JP2007092109A - 膜の製造方法、電気光学装置、及びマスク - Google Patents

Abstract

【課題】 画素領域を狭めることなく、画素の点灯に必要な電流を流すことが可能な補助配線を形成することができる膜の製造方法、電気光学装置、及びマスクを提供する。
【解決手段】 細長状の補助配線１６の製造方法は、第１補助配線１６ａと第２補助配線１６ｂとに分割して形成する。まず工程１１では、蒸着マスク５５を基板５２上に固定する。次に、蒸着マスク５５の開口孔６１を介して、基板５２上に第１補助配線１６ａを点線状に形成する。工程１２では、蒸着マスク５５を基板５２に対して相対的に移動させる。工程１３では、蒸着マスク５５の開口孔６１を介して、点線状に形成された第１補助配線１６ａの間を埋めるように、第２補助配線１６ｂを形成する。２回に分けて補助配線１６を形成することにより、蒸着マスク５５の開口孔６１の長さを短くすることができる。
【選択図】 図６

Description

本発明は、例えば、電気光学装置の共通電極に補助配線である膜を形成する、膜の製造方法、その方法を用いて製造された電気光学装置、及び、その方法に用いるマスクに関する。

上記した電気光学装置の一つに、例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置は、例えば、発光層を含む複数の有機層を、下側に配置された陽極と上側に配置されたベタ状の共通電極である陰極とで挟み込んで構成され、供給された電流値に応じて発光層が発光するようになっている。

有機ＥＬ装置は、上記したように陰極がベタ状に形成されており、上面から光を放出するトップエミッション構造の場合、陰極を厚く付けることによって光の透過性を悪くしてしまうことから、光の透過性を良くするために上側に配置される陰極の厚みを薄くしている。よって、薄い陰極の両端に電圧を印加した場合、表示領域における中央付近の電圧降下の量が大きくなり、表示領域における中央付近になるに従って発光層に流れる電流値が小さくなる。これにより、画素の輝度が小さくなり、その結果、表示領域全体で発光輝度ムラ（点灯ムラ）が発生することがある。このような輝度ムラは、表示領域が大きくなるに従って顕著に表れやすい。
以上のような電圧降下（輝度ムラ）を抑えるために、表示領域全体を略等電位にするべく、陰極と電気的に接続するとともに、画素に重ならない領域（画素境界領域）に、例えば、アルミからなる補助配線を形成し、表示領域全体に必要な電流が流れるようにしている。

補助配線は、例えば、金属製のメタルマスクを用いた真空蒸着法によって形成される。詳しくは、メタルマスクに形成された開口孔を介して、画素境界領域に補助配線を形成する。また、メタルマスクは、基板上に配置された基板を支持するマグネットステージの磁力によって基板に吸引固定される。メタルマスクの厚みは、蒸着させる膜の形状精度を良くするために薄いことが望ましい。薄いマスクの撓みを抑えるために、特許文献１に記載のように、マスクを周囲から引っ張ることで開口部の形状を整えている（平坦化を行っている）。

特開２００４−３１１３３６号公報

しかしながら、表示領域が大きくなったり高精細になったりすることで、画素間に形成する補助配線を細長くしなければならず、これに伴い、マスクの開口孔の形状が細長くなる。加えて、マスクの厚みが薄いことから、マスクを周囲から引っ張ったとしても、マスクの開口孔周囲の梁の強度が弱く撓みやすいことから、マスクが正規の状態に固定されなかった。これにより、基板上に補助配線を形成したとき、補助配線が細くなり過ぎて輝度ムラになることを抑えられなかったり、補助配線の直進性が得られず画素領域と重なることにより画素領域を狭めてしまったりするという問題があった。

本発明は、画素領域を狭めることなく、画素の点灯に必要な電流を流すことが可能な補助配線を形成することができる膜の製造方法、その方法を用いて製造された電気光学装置、及び、その方法に用いるマスクを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る膜の製造方法は、基板上に直線的な細長状の膜を形成すべく、前記膜における第１膜の形状に相当する開口孔が形成されたマスクを用いて、前記基板上に前記第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記膜における第２膜の形状に相当する開口孔が形成された前記マスクを用いて、前記基板上に前記第２膜を形成する第２膜形成工程と、を有する。

この方法によれば、第２膜形成工程によって、第１膜形成工程によって形成した第１膜に加えて第２膜を形成するので、膜を完成させるのに複数回に分割して形成することが可能となる。これにより、マスクの開口孔を、膜を分割した第１膜又は第２膜の形状に合わせて小さくすることができる。よって、マスクにおける開口孔と開口孔との間の梁が撓む量を少なくすることができ、マスクを固定したとき、開口孔の形状を正規の形状にすることが可能となる。その結果、基板上に正規の形状の膜を形成することができる。

上記目的を達成するために、本発明に係る膜の製造方法は、基板上に形成された画素部と画素部との間に直線的な細長状の膜を形成すべく、前記膜における長手方向に分割された第１膜の形状に相当する開口孔が形成されたマスクを用いて、前記基板上に前記第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記膜における前記長手方向に分割された第２膜の形状に相当する開口孔が形成された前記マスクを用いて、前記基板上に前記第２膜を形成する第２膜形成工程と、を有する。

この方法によれば、第２膜形成工程によって、第１膜形成工程によって形成した第１膜に加えて第２膜を画素部と画素部との間に形成するので、膜を完成させるのに複数回に分割して形成することが可能となる。これにより、マスクの開口孔を、膜を分割した第１膜又は第２膜の形状に合わせて小さくすることができる。よって、マスクにおける開口孔と開口孔との間の梁が撓む量を少なくすることができ、マスクを固定したとき、開口孔の形状を正規の形状にすることが可能となる。その結果、基板上の画素部と画素部との間に正規の形状の膜を形成することができ、膜が正規の状態に形成されないときに起きる画素部の領域を狭めることを防ぐことができる。

上記目的を達成するために、本発明に係る膜の製造方法は、基板上に、画素電極と、前記画素電極と対向する位置に形成された共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に設けられた発光層と、が重なる部分に画素部が形成されており、前記画素部と前記画素部との間の境界領域に、前記画素が正規の状態で発光するのに必要な電流を流すべく、前記共通電極に接した直線的な細長状の膜を形成する膜の製造方法であって、前記膜における長手方向に分割された第１膜の形状に相当する開口孔が形成されたマスクを用いて、前記基板上に前記第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記膜における前記長手方向に分割された第２膜の形状に相当する開口孔が形成された前記マスクを用いて、前記基板上に前記第２膜を形成する第２膜形成工程と、を有する。

