KR20210083715A

KR20210083715A - 표시장치

Info

Publication number: KR20210083715A
Application number: KR1020190176291A
Authority: KR
Inventors: 손영훈; 박용민; 최혜주
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2019-12-27
Filing date: 2019-12-27
Publication date: 2021-07-07

Abstract

본 출원의 일 예에 따른 표시장치는, 제1 서브 화소와 제2 서브 화소를 갖는 기판, 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 각각에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기발광층, 유기발광층 상에 배치된 제2 전극, 및 제1 전극의 가장자리와 중첩되면서 제1 서브 화소와 제2 서브 화소에 걸쳐서 배치된 복수개의 나노 패턴 구조물을 포함하고, 나노 패턴 구조물들은 유기발광층의 일부가 단절되도록 서로 이격되게 구비됨으로써, 나노 패턴 구조물에 의해 유기발광층의 적어도 일부가 단절되거나 전류 패스가 길어질 수 있어 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 사이의 누설 전류 발생이 방지될 수 있고, 이에 따라 누설 전류로 인한 화상 품질 저하 문제가 해소될 수 있다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}

본 출원은 영상을 표시하는 표시장치에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치, 발광 표시장치, 유기 발광 표시장치, 마이크로 발광 표시장치, 양자점 발광 표시장치 등과 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.

유기 발광 표시장치는 유기발광층의 적색, 녹색, 청색 서브 화소 형성 시, FMM 기술을 이용할 경우 증착 마스크의 처짐에 대한 문제로 마스크 쉐도우에 의해 중소형 패널 제작이 가능하나, 대면적 적용은 어렵다. 반면, 포토 레지스트를 이용한 포토 공정은 유기발광층의 적색, 녹색, 청색 미세 패턴 형성이 가능하며, FMM 대비 대면적 패널 제작이 가능한 기술이다.

한편, 포토 공정을 이용하여 서브 화소 별로 백색의 광을 발광하는 유기발광층을 형성하는 방법은 정밀한 마스크 제작이나 정밀한 마스크 얼라인 공정이 필요하지 않기 때문에 서브 화소 별로 서로 다른 색의 광을 발광하는 유기발광층을 형성하는 방법보다 용이하게 적용될 수 있다.

그러나, 서브 화소 별로 백색의 광을 발광하는 발광층을 형성하는 경우에 있어서, 어느 하나의 서브 화소 내의 유기발광층에서 발광이 이루어진 경우 그 유기발광층 내의 전하가 인접하는 다른 서브 화소 내의 유기발광층으로 이동하여 누설전류가 발생하고 그로 인해서 화상 품질이 저하되는 문제가 있다. 이러한 문제는 헤드 장착형 디스플레이와 같이 초고해상도를 요구하는 표시장치일 경우 더 심화된다.

본 출원은 누설전류로 인한 화상 품질 저하를 줄일 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.

본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 서브 화소와 제2 서브 화소를 갖는 기판, 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 각각에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기발광층, 유기발광층 상에 배치된 제2 전극, 및 제1 전극의 가장자리와 중첩되면서 제1 서브 화소와 제2 서브 화소에 걸쳐서 배치된 복수개의 나노 패턴 구조물을 포함하고, 나노 패턴 구조물들은 유기발광층의 일부가 단절되도록 서로 이격되게 구비될 수 있다.

본 출원에 따른 표시장치는 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 사이의 경계 영역에 복수개의 나노 패턴 구조물이 서로 이격되게 구비되어 있기 때문에, 나노 패턴 구조물에 의해 유기발광층의 적어도 일부가 단절되거나 전류 패스가 길어질 수 있어 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 사이의 누설 전류 발생이 방지될 수 있고, 이에 따라 누설 전류로 인한 화상 품질 저하 문제가 해소될 수 있다.

위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 선 Ⅰ-Ⅰ의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 A부분의 개략적인 확대도이다.
도 4는 도 3의 B부분의 개략적인 확대도이다.
도 5는 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 7은 도 6의 C부분의 개략적인 확대도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.

본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 출원의 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 출원 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.

본 출원의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.

본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 본 출원에 따른 표시장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.

도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 선 Ⅰ-Ⅰ의 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 2의 A부분의 개략적인 확대도이며, 도 4는 도 3의 B부분의 개략적인 확대도이다.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 기판(2), 회로 소자층(3), 제1 전극(4), 유기발광층(5), 제2 전극(6), 나노 패턴 구조물(7), 봉지층(8), 및 컬러필터층(9)을 포함한다.

상기 기판(2)은 플라스틱 필름(plastic film), 유리 기판(glass substrate), 또는 실리콘과 같은 반도체 기판일 수 있다. 상기 기판(2)은 투명한 재료로 이루어질 수도 있고 불투명한 재료로 이루어질 수도 있다.

본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 발광된 광이 상부 쪽으로 방출되는 소위 상부 발광(Top emision) 방식으로 이루어지고, 따라서, 상기 기판(2)의 재료로는 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있다.

상기 기판(2) 상에는 복수의 화소가 구비되어 있다. 일 예에 따른 기판(2)은제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)로 구비될 수 있다. 상기 제2 서브 화소(22)는 제1 서브 화소(21)의 일측에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제3 서브 화소(23)는 상기 제2 서브 화소(22)의 일측에 인접하게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)는 상기 기판(2) 상에 제1 방향으로 순차적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 방향은 기판(2)의 상면과 나란한 방향을 의미하며, 도 2를 기준으로 좌측에서 우측을 향하는 방향일 수 있다.

상기 제1 서브 화소(21)는 적색(R) 광을 방출하고, 상기 제2 서브 화소(22)는 녹색(G) 광을 방출하고, 상기 제3 서브 화소(23)는 청색(B) 광을 방출하도록 구비될 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 화이트를 포함한 다양한 색의 광을 발광할 수도 있다. 또한, 각각의 서브 화소들(21, 22, 23)의 배열 순서는 다양하게 변경될 수 있다.

상기 제1 서브 화소(21), 상기 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각은 제1 전극(4), 유기발광층(5), 및 제2 전극(6)을 포함하도록 구비될 수 있다.

상기 회로 소자층(3)은 기판(2)의 일면 상에 마련된다. 상기 회로 소자층(3)은 기판(2)의 일부일 수 있다.

상기 회로 소자층(3)에는 복수개의 박막 트랜지스터(31, 32, 33), 각종 신호 배선들, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 서브 화소(21, 22, 23) 별로 구비되어 있다. 상기 신호 배선들은 게이트 라인, 데이터 라인, 전원 라인, 및 기준 라인을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 박막 트랜지스터(31, 32, 33)는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터 및 센싱 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어질 수 있다. 서브 화소들(21, 22, 23)은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의된다.

상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 게이트 라인에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 라인으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 역할을 한다.

상기 구동 박막 트랜지스터는 상기 스위칭 박막 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 전원 라인에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 상기 제1 전극(4)에 공급하는 역할을 한다.

상기 센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 상기 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하는 역할을 하는 것으로서, 상기 게이트 라인 또는 별도의 센싱 라인에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 전류를 상기 기준 라인으로 공급한다.

상기 커패시터는 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 역할을 하는 것으로서, 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.

