JP2001296819A - 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法 - Google Patents

有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法

Info

Publication number
JP2001296819A
JP2001296819A JP2000115377A JP2000115377A JP2001296819A JP 2001296819 A JP2001296819 A JP 2001296819A JP 2000115377 A JP2000115377 A JP 2000115377A JP 2000115377 A JP2000115377 A JP 2000115377A JP 2001296819 A JP2001296819 A JP 2001296819A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
pattern mask
organic thin
thin film
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000115377A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Utsuki
功二 宇津木
Masashi Tamegai
昌司 為我井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2000115377A priority Critical patent/JP2001296819A/ja
Priority to KR10-2001-0020476A priority patent/KR100400171B1/ko
Priority to US09/835,410 priority patent/US6627332B2/en
Publication of JP2001296819A publication Critical patent/JP2001296819A/ja
Priority to US10/164,418 priority patent/US6811809B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空蒸着法において、基板上にパターンマス
クを使って電極ラインを百ミクロンといった微細ピッチ
で、形成・分離する高精細有機薄膜ＥＬデバイスとその
製造方法を提供する。 【解決手段】 電極ラインが、複数の電極１５ａ，１５
ｂの一部が互いに重なりあっていることを特徴とする有
機薄膜ＥＬデバイスであり、電極ライン形成用のパター
ンマスクの開口部は撓みや歪を考慮した構造にし、前記
パターンマスクを移動させて一本の電極ラインを複数回
の蒸着で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光画素がマトリ
クス状に配置されてなる有機薄膜ＥＬデバイス及びその
製造方法に関する。特に、真空蒸着法においてパターン
マスクを使って微細な複数の電極ラインを形成する有機
薄膜ＥＬデバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機薄膜ＥＬ素子は、陽極から注入され
た正孔と陰極から注入された電子が発光層内で再結合
し、励起状態を経て発光する現象を利用するものであ
る。したがって、有機薄膜層は発光層の発光材料の性質
によって種々の素子構成が検討されているが、基本的に
は強い蛍光を発する有機発光層を陽極と陰極で挟むこと
で素子が完成する。さらに、発光の高効率化や安定駆動
のためには、正孔注入輸送層や電子注入輸送層等の電荷
注入輸送層や各種の界面層を設けたり、有機発光層へゲ
スト分子をドーピングすることが有効とされている。ま
た、発光効率や寿命特性を改善する目的で電極材料、特
に陰極材料の検討も行われている。これらの素子構造や
素子構成材料の改良によって、十分ではないが、実用化
可能な性能が得られている。
【０００３】さらに最近では、有機薄膜ＥＬ素子の応用
として、フルカラー有機薄膜ＥＬディスプレイの試作例
も報告されている。フルカラー有機薄膜ＥＬディスプレ
イのカラー化方式としては、各色の発光素子を基板上に
並列配置する方式（三色独立発光方式）、青色発光をＥ
Ｌ発光源として、色変換層を光取り出し面に設置する方
式（ＣＣＭ方式）、白色発光をＥＬ発光源とし、カラー
フィルターを使ってフルカラー表示する方式（カラーフ
ィルター方式）等があり、これらの方式によってカラー
ディスプレイが考案・試作されているが、単純な構造を
有し、発光効率の有効利用を図れるという点で三色独立
発光方式が優れている。
【０００４】三色独立発光方式を採用したカラー有機薄
膜ＥＬディスプレイの試作例として、対角５．７インチ
で３２０×２４０ピクセルのカラー有機ＥＬディスプレ
イが報告されている（ＮＥＣ技報，Vol.51,No.10,pp28-
32(1998年)）。このディスプレイの製造において、電極
（陰極）ラインは２４０本のスリット（ライン）を有す
る金属からなるパターンマスクを通して蒸着により形成
している。このディスプレイのピクセルサイズは０．３
６ｍｍ×０．３６ｍｍで、サブピクセルピッチが０．１
２ｍｍ（１２０μｍ）である。また、対角５．２インチ
で３２０×２４０ピクセルのフルカラー有機ＥＬディス
プレイが報告されている（Extended Abstracts of 9th
International Workshop on Inorganic and Organic El
ectroluminescence, September 14-17, pp137-140(199
8)）。このディスプレイの陰極ラインは、レジストから
なる逆テーパ上の隔壁の遮蔽を利用して真空蒸着により
形成している。このディスプレイのピクセルピッチは
０．３３ｍｍ（３３０μｍ）、サブピクセルピッチは
０．１１ｍｍ（１１０μｍ）である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述した三色独立発光
方式による有機薄膜ＥＬデバイスは、単純構造で高効率
発光が得られる可能性がある。しかし、従来の試作例に
おける電極（陰極）ラインの形成において、ライン上の
開口部のマスクを使用した場合には、陰極形成時の輻射
熱によって金属マスクが撓んだり、マスクホルダーによ
る応力等によって開口部の形状が保てない理由などから
微細な陰極ラインの形成は困難であった。また、レジス
トなどからなる逆テーパ状の隔壁の遮蔽を利用して形成
した陰極ラインを有する有機ＥＬディスプレイでは、レ
ジストの水分などによってピクセルのダークスポット発
生や成長を招き、ディスプレイの欠陥の要因になってい
た。
【０００６】百ミクロンピッチといった高精細かつ欠陥
のないフルカラー有機ＥＬディスプレイを真空蒸着で製
造するには、高精細な金属マスクの開口部を通して陰極
ラインを形成することが有効である。そのためには、テ
ンションや輻射熱を受けても開口部の精度が変化しない
金属マスクを用いて有機薄膜ＥＬ素子を作製することが
極めて重要である。
【０００７】本発明の目的は、金属マスク（パターンマ
スク）を用いてピクセルピッチが百ミクロン程度で、か
つピクセルの開口率が大きいといった高精細の陰極ライ
ン形成を達成し、高精細かつ高開口率のピクセルを有す
る有機薄膜ＥＬデバイスとその製造方法を提供すること
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、下記（１）、（２）に示す有機薄膜ＥＬ
デバイス及び下記（３）〜（７）に示す有機薄膜ＥＬデ
バイスの製造方法を提供する。
【０００９】（１）一対の電極間に少なくとも発光層を
