JP2003288986A - 発光装置及び電子機器 - Google Patents
発光装置及び電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線間の寄生容量を少なくすることにより、
画像信号の供給を安定化してコントラスト低下等の画像
表示の異常を引き起こすことがなく、表示面の有効利用
を図ることができる発光装置及び、当該発光装置を備え
る電子機器を提供する。 【解決手段】 発光素子の間に設けられ、発光素子間を
区画するバンク部（ダミーバンク部２１２）の下方向
に、画素用に設けられているＴＦＴ等のスイッチング素
子に走査信号を供給する走査線１０１が形成されてい
る。バンク部の上方向及び発光素子（ダミー発光層２１
０）上には陰極１２が形成されている。バンク部の下方
向に走査線１０１を配置することで、陰極１２と走査線
１０１との間の寄生容量を減少させることができる。
画像信号の供給を安定化してコントラスト低下等の画像
表示の異常を引き起こすことがなく、表示面の有効利用
を図ることができる発光装置及び、当該発光装置を備え
る電子機器を提供する。 【解決手段】 発光素子の間に設けられ、発光素子間を
区画するバンク部（ダミーバンク部２１２）の下方向
に、画素用に設けられているＴＦＴ等のスイッチング素
子に走査信号を供給する走査線１０１が形成されてい
る。バンク部の上方向及び発光素子（ダミー発光層２１
０）上には陰極１２が形成されている。バンク部の下方
向に走査線１０１を配置することで、陰極１２と走査線
１０１との間の寄生容量を減少させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光装置及び電子
機器に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス材料を
備えた発光装置及び当該発光装置を備える電子機器に関
する。
機器に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス材料を
備えた発光装置及び当該発光装置を備える電子機器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、画素電極（陽極）及び陰極の間
に、有機蛍光材料等の発光材料からなる発光素子が挟持
された構造のカラー発光装置、特に発光材料として有機
エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用いた有
機ＥＬ装置の開発が行われている。以下、典型的な発光
装置（有機ＥＬ装置）について簡単に説明する。
に、有機蛍光材料等の発光材料からなる発光素子が挟持
された構造のカラー発光装置、特に発光材料として有機
エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用いた有
機ＥＬ装置の開発が行われている。以下、典型的な発光
装置（有機ＥＬ装置）について簡単に説明する。
【０００３】図１２は、典型的な発光装置の配線構造を
示す図である。図１２に示したように、典型的な発光装
置は、複数の走査線９０１と、走査線９０１に対して交
差する方向に延びる複数の信号線９０２と、信号線９０
２に並行して延びる複数の電源配線９０３とがそれぞれ
配線され、走査線９０１と信号線９０２との各交点毎
に、画素領域Ａが設けられている。各信号線９０２は、
シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びア
ナログスイッチを備えるデータ側駆動回路９０４に接続
されており、各走査線９０１は、シフトレジスタ及びレ
ベルシフタを備える走査側駆動回路９０５に接続されて
いる。
示す図である。図１２に示したように、典型的な発光装
置は、複数の走査線９０１と、走査線９０１に対して交
差する方向に延びる複数の信号線９０２と、信号線９０
２に並行して延びる複数の電源配線９０３とがそれぞれ
配線され、走査線９０１と信号線９０２との各交点毎
に、画素領域Ａが設けられている。各信号線９０２は、
シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びア
ナログスイッチを備えるデータ側駆動回路９０４に接続
されており、各走査線９０１は、シフトレジスタ及びレ
ベルシフタを備える走査側駆動回路９０５に接続されて
いる。
【０００４】また、画素領域Ａの各々には、走査線９０
１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチ
ング薄膜トランジスタ９１３と、このスイッチング薄膜
トランジスタ９１３を介して信号線９０２から供給され
る画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、保持容量Ｃａ
ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給され
るカレント薄膜トランジスタ９１４と、このカレント薄
膜トランジスタ９１４を介して電源配線９０３に電気的
に接続されたときに電源配線９０３から駆動電流が流れ
込む画素電極９１１と、この画素電極９１１と陰極９１
２との間に挟み込まれる発光層９１０とが設けられてい
る。陰極９１２は、陰極用電源回路９３１に接続されて
いる。
１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチ
ング薄膜トランジスタ９１３と、このスイッチング薄膜
トランジスタ９１３を介して信号線９０２から供給され
る画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、保持容量Ｃａ
ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給され
るカレント薄膜トランジスタ９１４と、このカレント薄
膜トランジスタ９１４を介して電源配線９０３に電気的
に接続されたときに電源配線９０３から駆動電流が流れ
込む画素電極９１１と、この画素電極９１１と陰極９１
２との間に挟み込まれる発光層９１０とが設けられてい
る。陰極９１２は、陰極用電源回路９３１に接続されて
いる。
【０００５】上記の発光層９１０には、赤色に発光する
発光層９１０Ｒ、緑色に発光する発光層９１０Ｇ、青色
に発光する発光層９１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、
各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂがストライプ配
置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ９１
４を介して各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂに接
続される電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂは、そ
れぞれ発光用電源回路９３２に接続されている。各色毎
に電源配線が配線されているのは、発光層９１０の駆動
電位が各色毎に異なるためである。
発光層９１０Ｒ、緑色に発光する発光層９１０Ｇ、青色
に発光する発光層９１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、
各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂがストライプ配
置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ９１
４を介して各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂに接
続される電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂは、そ
れぞれ発光用電源回路９３２に接続されている。各色毎
に電源配線が配線されているのは、発光層９１０の駆動
電位が各色毎に異なるためである。
【０００６】以上の構成において、走査線９０１に走査
信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ９１３
がオン状態になると、そのときに信号線９０２に供給さ
れている画像信号に応じた電荷が保持容量Ｃａｐに保持
される。この保持容量Ｃａｐに保持された電荷の量に応
じて、カレント薄膜トランジスタ９１４のオン・オフ状
態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４
を介して電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂから画
素電極９１１に電流が流れ、更に発光層９１０を介して
陰極９１２に駆動電流が流れる。このとき、発光層９１
０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層９１０から
得られる。上記のように複数の電気光学素子の各々に対
応して設けられた画素回路により駆動される式は、アク
ティブマトリクス駆動方式として知られている（例え
ば、特許文献１参照）。
信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ９１３
がオン状態になると、そのときに信号線９０２に供給さ
れている画像信号に応じた電荷が保持容量Ｃａｐに保持
される。この保持容量Ｃａｐに保持された電荷の量に応
じて、カレント薄膜トランジスタ９１４のオン・オフ状
態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４
を介して電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂから画
素電極９１１に電流が流れ、更に発光層９１０を介して
陰極９１２に駆動電流が流れる。このとき、発光層９１
０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層９１０から
得られる。上記のように複数の電気光学素子の各々に対
応して設けられた画素回路により駆動される式は、アク
ティブマトリクス駆動方式として知られている（例え
ば、特許文献１参照）。
【特許文献１】国際公開第ＷＯ９８／３６４０号パンフ
レット。
レット。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した発
光装置に設けられる発光層９１０を安定して発光させる
ためには、電源配線９０３から画素電極９１１に印加す
る駆動電流の電位変動をできるだけ少なくすることが要
求される。しかしながら、図１２に示したように、走査
線９０１、信号線９０２、及び電源配線９０３が入り組