제1 트랜지스터(31), 제2 트랜지스터(32), 및 제3 트랜지스터(33)는 회로 소자층(3) 내에 개별 서브 화소(21, 22, 23) 별로 배치된다. 일 예에 따른 제1 트랜지스터(31)는 제1 서브 화소(21) 상에 배치되는 제1 서브 전극(41)에 연결되어서 제1 서브 화소(21)에 해당하는 색의 광을 발광시키기 위한 구동 전압을 인가할 수 있다.

일 예에 따른 제2 트랜지스터(32)는 제2 서브 화소(22) 상에 배치되는 제2 서브 전극(42)에 연결되어서 제2 서브 화소(22)에 해당하는 색의 광을 발광시키기 위한 구동 전압을 인가할 수 있다.

일 예에 따른 제3 트랜지스터(33)는 제3 서브 화소(23) 상에 배치되는 제3 서브 전극(43)에 연결되어서 제3 서브 화소(23)에 해당하는 색의 광을 발광시키기 위한 구동 전압을 인가할 수 있다.

일 예에 따른 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각은 각각의 트랜지스터(31, 32, 33)를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 유기발광층에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 상기 제1 서브 화소(21), 상기 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각의 유기발광층은 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.

제1 전극(4)은 상기 회로 소자층(3) 상에 형성되어 있다. 일 예에 따른 제1 전극(4)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 반사율이 높은 금속물질을 포함하여 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pb), 및 구리(Cu)의 합금이다. 상기 제1 전극(4)은 애노드(anode)일 수 있다. 상기 제1 전극(4)은 제1 서브 전극(41), 제2 서브 전극(42), 및 제3 서브 전극(43)을 포함할 수 있다.

제1 서브 전극(41)은 제1 서브 화소(21)에 구비될 수 있다. 제1 서브 전극(41)은 회로 소자층(3) 상에 형성될 수 있다. 제1 서브 전극(41)은 회로 소자층(3)을 관통하는 콘택홀을 통해 제1 트랜지스터(31)의 소스 전극에 접속된다. 상기 제1 서브 전극(41)은 유기발광층(5)에 접촉하는 상면(411), 상기 상면(411)으로부터 연장되어 회로 소자층(3)의 상면에 접촉하는 측면(412)을 포함할 수 있다. 상기 상면(411)은 상기 기판(2)과 나란하게 배치된 면일 수 있다.

제2 서브 전극(42)은 제2 서브 화소(22)에 구비될 수 있다. 제2 서브 전극(42)은 회로 소자층(3) 상에 형성될 수 있다. 제2 서브 전극(42)은 회로 소자층(3)을 관통하는 콘택홀을 통해 제2 트랜지스터(32)의 소스 전극에 접속된다. 상기 제2 서브 전극(42)은 유기발광층(5)에 접촉하는 상면(421), 상기 상면(421)으로부터 연장되어 회로 소자층(3)의 상면에 접촉하는 측면(422)을 포함할 수 있다. 상기 상면(421)은 상기 기판(2)과 나란하게 배치된 면일 수 있다.

제3 서브 전극(43)은 제3 서브 화소(23)에 구비될 수 있다. 제3 서브 전극(43)은 회로 소자층(3) 상에 형성될 수 있다. 제3 서브 전극(43)은 회로 소자층(3)을 관통하는 콘택홀을 통해 제3 트랜지스터(33)의 소스 전극에 접속된다. 상기 제3 서브 전극(43)은 유기발광층(5)에 접촉하는 상면(431), 상기 상면(431)으로부터 연장되어 회로 소자층(3)의 상면에 접촉하는 측면(432)을 포함할 수 있다. 상기 상면(431)은 상기 기판(2)과 나란하게 배치된 면일 수 있다.

여기서, 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33)는 N-type의 TFT일 수 있다.

만약, 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33)가 P-type의 TFT로 구비되는 경우, 상기 제1 내지 제3 서브 전극(41, 42, 43) 각각은 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33) 각각의 드레인 전극에 연결될 수 있다.

즉, 상기 제1 내지 제3 서브 전극(41, 42, 43) 각각은 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33)의 타입에 따라 소스 전극이나 드레인 전극에 연결될 수 있다.

본 출원의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 상부 발광 방식으로 이루어지며, 따라서, 상기 제1 내지 제3 서브 전극(41, 42, 43)은 상기 유기발광층(5)에서 발광된 광을 상부쪽으로 반사시키기 위한 반사물질을 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 유기발광층(5)은 제1 전극(4) 상에 배치된다. 상기 유기발광층(5)은 상기 나노 패턴 구조물(7)의 상측에 형성되어서 복수의 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에도 형성된다. 결과적으로, 상기 유기발광층(5)은 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 전체에 걸쳐서 배치될 수 있다.

상기 유기발광층(5)은 백색(W) 광을 발광하도록 구비될 수 있다. 이를 위해서, 상기 유기발광층(5)은 서로 상이한 색상의 광을 발광하는 복수의 스택(stack)을 포함하여 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 유기발광층(5)은 제1 스택(51), 제2 스택(53), 및 상기 제1 스택(51)과 상기 제2 스택(53) 사이에 구비된 전하생성층(Charge generation layer; CGL)(52)을 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 유기발광층(5)은 제1 전극(4)의 상면, 복수개의 나노 패턴 구조물(7)들의 사이, 및 상기 나노 패턴 구조물(7)들 위쪽에 형성된다. 상기 복수개의 나노 패턴 구조물(7)은 기판(2)(또는 회로 소자층(3))의 상면에 배치된 제1 나노 패턴 구조물(71), 및 상기 제1 전극(4)의 상면에 배치된 제2 나노 패턴 구조물(72)을 포함하여 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광층(5)이 상기 나노 패턴 구조물(7)들 사이에 형성됨으로써, 인접하는 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 전류 패스가 길게 형성되어 저항이 증가됨으로써 누설 전류 발생이 줄어들 수 있다.

특히, 도 4를 참조하면, 상기 제1 스택(51)은 상기 제1 나노 패턴 구조물(71) 내부의 측면에 형성되며 상기 제1 나노 패턴 구조물(71)들 사이의 기판(2)(또는 회로 소자층(3)) 위에도 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 나노 패턴 구조물(71) 내부의 측면에 형성된 제1 스택(51)의 일 부분과 상기 제1 나노 패턴 구조물(71)들 사이의 기판(2)(또는 회로 소자층(3)) 위에 형성된 제1 스택(51)의 일 부분은 서로 연결되지 않고 단절될 수 있다. 따라서, 상기 제1 나노 패턴 구조물(71) 내부의 일 측면, 예로서 좌측 측면에 형성된 제1 스택(51)의 일 부분과 상기 제1 나노 패턴 구조물(71) 내부의 다른 측면, 예로서 우측 측면에 형성된 제1 스택(51)의 일 부분은 서로 연결되지 않고 단절될 수 있다. 이는, 상기 제2 나노 패턴 구조물(72)들에도 동일하게 적용될 수 있고, 상기 제1 나노 패턴 구조물(71)과 제2 나노 패턴 구조물(72) 사이에도 동일하게 적용될 수 있다. 이에 따라, 상기 나노 패턴 구조물(7)을 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서는 제1 스택(51)을 통해 전하가 이동할 수는 없다.

