JP2009139678A - 発光装置及び電子機器並びに成膜方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子の長寿命化が可能な発光装を提供する。
【解決手段】発光装置は、画素電極１３、発光機能層１８、及び対向電極５を含む有機ＥＬ素子８と、対向電極の上に且つ当該対向電極と直接の接点をもつように形成される補助電極５０１と、補助電極及び対向電極を覆うように形成され、有機ＥＬ素子に対する水及び酸素の進入を防止するバリア層４０と、を備える。そして、補助電極は、平面視して第１方向に線状に延び、その第１方向に交わる方向における断面形状は、テーパ形状を含む。
【選択図】図３

Description

本発明は、エレクトロルミネセンスにより発光する発光装置及び電子機器並びにそれらの製造に適用されて好適な成膜方法に関する。

薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ（electro luminescent）素子が提供されている。有機ＥＬ素子は、有機材料で形成された少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。この場合、画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると同時に、前記有機薄膜にも電流が流れ、これにより、当該有機薄膜、ないしは有機ＥＬ素子は発光する。この場合、その発光の強度は、有機薄膜に流れる電流の大きさに応じるので、当該電流の制御、言い換えれば、画素電極及び対向電極それぞれについての電位設定等に関しては、十分な注意を払う必要がある。
このような有機ＥＬ素子を多数並べ、かつ、その各々につき発光及び非発光を適当に制御すれば、所望の意味内容をもつ画像等の表示が可能となる。
かかる有機ＥＬ素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
特開２００１−２８４０４１号公報

ところで、上述のような画像表示装置においては、既述の電流制御に関わる問題に加えて、有機ＥＬ素子の寿命に関わる問題がある。すなわち、前述の有機薄膜は、永遠不変に発光し続ける性質を持つわけでは当然なく、使用時間等が極めて長期に亘った等の場合には、最後にはその寿命を迎えて発光不能となる。
もっとも、有機ＥＬ素子の寿命に関して最も問題となるのは、そのような自然的寿命ではなく、当該寿命を短縮化してしまう要因についてである。その要因の代表格は、大気中にある水分、あるいは酸素の存在である。すなわち、これらが有機薄膜に進入すると、その導電性を低下させる等その特性の劣化を進行させ、あるいは、該有機薄膜と前述の電極との間の密着性を低下させる、といった悪影響を及ぼすのである。

このような問題点に対処するため、従来、いわゆる“薄膜封止”という技術が利用されている。この技術は、例えば窒化珪素等、前記の酸素及び水分等の封止機能に優れるセラミックス薄膜等を、有機ＥＬ素子を覆うように形成することで、それらの当該有機ＥＬ素子への進入を防止しようとするものである。

しかしながら、このような薄膜封止技術には、次のような問題点がある。すなわち、前述した封止機能を果たす材料は、上述のように、窒化珪素、酸窒化珪素等が利用されることが多く、その性質からして比較的硬度の大きい材料であるため、クラックが生じ易いという問題である。クラックが現に発生してしまえば、成膜したはよいが、結局、当該クラックを通じた水分、酸素の進入を許す結果を招くこととなり、当該膜の封止機能の十全なる発揮が期待できなくなる。

ところで、前述の特許文献１は、このような“薄膜封止”技術の一種の応用的な形態を開示する。この特許文献１では、「無機パッシベーション膜」が、水分遮断機能をもつものとして性格付けられている（特許文献１の[００１７〕等）。ちなみに、この文献が開示する技術の要諦は次のようである（以下、〔〕内の記載はすべて、特許文献１に関する請求項番号、あるいは段落番号を意味する。）。
すなわち、（ｉ）有機ＥＬ素子間に「設けられかつ…基板から突出する」「隔壁の両側面を覆う封止膜」（〔請求項１〕）を形成する、（ｉｉ）前記無機パッシベーション膜を、前記封止膜を覆うように形成する（[請求項１〕や〔００１５〕〔００１６〕等）、（ｉｉｉ）これにより、当該無機パッシベーション膜は、前記の「隔壁の両側面」において、「険しい斜面」をもたず「隔壁両側面がなだらかに」（〔００２１〕）なるように形成される。（ｉｖ）当該「隔壁の両側面」は、「隔壁両側面の逆テーパ部分」であって「水分、酸素を通しやすいと考えられる」（〔００２１〕）が、前記（ｉｉｉ）により、無機パッシベーション膜は、当該の部分における水分、酸素をよりよく遮断する、というようである。

このような特許文献１では、「クラック」という用語が散見されはするものの（〔００１６〕等）、前記のような問題意識に立っているのかどうかは、明示するところがなく、定かでない。
また、特許文献１において、無機パッシベーション膜を「なだらかに」形成することを可能ならしめているのは、要するに、その下地膜としての「封止膜」の形成、である（前記の（ｉｉ）参照）。よりいえば、この特許文献１は、該文献の中で再三摘示されている「逆テーパ部分」（〔図１〕等参照）を、その「封止膜」で埋めることに着想の中心があるのである（〔図４〕及び〔００２２]参照）。そうだからこそ、前記の（ｉｖ）のようなことが最終目的視されているのである。
そうだとするなら、この特許文献１に開示されている技術を前提として、前記の問題が十分に解決されるとはいえない。なぜなら、「逆テーパ部分」を「封止膜」で埋めることが（あるいは、〔請求項１〕の表現を借りれば、「隔壁の両側面を覆う封止膜」を形成することが）、前記のような問題解決を論理的にもたらす関係には全然ないからである。
また、特許文献１の技術では、同文献の〔請求項１〕における記載からして、また、前述したところからも明らかなように、「封止膜」の形成がそもそも必須なのであり、その分、余計な製造工程が必要となり、また、コストも嵩むという問題もある（“薄膜封止”を実現するという点からは、「無機パッシベーション膜」さえあればよいのである。）。

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子の長寿命化を中心とした、前記の課題の幾つかの全部又は一部を解決することの可能な発光装置及び電子機器、並びにそれらの製造に適用されて好適な成膜方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、それに付随し、又は関連する課題の解決をも課題とする。