んで配線されているため、電源配線９０３と走査線９０
１及び信号線９０２との間の寄生容量が生じている。こ
の寄生容量が大きいと、定められた期間内に画像信号を
画素領域Ａに供給することができず、コントラストの低
下が生ずる等の正常な画像表示を行えない虞があるとい
う問題があった。
光装置に設けられる発光層９１０を安定して発光させる
ためには、電源配線９０３から画素電極９１１に印加す
る駆動電流の電位変動をできるだけ少なくすることが要
求される。しかしながら、図１２に示したように、走査
線９０１、信号線９０２、及び電源配線９０３が入り組
んで配線されているため、電源配線９０３と走査線９０
１及び信号線９０２との間の寄生容量が生じている。こ
の寄生容量が大きいと、定められた期間内に画像信号を
画素領域Ａに供給することができず、コントラストの低
下が生ずる等の正常な画像表示を行えない虞があるとい
う問題があった。
【０００８】また、上記の発光装置が携帯性を有する電
子機器、例えば携帯電話機の発光装置として用いられる
場合には、表示面積の大面積化が求められるとともに、
小型・軽量化が求められる。この両方の要求に応えるた
めには、発光装置の表示面を有効に利用した構成とする
必要がある。
子機器、例えば携帯電話機の発光装置として用いられる
場合には、表示面積の大面積化が求められるとともに、
小型・軽量化が求められる。この両方の要求に応えるた
めには、発光装置の表示面を有効に利用した構成とする
必要がある。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、配線間の寄生容量を少なくすることにより、画
像信号の供給を安定化してコントラスト低下等の画像表
示の異常を引き起こすことがなく、表示面の有効利用を
図ることができる発光装置及び、当該発光装置を備える
電子機器を提供することを目的とする。
であり、配線間の寄生容量を少なくすることにより、画
像信号の供給を安定化してコントラスト低下等の画像表
示の異常を引き起こすことがなく、表示面の有効利用を
図ることができる発光装置及び、当該発光装置を備える
電子機器を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の発光装置は、第１電極と、前記第１
電極に接続してなるスイッチング素子と、前記第１電極
と第２電極との間に発光層が形成されてなる発光素子
と、複数の前記発光素子によって形成されてなる有効発
光領域と、前記有効発光領域の外側に形成されてなるダ
ミー領域とを有してなる発光装置であって、前記ダミー
領域には絶縁部が形成されてなり、前記絶縁部の下方に
前記スイッチング素子を走査する走査信号を供給する走
査線が形成されてなることを特徴としている。
に、本発明の第１の発光装置は、第１電極と、前記第１
電極に接続してなるスイッチング素子と、前記第１電極
と第２電極との間に発光層が形成されてなる発光素子
と、複数の前記発光素子によって形成されてなる有効発
光領域と、前記有効発光領域の外側に形成されてなるダ
ミー領域とを有してなる発光装置であって、前記ダミー
領域には絶縁部が形成されてなり、前記絶縁部の下方に
前記スイッチング素子を走査する走査信号を供給する走
査線が形成されてなることを特徴としている。
【００１１】この発明によれば、表示に寄与する有効発
光領域以外の表示に寄与しないダミー領域において、走
査線が絶縁部の下方に形成されているため、寄生容量を
低減させることができる。
光領域以外の表示に寄与しないダミー領域において、走
査線が絶縁部の下方に形成されているため、寄生容量を
低減させることができる。
【００１２】上記の発光装置は、前記走査線と前記絶縁
部との間には、複数の層間絶縁層が形成されていること
この発明によれば、走査線と絶縁部との間に複数の層間
絶縁層を形成することで、走査線と第２電極との間隔を
広げることができるため、走査線と第２電極との間に生
ずる寄生容量を低下させる上で好適である。
部との間には、複数の層間絶縁層が形成されていること
この発明によれば、走査線と絶縁部との間に複数の層間
絶縁層を形成することで、走査線と第２電極との間隔を
広げることができるため、走査線と第２電極との間に生
ずる寄生容量を低下させる上で好適である。
【００１３】また、上記の発光装置において、前記第２
電極が、少なくとも前記有効発光領域と前記ダミー領域
とを覆うように形成されていることが好ましい。
電極が、少なくとも前記有効発光領域と前記ダミー領域
とを覆うように形成されていることが好ましい。
【００１４】更に、上記の発光装置において、前記発光
素子には、正孔注入／輸送層が形成されていてもよい。
素子には、正孔注入／輸送層が形成されていてもよい。
【００１５】この発明によれば、発光素子が正孔注入／
輸送層と発光層とが積層されてなり、この発光層に対し
て電位変動の少ない駆動電流を印加することにより、高
輝度で正確な色彩の表示を行うことができる。
輸送層と発光層とが積層されてなり、この発光層に対し
て電位変動の少ない駆動電流を印加することにより、高
輝度で正確な色彩の表示を行うことができる。
【００１６】上記課題を解決するために、本発明の第２
の発光装置は、第１電極と第２電極との間に発光層が形
成されてなる、複数の発光素子によって形成されてなる
有効発光領域と、前記有効発光領域の外側に形成されて
なるダミー領域と、を有し、前記有効発光領域には、前
記複数の発光素子の各々を駆動するための画素回路が設
けられ、前記ダミー領域には絶縁部が形成され、前記絶
縁部の下方には、前記画素回路に走査信号を供給する走
査線の一部が形成され、前記走査線に対して交差して、
前記画素回路にデータ信号を供給するための信号線が形
成され、前記信号線と前記第２電極との間には少なくと
も層間絶縁層が形成されていること、を特徴とする。
の発光装置は、第１電極と第２電極との間に発光層が形
成されてなる、複数の発光素子によって形成されてなる
有効発光領域と、前記有効発光領域の外側に形成されて
なるダミー領域と、を有し、前記有効発光領域には、前
記複数の発光素子の各々を駆動するための画素回路が設
けられ、前記ダミー領域には絶縁部が形成され、前記絶
縁部の下方には、前記画素回路に走査信号を供給する走
査線の一部が形成され、前記走査線に対して交差して、
前記画素回路にデータ信号を供給するための信号線が形
成され、前記信号線と前記第２電極との間には少なくと
も層間絶縁層が形成されていること、を特徴とする。
【００１７】また、上記の発光装置において、さらに前
記画素回路を介して当該画素回路に対応する前記発光素
子 に駆動電力を供給する電源 配線を含み、前記電源配
線は、異なる層に形成されていることが好ましい。この
ような構成とすることにより、配線のためのスペースを
有効に利用することができる。上記の発光装置におい
て、前記電源配線のうち少なくとも前記有効発光領域に
配置される部分は、前記走査線と前記第２電極との間に
形成されていることが好ましい。このような構成とする
ことにより、前記走査線は前記電源配線に比べて前記第
２電極から離れて形成されることとなるので、前記走査
線を介して供給される走査信号の遅延やなまりなどの問
題が低減される。また、前記電源配線が前記走査線に比
べて前記第２電極に接近して配置されるので、前記電源
配線と前記第２電極との間に積極的に容量を形成するこ
とも可能となる。前記電源配線と前記第２電極との間に
積極的に容量を形成することにより、前記電源配線を介
して供給される駆動電力の変動が低減され、駆動電力が
安定化される。上記の発光装置において、前記電源配線
と前記第２電極との間には、層間絶縁層が形成されてい
ることが好ましい。
記画素回路を介して当該画素回路に対応する前記発光素
子 に駆動電力を供給する電源 配線を含み、前記電源配
線は、異なる層に形成されていることが好ましい。この
ような構成とすることにより、配線のためのスペースを
有効に利用することができる。上記の発光装置におい
て、前記電源配線のうち少なくとも前記有効発光領域に
配置される部分は、前記走査線と前記第２電極との間に
形成されていることが好ましい。このような構成とする
ことにより、前記走査線は前記電源配線に比べて前記第
２電極から離れて形成されることとなるので、前記走査
線を介して供給される走査信号の遅延やなまりなどの問
題が低減される。また、前記電源配線が前記走査線に比
べて前記第２電極に接近して配置されるので、前記電源
配線と前記第２電極との間に積極的に容量を形成するこ
とも可能となる。前記電源配線と前記第２電極との間に
積極的に容量を形成することにより、前記電源配線を介
して供給される駆動電力の変動が低減され、駆動電力が
安定化される。上記の発光装置において、前記電源配線
と前記第２電極との間には、層間絶縁層が形成されてい
ることが好ましい。
【００１８】上記の発光装置において、前記第２電極
が、少なくとも前記有効発光領域と前記ダミー領域とを
覆うように形成されていることが好ましい。
が、少なくとも前記有効発光領域と前記ダミー領域とを
覆うように形成されていることが好ましい。
【００１９】上記の発光装置において、前記発光素子に
は、正孔注入／輸送層が形成されてなることが好まし
い。本発明の第３の発光装置は、 第１電極と第２電極
との間に形成された発光層を含む発光素子が複数形成さ
れてなる有効発光領域と、前記有効発光領域の外側に形
成されてなるダミー領域と、前記発光素子を駆動するた
めの画素回路と、前記画素回路に走査信号を供給するた
めの走査線と、前記画素回路にデータ信号を供給するた
めのデータ信号と、を含み、前記走査線の一部分は前記
ダミー領域に設けられ、かつ、前記ダミー領域に設けら
れた絶縁部により前記第２電極から離間されて形成され
ていること、を特徴としている。上記の発光装置におい
て、前記ダミー領域には前記発光素子を構成する少なく
とも１つの機能層が配置され、前記機能層の周囲には前
記絶縁部が設けられていることが好ましい。
は、正孔注入／輸送層が形成されてなることが好まし
い。本発明の第３の発光装置は、 第１電極と第２電極
との間に形成された発光層を含む発光素子が複数形成さ
れてなる有効発光領域と、前記有効発光領域の外側に形
成されてなるダミー領域と、前記発光素子を駆動するた
めの画素回路と、前記画素回路に走査信号を供給するた
めの走査線と、前記画素回路にデータ信号を供給するた
めのデータ信号と、を含み、前記走査線の一部分は前記
ダミー領域に設けられ、かつ、前記ダミー領域に設けら
れた絶縁部により前記第２電極から離間されて形成され
ていること、を特徴としている。上記の発光装置におい
て、前記ダミー領域には前記発光素子を構成する少なく
とも１つの機能層が配置され、前記機能層の周囲には前
記絶縁部が設けられていることが好ましい。
【００２０】本発明の電子機器は、上記の何れかに記載
の発光装置を表示装置として備えることを特徴としてい
る。