또한, 상기 전하생성층(52)은 상기 제1 나노 패턴 구조물(71) 내부의 측면에서 제1 스택(51) 상에 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 나노 패턴 구조물(71) 내부의 일 측면, 예로서 좌측 측면에 형성된 전하생성층(52)의 일 부분과 상기 제1 나노 패턴 구조물(71) 내부의 다른 측면, 예로서 우측 측면에 형성된 전하생성층(52)의 일 부분은 서로 연결되지 않고 단절될 수 있다. 이는, 상기 제2 나노 패턴 구조물(72)들에도 동일하게 적용될 수 있고, 상기 제1 나노 패턴 구조물(71)과 제2 나노 패턴 구조물(72) 사이에도 동일하게 적용될 수 있다. 이에 따라, 상기 나노 패턴 구조물(7)을 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서는 전하생성층(52)을 통해 전하가 이동할 수는 없다.

또한, 상기 제2 스택(53)은 전하생성층(52) 상에서 나노 패턴 구조물(7)을 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서 단절되지 않고 서로 연결될 수 있다. 따라서, 상기 나노 패턴 구조물(7)을 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서는 제2 스택(53)을 통해 전하가 이동할 수는 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 나노 패턴 구조물(7)들 각각의 형상 및 높이, 상기 나노 패턴 구조물(7)들 사이의 간격, 및 유기발광층(5)의 증착 공정을 적절히 조절함으로써, 상기 제2 스택(53)도 나노 패턴 구조물(7)들을 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서 단절되도록 구성할 수도 있다. 특히, 상기 전하생성층(52)과 인접하는 제2 스택(53)의 하부 일 부분만이 서브 화소(21, 22, 23) 사이 영역에서 단절될 수 있다.

한편, 상기 전하생성층(52)은 제1 스택(51), 및 제2 스택(53)에 비해 도전성이 크다. 특히, 상기 전하생성층(52)을 구성하는 N형 전하생성층은 금속물질을 포함하여 이루어질 수 있기 때문에, 제1 스택(51) 및 제2 스택(53)에 비해 도전성이 크다. 따라서, 서로 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서의 전하의 이동은 주로 전하생성층(52)을 통해 이루어지고, 제2 스택(53)을 통해서 이루어지는 전하의 이동량은 미미하다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전하생성층(52)을 나노 구조물(7)들 사이에서 단절되도록 구성함으로써 서로 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서의 전하의 이동을 줄여서 누설 전류 발생을 방지할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 나노 구조물(7)들은 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계 영역, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이의 경계 영역에 형성되어 있다. 그리고, 상기 나노 구조물(7)들은 제1 전극(4)의 가장자리에도 중첩되게 형성되어 있다. 따라서, 상기 제1 전극(4)의 가장자리 부분, 상기 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계 영역, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이의 경계 영역에서는 유기발광층(5)의 적어도 일부, 특히, 전하생성층(52)이 단절되어 있기 때문에, 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이에서 누설 전류 발생이 방지될 수 있다.

결과적으로, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 나노 패턴 구조물(7)이 서로 이격되게 배치됨으로써, 나노 패턴 구조물(7) 상에 배치된 유기발광층(5)이 발광되지 않으며, 특히, 제1 전극(4)의 가장자리 부분과 중첩되는 나노 패턴 구조물(7) 상에 배치된 유기발광층(5)은 누설전류가 발생하지 않으므로 발광되지 않습니다.

상기 제2 전극(6)은 유기발광층(5) 상에 형성되어 있다. 상기 제2 전극(6)은 표시 장치의 음극(Cathode)으로 기능할 수 있다. 상기 제2 전극(6)은 상기 유기발광층(5)과 마찬가지로 각각의 서브 화소(21, 22, 23) 및 그들 사이의 경계 영역에도 형성된다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 상부 발광 방식으로 이루어지기 때문에, 상기 제2 전극(6)은 유기발광층(5)에서 발광된 광을 상부쪽으로 투과시키기 위해서 투명한 도전물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(6)은 반투명 전극으로 이루어질 수도 있으며 그에 따라 서브 화소(21, 22, 23) 별로 마이크로 캐버티(Micro Cavity) 효과를 얻을 수 있다. 상기 제2 전극(6)이 반투명 전극으로 이루어진 경우, 상기 제2 전극(6)과 상기 제1 전극(4) 사이에서 광의 반사와 재반사가 반복되면서 마이크로 캐버티 효과를 얻을 수 있어 광효율이 향상될 수 있다.

상기 봉지층(8)은 상기 제2 전극(6) 상에 형성되어 유기발광층(5)으로 외부의 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 봉지층(8)은 무기절연물로 이루어질 수도 있고 무기절연물과 유기절연물이 교대로 적층된 구조로 이루어질 수도 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.

상기 컬러 필터층(9)은 봉지층(8) 상에 형성된다. 상기 컬러 필터층(9)은 제1 서브 화소(21)에 구비되며 적색(R) 광을 투과시키는 제1 컬러 필터(91), 제2 서브 화소(22)에 구비며 녹색(G) 광을 투과시키는 제2 컬러 필터(92), 및 제3 서브 화소(23)에 구비되며 청색(B) 광을 투과시키는 제3 컬러 필터(93)를 포함하여 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 한편, 도시하지는 않았지만, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터(91, 92, 93) 사이에 블랙 매트릭스가 추가로 형성되어 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계에서 광이 누설되는 것을 방지할 수 있다.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 나노 패턴 구조물(7)들 중 일부는 제1 컬러 필터(91), 제2 컬러 필터(92), 및 제3 컬러 필터(93)에 중첩될 수 있다. 예컨대, 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22)의 경계 영역에 배치된 나노 패턴 구조물(7)들은 일부가 제1 컬러필터(91)에 중첩(OA1)되고, 나머지가 제2 컬러필터(92)에 중첩(OA2)될 수 있다. 마찬가지로, 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23)의 경계 영역에 배치된 나노 패턴 구조물(7)들은 일부가 제2 컬러필터(92)에 중첩되고, 나머지가 제3 컬러필터(93)에 중첩될 수 있다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22)의 경계 영역에 배치된 나노 패턴 구조물(7)들이 하나의 컬러필터에만 중첩되는 경우에 비해 각 서브 화소(21, 22, 23)의 유기발광층(5)에서 발광하는 광이 인접하는 서브 화소로 출사되는 것을 방지하여서 혼색 발생을 방지할 수 있다.

다시 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 편의상 세 개의 서브 화소(21, 22, 23)에서 제1 전극(4), 유기발광층(5), 제2 전극(6), 나노 패턴 구조물(7), 봉지층(8), 및 컬러 필터층(9)만을 간략하게 도시하였다.

도 2에서 알 수 있듯이, 제1 전극(4), 유기발광층(5), 제2 전극(6), 봉지층(8), 및 컬러 필터층(9)이 차례로 적층되어 있다. 그리고, 서브 화소(21, 22, 23) 사이에는 복수개의 나노 패턴 구조물(7)이 배치되어 있다.

상기 제1 전극(4)은 서브 화소(21, 22, 23) 별로 패턴 형성되어 있다.

