KR20140141571A - 발광 디바이스의 제조방법 및 발광 디바이스 - Google Patents

발광 디바이스의 제조방법 및 발광 디바이스 Download PDF

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히데오 야마기시
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가부시키가이샤 가네카
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Abstract

본 발명은, 마스크를 이용하여 기판상의 각 픽셀에 대응하는 각 영역에 발광층을 형성하는 발광 디바이스의 제조 방법에 있어서, 제조 공정의 효율화를 한층더 도모한다.
마스크의 제1 개구 및 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 제1 스펙트럼의 광을 발광하는 제1 발광재료로 기판상에 패턴을 형성한 후에, 제1 개구의 길이방향에 있어서의 제1 개구의 폭보다 짧고 제1 개구의 길이방향에 있어서의 적어도 1개의 제2 개구의 폭이상의 거리만큼, 제1 개구의 길이방향으로 마스크를 이동시켜, 마스크의 제1 개구 및 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 제2 스펙트럼의 광을 발광하는 제2 발광재료로 기판상에 패턴을 형성한다.

Description

발광 디바이스의 제조방법 및 발광 디바이스{METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DEVICE, AND LIGHT-EMITTING DEVICE }
본 발명은, 발광 디바이스의 제조 방법 및 발광 디바이스에 관한 것이다.
종래, 마스크를 이용하여 기판상의 각 픽셀에 대응하는 각 영역에 발광층을 증착하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2).
일본 특개 2011－165581호 공보 일본 특개 2010－40529호 공보
마스크를 이용하여 기판상의 각 픽셀에 대응하는 각 영역에 발광층을 형성하는 발광 디바이스의 제조 방법에 있어서, 제조 공정의 효율화가 한층더 요구되고 있다.
본 발명의 일 양태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법은, 제1 개구와, 제1 개구의 길이방향을 따라 배치되어 있는 적어도 1개의 제2 개구를 가지는 마스크를, 기판상에 배치하는 마스크 배치 공정과, 마스크 배치 공정의 후에, 마스크의 제1 개구 및 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 제1 스펙트럼의 광을 발광하는 제1 발광재료로 기판상에 패턴을 형성하는 제1 패턴 형성 공정과, 제1 패턴 형성 공정의 후에, 제1 개구의 길이방향에 있어서의 제1 개구의 폭보다 짧고 제1 개구의 길이방향에 있어서의 적어도 1개의 제2 개구의 폭이상의 거리만큼, 제1 개구의 길이방향으로 마스크를 이동시키는 제1 마스크 이동 공정과, 제1 마스크 이동 공정의 후에, 마스크의 제1 개구 및 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 제1 스펙트럼과는 다른 제2 스펙트럼의 광을 발광하는 제2 발광재료로 기판상에 패턴을 형성하는 제2 패턴 형성 공정을 포함한다.
상기 발광 디바이스의 제조 방법에 있어서, 제1 마스크 이동 공정에 있어서, 등간격으로 배치된 적어도 1개의 제2 개구 중 인접하는 2개의 제2 개구의 중심간 거리의 약 1/2의 거리만큼, 제1 개구의 길이방향으로 마스크를 이동시켜도 무방하다.
상기 발광 디바이스의 제조 방법은, 제2 패턴 형성 공정의 후에, 제1 개구의 길이방향에 있어서의 제1 개구의 폭보다 짧고 제1 개구의 길이방향에 있어서의 적어도 1개의 제2 개구의 폭이상의 거리만큼, 제1 개구의 길이방향으로 마스크를 이동시키는 제2 마스크 이동 공정과, 제2 마스크 이동 공정의 후에, 마스크의 제1 개구 및 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 제1 스펙트럼 및 제2 스펙트럼과는 다른 제3 스펙트럼의 광을 발광하는 제3 발광재료로 패턴을 형성하는 제3 패턴 형성 공정을 더 포함해도 무방하다.
상기 발광 디바이스의 제조 방법에 있어서, 제1 마스크 이동 공정에 있어서, 적어도 1개의 제2 개구 중 인접하는 2개의 제2 개구의 중심간 거리의 약 1/3의 거리만큼, 제1 개구의 길이방향으로 마스크를 이동시키며, 제 2 마스크 이동 공정에 있어서, 중심간 거리의 약 1/3의 거리만큼, 제1 개구의 길이방향으로 마스크를 이동시켜도 좋다.
상기 발광 디바이스의 제조 방법은, 제1 개구의 폭방향에 있어서의 제1 개구의 폭과 적어도 1개의 제2 개구의 폭의 합보다 긴 거리만큼, 제1 개구의 폭방향으로 마스크를 이동시키는 제4 마스크 이동 공정과, 제4 마스크 이동 공정의 후에, 마스크의 제1 개구 및 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 제1 발광재료로 기판상에 패턴을 형성하는 제4 패턴 형성 공정을 더 포함해도 무방하다.