の発光装置を表示装置として備えることを特徴としてい
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態による発光装置及び電子機器について詳細に説
明する。尚、以下の説明で参照する各図は、各層や各部
材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層
や各部材毎に縮尺を異ならせてある。図１は、本発明の
一実施形態による発光装置の配線構造を模式的に示す図
である。
実施形態による発光装置及び電子機器について詳細に説
明する。尚、以下の説明で参照する各図は、各層や各部
材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層
や各部材毎に縮尺を異ならせてある。図１は、本発明の
一実施形態による発光装置の配線構造を模式的に示す図
である。
【００２２】図１に示した発光装置１は、スイッチング
素子として薄膜トランジスタ（ThinFilm Transistor）
を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置であ
る。図１に示す本実施形態の発光装置１は、複数の走査
線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延び
る複数の信号線１０２と、信号線１０２に並行して延び
る複数の電源配線１０３とがそれぞれ配線されており、
走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領
域Ａが設けられている。
素子として薄膜トランジスタ（ThinFilm Transistor）
を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置であ
る。図１に示す本実施形態の発光装置１は、複数の走査
線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延び
る複数の信号線１０２と、信号線１０２に並行して延び
る複数の電源配線１０３とがそれぞれ配線されており、
走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領
域Ａが設けられている。
【００２３】各信号線１０２には、シフトレジスタ、レ
ベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備
えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、
各信号線１０２には、薄膜トランジスタを備える検査回
路１０６が接続されている。更に、各走査線１０１に
は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆
動回路１０５が接続されている。
ベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備
えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、
各信号線１０２には、薄膜トランジスタを備える検査回
路１０６が接続されている。更に、各走査線１０１に
は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆
動回路１０５が接続されている。
【００２４】また、画素領域Ａの各々には、スイッチン
グ薄膜トランジスタ（第１のスイッチング素子）１１
２、保持容量Ｃａｐ、カレント薄膜トランジスタ（第２
のスイッチング素子）１２３、画素電極（第１電極）１
１１、発光層１１０、及び陰極（第２電極）１２とが設
けられる。尚、第１のスイッチング素子及び第２のスイ
ッチング素子は、本発明にいうスイッチング素子に相当
しており、上記２つのトランジスタにより画素回路が構
成されている。スイッチング薄膜トランジスタ１１２
は、そのゲート電極に走査線１０１が接続されており、
走査線１０１から供給される走査信号に応じて駆動され
てオン状態又はオフ状態となる。保持容量Ｃａｐは、ス
イッチング薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０
２から供給される画像信号を保持する。
グ薄膜トランジスタ（第１のスイッチング素子）１１
２、保持容量Ｃａｐ、カレント薄膜トランジスタ（第２
のスイッチング素子）１２３、画素電極（第１電極）１
１１、発光層１１０、及び陰極（第２電極）１２とが設
けられる。尚、第１のスイッチング素子及び第２のスイ
ッチング素子は、本発明にいうスイッチング素子に相当
しており、上記２つのトランジスタにより画素回路が構
成されている。スイッチング薄膜トランジスタ１１２
は、そのゲート電極に走査線１０１が接続されており、
走査線１０１から供給される走査信号に応じて駆動され
てオン状態又はオフ状態となる。保持容量Ｃａｐは、ス
イッチング薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０
２から供給される画像信号を保持する。
【００２５】カレント薄膜トランジスタ１２３は、その
ゲート電極がスイッチング薄膜トランジスタ１１２及び
保持容量Ｃａｐに接続されており、保持容量Ｃａｐによ
って保持された画像信号がゲート電極に供給される。画
素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３に接
続されており、カレント薄膜トランジスタ１２３を介し
て電源配線１０３に電気的に接続したときに電源配線１
０３から駆動電流が流れ込む。発光層１１０は画素電極
１１１と陰極１２との間に挟み込まれている。
ゲート電極がスイッチング薄膜トランジスタ１１２及び
保持容量Ｃａｐに接続されており、保持容量Ｃａｐによ
って保持された画像信号がゲート電極に供給される。画
素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３に接
続されており、カレント薄膜トランジスタ１２３を介し
て電源配線１０３に電気的に接続したときに電源配線１
０３から駆動電流が流れ込む。発光層１１０は画素電極
１１１と陰極１２との間に挟み込まれている。
【００２６】上記の少なくとも陽極、発光装置、及び陰
極によって形成される発光層１１０には、赤色に発光す
る発光層１１０Ｒ、緑色に発光する発光層１１０Ｇ、及
び青色に発光する発光層１１０Ｂの３種の発光素子が含
まれ、各発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂがストラ
イプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジス
タ１２３を介して各発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０
Ｂに接続される電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ
がそれぞれ、発光用電源回路１３２に接続されている。
各色毎に電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂが配線
されているのは、発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ
の駆動電位が各色毎に異なるためである。
極によって形成される発光層１１０には、赤色に発光す
る発光層１１０Ｒ、緑色に発光する発光層１１０Ｇ、及
び青色に発光する発光層１１０Ｂの３種の発光素子が含
まれ、各発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂがストラ
イプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジス
タ１２３を介して各発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０
Ｂに接続される電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ
がそれぞれ、発光用電源回路１３２に接続されている。
各色毎に電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂが配線
されているのは、発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ
の駆動電位が各色毎に異なるためである。
【００２７】また、本実施形態の発光装置においては、
陰極１２と電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂとの
間に第１の静電容量Ｃ1が形成されている。発光装置１
が駆動するとこの第１の静電容量Ｃ1に電荷が蓄積され
る。発光装置１の駆動中に各電源配線１０３を流れる駆
動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各
電源配線１０３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制
する。これにより、発光装置１の画像表示を正常に保つ
ことができる。
陰極１２と電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂとの
間に第１の静電容量Ｃ1が形成されている。発光装置１
が駆動するとこの第１の静電容量Ｃ1に電荷が蓄積され
る。発光装置１の駆動中に各電源配線１０３を流れる駆
動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各
電源配線１０３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制
する。これにより、発光装置１の画像表示を正常に保つ
ことができる。
【００２８】尚、この発光装置１においては、走査線１
０１から走査信号が供給されてスイッチング薄膜トラン
ジスタ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１
０２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａ
ｐに保持された電位に応じてカレント薄膜トランジスタ
１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄
膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源配線１
０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂから画素電極１１１に駆動