含んだ有機薄膜が形成され、かつ前記電極の少なくとも
一方が真空蒸着により形成され、かつ前記電極がライン
形状をなした有機薄膜ＥＬデバイスにおいて、有機薄膜
上の前記電極ラインが、複数の電極の一部が互いに重な
りあって形成されてなることを特徴とする有機薄膜ＥＬ
デバイス。
【００１０】（２）赤色発光層薄膜、緑色発光層薄膜及
び青色発光層薄膜が規則的にパターン形成されているこ
とを特徴とする（１）の有機薄膜ＥＬデバイス。
【００１１】（３）基板上に有機薄膜及び複数の電極ラ
インを配列して形成し、かつ有機薄膜上の前記電極ライ
ンを複数の電極の一部を互いに重なりあわせて形成して
なる有機薄膜ＥＬデバイスの製造方法であって、パター
ン加工されたパターンマスクを基板面と間隔をあけて平
行移動させることで、前記複数の電極ラインを形成する
ことを特徴とする有機薄膜ＥＬデバイスの製造方法。
【００１２】（４）パターン加工されたパターンマスク
を、パルス制御モータにより制御駆動されて互いに直交
するＸＹ方向に独立に微動し得るパターンマスク移動ス
テージに装着し、前記基板を、この基板とパターンマス
クとの距離及び煽り角を調整するＺ軸煽り手段と、基板
とパターンマスクとの回転角を調整する回転手段と、基
板を前記Ｘ方向及び／又はＹ方向に移動させかつ微調整
し得るＸ軸及び／又はＹ軸移動手段を備えた基板移動ス
テージに装着し、前記基板とパターンマスクとを間隔を
あけて重ね、前記基板移動ステージを調整して前記基板
とパターンマスクとの位置合わせを行い、前記パターン
を通して電極材料を基板面に蒸着し、次いで前記パター
ンマスク移動ステージを基板と平行に微動させてパター
ンマスクのパターンを基板面の蒸着部に一部重なるよう
に、非蒸着部に移動した後に電極材料を基板面に蒸着す
ることにより、前記複数の陰極ラインを形成することを
特徴とする（３）の有機薄膜ＥＬデバイスの製造方法。
【００１３】（５）前記パルス制御モータで行うパター
ンマスクの位置及び速度の制御において、フィードバッ
ク系を内蔵するデジタル入力指令方式（インクリメンタ
ル指令）によって、前記パルス制御モータを制御するこ
とを特徴とする（４）の有機薄膜ＥＬデバイスの製造方
法。
【００１４】（６）前記パルス制御モータが、インクリ
メンタル方式のパルスエンコーダーからなる回転角度セ
ンサーを備えたことを特徴とする（４）、（５）の有機
薄膜ＥＬデバイスの製造方法。
【００１５】（７）基板の電極が形成される面側（表
面）に、磁場によって吸引力の及ぼされるパターンマス
クを配置し、基板の電極が形成されない面（裏面）側に
は磁場発生源を配置することを特徴とする（３）〜
（６）の有機薄膜ＥＬデバイスの製造方法。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明に係る有機薄膜ＥＬデバイ
スの一実施形態の概略構成を図１に示す。図１（ａ）
は、Ｙ（上下）方向に延びる陽極ライン（ＩＴＯ）と、
この陽極ラインと直交し、Ｘ（横）方向に延びる陰極ラ
インとを示している。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−
Ａ’部分の概略断面図である。本例では、基板上に陽極
１１／正孔注入輸送層１２／発光層１３／電子注入輸送
層１４／陰極１５を有する構成の有機薄膜ＥＬデバイス
を説明するための概略断面構造（説明図）を示す。この
場合、二つの陰極の一部が互いに重なり合って横方向
（Ｘ方向）に伸びるライン状の陰極を形成している。
【００１７】有機薄膜ＥＬデバイスの層構造としては、
図１（ｂ）の代表例の他に、陽極／発光層／陰極、陽極
／発光層／電子注入輸送層／陰極、陽極／正孔注入輸送
層／発光層／陰極、陽極／界面層／正孔注入輸送層／発
光層／電子注入輸送層／陰極、陽極／正孔注入輸送層／
発光層／電子注入輸送層／界面層／陰極、陽極／界面層
／発光層／電子注入輸送層／陰極、陽極／正孔注入輸送
層／発光層／界面層／陰極、陽極／界面層／発光層／界
面層／陰極等があるが、これらに限定されるものではな
い。
【００１８】発光層は、本質的に有機化合物からなり、
単層であっても複数層であってもよく、必要ならゲスト
分子をドーピングしてもよい。界面層、正孔注入輸送層
及び電子注入輸送層は、有機化合物、無機化合物あるい
は両者の混合物のいずれであってもよく、公知の材料が
適用できる。これらの層は単層であっても多層であって
もよい。図１では、二つの陰極の一部が互いに重なり合
ってライン状の陰極を形成しているが、例えば基板上に
陰極／電子注入輸送層／発光層／正孔注入輸送層／陽極
の順に形成し、二つの陽極の一部が互いに重なり合って
ライン状の陽極を形成していてもよい。
【００１９】陽極は、正孔を正孔注入輸送層、界面層又
は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ
以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極材料
の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、
酸化錫（ＮＥＳＡ）、亜鉛−インジウム酸化物、金、
銀、白金、銅等が適用できる。陰極としては、電子注入
輸送層、界面層又は発光層に電子を注入する目的で、仕
事関数の小さい材料が好ましく、特に限定されないが、
具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、
マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−銀合
金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−
リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム
合金等が使用できる。なお、素子を酸素や湿気から守る
目的で、金属酸化物、金属硫化物、金属沸化物、高分子
化合物等からなる封止層を設けることも有効である。
【００２０】本実施形態において、一対の電極間に少な
くとも発光層を含んだ有機薄膜が形成され、かつ前記電
極の少なくとも一方が真空蒸着により形成され、かつラ
イン形状をなした有機薄膜ＥＬデバイスであって、有機
薄膜上の前記電極ラインを複数の電極の一部を互いに重
ねあわせて形成してなる有機ＥＬデバイスを製造するに
当たり、前記電極ラインを形成するためのパターンマス
クの例を図２〜図４（概略図）に示す。図２〜図４に示
すパターンマスクはいずれも有効であるが、特に、図
２、図３のように隣接する開口部間のスペースを大きく
設計することで、マスクホルダーからの引っ張り、磁
界、輻射熱等に起因する応力によるマスク開口部の歪を
防ぐことができる。また、図２〜図４に示す開口部の構
造を適用することで、図５に示す従来の電極ラインを形
成するためのパターンマスクで見られていたような、マ
スクの撓みが解消できるようになる。図６は、図５のパ
ターンマスクをＹ方向に移動させて陰極ラインを形成し
た場合の概略図である。
【００２１】本発明では、有機薄膜上の前記電極ライン
を、複数の電極の一部を互いに重ねあわせて形成してな
る有機ＥＬデバイスを製造する場合において、特願平１
０−３６５５５２号に示されるように、パターン加工さ
れたパターンマスクを、パルス制御モータにより制御駆
動されて互いに直交するＸＹ方向に独立に微動し得るパ
ターンマスク移動ステージに装着し、前記基板を、この
基板とパターンマスクとの距離及び煽り角を調整するＺ
軸煽り手段と、基板とパターンマスクとの回転角を調整
する回転手段と、基板を前記Ｘ方向及び／又はＹ方向に
移動させかつ微調整し得るＸ軸及び／又はＹ軸移動手段
を備えた基板移動ステージに装着し、前記基板とパター
ンマスクとを間隔をあけて重ね、前記基板移動ステージ
