一变色层14和第二变色层15可以是任何能够在透光态与遮光态之间切换的膜层,此外,在一些实施场景中,光致变色层也称为光致变色功能层,例如,红外光致变色层也称为红外光致变色功能层,紫外光致变色层也称为紫外光致变色功能层,本申请实施例对此不做限定。
可选地,如图2至图4所示,第一像素列的宽度a、任意相邻的两个第一像素列之间的距离b以及人眼瞳距i满足关系式b=ia/(i+a),这样可以便于显示基板1实现3D显示模式。在本申请实施例中,第一像素层12中的所有子像素单元121的宽度可以相等,沿垂直于第一像素列的长度方向(沿垂直于第一像素列的长度方向例如图2至图4中的方向x)排布的子像素单元121中,任意相邻的两个子像素单元121之间的距离与除该任意相邻的两个子像素单元121之外的任意相邻的两个子像素单元121之间的距离相等,则根据图2至图4不难理解,第一像素列的宽度a也即是第一像素层12中的子像素单元121的宽度,任意相邻的两个第一像素列之间的距离b也即是沿垂直于第一像素列的长度方向排布的子像素单元121中,任意相邻的两个子像素单元121之间的距离。
可选地,显示基板1为OLED显示基板,子像素单元121和子像素单元131均可以为OLED显示单元,OLED显示单元通常包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的发光层。请参考图5,其示出了图3所示的显示基板1的区域Q的放大图,参见图5,第一像素层12的每个子像素单元121(图5中仅示出一个)包括沿远离衬底基板11的方向依次叠加的金属阴极1211、发光层1212和透明阳极1213,第二像素层13的每个子像素单元131(图5中仅示出一个)包括沿远离衬底基板11的方向依次叠加的透明阳极1311、发光层1312和透明阴极1313。由于子像素单元121包括沿远离衬底基板11的方向依次叠加的金属阴极1211、发光层1212和透明阳极1213,金属阴极1211可以对发光层1212发出的光线进行遮挡而透明阳极1213能够使发光层1212发出的光线透射,因此子像素单元121为单面发光像素单元,第一像素层12为单面发光像素层;由于子像素单元131包括沿远离衬底基板11的方向依次叠加的透明阳极1311、发光层1312和透明阴极1313,透明阳极1311和透明阴极1313均能够使发光层1312发出的光线透射,因此子像素单元131为双面发光像素单元,第二像素层13为双面发光像素层。
在本申请实施例中,衬底基板11可以为可以为透明基板,其可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的硬质基板,例如玻璃基板,或者,衬底基板11为采用聚酰亚胺(英文:Polyimide;简称:PI)等柔性材料形成的柔性基板;金属阴极1211可以为采用金属Mo(中文:钼)、金属Cu(中文:铜)、金属Al(中文:铝)、金属Ti(中文:钛)及其合金材料制成的金属电极;透明阴极1313在实际应用中可以为半透明阴极,其可以采用半透明金属等导电材料形成;发光层1212和发光层1312均可以采用有机发光材料制成,不难理解,红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元这三者中的发光层的形成材料不同,示例地,红色子像素单元中的发光层的形成材料为红色有机发光材料,绿色子像素单元中的发光层的形成材料为绿色有机发光材料,蓝色子像素单元中的发光层的形成材料为蓝色有机发光材料,其中,某种颜色的有机发光材料指的是在电压的作用下发出相应颜色的光线的有机材料,例如,红色有机发光材料指的是在电压的作用下发出红色光线的有机材料;透明阳极1213和透明阳极1311均可以为采用氧化铟锡(英文:Indium tinoxide;简称:ITO)、氧化铟锌(英文:Indium zinc oxide;简称:IZO)或掺铝氧化锌(英文:aluminum-doped zinc oxide;简称:ZnO:Al)等金属氧化物制成的透明电极,且透明阳极1213的形成材料与透明阳极1311的形成材料可以相同或不同,本申请实施例对此不做限定。
需要说明的是,在本申请实施例是以第一变色层14为红外光致变色层,第二变色层15为紫外光致变色层为例进行说明的,实际应用中,第一变色层14可以是紫外光致变色层,第二变色层15可以是红外光致变色层。此外,图2至图4示出的各个功能层(第一像素层12、第二像素层13、第一变色层14和第二变色层15)与衬底基板11的位置关系仅仅是示例性的,各个功能层与衬底基板11的位置关系可以根据实际需要调整,例如,第一像素层12和第二像素层13可以位于衬底基板11的同一侧,第一变色层14可以位于衬底基板11与第二像素层13之间等,本申请实施例不对各个功能层与衬底基板11的位置关系进行限定,只要能保证第二像素层13发射出的光线能够经过第一像素层12,且第一变色层14能够对第二像素层13靠近第一像素层12的发光面发射出的光线进行遮挡即可,任何在图2至图4任一所示的显示基板1的基础上的变形得到的显示基板都属于本申请的保护方案。
还需要说明的是,本申请实施例所述的第一像素层12为单面发光像素层,第二像素层13为双面发光像素层,以及第一像素层12的出光面的描述仅仅是示例性的,对于如图2所示的显示基板1,第一像素层12和第二像素层13可以为出光面位于同一侧的单面发光像素层,不难理解,根据第一像素层12和第二像素层13的出光面的不同,显示基板1的显示面不同。例如,第一像素层12的出光面为第一像素层12远离衬底基板11的一面,第二像素层13的出光面为第二像素层13靠近第一像素层12的一面,在第一像素层12和第二像素层13均存在处于亮态的子像素单元时,显示基板1处于2D显示模式,第一像素层12和第二像素层13发射出的光线均从显示基板1的第一像素层12所在侧射出,在第一像素层12中的所有子像素单元121处于暗态,第二像素层13存在处于亮态的子像素单元131时,显示基板1处于3D显示模式,第二像素层13发射出的光线通过第一像素层12从显示基板1的第一像素层12所在侧射出。或者,第一像素层12的出光面为第一像素层12靠近衬底基板11的一面,第二像素层13的出光面为第二像素层13远离第一像素层12的一面,在第一像素层12和第二像素层13均存在处于亮态的子像素单元时,显示基板1处于2D显示模式,第一像素层12和第二像素层13发射出的光线均从显示基板1的第二像素层13所在侧射出;在第二像素层13中的所有子像素单元131处于暗态,第一像素层12存在处于亮态的子像素单元121时,显示基板1处于3D显示模式,第一像素层12发射出的光线通过第二像素层13从显示基板1的第二像素层13所在侧射出,本申请实施例在此不再赘述。
最后需要说明的是,图2至图5仅仅示出了显示基板中与本申请相关的结构,除图2至图5示出的结构外,显示基板还包括薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称:TFT)、像素定义层、封装结构等,在此不再赘述。
