CN109817664B - 显示基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板及其制备方法、显示面板。该显示基板包括至少一个第一子像素和至少一个第二子像素,第一子像素包括第一发光元件,第二子像素包括第二发光元件,第一发光元件配置为出射面的法线具有第一方向,第二发光元件配置为出射面的法线具有第二方向。该显示基板具有三维显示功能,并且显示图像的亮度和分辨率显著提高。
Description
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
三维显示技术相比于二维显示技术的显示图像具有立体感,更加逼真,所以愈发受到用户的青睐,尤其是裸眼式三维显示技术摆脱了眼镜的束缚,具有更广阔的应用前景。
但是,相比于二维显示技术,当前的三维显示产品的显示图像的亮度和分辨率等较低,影响用户的体验。
发明内容
本公开至少一个实施例提供一种显示基板,该显示基板包括至少一个第一子像素和至少一个第二子像素,所述第一子像素包括第一发光元件,所述第二子像素包括第二发光元件,所述第一发光元件配置为出射面的法线具有第一方向,所述第二发光元件配置为出射面的法线具有第二方向。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第一发光元件和所述第二发光元件都具有发光结构,所述发光结构包括第一反光层、与所述第一反光层相对的第二反光层以及设置于所述第一反光层和所述第二反光层之间的发光层,所述第二反光层位于所述显示基板的出光侧,并且在所述发光结构的出光方向上,所述第一反光层包括与所述第二反光层重叠的第一部分和未与所述第二反光层重叠的第二部分。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第二部分所在面与所述发光结构的出射面的法线方向垂直。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第二部分所在面与所述显示基板所在面的夹角约为15~45度。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第二部分位于所述第一反光层的靠近所述显示基板的出光侧的一端。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第二部分与所述第一反光层的面积比为5%~15%。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第一部分的靠近所述第二部分的一端与所述第二反光层的间距大于所述第一部分的远离所述第二部分的一端与所述第二反光层的间距。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,从所述第一部分的远离所述第二部分的一端至所述第一部分的靠近所述第二部分的一端,所述第一反光层和所述第二反光层之间的间距逐渐增加。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第一反光层的至少所述第二部分的表面为平面或者曲面。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述发光结构包括有机发光器件,所述发光层为有机发光层,所述有机发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的所述有机发光层,所述第二电极位于所述显示基板的出光侧。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第一电极配置为所述第一反光层;和/或所述第二电极配置为所述第二反光层。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第一发光元件和所述第二发光元件中的至少一个还包括:光学介质层,位于所述第一反光层和所述发光层之间,或者位于所述第二反光层和所述发光层之间。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第一发光元件和所述第二发光元件都具有发光结构,所述发光结构包括第一反光层以及设置于所述第一反光层上的发光层,所述发光层位于所述显示基板的出光侧,并且所述第一反光层所在面相对于所述显示基板所在面为斜面。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,所述第一反光层所在面与所述显示基板所在面的夹角为15~45度。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板,包括上述任一实施例中的显示基板。
本公开至少一个实施例提供一种显示基板的制备方法,其中,所述显示基板包括至少一个第一子像素和至少一个第二子像素,所述方法包括:在所述第一子像素中形成第一发光元件以及在所述第二子像素中形成第二发光元件;其中,所述第一发光元件形成为出射面的法线具有第一方向,所述第二发光元件形成为所述发射面的法线具有第二方向。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中,所述第一发光元件和所述第二发光元件都包括发光结构,形成所述发光结构包括:形成第一反光层、与所述第一反光层相对的第二反光层以及在所述第一反光层和所述第二反光层之间形成发光层,所述第二反光层位于所述显示基板的出光侧;其中,在所述发光结构的出光方向上,所述第一反光层包括与所述第二反光层重叠的第一部分和未与所述第二反光层重叠的第二部分。
例如,本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法还包括:在所述第一反光层和所述发光层之间或所述发光层和所述第二反光层之间形成光学介质层。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中,所述第一发光元件和所述第二发光元件都包括发光结构,形成所述发光结构包括:形成第一反光层以及在所述第一反光层上形成发光层,所述发光层形成在所述显示基板的出光侧;其中,所述第一反光层所在面相对于所述显示基板所在面为斜面。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为本公开一个实施例提供的一种显示基板的平面图;