を調整して前記基板とパターンマスクとの位置合わせを
行い、前記パターンを通して電極部材料を基板面に蒸着
し、次いで前記パターンマスク移動ステージを基板と平
行に微動させてパターンマスクのパターンを基板面の蒸
着部に一部重なるように、非蒸着部に移動した後に電極
部材料を基板面に蒸着することにより、前記複数の陰極
ラインを高精細に形成できる。
【００２２】パルス制御モータで行うパターンマスクの
位置及び速度の制御においては、フィードバック系を内
蔵するデジタル入力指令方式（インクリメンタル指令）
によって、前記パルス制御モータを制御することで、精
度の高いパターンマスクの位置制御及び微動が可能とな
る。さらに、前記パルス制御モーターを駆動する場合に
は、インクリメンタル方式のパルスエンコーダーからな
る回転角度センサーを備えた系を用いることで、より精
度の高いパターンマスク移動が保証される。
【００２３】本発明に適用されるパルス制御モータは、
パルス数に応じてモーター軸の移動量が決定されるもの
であり、具体的には直流サーボモータ（ＤＣサーボモー
タ）、ステッピングモータ、各種プリントモータ、ＤＣ
マイクロモータ、各種ＡＣサーボモータ等が適用可能で
ある。
【００２４】本発明では、基板裏面側に磁石を設置し、
パターンマスクが磁界によって吸引されることで、基板
面とパターンマスクとのギャップを調整してもよい。前
記ギャップが大きい程、電極ラインのパターニング精度
は悪くなる。特にパターンピッチが精細になるほど、そ
の影響は大きくなるため、必要に応じてパターンマスク
を磁界で吸引させることが有効である。磁石としては、
永久磁石や電磁石等が適用可能である。その形状や大き
さは特に限定されないが、マスクの開口部全体に基板面
と垂直方向の吸引力が一様に働くように設計する必要が
ある。パターンマスクとしては特に限定されないが、磁
石で吸引させる場合には、ニッケル、コバルト、鉄等の
磁性元素が含まれるパターンマスクを使用するか、ある
いはニッケルなどでメッキされたものを使用すると効果
的である。
【００２５】基板の表面側に、有機薄膜ＥＬデバイスの
膜厚より大きい膜厚で基板面に対し本質的に垂直に立っ
て形成される絶縁性のスペーサーが設けられている基板
を用いても効果的である。例えば磁界によって、パター
ンマスクと基板間ギャップが非常に小さくなり、基板と
パターンマスクが密着してもこのスぺーサーのために有
機薄膜や電極ラインを傷つけることなくパターニングを
行うことができる。このスペーサーはブラックマトリク
スの全部又は一部を形成してもよい。スペーサーの作製
方法や材質は特に限定されないが、フォトリソグラフィ
−等を利用して作製する方法が簡便でよい。スペーサー
の高さは、有機薄膜ＥＬ素子の膜厚より高いことが必要
であるが、その高さは蒸着物の回り込みによりパターン
加工精度が悪くならない程度に設ける必要があり、具体
的には、０．２〜２００ミクロン程度が好ましい。スペ
ーサーはどちらか一方の電極線と直交した形でストライ
プ状に形成すれば、発光画素を形成しやすい。なお、ス
ペーサーは発光画素が形成される部分以外の場所であれ
ば、どこに形成してもよく、また必ずしもストライプ状
になっていなくても、かつライン状になっている必要も
ない。
【００２６】パターンマスクとガラス基板との位置合わ
せ及び精密移動においては、基板の支持部を備え、基板
とパターンマスクとの距離及び煽りを可変するＺ煽りス
テージ、基板とパターンマスクとの回転角調整を行う回
転ステージ、及びＸＹ方向の粗動及び微調整を行うＹス
テージから構成した基板移動ステージ、さらにパターン
マスクの支持部を備え、格子状の板バネ構造で構成した
ＸＹステージをパルス制御モーターで制御駆動し、精密
位置決めを行うパターンマスク移動ステージとから構成
されることが望ましい。このような構成にすることで、
基板とパターンマスク間のギャップの微調整が可能とな
り、蒸発源と基板の角度から生じるパターンのズレを抑
えることが容易になる。また、基板サイズや、パターン
の大きさや形が異なっても、各ステージの移動量を正確
に制御できるので、ミクロンオーダーでのピッチの高精
細化が可能となる他、歩留まりの高い有機薄膜ＥＬデバ
イスの製造が可能となる。
【００２７】なお、パルス制御モーターでの制御駆動
は、パターンマスクを微動移動させるＸＹステージだけ
でなく、必要ならば基板とパターンマスクとの距離及び
煽りを可変するＺ煽りステージ、基板とパターンマスク
との回転角調整を行う回転ステージ、及びＸＹ方向の粗
動及び微調整を行うＸＹステージから構成した基板移動
ステージを使用してもよく、必要ならば基板を平行に微
動させて本発明の陰極ラインを形成してもよい。
【００２８】
【実施例】（実施例１） （基板及びＲＧＢ発光層形成用パターンマスク）基板は
１２０ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのサイズのガラス
板を用いた。この基板上には、Ｘ方向に幅２６μｍ、ス
ペース７μｍでＩＴＯが３０７２本ストライブ状に形成
されている。また、基板の端四箇所にＩＴＯからなる位
置合わせ用の合いマークがある。
【００２９】発光層（ＲＧＢ）薄膜分離用のパターンマ
スクは銅製で表面がニッケルメッキされており、メッキ
部分を含めて厚さ約３５μｍである。開口部付近は薄く
なっており、約５μｍとなっている。図７に示すよう
に、Ｘ＝３３μｍ幅、Ｙ＝１００μｍ幅で規則的に開口
部が設けられている。また、マスクの所定四箇所にガラ
ス基板と同じ形の位置合わせ用のマーカー（穴）があ
る。
【００３０】図８のイメージ図に示すように、前記ＩＴ
Ｏ付き基板に対し、前記パターンマスクをＸ方向に３３
μｍずつ平行移動させて、１回目と４回目の蒸着で赤色
発光層（Ｒ）、２回目と５回目の蒸着で緑色発光層
（Ｇ）、３回目と６回目の蒸着で青色発光層（Ｂ）を形
成する。以上のように、同一のＩＴＯライン上に同色の
発光層薄膜を形成でき、Ｘ方向幅３３μｍ、Ｙ方向幅１
００μｍのＢ、Ｇ、Ｒ発光層がＸ方向ピッチ３３μｍ、
Ｙ方向ピッチ１００μｍでパターニングできる。
【００３１】（ＲＧＢ発光層のパターニング形成）前記
ＩＴＯ付き基板の発光素子が形成される部分全体に、ベ
タ成膜により正孔注入輸送層を５０ｎｍ形成した。前記
正孔注入輸送層上にＲＧＢ発光層をパターニングした。
【００３２】前記パターンマスクと基板の位置合わせ
は、基板上部にＣＣＤカメラを備えた顕微鏡を設置し、
モニター上で行った。基板−金属マスクの位置合わせを
基板移動ステージ側にあるＸ，Ｙ方向粗動機構、金属マ
スク移動ステージ側にあるＸ，Ｙ方向微動機構、基板ホ
ルダーの回転機構を用いて行った。この時、Ｚ方向移動
機構を用いて基板−パターンマスク移動ステージ間ギャ
ップを１００μｍに設定した。パターニングの際、金属
マスクはモータのバックラッシの影響を受けないような
移動シーケンスを用いた。
【００３３】発光層（Ｒ、Ｇ，Ｂ）薄膜は、抵抗加熱に
よる真空蒸着法により形成した。ソースロードロック方
式の蒸発源を用い、発光層形成時には基板中心の真下に
蒸発源を移動し、蒸着源と基板間の角度の影響を極力小
さくした。３個のモリブデンボートにそれぞれＲ，Ｇ，
Ｂ発光材料を詰め、蒸発源に設置した。まず、基板保持
テーブルの回転機構、ＸＹ方向粗動機構を使ってガラス
基板−パターンマスクの位置合わせを行った。次に、Ｄ
Ｃサーボモ―タを使ってパターンマスク移動用ステージ
をＸ方向に動かし、金属マスクをＲ発光層の形成位置に
移動させた。そして電磁石を基板に載せ磁界をかけて、
１．０×１０-5Ｐａの真空下、Ｒ発光材料を０．２ｎｍ
／ｓの成膜速度で飛ばし、Ｒ発光層を厚さ５０ｎｍ形成
した。続いて電磁石をＯＦＦにし、パターンマスクをＸ
方向に３３μｍ分移動し（図８）、電磁石をＯＮにし、
Ｇ発光材料を０．２ｎｍ／ｓの成膜速度で飛ばし、Ｇ発
光層を厚さ５０ｎｍ形成した。続いて再び電磁石をＯＦ