상기 발광 디바이스의 제조 방법은, 제4 패턴 형성 공정의 후에, 제1 개구의 길이방향에 있어서의 제1 개구의 폭보다 짧고 제1 개구의 길이방향에 있어서의 적어도 1개의 제2 개구의 폭이상의 거리만큼, 제1 개구의 길이방향으로 마스크를 이동시키는 제5 마스크 이동 공정과, 제5 마스크 이동 공정의 후에, 마스크의 제1 개구 및 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 제2 발광재료로 기판상에 패턴을 형성하는 제5 패턴 형성 공정을 더 포함해도 좋다.
본 발명의 일 양태에 관한 발광 디바이스는, 제1 전극층 및 제2 전극층과, 제1 전극층과 제2 전극층과의 사이에 배치되어 있는 발광재료층을 구비하고, 발광재료층은, 제1 스펙트럼의 광을 발광하는 제1 발광재료로 형성되어 있는 제1 발광층과, 제1 발광층과 대략 동일한 형상이고, 제1 발광층에 대해서 면(面)방향으로 미리 정해진 거리만큼 어긋나 제1 발광층상으로부터 제1 발광층과 동일면 내까지의 범위에 적층되어 있으며, 제1 스펙트럼과는 다른 제2 스펙트럼의 광을 발광하는 제2 발광재료로 형성되어 있는 제2 발광층을 가진다.
상기 발광 디바이스에 있어서, 발광재료층은, 제1 발광층과 동일면 내의 제1 영역에, 제1 발광재료로 형성되어 있는 제3 발광층과, 제1 발광층과 동일면 내의 제2 영역에, 제2 발광재료로 형성되어 있는 제4 발광층을 더 가지며, 제3 발광층과 제4 발광층의 중심간 거리는, 미리 정해진 거리여도 좋다.
상기 발광 디바이스에 있어서, 제3 발광층 및 제4 발광층은, 제1 발광층 및 제2 발광층의 길이방향을 따라 배치되어 있어도 무방하다.
상기 발광 디바이스에 있어서, 제3 발광층 및 제4 발광층은, 제1 발광층과 제2 발광층이 겹쳐 있는 영역에 인접하여 배치되어 있어도 무방하다.
상기 발광 디바이스에 있어서, 발광재료층은, 제1 발광층 및 제2 발광층과 대략 동일한 형상이며, 제2 발광층에 대해서 면(面)방향으로 미리 정해진 거리만큼 어긋나 제2 발광층 상으로부터 제1 발광층과 동일면 내까지의 범위에 적층되어 있고, 제1 스펙트럼 및 제2 스펙트럼과는 다른 제3 스펙트럼의 광을 발광하는 제3 발광재료로 형성되어 있는 제5 발광층을 더 가져도 좋다.
상기 발광 디바이스에 있어서, 발광재료층은, 제1 발광층과 동일면 내의 제3 영역에, 제3 발광재료로 형성되어 있는 제6 발광층을 더 가져도 좋다.
상기 발광 디바이스에 있어서, 제6 발광층은, 제1 발광층, 제2 발광층, 및 제5 발광층의 길이방향을 따라, 제3 발광층 및 제4 발광층과 나란히 배치되어 있어도 좋다.
상기 발광 디바이스에 있어서, 제6 발광층은, 제1 발광층과 제2 발광층과 제5 발광층이 겹쳐 있는 영역에 인접하여 배치되어 있어도 무방하다.
또한 상기의 발명의 개요는, 본 발명의 필요한 특징의 전부를 열거한 것은 아니다. 또, 이러한 특징그룹의 서브콤비네이션도 또한, 발명이 될 수 있다.
도 1은, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 평면도이다.
도 2A는, 마스크의 평면도이다.
도 2B는, 마스크의 평면도이다.
도 3A는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법의 각 공정의 설명도를 나타낸다.
도 3B는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법의 각 공정의 설명도를 나타낸다.
도 3C는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법의 각 공정의 설명도를 나타낸다.
도 3D는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법의 각 공정의 설명도를 나타낸다.
도 3E는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법의 각 공정의 설명도를 나타낸다.
도 3F는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법의 각 공정의 설명도를 나타낸다.
도 3G는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법의 각 공정의 설명도를 나타낸다.
도 3H는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법의 각 공정의 설명도를 나타낸다.
도 4A는, 도 3H에 나타내는 A－A선 단면도이다.
도 4B는, 도 3H에 나타내는 B－B선 단면도이다.
도 5는, 다른 예에 관한 발광 디바이스의 평면도이다.
도 6은, 다른 예에 관한 마스크의 평면도이다.
도 7은, 다른 예에 관한 마스크의 평면도이다.
이하, 발명의 실시의 형태를 통해서 본 발명을 설명하지만, 이하의 실시 형태는 청구범위에 관한 발명을 한정하는 것은 아니다. 또, 실시 형태 중에서 설명되어 있는 특징의 조합의 전체가 발명의 해결 수단에 필수라고는 할 수 없다.