图2为图1所示显示基板沿M-N的截面图;
图3A为图2所示显示基板的局部结构示意图;
图3B为图3A所示显示基板中的发光结构的光路图;
图4为本公开一个实施例提供的显示基板的另一种局部结构示意图;
图5为本公开一个实施例提供的另一种显示基板的截面图;
图6为本公开一个实施例提供的另一种显示基板的截面图;
图7为图6所示显示基板的局部结构示意图;
图8A为本公开一个实施例提供的另一种显示基板的平面图;
图8B为图8A所示显示基板沿E-F的截面图;以及
图9A~图9F为本公开一个实施例提供的一种显示基板的制备方法的过程图。
附图标记:
100-发光结构;110-第一反光层;111-第一部分;112-第二部分;120-第二反光层;130-发光层;140-第一电极;150-第二电极;160-光学介质层;200-基底;300-像素界定层;310-凹槽;400-掩模板;410-第一区域;420-第二区域;430-第三区域;1000-第一子像素;1100-第一发光元件;1110-第一方向;2000-第二子像素;2100-第二发光元件;2110-第二方向。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开至少一个实施例提供一种显示基板,该显示基板包括至少一个第一子像素和至少一个第二子像素,第一子像素包括第一发光元件,第二子像素包括第二发光元件,第一发光元件配置为出射面的法线具有第一方向,第二发光元件配置为出射面的法线具有第二方向。例如,第一方向和第二方向交叉。该显示基板的第一子像素和第二子像素可以出射不同方向的光线,即二者出射的光线可以直接构成不同的视差图像,使得显示基板具有三维显示功能,如此,构成视差图像的光线没有减损,使得该视差图像具有较高的亮度。此外,显示基板不需要设置外部辅助元件(例如光栅等)或者对显示基板中的子像素单元的排布等进行调整,而且每个子像素单元发出的光线都可以被用户接收,可以保证显示基板提供的三维显示图像具有较高的分辨率。
下面,结合附图对根据本公开至少一个实施例中的显示基板及其制备方法、显示面板进行说明。
图1为本公开一个实施例提供的一种显示基板的平面图,图2为图1所示显示基板沿M-N的截面图。
本公开至少一个实施例提供一种显示基板,如图1和图2所示,该显示基板包括:至少一个第一子像素1000和至少一个第二子像素2000,第一子像素1000包括第一发光元件1100,第二子像素2000包括第二发光元件2100,第一发光元件1100配置为出射面的法线具有第一方向1110,第二发光元件2100配置为出射面的法线具有第二方向2110。例如,在本公开的实施例中,“出射面的法线”均指的是出射面的中心位置的法线。
如图2所示,第一方向1110和第二方向2110朝向显示侧且彼此交叉。如此,由多个第一子像素1000的出射光线构成的视差图像向第一方向1110传播,由多个第二子像素2000的出射光线构成的视差图像向第二方向2110传播,用户的左右眼分别接收不同的视差图像,使得显示基板具有三维显示功能。例如,第一子像素1000和第二子像素2000彼此一一对应,例如在显示装置的行方向(当显示装置竖直放置在底座上时的水平方向)相邻设置以形成子像素对,但是本公开的实施例不限于此种组合、排布方式。
第一子像素1000和第二子像素2000出射的光线可以直接进入用户的眼睛,构成视差图像的光线没有减损,使得该视差图像具有较高的亮度。此外,显示基板中的每个子像素单元发出的光线都可以被用户接收,可以保证显示基板提供的三维显示图像具有较高的分辨率。
需要说明的是,显示基板中的同一个子像素出射的光线存在一定的发散角度,并不完全向一个方向传播,但是通过设计子像素的出射面,可以使得子像素出射的光线趋向于同一个方向。例如,第一子像素1000中的第一发光元件1100配置为出射面的法线具有第一方向1110,以使第一子像素1000出射的光线会趋向于第一方向1110;第二子像素2000中的第二发光元件2100配置为出射面的法线具有第二方向2110,以使第二子像素2000出射的光线会趋向于第二方向2110。
例如,在本公开至少一个实施例中,如图2所示,显示基板还可以包括基底200。第一子像素1000中的第一发光元件1100以及第二子像素2000中的第二发光元件2100都位于基底200上。例如,基底200中可以设置有开关元件及控制电路等,可以对第一发光元件1100和第二发光元件2100的开关或者发光强度等进行控制。
为便于对显示基板中的各结构的位置进行说明,以如图2所示的基底200为参考建立空间坐标系。例如,X轴和Y轴与显示基板的基底200所在面平行,Z轴与基底200所在面垂直。此外,在下述实施例中,对显示基板中的各结构的方向的指定以该基底200为参考。示例性的,以第一发光元件1100为例,其“上表面”为远离基底200的表面,其“下表面”为靠近基底200的表面,其“上方”和“下方”的方向为Z轴方向,且“上方”为第一发光元件1100的远离基底200的一侧方向,“下方”为第一发光元件1100的靠近基底200的一侧方向,相应地,其“上端”为远离基底200的部分,其“下端”为靠近基底200的部分。
在本公开的实施例中,对第一发光元件1100和第二发光元件2100的具体化结构不做限制,只要第一发光元件1100的出射光线趋向于第一方向1110,第二发光元件2100的出射光线趋向于第二方向2110即可。
在本公开的实施例中,对第一发光元件和第二发光元件之间的结构关系不做限制。示例性的,如图1和图2所示,第一发光元件1100和第二发光元件2100的结构相似并且可以对称设置,如此,使得二者的发光方向不同。下面,以第一子像素1000为例,进一步分析显示基板的具体化结构。