Ｆにし、パターンマスクをさらにＸ方向に３３μｍ分移
動し（図８）、電磁石をＯＮにし、Ｂ発光材料を０．２
ｎｍ／ｓの成膜速度で飛ばし、Ｂ発光層を厚さ５０ｎｍ
形成した。さらに、パターンマスクを３３μｍずつ移動
させ、Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層を順次同様に形成し、合計６回
の蒸着でＸ方向幅３３μｍ、Ｙ方向幅１００μｍの全て
のＢ、Ｇ、Ｒ発光層をＸ方向ピッチ３３μｍ、Ｙ方向ピ
ッチ１００μｍで所定の位置にパターニングした。
【００３４】最後に、パターン化したＲＧＢ発光層の上
に電子注入輸送層を４０ｎｍ形成し、本発明の有機薄膜
ＥＬデバイスの有機薄膜層が完成した。
【００３５】（陰極ラインのパターニング）本実施例１
における陰極ライン形成用パターンマスクを図９に示
す。陰極形成用パターンマスクも銅板をエッチングした
もので、表面はニッケルメッキしており、厚さは約３５
μｍで、開口部付近は約５μｍ程度になっている。開口
部のＹ方向（上下方向）幅は９０μｍ、Ｘ方向幅は一辺
が０．５２ｍｍである。ラインの端部以外を形成するた
めの開口部は平行四辺形をなしている。前記パターンマ
スクをＹ方向に１００μｍずつ移動させて合計３回の蒸
着で陰極を形成すると、複数の平行四辺形状の陰極ライ
ン同士が部分的に重なりあって、Ｙ方向幅９０μｍ、ス
ペース１０μｍ、ピッチ１００μｍで全陰極ラインがス
トライプ状に形成できることになる。
【００３６】有機薄膜層まで形成されたガラス基板を真
空を保ちながら装置内で搬送し、別の真空チャンバー内
の陰極形成用パターンマスクが設置された金属マスク移
動ステージ上に配置した。基板とマスク移動ステージの
ギャップを１００μｍに設定した。前記パターンマスク
と基板の位置合わせは、基板上部にＣＣＤカメラを備え
た顕微鏡を設置し、モニター上で行った。
【００３７】陰極ラインはＩＴＯラインと直交するよう
に、かつ有機薄膜〜１００μｍ幅（Ｙ方向）からはみ出
さないように形成する。本実施例での陰極は、アルミニ
ウム−リチウム合金（Ａｌ：Ｌｉ）を使用した。蒸発源
はアルミニウムの入ったバスケットを基板の真下７５ｃ
ｍの位置（中心）から５ｃｍ離れた位置に設置し、ま
た、リチウムの付いたゲッターを中心から５ｃｍの位置
（アルミニウムの蒸発源から１０ｃｍ離れた位置）に設
置した。
【００３８】陰極形成用パターンマスクを基板下の一回
目の陰極が形成される位置に固定し、基板裏面側に設置
した電磁石をＯＮにした。この状態で〜１×１０-4Ｐａ
の真空下、アルミニウムとリチウムを同時に飛ばし、基
板上でＡｌ：Ｌｉ合金からなる陰極を約１５０ｎｍ形成
した。次に、電磁石をＯＦＦにし、前記パターンマスク
をＹ方向に１００μｍ移動させ二回目の陰極が形成され
る位置に固定し、再び電磁石をＯＮにした。この状態で
〜１×１０-4Ｐａの真空下、アルミニウムとリチウムを
同時に飛ばし、基板上でＡｌ：Ｌｉ合金からなる陰極を
約１５０ｎｍ形成した。さらに、電磁石をＯＦＦにし、
前記パターンマスクをＹ方向に１００μｍ移動させ三回
目の陰極が形成される位置に固定し、再び電磁石をＯＮ
にした。この状態で〜１×１０-4Ｐａの真空下、アルミ
ニウムとリチウムを同時に飛ばし、基板上でＡｌ：Ｌｉ
合金からなる陰極を約１５０ｎｍ形成した。
【００３９】図１０は図９のパターンマスクを用いて陰
極ラインを前記基板上に形成した有機薄膜ＥＬデバイス
の一部分を拡大して示したものである。便宜上、ＩＴＯ
ライン、正孔注入輸送層、電子注入輸送層は省略してあ
る。図１０に示すように、Ｙ方向幅〜９０μｍでスペー
ス〜１０μｍの陰極ラインが平行に形成されることが確
認できた。発光部分四隅及び中央部共にほぼＬ／Ｓ＝９
０／１０μｍの陰極ラインが形成できた。陰極ライン／
スペースのバラツキは最大±１μｍ程度である。また、
有機薄膜（ＲＧＢ薄膜）のＹ方向幅（〜１００μｍ）か
ら陰極がはみ出すことなく、許容範囲内で形成できてい
ることを確認した。
【００４０】また、同一陰極ラインの両端の導通試験を
行ったところ、絶縁は観測されず、Ｘ方向に延びる陰極
同士が部分的に重なりあって、１本の所定の長さでつな
がり、ストライプ状に陰極ラインが形成できた。さら
に、Ｙ方向に規則的に配列された陰極ラインのライン間
での導通試験を行ったところ導通は観測されず、１００
μピッチ（スペース：１０μｍ）の陰極ラインの微細分
離が達成できた。作製した有機薄膜ＥＬデバイスを発光
させたところ、全てのピクセルからの発光を確認し、ピ
クセルピッチはＸ方向９９μｍ、Ｙ方向１００μｍであ
った。また、開口率は設計値通り約７０％となり、スト
ライプ状の開口部を有するパターンマスクで陰極ライン
を形成した従来の報告よりも高精細で、かつ開口率の大
きいフルカラー発光デバイスが作製できた。
【００４１】以上説明したように、本実施例１によって
ピッチ１００μｍ、ライン幅９０μｍ、スペース１０μ
ｍといった有機薄膜ＥＬデバイスの高精細陰極ラインの
形成が、特定の形状のパターンマスク（金属マスク）を
移動させることで実現できた。
【００４２】（実施例２） （基板及びＲＧＢ発光層形成用パターンマスク）基板及
びＲＧＢパターニング用マスクは実施例１と同様のもの
を用いた。
【００４３】（ＲＧＢ発光層のパターニング形成）ＲＧ
Ｂ発光層のパターニング形成は、実施例１と同様に行っ
た。
【００４４】（陰極ラインのパターニング）本実施例に
おける陰極ライン形成用パターンマスクを図１１に示
す。本実施例における陰極形成用パターンマスクも銅板
をエッチングしたもので、表面はニッケルメッキしてお
り、厚さは約３５μｍで、開口部付近は約５μｍ程度に
なっている。開口部のＹ方向（上下方向）幅は最大９０
μｍ、Ｘ方向幅は０．５２ｍｍである。図１１の拡大部
分に示すように開口部の端部は狭くなっており、隣接す
る開口部とのスペースを大きくし、マスク強度を保証し
したパターンになっている。前記パターンマスクをＹ方
向に１００μｍずつ移動させて合計３回の蒸着で陰極を
形成すると、Ｙ方向幅９０μｍ、スペース１０μｍ、ピ
ッチ１００μｍで複数の陰極同士が部分的に重なりあっ
て、全陰極ラインがストライプ状に形成できることにな
る。
【００４５】陰極の形成は、実施例１と同様に行った。
図１２は図１１のパターンマスクを用いて陰極ラインを
前記基板上に形成した有機薄膜ＥＬデバイスの一部分を
拡大して示したものである。便宜上、ＩＴＯライン、正
孔注入輸送層、電子注入輸送層は省略してある。図１２
に示すように、Ｙ方向幅〜９０μｍでスペース〜１０μ
ｍの陰極ラインが平行に形成されることが確認できた。
発光部分四隅及び中央部共にほぼＬ／Ｓ＝９０／１０μ
ｍの陰極ラインが形成できたことを確認した。陰極ライ
ン／スペースのバラツキは最大±１μｍ程度である。ま
た、有機薄膜（ＲＧＢ薄膜）のＹ方向幅（〜１００μ
ｍ）から陰極がはみ出すことなく、許容範囲内で形成で
きていることを確認した。
【００４６】本実施例２によってピッチ１００μｍ、ラ
イン幅９０μｍ、スペース１０μｍといった高精細の有
機薄膜ＥＬデバイスの高精細陰極ラインの形成が、特定
の形状のパターンマスク（金属マスク）を移動させるこ
とで実現できた。また、同一陰極ラインの両端の導通試
験を行ったところ、絶縁は観測されず、Ｘ方向に延びる
陰極ライン同士が部分的に重なりあって、１本の所定の
長さでつながり、ストライプ状に陰極ラインが形成でき
た。さらに、Ｙ方向に規則的に配列された陰極ラインの
ライン間での導通試験を行ったところ導通は観測され
ず、１００μｍピッチ（スペース：１０μｍ）の陰極ラ
インの微細分離が達成できた。作製した有機薄膜ＥＬデ
バイスを発光させたところ、全てのピクセルからの発光
を確認し、ピクセルピッチはＸ方向９９μｍ、Ｙ方向１
００μｍであった。また、開口率は設計値通り約７０％
となり、ストライプ状の開口部を有するパターンマスク