综上所述,本申请实施例提供的显示基板,在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于透光态,第二变色层处于遮光态时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出;在第一像素层中的所有子像素单元均处于暗态,第二像素层存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于透光态,第二变色层处于遮光态时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一变色层和第一像素层从显示基板的第一显示面射出;在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于遮光态,第二变色层处于透光态时,显示基板处于双面显示模式,第一像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出,第二像素层发射出的光线能够通过第二变色层从显示基板的第二显示面射出。由于显示基板具有2D显示模式、3D显示模式和双面显示模式,因此显示基板的功能丰富,从而显示装置的功能丰富。此外,本申请实施例提供的显示基板将2D显示功能、3D显示功能和双面显示功能合一,相比于仅具有一种显示功能的显示基板,该显示基板可以达到节省材料、降低成本的效果。
本申请实施例提供的显示基板可以应用于下文的制造方法,本申请实施例中显示基板的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。
本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图,该显示基板的制造方法可以用于制造图2至图4任一所示的显示基板1,该方法包括:
在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层,第一像素层的子像素单元阵列排布形成多个第一像素列,第二像素层的子像素单元阵列排布形成多个第二像素列,多个第一像素列在衬底基板上的正投影与多个第二像素列在衬底基板上的正投影错开;
其中,在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的同一面射出;在第一像素层中的所有子像素单元均处于暗态,第二像素层存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一像素层从显示基板的一面射出。
可选地,在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层之前,该方法还包括:在衬底基板的第一板面上形成第一变色层,第一变色层具有透光态和遮光态;
在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层,包括:
在衬底基板形成有第一变色层的第一板面上形成第一像素层,第一像素层为单面发光像素层,第一像素层的出光面为第一像素层远离第一变色层的一面;
在衬底基板的第二板面上形成第二像素层,第二像素层为双面发光像素层;
在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层之后,该方法还包括:
在衬底基板形成有第二像素层的第二板面上形成第二变色层,第二变色层具有透光态和遮光态;
其中,在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于透光态,第二变色层处于遮光态时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出;
在第一像素层中的所有子像素单元均处于暗态,第二像素层存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于透光态,第二变色层处于遮光态时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一变色层和第一像素层从显示基板的第一显示面射出;
在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于遮光态,第二变色层处于透光态时,显示基板处于双面显示模式,第一像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出,第二像素层发射出的光线能够通过第二变色层从显示基板的第二显示面射出;
第一显示面为第一像素层远离衬底基板的一面,第二显示面与第一显示面相对。
可选地,在衬底基板的第一板面上形成第一变色层,包括:采用掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,在衬底基板的第一板面上形成第一变色层;
在衬底基板形成有第二像素层的第二板面上形成第二变色层,包括:采用掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二双二苯咪唑对环芳烷,在衬底基板形成有第二像素层的第二板面上形成第二变色层。
可选地,在衬底基板形成有第一变色层的第一板面上形成第一像素层,第一像素层为单面发光像素层,包括:在衬底基板形成有第一变色层的第一板面上形成依次叠加的金属阴极、发光层和透明阳极;
在衬底基板的第二板面上形成第二像素层,第二像素层为双面发光像素层,包括:在衬底基板的第二板面上形成依次叠加的透明阳极、发光层和透明阴极。
上述所有可选技术方案,可以采用任意结合形成本申请的可选实施例,在此不再一一赘述。
综上所述,本申请实施例提供的显示基板的制造方法,在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的同一面射出;在第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,第二像素层存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一像素层从显示基板的一面射出。由于显示基板具有2D显示模式和3D显示模式,因此显示基板的功能丰富,从而显示装置的功能丰富。
请参考图6,其示出了本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图,该方法可以用于制造图2至图4任一所示的显示基板1,本实施例以制造图3所示的显示基板1为例进行说明。参见图6,该方法包括如下步骤:
步骤601、在衬底基板的第一板面上形成第一变色层,第一变色层具有透光态和遮光态。
如图3所示,第一变色层14具有透光态和遮光态,且第一变色层14能够在透光态与遮光态之间切换。在本申请实施例中,第一变色层14可以为红外光致变色层,第一变色层14的形成材料可以为掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,在衬底基板11的第一板面(图3中未标出)上形成第一变色层14可以包括:采用掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,在衬底基板11的第一板面上形成第一变色层14。