도 1은, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 평면도를 나타낸다. 발광 디바이스는, 기판(10)을 구비한다. 기판(10)은, 서로 이격되어 배치된 제1 발광층 영역(101), 제2 발광층 영역(102), 제3 발광층 영역(103), 및 제4 발광층 영역(104)을 가진다. 제1 발광층 영역(101)에는, 제1 스펙트럼의 광의 일례인 적색(R)의 광을 방사하는 적색 발광층이 형성되어 있다. 제2 발광층 영역(102)에는, 제1 스펙트럼과는 다른 제2 스펙트럼의 광의 일례인 녹색(G)의 광을 방사하는 녹색 발광층이 형성되어 있다. 제3 발광층 영역(103)에는, 제1 스펙트럼 및 제2 스펙트럼과는 다른 제3 스펙트럼의 광의 일례인 청색(B)의 광을 방사하는 청색 발광층이 형성되어 있다. 제4 발광층 영역(104)에는, 제1 스펙트럼, 제2 스펙트럼, 및 제3 스펙트럼의 광이 혼합된 광의 일례인 백색(W)의 광을 방사하는 백색 발광층이 형성되어 있다. 제1 발광층 영역(101), 제2 발광층 영역(102), 제3 발광층 영역(103), 및 제4 발광층 영역(104)은, 각각 1 서브 화소를 구성하고, 제1 발광층 영역(101), 제2 발광층 영역(102), 제3 발광층 영역(103), 및 제4 발광층 영역(104)에 의해 1 화소를 구성한다.
발광 디바이스는, 예를 들면, 제1 발광층 영역(101), 제2 발광층 영역(102), 제3 발광층 영역(103), 및 제4 발광층 영역(104)의 각각의 발광층을 동시에 발광시킨다. 이것에 의해, 발광 디바이스는, 각각의 발광층으로부터 조사(照射)된 광을 받은 사람에게, 미리 정해진 색온도를 가지는 백색광을 조사받고 있는 것처럼 인식시킨다.
도 2A는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 기판(10)의 상방의 제1 발광층 영역(101), 제2 발광층 영역(102), 제3 발광층 영역(103), 및 제4 발광층 영역(104)의 각각에 발광재료를 퇴적시키는 경우에 이용되는 마스크(200)의 평면도를 나타낸다.
마스크(200)는, 제1 개구(201)와, 제1 개구(201)의 길이방향(X)을 따라 형성되어 있는 복수의 제2 개구를 가진다. 복수의 제2 개구(202)의 각각의 중심간 거리는, 복수의 제1 발광층 영역(101), 복수의 제2 발광층 영역(102), 또는 복수의 제3 발광층 영역(103)끼리의 중심간 거리와 동일하다. 바꾸어 말하면, 복수의 제2 개구(202)의 각각의 중심간 거리는, 하나의 제1 발광층 영역(101)과, 하나의 제1 발광층 영역(101)에 인접하는 하나의 제2 발광층 영역(102)과의 중심간 거리의 3배이다.
마스크(200)를 이용한 발광재료의 퇴적 및 길이방향(X) 또는 폭방향(Y)으로의 마스크(200)의 이동을 반복함으로써, 기판(10)의 상방의 각각의 발광층 영역에 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층, 및 백색 발광층을 형성한다. 또한, 마스크(200)가 가지는 제1 개구(201) 및 복수의 제2 개구(202)는, 도 2B에 나타내는 바와 같이, 1개의 개구를 형성해도 좋다. 또, 마스크(200)는, 적어도 1개의 제2 개구(202)를 가지고 있으면 좋다.
도 3A, 도 3B, 도 3C, 도 3D, 도 3E, 도 3F, 도 3G, 및 도 3H는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법의 각 공정의 설명도를 나타낸다.
마스크(200)를, 기판(10)상의 미리 정해진 위치, 예를 들면, 도 3A에 있어서, 가장 좌측의 제2 개구(202)가, 기판(10)이 가지는 복수의 제1 발광층 영역(101) 중 가장 좌측상방(最左上)의 제1 발광층 영역(102)에 대응하는 위치에 배치한다(도 3A). 마스크 배치 공정의 후에, 마스크(200)의 제1 개구(201) 및 복수의 제2 개구(202)를 통하여, 적색(R)에 대응하는 제1 스펙트럼의 광을 발광하는 제1 발광재료를 예를 들면 마스크 증착함으로써, 제1 발광재료로 기판(10)상에 패턴을 형성한다. 이것에 의해, 기판(10)상에 복수의 적색 발광층(32a), 및 적색 발광층(32b)을 형성한다. 또한, 적색 발광층(32a)은, 「제3 발광층」의 일례이다. 적색 발광층(32b)은, 「제1 발광층」의 일례이다.
계속하여, 제1 개구(201)의 폭방향(300)에 있어서의 제1 개구의 폭(w2)과 복수의 제2 개구(202)의 폭(w1)과의 합보다 긴 거리(w3)만큼, 제1 개구의 폭방향(300)으로 마스크(200)를 이동시킨다. 마스크(200)를 폭방향(300)으로 이동시킨 후에, 마스크(200)의 제1 개구(201) 및 복수의 제2 개구(202)를 통하여, 다시 제1 발광재료로 기판(10)상에 패턴을 형성한다(도 3C). 마스크(200)의 폭방향(300)의 이동 및 제1 발광재료의 마스크 증착을 반복함으로써, 기판(10)상에 복수의 적색 발광층(32a), 및 복수의 적색 발광층(32b)을 형성한다(도 3D).