電流が流れ、更に発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ
を介して陰極１２に電流が流れる。このとき、発光層１
１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層１１０か
ら得られる。
０１から走査信号が供給されてスイッチング薄膜トラン
ジスタ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１
０２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａ
ｐに保持された電位に応じてカレント薄膜トランジスタ
１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄
膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源配線１
０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂから画素電極１１１に駆動
電流が流れ、更に発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ
を介して陰極１２に電流が流れる。このとき、発光層１
１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層１１０か
ら得られる。
【００２９】次に、本実施形態の発光装置１の具体的な
構成について、図２〜図４を参照して説明する。図２
は、本実施形態の発光装置の平面模式図であり、図３
は、図２のＡ−Ａ´線に沿う断面図であり、図４は、図
２のＢ−Ｂ´線に沿う断面図である。図２に示すよう
に、本実施形態の発光装置１は、基板２、不図示の画素
電極群領域、電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１
０３Ｂ）、及び画素部３（図中一点鎖線の枠内）とから
概略構成される。
構成について、図２〜図４を参照して説明する。図２
は、本実施形態の発光装置の平面模式図であり、図３
は、図２のＡ−Ａ´線に沿う断面図であり、図４は、図
２のＢ−Ｂ´線に沿う断面図である。図２に示すよう
に、本実施形態の発光装置１は、基板２、不図示の画素
電極群領域、電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１
０３Ｂ）、及び画素部３（図中一点鎖線の枠内）とから
概略構成される。
【００３０】基板２は、例えばガラス等からなる透明な
基板である。画素電極群領域は、図１に示したカレント
薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極（図示省
略）を基板２上にマトリックス状に配置した領域であ
る。電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ）
は、図２に示したように、画素電極群領域の周囲に配置
され、各画素電極に接続されている。画素部３は、少な
くとも画素電極群領域上に位置し、平面視略矩形形状で
ある。この画素部３は、中央部分の有効発光領域４（図
中二点鎖線の枠内）と、有効発光領域４の外側に配置さ
れたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）
とに区画されている。
基板である。画素電極群領域は、図１に示したカレント
薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極（図示省
略）を基板２上にマトリックス状に配置した領域であ
る。電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ）
は、図２に示したように、画素電極群領域の周囲に配置
され、各画素電極に接続されている。画素部３は、少な
くとも画素電極群領域上に位置し、平面視略矩形形状で
ある。この画素部３は、中央部分の有効発光領域４（図
中二点鎖線の枠内）と、有効発光領域４の外側に配置さ
れたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）
とに区画されている。
【００３１】また、有効発光領域４の図中両側には、前
述の走査線駆動回路１０５が配置されている。この走査
線駆動回路１０５はダミー領域５の下側（基板２側）に
位置して設けられている。更に、ダミー領域５の下側に
は、走査線駆動回路１０５に接続される走査線駆動回路
用制御信号配線１０５ａと走査線駆動回路用電源配線１
０５ｂとが設けられている。また更に、有効発光領域４
の図中上側には、前述の検査回路１０６が配置されてい
る。この検査回路１０６はダミー領域５の下側（基板側
２）に位置して設けられており、この検査回路１０６に
より、製造途中や出荷時の発光装置の品質、欠陥の検査
を行うことができる。
述の走査線駆動回路１０５が配置されている。この走査
線駆動回路１０５はダミー領域５の下側（基板２側）に
位置して設けられている。更に、ダミー領域５の下側に
は、走査線駆動回路１０５に接続される走査線駆動回路
用制御信号配線１０５ａと走査線駆動回路用電源配線１
０５ｂとが設けられている。また更に、有効発光領域４
の図中上側には、前述の検査回路１０６が配置されてい
る。この検査回路１０６はダミー領域５の下側（基板側
２）に位置して設けられており、この検査回路１０６に
より、製造途中や出荷時の発光装置の品質、欠陥の検査
を行うことができる。
【００３２】図２に示すように、電源配線１０３Ｒ，１
０３Ｇ，１０３Ｂは、ダミー領域５の周囲に配設されて
いる。各電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、基
板２の図２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線１
０５ｂに沿って図２中上方に延在し、走査線駆動回路用
電源配線１０５ｂが途切れた位置から折曲してダミー領
域５の外側に沿って延在し、有効発光領域４内にある図
示略の画素電極に接続されている。また、基板２には、
陰極１２に接続される陰極用配線１２ａが形成されてい
る。この陰極用配線１２ａは、電源配線１０３Ｒ，１０
３Ｇ，１０３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成され
ている。
０３Ｇ，１０３Ｂは、ダミー領域５の周囲に配設されて
いる。各電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、基
板２の図２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線１
０５ｂに沿って図２中上方に延在し、走査線駆動回路用
電源配線１０５ｂが途切れた位置から折曲してダミー領
域５の外側に沿って延在し、有効発光領域４内にある図
示略の画素電極に接続されている。また、基板２には、
陰極１２に接続される陰極用配線１２ａが形成されてい
る。この陰極用配線１２ａは、電源配線１０３Ｒ，１０
３Ｇ，１０３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成され
ている。
【００３３】また、基板２の一端には、ポリイミドテー
プ１３０が貼り付けられ、このポリイミドテープ１３０
上に制御用ＩＣ１３１が実装されている。この制御用Ｉ
Ｃ１３１には、図１に示したデータ側駆動回路１０４、
陰極用電源回路１３１、及び発光用電源回路１３２が内
蔵されている。
プ１３０が貼り付けられ、このポリイミドテープ１３０
上に制御用ＩＣ１３１が実装されている。この制御用Ｉ
Ｃ１３１には、図１に示したデータ側駆動回路１０４、
陰極用電源回路１３１、及び発光用電源回路１３２が内
蔵されている。
【００３４】次に、図３及び図４に示すように、基板２
上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に画素
部３が形成されている。また、基板２には、画素部３を
環状に囲む封止材１３が形成されており、更に画素部３
上に封止基板１４が備えられている。封止基板１４は、
封止材１３を介して基板２に接合されており、ガラス、
金属、又は樹脂等からなるものである。この封止基板１
４の裏側には、吸着剤１５が貼付され、画素部３と封止
基板１４との間の空間に混入した水又は酸素を吸収でき
るようになっている。尚、吸着剤１５に代えてゲッター
剤を用いても良い。また、封止材１３は、例えば熱硬化
樹脂又は紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬
化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好まし
い。
上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に画素
部３が形成されている。また、基板２には、画素部３を
環状に囲む封止材１３が形成されており、更に画素部３
上に封止基板１４が備えられている。封止基板１４は、
封止材１３を介して基板２に接合されており、ガラス、
金属、又は樹脂等からなるものである。この封止基板１
４の裏側には、吸着剤１５が貼付され、画素部３と封止
基板１４との間の空間に混入した水又は酸素を吸収でき
るようになっている。尚、吸着剤１５に代えてゲッター
剤を用いても良い。また、封止材１３は、例えば熱硬化
樹脂又は紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬
化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好まし
い。
【００３５】回路部１１の中央部分には、画素電極群領
域１１ａが設けられている。この画素電極群領域１１ａ
には、カレント薄膜トランジスタ１２３と、カレント薄
膜トランジスタ１２３に接続された画素電極１１１が備
えられている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、基
板２上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層
２８３、及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成
され、画素電極１１１は、第１層間絶縁層２８４上に形
成されている。カレント薄膜トランジスタ１２３に接続
され、第２層間絶縁層２８３上に形成された電極の一方
（ソース電極）には、電源配線１０３（１０３Ｒ，１０
３Ｇ，１０３Ｂ）が接続されている。尚、回路部１１に
は、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄膜トラ
ンジスタ１１２も形成されているが、図３及び図４では