可选地,通过磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文:PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition;简称:PECVD)等工艺在衬底基板11的第一板面上沉积一层具有一定厚度的掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物作为第一变色层14。
需要说明的是,若第一变色层14为图4所示的光栅结构,则采用掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,在衬底基板11的第一板面(图4中未标出)上形成第一变色层14可以包括:通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在衬底基板11的第一板面上沉积一层具有一定厚度的掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,然后通过一次构图工艺对沉积的掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物进行处理得到第一变色层14;或者,通过喷墨打印工艺在衬底基板11的第一板面上打印掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,以形成第一变色层14。
步骤602、在衬底基板形成有第一变色层的第一板面上形成第一像素层,第一像素层的子像素单元阵列排布形成多个第一像素列。
如图3所示,第一像素层12为单面发光像素层,第一像素层12的出光面为第一像素层12远离第一变色层14的一面,第一像素层12包括多个子像素单元121,第一像素层12的多个子像素单元121阵列排布形成多个第一像素列。结合图5,每个子像素单元121包括沿远离衬底基板11的方向依次叠加的金属阴极1211、发光层1212和透明阳极1213,在衬底基板11形成有第一变色层14的第一板面上形成第一像素层12包括:在衬底基板11形成有第一变色层14的第一板面上形成依次叠加的金属阴极1211、发光层1212和透明阳极1213,金属阴极1211的形成材料可以为采用金属Mo、金属Cu、金属Al、金属Ti及其合金材料,发光层1212的形成材料可以为有机发光材料,透明阳极1213的形成材料可以为ITO、IZO或ZnO:Al等金属氧化物,示例地,在衬底基板11形成有第一变色层14的第一板面上形成依次叠加的金属阴极1211、发光层1212和透明阳极1213至少包括如下三个步骤:
步骤(1)、通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在衬底基板11形成有第一变色层14的第一板面上沉积一层金属Mo得到金属Mo材质层,通过一次构图工艺对金属Mo材质层进行处理得到金属阴极1211。
步骤(2)、通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在衬底基板11形成有金属阴极1211的第一板面上沉积一层有机发光材料得到发光材质层,通过一次构图工艺对发光材质层进行处理得到发光层1212。其中,第一像素层12包括不同颜色的子像素单元,不同颜色的子像素单元中的发光层1212的形成材料不同,该步骤(2)为形成一种颜色的子像素单元中的发光层1212的过程,实际应用中,可以重复执行步骤(2)以形成不同颜色的子像素单元中的发光层1212。
步骤(3)、通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在衬底基板11形成有发光层1212的第一板面上沉积一层ITO得到ITO材质层,通过一次构图工艺对ITO材质层进行处理得到透明阳极1213。
步骤603、在衬底基板的第二板面上形成第二像素层,第二像素层的子像素单元阵列排布形成多个第二像素列,多个第二像素列在衬底基板上的正投影与多个第一像素列在衬底基板上的正投影错开。
如图3所示,第二像素层13为双面发光像素层,第二像素层13包括多个子像素单元131,第二像素层13的多个子像素单元131阵列排布形成多个第二像素列。结合图5,每个子像素单元131包括沿远离衬底基板11的方向依次叠加的透明阳极1311、发光层1312和透明阴极1313,在衬底基板11的第二板面(图3中未标出)上形成第二像素层13包括:在衬底基板11的第二板面上形成依次叠加的透明阳极1311、发光层1312和透明阴极1313,详细的实现过程可以参考步骤602中形成第一像素层12的过程,本申请实施例在此不再赘述。
步骤604、在衬底基板形成有第二像素层的第二板面上形成第二变色层,第二变色层具有透光态和遮光态。
如图3所示,第二变色层15具有透光态和遮光态,且第二变色层15能够在透光态与遮光态之间切换。在本申请实施例中,第二变色层15为紫外光致变色层,第二变色层15的形成材料可以为掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二双二苯咪唑对环芳烷,在衬底基板11形成有第二像素层13的第二板面上形成第二变色层15可以包括:采用掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二双二苯咪唑对环芳烷,在衬底基板11形成有第二像素层13的第二板面上形成第二变色层15,该第二变色层15的详细形成过程可以参考步骤601中第一变色层14的形成过程,本申请实施例在此不再赘述。
需要说明的是,该图6所示的显示基板的制造方法所涉及的一次构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离,通过一次构图工艺对材质层(例如ITO材质层)进行处理包括:在材质层上涂覆一层光刻胶形成光刻胶层,采用掩膜版对光刻胶层进行曝光,使得光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区,之后采用显影工艺处理,使完全曝光区的光刻胶被完全去除,非曝光区的光刻胶全部保留,采用刻蚀工艺对材质层上完全曝光区对应的区域进行刻蚀,最后剥离非曝光区的光刻胶得到相应的结构。这里是以光刻胶为正性光刻胶为例进行说明的,当光刻胶为负性光刻胶时,一次构图工艺的过程可以参考本段的描述,本申请实施例在此不再赘述。