この方法によれば、第２膜形成工程によって、第１膜形成工程によって形成した第１膜に加えて第２膜を画素部と画素部との間に形成するので、膜を完成させるのに複数回に分割して形成することが可能となる。これにより、マスクの開口孔を、膜を分割した第１膜又は第２膜の形状に合わせて小さくすることができる。よって、マスクにおける開口孔と開口孔との間の梁が撓む量を少なくすることができ、マスクを固定したとき、開口孔の形状を正規の形状にすることが可能となる。その結果、基板上の画素部と画素部との間に正規の形状の膜を形成することができ、膜が正規の状態に形成されないときに起きる画素部の領域を狭めることを防ぐことができる。更に、膜によって画素部を正規の状態で発光させることが可能となるので、点灯ムラ（輝度ムラ）の少ない表示部（画素部）を形成することができる。

本発明に係る膜の製造方法は、前記膜は、金属膜からなる補助配線であり、垂直方向に形成することが望ましい。

この方法によれば、共通電極と電気的に接続された金属膜からなる補助配線を、垂直方向（例えば、電圧を印加する端部側から境界領域を垂直方向）に形成するので、電圧を印加した端部側から離れた場所であったとしても、画素部に正規の電流を流すことが可能となる。これにより、基板における電圧を印加する側から離れた、例えば、基板の中央付近においても発光する光の輝度を弱くすることなく、基板全体に亘って輝度ムラ（点灯ムラ）が発生することを抑えることができる。

本発明に係る膜の製造方法は、前記第１膜形成工程は、前記第１膜を点線状に形成し、前記第２膜形成工程は、点線状に形成された前記第１膜が形成されていない領域に前記第２膜を点線状に形成することが望ましい。

この方法によれば、点線状に第１膜を形成したあとに、第１膜が形成されていない領域に点線状の第２膜を形成することにより、直線的な細長状の膜を形成するので、第１膜及び第２膜を形成するためのマスクの開口孔を１つに繋げることなく、分割した開口孔にすることができる。これにより、各開口孔の長さを短くすることが可能となり、開口孔間の梁の強度を高めることができる。

本発明に係る膜の製造方法は、前記開口孔の位置を前記第１膜または前記第２膜を形成すべく位置に合わせるために、前記基板と前記マスクとを相対的に移動する移動工程を更に有することが望ましい。

この方法によれば、移動工程により、基板とマスクとを相対的に移動させるので、同じマスクの開口孔を用いて第１膜と第２膜とを分割して形成することが可能となる。これにより、複数のマスクを用いることなく、１つのマスクだけで、第１膜と第２膜とを形成することができる。よって、マスクを製造するのにかかるコストを抑えることができる。

本発明に係る膜の製造方法は、前記膜は、真空蒸着法によって形成されることが望ましい。

この方法によれば、真空蒸着法によって膜を形成するので、マスクの開口孔を介して膜の基である蒸発させた材料粒子を、基板上の所定領域に蒸着させることができる。

本発明に係る膜の製造方法は、前記マスクは、金属マスクであり、磁力によって前記基板に吸引固定されることが望ましい。

この方法によれば、磁力によって基板にマスクを吸引固定させたときに、マスクの梁の撓んでいる量が少ないことから、マスクを正規の状態で基板に吸引固定することが可能となる。これにより、画素部と画素部との間に正規の形状の膜を形成することができる。その結果、膜が正規の形状でないときに起きる画素領域を狭めることを防ぐことができる。

本発明に係る膜の製造方法は、前記第１膜形成工程は、前記第１膜を形成すべく第１マスクを用いて前記第１膜を形成し、前記第２膜形成工程は、前記第２膜を形成すべく第２マスクを用いて前記第２膜を形成することが望ましい。

この方法によれば、第１膜と第２膜とを形成するのに、第１マスクと第２マスクとを別々に用いるので、基板とマスクとを相対的に移動させる移動機構を用いることなく、膜を完成させることができる。

上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、膜の製造方法を用いて形成される。

これによれば、画素領域を狭めることなく、輝度ムラ（点灯ムラ）の少ない表示領域（表示部）を有する電気光学装置を提供することができる。

上記目的を達成するために、本発明に係るマスクは、膜の製造方法に用いられる。

これによれば、画素領域を狭めることなく、画素の点灯に必要な電流を流すことが可能な膜を形成することができるマスクを提供することができる。

以下、本発明に係る膜の製造方法、その方法を用いて製造された電気光学装置、及び、その方法に用いるマスクの実施形態について、図面を参照しながら説明する。

（第１実施形態）
図１は、電気光学装置の一つである有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）装置の構造を示す模式平面図である。以下、第２基板及びカラーフィルタ（共に、図２参照）を除く有機ＥＬ装置の構造を、図１を参照しながら説明する。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、例えば、発光した光を上方に照射する、いわゆるトップエミッション構造であり、発光層で白色に発光した光をカラーフィルタを通すことでカラー表示させる。また、有機ＥＬ装置１１は、例えば、第１基板１２上に、図示しない複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、これらデータ線及び走査線に区画されたマトリクス状の画素部２２毎に駆動用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）が接続された、アクティブマトリクス型である。

有機ＥＬ装置１１は、例えば、第１基板１２上における表示領域２１の左右両端に、図示しない走査線駆動回路が配置される。また、有機ＥＬ装置１１は、例えば、第１基板１２における表示領域２１の上下に、図示しないデータ線駆動回路が配置されている。
有機ＥＬ装置１１は、第１基板１２と、画素電極（陽極）１３と、発光層（有機層）１４と、共通電極（陰極）１５と、膜である補助配線１６とを有する。

第１基板１２は、例えば、ガラスなどの透明材料によって構成されている。なお、第１基板１２は、本実施形態のように、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置１１の場合、絶縁性を有する不透明材料で構成するようにしてもよい。

画素電極（陽極）１３は、第１基板１２上の、画素部２２（赤色（Ｒ）２２ｒ、緑色（Ｇ）２２ｇ、青色（Ｂ）２２ｂなど）の領域に対応してそれぞれ形成されている。画素電極１３は、透明電極で構成されており、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）膜である。また、画素電極１３は、本実施形態のように、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置１１の場合、透明電極に限定されず、例えば、不透明材料によって構成するようにしてもよいし、透明材料と不透明材料とを積層して構成するようにしてもよい。

画素部２２は、画素電極１３と共通電極１５と発光層１４とが平面的に重なった領域である。画素部２２は、発光層１４の上下に配置された画素電極１３と共通電極１５（図２参照）とに電圧が印加されることにより発光層１４から発光する。画素部２２は、上記したように、表示領域２１における縦方向および横方向に、それぞれ離間してマトリクス状に配置されており、赤色（Ｒ）２２ｒ、緑色（Ｇ）２２ｇ、青色（Ｂ）２２ｂなどのサブ画素部を有する。