本発明の発光装置は、上述した課題を解決するため、基板と、前記基板上に、この順番で順次形成される下層側電極、発光機能層、及び上層側電極を含む、発光素子と、前記上層側電極の上に且つ当該上層側電極と直接の接点をもつように形成される補助電極と、前記補助電極及び前記上層側電極を覆うように形成され、前記発光素子に対する水及び酸素の少なくとも一方の進入を防止するバリア層と、を備え、前記補助電極は、平面視して第１方向に延びる線状補助電極を１つ以上含み、該線状補助電極の前記第１方向に交わる方向における断面形状は、テーパ形状を含む。

本発明によれば、第１に、発光機能層に流れる電流制御を安定的に行うことができる。というのも、本発明においては、上層側電極の上に、これと直接の接点をもつように補助電極（ないしは線状補助電極）が形成されるからである。例えば、上層側電極が比較的高い抵抗値をもつ材料から作られる、あるいは作られざるを得ないならば、補助電極は比較的低い抵抗値をもつ材料から作るようにすればよく、これにより、当該上層側電極の電位の安定等が達成されることになる。このようにして、前記電流制御は極めて安定的に行われ得ることになり、もって本発明によれば、前記発光素子の発光強度の制御が好適に行われ得ることになる（以下、効果〔Ｉ〕ということがある。）。
また、本発明によれば、第２に、発光素子に対する水及び酸素等の封止機能の発揮がよりよく享受され得る。というのも、本発明においては、バリア層のいわば下地膜としての立場にたつ前記補助電極が、平面視して第１方向に延びる線状補助電極を含むとともに、その線状補助電極の断面形状がテーパ形状を含むからである。この場合、当該のバリア層は、比較的滑らかな表面を持つ状態で作られうることになるから、その表面あるいは内部にクラック等の欠陥は生じにくくなる。よって、本発明によれば、例えば当該バリア層が比較的硬度の大きい材料から作られたとしても、その封止機能の極めて実効的な発揮が可能になるのである（以下、効果〔ＩＩ〕ということがある。）。

この発明の発光装置では、前記線状補助電極の厚さは、前記バリア層の厚さよりも大きい、ように構成してもよい。
この態様によれば、本発明に係る、前述した効果〔Ｉ〕及び効果〔ＩＩ〕がより実効的に享受される。なぜなら、第１に、補助電極の厚さが相対的に大きい、即ちその断面積が相対的に大きいので、その抵抗値をより小さくすることができるからである。これによれば、前述した例に照らして明らかなように、上層側電極の電位をより安定的に制御することができる。
また、第２に、バリア層の厚さが相対的に小さいので、それ自身の内部応力を原因とするクラック等の発生が防止されるからである。特に、当該バリア層が比較的硬度の大きい材料から作られるならば、そのような懸念は一層高まるが、本態様によれば、それが実現する可能性を極めて低減することができるのである。
以上のようにして、本態様によれば、前述した効果〔Ｉ〕及び効果〔ＩＩ〕がより実効的に享受される。

また、本発明の発光装置では、前記基板上に形成され、前記上層側電極及び前記補助電極を所定の電位に設定する電源線と、前記上層側電極及び前記補助電極と前記電源線との間に介在し、かつ、両者それぞれの少なくとも一部と電気的接触が確保されるように形成されるコンタクト薄膜と、を更に備え、前記コンタクト薄膜の、少なくとも前記第１方向における断面形状は、テーパ形状を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、本発明に係る、前述した効果〔Ｉ〕及び効果〔ＩＩ〕が更に実効的に享受される。なぜなら、第１に、前述したようなコンタクト薄膜の存在により、電源線と線状補助電極との間の電気的流通がスムースになるからである。仮に、このようなコンタクト薄膜が存在しないとすると、上層側電極あるいは補助電極は、電源線と直接的に連絡される必要があるが、この場合、両者間の膜厚の違い（特に、前者の側の膜厚が相対的に小さい等）等の事情によって物理的な断絶が生じる、等ということも生じ得る。本態様では、そのような不具合が発生する可能性は極めて低減される。
また第２に、そのようなコンタクト薄膜もまた、前述の線状補助電極と同様、その断面形状がテーパ形状を含むからである。これにより、前記バリア層が当該コンタクト薄膜を覆うように形成されたとしても、その表面あるいは内部にクラック等の欠陥は生じにくくなる。
以上のようにして、本態様によれば、前述した効果〔Ｉ〕及び効果〔ＩＩ〕がより実効的に享受される。

また、本発明の発光装置では、前記テーパ形状を形作る斜辺と、該斜辺の一端に繋がり且つ該斜辺と鋭角を作る該テーパ形状の一辺とのなす角度は、２０度以上、６０度以下である、ように構成してもよい。
この態様によれば、線状補助電極、あるいはコンタクト薄膜の断面形状たるテーパ形状が、最好適な態様の１つに設定される。
なお、上述の上限値及び下限値には以下の意義がある。まず、上にいう「角度」が６０度を上回ると、前記斜辺と、該斜辺と“鈍角”を作る一辺とのなす角度が９０度に近づくことになるが、これでは、その上を覆うバリア層は、急峻な段差を跨ぐように成膜されることになってしまい、その表面あるいは内部にクラック等の欠陥を生じさせやすくなる。一方、上にいう「角度」が２０度を下回ると、線状補助電極の断面積が極めて小さくなってしまい、その抵抗値を十分低くすることができなくなる。

また、本発明の発光装置では、前記バリア層は、その厚さが３０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下である、ように構成してもよい。
この態様によれば、バリア層の膜厚が、最好適な態様の１つに設定される。
なお、この上限値及び下限値には以下の意義がある。まず、上にいう「厚さ」が５００ｎｍを上回ると、当該バリア層自身の内部応力を原因とするクラック等の発生が懸念されることになる。一方、上にいう「厚さ」が３０ｎｍを下回ると、水、あるいは酸素を十分に封止することができなくなる。

一方、本発明の電子機器は、上記課題を解決するため、上述した各種の発光装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の発光装置、即ち前述した効果〔Ｉ〕及び効果〔ＩＩ〕を発揮する発光装置を備えているので、その長寿命化を図ることができるし、また、当該電子機器が画像表示装置を備えるのであれば、高品質な画像を表示することができる。

