JP2003316291A - 発光装置 - Google Patents
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 22
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- CAMPQFALWQQPAZ-UHFFFAOYSA-N 1-n-(4-methylphenyl)-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 CAMPQFALWQQPAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical class C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYLQYLOSLLBTR-UHFFFAOYSA-N 9-(2-phenylphenyl)-10-[10-(2-phenylphenyl)anthracen-9-yl]anthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 OEYLQYLOSLLBTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- JEYCTXHKTXCGPB-UHFFFAOYSA-N Methaqualone Chemical compound CC1=CC=CC=C1N1C(=O)C2=CC=CC=C2N=C1C JEYCTXHKTXCGPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920006112 polar polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機発光媒体上に１００nm程度の厚さで形成
する透明導電膜の抵抗率を１×１０-3Ωcm以下にするこ
とは困難でありシート抵抗は１００Ω／□以上に増大し
てしまう。このような場合、画面サイズを大型化する場
合には電圧降下により面内電位分布が不均一になり、画
像表示画面における輝度にバラツキが生じるといった問
題が発生する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数個の第１
電極と、有機発光媒体と、第２電極とから発光性の画素
が形成されて画像表示領域を形成する発光装置であり、
第１電極のそれぞれの周辺端部を囲む電気絶縁性の隔壁
と、第２電極と電気的に接触する第１補助配線とを有
し、第１補助配線は前記画像表示領域の外側まで延在
し、その端部において第２補助配線と電気的に接続し、
第２補助配線は入力端子部から延在する配線と電気的に
接続している。
する透明導電膜の抵抗率を１×１０-3Ωcm以下にするこ
とは困難でありシート抵抗は１００Ω／□以上に増大し
てしまう。このような場合、画面サイズを大型化する場
合には電圧降下により面内電位分布が不均一になり、画
像表示画面における輝度にバラツキが生じるといった問
題が発生する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数個の第１
電極と、有機発光媒体と、第２電極とから発光性の画素
が形成されて画像表示領域を形成する発光装置であり、
第１電極のそれぞれの周辺端部を囲む電気絶縁性の隔壁
と、第２電極と電気的に接触する第１補助配線とを有
し、第１補助配線は前記画像表示領域の外側まで延在
し、その端部において第２補助配線と電気的に接続し、
第２補助配線は入力端子部から延在する配線と電気的に
接続している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機発光素子を備え
た発光装置に係り、特に多色表示を行う表示部が形成さ
れた発光装置に関する。
た発光装置に係り、特に多色表示を行う表示部が形成さ
れた発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】複数の発光画素をマトリクス状（行と
列）に配置させて多色画像表示を行う発光装置は、特開
平８−２２７２７６号公報などで開示されている。同公
報で開示の技術は、第１表示電極が形成された基板と、
該第１電極の各々を囲み基板上に突出する電気絶縁性の
隔壁と、隔壁内に形成された少なくとも１層の有機エレ
クトロルミネセンス媒体の薄膜と、ストライプ状に形成
された第２電極とが備えられている。
列）に配置させて多色画像表示を行う発光装置は、特開
平８−２２７２７６号公報などで開示されている。同公
報で開示の技術は、第１表示電極が形成された基板と、
該第１電極の各々を囲み基板上に突出する電気絶縁性の
隔壁と、隔壁内に形成された少なくとも１層の有機エレ
クトロルミネセンス媒体の薄膜と、ストライプ状に形成
された第２電極とが備えられている。
【０００３】また、多色表示を行うように、隔壁内の第
１表示電極を露出せしめる複数の開口を有するマスクを
隔壁の上面に載置して、有機エレクトロルミネセンス媒
体なる薄膜を第１電極上に形成するものであり、１つの
開口が１つの第１電極上からその隣接する第１電極上へ
配置されるようにマスクを順次移動せしめることによ
り、精度良く異なる媒体の塗り分けができることが開示
されている。
１表示電極を露出せしめる複数の開口を有するマスクを
隔壁の上面に載置して、有機エレクトロルミネセンス媒
体なる薄膜を第１電極上に形成するものであり、１つの
開口が１つの第１電極上からその隣接する第１電極上へ
配置されるようにマスクを順次移動せしめることによ
り、精度良く異なる媒体の塗り分けができることが開示
されている。
【０００４】多色表示を行うには、このようにＲＧＢな
どの発光色の異なる薄膜を各画素毎に形成する方式の他
に、白色光を発光する有機発光素子とカラーフィルター
を組み合わせた方式、青色に発光する有機発光素子と色
変換層を組み合わせた方式などが知られている。
どの発光色の異なる薄膜を各画素毎に形成する方式の他
に、白色光を発光する有機発光素子とカラーフィルター
を組み合わせた方式、青色に発光する有機発光素子と色
変換層を組み合わせた方式などが知られている。
【０００５】近年では、画像表示における画面の大型化
や高精細化が進み、ＸＧＡ（１０２４×７６８ドット）
やＳＸＧＡ（１３６５×１０２４ドット）、さらにはＵ
ＸＧＡ（１６００×１２００ドット）などのように画素
密度が高まっている。
や高精細化が進み、ＸＧＡ（１０２４×７６８ドット）
やＳＸＧＡ（１３６５×１０２４ドット）、さらにはＵ
ＸＧＡ（１６００×１２００ドット）などのように画素
密度が高まっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】有機発光媒体上に形成
した第２電極を光放射面とする発光性の画素が備えられ
た画像表示部を有する発光装置では、第２電極を透明導
電膜で形成する必要があり、且つ光透過率を高めるため
に、光吸収損失と干渉の影響を考慮して薄く形成する必
要がある。
した第２電極を光放射面とする発光性の画素が備えられ
た画像表示部を有する発光装置では、第２電極を透明導
電膜で形成する必要があり、且つ光透過率を高めるため
に、光吸収損失と干渉の影響を考慮して薄く形成する必
要がある。
【０００７】しかしながら、画像表示部の大画面化が進
むと透明導電膜の抵抗により、有機発光素子の応答速度
の低下や消費電力の増加を招き、実用に供与し得る発光
装置を提供することが実質的に出来なくなる。
むと透明導電膜の抵抗により、有機発光素子の応答速度
の低下や消費電力の増加を招き、実用に供与し得る発光
装置を提供することが実質的に出来なくなる。
【０００８】有機発光媒体上に、概ね１００℃程度で形
成しなければならない透明導電膜の抵抗率を１×１０-3
Ωcm以下にすることは困難であり、１００nm程度で形成
する第２電極のシート抵抗は１００Ω／□以上に増大し
てしまう。特に画面サイズを２０〜５０インチ型（５１
〜１０１cm）を実現しようとする場合には、電気抵抗に
よる電圧降下により面内電位分布が不均一になり、画像
表示画面における輝度にバラツキが生じるといった問題
が発生する。
成しなければならない透明導電膜の抵抗率を１×１０-3
Ωcm以下にすることは困難であり、１００nm程度で形成
する第２電極のシート抵抗は１００Ω／□以上に増大し
てしまう。特に画面サイズを２０〜５０インチ型（５１
〜１０１cm）を実現しようとする場合には、電気抵抗に
よる電圧降下により面内電位分布が不均一になり、画像
表示画面における輝度にバラツキが生じるといった問題
が発生する。
【０００９】勿論、特開平１１−８０７３号公報にある
ように、対向電極（第２電極を指す）上に補助配線を形
成することにより透明導電膜の抵抗による電力損失を補
う方法もあるが、補助配線を形成することにより開口率
が低下することが問題となる。
ように、対向電極（第２電極を指す）上に補助配線を形
成することにより透明導電膜の抵抗による電力損失を補
う方法もあるが、補助配線を形成することにより開口率
が低下することが問題となる。
【００１０】本発明は、有機発光媒体上に形成する第２
電極を光の放射面とする高精細な発光装置を提供するこ
とを目的とする。
電極を光の放射面とする高精細な発光装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の構成は、マトリクス状に配置された複数個
の第１電極と、第１電極に対応するように形成された発
光性材料を含む有機発光媒体と、第１電極と対向して形
成される第２電極とから発光性の画素が形成されて画像
表示部を形成する発光装置であり、該画像表示部におい
て、第１電極のそれぞれの周辺端部を囲む電気絶縁性の
隔壁と、当該隔壁上においてマトリクスの行配列方向又
は列配列方向に延在し、第２電極と電気的に接触すると
共にその下層側に形成された第１補助配線とを有してい
て、第１補助配線は前記画像表示部の外側まで延在する
と共に、その端部において該第１補助配線と交差する方
向に延在する第２補助配線と電気的に接続し、第２補助
配線は、入力端子部から延在する配線と電気的に接続し
ているものである。
めに本発明の構成は、マトリクス状に配置された複数個
の第１電極と、第１電極に対応するように形成された発
光性材料を含む有機発光媒体と、第１電極と対向して形
成される第２電極とから発光性の画素が形成されて画像
表示部を形成する発光装置であり、該画像表示部におい
て、第１電極のそれぞれの周辺端部を囲む電気絶縁性の
隔壁と、当該隔壁上においてマトリクスの行配列方向又
は列配列方向に延在し、第２電極と電気的に接触すると
共にその下層側に形成された第１補助配線とを有してい
て、第１補助配線は前記画像表示部の外側まで延在する
と共に、その端部において該第１補助配線と交差する方
向に延在する第２補助配線と電気的に接続し、第２補助
配線は、入力端子部から延在する配線と電気的に接続し
ているものである。
【００１２】また、他の発明の構成は、マトリクス状に
配置された複数のＴＦＴのゲート電極と接続し行配列方
向に延在する第１配線と、ソース又はドレインに接続し
列配列方向に延在する第２配線と、第１及び第２配線上
に形成され略平坦化表面を形成する層間絶縁膜と、該層
間絶縁膜上にＴＦＴに対応して配置された複数個の第１
電極と、第１電極に対応するように形成された発光性材
料を含む有機発光媒体と、第１電極と対向して形成され
る第２電極とから発光性の画素が形成され、画像表示部
を形成する発光装置であり、第１電極のそれぞれの周辺
端部を囲む電気絶縁性の隔壁と、当該隔壁上において前
記マトリクスの行配列方向又は列配列方向に延在し、第
２電極と電気的に接触すると共にその下層側の形成され
た第１補助配線とを有し、第１補助配線は前記画像表示
部の外側まで延在し、その端部において、該第１補助配
線と交差する方向に延在する第２補助配線と電気的に接
続し、第２補助配線は、入力端子部から延在する配線と
電気的に接続しているものである。また、この構成にお
いて、第２補助配線は入力端子部から延在する配線と前
記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電
気的に接続している構成をしても良い。
配置された複数のＴＦＴのゲート電極と接続し行配列方