発光層（有機層）１４は、画素電極１３上に、例えば表示領域２１を覆うように形成されており、公知の発光材料で構成されている。発光層１４は、画素電極１３及び共通電極１５によって発光層１４を流れる電流量に応じて発光する。

共通電極（陰極）１５は、発光層１４上に、発光層１４を覆うように形成されている。つまり、共通電極１５は、各画素部２２に対して共通の電極となる。共通電極１５は、例えば、マグネシウムと銀（Ｍｇ、Ａｇ）を真空蒸着法によって同時に蒸着することにより形成される。共通電極１５は、有機ＥＬ装置１１がトップエミッション構造であるので、光を透過させやすいように共通電極１５の膜厚を薄くしている。共通電極１５の膜厚は、例えば、１００Åである。

補助配線１６は、表示領域２１における画素部２２と画素部２２との間（Ｙ方向における画素部２２間）に、Ｘ方向に直線的に細長く形成されている。また、補助配線１６は、発光層１４と共通電極１５との間に設けられている。補助配線１６は、例えば、低抵抗材料であるアルミ（Ａｌ）配線である。詳しくは、薄い共通電極１５と補助配線１６とを電気的に接続可能に形成することにより、共通電極１５の導電性を向上させており（表示領域２１の全体を等電位にしており）、表示領域２１における輝度ムラを抑えることが可能となっている。なお、共通電極１５及び補助配線１６は、例えば、発光層１４の外側の左右両端がコンタクト部となっている。補助配線１６は、例えば、真空蒸着法によって形成される。

補助配線１６の長さ（Ｘ方向の長さ）は、例えば、２１０ｍｍである。補助配線１６の幅（Ｙ方向）は、例えば、４０μｍである。補助配線１６と画素部２２との距離Ａは、例えば、１８μｍである。これらの寸法は、例えば、画素部２２の領域と補助配線１６とが重ならないように、真空蒸着処理に用いられる蒸着マスク５５（図４参照）の形状精度や、第１基板１２と蒸着マスク５５とのアライメント誤差を考慮して決められている。また、補助配線１６は、画素部２２の領域に補助配線１６が重ならないように、直進性が求められているとともに、共通電極１５の導通性を向上させるために、形状精度が求められている。

以上のように、補助配線１６を、画素部２２と画素部２２との間（Ｙ方向における画素部２２間）をＸ方向に、正規の状態（直進性や形状精度など）に形成することにより、画素部２２の発光領域を小さくせずに効率的に発光させることができるとともに、輝度ムラを抑えて表示させることができる。

図２は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図２を参照しながら説明する。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、例えば、カラーフィルタ３１を介して赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長を有する光を出射することで、フルカラー表示ができるように構成されている。有機ＥＬ装置１１は、第１基板１２と、駆動用ＴＦＴ形成層３２と、画素電極１３と、バンク３３と、発光層１４と、補助配線１６と、共通電極１５と、封止層３４と、第２基板３５と、カラーフィルタ３１とを有する。

駆動用ＴＦＴ形成層３２は、図示しない駆動用ＴＦＴが形成されており、第１基板１２上に配置される。詳しくは、第１基板１２上に、例えば、シリコン酸化膜からなる下地絶縁膜が形成され、下地絶縁膜上には、駆動用ＴＦＴが形成される。駆動用ＴＦＴ上には、第１基板１２全体を覆うように絶縁膜が形成されている。駆動用ＴＦＴは、コンタクトホールを介して画素電極１３と電気的に接続されている。

バンク３３は、画素部２２の形状を決めるために用いられ、画素電極１３の周縁部に沿って形成されている。

発光層１４は、発光する層を含む複数の有機層によって構成されており、画素電極１３と共通電極１５とに挟まれて形成されている。発光層１４は、例えば、真空蒸着法を用いて形成される。発光層１４は、例えば、複数の発光材料層を重ねて形成することにより白色の光を発光する。なお、発光層１４は、複数の発光材料層によって白色に発光させることに限らず、一層の発光材料層によって白色に発光させるようにしてもよい。

補助配線１６は、上記したように、発光層１４と共通電極１５との間に形成されており、発光層１４上におけるバンク３３の上方に形成されている。つまり、画素部２２の領域に、補助配線１６が平面的に重なるような形成をしないため、発光する領域を遮ることなく発光させることができる。
また、上記したように、補助配線１６は、共通電極１５と電気的に接続することにより電気抵抗を低下させているので、共通電極１５に発生する電圧降下を緩和させることが可能となる。これにより、表示領域２１の表示ムラ（輝度ムラ）を抑えることができる。

封止層３４は、公知の材料を用いて共通電極１５上に形成される。共通電極１５上に封止層３４を形成することにより、共通電極１５が腐食されることを防ぐことが可能となっている。

第２基板３５は、第１基板１２の封止層３４と対向する位置に配置されている。第２基板３５は、例えば、ガラス基板であり、カラーフィルタ３１を固定するために用いられる。

カラーフィルタ３１は、第２基板３５における封止層３４側の、各画素部２２に対応する領域に設けられている。カラーフィルタ３１は、赤色（Ｒ）カラーフィルタ３１ｒ、緑色（Ｇ）カラーフィルタ３１ｇ、青色（Ｂ）カラーフィルタ３１ｂを有する。第２基板３５には、これら三色のカラーフィルタ３１ｒ，３１ｇ，３１ｂと、図示しない、遮光用のブラックマトリックスとが形成されている。有機ＥＬ装置１１は、各画素部２２の発光層１４から出射した白色光を、それぞれのカラーフィルタ３１ｒ，３１ｇ，３１ｂを通すことで光に着色し、各色の光を組み合わせることで、カラー表示することができる。

以上のように、有機ＥＬ装置１１は、共通電極１５を補完する補助配線１６が、発光層１４上における非表示領域にあたるバンク３３の上方に形成されているので、共通電極１５における電圧降下を抑制することができる。これにより、表示領域２１における各画素部２２の発光輝度の均一化を図ることが可能となり、表示ムラの発生を防ぐことができる。

図３は、補助配線を形成するまでの有機ＥＬ装置の構造を示す模式側面図である。図３（ａ）は、図１においてＹ方向側にみた模式側面図であり、図３（ｂ）は、図１においてＸ方向側にみた模式側面図である。以下、補助配線を形成するまでの有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、後述する補助配線形成を説明する便宜上、補助配線以外の膜は、簡略して説明する。