상기 유기발광층(5)은 상기 제1 전극(4) 상에 구비된 제1 스택(51), 제2 스택(53), 및 전하 생성층(CGL)(52)을 포함하여 이루어진다.

상기 제1 스택(51)은 상기 제1 전극(4) 상에 구비되며, 정공 주입층(Hole Injecting Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transporting Layer; HTL), 황녹색(Yellow Green; YG) 발광층(Emitting Layer; EML(YG)), 및 전자 수송층(Electron Transporting Layer; ETL)이 차례로 적층된 구조로 이루어질 수 있다. 상기 제1 스택(51)은 황녹색 발광층(EML(YG)) 대신 적색 발광층(EML(R))과 녹색 발광층(EML(G))을 포함할 수 있다. 상기 적색 발광층(EML(R))과 녹색 발광층(EML(G))은 적층된 구조로 구비될 수 있다.

상기 제1 스택(51)은 제1 전극(4)의 가장자리, 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계, 및 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(23)에서 단절될 수 있다.

상기 전하 생성층(CGL)(52)은 상기 제1 스택(51) 및 제2 스택(53)에 전하를 공급하는 역할을 한다. 상기 전하 생성층(CGL)(52)은 상기 제1 스택(51)에 전자(electron)를 공급하기 위한 N형 전하 생성층 및 상기 제2 스택(52)에 정공(hole)을 공급하기 위한 P형 전하 생성층을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 N형 전하 생성층은 금속 물질을 도펀트로 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 전하 생성층(52)은 제1 전극(4)의 가장자리, 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이에서 단절될 수 있다. 즉, 나노 패턴 구조물(7)들 위에 배치되는 제1 스택(51)과 전하 생성층(52)은 나노 패턴 구조물(7)들이 이격된 간격에 의해 단절될 수 있다.

상기 제2 스택(53)은 상기 제1 스택(51) 상에 구비되며, 정공 수송층(HTL), 청색(B) 발광층(Emitting Layer; EML(B)), 전자 수송층(ETL), 및 전자주입층(Electron Injecting Layer; EIL)이 차례로 적층된 구조로 이루어질 수 있다.

제1 전극(4)에 고전위 전압이 인가되고 제2 전극(6)에 저전위 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공수송층과 전자수송층을 통해 발광층으로 이동되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.

상기 제2 스택(53)은 제1 전극(4)의 가장자리, 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이에서 연결되어 있다.

상기 제2 전극(6)은 상기 유기발광층(5) 상에 형성되어 있고, 상기 봉지층(8)은 상기 제2 전극(6) 상에 형성되어 있으며, 상기 컬러 필터층(9)은 상기 봉지층(8) 상에 형성되어 있다. 상기 컬러 필터층(9)은 제1 서브 화소(21)에 구비된 제1 컬러 필터(91), 제2 서브 화소(22)에 구비된 제2 컬러 필터(92), 및 제3 서브 화소(23)에 구비된 제3 컬러 필터(93)를 포함하여 이루어진다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 전극(4)의 가장자리, 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이의 경계에서 상기 전하 생성층(52)이 단절되어 있기 때문에 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 사이에서는 누설전류가 발생하지 않는다.

다시, 도 2를 참조하면, 복수개의 나노 패턴 구조물(7)은 제1 전극(4)의 가장자리와 중첩되면서 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 또한, 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 제1 전극(4)의 가장자리와 중첩되면서 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 여기서, 나노 패턴 구조물(7)들이 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22)에 걸쳐서 배치된다는 것은, 제1 서브 전극(41)과 제2 서브 전극(42)의 가장자리에서부터 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계 부분까지 나노 패턴 구조물(7)들이 배치되는 것을 의미할 수 있다. 마찬가지로, 나노 패턴 구조물(7)들이 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23)에 걸쳐서 배치된다는 것은, 제2 서브 전극(42)과 제3 서브 전극(43)의 가장자리에서부터 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이의 경계 부분까지 나노 패턴 구조물(7)들이 배치되는 것을 의미할 수 있다.

본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 나노 패턴 구조물(7)들은 제1 전극(4)의 가장자리를 덮으면서 서브 화소(21, 22, 23) 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 서브 화소(21, 22, 23)는 나노 패턴 구조물(7)들에 의해 구분될 수 있다. 즉, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 일반적인 표시장치의 뱅크 역할을 할 수 있다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 뱅크를 생략할 수 있으므로, 일반적인 표시장치에 비해 제조 공정이 간소화되도록 구비될 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 서로 이격되게 배치됨으로써 유기발광층(5)의 일부가 단절되도록 할 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 나노 패턴 구조물(7)들이 서로 이격됨으로써, 유기발광층(5)의 제1 스택(51)과 전하생성층(52)이 단절될 수 있다. 이에 따라, 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서는 제1 스택(51)과 전하생성층(52)을 통한 전하 이동이 불가하므로, 서브 화소(21, 22, 23) 간에 누설 전류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

한편, 전술한 바와 같이, 유기발광층(5)의 일부를 단절시키기 위해, 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 제1 간격(D1, 도 3에 도시됨)으로 이격될 수 있다. 상기 제1 간격(D1)은 나노 패턴 구조물(7)들 상에 배치되는 유기발광층(5)의 일부. 즉, 제1 스택(51)과 전하 생성층(52)을 단절시킬 수 있는 간격일 수 있다.

예컨대, 상기 제1 간격(D1)은 약 200nm 이상 400nm 이하일 수 있다.

나노 패턴 구조물(7)들이 이격된 간격이 200nm 미만이면, 유기발광층(5)의 제1 스택(51)과 전하생성층(52), 또는 전하생성층(52)이 단절되지 않을 수 있고, 이렇게 되면 인접한 서브 화소 간에 누설 전류가 발생될 수 있다.

반면, 나노 패턴 구조물(7)들이 이격된 간격이 400nm를 초과하면, 유기발광층(5)의 제1 스택(51)과 전하생성층(52)과 제2 스택(53)이 모두 단절되어서 유기발광층(5)의 상측에 형성되는 제2 전극(6)까지 단절될 수 있다. 이렇게 되면, 전압이 제2 전극(6)을 통해 서브 화소(21, 22, 23)로 인가되지 못하므로, 제1 전극(4)과 전계가 형성되지 못해서 서브 화소(21, 22, 23)에서 발광이 이루어지지 않을 수 있다.

따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 나노 패턴 구조물(7)들을 제1 간격(D1)으로 이격시킴으로써, 서브 화소(21, 22, 23) 간에 누설 전류가 발생하는 것을 방지하면서 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 간에 전계가 형성되도록 구비될 수 있다.

한편, 상기 나노 패턴 구조물(7)들 각각은 제1 높이(H1, 도 3에 도시됨)를 갖도록 구비될 수 있다. 상기 제1 높이(H1)는 상기 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 사이의 간격이 너무 가까워져서 쇼트가 발생되지 않는 높이일 수 있다.

예컨대, 상기 제1 높이(H1)는 약 200nm 이상일 수 있다.

나노 패턴 구조물(7)들이 이격된 간격이 200nm 미만이면, 제1 전극(4)이 유기발광층(5)을 관통하여 제2 전극(6)과 접촉되거나 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 사이의 간격이 너무 가까워져서 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 간에 쇼트가 발생할 수 있다. 그리고, 나노 패턴 구조물(7)들의 높이가 너무 높으면 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 사이의 간격이 너무 멀어지므로, 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 간에 전계가 형성되지 않을 수 있다.