で陰極ラインを形成した従来の報告よりも高精細で、か
つ開口率の大きいフルカラー発光デバイスが作製でき
た。
【００４７】（比較例１） （基板及びＲＧＢ発光層形成用パターンマスク）基板及
びＲＧＢパターニング用マスクは実施例１と同様のもの
を用いた。
【００４８】（ＲＧＢ発光層のパターニング形成）ＲＧ
Ｂ発光層のパターニング形成は、実施例１と同様に行っ
た。
【００４９】（陰極ラインのパターニング）比較例にお
ける陰極ライン形成用パターンマスクを図１３に示す。
比較例に示す陰極形成用パターンマスクも銅板をエッチ
ングしたもので、表面はニッケルメッキしており、厚さ
は約３５μｍで、開口部付近は約５μｍ程度になってい
る。開口部のＹ方向（上下方向）幅は９０μｍでライン
がストライプ状に０．３ｍｍピッチで形成されている。
前記パターンマスクをＹ方向に１００μｍずつ移動させ
て合計３回の蒸着で陰極を形成すると、Ｙ方向幅９０μ
ｍ、スペース１０μｍ、ピッチ１００μｍでのラインが
部分的に重なりあうことなく、全陰極ラインがストライ
プ状に形成できることになる。
【００５０】有機薄膜層まで形成されたガラス基板を真
空を保ちながら装置内で搬送し、別の真空チャンバー内
の陰極形成用パターンマスクが設置された金属マスク移
動ステージ上に配置した。基板とマスク移動ステージの
ギャップを１００μｍに設定した。前記パターンマスク
と基板の位置合わせは、基板上部にＣＣＤカメラを備え
た顕微鏡を設置し、モニター上で行った。モニター上で
陰極形成用パターンマスクの開口部を観察したところ、
ライン状の開口部の一部が変形していたり、マスクの撓
みが見られた。その結果マスクのラインピッチ（設計
値：３００μｍ）が不均一なっていた。
【００５１】陰極の形成は、実施例１と同様に行った。
図１４は図１３のパターンマスクを用いて陰極ラインを
前記基板上に形成した有機薄膜ＥＬデバイスの一部分を
拡大して示したものである。便宜上、ＩＴＯライン、正
孔注入輸送層、電子注入輸送層は省略してある。図１４
に示すように、Ｘ方向に伸びる陰極ラインは曲がってお
り、一部Ｙ方向スペースがなくなっている部分も見られ
た。また、有機薄膜（ＲＧＢ薄膜）のＹ方向幅（〜１０
０μｍ）から陰極ラインがはみ出している部分も観測さ
れ、許容範囲内で陰極ラインを形成できなかった。
【００５２】また、陰極ラインのライン間での導通試験
を行ったところライン全体の３０％において導通が観測
され、１００μピッチ（スペース：１０μｍ）の陰極ラ
インの微細分離はできなかった。作製した有機薄膜ＥＬ
デバイスを発光させたところ、発光が確認できたのはピ
クセル全体の５０％であった。また、一部ライン間で陰
極がつながっているためピクセルの選択部分からの発光
だけでなく非選択部分からの発光も観測された。以上の
ように、図１３のようなライン状ストライプ状の開口部
を有する金属マスクで陰極ラインを形成した場合、陰極
ラインの微細形成はできず、高精細で、かつ開口率の大
きいフルカラー発光デバイスは作製できなかった。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による有機
薄膜ＥＬデバイス及びその製造方法によると、１００μ
ｍピッチといった微細な陰極ラインの形成がパターンマ
スク（金属マスク）を用いた真空蒸着で達成できるよう
になる。さらに、これらの製造方法を有機薄膜ＥＬディ
スプレイの製造過程に適用すれば、２５４ｐｐｉ（ピク
セル／インチ）の精細度でフルカラー有機薄膜ＥＬディ
スプレイが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の有機薄膜ＥＬデバイスの陰極
ラインを説明するための概略図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’部分の概略断面図である。
【図２】本発明の陰極ラインを形成するためのパターン
マスクの一例である。
【図３】本発明の陰極ラインを形成するためのパターン
マスクの一例である。
【図４】本発明の陰極ラインを形成するためのパターン
マスクの一例である。
【図５】従来の陰極ラインを形成するためのパターンマ
スクの一例である。
【図６】図５のパターンマスクをＹ方向に移動させて陰
極ラインを形成した場合の概略図である。
【図７】本発明の実施例１、実施例２及び比較例１に用
いたＲＧＢ薄膜パターニング用金属マスク（パターンマ
スク）の概略図である。
【図８】図７のパターンマスクと実施例１、実施例２及
び比較例１に用いたＩＴＯライン付きガラス基板を重
ね、Ｘ方向に３３μｍずつ微動させることによってＲＧ
Ｂ薄膜のパターニングを行う場合のイメージ図である。
【図９】本発明の実施例１に用いた陰極ライン形成用パ
ターンマスクの一部分を示す概略図である。
【図１０】図９のパターンマスクを微動させることによ
って得られた、実施例１の陰極ラインの形成を示した概
略図である。
【図１１】本発明の実施例２に用いた陰極ライン形成用
パターンマスクの一部分を示す概略図である。
【図１２】図１１のパターンマスクを微動させることに
よって得られた、実施例２の陰極ラインの形成を示した
概略図である。
【図１３】本発明の比較例１に用いた陰極ライン形成用
パターンマスクの一部分を示す概略図である。
【図１４】図１３のパターンマスクを微動させることに
よって得られた、比較例１の陰極ラインの形成を示した
概略図である。
【符号の説明】
１０ 基板 １１ 陽極 １２ 正孔注入輸送層 １３ 発光層 １４ 電子注入輸送層 １５ａ 陰極 １５ｂ 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/26 33/26 Ｚ Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB02 AB04 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 4K029 AA09 AA24 BA62 BB02 BC07 DB14 DB18 HA03 KA01 5C094 AA03 AA05 AA07 AA08 AA42 AA43 AA48 AA55 BA12 BA29 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EB02 FA01 FB01 FB12 FB14 GB10 5G435 AA00 AA17 BB05 CC09 CC12 HH12 KK05

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対の電極間に少なくとも発光層を含ん
    だ有機薄膜が形成され、かつ前記電極の少なくとも一方
    が真空蒸着により形成され、かつ前記電極がライン形状
    をなした有機薄膜ＥＬデバイスにおいて、有機薄膜上の
    前記電極ラインが、複数の電極の一部が互いに重なりあ
    って形成されてなることを特徴とする有機薄膜ＥＬデバ
    イス。
  2. 【請求項２】 赤色発光層薄膜、緑色発光層薄膜及び青
    色発光層薄膜が規則的にパターン形成されていることを
    特徴とする請求項１に記載の有機薄膜ＥＬデバイス。
  3. 【請求項３】 基板上に有機薄膜及び複数の電極ライン
    を配列して形成し、かつ有機薄膜上の前記電極ラインを
    複数の電極の一部を互いに重なりあわせて形成してなる
    有機薄膜ＥＬデバイスの製造方法であって、パターン加
    工されたパターンマスクを基板面と間隔をあけて平行移
    動させることで、前記複数の電極ラインを形成すること
    を特徴とする有機薄膜ＥＬデバイスの製造方法。
  4. 【請求項４】 パターン加工されたパターンマスクを、
    パルス制御モータにより制御駆動されて互いに直交する