図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、第１基板１２と、駆動用ＴＦＴ形成層３２と、発光層形成層４１と、第１膜である第１補助配線１６ａと、第２膜である第２補助配線１６ｂとを有する。

駆動用ＴＦＴ形成層３２は、上記したように、第１基板１２上に、図示しない駆動用ＴＦＴが形成されている。

発光層形成層４１は、上記したような、画素電極１３及びバンク３３から発光層１４までの形成層であり、詳細の図示は省略する。発光層形成層４１の画素電極１３（図２参照）は、上記したように、駆動用ＴＦＴ形成層３２の駆動用ＴＦＴとコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
なお、第１基板１２と駆動用ＴＦＴ形成層３２と発光層形成層４１とを合わせて、基板５２とする。

第１補助配線１６ａは、補助配線１６を構成する点線状に形成された膜である。第１補助配線１６ａは、例えば、真空蒸着法によって１回目に形成される。第１補助配線１６ａの長さは、例えば、１０ｍｍである。第１補助配線１６ａの厚みは、例えば、４０００Åである。

第２補助配線１６ｂは、補助配線１６を構成する第１補助配線１６ａが形成されていない領域に形成された膜である。第２補助配線１６ｂは、例えば、真空蒸着法によって２回目に形成する部分である。第２補助配線１６ｂの長さは、例えば、１０．１ｍｍである。第２補助配線１６ｂの厚みは、例えば、第１補助配線１６ａと同様に４０００Åである。補助配線１６を分割して形成するとき、第２補助配線１６ｂの両端部を第１補助配線１６ａと重ならして形成することにより、第１補助配線１６ａと第２補助配線１６ｂとを確実に導通をさせることが可能となり、電気的に繋がった一本の補助配線１６（図１参照）とすることができる。

詳しくは、第２補助配線１６ｂと第１補助配線１６ａとの重なり量Ｂは、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。また、第２補助配線１６ｂと第１補助配線１６ａとが重なった部分の厚みは、例えば、８０００Åである。

図４は、真空蒸着装置の構造を模式的に示す側面図である。以下、真空蒸着装置の構造を、図４を参照しながら説明する。

図４に示すように、真空蒸着装置５１は、例えば、基板５２上に補助配線１６を形成するために用いられ、真空チャンバ５３と、マグネットステージ５４と、蒸着マスク５５と、材料容器５６と、加熱部５７と、真空ポンプ５８とを有する。

真空チャンバ５３は、密閉された中空の空間を有し、内部を真空状態にするために、排気管５９を介して真空ポンプ５８と接続されている。

マグネットステージ５４は、真空チャンバ５３内の上側に配置されており、図示しない固定機構によって、基板５２を固定させるために用いられる。加えて、マグネットステージ５４は、磁力によって蒸着マスク５５を基板５２に固定させるために用いられる。

蒸着マスク５５は、上記したように、マグネットステージ５４の磁力によって基板５２に吸引固定されている。蒸着マスク５５には、基板５２上に蒸着する補助配線１６ａ，１６ｂと同じ形状の開口孔６１（図５参照）が形成されている。基板５２上には、蒸着すべく材料粒子５０ａがこの開口孔６１を通過することにより、材料粒子５０ａが所望の形状に蒸着される。また、真空チャンバ５３内には、蒸着マスク５５と基板５２との位置を相対的に移動させるための、図示しない移送機構が備えられている。

移送機構は、例えば、基板５２に対して、蒸着マスク５５を移動することが可能になっている。蒸着マスク５５は、例えば、マグネットステージ５４の磁力をＯＦＦにすることにより移動することが可能となる。また、真空蒸着装置５１は、基板５２と蒸着マスク５５との位置をアライメントするための、図示しないアライメント機構を有する。

アライメント機構は、例えば、蒸着マスク５５の位置を、Ｘ、Ｙ、θ方向に調整することが可能になっている。アライメント機構によって、基板５２に対する蒸着マスク５５の位置を調整することにより、例えば、基板５２上の補助配線１６を形成すべく位置と、蒸着マスク５５の開口孔６１の位置とを合わせることができる。詳しくは、基板５２には、例えば、基板５２の両サイドにアライメントマークが形成されている。一方、蒸着マスク５５には、蒸着マスク５５の両サイドに、アライメントマークの位置に相当する位置に丸孔が形成されている。
また、真空蒸着装置５１には、基板５２と蒸着マスク５５との位置を合わせるために、例えば、真空チャンバ５３の上方に、図示しないＣＣＤカメラが備えられている。

ＣＣＤカメラは、例えば、真空チャンバ５３に設けられた図示しない覗き窓を通して、基板５２と蒸着マスク５５との位置を検出するために用いられる。検出された互いの位置情報を基に、アライメント機構によって、蒸着マスク５５の位置を基板５２に合うようにアライメントが行われる。

材料容器５６は、真空チャンバ５３内における、基板５２及び蒸着マスク５５と対向する下側に配置されている。材料容器５６には、基板５２上に蒸着すべく補助配線１６の基である膜材料５０が収納（貯留）されている。膜材料５０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）である。

加熱部５７は、真空チャンバ５３内の下側に材料容器５６を受けるように配置されており、材料容器５６に入った膜材料５０を加熱して蒸発（気化）させるために用いられる。また、加熱部５７には、加熱部５７を加熱させるための、図示しない電源部が接続されている。

真空ポンプ５８は、上記したように、排気管５９を介して真空チャンバ５３内と接続されている。真空ポンプ５８は、真空チャンバ５３内を真空状態にするとともに、基板５２に蒸着されなかった材料粒子５０ａを排気するために用いられる。

図５は、マスクの構成を模式的に示す平面図である。以下、マスクの構成を、図５を参照しながら説明する。

図５に示すように、蒸着マスク５５は、上記したように、基板５２上に補助配線１６を形成するために用いられ、複数の開口孔６１がＸ方向に点線状に形成されている。詳しくは、この蒸着マスク５５を用いて、２回に分割して蒸着処理を行うことにより、１本の補助配線１６を形成している。蒸着マスク５５の材質は、例えば、ステンレス（ＳＵＳ）、インバー（ニッケル鋼）、４２アロイ（低膨張係数）、ニッケル合金などである。

蒸着マスク５５の厚みは、薄いことが望ましく、例えば、５０μｍである。詳しくは、蒸着マスク５５の厚みが厚い場合、開口孔６１に対して真っ直ぐ入り込まない材料粒子５０ａ（図４参照）は、蒸着マスク５５の厚み分の影（壁）になる量が多く、これにより、開口孔６１の形状に沿って蒸着されず、正規の形状とならないことがある。
一方、蒸着マスク５５の厚みが薄い場合、開口孔６１に対して真っ直ぐ入り込まない材料粒子５０ａがあったとしても、蒸着マスク５５の厚み分の影（壁）になる量が少なく、これにより、開口孔６１の形状に近い形状に蒸着させることができる。