向に延在する第１配線と、ソース又はドレインに接続し
列配列方向に延在する第２配線と、第１及び第２配線上
に形成され略平坦化表面を形成する層間絶縁膜と、該層
間絶縁膜上にＴＦＴに対応して配置された複数個の第１
電極と、第１電極に対応するように形成された発光性材
料を含む有機発光媒体と、第１電極と対向して形成され
る第２電極とから発光性の画素が形成され、画像表示部
を形成する発光装置であり、第１電極のそれぞれの周辺
端部を囲む電気絶縁性の隔壁と、当該隔壁上において前
記マトリクスの行配列方向又は列配列方向に延在し、第
２電極と電気的に接触すると共にその下層側の形成され
た第１補助配線とを有し、第１補助配線は前記画像表示
部の外側まで延在し、その端部において、該第１補助配
線と交差する方向に延在する第２補助配線と電気的に接
続し、第２補助配線は、入力端子部から延在する配線と
電気的に接続しているものである。また、この構成にお
いて、第２補助配線は入力端子部から延在する配線と前
記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電
気的に接続している構成をしても良い。
【００１３】有機発光媒体は第１補助配線と平行方向に
ストライプ状に形成されていても良く、第１補助配線
は、行配列方向に延在する第１配線又は列配列方向に延
在する第２配線と、平行方向に延在し、且つ前記隔壁層
を介して重畳して設けられた構成とすることができる。
ストライプ状に形成されていても良く、第１補助配線
は、行配列方向に延在する第１配線又は列配列方向に延
在する第２配線と、平行方向に延在し、且つ前記隔壁層
を介して重畳して設けられた構成とすることができる。
【００１４】また、上記発明の構成においいて、画像表
示部にある第２電極を透明導電膜で形成し、それに対向
する面にカラーフィルターの着色層が配置され、多色表
示を可能とする構成とすることもできる。
示部にある第２電極を透明導電膜で形成し、それに対向
する面にカラーフィルターの着色層が配置され、多色表
示を可能とする構成とすることもできる。
【００１５】上記発明の構成によれば、第１補助配線を
設けることにより、第２電極を形成する透明導電膜が薄
膜化し、又は／且つ画像表示部の面積が拡大し第画面化
しても、抵抗値の増大による有機発光素子の応答速度の
低下や消費電力の増加を防ぐことができる。また、面内
電位分布を均一化し、画像表示画面における輝度にバラ
ツキをなくすことができる。さらに、第１補助配線を隔
壁上に設けることにより、開口率を損なうことなく上述
の効果を奏することができる。
設けることにより、第２電極を形成する透明導電膜が薄
膜化し、又は／且つ画像表示部の面積が拡大し第画面化
しても、抵抗値の増大による有機発光素子の応答速度の
低下や消費電力の増加を防ぐことができる。また、面内
電位分布を均一化し、画像表示画面における輝度にバラ
ツキをなくすことができる。さらに、第１補助配線を隔
壁上に設けることにより、開口率を損なうことなく上述
の効果を奏することができる。
【００１６】上記発明の構成によれば、第２補助配線を
設けることにより、第２電極と接続すべき配線との接続
を容易とし、且つ引き回しに要する配線による抵抗損失
を小さくすることができる。さらに、画像表示部を具備
する発光装置の額縁領域（即ち、画像表示部の周辺部
位）の面積を縮小することができる。
設けることにより、第２電極と接続すべき配線との接続
を容易とし、且つ引き回しに要する配線による抵抗損失
を小さくすることができる。さらに、画像表示部を具備
する発光装置の額縁領域（即ち、画像表示部の周辺部
位）の面積を縮小することができる。
【００１７】上述の第１電極、第２電極及び有機発光媒
体の積層体により、有機発光素子が構成される。本発明
においては、第２電極を透光性として透明電極で形成す
ることにより、この面から光を放射させるものとしてい
る。
体の積層体により、有機発光素子が構成される。本発明
においては、第２電極を透光性として透明電極で形成す
ることにより、この面から光を放射させるものとしてい
る。
【００１８】有機発光素子から蛍光又は燐光による発光
を得るためには第１電極と第２電極間に電圧を印加する
必要があるが、その極性により便宜上陽極と陰極として
区別することができる。陰極は仕事関数が小さく、多く
の有機発光媒体に電子を注入するのに適した導電性材料
が適用され、陽極は相対的に仕事関数が大きく、おおく
の有機発光媒体に正孔を注入するのに適した材料が適用
される。
を得るためには第１電極と第２電極間に電圧を印加する
必要があるが、その極性により便宜上陽極と陰極として
区別することができる。陰極は仕事関数が小さく、多く
の有機発光媒体に電子を注入するのに適した導電性材料
が適用され、陽極は相対的に仕事関数が大きく、おおく
の有機発光媒体に正孔を注入するのに適した材料が適用
される。
【００１９】第１電極を陰極とし第２電極を陽極とする
場合には、第１電極を周期律表１属又は２属にある元素
の合金又は化合物で形成され、アルミニウムや銀との合
金、若しくはそのフッ化物で形成する。或いは、窒化チ
タンなど窒化物金属で代用しても良い。第２電極は酸化
インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸
化亜鉛、若しくはこれらの化合物が適用される。この第
２電極と有機発光媒体とを良好に接触させるためには、
その界面に抵抗加熱蒸着法で形成されるような薄い金属
層を介在させても良い。
場合には、第１電極を周期律表１属又は２属にある元素
の合金又は化合物で形成され、アルミニウムや銀との合
金、若しくはそのフッ化物で形成する。或いは、窒化チ
タンなど窒化物金属で代用しても良い。第２電極は酸化
インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸
化亜鉛、若しくはこれらの化合物が適用される。この第
２電極と有機発光媒体とを良好に接触させるためには、
その界面に抵抗加熱蒸着法で形成されるような薄い金属
層を介在させても良い。
【００２０】第１電極を陽極とし第２電極を陰極とする
場合には、第１電極を酸化インジウム・スズ、酸化亜
鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの
化合物、又はこれらと同等の仕事関数を有する導電性材
料で形成する。第２電極は第１電極を周期律表１属又は
２属にある元素の合金又は化合物で形成され、アルミニ
ウムや銀との合金、若しくはそのフッ化物で形成するの
が好ましいが、光透過性を持たせるために極めて薄く形
成し（例えば、膜厚を０．５〜５nmとして）有機発光媒
体と接触させ、その上に酸化インジウム・スズなどの透
明導電膜を積層させても良い。
場合には、第１電極を酸化インジウム・スズ、酸化亜
鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの
化合物、又はこれらと同等の仕事関数を有する導電性材
料で形成する。第２電極は第１電極を周期律表１属又は
２属にある元素の合金又は化合物で形成され、アルミニ
ウムや銀との合金、若しくはそのフッ化物で形成するの
が好ましいが、光透過性を持たせるために極めて薄く形
成し（例えば、膜厚を０．５〜５nmとして）有機発光媒
体と接触させ、その上に酸化インジウム・スズなどの透
明導電膜を積層させても良い。
【００２１】第１補助電極及び第２補助電極は、第２電
極を形成する導電性材料と接触性の良い材料であり、且
つ抵抗率の小さい導電性材料が選択される。具体的に
は、アルミニウム、アルミニウムとチタン、スカンジウ
ム、ニオブ、銅又はシリコンとの合金、或いはチタン、
窒化チタン、タンタル、タングステン、モリブデンの単
体又はこれらの合金で形成することができる。
極を形成する導電性材料と接触性の良い材料であり、且
つ抵抗率の小さい導電性材料が選択される。具体的に
は、アルミニウム、アルミニウムとチタン、スカンジウ
ム、ニオブ、銅又はシリコンとの合金、或いはチタン、
窒化チタン、タンタル、タングステン、モリブデンの単
体又はこれらの合金で形成することができる。
【００２２】第１補助配線は、第２電極の下層に形成さ
れ、その場合の被覆性を高め、段差部において亀裂など
が生じないように端部をテーパー形状に加工する。
れ、その場合の被覆性を高め、段差部において亀裂など
が生じないように端部をテーパー形状に加工する。
【００２３】有機発光媒体は、陽極側にある正孔注入輸
送層、陰極側にある電子注入輸送層、発光層等を適宜組
み合わせた構造である。正孔注入輸送層又は電子注入輸
送層は、電極からの正孔又は電子の注入効率と、輸送性
（移動度）が特に重要な特性として着目されるものであ
るが、さらに発光層としての機能も兼ね備えた発光性電
子注入輸送層などを組み合わせても良い。
送層、陰極側にある電子注入輸送層、発光層等を適宜組
み合わせた構造である。正孔注入輸送層又は電子注入輸
送層は、電極からの正孔又は電子の注入効率と、輸送性
（移動度）が特に重要な特性として着目されるものであ
るが、さらに発光層としての機能も兼ね備えた発光性電
子注入輸送層などを組み合わせても良い。
【００２４】カラーフィルターとの好適な組み合わせに
おいては、白色発光を呈するものが好ましく、発光層に
含まれる単一の色素で白色発光が得られない場合は、複
数の色素を発光中心として使用し、同時に発光させて加
法混色により白色化する。この場合には、異なる発光色
を有する発光層を積層する方法や、一つ又は複数の発光
層に複数の発光中心を含有させる方法などを適用するこ
とができる。
おいては、白色発光を呈するものが好ましく、発光層に
含まれる単一の色素で白色発光が得られない場合は、複
数の色素を発光中心として使用し、同時に発光させて加
法混色により白色化する。この場合には、異なる発光色
を有する発光層を積層する方法や、一つ又は複数の発光
層に複数の発光中心を含有させる方法などを適用するこ
とができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】本実施の形態に係る発光装置は有機発光媒
体を用い、電界により蛍光又は燐光により発光する性質
を応用して所定の表示を行うものである。図１（Ａ）は
外部回路などを除いた発光装置の構成を示す斜視図であ
り、図１（Ｂ）はＡ−Ａ'線の縦断面図、図１（Ｃ）は
Ｂ−Ｂ'線の縦断面図である。
体を用い、電界により蛍光又は燐光により発光する性質
を応用して所定の表示を行うものである。図１（Ａ）は
外部回路などを除いた発光装置の構成を示す斜視図であ
り、図１（Ｂ）はＡ−Ａ'線の縦断面図、図１（Ｃ）は
Ｂ−Ｂ'線の縦断面図である。
【００２７】これらの図に示されるように、発光装置は
画像表示部１２、走査線駆動回路１３、データ線駆動回
路１４、入出力端子１５などが備えられた素子基板１０
と、カラーフィルター１８が備えられた対向基板１１が
シール材１９により固着された構成となっている。
画像表示部１２、走査線駆動回路１３、データ線駆動回
路１４、入出力端子１５などが備えられた素子基板１０
と、カラーフィルター１８が備えられた対向基板１１が
シール材１９により固着された構成となっている。
【００２８】素子基板１０にはガラスや石英、プラスチ
ック、若しくは半導体などが用いられるが、対向基板１
１には少なくとも可視光を透過する透光性のガラス、石
英、プラスチックなどが部材として用いられる。基板は
板状物、フィルム状物、シート状物のいずれの形態であ
っても良く、単層構造又は積層構造のいずれの構造を有
していても良い。ガラスでは市販されている無アルカリ
ガラスなどの透明ガラスが好ましく、表面を酸化珪素膜
で被覆したアルカリガラスを適用することもできる。プ
ラスチックを用いる場合には、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、透光性のポ
リイミドなどを適用することができる。その他、透光性
アルミナ、ＺｎＳ焼結体などの透明セラミックを適用す
ることもできる。
ック、若しくは半導体などが用いられるが、対向基板１
１には少なくとも可視光を透過する透光性のガラス、石
英、プラスチックなどが部材として用いられる。基板は
板状物、フィルム状物、シート状物のいずれの形態であ
っても良く、単層構造又は積層構造のいずれの構造を有