これらの図示を省略している。更に、図３及び図４にお
いては、信号線１０２の図示を省略している。更に、図
４においては、スイッチング薄膜トランジスタ１１２及
びカレント薄膜トランジスタ１２３の図示を省略してい
る。
域１１ａが設けられている。この画素電極群領域１１ａ
には、カレント薄膜トランジスタ１２３と、カレント薄
膜トランジスタ１２３に接続された画素電極１１１が備
えられている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、基
板２上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層
２８３、及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成
され、画素電極１１１は、第１層間絶縁層２８４上に形
成されている。カレント薄膜トランジスタ１２３に接続
され、第２層間絶縁層２８３上に形成された電極の一方
（ソース電極）には、電源配線１０３（１０３Ｒ，１０
３Ｇ，１０３Ｂ）が接続されている。尚、回路部１１に
は、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄膜トラ
ンジスタ１１２も形成されているが、図３及び図４では
これらの図示を省略している。更に、図３及び図４にお
いては、信号線１０２の図示を省略している。更に、図
４においては、スイッチング薄膜トランジスタ１１２及
びカレント薄膜トランジスタ１２３の図示を省略してい
る。
【００３６】次に、図３において、画素電極群領域１１
ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が設け
られている。図３に示した走査線駆動回路１０５には、
シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャ
ネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃが
備えられ、この薄膜トランジスタ１０５ｃは、画素電極
１１１に接続されていない点を除いて上記のカレント薄
膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。尚、
図４においては、検査回路１０６の図示を省略している
が、この検査回路１０６にも同様に薄膜トランジスタが
備えられている。検査回路１０６に備えられている薄膜
トランジスタは、後述するダミー画素電極１１１´に接
続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ１
２３と同様の構造とされている。
ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が設け
られている。図３に示した走査線駆動回路１０５には、
シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャ
ネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃが
備えられ、この薄膜トランジスタ１０５ｃは、画素電極
１１１に接続されていない点を除いて上記のカレント薄
膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。尚、
図４においては、検査回路１０６の図示を省略している
が、この検査回路１０６にも同様に薄膜トランジスタが
備えられている。検査回路１０６に備えられている薄膜
トランジスタは、後述するダミー画素電極１１１´に接
続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ１
２３と同様の構造とされている。
【００３７】図３に示すように、走査線駆動回路１０５
の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線回路用制
御信号配線１０５ａが形成されている。また、図４に示
したように、下地保護層２８１上には、走査線１０１が
形成されている。更に、走査線回路用制御信号配線１０
５ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路
用電源配線１０５ｂが形成されている。また、走査線回
路用電源配線１０５ｂの外側には、電源配線１０３が形
成されている。この電源配線１０３は、２つの配線から
なる二重配線構造を採用しており、前述したように画素
部３の外側に配置されている。二重配線構造を採用する
ことで配線抵抗を軽減できる。
の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線回路用制
御信号配線１０５ａが形成されている。また、図４に示
したように、下地保護層２８１上には、走査線１０１が
形成されている。更に、走査線回路用制御信号配線１０
５ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路
用電源配線１０５ｂが形成されている。また、走査線回
路用電源配線１０５ｂの外側には、電源配線１０３が形
成されている。この電源配線１０３は、２つの配線から
なる二重配線構造を採用しており、前述したように画素
部３の外側に配置されている。二重配線構造を採用する
ことで配線抵抗を軽減できる。
【００３８】例えば、図３中左側にある赤色用の電源配
線１０３Ｒは、下地保護層２８１上に形成された第１配
線１０３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配
線１０３Ｒ1上に形成された第２配線１０３Ｒ2とから構
成されている。第１配線１０３Ｒ1及び第２配線１０３
Ｒ2は、図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通
するコンタクトホール１０３Ｒ3により接続されてい
る。このように、第１配線１０３Ｒ1は、陰極用配線１
２ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線１０３
Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間は第２層間絶縁層２８３
が配置されている。また、図３及び図４に示す通り、陰
極用配線１２ａはコンタクトホールを介して第２層間絶
縁層２８３上に形成された陰極用配線１２ｂと電気的に
接続されおり、いわば陰極用配線１２ａも二重配線構造
になっている。よって、第２配線１０３Ｒ2は、陰極用
配線１２ｂと同じ階層位置に形成されており、第１配線
１０３Ｒ2と陰極用配線１２ｂとの間は第１層間絶縁層
２８４が配置されている。このような構造をとること
で、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間、及
び、第２配線１０３Ｒ2と陰極用配線１２ｂとの間に第
２の静電容量Ｃ2が形成されている。
線１０３Ｒは、下地保護層２８１上に形成された第１配
線１０３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配
線１０３Ｒ1上に形成された第２配線１０３Ｒ2とから構
成されている。第１配線１０３Ｒ1及び第２配線１０３
Ｒ2は、図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通
するコンタクトホール１０３Ｒ3により接続されてい
る。このように、第１配線１０３Ｒ1は、陰極用配線１
２ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線１０３
Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間は第２層間絶縁層２８３
が配置されている。また、図３及び図４に示す通り、陰
極用配線１２ａはコンタクトホールを介して第２層間絶
縁層２８３上に形成された陰極用配線１２ｂと電気的に
接続されおり、いわば陰極用配線１２ａも二重配線構造
になっている。よって、第２配線１０３Ｒ2は、陰極用
配線１２ｂと同じ階層位置に形成されており、第１配線
１０３Ｒ2と陰極用配線１２ｂとの間は第１層間絶縁層
２８４が配置されている。このような構造をとること
で、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間、及
び、第２配線１０３Ｒ2と陰極用配線１２ｂとの間に第
２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００３９】同様に、図３の右側にある青色及び緑色用
の電源配線１０３Ｇ，１０３Ｂも二重配線構造を採用し
ており、それぞれ下地保護層２８１上に形成された第１
配線１０３Ｇ1，１０３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上
に形成された第２配線１０３Ｇ2，１０３Ｂ2とから構成
され、第１配線１０３Ｇ1，１０３Ｂ1及び第２配線１０
３Ｇ2，１０３Ｂ2は、図２及び図３に示すように第２層
間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３
Ｇ3，１０３Ｂ3により接続されている。そして、青色の
第１配線１０３Ｂ1と陰極用配線１２ａの間、及び、青
色の第２配線１０３Ｂ2と陰極用配線１２ｂとの間に第
２の静電容量Ｃ2が形成されている。
の電源配線１０３Ｇ，１０３Ｂも二重配線構造を採用し
ており、それぞれ下地保護層２８１上に形成された第１
配線１０３Ｇ1，１０３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上
に形成された第２配線１０３Ｇ2，１０３Ｂ2とから構成
され、第１配線１０３Ｇ1，１０３Ｂ1及び第２配線１０
３Ｇ2，１０３Ｂ2は、図２及び図３に示すように第２層
間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３
Ｇ3，１０３Ｂ3により接続されている。そして、青色の
第１配線１０３Ｂ1と陰極用配線１２ａの間、及び、青
色の第２配線１０３Ｂ2と陰極用配線１２ｂとの間に第
２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００４０】第１配線１０３Ｒ1と第２配線１０３Ｒ2と
の間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好まし
い。間隔が０．６μｍ未満であると、信号線１０２及び
走査線１０１のような異なる電位を有するソースメタル
とゲートメタルとの間の寄生容量が増えるため好ましく
ない。例えば、有効発光領域４内においては、ソースメ
タルとゲートメタルとが交差する箇所が多く存在し、か