图3A为图2所示显示基板的局部结构示意图,其为显示基板中的第一子像素1000的结构示意图。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,第一发光元件和第二发光元件都具有发光结构,该发光结构包括第一反光层、与第一反光层相对的第二反光层以及设置于第一反光层和第二反光层之间的发光层,第二反光层位于显示基板的出光侧,并且在发光结构的出光方向上,第一反光层包括与第二反光层重叠的第一部分和未与第二反光层重叠的第二部分。示例性的,如图2和图3A所示,第一发光元件1100和第二发光元件2100都可以具有发光结构100,发光结构100可以包括第一反光层110、与第一反光层110相对的第二反光层120以及设置于第一反光层110和第二反光层120之间的发光层130,第二反光层120位于显示基板的出光侧(即第二反光层120位于第一反光层110的上方),并且在发光结构100的出光方向上,第一反光层110包括与第二反光层120重叠的第一部分111和未与第二反光层120重叠的第二部分112。发光结构100中的发光层130发出的光线会在第一反光层110和第二反光层120之间全反射,然后集中在第一反光层110的第二部分112上并被第二部分112反射出去,如此,可以使得发光结构100的光线趋向于同一个方向(例如第一方向1110或者第二方向2110),提高发光结构100的出射光线的亮度。
在本公开的实施例中,如图2和图3A所示,发光结构100的出射面可以为第二部分112的上表面中参与反射光线的部分。示例性的,如果第二部分112的上表面都参与反射发光结构100中的光线,则第二部分112的上表面即为发光结构100的出射面。发光结构100中的光线通过第二部分112反射出来,如此,可以通过调整第二部分112所在面的方向以限定发光结构100的出射光的方向。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,第二部分所在面与发光结构的出射面的法线方向垂直。示例性的,在如图2和图3A所示的第一子像素1000中,发光结构100的第二部分112所在面与第一方向1110垂直。
在本公开的实施例中,对第二部分所在面的形状不做限制。第二部分所在面可以为平面也可以为曲面(例如弧形面)。示例性的,如图2和图3A所示,第二部分112所在面可以为弧形面,如此,可以进一步将反射的光线向第一方向1110汇聚,提高发光结构100的发射光的亮度。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,第二部分所在面与显示基板所在面的夹角约为15~45度,进一步例如约20度、约30度、约40度等。示例性的,如图2和图3A所示,第二部分112所在面和X轴的方向的夹角可以约为15~45度,相应地,可以使得第一方向1110和Z轴的方向的夹角Q的范围为15~45度。需要说明的是,在本公开的实施例中,对夹角Q的数值范围不做限制,可以根据实现三维显示图像的实际需求进行设计。
在本公开的实施例中,对发光结构中的出光位置(例如第一反光层的第二部分的位置)不做限制。例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,第二部分位于第一反光层的靠近显示基板的出光侧的一端。示例性的,如图2和图3A所示,在平行于第一方向1110的方向上,第一反光层110的上端部分未与第二反光层120重叠,且该部分作为第二部分112。第二部分112位于第一反光层110的靠近显示面板出光侧的一端,可以使得发光结构100的出射光线不会受到周边部件的阻挡,提高出光率。例如,第二部分112也可以位于第一反光层110的靠近基底200的一端,或者位于第一反光层110的其它位置,只要发光结构100中的光可以正常出射即可。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,如图2所示,第一子像素1000和第二子像素2000可以共用一个第二反光层120,如此,可以简化显示基板的制备工艺流程,降低成本。
在本公开的实施例中,对第二部分与第一反光层的面积比不做限制,可以根据实际需要进行设置,只要保证发光结构的出光量和出光方向满足要求即可。发光结构主要通过第二部分反射光线以形成视差图像,如果第二部分与第一反光层的面积比太小,则经由第二部分反射的光线有限,符合要求的出光量较低。如果第二部分与第一反光层的面积比增大,则发光结构的出射光线的发散程度可能增大,发光结构的出光方向可能增加。
例如,在本公开至少一个实施中,第二部分与第一反光层的面积比可以约为5%~15%,进一步例如约8%、10%、12%等。示例性的,如图2和图3A所示,第二部分112的远离基底200的表面的面积与第一反光层110的远离基底200的表面的面积之比可以为5%~15%。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,第一部分的靠近第二部分的一端与第二反光层的间距大于第一部分的远离第二部分的一端与第二反光层的间距。图3B为图3A所示显示基板中的发光结构的光路图。示例性的,如图3A和图3B所示,第一部分111的靠近第二部分112的一端与第二反光层120的间距大于第一部分111的远离第二部分112的一端与第二反光层120的间距,如此,发光层130发出的光线在反射过程中主要向靠近第二部分112的方向传播,可以增加发光结构100的出光量。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,从第一部分的远离第二部分的一端至第一部分的靠近第二部分的一端,第一反光层和第二反光层之间的间距逐渐增加。示例性的,如图3A和图3B所示,从第一部分111的远离第二部分112的一端至第一部分111的靠近第二部分112的一端的方向上,第一反光层110和第二反光层120之间的间距是渐变的。如此,可以进一步保证发光结构100中的反射光线向第二部分112传播,进一步增加发光结构100的出光量。
例如,在本公开至少一个实施例中,在不会影响发光结构的功能的情况下,在第一反光层的第一部分的远离第二部分的一端,将第一反光层和第二反光层设置为闭合结构,例如整体上呈楔形,使得发光结构中的光线只能从第二部分所在的区域反射出来,增加发光结构的出光量。
在本公开的实施例中,对第一反光层的表面形状不做限制。例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,第一反光层的至少第二部分的表面为平面或者曲面。第一反光层的第一部分的表面也可以为平面或者曲面,或者也可以为其它形状,只要能够使得发光结构内部的反射光线可以向第二部分传播即可。