していても良い。ガラスでは市販されている無アルカリ
ガラスなどの透明ガラスが好ましく、表面を酸化珪素膜
で被覆したアルカリガラスを適用することもできる。プ
ラスチックを用いる場合には、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、透光性のポ
リイミドなどを適用することができる。その他、透光性
アルミナ、ＺｎＳ焼結体などの透明セラミックを適用す
ることもできる。
【００２９】また、シール材１９は対向基板１１の周辺
部に沿って形成されるが、素子基板との位置関係におい
ては、層間絶縁膜１６を介して走査線駆動回路１３やデ
ータ線駆動回路１４と重畳して形成されている。層間絶
縁膜１６はその形成表面を平坦に形成するものである
が、最表面及び側面部は窒化珪素又は酸窒化珪素などで
形成する。
部に沿って形成されるが、素子基板との位置関係におい
ては、層間絶縁膜１６を介して走査線駆動回路１３やデ
ータ線駆動回路１４と重畳して形成されている。層間絶
縁膜１６はその形成表面を平坦に形成するものである
が、最表面及び側面部は窒化珪素又は酸窒化珪素などで
形成する。
【００３０】画像表示部１２は、走査線駆動回路１３や
データ線駆動回路１４から延在する走査線とデータ線に
よりマトリクス態様が形成され、各所の適宜配列したス
イッチング素子群と、そのスイッチング素子群に電気的
に接続する有機発光素子群１７とから画素マトリクスが
形成されている。走査線駆動回路１３は画像表示部１２
の両側から駆動する構成となっているが、信号遅延が問
題にならない場合には片側一方のみとしても良い。
データ線駆動回路１４から延在する走査線とデータ線に
よりマトリクス態様が形成され、各所の適宜配列したス
イッチング素子群と、そのスイッチング素子群に電気的
に接続する有機発光素子群１７とから画素マトリクスが
形成されている。走査線駆動回路１３は画像表示部１２
の両側から駆動する構成となっているが、信号遅延が問
題にならない場合には片側一方のみとしても良い。
【００３１】多色表示を可能とする有機発光素子群１７
は白色発光の素子を全面一様に形成する。画像表示部に
対向するカラーフィルター１８は各画素に対応して所定
の着色層を配列したものであり、白色発光に対しては各
色の光を透過させる機能を持ち、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
（青）の各色を発光する有機発光素子に対してはその色
純度を高める機能を持っている。
は白色発光の素子を全面一様に形成する。画像表示部に
対向するカラーフィルター１８は各画素に対応して所定
の着色層を配列したものであり、白色発光に対しては各
色の光を透過させる機能を持ち、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
（青）の各色を発光する有機発光素子に対してはその色
純度を高める機能を持っている。
【００３２】素子基板１０の外周部分には、入力端子部
１５が形成され、外部回路から各種信号が入力され、ま
た電源と接続している。
１５が形成され、外部回路から各種信号が入力され、ま
た電源と接続している。
【００３３】また、素子基板１０及び対向基板１１とシ
ール材１９により囲まれた空間には不活性気体が充填さ
れ有機発光素子群１７の腐食を防いでいる。この空間に
は酸化バリウムなどの乾燥剤があっても良い。
ール材１９により囲まれた空間には不活性気体が充填さ
れ有機発光素子群１７の腐食を防いでいる。この空間に
は酸化バリウムなどの乾燥剤があっても良い。
【００３４】図２は素子基板１０の構成をより詳細に示
す上面図であり、画像表示部１２の２辺を囲む走査線駆
動回路１３と、他の１辺に隣接するデータ線駆動回路１
４、入力端子部１５の配置を示している。
す上面図であり、画像表示部１２の２辺を囲む走査線駆
動回路１３と、他の１辺に隣接するデータ線駆動回路１
４、入力端子部１５の配置を示している。
【００３５】画像表示部１２において示す区画化された
一画素分の領域２３はマトリクス状に配列され、便宜上
行配列方向と列配列方向とに区分して見ることができ
る。第１補助電極２０は列配列方向と平行な方向にスト
ライプ状に形成され、その両端部又は片端部は画像表示
部の外側に延在している。第１補助配線２０は一画素分
の領域２３とは重ならない位置に形成され開口率を損な
うことがないように配慮されている。第１補助電極２０
と電気的に接続する第２補助配線２１は行配列方向と平
行な方向に延在し、その両端部又は片端部において入力
端子部１５から延びる配線２２と電気的に接続してい
る。配線２２の電位は有機発光素子の駆動方法により一
定電位又は交番電位が印加されていても良い。
一画素分の領域２３はマトリクス状に配列され、便宜上
行配列方向と列配列方向とに区分して見ることができ
る。第１補助電極２０は列配列方向と平行な方向にスト
ライプ状に形成され、その両端部又は片端部は画像表示
部の外側に延在している。第１補助配線２０は一画素分
の領域２３とは重ならない位置に形成され開口率を損な
うことがないように配慮されている。第１補助電極２０
と電気的に接続する第２補助配線２１は行配列方向と平
行な方向に延在し、その両端部又は片端部において入力
端子部１５から延びる配線２２と電気的に接続してい
る。配線２２の電位は有機発光素子の駆動方法により一
定電位又は交番電位が印加されていても良い。
【００３６】図３はこの画像表示部１２、第１補助電極
２０、第２補助電極２１及び配線２２のより詳細な配設
関係を説明するものであり、各構成要素には図２と同じ
符号を付与している。第２補助配線２１と入力端子部か
ら延びる配線２２とは図示しない層間絶縁膜に形成され
るコンタクトホール２５を介して電気的に接続してい
る。また、一画素分の領域２３の列方向と平行方向に延
在する第１補助配線２０、行方向と平行な方向に延在す
る第２補助配線２１、入力端子から延びる配線２２の接
続関係は、Ａ−Ａ'線及びＢ−Ｂ'線に沿った縦断面図で
説明される。
２０、第２補助電極２１及び配線２２のより詳細な配設
関係を説明するものであり、各構成要素には図２と同じ
符号を付与している。第２補助配線２１と入力端子部か
ら延びる配線２２とは図示しない層間絶縁膜に形成され
るコンタクトホール２５を介して電気的に接続してい
る。また、一画素分の領域２３の列方向と平行方向に延
在する第１補助配線２０、行方向と平行な方向に延在す
る第２補助配線２１、入力端子から延びる配線２２の接
続関係は、Ａ−Ａ'線及びＢ−Ｂ'線に沿った縦断面図で
説明される。
【００３７】図４はＡ−Ａ'線に対応する縦断面図であ
り、第１補助配線２０は抵抗率の小さい導電性材料で形
成され、具体的には、アルミニウム、アルミニウムとチ
タン、スカンジウム、ニオブ、銅又はシリコンとの合
金、或いはチタン、窒化チタン、タンタル、タングステ
ン、モリブデンの単体又はこれらの合金で形成すること
ができる。特に、アルミニウムを含む材料が適している
が、耐熱性や耐腐食性を考慮するとその上下にチタンな
どの高融点金属層を形成しおくことが望ましい。第１補
助配線２０は、側面部にテーパー部を形成し、第２補助
配線の被覆性を確保している。これは厳密な意味で角度
を規定されるテーパー形状とする必要はなく、シャドー
マスクと組み合わせた蒸着又はスパッタリング法により
必然的に作り込まれても良いし、勿論エッチング加工時
に形成しても良い。
り、第１補助配線２０は抵抗率の小さい導電性材料で形
成され、具体的には、アルミニウム、アルミニウムとチ
タン、スカンジウム、ニオブ、銅又はシリコンとの合
金、或いはチタン、窒化チタン、タンタル、タングステ
ン、モリブデンの単体又はこれらの合金で形成すること
ができる。特に、アルミニウムを含む材料が適している
が、耐熱性や耐腐食性を考慮するとその上下にチタンな
どの高融点金属層を形成しおくことが望ましい。第１補
助配線２０は、側面部にテーパー部を形成し、第２補助
配線の被覆性を確保している。これは厳密な意味で角度
を規定されるテーパー形状とする必要はなく、シャドー
マスクと組み合わせた蒸着又はスパッタリング法により
必然的に作り込まれても良いし、勿論エッチング加工時
に形成しても良い。
【００３８】いずれにしても、この補助配線は抵抗率で
みて１×１０-5Ωcm以下の材料で形成することが望まし
く、補助配線１cm当たりの抵抗値は１００Ω以下とする
ことが望まれる。勿論、補助配線の抵抗値は、形成する
材質の他に線幅、厚さにより決まるものである。例え
ば、画素列間のピッチが２００μmで形成されるような
場合には、画素電極の幅が概略１２０μmであるとする
と、隔壁層上に形成される第１補助配線の幅は２０〜４
０μmが適当である。これを抵抗率４×１０-6Ωcmのア
ルミニウム合金を用い０．４μmの厚さで形成した場
合、線幅２０μmでは１cm当たり５０Ωとなる。
みて１×１０-5Ωcm以下の材料で形成することが望まし
く、補助配線１cm当たりの抵抗値は１００Ω以下とする
ことが望まれる。勿論、補助配線の抵抗値は、形成する
材質の他に線幅、厚さにより決まるものである。例え
ば、画素列間のピッチが２００μmで形成されるような
場合には、画素電極の幅が概略１２０μmであるとする
と、隔壁層上に形成される第１補助配線の幅は２０〜４
０μmが適当である。これを抵抗率４×１０-6Ωcmのア
ルミニウム合金を用い０．４μmの厚さで形成した場
合、線幅２０μmでは１cm当たり５０Ωとなる。
【００３９】即ち、補助配線の厚さは０．１〜５μm程
度で形成することが望ましく、０．１μmよりも薄い場
合は薄膜化の効果により１×１０-5Ωcm以下の抵抗率を
得ることが困難となり、厚くしすぎると対向基板を適当
な間隔で固着するのを困難にし、また視覚的にも外観上
の品質を損なうことになる。
度で形成することが望ましく、０．１μmよりも薄い場
合は薄膜化の効果により１×１０-5Ωcm以下の抵抗率を
得ることが困難となり、厚くしすぎると対向基板を適当
な間隔で固着するのを困難にし、また視覚的にも外観上
の品質を損なうことになる。
【００４０】第１補助配線２０と電気的に接続される第
２補助配線２１も同様な導電性材料で形成され、隔壁２
６に形成されたコンタクトホール２５において入力端子
から延びる配線２２と電気的な接触を形成している。隔
壁２６は無機絶縁材料又は有機絶縁材料のどちらを適用
しても良い。入力端子から延びる配線２２は無機絶縁材
料又は有機絶縁材料で形成される層間絶縁膜２７上に形
成される。
２補助配線２１も同様な導電性材料で形成され、隔壁２
６に形成されたコンタクトホール２５において入力端子
から延びる配線２２と電気的な接触を形成している。隔
壁２６は無機絶縁材料又は有機絶縁材料のどちらを適用
しても良い。入力端子から延びる配線２２は無機絶縁材
料又は有機絶縁材料で形成される層間絶縁膜２７上に形
成される。
【００４１】図５はＢ−Ｂ'線に対応する縦断面図であ
り、第１補助配線２０を形成した後、有機発光媒体３
０、第２電極２４を形成している。有機発光媒体３０は
高分子系有機化合物又は低分子系有機化合物のどちらを
適用しても良く、陽極側にある正孔注入輸送層、陰極側
にある電子注入輸送層、発光層等を適宜組み合わせた構
造である。正孔注入輸送層又は電子注入輸送層は、電極
からの正孔又は電子の注入効率と、輸送性（移動度）が
特に重要な特性として着目されるものであるが、さらに
発光層としての機能も兼ね備えた発光性電子注入輸送層
などを組み合わせても良い。
り、第１補助配線２０を形成した後、有機発光媒体３
０、第２電極２４を形成している。有機発光媒体３０は
高分子系有機化合物又は低分子系有機化合物のどちらを
適用しても良く、陽極側にある正孔注入輸送層、陰極側
にある電子注入輸送層、発光層等を適宜組み合わせた構
造である。正孔注入輸送層又は電子注入輸送層は、電極
からの正孔又は電子の注入効率と、輸送性（移動度）が
特に重要な特性として着目されるものであるが、さらに
発光層としての機能も兼ね備えた発光性電子注入輸送層
などを組み合わせても良い。
【００４２】これらの有機発光媒体又は各有機層は１種
又は複数種の有機材料によって形成されるが、有機発光
材料と電子注入輸送性材料及び又は正孔注入輸送材料と
の混合物や、当該混合物若しくは有機発光材料又は金属
錯体を分散させた高分子材料などで形成されていれば良
い。
又は複数種の有機材料によって形成されるが、有機発光