かる箇所の寄生容量が多いと画像信号の時間遅延を引き
起こす虞がある。その結果として、定められた期間内に
画像信号を画素電極１１１に書き込む事ができないた
め、コントラストの低下を引き起こす。第１配線１０３
Ｒ1及び第２配線１０３Ｒ2に挟まれる第２層間絶縁層２
８３の材質は、例えばＳｉＯ2等が好ましいが、１．０
μｍ以上形成するとＳｉＯ2の応力により基板２が割れ
る恐れが生じる。
の間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好まし
い。間隔が０．６μｍ未満であると、信号線１０２及び
走査線１０１のような異なる電位を有するソースメタル
とゲートメタルとの間の寄生容量が増えるため好ましく
ない。例えば、有効発光領域４内においては、ソースメ
タルとゲートメタルとが交差する箇所が多く存在し、か
かる箇所の寄生容量が多いと画像信号の時間遅延を引き
起こす虞がある。その結果として、定められた期間内に
画像信号を画素電極１１１に書き込む事ができないた
め、コントラストの低下を引き起こす。第１配線１０３
Ｒ1及び第２配線１０３Ｒ2に挟まれる第２層間絶縁層２
８３の材質は、例えばＳｉＯ2等が好ましいが、１．０
μｍ以上形成するとＳｉＯ2の応力により基板２が割れ
る恐れが生じる。
【００４１】また、各電源配線１０３Ｒの上側には、画
素部３から延出した陰極１２が形成されている。これに
より、各電源配線１０３Ｒの第２配線１０３Ｒ2が、第
１層間絶縁層２８４を挟んで陰極１２と対向配置され、
これにより第２配線１０３Ｒ 2と陰極１２との間に前述
の第１の静電容量Ｃ1が形成される。ここで、第２配線
１０３Ｒ2と陰極１２との間隔は、例えば、０．６〜
１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だ
と、画素電極及びソースメタルのような異なる電位を有
する画素電極とソースメタルとの間の寄生容量が増える
為、ソースメタルを用いている信号線の配線遅延が生じ
る。その結果、定められた期間内に画像信号を書き込む
事ができない為、コントラストの低下を引き起こす。第
２配線１０３Ｒ2と陰極１２に挟まれる第１層間絶縁層
２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好
ましい。しかしながら、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成
すると応力により基板２が割れる恐れが生じる。また、
アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成するこ
とができるが、水を含むと膨張する性質があるため、そ
の上に形成する画素電極を割る恐れがある。
素部３から延出した陰極１２が形成されている。これに
より、各電源配線１０３Ｒの第２配線１０３Ｒ2が、第
１層間絶縁層２８４を挟んで陰極１２と対向配置され、
これにより第２配線１０３Ｒ 2と陰極１２との間に前述
の第１の静電容量Ｃ1が形成される。ここで、第２配線
１０３Ｒ2と陰極１２との間隔は、例えば、０．６〜
１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だ
と、画素電極及びソースメタルのような異なる電位を有
する画素電極とソースメタルとの間の寄生容量が増える
為、ソースメタルを用いている信号線の配線遅延が生じ
る。その結果、定められた期間内に画像信号を書き込む
事ができない為、コントラストの低下を引き起こす。第
２配線１０３Ｒ2と陰極１２に挟まれる第１層間絶縁層
２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好
ましい。しかしながら、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成
すると応力により基板２が割れる恐れが生じる。また、
アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成するこ
とができるが、水を含むと膨張する性質があるため、そ
の上に形成する画素電極を割る恐れがある。
【００４２】このように、本実施形態の発光装置１は、
電源配線１０３と陰極１２との間に第１の静電容量Ｃ1
が設けられるので、電源配線１０３を流れる駆動電流の
電位が変動した場合に第１の静電容量Ｃ1に蓄積された
電荷が電源配線１０３に供給され、駆動電流の電位不足
分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することが
でき、発光装置１の画像表示を正常に保つことができ
る。特に、電源配線１０３と陰極１２とが画素部３の外
側で対向しているので、電源配線１０３と陰極１２との
間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ1に蓄積される電荷
量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより
小さくして画像表示を安定に行うことができる。更に、
電源配線１０３が第１配線及び第２配線からなる二重配
線構造を有し、第１配線と陰極用配線との間に第２の静
電容量Ｃ2が設けられているので、第２の静電容量Ｃ2に
蓄積された電荷も電源配線１０３に供給されるため、電
位変動をより抑制することができ、発光装置１の画像表
示をより正常に保つことができる。
電源配線１０３と陰極１２との間に第１の静電容量Ｃ1
が設けられるので、電源配線１０３を流れる駆動電流の
電位が変動した場合に第１の静電容量Ｃ1に蓄積された
電荷が電源配線１０３に供給され、駆動電流の電位不足
分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することが
でき、発光装置１の画像表示を正常に保つことができ
る。特に、電源配線１０３と陰極１２とが画素部３の外
側で対向しているので、電源配線１０３と陰極１２との
間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ1に蓄積される電荷
量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより
小さくして画像表示を安定に行うことができる。更に、
電源配線１０３が第１配線及び第２配線からなる二重配
線構造を有し、第１配線と陰極用配線との間に第２の静
電容量Ｃ2が設けられているので、第２の静電容量Ｃ2に
蓄積された電荷も電源配線１０３に供給されるため、電
位変動をより抑制することができ、発光装置１の画像表
示をより正常に保つことができる。
【００４３】ここで、カレント薄膜トランジスタ１２３
を含む回路部１１の構造を詳細に説明する。図５は、画
素電極群領域１１ａの要部を示す断面図である。図５に
示すように、基板２の表面には、ＳｉＯ2を主体とする
下地保護層２８１が積層され、この下地保護層２８１上
には島状のシリコン層２４１が形成されている。また、
シリコン層２４１及び下地保護層２８１は、ＳｉＯ2及
び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２により
被覆されている。そして、シリコン層２４１上には、ゲ
ート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２が形成され
ている。
を含む回路部１１の構造を詳細に説明する。図５は、画
素電極群領域１１ａの要部を示す断面図である。図５に
示すように、基板２の表面には、ＳｉＯ2を主体とする
下地保護層２８１が積層され、この下地保護層２８１上
には島状のシリコン層２４１が形成されている。また、
シリコン層２４１及び下地保護層２８１は、ＳｉＯ2及
び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２により
被覆されている。そして、シリコン層２４１上には、ゲ
ート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２が形成され
ている。
【００４４】尚、図５においては、カレント薄膜トラン
ジスタ１２３の断面構造を示しているが、スイッチング
薄膜トランジスタ１１２も同様の構造である。スイッチ
ング薄膜トランジスタ１１２のゲート電極２４２は図４
に示した走査線１０１に接続される。また、ゲート電極
２４２及びゲート絶縁層２８２は、ＳｉＯ2を主体とす
る第２層間絶縁層２８３によって被覆されている。尚、
本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率
の高い成分のことをいうものとする。
ジスタ１２３の断面構造を示しているが、スイッチング
薄膜トランジスタ１１２も同様の構造である。スイッチ
ング薄膜トランジスタ１１２のゲート電極２４２は図４
に示した走査線１０１に接続される。また、ゲート電極
２４２及びゲート絶縁層２８２は、ＳｉＯ2を主体とす
る第２層間絶縁層２８３によって被覆されている。尚、
本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率
の高い成分のことをいうものとする。
【００４５】次に、シリコン層２４１のうち、ゲート絶
縁層２８２を介してゲート電極２４２と対向する領域が
チャネル領域２４１ａとされている。また、シリコン層
２４１のうち、チャネル領域２４１ａの図中左側には低
濃度ソース領域２４１ｂ及び高濃度ソース領域２４１Ｓ
が設けられる。チャネル領域２４１ａの図中右側には低
濃度ドレイン領域２４１ｃ及び高濃度ドレイン領域２４
１Ｄが設けられており、いわゆるＬＤＤ（Light Doped
Drain）構造が形成されている。カレント薄膜トランジ
スタ１２３は、このシリコン層２４１を主体として構成
されている。
縁層２８２を介してゲート電極２４２と対向する領域が
チャネル領域２４１ａとされている。また、シリコン層
２４１のうち、チャネル領域２４１ａの図中左側には低
濃度ソース領域２４１ｂ及び高濃度ソース領域２４１Ｓ
が設けられる。チャネル領域２４１ａの図中右側には低
濃度ドレイン領域２４１ｃ及び高濃度ドレイン領域２４
１Ｄが設けられており、いわゆるＬＤＤ（Light Doped
Drain）構造が形成されている。カレント薄膜トランジ
スタ１２３は、このシリコン層２４１を主体として構成
されている。
【００４６】高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁
層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って開孔するコ
ンタクトホール２４４を介して、第２層間絶縁層２８３
上に形成されたソース電極２４３に接続されている。こ
のソース電極２４３は、上述した信号線１０２の一部と