需要说明的是,第二部分设置为斜面以与显示基板所在面存在一定的夹角,可以使得发光结构发出的光线趋向于固定的方向(例如第一方向1110和第二方向2110)。如图3A和图3B所示,第一反光层110的第一部分111也可以相对于基底200所在面为斜面。例如,第一部分111与基底200所在面的夹角约为15~45度,进一步例如约20度、约30度、约40度等。
在本公开的实施例中,对第一反光层的第一部分所在面的方向不做限制。例如,第一部分可以设置为所在面与基底所在面(基板所在面)平行。例如,第一部分也可以设置为所在面相对于基底所在面(基板所在面)为斜面(参考如图2和图3A所示实施例中的第二部分112的设置方式)。示例性的,如图3A和图3B所示,第一反光层110设置为斜面,如此,在不改变子像素(例如第一子像素1000)的设计尺寸的情况下,可以增加发光层130的面积,如此,可以增加发光结构100的出光量,提升显示基板的显示图像的亮度。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,发光结构可以包括有机发光器件,发光层为有机发光层,有机发光器件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机发光层,第二电极位于显示基板的出光侧。示例性的,如图2、图3A和图3B所示,发光结构100中的有机发光器件可以包括第一电极140、发光层130(有机发光层)和第二电极150,发光层130位于第一电极140和第二电极150之间。第一电极140和第二电极150向发光层130施加电压以使得发光层130发光。在本公开的实施例中,对有机发光器件的具体化结构不做限制,有机发光器件例如还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等。
例如,在本公开至少一个实施例中,有机发光器件中的至少部分结构可以设置为共用与第一子像素和第二子像素中。示例性的,如图2、图3A和图3B所示,第一子像素1000和第二子像素2000中的发光层130、第二电极150、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等中的至少一个可以设置为共用,如此,可以简化显示基板的制备工艺,降低成本。
在本公开的实施中,对有机发光器件中的发光层130(有机发光层)的制备材料不做限制。例如,发光层130的制备材料可以根据其发射光颜色(例如红光、绿光、蓝光或者白光等)的不同进行选择。例如,发光层130的制备材料包括荧光发光材料或磷光发光材料。例如,发光层130也可以采用掺杂体系,即在主体发光材料中混入掺杂材料来得到可用的发光材料。例如,主体发光材料可以采用金属化合物材料、蒽的衍生物、芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、或三芳胺聚合物等。
在本公开的实施中,对第一电极140和第二电极150的制备材料不做限制。例如,第一电极140和第二电极150中的一方可以设置为阳极,另一方可以设置为阴极。例如,阳极例如可由具有高功函数的透明导电材料形成,其电极材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等;阴极例如可由高导电性和低功函数的材料形成,其电极材料可以包括镁铝合金(MgAl)、锂铝合金(LiAl)等合金或者镁、铝、锂、银等单金属。
在本公开的实施例中,对有机发光器件在第一反光层上的分布不做限制,有机发光器件可以设置为覆盖第一反光层的全部区域,也可以设置为覆盖第一反光层的部分区域。但是,如果有机发光器件与第一反光层的第二部分重叠,则该重叠部分发出的光线可以直接从发光结构中射出,该部分光线的散射程度较大,会影响显示基板的显示图像的效果。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,有机发光器件中的有效发光区域可以只设置于第一反光层和第二反光层重合的区域。图4为本公开一个实施例提供的显示基板的另一种局部结构示意图。示例性的,如图4所示,在平行于第一方向1110的方向上,有机发光器件的第二电极150可以只设置于第一部分111上。如此,有机发光器件发出的光线都会在第一反光层110和第二反光层120之间全反射之后,再由第二部分112反射发出,可以使得发光结构100的出射光线的传播方向趋向于第一方向1110。实现上述技术效果的方案不限于此,例如,有机发光器件中的其它结构例如第一电极110、发光层130等也可以只设置在第一部分111上。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,第一电极可以配置为第一反光层;和/或第二电极可以配置为第二反光层。如此,可以简化发光结构的结构,简化基板的制备工艺,降低成本。
有机发光器件的厚度较小,在第一反光层110和第二反光层120之间只设置有机发光器件的情况下,光在第一反光层110和第二反光层120之间传播可能会发生干涉(例如干涉相消或者干涉相长)等现象,影响发光结构100的出光量和出光强度的均匀性。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,第一发光元件和第二发光元件中的至少一个还可以包括:光学介质层,设置于第一反光层和第二反光层之间。示例性的,如图3A、图3B和图4所示,发光结构100还可以包括设置于第一反光层110和第二反光层120之间的光学介质层160。光学介质层160可以增加第一反光层110和第二反光层120之间的间距,避免光在第一反光层110和第二反光层120之间发生干涉。此外,光学介质层160的厚度较大,可以对其进行构图工艺,通过改变光学介质层160的厚度以调节第一反光层110和第二反光层120之间的间距。示例性的,如图4所示,光学介质层160的厚度随至基底200的距离的增加而增大,如此,可以使得第一反光层110和第二反光层120之间的间距随至基底200的距离的增加而增大。