開口孔６１は、スリット状の長孔であり、例えば、長さＬが１０ｍｍで形成されており、幅Ｗが４０μｍで形成されている。幅Ｗは、補助配線１６として機能することが可能な幅や、画素部２２の面積を確保することが可能な製造精度及びアライメント公差を基に求められており、例えば、５μｍ〜６０μｍの範囲であればよい。また、開口孔６１と開口孔６１との距離Ｍは、例えば、９．９ｍｍである。つまり、蒸着マスク５５を用いて、基板５２上に真空蒸着を行った場合、１０ｍｍの第１補助配線１６ａ（図３参照）が９．９ｍｍの間隔をあけて、Ｘ方向（横方向）に点線状に蒸着される。

また、点線状の開口孔６１は、蒸着マスク５５におけるＹ方向に、複数形成されている。開口孔６１と開口孔６１とのＹ方向（縦方向）のピッチ寸法Ｐは、例えば、２１０μｍである。また、開口孔６１間の梁の寸法Ｑは、例えば、１７０μｍである。なお、ピッチ寸法Ｐは、有機ＥＬ装置１１の精細度によって変動する。

以上のように、補助配線１６を形成するとき、２回に分割して形成させることにより、補助配線１６の形状と同等な１つの細長状の開口孔（例えば、２１０ｍｍ×４０μｍ）でなく、分割して短くした形状（１０ｍｍ×４０μｍ）の開口孔６１にすることができる。これにより、新たに、距離Ｍの梁をつくることができるとともに、開口孔６１と開口孔６１との距離Ｑの梁の強度を強くすることが可能となり、自重によって梁が撓む量を少なくすることができる。これにより、基板５２に蒸着マスク５５を正規の状態で密着させることが可能となる。

図６は、蒸着マスクを用いて真空蒸着処理を行う膜である補助配線の製造方法を工程順に示す模式図である。（ａ）、（ｃ）、（ｅ）は、補助配線の製造方法を工程順に示す模式平面図である。（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は、補助配線の製造方法を工程順に示す模式側面図である。以下、補助配線の製造方法を、図６を参照しながら説明する。

図６に示すように、補助配線１６の製造方法は、まず工程１１（第１膜形成工程）では、補助配線１６における第１補助配線１６ａを形成する。詳しくは、まず、蒸着マスク５５を、マグネットステージ５４の磁力によって基板５２に吸着させる（図４参照）。このとき、蒸着マスク５５の開口孔６１を複数に分割して形成してあることから、自重によって梁（距離Ｍ、距離Ｑ）の撓む量が少なくなっている。これにより、蒸着マスクを吸着固定するとき、開口孔６１の形状を正規の状態に維持することができる。
なお、蒸着マスク５５は、蒸着マスク５５の周囲からテンションをかけて引っ張るようにしながら吸着固定させるようにしてもよい。

次に、真空蒸着装置５１の真空チャンバ５３内で、補助配線１６の原料である膜材料５０（アルミ材料）を加熱部５７によって加熱する。これにより、膜材料５０が蒸発して、真空チャンバ５３内が材料粒子５０ａの雰囲気になる。材料粒子５０ａは、蒸着マスク５５の開口孔６１の中を通り抜けて、基板５２上に蒸着する。このとき、蒸着マスク５５の開口孔６１の形状が正規の状態になっていることから、開口孔６１の形状と略同じ形状の第１補助配線１６ａ（材料粒子５０ａ）が、基板５２上のＹ方向における画素部２２と画素部２２との間に点線状に形成される。

工程１２（移動工程）では、基板５２を固定した状態で、蒸着マスク５５をＸ方向に移動する。詳しくは、補助配線１６を完成すべく、工程１１において形成した第１補助配線１６ａ間を埋めるべく場所に開口孔６１が位置するように、蒸着マスク５５を移動する。なお、蒸着マスク５５を移動するとき、マグネットステージ５４による磁力をＯＦＦの状態にするとともに、膜材料５０の加熱を停止する。蒸着マスク５５をＸ方向に移動する距離は、例えば、９．９５ｍｍである。

基板５２と蒸着マスク５５とには、上記したように、図示しないアライメントマークが形成されているので、真空チャンバ５３の上方に設けられたＣＣＤカメラによって、お互いの位置情報を取得することが可能となっている。これにより、アライメント機構によって、蒸着マスク５５を、２回目に蒸着させる正規の位置に合わせることが可能となっている。
なお、基板５２には、１回目に蒸着するときに位置合わせを行うアライメントマークと、２回目に蒸着するときに位置合わせを行うアライメントマークとが、２つづつ形成されている。蒸着マスク５５には、共通に使用できる丸孔が形成されている。

工程１３（第２膜形成工程）では、補助配線１６における第２補助配線１６ｂを形成する。詳しくは、まず、工程１１と同様に、移動したあとの蒸着マスク５５を、マグネットステージ５４の磁力によって、基板５２に吸着させる。このとき、工程１１と同様に、蒸着マスク５５の開口孔６１を複数に分割して形成してあることから、自重によって梁（距離Ｍ、距離Ｑ）の撓む量が少なくなっている。これにより、蒸着マスクを吸着固定するとき、開口孔６１の形状を正規の状態に維持することができる。

次に、膜材料５０を加熱して、真空チャンバ５３内を材料粒子５０ａの雰囲気にする。材料粒子５０ａは、蒸着マスク５５の開口孔６１の中を通り抜けて、基板５２上の第１補助配線１６ａ間に蒸着する。このとき、蒸着マスク５５の開口孔６１の形状が正規の状態になっていることから、正規の開口孔６１の形状と同じ形状の第２補助配線１６ｂ（材料粒子５０ａ）が点線状に形成される。

また、第１補助配線１６ａと第２補助配線１６ｂとが重なって蒸着された部分には、突起状になった補助配線が形成されている。これは、第１補助配線１６ａと第２補助配線１６ｂとを確実に導通接続させるものであり、補助配線１６の抵抗を増加させるものでなければよい。

また、２回目に蒸着処理するとき、基板５２と蒸着マスク５５との間に、１回目に蒸着した第１補助配線１６ａの厚み分の隙間が生じることがあるが、補助配線１６としての機能を低下させない面積が確保できるとともに、補助配線１６が画素部２２に重ならない状態であればよい。基板５２と蒸着マスク５５との隙間は、例えば、１０μｍ以下が望ましい。