다음에, 제1 개구(201)의 길이방향(302)에 있어서의 제1 개구(201)의 폭(D)보다 짧고 제1 개구(201)의 길이방향(302)에 있어서의 복수의 제2 개구(202)의 폭이상의 거리만큼, 제1 개구(201)의 길이방향(302)으로 마스크(200)를 이동시킨다(도 3E). 보다 구체적으로는, 복수의 제2 개구(202) 중 인접하는 2개의 제2 개구의 중심간 거리(d)의 대략 1/3의 거리(d/3)만큼, 제1 개구(201)의 길이방향(302)으로 마스크(200)를 이동시킨다. 마스크(200)를 길이방향(302)으로 이동시킨 후, 마스크(200)의 제1 개구(201) 및 복수의 제2 개구(202)를 통하여, 녹색에 대응하는 제1 스펙트럼과는 다른 제2 스펙트럼의 광을 발광하는 제2 발광재료를 마스크 증착함으로써, 제2 발광재료로 기판(10)상에 패턴을 형성한다(도 3F). 이것에 의해, 기판(10)상에 복수의 녹색 발광층(33a), 및 녹색 발광층(33b)을 형성한다. 또, 녹색 발광층(33a)은, 「제4 발광층」의 일례이다. 녹색 발광층(33b)은, 「제2 발광층」의 일례이다.
제1 개구(201)의 폭방향(300)에 있어서의 제1 개구의 폭(w2)과 복수의 제2 개구(202)의 폭(w1)과의 합보다 긴 거리(w3)만큼, 제1 개구의 폭방향(300)으로 마스크(200)를 이동시키며, 마스크(200)의 제1 개구(201) 및 복수의 제2 개구(202)를 통하여 제2 발광재료로 기판(10)상에 패턴을 형성하는 공정을 반복하여, 기판(10)상에, 복수의 녹색 발광층(33a) 및 복수의 녹색 발광층(33b)을 형성한다(도 3G).
이어서, 복수의 녹색 발광층(33a) 및 복수의 녹색 발광층(33b)의 형성이 종료한 후, 제1 개구(201)의 길이방향에 있어서의 제1 개구(201)의 폭보다 짧고 제1 개구(201)의 길이방향에 있어서의 복수의 제2 개구(202)의 폭이상의 거리(d/3)만큼, 제1 개구(201)의 길이방향으로 마스크(200)를 이동시킨다. 게다가 마스크(200)의 제1 개구(201) 및 복수의 제2 개구(202)를 통하여, 청색에 대응하는 제1 스펙트럼 및 제2 스펙트럼과는 다른 제3 스펙트럼의 광을 발광하는 제3 발광재료를 마스크 증착함으로써, 제3 발광재료로 패턴을 형성한다. 그 다음에, 제1 개구(201)의 폭방향(300)에 있어서의 제1 개구의 폭(w2)과 복수의 제2 개구(202)의 폭(w1)과의 합보다 긴 거리(w3)만큼, 제1 개구의 폭방향(300)으로 마스크(200)를 이동시키고, 마스크(200)의 제1 개구(201) 및 복수의 제2 개구(202)를 통하여, 제3 발광재료로 패턴을 형성한다. 마스크(200)의 폭방향의 이동 및 마스크(200)를 이용한 제3 발광재료의 패턴 형성을 반복하여, 기판상에, 복수의 청색 발광층(34a) 및 복수의 청색 발광층(34b)을 형성한다(도 3H). 또한 청색 발광층(34a)은, 「제6 발광층」의 일례이다. 청색 발광층(34b)은, 「제5 발광층」의 일례이다.
이상의 각 공정에 의해, 기판(10)의 상방에 발광층을 형성할 수 있다. 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 제조 방법에 의하면, 동일한 마스크를 이용하여, 기판(10)의 상방의 각각 다른 영역에 단색의 광을 방사하는 단층 발광층 및 복수색의 광을 방사하는 다층 발광층을 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 발광 디바이스의 제조 공정을 효율화할 수 있어, 발광 디바이스의 제조 코스트를 억제할 수 있다.
도 4A는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 도 3H에 나타내는 A－A선 단면도를 나타낸다. 도 4B는, 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 도 3H에 나타내는 B－B선 단면도를 나타낸다.
본 실시 형태에 관한 발광 디바이스는, 기판(10), 제1 전극층(20), 발광재료층(30), 및 제2 전극층(40)을 구비한다. 발광재료층(30)은, 제1 전극층(20)과 제2 전극층(40)과의 사이에 배치되어 있다. 발광 디바이스는, 이른바 보텀 에미션(bottom emission)형의 유기EL 발광 디바이스이다. 또한 발광 디바이스는, 이른바 탑 에미션(top emission)형의 유기EL 발광 디바이스, 또는 양면 광취출(光取出)형의 유기EL 발광 디바이스라도 좋다.