一方、本発明の成膜方法は、上記課題を解決するため、その断面形状が台形状を含み、かつ、所定の高さ及び長さをもつ台形状マスクが、所定の間隔をもって複数列設された薄膜形成用マスクを用いた成膜方法であって、前記薄膜形成用マスクの裏面に基板を配置する工程と、前記台形状マスク間の空隙に覗かれる前記基板の表面に、所定の物質を堆積させることによって、前記空隙の数だけ複数列設され、且つ、その断面形状がテーパ形状を含む薄膜を形成する薄膜形成工程と、を含む。

本発明によれば、その断面形状にテーパ形状を含み、かつ、その複数が適当な間隔をもって列設されるような線状の薄膜を一挙に、かつ、好適に形成することができる。その機序については、後の実施形態の説明の際に改めて触れる。
なお、この成膜方法が、前述した線状補助電極の形成に適用されれば、当該線状補助電極を好適に製造することができることとなるのは言うまでもない。

この発明の成膜方法では、前記所定の物質は、前記空隙に覗かれる前記基板の表面の全部に対して、斜めに飛散させられる、ように構成してもよい。
この態様によれば、断面形状に含まれるテーパ形状をより好適に形作ることが可能である。

また、本発明の成膜方法では、前記薄膜形成工程の前に、前記基板上に、第１に、下層側電極を形成する工程と、第２に、発光機能層を形成する工程と、第３に、上層側電極を形成する工程と、を含んで、発光素子を形成する工程、を含み、前記薄膜形成工程は、前記空隙に除かれる前記上層側電極の表面に、前記薄膜として補助電極を形成する工程、を含んで実施され、且つ、当該薄膜形成工程の後に、前記補助電極の上に更に、前記発光素子に対する水及び酸素の少なくとも一方の進入を防止するバリア層を形成する工程、を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、上述した本発明に係る発光装置を好適に製造することが可能である。

以下では、本発明に係る実施の形態について図１乃至図５を参照しながら説明する。なお、これらの図面及び後に参照する図６以降の各図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。

図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の一例を示す平面図である。
この図１において、有機ＥＬ装置は、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素を備えている。ここで各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、プリチャージ回路１０６Ａ、並びに対向電極用電源線２０１である。

有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられており、それら複数の有機ＥＬ素子８はマトリクス状に配列されている。有機ＥＬ素子８の各々は、画素電極、発光機能層及び対向電極から構成されている。このうち対向電極には、その機能を補助するための補助電極が設けられている。これら各要素に関しては後に改めて触れる。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。

走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂに接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。これら各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。

この単位回路Ｐは、図２に示すように、前述の有機ＥＬ素子８を含むほか、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８、ｐチャネル型の第２トランジスタ９、及び容量素子６９を含む。
単位回路Ｐは、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は、図示しない電源に接続されている。
また、ｐチャネル型の第２トランジスタ９のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は有機ＥＬ素子８の画素電極に接続される。この第２トランジスタ９のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。一方、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８のゲート電極は走査線３に接続され、そのソース電極はデータ線６に接続され、そのドレイン電極は第２トランジスタ９のゲート電極と接続される。
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線３を走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂが選択すると、第１トランジスタ６８がオンされて、データ線６を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、第２トランジスタ９が、データ信号のレベルに応じた電流を有機ＥＬ素子８に供給する。これにより、有機ＥＬ素子８は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。

素子基板７上の周辺領域上には、プリチャージ回路１０６Ａが備えられている。このプリチャージ回路１０６Ａは、有機ＥＬ素子８へのデータ信号の書込み動作に先立って、データ線６を所定の電位に設定するための回路である。
また、対向電極用電源線２０１（以下、単に「電源線２０１」という。）は、素子基板７の外形輪郭線にほぼ沿うように、平面視してΠ字状の形状をもつ。この電源線２０１は、有機ＥＬ素子８の対向電極に例えばグランドレベル等の電源電圧を供給する。
なお、前述では、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、並びにプリチャージ回路１０６Ａのすべてが素子基板７上に形成される例について説明しているが、場合によっては、そのうちの全部又は一部を、フレキシブル基板に形成するのであってもよい。この場合、当該のフレキシブル基板と素子基板７との両当接部分に適当な端子を設けておくことにより、両者間の電気的な接続を可能とする。

平面視した場合に以上述べたような構成を備える有機ＥＬ装置は、図３に示すような積層構造物２５０を備えている。この積層構造物２５０は、図３に示すように、素子基板７を基準として、図中下から順に、回路素子薄膜１１、第１層間絶縁膜３０１、反射層３４、第２層間絶縁膜３０２、画素電極１３、発光機能層１８、対向電極５、補助電極５０１、及びバリア層４０を含む。

このうち、第１及び第２層間絶縁膜３０１及び３０２（以下、単に「絶縁膜３０１及び３０２」ということがある。）は、その他の残る導電性要素間の短絡が生じないように、あるいは、これら導電性要素の積層構造物２５０中の好適な配置を実現するため等に貢献する。これら絶縁膜３０１及び３０２は、様々な厚さでもって様々な絶縁性材料から作られうるが、好適には、各絶縁膜の積層構造物２５０中の配置位置や役割等に応じて、適宜適当な厚さ及び材料が選択されるとよい。
より具体的には例えば、絶縁膜３０１及び３０２は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等々で作られて好ましい。

回路素子薄膜１１は、前述の単位回路Ｐに含まれる第１トランジスタ６８や第２トランジスタ９等を含む。図では極めて簡略化されて描かれているが、この回路素子薄膜１１は、これら各種のトランジスタを構成する半導体層、ゲート絶縁膜、ゲートメタル等や容量素子６９を構成する電極用薄膜（いずれも不図示）、その他の金属薄膜から構成される。なお、図３に示す積層構造物２５０中には、前述した走査線３及びデータ線６も当然構築されているが、その図示は省略されている。

一方、前述の有機ＥＬ素子８の各々は、図３に示すように、積層構造物を構成する前述の各種の要素のうち、画素電極１３、発光機能層１８及び対向電極５から構成される。

このうち画素電極１３は、素子基板７上に、マトリクス状に配列するように形成されている。有機ＥＬ素子８がマトリクス状に配列されているということは、このように画素電極１３がマトリクス状に配列されているということに相応する（図１及び図３参照）。
この画素電極１３は、コンタクトホール３６０を介して、前述の回路素子薄膜１１と電気的に接続されている。これにより、この画素電極１３は、図２に示した第２トランジスタ９を介して電流供給線１１３から供給される電流を、発光機能層１８に印加可能である。なお、コンタクトホール３６０は、第１及び第２層間絶縁膜３０１及び３０２を貫通するようにして形成されている。
このような画素電極１３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性かつ導電性の材料から作られている。