以上のように、補助配線１６を形成するのに、細長い開口孔を有する蒸着マスクを用いて１回で形成するのではなく、２回に分割して形成することにより、開口孔６１の長さを短くすることが可能となる。これにより、自重によって梁が撓む量を少なくすることができ、磁力によって基板５２に蒸着マスク５５を吸着させたときに、正規の状態（形状）に近づけて固定することができる。これにより、正規の形状の開口孔６１に沿った補助配線１６ａ，１６ｂを形成することが可能となる。

なお、本発明に係る膜の製造方法を適用することが可能な電気光学装置は、上記した有機ＥＬ装置１１の他に、例えば、液晶装置、電気泳動表示装置、プラズマ表示装置、ＳＥＤ（Surface Conduction Electron-emitter Display：表面電界ディスプレイ）、ＦＥＤ（Field Emission Display：電界放出ディスプレイ）などがある。

以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）本実施形態によれば、第２膜形成工程（工程１３）によって、第１膜形成工程（工程１１）によって形成した点線状の第１補助配線１６ａと繋げて、点線状の第２補助配線１６ｂを形成し補助配線１６を完成させるので、蒸着マスク５５の開口孔の長さを、補助配線１６を分割した領域分に短くすることができる。よって、蒸着マスク５５の開口孔６１間の梁が撓む量を少なくすることができ、蒸着マスク５５を正規の状態に固定することが可能となる。その結果、画素部２２間に正規の形状の補助配線１６を形成することができ、各画素部２２に必要な電流を流す（表示領域２１全体を等電位にする）ことが可能となる。その結果、補助配線１６が正規の状態に形成されない（ぼやけたり、細くなったりする）ことによる、表示領域２１における輝度ムラを抑えることができる。
加えて、補助配線１６が高導電性の材料であるアルミから形成されているので、共通電極１５の低抵抗化を実現することができる。

（２）本実施形態によれば、上記した蒸着マスク５５を正規の状態で基板５２に吸着させることができるので、正規の形状の補助配線１６ａ，１６ｂをＹ方向における画素部２２間に蒸着させることができる。これにより、蒸着させた補助配線１６ａ，１６ｂが画素部２２にかかることを防ぐことができ、画素部２２の発光領域を狭めることを防ぐことができる。その結果、本来の目的であるトップエミッション構造の開口率を高める（効率的に発光させる）ことができる。

（３）本実施形態によれば、第１補助配線１６ａを形成したあと、移動工程（工程１２）における移動機構を用いて、基板５２に対して蒸着マスク５５を移動させ、第１補助配線１６ａが形成されていない領域に第２補助配線１６ｂを形成することが可能となるので、１つの蒸着マスク５５だけで、２つの補助配線１６ａ，１６ｂを分割して形成することができる。よって、複数の蒸着マスクを製造することに比較して、蒸着マスク５５を製造するのにかかるコストを抑えることができる。

（第２実施形態）
図７は、蒸着マスクの構成を模式的に示す平面図である。図７（ａ）は、第１蒸着マスクを示す模式平面図である。図７（ｂ）は、第２蒸着マスクを示す模式平面図である。以下、第１蒸着マスク及び第２蒸着マスクを、図７を参照しながら説明する。
なお、２回に分割して補助配線１６を形成するのに、第１実施形態のように１枚の蒸着マスク５５を用いることに対して、第２実施形態は２枚の蒸着マスク７２，７３を用いて補助配線１６を形成している部分が、第１実施形態と異なっている。

図７に示すように、本実施形態の補助配線１６の形成は、第１補助配線１６ａと第２補助配線１６ｂとを別々に形成するのに、それぞれ専用の蒸着マスクによって蒸着させるために、第１蒸着マスク７２と、第２蒸着マスク７３とを用いる。

第１蒸着マスク７２は、第１補助配線１６ａを蒸着させるために用いられ、複数の第１開口孔７４がＸ方向に点線状に形成されている。第１蒸着マスク７２の材質は、第１実施形態の蒸着マスク５５と同様に、例えば、ステンレス（ＳＵＳ）、インバー（ニッケル鋼）、４２アロイ（低膨張係数）、ニッケル合金などである。第１蒸着マスク７２の厚みは、第１実施形態と同様に、例えば、５０μｍである。

第１開口孔７４は、第１実施形態で使用する蒸着マスク５５の開口孔６１と同様の寸法に形成されている。第１開口孔７４は、例えば、長さＬが１０ｍｍで形成されており、幅Ｗが４０μｍで形成されている。距離Ｍは、例えば、９．９ｍｍである。また、ピッチ寸法Ｐは、例えば、２１０μｍであり、第１開口孔７４間の梁の寸法Ｑは、例えば、１７０μｍである。

第２蒸着マスク７３は、第２補助配線１６ｂを蒸着させるために用いられ、複数の第２開口孔７５がＸ方向に点線状に形成されている。第２蒸着マスク７３の材質及び厚みは、第１蒸着マスク７２と同様である。

第２開口孔７５は、第２補助配線１６ｂを形成すべく、第１蒸着マスク７２の第１開口孔７４に対して、例えば、Ｘ方向に９．９５ｍｍずれた位置に形成されている。つまり、第１蒸着マスク７２と第２蒸着マスク７３とを重ねたとき、それぞれの開口孔７４，７５を繋げた形状が、補助配線１６の形状となるように形成されている。詳しくは、第１蒸着マスク７２と第２蒸着マスク７３とを重ねたとき、第１開口孔７４と第２開口孔７５との境界には、確実に第１補助配線１６ａと第２補助配線１６ｂとを導通接続するために、重複する領域が形成されるようになっている。
第１蒸着マスク７２と第２蒸着マスク７３とを用いることにより、蒸着マスクをＸ方向に移送する移送機構が、真空蒸着装置５１に設けられていなかったとしても、補助配線１６を分割して蒸着させることが可能となる。

また、第２開口孔７５の寸法は、第１開口孔７４の寸法と同様に形成されている。詳しくは、例えば、長さＬが１０ｍｍで形成されており、幅Ｗが４０μｍで形成されている。距離Ｍは、例えば、９．９ｍｍである。第２蒸着マスク７３を用いて、基板５２上に真空蒸着を行った場合、点線状の第１補助配線１６ａの間に第２補助配線１６ｂを蒸着させる（図３参照）ことが可能となっている。