材料と電子注入輸送性材料及び又は正孔注入輸送材料と
の混合物や、当該混合物若しくは有機発光材料又は金属
錯体を分散させた高分子材料などで形成されていれば良
い。
【００４３】一画素分の領域２３は画素毎の個別電極で
ある第１電極２９、有機発光媒体３０、画像表示部の全
面に渡って形成される共通の第２電極３４が重畳した領
域であり、実質的にはこの領域が発光に寄与する。
ある第１電極２９、有機発光媒体３０、画像表示部の全
面に渡って形成される共通の第２電極３４が重畳した領
域であり、実質的にはこの領域が発光に寄与する。
【００４４】図４で示した入力端子から延びる配線２２
と第１電極２９は同じ絶縁表面、即ち層間絶縁膜２７上
に形成される。隔壁２６は、図示のように隣接する画素
の領域を分離するものであり、第１電極２９の周辺端部
を囲むことにより、有機発光素子の短絡不良を防いでい
る。また、隔壁２６は画像表示部にある走査線又はデー
タ線などの配線２８を覆い、その上に第１補助電極を重
畳させることで開口率の低下を防いでいるし、他に遮光
膜としての機能も兼ね備えている。これによりコントラ
スト比の低下を防ぐこともできる。
と第１電極２９は同じ絶縁表面、即ち層間絶縁膜２７上
に形成される。隔壁２６は、図示のように隣接する画素
の領域を分離するものであり、第１電極２９の周辺端部
を囲むことにより、有機発光素子の短絡不良を防いでい
る。また、隔壁２６は画像表示部にある走査線又はデー
タ線などの配線２８を覆い、その上に第１補助電極を重
畳させることで開口率の低下を防いでいるし、他に遮光
膜としての機能も兼ね備えている。これによりコントラ
スト比の低下を防ぐこともできる。
【００４５】本発明の発光装置の主要構成は、以上説明
した部位より構成されるものである。このような本発明
の発光装置は、後述する作製方法により得ることができ
る。本発明において、素子基板の対向面側に位置する第
２電極は透明導電膜で形成され、隔壁上に形成される補
助配線によって見かけ上に抵抗値を小さくすることがで
きる。即ち、補助配線の材質、線幅、厚さを適宜選択す
ることにより、透明電極の厚さを１００nm以下と薄くす
る場合においても、その見かけ上のシート抵抗を２０Ω
／□以下にすることができる。即ち、本発明の発光装置
は、素子基板と反対側の面（対向面側）を光の放射面と
する場合においても、高精細で明るい画像表示を可能と
するものである。
した部位より構成されるものである。このような本発明
の発光装置は、後述する作製方法により得ることができ
る。本発明において、素子基板の対向面側に位置する第
２電極は透明導電膜で形成され、隔壁上に形成される補
助配線によって見かけ上に抵抗値を小さくすることがで
きる。即ち、補助配線の材質、線幅、厚さを適宜選択す
ることにより、透明電極の厚さを１００nm以下と薄くす
る場合においても、その見かけ上のシート抵抗を２０Ω
／□以下にすることができる。即ち、本発明の発光装置
は、素子基板と反対側の面（対向面側）を光の放射面と
する場合においても、高精細で明るい画像表示を可能と
するものである。
【００４６】以下の説明においては、上記本発明の発光
装置の作製方法を、特に画像表示部の構成について図面
を参照しながら説明する。
装置の作製方法を、特に画像表示部の構成について図面
を参照しながら説明する。
【００４７】図６（Ａ）は素子基板の画像表示部におけ
る縦断面図を示し、基板１０１上にスイッチング素子と
して薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）２０１〜
２０３が形成された状態を示している。基板１０１上に
はＴＦＴの構成部材である半導体膜やゲート電極の他
に、基板側から第１絶縁膜１０２、第２絶縁膜１０３、
第３絶縁膜１０４、第４絶縁膜１０５、第５絶縁膜１０
６が形成されている。これらの機能的な表現は、第１絶
縁膜１０２はブロッキング層、第２絶縁膜１０３はゲー
ト絶縁膜、第３絶縁膜１０４はパッシベーション膜、第
４絶縁膜１０５は層間絶縁膜、第５絶縁膜１０６はブロ
ッキング層であり、有機材料で形成される層間絶縁膜の
脱ガスを防ぐ機能を持っている。
る縦断面図を示し、基板１０１上にスイッチング素子と
して薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）２０１〜
２０３が形成された状態を示している。基板１０１上に
はＴＦＴの構成部材である半導体膜やゲート電極の他
に、基板側から第１絶縁膜１０２、第２絶縁膜１０３、
第３絶縁膜１０４、第４絶縁膜１０５、第５絶縁膜１０
６が形成されている。これらの機能的な表現は、第１絶
縁膜１０２はブロッキング層、第２絶縁膜１０３はゲー
ト絶縁膜、第３絶縁膜１０４はパッシベーション膜、第
４絶縁膜１０５は層間絶縁膜、第５絶縁膜１０６はブロ
ッキング層であり、有機材料で形成される層間絶縁膜の
脱ガスを防ぐ機能を持っている。
【００４８】図６（Ｂ）は第２絶縁膜乃至第５絶縁膜を
貫通するコンタクトホール１０７を形成し、ＴＦＴ２０
１〜２０３の半導体膜表面を露出させた状態を示してい
る。
貫通するコンタクトホール１０７を形成し、ＴＦＴ２０
１〜２０３の半導体膜表面を露出させた状態を示してい
る。
【００４９】図７（Ａ）は、データ線１０８ａ、１０８
ｂ、有機発光素子の電源線１０９ａ〜１０９ｃ、第１電
極１１１ａ〜１１１ｃとＴＦＴ２０１〜２０３とを接続
する接続配線１１０ａ〜１１０ｃを形成した状態を示し
ている。また、この段階での画素の上面図を図１０に示
す。図１０では図７（Ａ）と同じ符号を用いて示してい
る。
ｂ、有機発光素子の電源線１０９ａ〜１０９ｃ、第１電
極１１１ａ〜１１１ｃとＴＦＴ２０１〜２０３とを接続
する接続配線１１０ａ〜１１０ｃを形成した状態を示し
ている。また、この段階での画素の上面図を図１０に示
す。図１０では図７（Ａ）と同じ符号を用いて示してい
る。
【００５０】図７（Ｃ）は第１電極及びこれらの配線を
覆う隔壁１１２を形成し、その上に第１補助配線１１３
ａ〜１１３ｃを形成した状態を示している。隔壁１１２
は第１電極１１１ａ〜１１１ｃの周辺端部を覆うように
すると共に、その側面部に３０〜７０度傾斜を持たせて
形成する。第１補助配線１１３ａ〜１１３ｃを形成す
る。第１補助配線は隔壁１１２を介してデータ線１０８
ａ、１０８ｂ、有機発光素子の電源線１０９ａ〜１０９
ｃなどと重畳するように形成する。このような構成とす
ることで画素領域の面積を損なうことなく、開口率を確
保することができる。
覆う隔壁１１２を形成し、その上に第１補助配線１１３
ａ〜１１３ｃを形成した状態を示している。隔壁１１２
は第１電極１１１ａ〜１１１ｃの周辺端部を覆うように
すると共に、その側面部に３０〜７０度傾斜を持たせて
形成する。第１補助配線１１３ａ〜１１３ｃを形成す
る。第１補助配線は隔壁１１２を介してデータ線１０８
ａ、１０８ｂ、有機発光素子の電源線１０９ａ〜１０９
ｃなどと重畳するように形成する。このような構成とす
ることで画素領域の面積を損なうことなく、開口率を確
保することができる。
【００５１】隔壁１１２の開口部は、非感光性有機材料
を用いる場合にはマスクを形成し、ドライエッチング法
により行う。感光性有機材料で形成する場合には、フォ
トマスクを用い露光及び現像処理を行う。この開口部
は、隔壁１１２が第１電極１１３と接する下側端部及び
上側端部に０．２〜３μmの曲率を持たせて形成する。
これにより、有機発光媒体の被覆性と熱ストレスによる
亀裂などの発生を抑制することができる。この段階での
画素の上面図を図１１に示す。図１１では図７（Ｂ）と
同じ符号を用いて示している。
を用いる場合にはマスクを形成し、ドライエッチング法
により行う。感光性有機材料で形成する場合には、フォ
トマスクを用い露光及び現像処理を行う。この開口部
は、隔壁１１２が第１電極１１３と接する下側端部及び
上側端部に０．２〜３μmの曲率を持たせて形成する。
これにより、有機発光媒体の被覆性と熱ストレスによる
亀裂などの発生を抑制することができる。この段階での
画素の上面図を図１１に示す。図１１では図７（Ｂ）と
同じ符号を用いて示している。
【００５２】隔壁層１１２を形成した後有機発光媒体の
形成を行う。図８で示される様に、第１電極１１１ａ〜
１１１ｃに対応して形成される有機発光媒体１１６ａ〜
１１６ｃは正孔注入輸送層、陰極側にある電子注入輸送
層、発光層等を適宜組み合わせた構造で形成するもので
あり、低分子系有機材料又は高分子系有機材料の両者を
適用することができる。この場合、少なくとも隔壁上の
第１補助配線に有機発光媒体が付着しないように形成す
ることが望ましい。そのために、図８で示す如くシャド
ーマスク１１４を用いる。低分子系有機材料から成る各
層は真空蒸着法で形成することが可能であり、高分子系
有機化合物材料を用いる場合にはスプレー法や散布法で
形成することができる。
形成を行う。図８で示される様に、第１電極１１１ａ〜
１１１ｃに対応して形成される有機発光媒体１１６ａ〜
１１６ｃは正孔注入輸送層、陰極側にある電子注入輸送
層、発光層等を適宜組み合わせた構造で形成するもので
あり、低分子系有機材料又は高分子系有機材料の両者を
適用することができる。この場合、少なくとも隔壁上の
第１補助配線に有機発光媒体が付着しないように形成す
ることが望ましい。そのために、図８で示す如くシャド
ーマスク１１４を用いる。低分子系有機材料から成る各
層は真空蒸着法で形成することが可能であり、高分子系
有機化合物材料を用いる場合にはスプレー法や散布法で
形成することができる。
【００５３】いずれにしても、全ての画素の有機発光媒
体を同じ積層構造で形成することにより、当該被膜を形
成する場合において、シャドーマスクを各画素の第１電
極に対応して順次移動せしめるといった高いマスク合わ
せ精度が要求される煩雑な作業が不要となり、生産性を
飛躍的に向上させることができる。また、隔壁や形成さ
れた有機発光媒体の層に損傷を与える心配がなく、製造
歩留まりが格段に向上する。
体を同じ積層構造で形成することにより、当該被膜を形
成する場合において、シャドーマスクを各画素の第１電
極に対応して順次移動せしめるといった高いマスク合わ
せ精度が要求される煩雑な作業が不要となり、生産性を
飛躍的に向上させることができる。また、隔壁や形成さ
れた有機発光媒体の層に損傷を与える心配がなく、製造
歩留まりが格段に向上する。
【００５４】こうして有機発光媒体を形成した後、図９
に示すように第２電極１１７を第１補助配線１１３ａ〜
１１３ｃに接して形成する。第２電極１１７は透明導電
膜で形成する。透明導電膜の厚さは３０〜２００nm程度
の厚さで形成されるものであるが、導波光として損失し
てしまう割合を低減するには３０〜４０nm程度の厚さと
することが望ましい。勿論、この程度の厚さにおいて、
透明導電膜のシート抵抗は１００Ω／□以上になるが、
第１補助配線により見かけ上のシート抵抗は２０Ω／□
以下とすることができる。即ち、このような電極構成と
することにより、有機発光媒質の光を有効に取り出すこ
とが可能となり、しかも電力損失を補い低消費電力化を
図ると共に、画像表示部面内の輝度の均一性を高めるこ
とができる。
に示すように第２電極１１７を第１補助配線１１３ａ〜
１１３ｃに接して形成する。第２電極１１７は透明導電
膜で形成する。透明導電膜の厚さは３０〜２００nm程度
の厚さで形成されるものであるが、導波光として損失し
てしまう割合を低減するには３０〜４０nm程度の厚さと
することが望ましい。勿論、この程度の厚さにおいて、
透明導電膜のシート抵抗は１００Ω／□以上になるが、
第１補助配線により見かけ上のシート抵抗は２０Ω／□
以下とすることができる。即ち、このような電極構成と
することにより、有機発光媒質の光を有効に取り出すこ
とが可能となり、しかも電力損失を補い低消費電力化を
図ると共に、画像表示部面内の輝度の均一性を高めるこ
とができる。
【００５５】対向基板１１８にはカラーフィルターが設
けられ、各画素に対応して着色層１１９ｒ、１１９ｇ、
１１９ｂと保護膜１２０が形成されている。有機発光媒
体で発光した白色光は、この着色層を透過することによ
り、特定の波長の光、視覚的には特定の色光が映像信号
に基づいて発色し、多色表示を可能としている。
けられ、各画素に対応して着色層１１９ｒ、１１９ｇ、
１１９ｂと保護膜１２０が形成されている。有機発光媒