在本公开的实施例中,对光学介质层在第一反光层和第二反光层之间的具体位置不做限制。例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,光学介质层位于第一反光层和发光层之间;或者位于第二反光层和发光层之间。示例性的,如图3A、图3B和图4所示,光学介质层160位于第二反光层120和发光层130之间,在此情况下,第二电极150位于光学介质层160和发光层130之间,第二电极150可以配置为透明电极,使得发光层130发出的光线可以进入光学介质层160。或者,示例性的,光学介质层也可以位于第一反光层和发光层之间,相应地,第一电极位于光学介质层和发光层之间,第一电极可以配置为透明电极,使得发光层发出的光线可以进入光学介质层。
在本公开的实施例中,第一发光元件和第二发光元件中的发光结构不限于如图2、图3A、图3B和图4中所示的结构,只要第一发光元件中的发光结构的出射光趋向于第一方向以及第二发光元件中的发光结构的出射光趋向于第二方向即可。
图5为本公开一个实施例提供的另一种显示基板的截面图。例如,在本公开至少一个实施例中,如图5所示,相邻的第一子像素1000和第二子像素2000位于同一个凹槽310中且二者中的发光层130可以单独设置以发出不同颜色的光线。需要说明的是,图5所示的第二电极150也可以设置为第一子像素1000和第二子像素2000的公共电极,也可以单独设置于第一子像素1000和第二子像素2000中。例如,在每一个发光结构100中,发光层130可以设置为覆盖有机发光器件的第一电极140,如此,发光层130可以将第二反光层120或者第二电极150与第一电极140间隔开,避免影响有机发光器件的性能。
示例性的,如图5所示,第一子像素1000和第二子像素2000中的发光结构100共用第二反光层120,发光结构100中的其他结构(例如第一反光层110、第一电极120、发光层130、第二电极150或者光学介质层160等)也可以单独设置,如此,在发光结构100的靠近基底200的一端,可以进一步减小第一反光层110和第二反光层120的间隔距离,进一步提升发光结构100的远离基底200的一端(对应于第一反光层110的第二部分112)的出光量。例如,可以利用真空蒸镀等方式制备如图5所示的发光结构100中的至少部分结构例如发光层130等,可以在不同子像素中形成不同类型的发光层130。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,第一发光元件和第二发光元件都具有发光结构,发光结构包括第一反光层以及设置于第一反光层上的发光层,发光层位于显示基板的出光侧,并且第一反光层所在面相对于显示基板所在面为斜面。图6为本公开一个实施例提供的另一种显示基板的截面图,图7为图6所示显示基板的局部结构示意图。示例性的,如图6和图7所示,发光结构100包括第一反光层110以及设置于第一反光层110的远离基底200一侧的发光层130,第一反光层110所在面与显示基板所在面相交。如此,发光层130发出的光线中的大部分的传播方向会与第一反光层110所在面垂直,即第一发光元件1100中出射的光线的传播方向仍趋向于第一方向1110,第二发光元件2100中出射的光线的传播方向仍趋向于第二方向2110,使得显示基板可以实现三维显示。此外,第一反光层110设置为斜面,可以增加发光层130的面积,即增加了发光结构100的发光面积,提升显示基板的显示图像的亮度。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板中,第一反光层所在面与显示基板所在面的夹角为15~45度,进一步例如约20度、约30度、约40度等。
需要说明的是,与如图2和图3A所示的实施例中的发光结构相比,在如图6和图7所示的实施例中,发光结构100未设置第二反光层120,发光层130产生的光线直接出射或者由第一反光层110反射。所以,如图6和图7所示的实施例中的发光结构的具体化设计可以参考如图2和图3A所示的实施例中的发光结构,本公开的实施例在此不做赘述。
在本公开的实施例中,对发光结构中的第一反光层设计为斜面或者第一反光层中的第二部分设计为斜面的具体方式不做限制。
例如,在本公开至少一个实施例中,显示基板还包括设置于基底上的像素界定层,像素界定层限定发光结构的位置。示例性的,如图2、图3A、图3B、图4、图6和图7所示,基底200上可以设置有像素界定层300,发光结构100位于像素界定层300的凹槽310中。凹槽310的侧表面的部分区域或者全部区域设置为斜面,如此,可以使得形成在该侧表面上的第一反光层110具有相应的形状。形成上述结构的凹槽310的方法可以参考下述实施例(关于显示基板的制备方法的实施例)中的相关内容,本公开的实施例在此不做赘述。
在本公开的实施例中,对第一子像素和第二子像素在显示基板上的排布不做限制,对第一子像素的发光颜色和第二子像素的发光颜色的排布不做限制,只要多个第一子像素和多个第二子像素都可以构成视差图像,并且多个第一子像素构成的视差图像和多个第二子像素构成的视差图像不同,使得显示基板可以实现三维显示即可。
示例性的,如图1所示,多个第一子像素1000和多个第二子像素2000可以交替排布。进一步地,相邻的第一子像素1000和第二子像素2000可以成对设置于例如像素界定层300的一个凹槽310中。如此,可以简化显示基板的制备工艺(例如简化在像素界定层300中形成凹槽310的制备工艺)。
示例性的,图8A为本公开一个实施例提供的另一种显示基板的平面图,图8B为图8A所示显示基板沿E-F的截面图,图8B为图8A所示的相邻第一子像素1000的截面图。如图8A和图8B所示,多个相邻的第一子像素1000可以设置为一组,多个相邻的第二子像素2000可以设置为另一组,多个第一子像素1000和多个第二子像素2000以组的方式交替排布在显示基板上。例如,相邻的三个第一子像素1000为一组,每组第一子像素1000分别包括可以发出红、绿、蓝三种颜色光线的子像素,相邻的三个第二子像素2000为一组,每组第二子像素2000分别包括可以发出红、绿、蓝三种颜色光线的子像素。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板,包括上述任一实施例中的显示基板。例如,显示面板中的显示基板可以为柔性基板以应用于柔性显示领域。例如,在本公开实施例提供的显示面板中,可以在显示基板上设置触控基板以使得显示面板获得触控显示功能。