以上のように、補助配線１６を形成するとき、２回に分割して形成させることにより、補助配線１６の形状と同等な１つの細長状の開口孔（例えば、２１０ｍｍ×４０μｍ）でなく、分割して短くした形状（１０ｍｍ×４０μｍ）の第１開口孔７４にすることができる。これにより、新たに、距離Ｍの梁をつくることができるとともに、第１開口孔７４と第１開口孔７４（第２開口孔７５と第２開口孔７５も同様）との距離Ｑの梁の強度を強くすることが可能となり、自重によって梁が撓む量を少なくすることができる。これにより、基板５２に蒸着マスク７２，７３を正規の状態で密着させることが可能となる。

図８は、補助配線の製造方法を工程順に示す模式図である。（ａ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、補助配線の製造方法を工程順に示す模式平面図である。（ｂ）、（ｆ）は、補助配線の製造方法を工程順に示す模式側面図である。以下、補助配線の製造方法を、図８を参照しながら説明する。

図８に示すように、補助配線１６の製造方法は、まず工程２１（第１膜形成工程）では、補助配線１６における第１補助配線１６ａを形成する。詳しくは、第１実施形態と同様に、まず、第１蒸着マスク７２を、マグネットステージ５４の磁力によって基板５２に吸着させる（図４参照）。このとき、第１蒸着マスク７２の第１開口孔７４を複数に分割して形成してあることから、自重によって梁（距離Ｍ、距離Ｑ）の撓む量が少なくなっている。これにより、第１蒸着マスク７２を吸着固定するとき、第１開口孔７４の形状を正規の状態に維持することができる。

次に、真空蒸着装置５１の真空チャンバ５３内で、補助配線１６の原料である膜材料５０（アルミ材料）を加熱部５７によって加熱する。これにより、膜材料５０が蒸発して、真空チャンバ５３内が材料粒子５０ａの雰囲気になる。材料粒子５０ａは、第１蒸着マスク７２の第１開口孔７４の中を通り抜けて、基板５２上に蒸着する。このとき、第１蒸着マスク７２の第１開口孔７４の形状が正規の状態になっていることから、第１開口孔７４の形状と略同じ形状の第１補助配線１６ａ（材料粒子５０ａ）が、基板５２上のＹ方向における画素部２２と画素部２２との間に点線状に形成される。

工程２２では、第１蒸着マスク７２から第２蒸着マスク７３に交換する。まず、マグネットステージ５４による磁力をＯＦＦの状態にするとともに、膜材料５０の加熱を停止する。次に、第１蒸着マスク７２から第２蒸着マスク７３に交換する。

基板５２と第２蒸着マスク７３とには、図示しないアライメントマークが形成されているので、真空チャンバ５３の上方に設けられた図示しないＣＣＤカメラによって、お互いの位置情報を取得することが可能となっている。これにより、アライメント機構によって、第２蒸着マスク７３を基板５２に合わせることが可能となっている。

工程２３（第２膜形成工程）では、補助配線１６における第２補助配線１６ｂを形成する。詳しくは、まず、工程２１と同様に、交換したあとの第２蒸着マスク７３を、マグネットステージ５４の磁力によって、基板５２に吸着させる。このとき、第１蒸着マスク７２と同様に、第２蒸着マスク７３の第２開口孔７５を複数に分割して形成してあることから、自重によって梁（距離Ｍ、距離Ｑ）の撓む量が少なくなっている。これにより、蒸着マスクを吸着固定するとき、第２開口孔７５の形状を正規の状態に維持することができる。

次に、第１実施形態と同様の方法で、第２蒸着マスク７３の第２開口孔７５を介して、基板５２の所定領域に材料粒子５０ａを蒸着させる。これにより、工程２１で形成した点線状の第１補助配線１６ａの間を埋めるように、第２補助配線１６ｂが形成される。このとき、第２蒸着マスク７３の第２開口孔７５の形状が正規の状態になっていることから、正規の第２開口孔７５の形状と同じ形状の第２補助配線１６ｂ（材料粒子５０ａ）が形成される。

以上のように、補助配線１６を形成するのに、細長い開口孔を有する蒸着マスクを用いて１回で形成するのではなく、２回に分割して形成することにより、第１開口孔７４及び第２開口孔７５の長さを短くすることが可能となる。これにより、自重によって梁が撓む量を少なくすることができ、磁力によって基板５２に第１蒸着マスク７２又は第２蒸着マスク７３を吸着させたときに、正規の状態（形状）に近づけて固定することができる。これにより、正規の形状の第１開口孔７４及び第２開口孔７５に沿った第１補助配線１６ａ及び第２補助配線１６ｂを形成することが可能となる。

以上詳述したように、本実施形態によれば、第１実施形態の効果（１）、（２）に加えて、以下に示す効果が得られる。
（４）本実施形態によれば、第１補助配線１６ａと第２補助配線１６ｂとを形成するのに、それぞれ別々の第１蒸着マスク７２と第２蒸着マスク７３とを用いるので、１つの蒸着マスクを移動させる動作をなくすことができる。よって、真空蒸着装置５１に移送機構が設けられていない場合であっても、基板５２上に、第１補助配線１６ａと第２補助配線１６ｂとを形成して補助配線１６を完成させることができる。

なお、第１実施形態及び第２実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
（変形例１）上記したように、補助配線１６を発光層１４と共通電極１５との間に形成していることに代えて（図２参照）、共通電極１５上（共通電極１５と封止層３４との間）に形成するようにしてもよい。この場合、少なくとも補助配線１６と画素電極１３とが電気的に分離されており、補助配線１６と共通電極１５とが電気的に接続されている状態であればよい。

（変形例２）上記した第１実施形態において、第１補助配線１６ａを形成したあとに第２補助配線１６ｂを形成するとき、蒸着マスク５５を基板５２に対して相対的に移動させていることに代えて、基板５２を蒸着マスク５５に対して相対的に移動させるようにしてもよい。また、蒸着マスク５５と基板５２との両方を相対的に移動させるようにしてもよい。

（変形例３）上記した第１実施形態において、アライメント機構によって、固定された基板５２に対する蒸着マスク５５（第２実施形態における第１蒸着マスク７２、第２蒸着マスク７３も同様）の位置を調整していることに代えて、蒸着マスク５５（第１蒸着マスク７２、第２蒸着マスク７３も同様）に対して基板５２の位置を調整するようにしてもよい。

（変形例４）上記したように、補助配線１６を形成するのに、２回に分割して形成していることに代えて、例えば、３回や４回のように複数回に分けて形成するようにしてもよい。これによれば、蒸着する回数が増えるものの、蒸着マスク５５、第１蒸着マスク７２、第２蒸着マスク７３に形成された開口孔６１、第１開口孔７４、第２開口孔７５の周囲の梁の強度を高めることができ、更によい状態で蒸着マスク５５，７２，７３を基板５２に吸着固定させることができる。