体で発光した白色光は、この着色層を透過することによ
り、特定の波長の光、視覚的には特定の色光が映像信号
に基づいて発色し、多色表示を可能としている。
【００５６】白色発光を得る方法は、図１５（Ａ）のよ
うに光の３原色であるＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の各色
を発光する発光層を積層して加法混色する方式と、図１
５（Ｂ）のように２色の補色の関係を利用する方式とが
ある。補色を用いる場合には、青−黄色又は青緑−橙色
の組み合わせが知られている。特に、後者の方が比較的
視感度の高い波長領域の発光を利用できる点で有利であ
ると考えられている。
うに光の３原色であるＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の各色
を発光する発光層を積層して加法混色する方式と、図１
５（Ｂ）のように２色の補色の関係を利用する方式とが
ある。補色を用いる場合には、青−黄色又は青緑−橙色
の組み合わせが知られている。特に、後者の方が比較的
視感度の高い波長領域の発光を利用できる点で有利であ
ると考えられている。
【００５７】図１２はこのような原理を用いた有機発光
媒体の構成の一例を示しており、いずれも本発明に適用
することができるものである。図１２（Ａ）は低分子系
有機発光媒体を用いる一例であり、第１電極（陰極）２
０１上に電子注入輸送層２０３、赤色発光層２０４、緑
色発光層２０５、正孔輸送層２０６、青色発光層２０
７、第２電極２０２が積層された構造である。具体的に
は、正孔輸送層２０６として1,2,4-トリアゾール誘導体
（ｐ−ＥｔＴＡＺ）を適用し３nmにすると、ｐ−ＥｔＴ
ＡＺ層中の正孔通過量が増えて緑色発光層２０５として
用いるトリス（８−キノリラト）アルミニウム（Ａｌｑ
3）にも正孔が注入されて発光が得られる。この構造に
おいては青色発光層２０７としてＴＰＤの青色にＡｌｑ
3の緑色が混ざった青緑色の発光が得られる。この発光
に赤色を加え白色発光を実現するには赤色発光層２０４
としてＡｌｑ3かＴＰＤのどちらかに赤色発光色素をド
ープすれば良い。赤色発光色素としてはナイルレッドな
どを適用することができる。
媒体の構成の一例を示しており、いずれも本発明に適用
することができるものである。図１２（Ａ）は低分子系
有機発光媒体を用いる一例であり、第１電極（陰極）２
０１上に電子注入輸送層２０３、赤色発光層２０４、緑
色発光層２０５、正孔輸送層２０６、青色発光層２０
７、第２電極２０２が積層された構造である。具体的に
は、正孔輸送層２０６として1,2,4-トリアゾール誘導体
（ｐ−ＥｔＴＡＺ）を適用し３nmにすると、ｐ−ＥｔＴ
ＡＺ層中の正孔通過量が増えて緑色発光層２０５として
用いるトリス（８−キノリラト）アルミニウム（Ａｌｑ
3）にも正孔が注入されて発光が得られる。この構造に
おいては青色発光層２０７としてＴＰＤの青色にＡｌｑ
3の緑色が混ざった青緑色の発光が得られる。この発光
に赤色を加え白色発光を実現するには赤色発光層２０４
としてＡｌｑ3かＴＰＤのどちらかに赤色発光色素をド
ープすれば良い。赤色発光色素としてはナイルレッドな
どを適用することができる。
【００５８】また、他の構成として、第１電極（陰極）
２０１側から、電子注入輸送層２０３、電子輸送層２０
４、発光層２０５、正孔輸送層２０６、正孔注入輸送層
２０７、第２電極（陽極）２０２とすることもできる。
この場合適した材料の組み合わせは、電子注入輸送層２
０３としてＡｌｑ3を１５nmの厚さで、電子輸送層２０
４としてフェニルアントラセン誘導体を２０nmの厚さで
形成する。発光層２０５は、テトラアリールベンジジン
誘導体とフェニルアントラセン誘導体とが体積比１：３
で混合し、且つスチリルアミン誘導体を３体積％含ませ
る２５nmの第１発光層と、テトラアリールベンジジン誘
導体と10,10'−ビス[2-ビフェニルイル]−9,9'−ビアン
スリル（フェニルアントラセン誘導体）とを体積比１：
３で混合し、且つナフタセン誘導体を３重量％含ませる
４０nmの第２発光層とを積層させた構成とする。正孔輸
送層２０６はN,N,N',N'−テトラキス−（3-ビフェニル-
1-イル）ベンジジン（テトラアリールベンジジン誘導
体）を２０nmの厚さに形成し、正孔注入層としてN,N'−
ジフェニル-N,N'−ビス[N-フェニル-N-4-トリル（4-ア
ミノフェニル）]ベンジジンを３０nmの厚さに形成す
る。
２０１側から、電子注入輸送層２０３、電子輸送層２０
４、発光層２０５、正孔輸送層２０６、正孔注入輸送層
２０７、第２電極（陽極）２０２とすることもできる。
この場合適した材料の組み合わせは、電子注入輸送層２
０３としてＡｌｑ3を１５nmの厚さで、電子輸送層２０
４としてフェニルアントラセン誘導体を２０nmの厚さで
形成する。発光層２０５は、テトラアリールベンジジン
誘導体とフェニルアントラセン誘導体とが体積比１：３
で混合し、且つスチリルアミン誘導体を３体積％含ませ
る２５nmの第１発光層と、テトラアリールベンジジン誘
導体と10,10'−ビス[2-ビフェニルイル]−9,9'−ビアン
スリル（フェニルアントラセン誘導体）とを体積比１：
３で混合し、且つナフタセン誘導体を３重量％含ませる
４０nmの第２発光層とを積層させた構成とする。正孔輸
送層２０６はN,N,N',N'−テトラキス−（3-ビフェニル-
1-イル）ベンジジン（テトラアリールベンジジン誘導
体）を２０nmの厚さに形成し、正孔注入層としてN,N'−
ジフェニル-N,N'−ビス[N-フェニル-N-4-トリル（4-ア
ミノフェニル）]ベンジジンを３０nmの厚さに形成す
る。
【００５９】図１２（Ｂ）は第１電極（陰極）２０１上
に電子注入輸送層２０３として電子輸送性の高いＡｌｑ
3を用い、その上に高分子系有機発光媒体２０８、２０
９を用いる一例であり、２０nm程度のＴＡＺ及びＰＶＫ
（ポリ（N-ビニルカルバゾール））を形成した３層構造
とするものである。注入された電子及び正孔の再結合は
ＰＶＫで起こり、短波長にピークを持つカルバゾール基
が励起され発光する。これに長波長光の発光を加えるた
めに適当な色素をドープすると白色発光を得ることがで
きる。例えば、1,1,4,4-テトラフェニル-1,3-ブタジエ
ニン（ＴＰＢ）を２〜３mol%ドープすることにより４５
０nmの発光が得られ、緑や赤もクマリン６やＤＣＭ１を
ドープすることにより得ることができる。いずれにして
も白色発光を得るには多種の色素をＰＶＫ中にドープし
て可視光域全体をカバーすれば良い。
に電子注入輸送層２０３として電子輸送性の高いＡｌｑ
3を用い、その上に高分子系有機発光媒体２０８、２０
９を用いる一例であり、２０nm程度のＴＡＺ及びＰＶＫ
（ポリ（N-ビニルカルバゾール））を形成した３層構造
とするものである。注入された電子及び正孔の再結合は
ＰＶＫで起こり、短波長にピークを持つカルバゾール基
が励起され発光する。これに長波長光の発光を加えるた
めに適当な色素をドープすると白色発光を得ることがで
きる。例えば、1,1,4,4-テトラフェニル-1,3-ブタジエ
ニン（ＴＰＢ）を２〜３mol%ドープすることにより４５
０nmの発光が得られ、緑や赤もクマリン６やＤＣＭ１を
ドープすることにより得ることができる。いずれにして
も白色発光を得るには多種の色素をＰＶＫ中にドープし
て可視光域全体をカバーすれば良い。
【００６０】この構造において、電子注入輸送層２０３
を無機電子注入輸送層を用いても良い。無機電子輸送層
としてはｎ型化したダイヤモンドライクカーボン（ＤＬ
Ｃ）を適用することができる。ＤＬＣ膜のｎ型化には燐
などを適宜ドープすれば良い。その他に、アルカリ金属
元素、アルカリ土類金属元素、及びランタノイド系元素
から選択される一種の酸化物と、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒ
ｕ、Ｓｍ、Ｉｎから選択される１種以上の無機材料を適
用することができる。
を無機電子注入輸送層を用いても良い。無機電子輸送層
としてはｎ型化したダイヤモンドライクカーボン（ＤＬ
Ｃ）を適用することができる。ＤＬＣ膜のｎ型化には燐
などを適宜ドープすれば良い。その他に、アルカリ金属
元素、アルカリ土類金属元素、及びランタノイド系元素
から選択される一種の酸化物と、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒ
ｕ、Ｓｍ、Ｉｎから選択される１種以上の無機材料を適
用することができる。
【００６１】図１２（Ｃ）は第１電極（陰極）２０１上
に電子及び正孔の両キャリアの輸送性を備えたバイポオ
ーラ性の高分子系発光媒体２１１を用いた例であり、こ
こに多種の色素を分散させることにより白色発光を得る
ことができる。バイポオーラ性の高分子系発光媒体２１
１としては、ホール輸送性のＰＶＫに電子輸送性のＰＢ
Ｄを分散する方法や、電気的に不活性な高分子中に電子
輸送性のＡｌｑとホール輸送性の芳香族アミンを分子分
散する方法などがある。
に電子及び正孔の両キャリアの輸送性を備えたバイポオ
ーラ性の高分子系発光媒体２１１を用いた例であり、こ
こに多種の色素を分散させることにより白色発光を得る
ことができる。バイポオーラ性の高分子系発光媒体２１
１としては、ホール輸送性のＰＶＫに電子輸送性のＰＢ
Ｄを分散する方法や、電気的に不活性な高分子中に電子
輸送性のＡｌｑとホール輸送性の芳香族アミンを分子分
散する方法などがある。
【００６２】図１２（Ｄ）は4,4'-ビス-[N-(ナフチル)-
N-フェニル-アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）のみから
成る正孔注入輸送層２１２を形成し、その上にα−ＮＰ
Ｄと電子輸送性材料であるＢＡｌｑを混合させた発光層
２１３を形成し、その上にＢＡｌｑのみから成る電子注
入輸送層２１４を形成した構成である。この発光層は青
色の発光をするので、第２の発光材料として黄色蛍光色
素２１５であるルブレンを添加した領域を形成する。こ
れにより白色発光を得ることができる。
N-フェニル-アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）のみから
成る正孔注入輸送層２１２を形成し、その上にα−ＮＰ
Ｄと電子輸送性材料であるＢＡｌｑを混合させた発光層
２１３を形成し、その上にＢＡｌｑのみから成る電子注
入輸送層２１４を形成した構成である。この発光層は青
色の発光をするので、第２の発光材料として黄色蛍光色
素２１５であるルブレンを添加した領域を形成する。こ
れにより白色発光を得ることができる。
【００６３】いずれにしても、視覚的に自然な白色発光
を実現し、より高品質な多色表示をしようとする場合に
は、各色に発光する有機発光素子とカラーフィルターの
組み合わせを最適化して色バランスを考慮する必要があ
る。また、発光輝度が経時変化する場合に対応して駆動
回路側で便宜を図る必要がある。
を実現し、より高品質な多色表示をしようとする場合に
は、各色に発光する有機発光素子とカラーフィルターの
組み合わせを最適化して色バランスを考慮する必要があ
る。また、発光輝度が経時変化する場合に対応して駆動
回路側で便宜を図る必要がある。
【００６４】２色の補色の関係を利用する方式では、青
−黄色又は青緑−橙色の組み合わせが通常適用されるの
で、それぞれに色の光を発光する有機発光素子が経時変
化により劣化することにより色バランスが崩れるといっ
た問題点がある。また、それぞれの有機発光素子の発光
効率が違うので、同じ駆動電圧又は駆動電流を印加する
のでは色バランスが崩れるといった問題点がある。
−黄色又は青緑−橙色の組み合わせが通常適用されるの
で、それぞれに色の光を発光する有機発光素子が経時変
化により劣化することにより色バランスが崩れるといっ
た問題点がある。また、それぞれの有機発光素子の発光
効率が違うので、同じ駆動電圧又は駆動電流を印加する
のでは色バランスが崩れるといった問題点がある。
【００６５】通常はカラーフィルターの着色層の厚さを
変えて透過光量を制御したり、画素の面積を変えて光量
を制御したりする方法がある。しかし、着色層の厚さを
変える場合には数μmの割合でその厚さを変える必要が
あり、対向基板として固着する場合に平坦化膜を厚くす
るかシール材の厚さを厚くする必要があり、封止構造に