还需要说明的是,本申请实施例提供的方法制造的显示基板中,在第一像素层12和第二像素层13均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层14处于透光态,第二变色层15处于遮光态时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层12和第二像素层13发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出;在第一像素层12中的所有子像素单元均处于暗态,第二像素层13存在处于亮态的子像素单元,第一变色层14处于透光态,第二变色层15处于遮光态时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层13发射出的光线能够通过第一变色层14和第一像素层12从显示基板的第一显示面射出;在第一像素层12和第二像素层13均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层14处于遮光态,第二变色层15处于透光态时,显示基板处于双面显示模式,第一像素层12发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出,第二像素层13发射出的光线能够通过第二变色层15从显示基板的第二显示面射出;第一显示面为第一像素层12远离衬底基板11的一面,第二显示面与第一显示面相对。根据本段的描述不难理解,本申请提供的方法制造的显示基板具有2D显示模式、3D显示模式和双面显示模式。
综上所述,本申请实施例提供的显示基板的制造方法,在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于透光态,第二变色层处于遮光态时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出;在第一像素层中的所有子像素单元均处于暗态,第二像素层存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于透光态,第二变色层处于遮光态时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一变色层和第一像素层从显示基板的第一显示面射出;在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于遮光态,第二变色层处于透光态时,显示基板处于双面显示模式,第一像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出,第二像素层发射出的光线能够通过第二变色层从显示基板的第二显示面射出。由于显示基板具有2D显示模式、3D显示模式和双面显示模式,因此显示基板的功能丰富,从而显示装置的功能丰富。
本申请实施例还提供了一种显示装置,该显示装置可以为OLED显示装置,包括图2至图4任一所示的显示基板1。当该显示装置包括图3或图4所示的显示基板1,且第一变色层14为红外光致变色层,第二变色层15为紫外光致变色层时,该显示装置还可以包括红外光源和紫外光源。
示例地,请参考图7,其示出了本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图,该图7以显示装置包括图3所示的显示基板1为例进行说明,包括图4所示的显示基板1的显示装置的结构可以参考该图7。参见图7,该显示装置包括:图3所示的显示基板1、红外光源2和紫外光源3,红外光源2和紫外光源3均设置在显示装置内,且红外光源2位于显示基板1的第一变色层14的侧面,紫外光源3位于显示基板1的第二变色层15的侧面。其中,红外光源2和紫外光源3均可以包括发射器(图7中未示出)和接收器(图7中未示出),发射器用于发射光线,接收器用于接收光线,通过对发射器和接收器进行调节可以使光源发射出单一波长的光线,从而可以使光源发射出相应颜色的光线。例如,通过对红外光源2的发射器和接收器进行调节使红外光源2发射出红外光线,通过对紫外光源3的发射器和接收器进行调节使紫外光源3发射出紫外光线。
需要说明的是,实际应用中,显示装置还可以包括控制电路(图7中未示出)和外壳(图7中未示出),可以由控制电路控制红外光源2和紫外光源3发光,红外光源2和紫外光源3设置在显示装置内指的是红外光源2和紫外光源3设置在显示装置的外壳内。此外,图7所示的红外光源2和紫外光源3的设置位置仅仅是示例性的,实际应用中,红外光源2和紫外光源3可以设置在显示装置内的任意位置,只要保证红外光源2发射出的红外光线能够射入第一变色层14而不会射入第二变色层15,紫外光源3发射出的紫外光线能够射入第二变色层15而不会射入第一变色层14即可,本申请实施例不对红外光源2和紫外光源3的设置位置进行限定。
可选地,本申请实施例提供的显示装置可以为手表、手环等可穿戴设备,手机、平板电脑等移动终端,或者,电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述,本申请实施例提供的显示装置,在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的同一面射出;在第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,第二像素层存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一像素层从显示基板的一面射出。由于显示基板具有2D显示模式和3D显示模式,因此显示基板的功能丰富,从而显示装置的功能丰富。
本申请实施例提供的显示装置可以应用于下文的控制方法,本申请实施例中显示基板的控制方法和原理可以参见下文各实施例中的描述。
请参考图8,其示出了本申请实施例提供的一种显示装置的控制方法的方法流程图,该显示装置可以为上述实施例提供的显示装置。参见图8,该方法包括如下步骤:
步骤801、控制第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的同一面射出。
步骤802、控制第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,并控制第二像素层存在处于亮态的子像素单元,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一像素层从显示基板的一面射出。
可选地,步骤801包括:控制第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,禁止红外光源发光,并控制紫外光源发光,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出,第一显示面为第一像素层远离衬底基板的一面。
可选地,步骤802包括:控制第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,控制第二像素层存在处于亮态的子像素单元,禁止红外光源发光,并控制紫外光源发光,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一变色层和第一像素层从显示基板的第一显示面射出,第一显示面为第一像素层远离衬底基板的一面。