따라서, 상기 제1 높이(H1)는 약 200nm 이상이되, 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 간에 전계가 형성될 수 있는 범위 내로 구비될 수 있다.

상기 나노 패턴 구조물(7)들이 갖는 제1 높이(H1)는 도 3을 기준으로 나노 패턴 구조물(7)들의 두께가 될 수 있으며, 이 경우, 상기 나노 패턴 구조물(7)들의 두께는 제1 전극(4)의 두께보다 두껍게 구비될 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 나노 패턴 구조물(7)들의 두께(H1)는 제1 전극(4)의 두께(H2, 도 3에 도시됨)보다 두꺼울 수 있다.

만약, 나노 패턴 구조물(7)들의 두께(H1)가 제1 전극(4)의 두께(H2)와 같거나 얇으면, 제1 나노 패턴 구조물(71)과 제2 나노 패턴 구조물(72)의 높이 차이로 인해 제1 전극(4)의 모서리 부분에서 제1 전극(4)과 제2 전극(5) 사이의 간격이 너무 가까워져서 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 간에 쇼트가 발생할 수 있다.

결과적으로, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 나노 패턴 구조물(7)들을 제1 높이(H1)로 구비함으로써, 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 간에 쇼트가 발생하는 것을 방지하도록 구비될 수 있다. 상기 제1 높이(H1)는 나노 패턴 구조물(7)들의 두께일 수 있으며, 이 경우, 나노 패턴 구조물(7)들의 두께(H1)는 상기 제1 전극(4)의 두께(H2)보다 두껍게 구비됨으로써, 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 간의 쇼트 발생을 더 확실하게 방지할 수 있다.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 유기발광층(5)은 나노 패턴 구조물(7)들의 상측에 배치되므로, 나노 패턴 구조물(7)들에 의해 단절되지 않은 유기발광층(5)의 일부는 제1 전극(4)과 소정 거리로 이격되게 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 전극(4)의 가장자리의 상면과 제1 전극(4)의 가장자리 상에 배치된 유기발광층(5)의 제2 스택(53)은 제2 나노 패턴 구조물(72)에 의해 서로 이격되게 배치될 수 있다. 따라서, 제1 전극(4)의 가장자리에서 상기 유기발광층(5)으로의 정공 주입이 용이하지 않게 되므로, 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계 영역이 발광되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22)의 경계 영역은 비발광 영역이다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 뱅크가 구비되어 있지 않더라도 나노 패턴 구조물(7)들을 이용하여 비발광 영역이 발광되는 것을 용이하게 방지할 수 있다.

본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)의 제조 방법을 간략하게 설명하면 아래와 같다.

먼저, 회로소자층(3) 상에 제1 전극(4)을 서브 화소 별로 배치한 후 수계 쉴드층과 포토레지스트층을 순차적으로 전면 증착한 다음, 제1 전극(4)의 폭보다 작은 폭을 갖도록 마스크를 이용하여 포토레지스트층을 포토 패터닝한다. 이에 따라, 서브 화소(21, 22, 23) 사이에는 수계 쉴드층이 포토레지스트층에 가려지지 않고 노출될 수 있다.

다음, 위와 같이 구비된 상태에서 산소 플라즈마 드라이에칭 공정을 수행하면 수계 쉴드층의 일부가 제거될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 전극(4)에서 제1 전극(4)의 가장자리를 제외한 제1 전극(4)의 나머지 부분에 배치된 수계 쉴드층은 포토레지스트층이 덮고 있으므로 상대적으로 덜 제거되어서 수계 쉴드층이 많이 남아 있게 되고, 포토레지스트층이 없이 노출된 제1 전극(4)의 가장자리와 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 부분에 배치된 수계 쉴드층은 상기 제1 전극(4)의 나머지 부분에 배치된 수계 쉴드층보다 산소 플라즈마 드라이에칭 공정에 의해 상대적으로 더 많이 제거됨으로써, 도 2와 같이 복수개의 나노 패턴 구조물(7)들이 제1 간격(D1)과 제1 높이(H1)를 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 전극(4)의 가장자리와 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 부분에 배치된 수계 쉴드층은 산소 플라즈마 드라이에칭 공정에 사용되는 산소에 의해서 경화될 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(4)의 가장자리와 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 부분에 배치된 수계 쉴드층 위에도 유기발광층(5)이 증착될 수 있다.

한편, 상기 산소 플라즈마 드라이에칭 공정을 수행하는 시간은 80초를 초과할 수 있다. 상기 산소 플라즈마 드라이에칭 공정 시간이 80초면, 나노 패턴 구조물(7)이 형성되기는 하나, 유기발광층(5)의 일부를 단절시킬 수 있을만큼 나노 패턴 구조물(7)이 많이 형성되지 않으므로 서브 화소(21, 22, 23) 간에 누설전류가 발생할 수 있다. 상기 산소 플라즈마 드라이에칭 공정 시간이 80초 미만이면, 나노 패턴 구조물(7)이 거의 형성되지 않기 때문에 서브 화소(21, 22, 23) 간에 누설전류가 발생할 수 있다. 그러나, 산소 플라즈마 드라이에칭 공정 시간이 너무 길면 나노 패턴 구조물(7)들의 높이가 제1 높이(H1)보다 낮아지고, 나노 패턴 구조물(7)들의 간격도 제1 간격(H1)보다 멀어질 수 있기 때문에 산소 플라즈마 드라이에칭 공정 시간은 80초를 초과하면서 나노 패턴 구조물(7)들이 제1 높이(H1)와 제1 간격(H1)을 갖는 범위 내에서 이루어질 수 있다.

다음, 제1 전극(4)의 나머지 부분에 배치된 수계 쉴드층을 스트립 공정을 이용하여 제거한다. 이러한 공정은 산소 플라즈마 드라이에칭 공정을 통해 형성된 구조물 전체를 물에 소정 시간 담궜다가 뺌으로써, 제1 전극(4)의 나머지 부분에 배치된 수계 쉴드층을 제거할 수 있다. 따라서, 서브 화소(21, 22, 23) 별로 제1 전극(4)의 나머지 부분의 상면을 노출시킬 수 있다. 그리고, 상기 제1 전극(4)의 가장자리의 상면과 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 부분에 배치된 회로 소자층(3)의 상면에는 수계 쉴드층이 경화되어 형성된 나노 패턴 구조물(7)들이 배치될 수 있다. 상기 수계 쉴드층을 이루는 물질은 예를 들어, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐아세테이트 중 적어도 하나일 수 있다.

다음, 서브 화소(21, 22, 23) 전면에 걸쳐서 유기발광층(5), 제2 전극(6), 봉지층(8), 및 컬러 필터층(9)을 순차적으로 증착함으로써, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)의 제조 공정을 일부 완료할 수 있다.

한편, 상기에서는 나노 패턴 구조물(7)들이 수계 쉴드층이 경화되어 형성된 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않으며 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 불소계 쉴드층이 경화되어 형성될 수도 있다. 이 경우, 불소계 쉴드층을 이루는 물질은 예를 들어, 테트라 플루오로 에틸렌 유도체일 수 있다.