おける信頼性を損なう可能性がある。また、画素の面積
を変える場合には、ＴＦＴの配置やサイズに制限があ
り、面積を有効に活用できないという弊害がある。
変えて透過光量を制御したり、画素の面積を変えて光量
を制御したりする方法がある。しかし、着色層の厚さを
変える場合には数μmの割合でその厚さを変える必要が
あり、対向基板として固着する場合に平坦化膜を厚くす
るかシール材の厚さを厚くする必要があり、封止構造に
おける信頼性を損なう可能性がある。また、画素の面積
を変える場合には、ＴＦＴの配置やサイズに制限があ
り、面積を有効に活用できないという弊害がある。
【００６６】図１４に示す画素構造は、図１０で説明し
た構造と同じ構成であるが、その差異は赤、緑、青の各
画素を形成するＴＦＴ２０１〜２０３のチャネル幅を異
ならせている点である。即ち、チャネル幅を異ならせる
ことにより、各色の画素を形成する有機発光素子に流れ
る電流を異ならせ、色バランスを制御するものである。
例えば、青色画素のＴＦＴ２０３はチャネル幅を狭くし
て電流量を減らし、図１５（Ｂ）で示すように２色のピ
ークの谷である緑画素のＴＦＴ２０２はチャネル幅を広
くして電流量を増やすものである。このように画素回路
により発光輝度を制御することにより色バランスを整え
ることができる。さらに、映像信号のダイナミックレン
ジを広く使うことができる。
た構造と同じ構成であるが、その差異は赤、緑、青の各
画素を形成するＴＦＴ２０１〜２０３のチャネル幅を異
ならせている点である。即ち、チャネル幅を異ならせる
ことにより、各色の画素を形成する有機発光素子に流れ
る電流を異ならせ、色バランスを制御するものである。
例えば、青色画素のＴＦＴ２０３はチャネル幅を狭くし
て電流量を減らし、図１５（Ｂ）で示すように２色のピ
ークの谷である緑画素のＴＦＴ２０２はチャネル幅を広
くして電流量を増やすものである。このように画素回路
により発光輝度を制御することにより色バランスを整え
ることができる。さらに、映像信号のダイナミックレン
ジを広く使うことができる。
【００６７】次いで、上記の如く構成を有する発光装置
を作製するための製造装置の一例を図１３に示す。ここ
で示す装置は、有機発光媒体の形成、陰極の形成、保護
膜及びパッシベーション膜の形成、プラズマ処理、封止
までを連続的に大気に触れさせることなく行うことがで
きる。
を作製するための製造装置の一例を図１３に示す。ここ
で示す装置は、有機発光媒体の形成、陰極の形成、保護
膜及びパッシベーション膜の形成、プラズマ処理、封止
までを連続的に大気に触れさせることなく行うことがで
きる。
【００６８】図１３において、１００ａ〜１００ｋ、１
００ｍ〜１００ｕはゲート、１０１、１１９は受渡室、
１０２、１０４ａ、１０７、１０８、１１１、１１４は
搬送室、１０５、１０６Ｒ、１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０
９、１１０、１１２、１１３は成膜室、１０３は前処理
室、１１７ａ、１１７ｂは封止基板ロード室、１１５は
ディスペンサ室、１１６は封止室、１１８は紫外線照射
室、１２０は基板反転室である。
００ｍ〜１００ｕはゲート、１０１、１１９は受渡室、
１０２、１０４ａ、１０７、１０８、１１１、１１４は
搬送室、１０５、１０６Ｒ、１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０
９、１１０、１１２、１１３は成膜室、１０３は前処理
室、１１７ａ、１１７ｂは封止基板ロード室、１１５は
ディスペンサ室、１１６は封止室、１１８は紫外線照射
室、１２０は基板反転室である。
【００６９】以下、予めＴＦＴ、第１電極、隔壁層及び
隔壁層上の第１補助配線が形成された状態の基板を図１
３に示す製造装置に搬入し発光装置を完成させる手順を
示す。
隔壁層上の第１補助配線が形成された状態の基板を図１
３に示す製造装置に搬入し発光装置を完成させる手順を
示す。
【００７０】最初に、受渡室３０１にＴＦＴ及び陰極が
設けられた基板をセットする。次いで受渡室３０１に連
結された搬送室３０２に搬送する。予め、搬送室内には
極力水分や酸素が存在しないよう、真空排気した後、不
活性ガスを導入して大気圧にしておくことが好ましい。
設けられた基板をセットする。次いで受渡室３０１に連
結された搬送室３０２に搬送する。予め、搬送室内には
極力水分や酸素が存在しないよう、真空排気した後、不
活性ガスを導入して大気圧にしておくことが好ましい。
【００７１】搬送室３０２には、搬送室内を真空にする
真空排気処理室と連結されている。真空排気処理室とし
ては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポン
プ、またはドライポンプが備えられている。これにより
搬送室の到達真空度を１０-5〜１０-6Paにすることが可
能であり、さらにポンプ側および排気系からの不純物の
逆拡散を制御することができる。装置内部に不純物が導
入されるのを防ぐため、導入するガスとしては、窒素や
希ガス等の不活性ガスを用いる。装置内部に導入される
これらのガスは、装置内に導入される前にガス精製機に
より高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純
度化された後に成膜装置に導入されるようにガス精製機
を備えておく必要がある。これにより、ガス中に含まれ
る酸素や水、その他の不純物を予め除去することができ
るため、装置内部にこれらの不純物が導入されるのを防
ぐことができる。
真空排気処理室と連結されている。真空排気処理室とし
ては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポン
プ、またはドライポンプが備えられている。これにより
搬送室の到達真空度を１０-5〜１０-6Paにすることが可
能であり、さらにポンプ側および排気系からの不純物の
逆拡散を制御することができる。装置内部に不純物が導
入されるのを防ぐため、導入するガスとしては、窒素や
希ガス等の不活性ガスを用いる。装置内部に導入される
これらのガスは、装置内に導入される前にガス精製機に
より高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純
度化された後に成膜装置に導入されるようにガス精製機
を備えておく必要がある。これにより、ガス中に含まれ
る酸素や水、その他の不純物を予め除去することができ
るため、装置内部にこれらの不純物が導入されるのを防
ぐことができる。
【００７２】また、基板に含まれる水分やその他のガス
を除去するために、脱気のためのアニールを真空中で行
うことが好ましく、搬送室３０２に連結された前処理室
３０３に搬送し、そこでアニールを行えばよい。さら
に、電極の表面をクリーニングする必要があれば、搬送
室３０２に連結された前処理室３０３に搬送し、そこで
クリーニングを行えばよい。
を除去するために、脱気のためのアニールを真空中で行
うことが好ましく、搬送室３０２に連結された前処理室
３０３に搬送し、そこでアニールを行えばよい。さら
に、電極の表面をクリーニングする必要があれば、搬送
室３０２に連結された前処理室３０３に搬送し、そこで
クリーニングを行えばよい。
【００７３】電極上に形成する電子注入輸送層、発光
層、正孔注入輸送層などにおいて、低分子系有機発光媒
体を用いる場合には、各層毎に分離成膜を行う目的で成
膜室３０６ａ〜３０６ｄを用いれば良い。また、高分子
系有機発光媒体で正孔注入輸送層や発光層を形成する場
合にはスピン塗布法、スプレー法、インクジェット法な
どで成膜を行う成膜室３０５を適用する。正孔注入輸送
層としてポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ
（スチレンスルホン酸）水溶液（ＲＥＤＯＴ／ＰＳＳ）
を全面に形成してもよい。また、図１２（Ｃ）で示した
ようにバイポオーラ性の高分子系発光媒体を形成しても
良い。また、無機電子輸送層としてＤＬＣ膜を形成する
には、プラズマＣＶＤ法で成膜を行う成膜室３１３を用
いる。成膜室３０５と搬送室３０２との間に設けられた
基板反転室３２０で基板を適宜反転させる。また、水溶
液を用いた成膜を行った後は、前処理室３０３に搬送
し、そこで真空中での加熱処理を行って水分を気化させ
ることが好ましい。
層、正孔注入輸送層などにおいて、低分子系有機発光媒
体を用いる場合には、各層毎に分離成膜を行う目的で成
膜室３０６ａ〜３０６ｄを用いれば良い。また、高分子
系有機発光媒体で正孔注入輸送層や発光層を形成する場
合にはスピン塗布法、スプレー法、インクジェット法な
どで成膜を行う成膜室３０５を適用する。正孔注入輸送
層としてポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ
（スチレンスルホン酸）水溶液（ＲＥＤＯＴ／ＰＳＳ）
を全面に形成してもよい。また、図１２（Ｃ）で示した
ようにバイポオーラ性の高分子系発光媒体を形成しても
良い。また、無機電子輸送層としてＤＬＣ膜を形成する
には、プラズマＣＶＤ法で成膜を行う成膜室３１３を用
いる。成膜室３０５と搬送室３０２との間に設けられた
基板反転室３２０で基板を適宜反転させる。また、水溶
液を用いた成膜を行った後は、前処理室３０３に搬送
し、そこで真空中での加熱処理を行って水分を気化させ
ることが好ましい。
【００７４】第１電極上に所望の有機発光媒体を形成し
た後、大気に触れさせることなく、搬送室３０４から搬
送室３０７に基板を搬送した後、さらに、大気に触れさ
せることなく、搬送室３０７から搬送室３０８に基板を
搬送する。
た後、大気に触れさせることなく、搬送室３０４から搬
送室３０７に基板を搬送した後、さらに、大気に触れさ
せることなく、搬送室３０７から搬送室３０８に基板を
搬送する。
【００７５】この段階で、基板をプラズマ処理室に搬送
し、水素又はハロゲン元素を含む非堆積性の気体を導入
し、プラズマ処理を行って有機発光媒体に水素又はハロ
ゲンを添加しても良い。
し、水素又はハロゲン元素を含む非堆積性の気体を導入
し、プラズマ処理を行って有機発光媒体に水素又はハロ
ゲンを添加しても良い。
【００７６】陽極の形成は、搬送室３０８内に設置され
ている搬送機構によって、成膜室３１０に搬送し、有機
発光媒体上に薄い金属層を形成した後、成膜室３０９に
搬送して透光性導電膜を形成し、薄い金属層と透光性導
電膜との積層からなる陽極を適宜形成する。ここでは、
成膜室３１０は、ＭｇとＡｇを蒸着源に備えた蒸着装置
とし、成膜室３０９は、透明導電材料からなるターゲッ
トを少なくとも有しているスパッタ装置とする。
ている搬送機構によって、成膜室３１０に搬送し、有機
発光媒体上に薄い金属層を形成した後、成膜室３０９に
搬送して透光性導電膜を形成し、薄い金属層と透光性導
電膜との積層からなる陽極を適宜形成する。ここでは、
成膜室３１０は、ＭｇとＡｇを蒸着源に備えた蒸着装置
とし、成膜室３０９は、透明導電材料からなるターゲッ
トを少なくとも有しているスパッタ装置とする。
【００７７】有機発光媒体上に形成する第２電極として
酸化インジウム・スズを形成するにはシャドーマスクを
用い、画像表示部の全面に形成する。さらに第２補助電
極としてシャドーマスクを用い、成膜室３１０でアルミ
ニウム膜の形成を行う。
酸化インジウム・スズを形成するにはシャドーマスクを
用い、画像表示部の全面に形成する。さらに第２補助電
極としてシャドーマスクを用い、成膜室３１０でアルミ
ニウム膜の形成を行う。
【００７８】搬送室３０８内に設置されている搬送機構
によって、成膜室３１３に搬送し、有機発光媒体及び配
線が耐えうる温度範囲で水素を含むパッシベーション膜
を形成する。ここでは成膜室３１３にプラズマＣＶＤ装
置を備え、成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化
水素系のガス（例えばＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ6Ｈ6など）と
を用いて水素を含むＤＬＣ膜を形成する。なお、水素ラ
ジカルが発生する手段を備えていれば特に限定されず、
上記水素を含むＤＬＣ膜の成膜の際、プラズマ化された
水素によって有機発光媒体における欠陥を水素で終端さ
せる。
によって、成膜室３１３に搬送し、有機発光媒体及び配