反射層３４は、このような画素電極１３の形成領域に対応するように、第１層間絶縁膜３０１上、且つ、第２層間絶縁膜３０２下に形成されている。反射層３４は、図３に示すように、発光機能層１８から発せられた光を反射する。この反射光は、図中上方に向かって進行する。このように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置は、いわゆるトップエミッション型である。なお、このことから、素子基板７は、セラミックスや金属等の不透明材料で作られてよい（これとは反対に、ボトムエミッション型の場合、素子基板７は、透光性材料から作られている必要がある。）
このような反射層３４は、上述の反射機能をよりよく発揮するため、光反射性能の比較的高い材料から作られているとよい。例えば、アルミニウムや銀等の金属を利用することができる。

一方、隔壁（バンク）３４０は、図３、あるいは図４に示すように、上述のような画素電極１３のうち、平面視して隣接する画素電極１３間の領域に形成されている。この隔壁３４０の図３中上下方向の実際上の高さは概ね１〜２μｍである。この隔壁３４０は、各有機ＥＬ素子８を区画する役割を担う。
このような隔壁３４０は、例えば絶縁性の透明樹脂材料、その中でも特に撥液性をもつ材料で作られて好適である。より具体的には例えば、フッ素系樹脂、あるいは更に、アクリル樹脂の他、エポキシ樹脂、あるいはポリイミドなどを挙げることができる。
なお、隔壁３４０がこのような各種の樹脂材料から作られている場合には、その基層を、例えばＳｉＯ_２等の無機材料で作るようにするとよい（即ち、この場合、隔壁３４０は下層側に無機物質、上層側に有機物質という積層構造を持つことになる。）。これによれば、画素電極１３が上述のようにＩＴＯ等から作られている場合においても、当該画素電極１３と隔壁３４０との密着性を高めることができる。

発光機能層１８は、図３に示すように、画素電極１３の上に形成されている。この発光機能層１８は、少なくとも有機発光層を含み、有機発光層は正孔と電子が結合して発光する有機ＥＬ物質から構成されている。この有機ＥＬ物質が例えば高分子材料である場合、当該有機ＥＬ物質は、例えば液滴塗布法（インクジェット法）により、前記隔壁３４０により区画された各空間内のみに（即ち、画素ごとに）供給される。
このように、隔壁３４０により区画された空間のみに有機ＥＬ物質を供給する態様によると、図４に示すように、発光機能層１８を、色毎に、区別して設けることができる。図４では、図中横法方向に沿って、赤色光、緑色光及び青色光それぞれ専用の有機ＥＬ物質を含む発光機能層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂが、この順に形成されている例が示されている。なお、図中縦方向に沿っては、発光機能層１８Ｒのみが並ぶ列、発光機能層１８Ｇのみが並ぶ列、及び発光機能層１８Ｂのみが並ぶ列、がそれぞれ列設されている。
発光機能層１８を構成する他の層として、電子ブロック層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び正孔ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。

対向電極５は、図３に示すように、複数の有機ＥＬ素子８の発光機能層１８に接触している。つまり、対向電極５は、複数の画素電極１３に共通するように、隔壁３４０で画定された発光機能層１８の区域及び隔壁３４０の上に広がっている。この対向電極５は、平面視して矩形状（その内部に特別な開口、間隙等をもたない、いわゆるベタ）に形成される。対向電極５の周囲は、図１に示した電源線２０１に電気的に接続される（その接続態様は不図示）。
この実施の形態では、対向電極５は陰極で、画素電極１３は陽極だが、その逆であってもよい。
このような対向電極５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性かつ導電性の材料から作られている。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、上述のように、トップエミッション型であるから、この材料選択は殆ど必須である。

以上の構成に加えて、本実施形態に係る有機ＥＬ装置は特に、補助電極５０１及びバリア層４０を備えている。
このうち補助電極５０１は、図３に示すように、隔壁３４０の上に位置する対向電極５の上に形成されている。この補助電極５０１は、図３からも明らかなように、対向電極５の上に直接形成されているから、補助電極５０１の図中下面（対向電極５と接する面）の全部は、当該対向電極５の図中上面との間の接点の集合からなるとみることができる。要するに、両者間における電気的連絡はほぼ完全である。

この補助電極５０１の平面視した場合における形状は、図４に示すように略長方形状である。ただし、この略長方形状の短辺の長さは、長辺の長さに比して極めて短い。したがって、補助電極５０１は、殆ど“線状”といい得る形状をもつ。このような線状の補助電極５０１は、図４に示すように複数存在し、その複数は図中縦方向相隣接して並ぶ有機ＥＬ素子８間の領域それぞれを縫うようにして延びる。そして、これら複数の補助電極５０１の一端は、同じく図４に示すようにコンタクト薄膜５５１に達する。

このコンタクト薄膜５５１は、その一部が電源線２０１（図１も参照）の一部と重なり合うように形成された導電性薄膜である。補助電極５０１は、その一端がこのコンタクト薄膜５５１の一部と重なり合うように形成されている。
コンタクト薄膜５５１及び電源線２０１、あるいはコンタクト薄膜５５１及び補助電極５０１は、対向電極５及び補助電極５０１の関係と同様、それら両者の重なり合っている部分で、ほぼ完全な電気的連絡をもつ。なお、図４においては図示されていないが、対向電極５も、その一部がコンタクト薄膜５５１の一部と重なり合うように形成されており、両者間には、ほぼ完全な電気的連絡がある（仮に、対向電極５を図４上に図示するとすれば、それは当該図面の全面を覆うかのような薄膜として描かれることになる。）。

また、この補助電極５０１の断面形状は、図３、あるいは図５に示すように、テーパ形状を含む。このテーパ形状は、その斜辺と、該斜辺の一端に繋がる底辺とのなす角度θが、２０度以上６０度以下となるように調整されている。
バリア層４０は、図３、あるいは図５に示すように、素子基板７の全面を覆うかのようにして、補助電極５０１及び対向電極５を覆うようにして形成されているが、そのうちの補助電極５０１が、上述のようにテーパ形状を含む断面形状をもつことから、その上に位置するバリア層４０の表面は比較的滑らかな表面をもつことになる。なお、このバリア層４０は、水及び酸素の有機ＥＬ素子８への進入を食い止める機能をもつ。