して構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄ
は、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙
って開孔するコンタクトホール２４５を介して、ソース
電極２４３と同一層に形成されたドレイン電極２４４に
接続されている。
層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って開孔するコ
ンタクトホール２４４を介して、第２層間絶縁層２８３
上に形成されたソース電極２４３に接続されている。こ
のソース電極２４３は、上述した信号線１０２の一部と
して構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄ
は、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙
って開孔するコンタクトホール２４５を介して、ソース
電極２４３と同一層に形成されたドレイン電極２４４に
接続されている。
【００４７】ソース電極２４３及びドレイン電極２４４
が形成された第２層間絶縁層２８３上に第１層間絶縁層
２８４が形成されている。そして、ＩＴＯ等からなる透
明な画素電極１１１が、この第１層間絶縁層２８４上に
形成されるとともに、第１層間絶縁層２８４に設けられ
たコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４
４に接続されている。即ち、画素電極１１１は、ドレイ
ン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレ
イン電極２４１Ｄに接続されている。尚、図３に示すよ
うに、画素電極１１１は有効発光領域４に対応する位置
に形成されているが、有効発光領域４の周囲に形成され
たダミー領域５には、画素電極１１１と同じ形態のダミ
ー画素電極１１１´が設けられる。このダミー画素電極
１１１´は、高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されな
い点を除き、画素電極１１１と同一の形態である。
が形成された第２層間絶縁層２８３上に第１層間絶縁層
２８４が形成されている。そして、ＩＴＯ等からなる透
明な画素電極１１１が、この第１層間絶縁層２８４上に
形成されるとともに、第１層間絶縁層２８４に設けられ
たコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４
４に接続されている。即ち、画素電極１１１は、ドレイ
ン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレ
イン電極２４１Ｄに接続されている。尚、図３に示すよ
うに、画素電極１１１は有効発光領域４に対応する位置
に形成されているが、有効発光領域４の周囲に形成され
たダミー領域５には、画素電極１１１と同じ形態のダミ
ー画素電極１１１´が設けられる。このダミー画素電極
１１１´は、高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されな
い点を除き、画素電極１１１と同一の形態である。
【００４８】次に、画素部３の実画素領域４には、発光
層１１０及びバンク部（絶縁部）１２２が形成されてい
る。発光層１１０は図３〜図５に示すように、画素電極
１１１上の各々に積層されている。また、バンク部１２
２は、各画素電極１１１及び各発光層１１０の間に備え
られており、各発光層１１０を区画している。バンク部
１２２は、基板２側に位置する無機物バンク層１２２ａ
と基板２から離れて位置する有機物バンク層１２２ｂと
が積層されて構成されている。尚、無機物バンク層１２
２ａと有機物バンク層１２２ｂとの間に遮光層を配置し
てもよい。
層１１０及びバンク部（絶縁部）１２２が形成されてい
る。発光層１１０は図３〜図５に示すように、画素電極
１１１上の各々に積層されている。また、バンク部１２
２は、各画素電極１１１及び各発光層１１０の間に備え
られており、各発光層１１０を区画している。バンク部
１２２は、基板２側に位置する無機物バンク層１２２ａ
と基板２から離れて位置する有機物バンク層１２２ｂと
が積層されて構成されている。尚、無機物バンク層１２
２ａと有機物バンク層１２２ｂとの間に遮光層を配置し
てもよい。
【００４９】無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２
ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるまで延出形
成されており、また無機物バンク層１２２ａは、有機物
バンク層１２２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出
形成されている。また、無機物バンク層１２２ａは、例
えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機材料からなる
ことが好ましい。また無機物バンク層１２２ａの膜厚
は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎ
ｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１
２２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔
注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましく
ない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、無機物バンク
層１２２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送
層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくな
るので好ましくない。
ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるまで延出形
成されており、また無機物バンク層１２２ａは、有機物
バンク層１２２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出
形成されている。また、無機物バンク層１２２ａは、例
えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機材料からなる
ことが好ましい。また無機物バンク層１２２ａの膜厚
は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎ
ｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１
２２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔
注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましく
ない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、無機物バンク
層１２２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送
層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくな
るので好ましくない。
【００５０】更に、有機物バンク層１２２ｂは、アクリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成さ
れている。この有機物バンク層１２２ｂの厚さは、０．
１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよ
い。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸
送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１２２ｂが
薄くなり、発光層が上部開口部から溢れるおそれがある
ので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越える
と、上部開口部による段差が大きくなり、有機物バンク
層１２２ｂ上に形成する陰極１２のステップカバレッジ
を確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バ
ンク層１２２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２
と画素電極１１１との絶縁を高めることができる点でよ
り好ましい。このようにして、発光層１１０は、バンク
部１２２より薄く形成されている。
ル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成さ
れている。この有機物バンク層１２２ｂの厚さは、０．
１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよ
い。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸
送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１２２ｂが
薄くなり、発光層が上部開口部から溢れるおそれがある
ので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越える
と、上部開口部による段差が大きくなり、有機物バンク
層１２２ｂ上に形成する陰極１２のステップカバレッジ
を確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バ
ンク層１２２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２
と画素電極１１１との絶縁を高めることができる点でよ
り好ましい。このようにして、発光層１１０は、バンク
部１２２より薄く形成されている。
【００５１】また、バンク部１２２の周辺には、親液性
を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親
液性を示す領域は、無機物バンク層１２２ａ及び画素電
極１１１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスと
するプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入され
ている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１