可选地,该方法还包括:控制第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,控制红外光源发光,并禁止紫外光源发光,显示基板处于双面显示模式,第一像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出,第二像素层发射出的光线能够通过第二变色层从显示基板的第二显示面射出,第一显示面为第一像素层远离衬底基板的一面,第二显示面与第一显示面相对。
上述所有可选技术方案,可以采用任意结合形成本申请的可选实施例,在此不再一一赘述。
综上所述,本申请实施例提供的显示装置的控制方法,在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的同一面射出;在第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,第二像素层存在处于亮态的子像素单元时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一像素层从显示基板的一面射出。由于显示基板具有2D显示模式和3D显示模式,因此显示基板的功能丰富,从而显示装置的功能丰富。
请参考图9,其示出了本申请实施例提供的另一种显示装置的控制方法的方法流程图,该显示装置可以为上述实施例提供的显示装置,本实施例以显示装置为图7所示的显示装置为例进行说明。参见图9,该方法包括如下步骤:
步骤901、控制第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,禁止红外光源发光,并控制紫外光源发光,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出。
请参考图10,其示出了本申请实施例提供的一种显示装置处于2D显示模式的工作状态示意图,参见图7和图10,在禁止红外光源2发光时,由于没有红外光线照射至第一变色层14,因此第一变色层14处于透光态;在控制紫外光源3发光时,紫外光源3发射出的紫外光线能够照射至第二变色层15,因此第二变色层15处于遮光态。该步骤901中,在控制第一像素层12和第二像素层13均存在处于亮态的子像素单元,禁止红外光源2发光,并控制紫外光源3发光时,第一变色层14处于透光态而第二变色层15处于遮光态,第一变色层14能够使第二像素层13发射的光线透射,第二变色层15能够对第二像素层13发射的光线遮挡,因此第二像素层13发射的光线依次通过衬底基板11、第一变色层14和第一像素层12从显示基板1的第一显示面射出,第一像素层12发射的光线直接从显示基板1的第一显示面射出,此时显示基板1处于2D显示模式,显示装置处于2D显示模式。
步骤902、控制第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,控制第二像素层存在处于亮态的子像素单元,禁止红外光源发光,并控制紫外光源发光,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一变色层和第一像素层从显示基板的第一显示面射出。
请参考图11,其示出了本申请实施例提供的一种显示装置处于3D显示模式的工作状态示意图,参见图7和图11,在禁止红外光源2发光时,由于没有红外光线照射至第一变色层14,因此第一变色层14处于透光态;在控制紫外光源3发光时,紫外光源3发射出的紫外光线能够照射至第二变色层15,因此第二变色层15处于遮光态。该步骤902中,在控制第一像素层12的所有子像素单元121处于暗态,控制第二像素层13存在处于亮态的子像素单元131,禁止红外光源2发光,并控制紫外光源3发光时,第一变色层14处于透光态而第二变色层15处于遮光态,第一变色层14能够使第二像素层13发射的光线透射,第二变色层15能够对第二像素层13发射的光线遮挡,因此第二像素层13发射的光线依次通过衬底基板11、第一变色层14和第一像素层12上相邻的第一像素列之间的区域从显示基板1的第一显示面射出,由于第一像素层12的子像素单元121形成多个第一像素列,在第一像素层12的所有子像素单元121处于暗态时,该第一像素层12构成光栅,第二像素层13发射的光线通过第一像素层12上相邻的第一像素列之间的区域从显示基板1的第一显示面射出,此时显示基板1处于3D显示模式,显示装置处于3D显示模式。
步骤903、控制第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,控制红外光源发光,并禁止紫外光源发光,显示基板处于双面显示模式,第一像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出,第二像素层发射出的光线能够通过第二变色层从显示基板的第二显示面射出。
请参考图12,其示出了本申请实施例提供的一种显示装置处于双面显示模式的工作状态示意图,参见图7和图12,在控制红外光源2发光时,红外光源2发射出的红外光线能够照射至第一变色层14,因此第一变色层14处于遮光态;在禁止紫外光源3发光时,由于没有紫外光线照射至第二变色层15,因此第二变色层15处于透光态。该步骤903中,在控制第一像素层12和第二像素层13均存在处于亮态的子像素单元,控制红外光源2发光,并禁止紫外光源3发光时,第一变色层14处于遮光态而第二变色层15处于透光态,第二变色层15能够使第二像素层13发射的光线透射,第一变色层14能够对第二像素层13发射的光线遮挡,因此第一像素层12发射的光线直接从显示基板1的第一显示面射出,第二像素层13发射的光线通过第二变色层15从显示基板1的第二显示面射出,第一显示面与第二显示面相对,由于第一像素层12和第二像素层13发射出的光线从显示基板1相对的两个显示面射出,因此显示基板1处于双面显示模式,显示装置处于双面显示模式。
结合上述步骤901至步骤903容易理解,显示基板1的第一显示面为第一像素层12远离衬底基板11的一面,第二显示面与第一显示面相对,像素层发光指的是像素层的子像素单元发光,控制像素层存在处于亮态的子像素单元也即是控制像素层的至少一个子像素单元发光,例如,控制第一像素层12存在处于亮态的子像素单元121也即是控制第一像素层12的至少一个子像素单元121发光,控制第二像素层13存在处于亮态的子像素单元131也即是控制第二像素层13的至少一个子像素单元131发光。在本申请实施例中,显示装置可以包括控制电路,可以由控制电路控制子像素单元发光,并控制变色层的状态切换,例如,由控制电路控制红外光源2打开来控制红外光源2发光使第一变色层14处于遮光态,由控制电路控制红外光源2关闭来禁止红外光源2发光使第一变色层14处于透光态;又例如,由控制电路控制紫外光源3打开来控制紫外光源3发光使第二变色层15处于遮光态,由控制电路控制紫外光源3关闭来禁止紫外光源3发光使第二变色层15处于透光态。