例如,该显示面板可以为电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。
本公开至少一个实施例提供一种显示基板的制备方法,其中,显示基板包括至少一个第一子像素和至少一个第二子像素,方法包括:在第一子像素中形成第一发光元件以及在第二子像素中形成第二发光元件;其中,第一发光元件形成为出射面的法线具有第一方向,第二发光元件形成为发射面的法线具有第二方向。例如,第一方向和第二方向交叉。在利用上述制备方法获得的显示基板中,第一子像素和第二子像素可以出射不同方向的光线,即二者出射的光线可以直接构成不同的视差图像,使得显示基板具有三维显示功能,如此,构成视差图像的光线没有减损,使得该视差图像具有较高的亮度。此外,显示基板的每个子像素单元发出的光线都可以被用户接收,可以保证显示基板提供的三维显示图像具有较高的分辨率。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中,第一发光元件和第二发光元件都包括发光结构,形成发光结构包括:形成第一反光层、与第一反光层相对的第二反光层以及在第一反光层和第二反光层之间形成发光层,第二反光层位于显示基板的出光侧;其中,在发光结构的出光方向上,第一反光层包括与第二反光层重叠的第一部分和未与第二反光层重叠的第二部分。在由上述制备方法获得的显示基板中,发光结构中的发光层发出的光线会在第一反光层和第二反光层之间全反射,然后集中在第一反光层的第二部分上并被第二部分反射出去,如此,可以使得发光结构的光线趋向于同一个方向(例如第一方向或者第二方向),提高发光结构的出射光线的亮度。
例如,本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法还包括:在第一反光层和发光层之间或发光层和第二反光层之间形成光学介质层。光学介质层可以增加第一反光层和第二反光层之间的间距,避免光在第一反光层和第二反光层之间发生干涉。
例如,在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中,第一发光元件和第二发光元件都包括发光结构,形成发光结构包括:形成第一反光层以及在第一反光层上形成发光层,发光层形成在显示基板的出光侧;其中,第一反光层所在面相对于显示基板所在面为斜面。第一反光层形成为斜面,可以增加发光层的面积,即增加了发光结构的发光面积,提升显示基板的显示图像的亮度。
需要说明的是,通过上述制备方法获得的显示基板的具体化结构,可以参考前述实施例(关于显示基板的实施例)中的相关内容,本公开的实施例在此不做赘述。
下面,在本公开至少一个实施例中,对显示基板的制备方法进行说明,图9A~图9F为本公开一个实施例提供的一种显示基板的制备方法的过程图。例如图9A~图9F所示,以制备如图2所示的显示基板为例,本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法可以包括如下过程。
如图9A所示,提供基底200并且在所述基底200上沉积绝缘材料薄膜以形成像素界定层300。基底200可以为阵列基板,基底200中可以设置有多个开关元件例如薄膜晶体管以及相应的控制电路等。基底200的制备方式可以参考常规阵列基板的制备方法,本公开的实施例在此不做赘述。
例如,用于形成像素界定层300的材料可以为正性光刻胶。
如图9B和图9C所示,提供掩模板400,然后对像素界定层300进行曝光、显影,然后在像素界定层300中形成凹槽310。
例如,掩模板400可以包括第一区域410、第二区域420和第三区域430,第一区域410可以为透明区域,第二区域420可以为透光率渐变区域,第三区域430为遮光区域。例如,第一区域410和与其相邻的第二区域420用于形成凹槽310,第一区域410位于两个第二区域420之间,第二区域420对应于欲形成的凹槽310的侧表面。从第二区域420的靠近第三区域430的一端至第二区域420的靠近第一区域410的一端的方向(图9B和图9C中的箭头“→”的方向)上,第二区域420的透光率逐渐增加,如此,在对像素界定层300曝光、显影后可以形成如图9C中所示的凹槽310。
需要说明的是,掩模板400的具体设计可以根据凹槽300的具体形状来选择。例如,如果凹槽310的两个侧表面相连(例如凹槽的截面形状为弧形),掩模板400中也可以不设置第一区域410。
如图9D所示,在基底200上沉积反光材料薄膜并对其进行构图工艺以形成第一反光层110。
本公开的实施例对第一反光层110的制备材料不做限制。例如,第一反光层110的制备材料可以包括金属例如金、银、铜、铝等及其合金。需要说明的是,在第一反光层110的材料为导电材料的情况下,第一子像素1000和第二子像素2000中的第一反光层110为彼此间隔设置;在第一反光层110的材料为绝缘材料的情况下,第一子像素1000和第二子像素2000中的第一反光层110可以为彼此间隔设置,也可以为一体化设置。
例如,在本公开至少一个实施例中,构图工艺例如可以为光刻构图工艺,其例如可以包括:在需要被构图的结构层上涂覆光阻材料(photoresist)膜(光刻胶),光阻材料膜的涂覆可以采用旋涂、刮涂或者辊涂的方式;接着使用掩模板对光阻材料层进行曝光,对曝光的光阻材料层进行显影以得到光阻材料图案;然后使用光阻材料图案作为掩膜对结构层进行蚀刻;最后剥离剩余的光阻材料以形成需要的图案结构。
在本公开的实施例中,对凹槽310中形成第一反光层110的具体方式不做限制。例如,在本公开至少一个实施例中,可以通过磁控溅射或者真空蒸镀等方式在凹槽310中形成第一反光层110。
如图9E所示,在凹槽310中形成有机发光器件,即分别在第一子像素1000和第二子像素2000中形成有机发光器件。
例如,形成有机发光器件的过程可以包括:在凹槽310中依次形成第一电极140、有机发光层(发光层130)和第二电极150。例如,在不影响显示基板的显示功能的情况下,第一子像素1000中的第二电极150和第二子像素2000中的第二电极150可以设置为一体化结构,进一步的,第二电极150可以设置为覆盖显示基板的表面以作为所有子像素的公共电极,可以简化显示基板的制备工艺,降低成本。例如,如果第一反光层110可以作为有机发光器件的电极,也可以不需要再形成第一电极140。