이 경우, 산소 플라즈마 드라이에칭 공정 대신 플루오린(F)을 이용한 드라이에칭 공정을 수행하여서 제1 높이(H1)와 제1 간격(D1)을 갖는 복수개의 나노 패턴 구조물(7)들을 형성할 수 있다. 상기 불소계 쉴드층이 플루오린(F)에 의해 경화되어 형성된 복수개의 나노 패턴 구조물(7)들은 전술한 바와 같이, 제1 전극(4)의 가장자리, 및 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 부분에 배치됨으로써, 서브 화소(21, 22, 23)가 구분되도록 할 수 있다.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 제1 나노 패턴 구조물(71)과 제2 나노 패턴 구조물(72)을 포함할 수 있다.

상기 제1 나노 패턴 구조물(71)들은 전술한 바와 같은 공정을 통해 기판(2)의 상면 즉, 회로 소자층(3)의 상면에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 제2 나노 패턴 구조물(72)들은 제1 전극(4)의 상면에 배치되되, 제1 전극(4)의 가장자리에만 배치될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 나노 패턴 구조물(71)들은 상기 제2 나노 패턴 구조물(72)들보다 제1 전극(4)의 두께(H2)만큼 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 나노 패턴 구조물(71)들과 상기 제2 나노 패턴 구조물(72)들은 제1 높이(H1) 및 제1 간격(D1)을 갖도록 구비되고, 더욱이 상기 제1 나노 패턴 구조물(71)들과 제2 나노 패턴 구조물(72)들의 두께(H1)는 제1 전극(4)의 두께(H2)보다 두껍게 구비되기 때문에 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 사이의 간격이 가까워지는 것을 방지하여서 쇼트 발생을 방지할 수 있다.

상기 나노 패턴 구조물(7)들은 도 3과 같이, 단면이 사각형인 막대 형태로 구비될 수 있지만, 이에 한정되지 않으며 유기발광층(5)의 일부를 단절시킬 수 있으면 단면이 삼각형, 사다리꼴 등 다른 형태로 구비될 수도 있다. 이러한 형태 변화는 산소 플라즈마 드라이에칭 공정에 사용되는 산소의 양, 및 공정 시간 등을 조절함으로써 가능할 수 있다. 마찬가지로, 플루오린(F) 드라이에칭 공정에 사용되는 플루오린(F)의 양, 및 공정 시간 등을 조절함으로써, 나노 패턴 구조물(7)들을 다양한 형태로 구비할 수 있다.

도 5는 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.

도 5를 참조하면, 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치(1)는 서브 화소(21, 22, 23) 사이에 뱅크(10)가 더 구비되고, 나노 패턴 구조물(7)들이 뱅크(10) 위에 구비된 것을 제외하고, 전술한 도 2에 따른 표시장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면 부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

전술한 도 2에 따른 표시장치의 경우, 나노 패턴 구조물(7)들이 제1 전극(4)의 가장자리, 및 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에 배치된다. 보다 구체적으로 제1 나노 패턴 구조물(71)들은 회로 소자층(3)의 상면에 배치되고, 제2 나노 패턴 구조물(72)들은 제1 전극(4)의 가장자리에 배치된다. 이에 따라, 도 2에 따른 표시장치의 경우에는, 나노 패턴 구조물(7)들이 서브 화소(21, 22, 23)를 구분하는 뱅크의 역할을 수행하면서 유기발광층(5)의 일부를 단절시켜서 누설전류 발생을 방지할 수 있다.

그에 반하여, 도 5의 제2 실시예에 따른 표시장치의 경우에는, 나노 패턴 구조물(7)들이 뱅크(10) 위에 구비된다. 보다 구체적으로, 도 5의 나노 패턴 구조물(7)들은 제1 서브 전극(41)과 제2 서브 전극(42)의 가장자리를 덮으면서 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22)를 구분하는 제1 뱅크(101), 및 제2 서브 전극(42)과 제3 서브 전극(43)의 가장자리를 덮으면서 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23)를 구분하는 제2 뱅크(102) 위에 구비될 수 있다.

도 5에 도시된 바와 같이, 제1 뱅크(101)는 제1 뱅크(101)에서 상측에 배치된 상면(101a), 및 상기 상면(101a)에서부터 상기 제1 서브 전극(41)의 상면(411)과 제2 서브 전극(42)의 상면(421)으로 연장되는 경사면(101b)을 포함할 수 있다. 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 상기 제1 뱅크(101)의 상면(101a)과 경사면(101b)에 제1 높이(H1)와 제1 간격(D1)을 갖도록 배치될 수 있다.

제2 뱅크(102)는 제2 뱅크(102)에서 상측에 배치된 상면(102a), 및 상기 상면(102a)에서부터 상기 제2 서브 전극(42)의 상면(421)과 제3 서브 전극(43)의 상면(431)으로 연장되는 경사면(102b)을 포함할 수 있다. 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 상기 제2 뱅크(102)의 상면(102a)과 경사면(102b)에 제1 높이(H1)와 제1 간격(D1)을 갖도록 배치될 수 있다.

도 5의 제2 실시예에 따른 표시장치는 기판(2) 상에 제1 전극(4)과 뱅크(10)가 형성된 상태에서 전술한 도 2에 따른 표시장치의 제조 공정이 수행됨으로써, 뱅크(10) 위에 나노 패턴 구조물(7)들을 형성할 수 있다.

한편, 도 5의 제2 실시예에 따른 표시장치에 있어서, 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 뱅크(10)의 경사면 상에 배치되는 제3 나노 패턴 구조물(73)들과 뱅크(10)의 상면에 배치되는 제4 나노 패턴 구조물(74)들을 포함할 수 있으며, 상기 제3 나노 패턴 구조물(73)들은 상기 제4 나노 패턴 구조물(74)보다 낮게 배치되는 구조를 가질 수 있다.

결과적으로, 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치(1)는 뱅크(10)가 더 구비되므로 도 2에 따른 표시장치에 비해 전체적인 두께는 증가할 수 있으나, 뱅크(10) 위에 나노 패턴 구조물(7)들이 배치되므로 뱅크(10)의 높이만큼 유기발광층(5)의 전류 패스를 더 길게 하여서 도 2에 따른 표시장치에 비해 서브 화소(21, 22, 23) 간에 누설 전류 발생을 더 방지할 수 있다.

또한, 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치(1)는 뱅크(10) 위에 나노 패턴 구조물(7)들이 배치됨으로써, 서브 화소(21, 22, 23)를 구분하는 비발광 영역의 두께를 더 증가시킬 수 있으므로, 발광하는 서브 화소에서 인접한 서브 화소로 광이 출사되는 것을 방지하여서 혼색 발생을 방지할 수 있다.