可选地,参见图5、图7以及图10至图12,第一像素层12的子像素单元121包括沿远离衬底基板11的方向依次叠加的金属阴极1211、发光层1212和透明阳极1213,则控制第一像素层12中的任一子像素单元121发光包括:通过控制电路向该任一子像素单元121的金属阴极1211和透明阳极1213施加电信号,该任一子像素单元121的发光层1212在透明阳极1311和透明阴极1313的作用下发光,从而该任一子像素单元121发光。第二像素层13的子像素单元131包括沿远离衬底基板11的方向依次叠加的透明阳极1311、发光层1312和透明阴极1313,则控制第二像素层13的任一个子像素单元131发光包括:通过控制电路向该任一子像素单元131的透明阳极1311和透明阴极1313施加电信号,使该任一子像素单元131的发光层1312在透明阳极1311和透明阴极1313的作用下发光,从而该任一子像素单元131发光。
需要说明的是,上述步骤901至903不能理解为对显示装置的控制方法的限定,具体来讲,上述步骤901至903并不代表控制显示装置进行图像显示时的先后顺序,仅仅是用于表示显示装置所具有的三种显示模式。
综上所述,本申请实施例提供的显示装置的控制方法,在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于透光态,第二变色层处于遮光态时,显示基板处于2D显示模式,第一像素层和第二像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出;在第一像素层中的所有子像素单元均处于暗态,第二像素层存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于透光态,第二变色层处于遮光态时,显示基板处于3D显示模式,第二像素层发射出的光线能够通过第一变色层和第一像素层从显示基板的第一显示面射出;在第一像素层和第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,第一变色层处于遮光态,第二变色层处于透光态时,显示基板处于双面显示模式,第一像素层发射出的光线能够从显示基板的第一显示面射出,第二像素层发射出的光线能够通过第二变色层从显示基板的第二显示面射出。由于显示基板具有2D显示模式、3D显示模式和双面显示模式,因此显示基板的功能丰富,从而显示装置的功能丰富。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成,也可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。
以上所述仅为本申请的可选实施例,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (15)
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:
衬底基板以及设置在所述衬底基板上的第一像素层和第二像素层,所述第一像素层的子像素单元阵列排布形成多个第一像素列,所述第二像素层的子像素单元阵列排布形成多个第二像素列,所述多个第一像素列在所述衬底基板上的正投影与所述多个第二像素列在所述衬底基板上的正投影错开。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素层为单面发光像素层,所述第二像素层为双面发光像素层,所述第一像素层的出光面为所述第一像素层远离所述第二像素层的一面,所述显示基板还包括:设置在所述第一像素层与所述第二像素层之间的第一变色层,以及,设置在所述第二像素层远离所述第一像素层的一侧的第二变色层,所述第一变色层和所述第二变色层均具有透光态和遮光态。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,
所述第一变色层和所述第二变色层均为整层结构;或者,
所述第一变色层为由多个第一光栅条构成的光栅结构,所述第二变色层为由多个第二光栅条构成的光栅结构,所述多个第一光栅条、所述多个第二光栅条和所述多个第二像素列这三者在所述衬底基板上的正投影一一对应重合。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一变色层为红外光致变色层,所述第二变色层为紫外光致变色层。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一变色层的形成材料为掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,所述第二变色层的形成材料为掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二双二苯咪唑对环芳烷。
6.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素层和所述第二像素层位于所述衬底基板的不同板面所在侧,所述第一变色层位于所述衬底基板与所述第一像素层之间。
7.根据权利要求1至6任一项所述的显示基板,其特征在于,第一像素列的宽度a、任意相邻的两个第一像素列之间的距离b以及人眼瞳距i满足关系式b=ia/(i+a)。
8.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层,所述第一像素层的子像素单元阵列排布形成多个第一像素列,所述第二像素层的子像素单元阵列排布形成多个第二像素列,所述多个第一像素列在所述衬底基板上的正投影与所述多个第二像素列在所述衬底基板上的正投影错开。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,
在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层之前,所述方法还包括:
在衬底基板的第一板面上形成第一变色层,所述第一变色层具有透光态和遮光态;
所述在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层,包括:
在所述衬底基板形成有所述第一变色层的第一板面上形成第一像素层,所述第一像素层为单面发光像素层,所述第一像素层的出光面为所述第一像素层远离所述第一变色层的一面;
在所述衬底基板的第二板面上形成第二像素层,所述第二像素层为双面发光像素层;
在衬底基板上形成第一像素层和第二像素层之后,所述方法还包括:
在所述衬底基板形成有所述第二像素层的第二板面上形成第二变色层,所述第二变色层具有透光态和遮光态。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
所述在衬底基板的第一板面上形成第一变色层,包括:采用掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二噻吩乙烯衍生物,在衬底基板的第一板面上形成第一变色层;
所述在所述衬底基板形成有所述第二像素层的第二板面上形成第二变色层,包括:采用掺杂二氧化钛纳米颗粒或氧化锌纳米颗粒的二双二苯咪唑对环芳烷,在所述衬底基板形成有所述第二像素层的第二板面上形成第二变色层。