기판(10)은, 유리 또는 고분자 필름 등의 광투과성을 가지는 판재(板材)를 이용할 수가 있다. 제1 전극층(20)은, 양극이며, 투명 도전막이어도 좋다. 제1 전극층(20)은, 광투과성 도전성 재료에 의해 구성되어도 무방하다. 여기서, 「광투과성」이란, 광을 투과하는 성질을 가지는 것을 의미한다. 광투과성 도전성 재료는, 가시광영역(350nm~780nm)에 있어서의 광의 투과율이 대체로 50%를 넘는 성질을 가지고, 또한 표면 저항값이 107Ω 이하인 재료를 말한다. 구체적으로는, 광투과성 도전성 재료로서, 인듐도프의 산화 주석(ITO), 인듐도프의 산화 아연(IZO), 산화 주석, 산화 아연 등을 이용할 수가 있다. 표면 저항의 낮음의 관점에서는, 인듐도프의 산화 주석을 이용하여 제1 전극층(20)을 구성하는 것이 바람직하다. 제1 전극층(20)은, 예를 들면, 스퍼터법, 증착법, 펄스 레이저 퇴적법 등에 의해 기판(10)상에 ITO 박막을 형성함으로써 형성된다. 제1 전극층(20)은, 제1 방향(마스크(200)의 길이방향)을 따라서 띠(帶)모양으로 배치되어 있는 복수의 제1 전극(22)을 가진다. 또한, 제1 전극층(20)은, 공통 전극인 하나의 제1 전극(22)을 가져도 무방하다.
제2 전극층(40)은, 음극이며, 발광재료층(30)의 상방에 배치되어 있다. 제2 전극층(40)은, 예를 들면, Al 또는 Ag 등의 도전성 재료를 이용하여, 증착법, 스퍼터법 등의 방법에 의해 발광재료층(30) 상에 형성된다. 기판(10) 측으로부터 광을 취출하는 보텀 에미션형의 유기EL 발광 디바이스의 경우, 제2 전극층(40)은 광투과성일 필요는 없다. 한편, 탑 에미션형 또는 양면 취출형의 유기EL 발광 디바이스의 경우, 제2 전극층(40)은, 광투과성 도전재료에 의해 구성된다. 이 경우, 제2 전극층(40)은, 제1 전극층(20)에서 이용되는 재료와 동일한 재료에 의해 구성되어도 무방하다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 제2 전극층(40)은, 발광재료층(30) 상에 배치되어 있다. 그러나, 발광 디바이스의 제조 공정에 있어서, 흡습(吸濕)에 의해 발광재료층(30)을 구성하는 각 층이 열화하는 것을 억제하는 관점에서, 발광재료층(30)의 최(最)표면(제2 전극층(40)과의 계면)에 제2 전극층(40)과는 별도로, 버퍼층으로서 도전성이 다른 층을 형성해도 좋다. 제2 전극층(40)은, 제1 방향에 수직인 제2 방향(마스크(200)의 폭방향)을 따라 띠모양으로 배치되어 있는 복수의 제2 전극(42)을 가진다.
복수의 제1 전극(22) 및 복수의 제2 전극(42)의 각각에 개별 또는 동시에 구동 전압을 인가함으로써, 복수의 제1 전극(22) 및 복수의 제2 전극(42) 중 구동 전압이 인가된 각각의 제1 전극 및 제2 전극이 교차하는 각각의 영역에 있어서의 발광재료층(30)이 발광한다.
발광재료층(30)은, 일반의 유기EL 소자에 있어서 양극과 음극에 끼워 유지된 부분을 나타내며, 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 주입층, 및 정공 수송층 등을 가진다. 발광재료층(30)은, 유기 화합물 외에, 박막의 알칼리 금속 또는 무기 재료를 이용하여 구성되어도 무방하다.
발광재료층(30)은, 정공 주입층 및 정공 수송층(31), 및 전자 주입층 및 전자 수송층(35)을 포함한다. 발광재료층(30)은, 정공 주입층 및 정공 수송층(31)과 전자 주입층 및 전자 수송층(35)과의 사이에, 적색 발광층(32a), 녹색 발광층(33a), 청색 발광층(34a) , 또는 백색 발광층(36)을 가진다. 백색 발광층(36)은, 적색 발광층(32b), 녹색 발광층(33b), 및 청색 발광층(34b)을 포함한다.
적색 발광층(32b)은, 적색에 대응하는 제1 스펙트럼의 광을 발광하는 제1 발광재료로 형성되어 있다. 녹색 발광층(33b)은, 적색 발광층(32b과 음극측에서 보아 대략 동일한 형상이며, 적색 발광층(32b)에 대해서 면방향으로 미리 정해진 거리(d/3)만큼 어긋나 적색 발광층(32b) 상으로부터 적색 발광층(32b)과 동일면 내까지의 범위에 적층되어 있고, 제2 스펙트럼의 광을 발광하는 제2 발광재료로 형성되어 있다.
청색 발광층(34b)은, 적색 발광층(32b) 및 녹색 발광층(33b)과 음극측에서 보아 대략 동일한 형상이며, 녹색 발광층(33b)에 대해서 면방향으로 미리 정해진 거리(d/3)만큼 어긋나 녹색 발광층(33b)상으로부터 적색 발광층(32b)과 동일면 내까지의 범위에 적층되어 있으며, 제3 스펙트럼의 광을 발광하는 제3 발광재료로 형성되어 있다.