以上述べたような補助電極５０１は、例えば、比較的抵抗値の低い材料、更に具体的には、アルミニウム、銀、金、銅、等々で作られて好適である。それぞれの電気抵抗値は、２．６２〔μΩ／ｃｍ〕、１．６２〔μΩ／ｃｍ〕、２．４〔μΩ／ｃｍ〕、１．６９〔μΩ／ｃｍ〕であり、いずれも極めて低い。なお、このような材料は、前述したコンタクト薄膜５５１に対しても適用可能である。
また、本実施形態に係る補助電極５０１の形状を具体的に規定する各数値は、以下のように定められて好適である。すなわち、その幅Ｗ（図４参照）は３０μｍ程度、その高さＴ（図５参照）は３００ｎｍ程度とされて好適である。なお、前者の幅Ｗは、実際上は、図４からもわかるように、図中上下方向に隣接する有機ＥＬ素子８間の距離ＷＡをどの程度に設定するかにもかかっている。通常は、後者の“距離ＷＡ”を定めた後、前者の“幅Ｗ”を定めるという手順がとられて好適であるが、幅Ｗが３０ｎｍであれば、距離ＷＡは５０ｎｍ程度という関係が成立するとよい（即ち、補助電極５０１の両側端から、そのそれぞれに対向する有機ＥＬ素子８の端部までの距離が１５ｎｍ程度（＝（ＷＡ−Ｗ）／２）に設定されるとよい。）。このように、ＷＡ＞Ｗとする理由は、補助電極５０１の形成プロセスに関わる位置交差を考える必要があるからである。
なお、これら幅Ｗ及び距離ＷＡの具体的の値のとりようは、前述の角度θの大きさをどの程度にするかとも関連するが、この点については、後に図７を参照しながら改めて触れる。

一方、バリア層４０は、例えば、水及び酸素の有機ＥＬ素子８への進入を食い止める機能をもつ材料、具体的には、ＳｉＮ（窒化珪素）、ＳｉＯＮ（酸窒化珪素）、ＳｉＯ_２（酸化珪素）、等々で作られて好適である。
また、本実施形態に係るバリア層４０の厚さＴ１（図５参照）は、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、更に言えば１００ｎｍ程度とされて好適である。この厚さＴ１が、５００ｎｍを上回ると、バリア層４０自身の内部応力を原因とするクラック等の発生が懸念されることになり、３０ｎｍを下回ると、水、あるいは酸素を十分に封止することができなくなるからである。

以下では、以上述べたような有機ＥＬ装置によって奏される作用効果について説明する。
まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置では、画素電極１３及び対向電極５間に電流が流されると同時に、発光機能層１８に電流が流されることになる、これにより、発光機能層１８は発光する（図２を参照して既に行った説明も参照。）。

以上のような作用が奏される前提の下、
（１） まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置では、発光機能層１８に流れる電流制御を安定的に行うことができる。これは、以下の事情による。
すなわち、対向電極５は、上述のように、ＩＴＯ等で作られ、比較的高い抵抗値をもつ材料から作られるため、その電位の安定等が困難という面がある。一方、補助電極５０１は、上述のように、極めて低い抵抗値をもつアルミニウム、銀等で作られている。したがって、電源線２０１から対向電極５へと電圧を供給すると同時に、補助電極５０１へも電圧を供給すれば、これら対向電極５及び補助電極５０１間にはほぼ完全な電気的連絡が確保されていることもあいまって、対向電極５の電位の安定等が達成されることになる。
このようにして、前記電流制御は極めて安定的に行われ得ることになる。また、これにより、本実施形態では、有機ＥＬ素子８の発光強度の制御が好適に行われ得ることになる。

ちなみに、このような効果の実現には、補助電極５０１及び対向電極５と、電源線２０１との間に、コンタクト薄膜５５１が形成されていることも大きく寄与している。特に、本実施形態のように、トップエミッション型が前提とされている場合、光取り出し効率を向上させるため、対向電極５の膜厚は薄ければ薄いほど好ましいが、これを推し進めると、電源線２０１との間に物理的断絶を発生させやすい。しかるに、本実施形態に係るコンタクト薄膜５５１が存在すれば、そのような電源線２０１と対向電極５との間の不導通といった不具合の発生を未然に回避することが可能となるのである。

（２） 次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置では、有機ＥＬ素子８に対する水及び酸素等の封止機能の発揮がよりよく享受され得る。これは、既述のように、バリア層４０のいわば下地膜としての立場にたつ補助電極５０１が、その断面形状にテーパ形状を含むことから、当該バリア層４０は、その表面が滑らかな状態をもつものとして、形成され得るようになっているからである。これにより、バリア層４０の表面あるいは内部にクラック等の欠陥は生じにくくなり、もってその封止機能の極めて実効的な発揮が可能になるのである。

なお、このような（２）に係る効果は、前記のコンタクト薄膜５５１が、その断面形状（例えば、補助電極５０１の延在方向における断面形状）に、テーパ形状を含むよう形成されるならば、更に実効的に奏されることになる。この場合、バリア層４０は、このコンタクト薄膜５５１の形成領域と、そうでない領域とを跨ぐ部分においても、その表面が滑らかな状態で作られ得ることになるからである。

以上述べたような効果の内実は、図６及び図７に示す比較例との参照によって、より明瞭に把握される。
まず、図６においては、補助電極５９０の断面形状は完全な矩形状である。この場合、補助電極５９０を覆うようにバリア層４０を形成すると、図６に示すように、当該補助電極５０の角部分近傍において断絶部分Ｚが生じる可能性が極めて高い。
この点、本実施形態では、既に説明しているように、バリア層４０は、テーパ形状内の鈍角を覆うように形成されることになるので、その表面は極めて滑らかである。