（変形例５）上記した第１実施形態において、移送機構によって蒸着マスク５５をＸ方向に移動させたあと、ＣＣＤカメラ及びアライメント機構によって、基板５２と蒸着マスク５５との位置をアライメントしていたことに代えて、ＣＣＤカメラ及びアライメント機構を用いずに、移送機構によって蒸着マスク５５をＸ方向にピッチ分（２回目に蒸着する位置まで）移動させるだけにするようにしてもよい。これによれば、基板５２と蒸着マスク５５との位置関係は、移送機構の移動精度（機械精度）に依存するものの、補助配線１６が画素部２２に重ならなければよく、アライメントする時間を短縮することができる。

（変形例６）上記した第２実施形態において、同じ真空チャンバ５３内で、第１蒸着マスク７２から第２蒸着マスク７３に交換していることに代えて、２つの真空チャンバを設け、１つの真空チャンバに対して１つの蒸着マスクを専用に配置するようにしてもよい。これによれば、一方の真空チャンバに移し変える作業が必要になるものの、蒸着マスクを交換する作業を省くことができる。加えて、異なる材料を基板５２上に蒸着させるときなど、材料を交換するなどの時間をかけずに、別の材料を蒸着させることができる。

（変形例７）上記したように、蒸着マスク５５，７２，７３を用いて細長状の補助配線１６を形成することに限定されず、他の用途の細長状の膜に適用するようにしてもよい。

（変形例８）上記したように、補助配線１６を真空蒸着法によって形成することに限定されず、マスクを用いて補助配線１６が形成できる方法であればよく、例えば、スパッタ蒸着法によって形成するようにしてもよい。

一実施形態における、有機ＥＬ装置の構造を示す模式平面図。 有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 補助配線を形成するまでの有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。（ａ）は、図１における有機ＥＬ装置をＹ方向からみた模式側面図。（ｂ）は、図１における有機ＥＬ装置をＸ方向からみた模式側面図。 真空蒸着装置の構造を模式的に示す側面図。 マスクの構成を示す模式平面図。 補助配線の製造方法を工程順に示す模式図。（ａ）、（ｃ）、（ｅ）は、補助配線の製造方法を工程順に示す模式平面図。（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は、補助配線の製造方法を工程順に示す模式側面図。 マスクの構成を示す模式平面図。（ａ）は、第１蒸着マスクの構成を示す模式平面図。（ｂ）は、第２蒸着マスクの構成を示す模式平面図。 補助配線の製造方法を工程順に示す模式図。（ａ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、補助配線の製造方法を工程順に示す模式平面図。（ｂ）、（ｆ）は、補助配線の製造方法を工程順に示す模式側面図。

符号の説明

１１…有機ＥＬ装置、１２…第１基板、１３…画素電極（陽極）、１４…発光層（有機層）、１５…共通電極（陰極）、１６…膜である補助配線、１６ａ…第１膜である第１補助配線、１６ｂ…第２膜である第２補助配線、２１…表示領域、２２，２２ｒ，２２ｇ，２２ｂ…画素部、３１，３１ｒ，３１ｇ，３１ｂ…カラーフィルタ、３２…駆動用ＴＦＴ形成層、３３…バンク、３４…封止層、３５…第２基板、４１…発光層形成層、５０…膜材料、５０ａ…材料粒子、５１…真空蒸着装置、５２…基板、５３…真空チャンバ、５４…マグネットステージ、５５…蒸着マスク、５６…材料容器、５７…加熱部、５８…真空ポンプ、５９…排気管、６１…開口孔、７２…第１蒸着マスク、７３…第２蒸着マスク、７４…第１開口孔、７５…第２開口孔。

Claims (11)

1. 基板上に直線的な細長状の膜を形成すべく、前記膜における第１膜の形状に相当する開口孔が形成されたマスクを用いて、前記基板上に前記第１膜を形成する第１膜形成工程と、
   前記膜における第２膜の形状に相当する開口孔が形成された前記マスクを用いて、前記基板上に前記第２膜を形成する第２膜形成工程と、
   を有することを特徴とする膜の製造方法。
2. 基板上に形成された画素部と画素部との間に直線的な細長状の膜を形成すべく、前記膜における長手方向に分割された第１膜の形状に相当する開口孔が形成されたマスクを用いて、前記基板上に前記第１膜を形成する第１膜形成工程と、
   前記膜における前記長手方向に分割された第２膜の形状に相当する開口孔が形成された前記マスクを用いて、前記基板上に前記第２膜を形成する第２膜形成工程と、
   を有することを特徴とする膜の製造方法。
3. 基板上に、画素電極と、前記画素電極と対向する位置に形成された共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に設けられた発光層と、が重なる部分に画素部が形成されており、前記画素部と前記画素部との間の境界領域に、前記画素が正規の状態で発光するのに必要な電流を流すべく、前記共通電極に接した直線的な細長状の膜を形成する膜の製造方法であって、
   前記膜における長手方向に分割された第１膜の形状に相当する開口孔が形成されたマスクを用いて、前記基板上に前記第１膜を形成する第１膜形成工程と、
   前記膜における前記長手方向に分割された第２膜の形状に相当する開口孔が形成された前記マスクを用いて、前記基板上に前記第２膜を形成する第２膜形成工程と、
   を有することを特徴とする膜の製造方法。
4. 請求項３に記載の膜の製造方法であって、
   前記膜は、金属膜からなる補助配線であり、垂直方向に形成することを特徴とする膜の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の膜の製造方法であって、
   前記第１膜形成工程は、前記第１膜を点線状に形成し、
   前記第２膜形成工程は、点線状に形成された前記第１膜が形成されていない領域に前記第２膜を点線状に形成することを特徴とする膜の形成方法。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の膜の製造方法であって、
   前記開口孔の位置を前記第１膜または前記第２膜を形成すべく位置に合わせるために、前記基板と前記マスクとを相対的に移動する移動工程を更に有することを特徴とする膜の製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の膜の製造方法であって、
   前記膜は、真空蒸着法によって形成されることを特徴とする膜の製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の膜の製造方法であって、
   前記マスクは、金属マスクであり、磁力によって前記基板に吸引固定されることを特徴とする膜の製造方法。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の膜の製造方法であって、
   前記第１膜形成工程は、前記第１膜を形成すべく第１マスクを用いて前記第１膜を形成し、
   前記第２膜形成工程は、前記第２膜を形成すべく第２マスクを用いて前記第２膜を形成することを特徴とする膜の製造方法。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の膜の製造方法を用いて形成されたことを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の膜の製造方法に用いられることを特徴とするマスク。
    

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