적색 발광층(32a)은, 적색 발광층(32b)과 동일면 내의 제1 발광층 영역(101)에, 제1 발광재료로 형성되어 있다. 녹색 발광층(33a)은, 적색 발광층(32a)과 동일면 내의 제2 발광층 영역(102)에, 제2 발광재료로 형성되어 있다. 청색 발광층(34a)은, 적색 발광층(32b)과 동일면 내의 제3 발광층 영역(103)에, 제3 발광재료로 형성되어 있다. 적색 발광층(32a)과 녹색 발광층(33a)의 중심간 거리 및 녹색 발광층(33a) 및 청색 발광층(34a)의 중심간 거리는, 미리 정해진 거리(d/3)이다. 또, 적색 발광층(32a) 및 녹색 발광층(33a)은, 적색 발광층(32b) 및 녹색 발광층(33b)의 길이방향을 따라 배치되어 있다. 적색 발광층(32a) 및 녹색 발광층(33a)은, 적색 발광층(32b)과 녹색 발광층(33b)이 겹쳐 있는 영역에 인접하여 배치되어 있다. 청색 발광층(34a)은, 적색 발광층(32b), 녹색 발광층(33b), 및 청색 발광층(34b)의 길이방향을 따라서, 적색 발광층(32a) 및 녹색 발광층(33a)과 나란히 배치되어 있다. 적색 발광층(32a), 녹색 발광층(33a) 및 청색 발광층(34a)은, 적색 발광층(32b), 녹색 발광층(33b), 및 청색 발광층(34b)이 겹쳐 있는 영역에 인접하여 배치되어 있다.
이상과 같이 구성된 발광 디바이스에 의하면, 예를 들면, 적색 발광층(32a 및 32b), 녹색 발광층(33a 및 33b), 및 청색 발광층(34a 및 34b)을 동시에 발광시킴으로써, 각각의 발광층으로부터 조사된 광을 받은 사람에게, 미리 정해진 색온도를 가지는 백색광을 조사받고 있는 것처럼 인식시킬 수가 있다.
또한, 발광 디바이스는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제1 발광층 영역(101), 제3 발광층 영역(103), 및 제4 발광층 영역(104)으로 구성되는 복수의 화소를 가져도 무방하다. 이 경우, 마스크(200)가 가지는 복수의 제2 개구(202)의 중심간 거리는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 복수의 제1 발광층 영역(101), 또는 복수의 제3 발광층 영역(103)끼리의 중심간 거리와 동일하다. 바꾸어 말하면, 복수의 제2 개구(202)의 각각의 중심간 거리는, 하나의 제1 발광층 영역(101)과, 하나의 제1 발광층 영역(101)에 인접하는 하나의 제3 발광층 영역(103)의 중심간 거리(d/2)의 2배의 거리(d)이다. 도 6에 나타내는 마스크(200)를 이용하여 발광 디바이스를 제조하는 경우에 있어서, 마스크(200)를 제1 개구(201)의 길이방향으로 이동하는 경우에는, 등간격으로 배치된 복수의 제2 개구(202) 중 인접하는 2개의 제2 개구의 중심간 거리의 대략 1/2의 거리(d/2)만큼, 제1 개구(201)의 길이방향으로 마스크(200)를 이동시키면 좋다. 이것에 의해, 단상(單相) 발광층 및 다층 발광층을 동일 마스크를 이용하여 동시에 형성할 수 있다.
또, 상기의 실시 형태에 관한 마스크는, 기판(10)상에 배치되는 일렬 분(一列分)의 화소군에 대응하는 1개의 제1 개구(201)와 복수의 제2 개구(202)만을 가지는 예에 대해 설명했다. 그러나, 도 7에 나타내는 바와 같이, 마스크(200)는, 기판(10)상에 배치되는 복수열 분의 화소군에 대응하는 복수의 제1 개구(201)와, 복수의 제1 개구(201)의 각각에 대응하는 복수의 제2 개구(202)를 가져도 무방하다. 이러한 마스크(200)에 의하면, 제1 개구(201)의 폭방향으로의 이동을 줄일 수가 있다. 따라서, 한층 더 제조 공정의 효율화를 도모할 수 있다.
또한, 백색(W)의 광을 방사하는 대(大)면적의 제4 발광층 영역(104) 이외의 적색(R) 또는 녹색(G) 청색(B) 등의 광을 방사하는 제1 발광층 영역(101), 제2 발광층 영역(102), 및 제3 발광층 영역(101) 등의 면적은 시감(視感) 효율 또는 발광 효율의 관계로부터 반드시 동일한 면적일 필요는 없고, 또, 동일한 면적으로 각각의 발광층을 형성한 경우라도, 각각의 발광 영역에 대응하는 양극 또는 음극, 즉, 제1 전극층(20) 또는 제2 전극층(40)의 면적을 조정함으로써 발광층 영역으로서의 면적은 조정할 수가 있다.