線が耐えうる温度範囲で水素を含むパッシベーション膜
を形成する。ここでは成膜室３１３にプラズマＣＶＤ装
置を備え、成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化
水素系のガス（例えばＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ6Ｈ6など）と
を用いて水素を含むＤＬＣ膜を形成する。なお、水素ラ
ジカルが発生する手段を備えていれば特に限定されず、
上記水素を含むＤＬＣ膜の成膜の際、プラズマ化された
水素によって有機発光媒体における欠陥を水素で終端さ
せる。
【００７９】次いで、大気に触れさせることなく、搬送
室１０８から成膜室３０９に搬送して水素又はハロゲン
を含む保護膜上にパッシベーションを形成する。ここで
は、成膜室３０９内に、珪素からなるターゲットまたは
窒化珪素からなるターゲットを備えたスパッタ装置とす
る。成膜室雰囲気を窒素雰囲気または窒素とアルゴンを
含む雰囲気とすることによって窒化シリコン膜を形成す
ることができる。
室１０８から成膜室３０９に搬送して水素又はハロゲン
を含む保護膜上にパッシベーションを形成する。ここで
は、成膜室３０９内に、珪素からなるターゲットまたは
窒化珪素からなるターゲットを備えたスパッタ装置とす
る。成膜室雰囲気を窒素雰囲気または窒素とアルゴンを
含む雰囲気とすることによって窒化シリコン膜を形成す
ることができる。
【００８０】以上の工程で基板上にパッシベーション膜
で有機発光素子を覆うことができる。
で有機発光素子を覆うことができる。
【００８１】次いで、有機発光素子が形成された基板を
大気に触れさせることなく、搬送室３０８から搬送室３
１１に搬送し、さらに搬送室３１１から搬送室３１４に
搬送する。有機発光素子が形成された基板を搬送室３１
４から封止室３１６に搬送する。なお、封止室３１６に
は、シール材が設けられた封止基板を用意しておくこと
が好ましい。
大気に触れさせることなく、搬送室３０８から搬送室３
１１に搬送し、さらに搬送室３１１から搬送室３１４に
搬送する。有機発光素子が形成された基板を搬送室３１
４から封止室３１６に搬送する。なお、封止室３１６に
は、シール材が設けられた封止基板を用意しておくこと
が好ましい。
【００８２】封止材は、封止材ロード室３１７ａ、３１
７ｂに外部からセットされる。なお、水分などの不純物
を除去するために予め真空中でアニール、例えば、封止
材ロード室３１７ａ、３１７ｂ内でアニールを行うこと
が好ましい。そして、封止基板にシール材を形成する場
合には、搬送室３０８を大気圧とした後、封止基板を封
止基板ロード室からディスペンサ室３１５に搬送して、
発光素子が設けられた基板と貼り合わせるためのシール
材を形成し、シール材を形成した封止材を封止室３１６
に搬送する。
７ｂに外部からセットされる。なお、水分などの不純物
を除去するために予め真空中でアニール、例えば、封止
材ロード室３１７ａ、３１７ｂ内でアニールを行うこと
が好ましい。そして、封止基板にシール材を形成する場
合には、搬送室３０８を大気圧とした後、封止基板を封
止基板ロード室からディスペンサ室３１５に搬送して、
発光素子が設けられた基板と貼り合わせるためのシール
材を形成し、シール材を形成した封止材を封止室３１６
に搬送する。
【００８３】次いで、有機発光素子が設けられた基板を
脱気するため、真空または不活性雰囲気中でアニールを
行った後、シール材が設けられた封止基板と、有機発光
素子が形成された基板とを貼り合わせる。また、密閉さ
れた空間には窒素又はヘリウムなどの不活性気体、又は
当該不活性気体と水素又はアンモニアを混合させた気体
を充填させる。尚、ここでは、封止基板にシール材を形
成した例を示したが、特に限定されず、発光素子が形成
された基板にシール材を形成してもよい。
脱気するため、真空または不活性雰囲気中でアニールを
行った後、シール材が設けられた封止基板と、有機発光
素子が形成された基板とを貼り合わせる。また、密閉さ
れた空間には窒素又はヘリウムなどの不活性気体、又は
当該不活性気体と水素又はアンモニアを混合させた気体
を充填させる。尚、ここでは、封止基板にシール材を形
成した例を示したが、特に限定されず、発光素子が形成
された基板にシール材を形成してもよい。
【００８４】次いで、貼り合わせた一対の基板を搬送室
３１４から紫外線照射室３１８に搬送する。次いで、紫
外線照射室３１８でＵＶ光を照射してシール材を硬化さ
せる。なお、ここではシール材として紫外線硬化樹脂を
用いたが、接着材であれば、特に限定されない。次い
で、搬送室３１４から受渡室３１９に搬送して取り出
す。
３１４から紫外線照射室３１８に搬送する。次いで、紫
外線照射室３１８でＵＶ光を照射してシール材を硬化さ
せる。なお、ここではシール材として紫外線硬化樹脂を
用いたが、接着材であれば、特に限定されない。次い
で、搬送室３１４から受渡室３１９に搬送して取り出
す。
【００８５】以上のように、図１３に示した製造装置を
用いることで完全に発光素子を密閉空間に封入するまで
外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製
することが可能となる。なお、搬送室３０２、３１４に
おいては、真空と大気圧とを繰り返すが、搬送室３０４
ａ、３０８は常時、真空が保たれる。尚、インライン方
式の成膜装置とすることも可能である。
用いることで完全に発光素子を密閉空間に封入するまで
外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製
することが可能となる。なお、搬送室３０２、３１４に
おいては、真空と大気圧とを繰り返すが、搬送室３０４
ａ、３０８は常時、真空が保たれる。尚、インライン方
式の成膜装置とすることも可能である。
【００８６】以上のようにして、有機発光素子を封止し
て発光装置を形成することができる。この後、さらに好
ましくは安定化処理を行い、水素又はハロゲンを有機発
光媒体中に拡散させても良い。有機発光媒体に供給され
る水素又はハロゲンは、活性な未結合手のあるところに
拡散し、その結合を終端することで不活性にすることが
できる。
て発光装置を形成することができる。この後、さらに好
ましくは安定化処理を行い、水素又はハロゲンを有機発
光媒体中に拡散させても良い。有機発光媒体に供給され
る水素又はハロゲンは、活性な未結合手のあるところに
拡散し、その結合を終端することで不活性にすることが
できる。
【００８７】以上説明した本発明の発光装置により様々
な電子装置を完成させることができる。その一例は、携
帯情報端末(電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電
話など)、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナル
コンピュータ、テレビ受像器、携帯電話などが挙げられ
る。
な電子装置を完成させることができる。その一例は、携
帯情報端末(電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電
話など)、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナル
コンピュータ、テレビ受像器、携帯電話などが挙げられ
る。
【００８８】図１６はこれらの電子機器に組み込まれる
モジュールの回路構成を示すブロック図であり、（Ａ）
はアナログ駆動の場合、（Ｂ）はデジタル駆動の場合の
モジュール構成を示している。発光装置の表示パネル４
０１には画像表示部４０２、走査線駆動回路４０３、デ
ータ線駆動回路４０４が形成され、この構成は図１〜１
１により説明したものと同様な構成となっている。外部
回路４０５にはアナログ駆動の場合にはカウンター、コ
ントローラ、γ補正回路、D/A変換回路などが組み込ま
れている。また、デジタル駆動の場合にはカウンター、
コントローラ、メモリなどが組み込まれている。
モジュールの回路構成を示すブロック図であり、（Ａ）
はアナログ駆動の場合、（Ｂ）はデジタル駆動の場合の
モジュール構成を示している。発光装置の表示パネル４
０１には画像表示部４０２、走査線駆動回路４０３、デ
ータ線駆動回路４０４が形成され、この構成は図１〜１
１により説明したものと同様な構成となっている。外部
回路４０５にはアナログ駆動の場合にはカウンター、コ
ントローラ、γ補正回路、D/A変換回路などが組み込ま
れている。また、デジタル駆動の場合にはカウンター、
コントローラ、メモリなどが組み込まれている。
【００８９】電源は、駆動回路の電源の他に、有機発光
素子を駆動する駆動電源と共通電位を与えるコモン電源
があり、ＲＧＢの３色の発光をする場合に比べ電源の数
を減らすことができる。さらに、図１４で説明したよう
に各画素のＴＦＴのチャネル幅を変えることにより、駆
動電源をＲＧＢに対応する各画素において共通にして
も、それぞれに最適な電流を供給することができる。以
下、このようなモジュールを組み込んだ電子装置の一例
を図１７に示す。
素子を駆動する駆動電源と共通電位を与えるコモン電源
があり、ＲＧＢの３色の発光をする場合に比べ電源の数
を減らすことができる。さらに、図１４で説明したよう
に各画素のＴＦＴのチャネル幅を変えることにより、駆
動電源をＲＧＢに対応する各画素において共通にして
も、それぞれに最適な電流を供給することができる。以
下、このようなモジュールを組み込んだ電子装置の一例
を図１７に示す。
【００９０】図１７(Ａ)は本発明を適用してテレビ受像
器を完成させる一例であり、筐体３００１、支持台３０
０２、表示部３００３などにより構成されている。本発
明によりテレビ受像器を完成させることができる。
器を完成させる一例であり、筐体３００１、支持台３０
０２、表示部３００３などにより構成されている。本発
明によりテレビ受像器を完成させることができる。
【００９１】図１７(Ｂ)は本発明を適用してビデオカメ
ラを完成させた一例であり、本体３０１１、表示部３０
１２、音声入力部３０１３、操作スイッチ３０１４、バ
ッテリー３０１５、受像部３０１６などにより構成され
ている。本発明によりビデオカメラを完成させることが
できる。
ラを完成させた一例であり、本体３０１１、表示部３０
１２、音声入力部３０１３、操作スイッチ３０１４、バ
ッテリー３０１５、受像部３０１６などにより構成され
ている。本発明によりビデオカメラを完成させることが
できる。
【００９２】図１７(Ｃ)は本発明を適用してノート型の
パーソナルコンピュータを完成させた一例であり、本体
３０２１、筐体３０２２、表示部３０２３、キーボード
３０２４などにより構成されている。本発明によりパー
ソナルコンピュータを完成させることができる。
パーソナルコンピュータを完成させた一例であり、本体
３０２１、筐体３０２２、表示部３０２３、キーボード
３０２４などにより構成されている。本発明によりパー
ソナルコンピュータを完成させることができる。
【００９３】図１７(Ｄ)は本発明を適用してＰＤＡ(Per
sonal Digital Assistant)を完成させた一例であり、本
体３０３１、スタイラス３０３２、表示部３０３３、操
作ボタン３０３４、外部インターフェース３０３５など
により構成されている。本発明によりＰＤＡを完成させ
ることができる。
sonal Digital Assistant)を完成させた一例であり、本
体３０３１、スタイラス３０３２、表示部３０３３、操
作ボタン３０３４、外部インターフェース３０３５など
により構成されている。本発明によりＰＤＡを完成させ
ることができる。
【００９４】図１７(Ｅ)は本発明を適用して音響再生装
置を完成させた一例であり、具体的には車載用のオーデ
ィオ装置であり、本体３０４１、表示部３０４２、操作
スイッチ３０４３、３０４４などにより構成されてい
る。本発明によりオーディオ装置を完成させることがで
きる。
置を完成させた一例であり、具体的には車載用のオーデ
ィオ装置であり、本体３０４１、表示部３０４２、操作
スイッチ３０４３、３０４４などにより構成されてい
る。本発明によりオーディオ装置を完成させることがで
きる。
【００９５】図１４(Ｆ)は本発明を適用してデジタルカ
メラを完成させた一例であり、本体３０５１、表示部
(Ａ)３０５２、接眼部３０５３、操作スイッチ３０５