11.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至7任一项所述的显示基板,当所述显示装置包括权利要求4或5所述的显示基板时,所述显示装置还包括:红外光源和紫外光源,所述红外光源和所述紫外光源均设置在所述显示装置内。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,所述红外光源位于所述第一变色层的侧面,所述紫外光源位于所述第二变色层的侧面。
13.一种显示装置的控制方法,其特征在于,用于权利要求11或12所述的显示装置,所述方法包括:控制所述第一像素层和所述第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,禁止所述红外光源发光,并控制所述紫外光源发光,所述显示基板处于2D显示模式,所述第一像素层和所述第二像素层发射出的光线能够从所述显示基板的第一显示面射出,所述第一显示面为所述第一像素层远离所述衬底基板的一面。
14.一种显示装置的控制方法,其特征在于,用于权利要求11或12所述的显示装置,所述方法包括:控制所述第一像素层中的所有子像素单元处于暗态,控制所述第二像素层存在处于亮态的子像素单元,禁止所述红外光源发光,并控制所述紫外光源发光,所述显示基板处于3D显示模式,所述第二像素层发射出的光线能够通过所述第一变色层和所述第一像素层从所述显示基板的第一显示面射出,所述第一显示面为所述第一像素层远离所述衬底基板的一面。
15.一种显示装置的控制方法,其特征在于,用于权利要求11或12所述的显示装置,所述方法包括:控制所述第一像素层和所述第二像素层均存在处于亮态的子像素单元,控制所述红外光源发光,并禁止所述紫外光源发光,所述显示基板处于双面显示模式,所述第一像素层发射出的光线能够从所述显示基板的第一显示面射出,所述第二像素层发射出的光线能够通过所述第二变色层从所述显示基板的第二显示面射出,所述第一显示面为所述第一像素层远离所述衬底基板的一面,所述第二显示面与所述第一显示面相对。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811420234.6A CN109273518A (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 显示基板及其制造方法、显示装置及其控制方法 |
PCT/CN2019/097903 WO2020107917A1 (en) | 2018-11-26 | 2019-07-26 | Display substrate, display apparatus, method of controlling display substrate, and method of fabricating display substrate |
US16/632,221 US11088213B1 (en) | 2018-11-26 | 2019-07-26 | Display substrate, display apparatus, method of controlling display substrate, and method of fabricating display substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811420234.6A CN109273518A (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 显示基板及其制造方法、显示装置及其控制方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109273518A true CN109273518A (zh) | 2019-01-25 |
Family
ID=65191520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811420234.6A Pending CN109273518A (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 显示基板及其制造方法、显示装置及其控制方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11088213B1 (zh) |
CN (1) | CN109273518A (zh) |
WO (1) | WO2020107917A1 (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110335885A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-10-15 | 上海天马微电子有限公司 | 显示模组及显示模组的显示方法、显示装置 |
WO2020107917A1 (en) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display apparatus, method of controlling display substrate, and method of fabricating display substrate |
CN111415964A (zh) * | 2020-04-17 | 2020-07-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示屏以及显示装置 |
CN111863858A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-30 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
WO2021184459A1 (zh) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板 |
CN114170919A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-11 | Tcl华星光电技术有限公司 | 双面显示面板及双面显示拼接屏 |
CN115101573A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-09-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素排列结构及显示面板 |