이상, 본 발명을 실시의 형태를 이용하여 설명했지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시의 형태에 기재된 범위로는 한정되지 않는다. 상기 실시의 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능하다는 것이 당업자에게 명백하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이, 청구범위의 기재로부터 명백하다.
청구범위, 명세서, 및 도면 중에 있어서 나타낸 장치, 시스템, 프로그램, 및 방법에 있어서의 동작, 순서, 스텝, 및 단계 등의 각 처리의 실행 순서는, 특별히 「보다 전에」, 「앞서」등으로 명시하고 있지 않으며, 또한, 전 처리의 출력을 후 처리에 이용하는 것이 아닌 한, 임의의 순서로 실현될 수 있다는 점에 유의하여야 한다. 청구범위, 명세서, 및 도면 중의 동작 플로우에 관해서, 편의상 「우선,」, 「다음에,」등을 이용하여 설명했다고 해도, 이 순서로 실시하는 것이 필수인 것을 의미하는 것은 아니다.
10 기판
20 제1 전극층
30 발광재료층
32a, 32b 적색 발광층
33a, 33b 녹색 발광층
34a, 34b 청색 발광층
36 백색 발광층
40 제2 전극층
101 발광층 영역
102 발광층 영역
103 발광층 영역
104 발광층 영역
200 마스크
201 제1 개구
202 제2 개구

Claims (14)

  1. 제1 개구와, 상기 제1 개구의 길이방향을 따라 배치되어 있는 적어도 1개의 제2 개구를 가지는 마스크를, 기판상에 배치하는 마스크 배치 공정과,
    상기 마스크 배치 공정 후에, 상기 마스크의 상기 제1 개구 및 상기 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 제1 스펙트럼의 광을 발광하는 제1 발광재료로 상기 기판상에 패턴을 형성하는 제1 패턴 형성 공정과,
    상기 제1 패턴 형성 공정 후에, 상기 제1 개구의 길이방향에 있어서의 상기 제1 개구의 폭보다 짧고 상기 제1 개구의 길이방향에 있어서의 상기 적어도 1개의 제2 개구의 폭 이상의 거리만큼, 상기 제1 개구의 길이방향으로 상기 마스크를 이동시키는 제1 마스크 이동 공정과,
    상기 제1 마스크 이동 공정 후에, 상기 마스크의 상기 제1 개구 및 상기 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 상기 제1 스펙트럼과는 다른 제2 스펙트럼의 광을 발광하는 제2 발광재료로 상기 기판상에 패턴을 형성하는 제2 패턴 형성 공정
    을 포함하는 발광 디바이스의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 마스크 이동 공정에 있어서, 등간격으로 배치된 상기 적어도 1개의 제2 개구 중 인접하는 2개의 제2 개구의 중심간 거리의 대략 1/2의 거리만큼, 상기 제1 개구의 길이방향으로 상기 마스크를 이동시키는 발광 디바이스의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 패턴 형성 공정 후에, 상기 제1 개구의 길이방향에 있어서의 상기 제1 개구의 폭보다 짧고 상기 제1 개구의 길이방향에 있어서의 상기 적어도 1개의 제2 개구의 폭이상의 거리만큼, 상기 제1 개구의 길이방향으로 상기 마스크를 이동시키는 제2 마스크 이동 공정과,
    상기 제2 마스크 이동 공정 후에, 상기 마스크의 상기 제1 개구 및 상기 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 상기 제1 스펙트럼 및 상기 제2 스펙트럼과는 다른 제3 스펙트럼의 광을 발광하는 제3 발광재료로 패턴을 형성하는 제3 패턴 형성 공정
    을 더 포함하는 발광 디바이스의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 마스크 이동 공정에 있어서, 상기 적어도 1개의 제2 개구 중 인접하는 2개의 제2 개구의 중심간 거리의 대략 1/3의 거리만큼, 상기 제1 개구의 길이방향으로 상기 마스크를 이동시키고,
    상기 제2 마스크 이동 공정에 있어서, 상기 중심간 거리의 대략 1/3의 거리만큼, 상기 제1 개구의 길이방향으로 상기 마스크를 이동시키는 발광 디바이스의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 개구의 폭방향에 있어서의 상기 제1 개구의 폭과 상기 적어도 1개의 제2 개구의 폭과의 합보다 긴 거리만큼, 상기 제1 개구의 폭방향으로 상기 마스크를 이동시키는 제4 마스크 이동 공정과,
    상기 제4 마스크 이동 공정 후에, 상기 마스크의 상기 제1 개구 및 상기 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 상기 제1 발광재료로 상기 기판상에 패턴을 형성하는 제4 패턴 형성 공정
    을 더 포함하는 발광 디바이스의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제4 패턴 형성 공정 후에, 상기 제1 개구의 길이방향에 있어서의 상기 제1 개구의 폭보다 짧고 상기 제1 개구의 길이방향에 있어서의 상기 적어도 1개의 제2 개구의 폭이상의 거리만큼, 상기 제1 개구의 길이방향으로 상기 마스크를 이동시키는 제5 마스크 이동 공정과,
    상기 제5 마스크 이동 공정 후에, 상기 마스크의 상기 제1 개구 및 상기 적어도 1개의 제2 개구를 통하여, 상기 제2 발광재료로 상기 기판상에 패턴을 형성하는 제5 패턴 형성 공정
    을 더 포함하는 발광 디바이스의 제조 방법.