도 6은 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이며, 도 7은 도 6의 C부분의 개략적인 확대도이다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 서브 화소(21, 22, 23) 사이에 펜스(11)가 더 구비되고, 나노 패턴 구조물(7)들이 펜스(11) 위에 구비된 것을 제외하고, 전술한 도 2에 따른 표시장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면 부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

그에 반하여, 도 6의 제3 실시예에 따른 표시장치의 경우에는, 나노 패턴 구조물(7)들이 펜스(11) 위에 구비된다. 보다 구체적으로, 도 6의 나노 패턴 구조물(7)들은 제1 서브 전극(41)과 제2 서브 전극(42)의 가장자리를 덮으면서 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22)를 구분하는 제1 펜스(111), 및 제2 서브 전극(42)과 제3 서브 전극(43)의 가장자리를 덮으면서 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23)를 구분하는 제2 펜스(112) 위에 구비될 수 있다.

도 6에 도시된 바와 같이, 제1 펜스(111)는 제1 전극(4)의 상면에 배치되는 제1 서브 펜스(111a), 상기 제1 서브 펜스(111a)와 연결되며 제1 전극(4)의 측면에 배치되는 제2 서브 펜스(111b), 및 제2 서브 펜스(111b)와 연결되며 기판(2)(또는 회로소자층(3))의 상면에 배치되는 제3 서브 펜스(111c)를 포함할 수 있다. 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 상기 제1 서브 펜스(111a), 제2 서브 펜스(111b), 및 제3 서브 펜스(111c)의 상면에 제1 높이(H1)와 제1 간격(D1)을 갖도록 배치될 수 있다.

제2 펜스(112)는 제1 전극(4)의 상면에 배치되는 제1 서브 펜스(112a), 상기 제1 서브 펜스(112a)와 연결되며 제1 전극(4)의 측면에 배치되는 제2 서브 펜스(112b), 및 제2 서브 펜스(112b)와 연결되며 기판(2)(또는 회로소자층(3))의 상면에 배치되는 제3 서브 펜스(112c)를 포함할 수 있다. 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 상기 제1 서브 펜스(112a), 제2 서브 펜스(112b), 및 제3 서브 펜스(112c)의 상면에 제1 높이(H1)와 제1 간격(D1)을 갖도록 배치될 수 있다.

도 6의 제3 실시예에 따른 표시장치는 기판(2) 상에 제1 전극(4)과 펜스(11)가 형성된 상태에서 전술한 도 2에 따른 표시장치의 제조 공정이 수행됨으로써, 펜스(11) 위에 나노 패턴 구조물(7)들을 형성할 수 있다.

한편, 도 6의 제3 실시예에 따른 표시장치에 있어서, 상기 나노 패턴 구조물(7)들은 제1 펜스와 제2 펜스의 상면에 배치되는 제5 나노 패턴 구조물(75)들과 제3 펜스의 상면에 배치되는 제6 나노 패턴 구조물(76)들을 포함할 수 있으며, 상기 제6 나노 패턴 구조물(76)들은 상기 제5 나노 패턴 구조물(75)보다 낮게 배치되는 구조를 가질 수 있다.

또한, 도 6의 제3 실시예에 따른 표시장치의 상기 제5 나노 패턴 구조물(75)들 중 일부는 제1 전극(4)에는 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 이는, 도 2에 따른 일 실시예에 따른 표시장치의 제2 나노 패턴 구조물(72)들이 모두 제1 전극(4)과 중첩되게 배치되는 것과 다른 점이다.

결과적으로, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 펜스(11)가 더 구비되므로 도 2에 따른 표시장치에 비해 전체적인 두께는 증가할 수 있으나, 펜스(11) 위에 나노 패턴 구조물(7)들이 배치되므로 펜스(11)의 높이만큼 유기발광층(5)의 전류 패스를 더 길게 하여서 도 2에 따른 표시장치에 비해 서브 화소(21, 22, 23) 간에 누설 전류 발생을 더 방지할 수 있다.

또한, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 펜스(11) 위에 나노 패턴 구조물(7)들이 배치됨으로써, 서브 화소(21, 22, 23)를 구분하는 비발광 영역의 두께를 더 증가시킬 수 있으므로, 발광하는 서브 화소에서 인접한 서브 화소로 광이 출사되는 것을 방지하여서 혼색 발생을 방지할 수 있다.

한편, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 상기 제2 펜스는 제1 전극(4)의 측면에 배치되므로 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 전극(4)의 측면과 제6 나노 패턴 구조물(76) 사이에 위치될 수 있다. 따라서, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 뱅크가 없는 도 2에 따른 표시장치에 비해 펜스(11)가 제1 전극(4)의 측면까지 감쌀 수 있으므로, 제1 전극(4)과 제2 전극(6)이 가까워지는 것을 방지하여서 제1 전극(4)과 제2 전극(6) 간에 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

도 8a 내지 도 8c는 본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다. 도 8a는 개략적인 사시도이고, 도 8b는 VR(Virtual Reality) 구조의 개략적인 평면도이고, 도 8c는 AR(Augmented Reality) 구조의 개략적인 단면도이다.

도 8a에서 알 수 있듯이, 본 출원에 따른 헤드 장착형 표시 장치는 수납 케이스(12), 및 헤드 장착 밴드(14)를 포함하여 이루어진다.

상기 수납 케이스(12)는 그 내부에 표시 장치, 렌즈 어레이, 및 접안 렌즈 등의 구성을 수납하고 있다.

상기 헤드 장착 밴드(14)는 상기 수납 케이스(12)에 고정된다. 상기 헤드 장착 밴드(14)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 헤드 장착 밴드(14)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태의 구조물로 대체될 수 있다.

도 8b에서 알 수 있듯이, 본 출원에 따른 VR(Virtual Reality) 구조의 헤드 장착형 표시장치(1)는 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b) 를 포함할 수 있다.

상기 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b), 상기 렌즈 어레이(13), 및 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)는 전술한 수납 케이스(12)에 수납된다.

좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b)는 동일한 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 2D 영상을 시청할 수 있다. 또는, 좌안용 표시 장치(2a)는 좌안 영상을 표시하고 우안용 표시 장치(2b)는 우안 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 입체 영상을 시청할 수 있다. 상기 좌안용 표시 장치(2a)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 각각은 전술한 도 1 내지 도 6에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 예컨대, 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b) 각각은 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display)일 수 있다.

상기 좌안용 표시 장치(2a) 및 우안용 표시 장치(2b) 각각은 복수의 서브 화소, 회로 소자층(3), 제1 전극(4), 유기발광층(5), 제2 전극(6), 나노 패턴 구조물(7), 봉지층(8), 및 컬러필터층(9)을 포함할 수 있으며, 각 서브 화소에서 발광하는 광의 색을 다양한 방식으로 조합하여서 다양한 영상들을 표시할 수 있다.

상기 렌즈 어레이(13)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 좌안용 표시 장치(2a) 각각과 이격되면서 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 좌안용 표시 장치(2a) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(13)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)의 전방 및 상기 좌안용 표시 장치(2a)의 후방에 위치할 수 있다. 또한, 상기 렌즈 어레이(13)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 각각과 이격되면서 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(13)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)의 전방 및 상기 우안용 표시 장치(2b)의 후방에 위치할 수 있다.

상기 렌즈 어레이(13)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)일 수 있다. 렌즈 어레이(13)는 핀홀 어레이(Pin Hole Array)로 대체될 수 있다. 렌즈 어레이(13)로 인해 좌안용 표시 장치(2a) 또는 우안용 표시 장치(2b)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다.

좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안(LE)이 위치하고, 우안 접안 렌즈(20b)에는 사용자의 우안(RE)이 위치할 수 있다.

도 8c에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 AR(Augmented Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(2a), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(15), 및 투과창(16)을 포함하여 이루어진다. 도 8c에는 편의상 좌안쪽 구성만을 도시하였으며, 우안쪽 구성도 좌안쪽 구성과 동일하다.

상기 좌안용 표시 장치(2a), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(15), 및 투과창(16)은 전술한 수납 케이스(12)에 수납된다.

상기 좌안용 표시 장치(2a)는 상기 투과창(16)을 가리지 않으면서 상기 투과 반사부(15)의 일측, 예로서 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 상기 좌안용 표시 장치(2a)가 상기 투과창(16)을 통해 보이는 외부 배경을 가리지 않으면서 상기 투과 반사부(15)에 영상을 제공할 수 있다.

상기 좌안용 표시 장치(2a)는 전술한 도 1 내지 도 6에 따른 전계 발광 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 6에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 컬러필터층(9)이 상기 투과 반사부(15)와 마주하게 된다.

상기 렌즈 어레이(13)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 투과 반사부(15) 사이에 구비될 수 있다.

상기 좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안이 위치한다.

상기 투과 반사부(15)는 상기 렌즈 어레이(13)와 상기 투과창(16) 사이에 배치된다. 상기 투과 반사부(15)는 광의 일부를 투과시키고, 광의 다른 일부를 반사시키는 반사면(15a)을 포함할 수 있다. 상기 반사면(15a)은 상기 좌안용 표시 장치(2a)에 표시된 영상이 상기 렌즈 어레이(13)로 진행하도록 형성된다. 따라서, 사용자는 상기 투과창(16)을 통해서 외부의 배경과 상기 좌안용 표시 장치(2a)에 의해 표시되는 영상을 모두 볼 수 있다. 즉, 사용자는 현실의 배경과 가상의 영상을 겹쳐 하나의 영상으로 볼수 있으므로, 증강현실(Augmented Reality, AR)이 구현될 수 있다.

상기 투과창(16)은 상기 투과 반사부(15)의 전방에 배치되어 있다.

이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

1 : 표시장치
2 : 기판 3 : 회로 소자층
4 : 제1 전극 5 : 유기발광층
6 : 제2 전극 7 : 나노 패턴 구조물
8 : 봉지층 9 : 컬러필터층
10 : 뱅크 11 : 펜스
12 : 수납 케이스 13 : 렌즈어레이
14 : 헤드 장착 밴드

Claims

제1 서브 화소와 제2 서브 화소를 갖는 기판;
상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 각각에 배치된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 유기발광층;
상기 유기발광층 상에 배치된 제2 전극; 및
상기 제1 전극의 가장자리와 중첩되면서 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소에 걸쳐서 배치된 복수개의 나노 패턴 구조물을 포함하고,
상기 나노 패턴 구조물들은 상기 유기발광층의 일부가 단절되도록 서로 이격된 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 나노 패턴 구조물들 상에 배치된 유기발광층은 발광되지 않는 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 나노 패턴 구조물들은 수계 쉴드층 또는 불소계 쉴드층이 경화되어 형성된 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 나노 패턴 구조물들 각각은,
상기 기판의 상면에 배치된 제1 나노 패턴 구조물; 및
상기 제1 전극의 상면에 배치된 제2 나노 패턴 구조물을 포함하는 표시장치.
제 4 항에 있어서,
상기 제1 나노 패턴 구조물은 상기 제1 전극보다 더 두껍게 구비된 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극의 가장자리를 덮으면서 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소를 구분하는 뱅크를 포함하고,
상기 나노 패턴 구조물들은 상기 뱅크 상에 배치된 표시장치.
제 6 항에 있어서,
상기 뱅크는 상면, 및 상기 상면에서부터 상기 제1 전극의 상면으로 연장되는 경사면을 포함하고,
상기 나노 패턴 구조물들은,
상기 뱅크의 경사면에 배치된 제3 나노 패턴 구조물; 및
상기 뱅크의 상면에 배치된 제4 나노 패턴 구조물을 포함하는 표시장치.
제 7 항에 있어서,
상기 제3 나노 패턴 구조물은 상기 제4 나노 패턴 구조물보다 낮게 배치된 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극의 가장자리를 덮으면서 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소를 구분하는 펜스를 포함하고,
상기 나노 패턴 구조물들은 상기 펜스 상에 배치된 표시장치.
제 9 항에 있어서,
상기 펜스는,
상기 제1 전극의 상면에 배치되는 제1 서브 펜스;
상기 제1 서브 펜스와 연결되며 제1 전극의 측면에 배치되는 제2 서브 펜스; 및
상기 제2 서브 펜스와 연결되며 상기 기판의 상면에 배치되는 제3 서브 펜스를 포함하고,
상기 나노 패턴 구조물들은,
상기 제1 서브 펜스의 상면과 상기 제2 서브 펜스의 상면에 배치된 제5 나노 패턴 구조물; 및
상기 제3 서브 펜스의 상면에 배치된 제6 나노 패턴 구조물을 포함하는 표시장치.
제 10 항에 있어서,
상기 제2 서브 펜스는 상기 제1 전극과 상기 제6 나노 패턴 구조물 사이에 배치된 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 기판은 상기 제2 서브 화소에 인접하는 제3 서브 화소를 더 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 서브 전극, 상기 제2 서브 화소에 구비된 제2 서브 전극, 및 상기 제3 서브 화소에 구비된 제3 서브 전극을 포함하고,
상기 나노 패턴구조물들은 상기 제2 서브 전극과 상기 제3 서브 전극의 가장자리에 중첩되면서 상기 제2 서브 화소와 상기 제3 서브 화소에 걸쳐서 추가로 구비되며,
상기 유기발광층은 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 및 상기 제3 서브 화소에 걸쳐서 배치되며 백색 광을 발광하도록 구비된 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 유기발광층은 제1 색상의 광을 발광하는 제1 스택, 상기 제1 색상과 상이한 제2 색상의 광을 발광하는 제2 스택, 및 상기 제1 스택과 상기 제2 스택 사이에 구비된 전하생성층을 포함하고,
상기 제1 스택 및 상기 전하생성층은 상기 나노 패턴 구조물에 의해 단절된 표시장치.
제 12 항에 있어서,
상기 제1 스택은 황녹색 발광층을 포함하거나 또는 적색 발광층과 녹색 발광층을 포함하고,
상기 제2 스택은 청색 발광층을 포함하는 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 전극 상에 배치된 컬러필터층을 포함하고,
상기 컬러필터층은 상기 제1 서브 화소에 대응되도록 배치된 제1 컬러필터, 상기 제2 서브 화소에 대응되도록 배치된 제2 컬러필터, 및 상기 제3 서브 화소에 대응되도록 배치된 제3 컬러필터를 포함하고,
상기 나노 패턴 구조물들 중 일부는 상기 제1 컬러필터, 상기 제2 컬러필터, 및 상기 제3 컬러필터에 중첩된 표시장치.
제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판과 이격되는 렌즈 어레이, 및 상기 기판과 상기 렌즈 어레이를 수납하는 수납 케이스를 추가로 포함하는 표시장치.