ちなみに、図６に示すような事象は特に、補助電極５９０の厚さが、バリア層４０の厚さよりも大きい場合（即ち、Ｔ＞Ｔ１が成立する場合）に発生しやすい。しかしながら、前述の（１）及び（２）に係る効果は、このような関係が成立している場合に、よりよく享受されるという関係にある。つまり、補助電極の厚さが大きければ大きいほど、その抵抗値は下がるので、発光機能層１８の電流制御はより安定的になされ得ることになるし、バリア層４０の厚さが小さければ小さいほど、それ自身の内部応力を原因とする“クラック”（前述したようなステップカバレッジにかかる“クラック”とは、一応原理的には異なるものとして説明され得る。）の発生を回避することができるため、該バリア層４０の封止機能の更なる実効的発揮が可能になるからである。
とすると、図６のような矩形状を含む断面形状をもつ補助電極５９０は、明らかに不利である。
しかるに、本実施形態では、テーパ形状を含む断面形状をもつ補助電極５０１を形成するのであるから、図６のような断絶部分Ｚの発生という心配を殊更する必要なく、補助電極５０１の厚さをバリア層４０の厚さよりも大きくすることが可能なのである（なお、図５と図６とにおいては、実際、両者のＴ及びＴ１がそれぞれ同じ大きさになるように描かれている。）。そして、これによって、先に述べた、それぞれに応じた効果の享受が可能となるのである。
このように、本実施形態では、より総合的な観点からみても、前述の（１）及び（２）のに係る効果の享受が可能となるという利点が得られる。

なお、以上述べた事情は、図５の角度θの上限が設定されるべきことを要求する。上述した、角度θが６０度以下であるという表現は、そのような好適条件としての設定という意味を伴っている。

次に、図７においては、補助電極５９１の断面形状はテーパ形状を含むものの、その角度θｓ（図７参照）は、図５の角度θよりも小さくなっている。この場合、前述の（１）及び（２）に係る効果の享受という点に関して、この図７と図５との間に基本的相違はないとはいえる。むしろ、前述の（２）に係る効果の享受が、より実効的になされ得るという点では、この図７は、図５よりも、好ましい態様を提供するものということができる。

ただ、とはいえ、前述の（１）に係る効果については、影響が皆無とはいえない。というのも、仮に、図５に示す補助電極５０１の幅Ｗを維持したまま、角度θだけを小さくして角度θｓを実現する場合を考えると、その断面形状の面積は明らかに小さくなるから、その抵抗値は増大する。したがって、この場合においては、前述の（１）に係る効果、即ち対抗電極５の電位安定、ないしは発光機能層１８の電流制御安定等といった効果に良からぬ影響が及ぼされ得ることになる。
そこで、角度をθｓ（＜θ）としても、従前と同じ断面積を維持しようとするなら、図７に示すように、補助電極の幅を増大する（幅Ｗから幅Ｗ１へ）ことになる。しかし、これでは新たな問題が生じる。すなわち、補助電極の幅が増大すれば、それに伴い、図４に示した距離ＷＡも増大させる必要が生じてくることになるからである。これでは、有機ＥＬ素子８間の間隔がより大きくなって、開口率が低減し、あるいは画像全体の精細度に影響を及ぼすことになりかねない。
このような事情に鑑みるに、角度θは小さければ小さいほどよいとはいえないのである。

以上を要するに、前述の（２）に係る効果の享受という点では、角度θは小さければ小さいほど好ましいが、前述の（１）に係る効果の享受という点、及び、角度減少に伴って新たに発生する問題を考慮すると、その程度にも限界があるということになる。そして、上述した、角度θが２０度以上であるという表現は、その好適条件としての設定という意味を伴っている。

以上述べたような効果が最も実効的に発揮される実施例は、先に述べた各種の数値等の範囲内で、例えば次のような二通りの組み合わせのそれぞれとして提供される。これらは、それぞれ、本実施形態の最適な実施例の１つを提供する。

＜実施例１＞
補助電極の幅Ｗ ＝３０μｍ
補助電極の厚さＴ ＝３１０ｎｍ、
テーパ形状の角度θ ＝４５度
補助電極の材料 ＝アルミニウム
バリア層４０の厚さＴ１ ＝２００ｎｍ
バリア層４０の材料 ＝ＳｉＯＮ

＜実施例２＞
補助電極の幅Ｗ ＝３０μｍ
補助電極の厚さＴ ＝２００ｎｍ、
テーパ形状の角度θ ＝３０度
補助電極の材料 ＝銀
バリア層４０の厚さＴ１ ＝２００ｎｍ
バリア層４０の材料 ＝ＳｉＯＮ

これらの実施例において、実施例２が、実施例１に比べて、補助電極の厚さを小さくすることができるのは、“銀”の方が、“アルミニウム”に比べて、その抵抗値が小さいからである。また、実施例２が、実施例１に比べて、角度θを小さくすることができるのも同じ理由である。
いずれにせよ、これらの実施例１及び２によって、上述したような本実施形態に係る作用効果が、最も効果的に発揮されることが確認されている。

以下では、以上述べたような有機ＥＬ装置の製造方法、特に補助電極５０１の成膜方法について説明する。

＜本実施形態の成膜方法に用いられる薄膜形成用マスク＞
まず、本実施形態の成膜方法に用いられる薄膜形成用マスクについて、図８及び図９を参照しながら説明する。
本実施形態に係る薄膜形成用マスク７０１（以下単に「マスク７０１」という。）は、図８及び図９に示すように、その断面形状が台形状を含み、かつ、所定の高さ及び長さをもつ台形状マスク７０２が複数列設された構造をもつ。

より詳細には、マスク７０１は、その台形状マスク７０２のほか、枠部７０５をもつ。
枠部７０５は、図８に示すように、おおむね額縁のような形状をもつ。その全体の大きさは、当該マスク７０１を用いて薄膜を形成しようとする基板の大きさに応じて適宜決定することができる。

台形状マスク７０２は、図８において、その枠部７０５の図中上辺及び下辺間を連絡するように延びる。つまり、この台形状マスク７０２は、枠部７０５によって囲われた略長方形状の空間を構成する一辺の長さにほぼ等しい長さをもつ。このような長さをもつ台形状マスク７０２は、図８に示すように、図中左右方向に沿って複数列設されている。これにより、隣接し合う台形状マスク７０２間には、空隙７０３が形成される。
この台形状マスク７０２は、図９に示すように、その断面形状として、高さＸの長方形状と、その長方形状の一辺を（その底辺として）共通にもつ台形状とを接合したかの如き形状をもつ。図９において、台形状部分の斜辺７０２Ｔは図中下方に２つある。断面では、このように斜辺７０２Ｔとしてみえる稜面７０２ＴＦは、図８に示すように、当該台形状マスク７０２の長さ全部にわたって存在する。