    ＸＹ方向に独立に微動し得るパターンマスク移動ステー
    ジに装着し、前記基板を、この基板とパターンマスクと
    の距離及び煽り角を調整するＺ軸煽り手段と、基板とパ
    ターンマスクとの回転角を調整する回転手段と、基板を
    前記Ｘ方向及び／又はＹ方向に移動させかつ微調整し得
    るＸ軸及び／又はＹ軸移動手段を備えた基板移動ステー
    ジに装着し、前記基板とパターンマスクとを間隔をあけ
    て重ね、前記基板移動ステージを調整して前記基板とパ
    ターンマスクとの位置合わせを行い、前記パターンを通
    して電極材料を基板面に蒸着し、次いで前記パターンマ
    スク移動ステージを基板と平行に微動させてパターンマ
    スクのパターンを基板面の蒸着部に一部重なるように、
    非蒸着部に移動した後に電極材料を基板面に蒸着するこ
    とにより、前記複数の陰極ラインを形成することを特徴
    とする請求項３に記載の有機薄膜ＥＬデバイスの製造方
    法。
  5. 【請求項５】 前記パルス制御モータで行うパターンマ
    スクの位置及び速度の制御において、フィードバック系
    を内蔵するデジタル入力指令方式（インクリメンタル指
    令）によって、前記パルス制御モータを制御することを
    特徴とする請求項４に記載の有機薄膜ＥＬデバイスの製
    造方法。
  6. 【請求項６】 前記パルス制御モータが、インクリメン
    タル方式のパルスエンコーダーからなる回転角度センサ
    ーを備えたことを特徴とする請求項４又は５に記載の有
    機薄膜ＥＬデバイスの製造方法。
  7. 【請求項７】 基板の電極が形成される面側（表面）
    に、磁場によって吸引力の及ぼされるパターンマスクを
    配置し、基板の電極が形成されない面（裏面）側には磁
    場発生源を配置することを特徴とする請求項３〜６のい
    ずれか１項に記載の有機薄膜ＥＬデバイスの製造方法。
JP2000115377A 2000-04-17 2000-04-17 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法 Pending JP2001296819A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000115377A JP2001296819A (ja) 2000-04-17 2000-04-17 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法
KR10-2001-0020476A KR100400171B1 (ko) 2000-04-17 2001-04-17 유기전기발광소자 및 그 제조방법
US09/835,410 US6627332B2 (en) 2000-04-17 2001-04-17 Organic electroluminescent device
US10/164,418 US6811809B2 (en) 2000-04-17 2002-06-10 Organic electroluminescent device and method for fabricating same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000115377A JP2001296819A (ja) 2000-04-17 2000-04-17 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001296819A true JP2001296819A (ja) 2001-10-26

Family

ID=18627028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000115377A Pending JP2001296819A (ja) 2000-04-17 2000-04-17 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6627332B2 (ja)
JP (1) JP2001296819A (ja)
KR (1) KR100400171B1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006028583A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP2006331920A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Fujifilm Holdings Corp 蒸着マスク、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び、その製造方法
JP2007039777A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Tohoku Pioneer Corp 成膜用マスク、自発光パネルの製造方法、および自発光パネル
JP2007092109A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Seiko Epson Corp 膜の製造方法、電気光学装置、及びマスク
US7303635B2 (en) 2003-05-12 2007-12-04 Sony Corporation Deposition mask, method for manufacturing display unit using it, and display unit
KR20140030965A (ko) * 2012-09-04 2014-03-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 환경 검사용 마스크 조립체 및 이를 포함하는 증착 설비
JP2015021179A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 大日本印刷株式会社 メタルマスクの製造方法及びメタルマスク

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3928823B2 (ja) * 1997-05-09 2007-06-13 パイオニア株式会社 発光ディスプレイパネル、その製造方法、及びその第２電極製造用マスク
JP4053260B2 (ja) * 2000-10-18 2008-02-27 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子
JP4789341B2 (ja) * 2001-03-30 2011-10-12 三洋電機株式会社 半導体装置及び半導体装置製造用マスク
ITMI20012389A1 (it) * 2001-11-12 2003-05-12 Getters Spa Catodo cavo con getter integrato per lampade a scarica e metodi per la sua realizzazione
JP4072422B2 (ja) * 2002-11-22 2008-04-09 三星エスディアイ株式会社 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
KR100862853B1 (ko) * 2003-12-22 2008-10-09 동부일렉트로닉스 주식회사 파티클 증착 장비의 스팟 증착 위치 자동 정렬 스테이지장치
JP2005206939A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP4378186B2 (ja) * 2004-02-06 2009-12-02 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子アレイ