  7. 제1 전극층 및 제2 전극층과,
    상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층의 사이에 배치되어 있는 발광재료층을 구비하고,
    상기 발광재료층은,
    제1 스펙트럼의 광을 발광하는 제1 발광재료로 형성되어 있는 제1 발광층과,
    상기 제1 발광층과 대략 동일한 형상이며, 상기 제1 발광층에 대해서 면방향으로 미리 정해진 거리만큼 어긋나 상기 제1 발광층 상으로부터 상기 제1 발광층과 동일면 내까지의 범위에 적층되어 있고, 상기 제1 스펙트럼과는 다른 제2 스펙트럼의 광을 발광하는 제2 발광재료로 형성되어 있는 제2 발광층
    을 가지는 발광 디바이스.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 발광재료층은,
    상기 제1 발광층과 동일면 내의 제1 영역에, 상기 제1 발광재료로 형성되어 있는 제3 발광층과,
    상기 제1 발광층과 동일면 내의 제2 영역에, 상기 제2 발광재료로 형성되어 있는 제4 발광층을 더 가지고,
    상기 제3 발광층과 상기 제4 발광층과의 중심간 거리는, 상기 미리 정해진 거리인 발광 디바이스.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 발광층 및 상기 제4 발광층은, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층의 길이방향을 따라 배치되어 있는 발광 디바이스.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제3 발광층 및 상기 제4 발광층은, 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층이 겹쳐 있는 영역에 인접하여 배치되어 있는 발광 디바이스.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광재료층은, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 대략 동일한 형상이며, 상기 제2 발광층에 대해서 상기 면방향으로 상기 미리 정해진 거리만큼 어긋나 상기 제2 발광층상으로부터 상기 제1 발광층과 동일면 내까지의 범위에 적층되어 있고, 상기 제1 스펙트럼 및 상기 제2 스펙트럼과는 다른 제3 스펙트럼의 광을 발광하는 제3 발광재료로 형성되어 있는 제5 발광층을 더 가지는 발광 디바이스.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 발광재료층은, 상기 제1 발광층과 동일면 내의 제3 영역에, 상기 제3 발광재료로 형성되어 있는 제6 발광층을 더 가지는 발광 디바이스.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제6 발광층은, 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층, 및 상기 제5 발광층의 길이방향을 따라, 상기 제3 발광층 및 상기 제4 발광층과 나란하게 배치되어 있는 발광 디바이스.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제6 발광층은, 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층과 상기 제5 발광층이 겹쳐 있는 영역에 인접하여 배치되어 있는 발광 디바이스.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9252375B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
CN103545344B (zh) * 2013-11-07 2015-09-30 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及其制造方法、发光器件、阵列基板和显示装置
JP2023524635A (ja) * 2020-04-21 2023-06-13 エイチツーヴィアール ホールドコ，インコーポレイテッド 複数の画素および副画素を含む表面実装部品
KR20220078007A (ko) * 2020-12-02 2022-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970007173B1 (ko) * 1994-07-14 1997-05-03 현대전자산업 주식회사 미세패턴 형성방법
JP2001296819A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nec Corp 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法
US6815723B2 (en) * 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
US6919681B2 (en) * 2003-04-30 2005-07-19 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved power efficiency
JP3794407B2 (ja) * 2003-11-17 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器
JP4608874B2 (ja) * 2003-12-02 2011-01-12 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびその製造方法
JP4441282B2 (ja) * 2004-02-02 2010-03-31 富士フイルム株式会社 蒸着マスク及び有機ｅｌ表示デバイスの製造方法
JP2006233286A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、パターン形成装置、パターン形成方法
TWI281360B (en) * 2005-08-31 2007-05-11 Univision Technology Inc Full color organic electroluminescent display device and method for fabricating the same
KR100708714B1 (ko) * 2005-09-30 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2007234268A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2007335186A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4721460B2 (ja) * 2007-02-02 2011-07-13 キヤノン株式会社 表示装置及びその製造方法
KR100922763B1 (ko) * 2008-03-13 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101453877B1 (ko) 2008-08-04 2014-10-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 ｅｌ 소자의 발광층을 증착하는 방법, 상기 증착방법을 포함하는 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법, 및 상기제조 방법에 의해 제조된 유기 ｅｌ 소자
JP2010080423A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Fujifilm Corp カラー表示装置及びその製造方法
US8569744B2 (en) * 2009-03-30 2013-10-29 Universal Display Corporation OLED display architecture
KR101182442B1 (ko) * 2010-01-27 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
JP5486951B2 (ja) 2010-02-12 2014-05-07 株式会社アルバック 蒸着マスク、蒸着装置、薄膜形成方法
CN101831607A (zh) * 2010-04-26 2010-09-15 彩虹显示器件股份有限公司 一种oled掩膜板及其应用方法

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