このようなマスク７０１は、例えば図１０及び図１１に示すように製造される。これらの図において、マスク７０１は、シリコン単結晶（１１０）基板を母体基板とする。これを前提に、図１０に示すように、第１に、この母体基板中の領域７５１の部分について第１段のエッチングが行われる。これにより、枠部７０５の概形が形作られる。続いて、第２に、母体基板中の領域７５２の部分について第２段のエッチングが行われる。これにより、空隙７０３及び台形状マスク７０２の原型が形作られる。
最後に、第３に、図１１に示すように、前記台形状マスク７０２の原型に対して、第３段のエッチングが行われる。これは、異方性エッチングである。ウェットエッチングであれば、エッチャントとして、例えばＫＯＨ、イソプロピルアルコール及び水の混合物等が好適に利用される。いずれにせよ、そのような異方性エッチングによって、前記原型の角部に対するエッチングのみが進行することにより（図１１中のハッチング部分参照）、最終的には、図９に示したような台形状マスク７０２が形作られることになる。

さて、本実施形態に係る成膜方法は、以上説明した薄膜形成用マスクを用いて、以下のように実施される。

＜補助電極５０１の形成に至るまでの工程＞
まず、素子基板７の上に、回路素子薄膜１１、絶縁膜３０１及び３０２、反射層３４、画素電極１３、発光機能層１８、隔壁３４０、及び対抗電極５のそれぞれが形成される（図３参照）。
これらのうち絶縁膜３０１及び３０２や画素電極１３等の成膜においては、既知であるところの、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やスパッタ法等の成膜方法や、あるいはフォトリソグラフィ法等が適宜利用される。その際、回路素子薄膜１１の成膜では、第１トランジスタ６８等のＴＦＴ（Thin Film Transistor）の製造が含まれるから、その半導体層へのドーピング工程等も行われ、また、画素電極１３の形成過程に際しては、絶縁膜３０１及び３０２にコンタクトホール３６０を形成するために、適当なエッチング工程等も行われる。

また、前記隔壁３４０は、例えば感光性ポリイミドの塗布後、露光工程、現像工程を経て、その外形形状（素・隔壁）を形成した後、この素・隔壁の表面に大気圧プラズマ処理等を施す、等によって製造され得る。大気圧プラズマ処理は、隔壁３４０の表面に撥液性ないし撥インク性をもたせることを目的として行われる。
また、発光機能層１８に関しては、それを低分子材料から作ろうとする場合には、前述した各種の成膜方法を利用することができるが、それを高分子材料から作ろうとする場合には、インクジェット法（液滴吐出法）等を利用することができる。この場合、前述のように隔壁３４０の表面が撥液性ないし撥インク性をもっているのであれば、有効成分を含むインクを、当該隔壁３４０に囲われた空間に的確に吐出していくことが可能になる。

＜補助電極５０１の形成工程＞
このように対向電極５までの製造が完了した素子基板７に対して、続いて、図１２に示すように、補助電極５０１の形成が行われる。なお、以下では、簡単のため、いま述べた「対向電極５までの製造が完了した素子基板７」を、単に「素子基板７（１１〜５）」ということにする。このうち記号“（１１〜５）”は、素子基板７上に、回路素子薄膜１１から対向電極５までが形成済みであることを表現する意図をもって用いられている。また、図１２においては、図面の簡略化のため、その“素子基板７（１１〜５）”を、単なる長方形でもって表現している（後に参照する図１３においても同じである。）。

まず、前述したマスク７０１を準備し、その裏面側（図１２では、上面側）に、素子基板７（１１〜５）を配置する。この場合、空隙７０３から覗かれ得る当該素子基板７（１１〜５）の部分は、図３、図４、あるいは図５に示すところからも明らかなように、隔壁３４０が位置している部分に対応させる必要がある。このような位置あわせにおいて、図４に示す幅ＷＡが同図に示すＷよりも大きく設定されることの重要性が明瞭に把握される。
以上により、空隙７０３からは、隔壁３４０の頭頂部分を覆うように形成された対向電極５の表面が覗いている状態が現出される。

次に、そのような位置あわせが完了した、マスク７０１及び素子基板７（１１〜５）の一体物は、適当なチャンバに封入された後、所定の温度に設定され、かつ、当該一体物を貫く所定の軸ＡＸを中心として回転させられる。
続いて、この回転している一体物に対し、マスク７０１を介した、成膜処理を実施する。ここでいう成膜処理としては、前述した、スパッタ法が利用可能であるほか、原料物質の加熱源として坩堝加熱やレーザ加熱等を利用したＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法が好適に利用可能である。これにより、空隙７０３から覗いている素子基板７（１１〜５）の部分には、所定の物質（好適には、既に述べたように、アルミニウム、銀、等々である。）が堆積していくことになる。

この場合、その物質は、例えば図１２中の矢印に示すような経路ＦＲ１、あるいはＦＲ２を辿る。このうち経路ＦＲ１を辿った物質は、空隙７０３から覗く素子基板７（１１〜５）の表面部分に到達する。ここで特に、この経路ＦＲ１は、図１２に示すように、台形状マスク７０２の斜辺７０２Ｔ（ないしは、稜面７０２ＴＦ）を掠めるようなものとなっているから、当該経路ＦＲ１は、空隙７０３内に当該物質が到達しうるかどうかの限界的意義をもつ経路となっていることがわかる。つまり、当該経路ＦＲ１よりも図中右側に位置する経路（例えば経路ＦＲ２である。）を辿ってマスク７０１にまで至った物質は、台形状マスク７０２によってその進行が遮られ、空隙７０３内には至らないのである（図中破線矢印参照）。
このことと、図１２に示すところからも明らかなように、当該台形状マスク７０２の影となる部分においては物質の堆積が行われないことから、テーパ形状が好適に形作られていくことがわかる。