WO2022236846A1 (zh) * | 2021-05-10 | 2022-11-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 双面显示面板及双面显示装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220100752A (ko) * | 2021-01-08 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN116400541A (zh) * | 2023-04-04 | 2023-07-07 | 深圳谱晶科技有限公司 | 显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104297968A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
CN104658437A (zh) * | 2015-03-17 | 2015-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN104765157A (zh) * | 2015-05-06 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其显示方法、显示装置 |
US20160011428A1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Three-Dimensional (3D) Display Device |
CN105304677A (zh) * | 2015-09-24 | 2016-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及显示装置、显示系统 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104155791B (zh) | 2014-07-11 | 2017-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种双面显示面板以及双面显示装置 |
CN109273518A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置及其控制方法 |
-
2018
- 2018-11-26 CN CN201811420234.6A patent/CN109273518A/zh active Pending
-
2019
- 2019-07-26 US US16/632,221 patent/US11088213B1/en active Active
- 2019-07-26 WO PCT/CN2019/097903 patent/WO2020107917A1/en active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160011428A1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Three-Dimensional (3D) Display Device |
CN104297968A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
CN104658437A (zh) * | 2015-03-17 | 2015-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN104765157A (zh) * | 2015-05-06 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其显示方法、显示装置 |
CN105304677A (zh) * | 2015-09-24 | 2016-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及显示装置、显示系统 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020107917A1 (en) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display apparatus, method of controlling display substrate, and method of fabricating display substrate |
CN110335885A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-10-15 | 上海天马微电子有限公司 | 显示模组及显示模组的显示方法、显示装置 |
WO2021184459A1 (zh) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板 |
US12004399B2 (en) | 2020-03-19 | 2024-06-04 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display panel |
CN111415964A (zh) * | 2020-04-17 | 2020-07-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示屏以及显示装置 |
CN111863858A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-30 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
CN111863858B (zh) * | 2020-06-30 | 2024-04-16 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
WO2022236846A1 (zh) * | 2021-05-10 | 2022-11-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 双面显示面板及双面显示装置 |
CN114170919A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-11 | Tcl华星光电技术有限公司 | 双面显示面板及双面显示拼接屏 |
CN115101573A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-09-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素排列结构及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11088213B1 (en) | 2021-08-10 |
US20210225954A1 (en) | 2021-07-22 |
WO2020107917A1 (en) | 2020-06-04 |
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