JP2006064791A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置の製造装置及び製造方法
JP2006120365A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子
DE102005005579A1 (de) * 2005-02-07 2006-08-24 Schott Ag OLED-Verkapselung mit Wasserdampf- und sauerstoffabsorbierenden Zwischenschichten
KR100708147B1 (ko) * 2005-03-14 2007-04-16 삼성전자주식회사 발광소자 클러스터 및 이를 채용한 직하발광형 백라이트유닛 및 액정표시장치
KR101163598B1 (ko) * 2005-04-08 2012-07-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시소자의 제조방법
KR100843690B1 (ko) * 2006-04-24 2008-07-04 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자
US20070262326A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Touchtek Corporation LED multi-layer metals primary electrodes manufacturing process & installation
US7659664B2 (en) * 2006-05-30 2010-02-09 Tpo Displays Corp. System for displaying image
DE102006030860A1 (de) * 2006-07-04 2008-01-10 Universität Regensburg Oligomere von Isonitril-Metallkomplexen als Triplett-Emitter für OLED-Anwendungen
DE102008053121A1 (de) * 2008-10-24 2010-04-29 Merck Patent Gmbh Doppelkomplex-Salze als Emitter in OLED-Vorrichtungen
CN102456710B (zh) * 2011-10-28 2013-09-11 昆山维信诺显示技术有限公司 Oled 及其制作方法、透视性单向发光屏体和触摸屏
WO2013132739A1 (ja) * 2012-03-07 2013-09-12 株式会社カネカ 発光デバイスの製造方法および発光デバイス
JP6566289B2 (ja) * 2014-11-26 2019-08-28 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示デバイス及び電気光学装置並びに電気機器並びにメタルマスク並びに画素アレイ
CN109023236A (zh) * 2018-08-20 2018-12-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀系统以及oled发光器件的制备方法
EP3919649A4 (en) * 2019-01-31 2022-11-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. DEPOSITION MASK ASSEMBLY, METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5041326A (en) * 1975-04-11 1991-08-20 Schroeder Becky J Electroluminescent laminate assembly
US4511599A (en) * 1983-03-01 1985-04-16 Sigmatron Associates Mask for vacuum depositing back metal electrodes on EL panel
JPH01283792A (ja) * 1988-05-11 1989-11-15 Sharp Corp カラーｅｌパネル
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5693962A (en) * 1995-03-22 1997-12-02 Motorola Full color organic light emitting diode array
JP4142117B2 (ja) * 1995-10-06 2008-08-27 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
US5736754A (en) * 1995-11-17 1998-04-07 Motorola, Inc. Full color organic light emitting diode array
JPH1050478A (ja) 1996-04-19 1998-02-20 Toray Ind Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
WO1999020080A1 (fr) * 1997-10-15 1999-04-22 Toray Industries, Inc. Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent organique
JP3884564B2 (ja) * 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
KR100275492B1 (ko) * 1998-09-11 2000-12-15 정선종 전방향 전기발광 평판 디스플레이 소자 및 그 제조 방법
JP2000096211A (ja) * 1998-09-24 2000-04-04 Stanley Electric Co Ltd 真空成膜用マスクおよびそれを用いた薄膜素子製造方法
JP3019095B1 (ja) * 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9184225B1 (en) 2003-05-12 2015-11-10 Sony Corporation Display unit
US7303635B2 (en) 2003-05-12 2007-12-04 Sony Corporation Deposition mask, method for manufacturing display unit using it, and display unit
US10522759B2 (en) 2003-05-12 2019-12-31 Sony Corporation Method for manufacturing a display unit
US8970105B2 (en) 2003-05-12 2015-03-03 Sony Corporation Display unit and light emitting device
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