以上により結局、図１２に示すように、補助電極５０１は、前記空隙７０３の数だけ複数列設され、且つ、その断面形状がテーパ形状を含む薄膜として形成されることになる。
なお、このような成膜方法において、本実施形態では特に、図９を参照して説明した高さＸを調整することにより、テーパ形状にかかる前記の角度θ（図５参照）、あるいはその幅Ｗを調整することが可能となっていることが注意される。すなわち、図１３において端的に示されているように、図１２に比べて高さＸを大きくすれば、補助電極５０１の断面形状における幅Ｗは小さくなり、また、角度θは大きく（θ２（図１３）＞θ１（図１２））なるのである。

このようにして、本実施形態に係る成膜方法によれば、その断面形状にテーパ形状を含み、かつ、その複数が適当な間隔をもって列設されるような線状の補助電極５０１を一挙に、かつ、好適に形成することができる。

なお、上述の成膜方法においては、前記物質の発生源（例えば、前記坩堝加熱による蒸着方法であれば、その坩堝、あるいは蒸発源の意である。）の位置について特段制約を設けていないが、本実施形態においては、上述したようなテーパ形状の形成原理から、空隙７０３から覗く基板７（１１〜５）の表面部分に対して、当該物質が斜めに進入してくるような場所に、当該発生源を設けるようにするのが好ましい。もっとも、この“斜め”の度合いをあまりに大きくすると、飛散した物質の殆ど全てが、台形状マスク７０２によって遮られることになってしまい、成膜効率が著しく下がるという問題が生じうるので、この点は注意を要する。同じことは、前記の高さＸをあまりに大きくしてしまう場合にも生じうる（図１２に図示される補助電極５０１の大きさと図１３におけるそれとを対比しても、それはわかる。）。

＜応用＞
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器について説明する。図１４は、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
図１５に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置に表示される画面がスクロールされる。
図１６に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置に表示される。

上記実施形態に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図１４から図１６に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

本発明の本実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。 図１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。 図１に示す有機ＥＬ装置の適当な破断面を臨んだ断面図であって、特に補助陰極及びそれに関わる要素の形成態様が示されるように選ばれた破断面に基づく断面図である。 図１に示す有機ＥＬ装置の一部拡大平面図であって、特に補助陰極及びそれに関わる要素の形成態様が示されるように選ばれた視点に係る図である。 補助陰極の断面図である。 図５の比較例１である。 図５の比較例２である。 本実施形態に係る補助陰極を形成するために用いられるマスクの平面図である。 図８のＡＡ’断面図である。 図８に示すマスクの製造工程を示す図（その１）である。 図８に示すマスクの製造工程を示す図（その２）である。 図７及び図８に示すマスクを利用して、補助電極を形成する一場面（その１）を示す説明図である。 図７及び図８に示すマスクを利用して、補助電極を形成する一場面（その２）を示す説明図である。 本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。 本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。 本発明に係る有機ＥＬ装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。

符号の説明

７……素子基板、７ａ……画像表示領域、８……有機ＥＬ素子、１３……画素電極、１８……発光機能層、５……対向電極、５０１……補助電極、Ｗ……（補助電極の）幅、Ｔ……（補助電極の）厚さ、θ……（テーパ形状を形作る）角度、４０……バリア層、
１１……回路素子薄膜、３０１……第１層間絶縁膜、３０２……第２層間絶縁膜、３４……反射層、３４０……隔壁、１０３Ａ，１０３Ｂ……走査線駆動回路、１０６……データ線駆動回路、１０６Ａ……プリチャージ回路、２０１……電源線、５５１……コンタクト薄膜
７０１……薄膜形成用マスク、７０２……台形状マスク

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に、この順番で順次形成される下層側電極、発光機能層、及び上層側電極を含む、発光素子と、
   前記上層側電極の上に且つ当該上層側電極と直接の接点をもつように形成される補助電極と、
   前記補助電極及び前記上層側電極を覆うように形成され、前記発光素子に対する水及び酸素の少なくとも一方の進入を防止するバリア層と、
   を備え、
   前記補助電極は、
   平面視して第１方向に延びる線状補助電極を１つ以上含み、
   該線状補助電極の前記第１方向に交わる方向における断面形状は、テーパ形状を含む、
   ことを特徴とする発光装置。
2. 前記線状補助電極の厚さは、前記バリア層の厚さよりも大きい、
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記基板上に形成され、前記上層側電極及び前記補助電極を所定の電位に設定する電源線と、
   前記上層側電極及び前記補助電極と前記電源線との間に介在し、かつ、両者それぞれの少なくとも一部と電気的接触が確保されるように形成されるコンタクト薄膜と、
   を更に備え、
   前記コンタクト薄膜の、少なくとも前記第１方向における断面形状は、テーパ形状を含む、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記テーパ形状を形作る斜辺と、該斜辺の一端に繋がり且つ該斜辺と鋭角を作る該テーパ形状の一辺とのなす角度は、２０度以上、６０度以下である、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記バリア層は、その厚さが３０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下である、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置を備える、
   ことを特徴とする電子機器。
7. その断面形状が台形状を含み、かつ、所定の高さ及び長さをもつ台形状マスクが、所定の間隔をもって複数列設された薄膜形成用マスクを用いた成膜方法であって、
   前記薄膜形成用マスクの裏面に基板を配置する工程と、
   前記台形状マスク間の空隙に覗かれる前記基板の表面に、所定の物質を堆積させることによって、前記空隙の数だけ複数列設され、且つ、その断面形状がテーパ形状を含む薄膜を形成する薄膜形成工程と、
   を含む、
   ことを特徴とする成膜方法。
8. 前記所定の物質は、前記空隙に覗かれる前記基板の表面の全部に対して、斜めに飛散させられる、
   ことを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
9. 前記薄膜形成工程の前に、
   前記基板上に、
   第１に、下層側電極を形成する工程と、
   第２に、発光機能層を形成する工程と、
   第３に、上層側電極を形成する工程と、を含んで、発光素子を形成する工程、
   を含み、
   前記薄膜形成工程は、
   前記空隙に覗かれる前記上層側電極の表面に、前記薄膜として補助電極を形成する工程、
   を含んで実施され、
   且つ、
   当該薄膜形成工程の後に、
   前記補助電極の上に更に、前記発光素子に対する水及び酸素の少なくとも一方の進入を防止するバリア層を形成する工程、
   を含む
   ことを特徴とする請求項７又は８に記載の成膜方法。
   

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