４、表示部(Ｂ)３０５５、バッテリー３０５６などによ
り構成されている。本発明によりデジタルカメラを完成
させることができる。
メラを完成させた一例であり、本体３０５１、表示部
(Ａ)３０５２、接眼部３０５３、操作スイッチ３０５
４、表示部(Ｂ)３０５５、バッテリー３０５６などによ
り構成されている。本発明によりデジタルカメラを完成
させることができる。
【００９６】図１７(Ｇ)は本発明を適用して携帯電話を
完成させた一例であり、本体３０６１、音声出力部３０
６２、音声入力部３０６３、表示部３０６４、操作スイ
ッチ３０６５、アンテナ３０６６などにより構成されて
いる。本発明により携帯電話を完成させることができ
る。
完成させた一例であり、本体３０６１、音声出力部３０
６２、音声入力部３０６３、表示部３０６４、操作スイ
ッチ３０６５、アンテナ３０６６などにより構成されて
いる。本発明により携帯電話を完成させることができ
る。
【００９７】尚、ここで示す電子装置はごく一例であ
り、これらの用途に限定するものではない。
り、これらの用途に限定するものではない。
【００９８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１補助配線を設けることにより、第２電極を形成する
透明導電膜が薄膜化し、又は／且つ画像表示部の面積が
拡大し第画面化しても、抵抗値の増大による有機発光素
子の応答速度の低下や消費電力の増加を防ぐことができ
る。また、面内電位分布を均一化し、画像表示画面にお
ける輝度にバラツキをなくすことができる。さらに、第
１補助配線を隔壁上に設けることにより、開口率を損な
うことなく上述の効果を奏することができる。さらに、
第２補助配線を設けることにより、第２電極と接続すべ
き配線との接続を容易とし、且つ引き回しに要する配線
による抵抗損失を小さくすることができる。さらに、画
像表示部を具備する発光装置の額縁領域（即ち、画像表
示部の周辺部位）の面積を縮小することができる。
第１補助配線を設けることにより、第２電極を形成する
透明導電膜が薄膜化し、又は／且つ画像表示部の面積が
拡大し第画面化しても、抵抗値の増大による有機発光素
子の応答速度の低下や消費電力の増加を防ぐことができ
る。また、面内電位分布を均一化し、画像表示画面にお
ける輝度にバラツキをなくすことができる。さらに、第
１補助配線を隔壁上に設けることにより、開口率を損な
うことなく上述の効果を奏することができる。さらに、
第２補助配線を設けることにより、第２電極と接続すべ
き配線との接続を容易とし、且つ引き回しに要する配線
による抵抗損失を小さくすることができる。さらに、画
像表示部を具備する発光装置の額縁領域（即ち、画像表
示部の周辺部位）の面積を縮小することができる。
【図１】 本発明の実施形態に係る発光装置の構成を説
明する斜視図（Ａ）、縦断面図（Ｂ）（Ｃ）。
明する斜視図（Ａ）、縦断面図（Ｂ）（Ｃ）。
【図２】
【図３】 本発明の発光装置の画像表示部の構成を説明
する上面図。
する上面図。
【図４】 本発明の発光装置において第１及び第２補助
配線と入力端子から延在する配線との接続関係を説明す
る縦断面図。
配線と入力端子から延在する配線との接続関係を説明す
る縦断面図。
【図５】 本発明の発光装置の画像表示部の構成を説明
する縦断面図。
する縦断面図。
【図６】 本発明の発光装置の作製工程を説明する縦断
面図。
面図。
【図７】 本発明の発光装置の作製工程を説明する縦断
面図。
面図。
【図８】 本発明の発光装置の作製工程を説明する縦断
面図。
面図。
【図９】 本発明の発光装置の作製工程を説明する縦断
面図。
面図。
【図１０】 本発明の発光装置の作製工程を説明する上
面図。
面図。
【図１１】 本発明の発光装置の作製工程を説明する上
面図。
面図。
【図１２】 白色発光を呈する有機発光素子の構成を説
明する部分縦断面図。
明する部分縦断面図。
【図１３】 本発明の発光装置の作製に適した製造装置
の構成の一例を示す図。
の構成の一例を示す図。
【図１４】 本発明の発光装置の画素部の構成の一例を
示す上面図。
示す上面図。
【図１５】 ３波長型と２波長型の白色スペクトルの一
例を模式的に示すグラフ。
例を模式的に示すグラフ。
【図１６】 本発明の発光装置のモジュール構成を示す
図。
図。
【図１７】 本発明により完成する電子装置の一例を説
明する図。
明する図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ
Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB17 BB06 DB03 GA00
5C094 AA04 AA10 AA15 AA48 AA55
BA03 BA27 CA19 CA24 DA13
DB02 DB04 EA04 EA05 EA10
ED03 FA01 FA02 FB01 FB20
Claims (6)
- 【請求項１】マトリクス状に配置された複数個の第１電
極と、前記第１電極に対応するように形成された発光性
材料を含む有機発光媒体と、前記第１電極と対向して形
成される第２電極とから発光性の画素が形成されて画像
表示部を形成する発光装置であって、前記第１電極のそ
れぞれの周辺端部を囲む電気絶縁性の隔壁と、当該隔壁
上において前記マトリクスの行配列方向又は列配列方向
に延在し、前記第２電極と電気的に接触すると共にその
下層側に形成された第１補助配線とを有し、前記第１補
助配線は前記画像表示部の外側まで延在し、その端部に
おいて該第１補助配線と交差する方向に延在する第２補
助配線と電気的に接続し、前記第２補助配線は入力端子
部から延在する配線と電気的に接続していることを特徴
とする発光装置。 - 【請求項２】マトリクス状に配置された複数個の第１電
極と、前記第１電極に対応するように形成された発光性
材料を含む有機発光媒体と、前記第１電極と対向して形
成される第２電極とから発光性の画素が形成されて前記
第２の電極に対向する面にカラーフィルターの着色層が
配置された画像表示部を形成する発光装置であって、前
記第１電極のそれぞれの周辺端部を囲む電気絶縁性の隔
壁と、当該隔壁上において前記マトリクスの行配列方向
又は列配列方向に延在し、前記第２電極は透明導電膜で
形成され、前記第２電極と電気的に接触すると共にその
下層側に形成された第１補助配線とを有し、前記第１補
助配線は前記画像表示部の外側まで延在し、その端部に
おいて該第１補助配線と交差する方向に延在する第２補
助配線と電気的に接続し、前記第２補助配線は入力端子
部から延在する配線と電気的に接続していることを特徴
とする発光装置。 - 【請求項３】マトリクス状に配置された複数の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極と接続し行配列方向に延在する第
１配線と、ソース又はドレインに接続し列配列方向に延
在する第２配線と、前記第１及び第２配線上に形成され
略平坦化表面を形成する層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上
に前記薄膜トランジスタに対応して配置された複数個の
第１電極と、前記第１電極に対応するように形成された
発光性材料を含む有機発光媒体と、前記第１電極と対向
して形成される第２電極とから発光性の画素が形成され
て画像表示部を形成する発光装置であって、前記第１電
極のそれぞれの周辺端部を囲む電気絶縁性の隔壁と、当
該隔壁上において前記マトリクスの行配列方向又は列配
列方向に延在し、前記第２電極と電気的に接触すると共
にその下層側の形成された第１補助配線とを有し、前記
第１補助配線は前記画像表示部の外側まで延在し、その
端部において該第１補助配線と交差する方向に延在する
第２補助配線と電気的に接続し、前記第２補助配線は入
力端子部から延在する配線と電気的に接続していること
を特徴とする発光装置。 - 【請求項４】マトリクス状に配置された複数の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極と接続し行配列方向に延在する第
１配線と、ソース又はドレインに接続し列配列方向に延
在する第２配線と、前記第１及び第２配線上に形成され
略平坦化表面を形成する層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上
に前記薄膜トランジスタに対応して配置された複数個の
第１電極と、前記第１電極に対応するように形成された
発光性材料を含む有機発光媒体と、前記第１電極と対向
して形成される第２電極とから発光性の画素が形成され
て前記第２の電極に対向する面にカラーフィルターの着
色層が配置された画像表示部を形成する発光装置であっ
て、前記第１電極のそれぞれの周辺端部を囲む電気絶縁
性の隔壁と、当該隔壁上において前記マトリクスの行配
列方向又は列配列方向に延在し、前記第２電極は透明導
電膜で形成され、前記第２電極と電気的に接触すると共
にその下層側に形成された第１補助配線とを有し、前記
第１補助配線は前記画像表示部の外側まで延在し、その
端部において該第１補助配線と交差する方向に延在する
第２補助配線と電気的に接続し、前記第２補助配線は入
力端子部から延在する配線と前記層間絶縁膜に形成され
たコンタクトホールを介して電気的に接続していること
を特徴とする発光装置。 - 【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか一項にお
いて、前記有機発光媒体が前記第１補助配線と平行方向
にストライプ状に形成されていることを特徴とする発光
装置。 - 【請求項６】請求項３又は４において、前記第１補助配
線は、行配列方向に延在する前記第１配線又は列配列方
向に延在する前記第２配線と、平行方向に延在し、且つ
前記隔壁層を介して重畳して設けられていることを特徴
とする発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002049185A JP4183951B2 (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-26 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002047504 | 2002-02-25 | ||
| JP2002-47504 | 2002-02-25 | ||
| JP2002049185A JP4183951B2 (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-26 | 発光装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003316291A true JP2003316291A (ja) | 2003-11-07 |
| JP2003316291A5 JP2003316291A5 (ja) | 2005-08-25 |
| JP4183951B2 JP4183951B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=29551907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002049185A Expired - Fee Related JP4183951B2 (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-26 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4183951B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4183951 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 4 |
|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
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|
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