例如,在形成第一电极140之前,可以对第一反光层110以及基底200的相关结构进行构图工艺以形成过孔,使得第一电极140可以与基底200中的开关元件电连接。例如,有机发光器中还可以形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等结构。形成有机发光器件的具体方法可以参考常规有机发光器件的制备方法,本公开的实施例在此不做赘述。例如,空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和第二电极150可以覆盖整个凹槽310以作为第一子像素1000和第二子像素2000的共用结构。例如,发光层130可以覆盖整个凹槽310以作为第一子像素1000和第二子像素2000的共用结构;或者可以通过例如真空蒸镀的方式在第一子像素1000和第二子像素2000中分别形成。
如图9F所示,在基底200上沉积透光材料薄膜并对其进行构图工艺以形成光学介质层160。例如,光学介质层160的厚度随至基底200的距离的增加而增大。
例如,光学介质层160的制备材料可以为光刻胶。形成如图9F所示形状的光学介质层160的方法,可以参考如图9B和图9C所示的形成凹槽310的相关说明,本公开的实施例在此不做赘述。
如图2所示,在基底200上沉积反光材料薄膜并对其进行构图工艺以形成第二反光层120。本公开的实施例对第二反光层120的制备材料不做限制。例如,第二反光层120的制备材料可以包括金属例如金、银、铜、铝等及其合金。
需要说明是,在如图9A~图9F和图2所示的显示基板的制备方法的过程中,可以不需要制备光学介质层160和第二反光层120,以形成如图6所示的显示基板。
本公开的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板,并且可以具有以下至少一项有益效果:
(1)本公开至少一个实施例提供一种显示基板,第一子像素和第二子像素可以出射不同方向的光线,即二者出射的光线可以直接构成不同的视差图像,使得显示基板具有三维显示功能,并且显示图像亮度和分辨率显著提高。
(2)在本公开至少一个实施例提供一种显示基板中,发光结构至少部分区域相对于显示基板所在面倾斜设置,可以增加发光结构的发光面积,进一步增加显示基板的显示图像的亮度。
对于本公开,还有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大或缩小,即这些附图并非按照实际的比例绘制。
(3)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (16)
1.一种显示基板,包括:
至少一个第一子像素和至少一个第二子像素;
其中,所述第一子像素包括第一发光元件,所述第二子像素包括第二发光元件,所述第一发光元件配置为出射面的法线具有第一方向,所述第二发光元件配置为出射面的法线具有第二方向,
所述第一发光元件和所述第二发光元件都具有发光结构,所述发光结构包括第一反光层、与所述第一反光层相对的第二反光层以及设置于所述第一反光层和所述第二反光层之间的发光层,所述第二反光层位于所述显示基板的出光侧,并且
在所述发光结构的出光方向上,所述第一反光层包括与所述第二反光层重叠的第一部分和未与所述第二反光层重叠的第二部分,
所述第一部分的靠近所述第二部分的一端与所述第二反光层的间距大于所述第一部分的远离所述第二部分的一端与所述第二反光层的间距。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,
所述第二部分所在面与所述发光结构的出射面的法线方向垂直。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,
所述第二部分所在面与所述显示基板所在面的夹角为15~45度。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其中,
所述第二部分位于所述第一反光层的靠近所述显示基板的出光侧的一端。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其中,
所述第二部分与所述第一反光层的面积比为5%~15%。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其中,
从所述第一部分的远离所述第二部分的一端至所述第一部分的靠近所述第二部分的一端,所述第一反光层和所述第二反光层之间的间距逐渐增加。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其中,
所述第一反光层的至少所述第二部分的表面为平面或者曲面。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的显示基板,其中,
所述发光结构包括有机发光器件,所述发光层为有机发光层,所述有机发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的所述有机发光层,所述第二电极位于所述显示基板的出光侧。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其中,
所述第一电极配置为所述第一反光层;和/或
所述第二电极配置为所述第二反光层。
10.根据权利要求8所述的显示基板,其中,所述第一发光元件和所述第二发光元件中的至少一个还包括:
光学介质层,位于所述第一反光层和所述发光层之间;或者位于所述第二反光层和所述发光层之间。
11.根据权利要求1所述的显示基板,其中,
所述第一发光元件和所述第二发光元件都具有发光结构,所述发光结构包括第一反光层以及设置于所述第一反光层上的发光层,所述发光层位于所述显示基板的出光侧,并且
所述第一反光层所在面相对于所述显示基板所在面为斜面。
12.根据权利要求11所述的显示基板,其中,
所述第一反光层所在面与所述显示基板所在面的夹角为15~45度。
13.一种显示面板,包括权利要求1-12中任一项所述的显示基板。
14.一种显示基板的制备方法,其中,所述显示基板包括至少一个第一子像素和至少一个第二子像素,所述方法包括:
在所述第一子像素中形成第一发光元件以及在所述第二子像素中形成第二发光元件;
其中,所述第一发光元件形成为出射面的法线具有第一方向,所述第二发光元件形成为所述出射面的法线具有第二方向,
所述第一发光元件和所述第二发光元件都包括发光结构,形成所述发光结构包括:
形成第一反光层、与所述第一反光层相对的第二反光层以及在所述第一反光层和所述第二反光层之间形成发光层,所述第二反光层位于所述显示基板的出光侧;
其中,在所述发光结构的出光方向上,所述第一反光层包括与所述第二反光层重叠的第一部分和未与所述第二反光层重叠的第二部分,
所述第一部分的靠近所述第二部分的一端与所述第二反光层的间距大于所述第一部分的远离所述第二部分的一端与所述第二反光层的间距。
15.根据权利要求14所述的制备方法,还包括:
在所述第一反光层和所述发光层之间或所述发光层和所述第二反光层之间形成光学介质层。
16.根据权利要求14所述的制备方法,其中,所述第一发光元件和所述第二发光元件都包括发光结构,形成所述发光结构包括:
形成第一反光层以及在所述第一反光层上形成发光层,所述发光层形成在所述显示基板的出光侧;
其中,所述第一反光层所在面相对于所述显示基板所在面为斜面。
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KR20210114595A (ko) * | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN113193140B (zh) * | 2021-04-16 | 2022-07-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN113690386A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-23 | 深圳市芯视佳半导体科技有限公司 | 一种微镜阵列、oled显示屏及其制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104282721A (zh) * | 2013-07-01 | 2015-01-14 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器和像素 |
CN104733501A (zh) * | 2015-02-13 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、显示装置以及像素结构的制作方法 |
CN205880422U (zh) * | 2016-05-27 | 2017-01-11 | 昆山龙腾光电有限公司 | 曲面裸眼三维显示器 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100048608A (ko) * | 2008-10-31 | 2010-05-11 | 삼성전자주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
US8803417B2 (en) * | 2009-12-01 | 2014-08-12 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
KR20140014682A (ko) * | 2012-07-25 | 2014-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
JP6190709B2 (ja) * | 2013-12-04 | 2017-08-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR20160010708A (ko) * | 2014-07-17 | 2016-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
CN104362257B (zh) * | 2014-10-22 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种顶发射oled器件及其制作方法、显示设备 |
CN104716164A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-06-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、有机发光显示装置 |
CN105527718B (zh) * | 2016-01-19 | 2019-01-18 | 中山大学 | 裸眼3d显示方法、显示系统和显示系统的模拟分析方法 |
CN106449719B (zh) * | 2016-11-17 | 2019-08-23 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板、装置及制作方法 |
CN107068897B (zh) * | 2017-01-18 | 2018-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种顶发光型oled显示面板及显示装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104282721A (zh) * | 2013-07-01 | 2015-01-14 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器和像素 |
CN104733501A (zh) * | 2015-02-13 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、显示装置以及像素结构的制作方法 |
CN205880422U (zh) * | 2016-05-27 | 2017-01-11 | 昆山龙腾光电有限公司 | 曲面裸眼三维显示器 |
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