JP2006028583A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP2006331920A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Fujifilm Holdings Corp 蒸着マスク、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び、その製造方法
US8093805B2 (en) 2005-05-27 2012-01-10 Fujifilm Corporation Vapor deposition mask, organic electroluminescent display device, and manufacturing method therefor
JP2007039777A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Tohoku Pioneer Corp 成膜用マスク、自発光パネルの製造方法、および自発光パネル
JP2007092109A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Seiko Epson Corp 膜の製造方法、電気光学装置、及びマスク
CN103668046A (zh) * 2012-09-04 2014-03-26 三星显示有限公司 用于测试沉积过程的掩膜组件、沉积装置和测试方法
KR20140030965A (ko) * 2012-09-04 2014-03-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 환경 검사용 마스크 조립체 및 이를 포함하는 증착 설비
US9795983B2 (en) 2012-09-04 2017-10-24 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly for testing a deposition process, deposition apparatus including the mask assembly, and testing method for a deposition process using the mask assembly
US10151022B2 (en) 2012-09-04 2018-12-11 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly for testing a deposition process, deposition apparatus including the mask assembly, and testing method for a deposition process using the mask assembly
KR102048051B1 (ko) 2012-09-04 2019-11-25 삼성디스플레이 주식회사 증착 환경 검사용 마스크 조립체 및 이를 포함하는 증착 설비
JP2014051733A (ja) * 2012-09-04 2014-03-20 Samsung Display Co Ltd 蒸着環境検査用マスク組立体、当該蒸着環境検査用マスク組立体を含む蒸着設備、及び、当該蒸着設備を利用する蒸着環境検査方法
JP2015021179A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 大日本印刷株式会社 メタルマスクの製造方法及びメタルマスク

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010098667A (ko) 2001-11-08
US6811809B2 (en) 2004-11-02
KR100400171B1 (ko) 2003-10-01
US20020150674A1 (en) 2002-10-17
US20010030508A1 (en) 2001-10-18
US6627332B2 (en) 2003-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001296819A (ja) 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法
JP3019095B1 (ja) 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
JP5623598B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP5612156B2 (ja) 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置
JP4971723B2 (ja) 有機発光表示装置の製造方法
JP4006173B2 (ja) メタルマスク構造体及びその製造方法
US7821199B2 (en) Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
JP5328727B2 (ja) 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
US20040104197A1 (en) Evaporation mask, method of fabricating organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent device
WO2012124512A1 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、及び有機ｅｌ表示装置
US20050233489A1 (en) Method for manufacturing electroluminescence display panel and evaporation mask
WO2012086456A1 (ja) 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置
WO2012056877A1 (ja) 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置
WO2012099011A1 (ja) 被成膜基板、製造方法、および有機ｅｌ表示装置
WO2012099019A1 (ja) 被成膜基板、有機ｅｌ表示装置および蒸着方法
JPH10298738A (ja) シャドウマスク及び蒸着方法
US6537607B1 (en) Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays
JP3539597B2 (ja) 有機光学的素子及びその製造方法
WO2012090777A1 (ja) 蒸着方法、蒸着膜および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP4096567B2 (ja) 統合マスク、ならびに統合マスクを用いた有機ｅｌ素子の製造方法およびその製造装置
JP2004119064A (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法
US6780662B2 (en) Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays
KR20020030135A (ko) 유기 ｅｌ 소자의 증착마스크와 이를 이용한 증착방법 및그 장치
KR20060056193A (ko) 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리의 제조방법
KR20060056194A (ko) 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리 및 그 제조방법