２２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズ
マ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親
液性を示す領域は、無機物バンク層１２２ａ及び画素電
極１１１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスと
するプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入され
ている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１
２２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズ
マ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
【００５２】次に、図５に示すように、発光層１１０
は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１
１０ａ上に積層されている。尚、本明細書では、発光層
１１０及び正孔注入／輸送層１１０ａを含む構成を機能
層といい、画素電極１１１、機能層、及び陰極１２含む
構成を発光素子という。正孔注入／輸送層１１０ａは、
正孔を発光層１１０に注入する機能を有するとともに、
正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する
機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを
画素電極１１１と発光層１１０の間に設けることによ
り、発光層１１０の発光効率、寿命等の素子特性が向上
する。また、発光層１１０では、正孔注入／輸送層１１
０ａから注入された正孔と、陰極１２からの電子とが結
合して蛍光を発生させる。発光層１１ｂは、赤色（Ｒ）
に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光
層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有
し、図１及び図２に示すように、各発光層がストライプ
配置されている。
は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１
１０ａ上に積層されている。尚、本明細書では、発光層
１１０及び正孔注入／輸送層１１０ａを含む構成を機能
層といい、画素電極１１１、機能層、及び陰極１２含む
構成を発光素子という。正孔注入／輸送層１１０ａは、
正孔を発光層１１０に注入する機能を有するとともに、
正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する
機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを
画素電極１１１と発光層１１０の間に設けることによ
り、発光層１１０の発光効率、寿命等の素子特性が向上
する。また、発光層１１０では、正孔注入／輸送層１１
０ａから注入された正孔と、陰極１２からの電子とが結
合して蛍光を発生させる。発光層１１ｂは、赤色（Ｒ）
に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光
層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有
し、図１及び図２に示すように、各発光層がストライプ
配置されている。
【００５３】次に、図３及び図４に示したように、画素
部３のダミー領域５には、ダミー発光層２１０及びダミ
ーバンク部２１２が形成されている。ダミーバンク部２
１２は、基板２側に位置するダミー無機物バンク層２１
２ａと基板２から離れて位置するダミー有機物バンク層
２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物
バンク層２１２ａは、ダミー画素電極１１１´の全面に
形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂ
は、有機物バンク層１２２ｂと同様に画素電極１１１の
間に形成されている。そして、ダミー発光層２１０は、
ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極１
１１´上に形成されている。
部３のダミー領域５には、ダミー発光層２１０及びダミ
ーバンク部２１２が形成されている。ダミーバンク部２
１２は、基板２側に位置するダミー無機物バンク層２１
２ａと基板２から離れて位置するダミー有機物バンク層
２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物
バンク層２１２ａは、ダミー画素電極１１１´の全面に
形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂ
は、有機物バンク層１２２ｂと同様に画素電極１１１の
間に形成されている。そして、ダミー発光層２１０は、
ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極１
１１´上に形成されている。
【００５４】ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー
有機物バンク層２１１ｂは、先に説明した無機物、有機
物バンク層１２２ａ，１２２ｂと同様の材質、同様の膜
厚を有するものである。また、ダミー発光層２１０は、
図示略のダミー正孔注入／輸送層上に積層されており、
ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚
は、前述の正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０
と同様である。従って、上記の発光層１１０と同様に、
ダミー発光層２１０はダミーバンク部２１２より薄く形
成されている。
有機物バンク層２１１ｂは、先に説明した無機物、有機
物バンク層１２２ａ，１２２ｂと同様の材質、同様の膜
厚を有するものである。また、ダミー発光層２１０は、
図示略のダミー正孔注入／輸送層上に積層されており、
ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚
は、前述の正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０
と同様である。従って、上記の発光層１１０と同様に、
ダミー発光層２１０はダミーバンク部２１２より薄く形
成されている。
【００５５】ダミー領域５を有効発光領域４の周囲に配
置することにより、有効発光領域４の発光層１１０の厚
さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することが
できる。即ち、ダミー領域５を配置することで、表示素
子をインクジェット法によって形成する場合における吐
出した組成物インクの乾燥条件を有効発光領域４内で一
定にすることができ、有効発光領域４の周縁部で発光層
１１０の厚さに偏りが生じる虞がない。
置することにより、有効発光領域４の発光層１１０の厚
さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することが
できる。即ち、ダミー領域５を配置することで、表示素
子をインクジェット法によって形成する場合における吐
出した組成物インクの乾燥条件を有効発光領域４内で一
定にすることができ、有効発光領域４の周縁部で発光層
１１０の厚さに偏りが生じる虞がない。
【００５６】次に、陰極１２は、有効発光領域４とダミ
ー領域５の全面に形成されるとともにダミー領域５の外
側にある基板２上まで延出され、ダミー領域５の外側、
即ち画素部３の外側で電源配線１０３と対向配置されて
いる。また陰極１２の端部が、回路部１１に形成された
陰極用配線１２ａに接続されている。陰極１２は、画素
電極１１１の対向電極として発光層１１０に電流を流す
役割を果たす。この陰極１２は、例えば、フッ化リチウ
ムとカルシウムの積層体からなる陰極層１２ｂと、反射
層１２ｃとが積層されて構成されている。陰極１２のう
ち、反射層１２ｃのみが画素部３の外側まで延出されて
いる。反射層１２ｃは、発光層１１０から発した光を基
板２側に反射させるもので、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ
/Ａｇ積層体等からなることが好ましい。更に、反射層
１２ｂ上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保
護層を設けても良い。
ー領域５の全面に形成されるとともにダミー領域５の外
側にある基板２上まで延出され、ダミー領域５の外側、
即ち画素部３の外側で電源配線１０３と対向配置されて
いる。また陰極１２の端部が、回路部１１に形成された
陰極用配線１２ａに接続されている。陰極１２は、画素
電極１１１の対向電極として発光層１１０に電流を流す
役割を果たす。この陰極１２は、例えば、フッ化リチウ
ムとカルシウムの積層体からなる陰極層１２ｂと、反射
層１２ｃとが積層されて構成されている。陰極１２のう
ち、反射層１２ｃのみが画素部３の外側まで延出されて
いる。反射層１２ｃは、発光層１１０から発した光を基
板２側に反射させるもので、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ
/Ａｇ積層体等からなることが好ましい。更に、反射層
１２ｂ上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保
護層を設けても良い。
【００５７】ここで、図４に示すように、下地保護層２
８１上に形成されている走査線１０１は、ダミーバンク
部２１２、更にはバンク部２１２の下方に位置するよう
に配置されている。これは、走査線１０１をダミーバン
ク部２１２及びバンク部２１２の下方に配置すること
で、走査線１０１と陰極１２との間隔を広げることによ
り、走査線１０１と陰極１２との間の寄生容量を小さく
するためである。
８１上に形成されている走査線１０１は、ダミーバンク
部２１２、更にはバンク部２１２の下方に位置するよう
に配置されている。これは、走査線１０１をダミーバン
ク部２１２及びバンク部２１２の下方に配置すること
で、走査線１０１と陰極１２との間隔を広げることによ
り、走査線１０１と陰極１２との間の寄生容量を小さく
するためである。
【００５８】本実施形態においては、走査線１０１と陰
極１２との間に、複数の層間絶縁層（第２層間絶縁層２
８３及び第１層間絶縁層２８４）及びバンク部２１２が
配置されており、走査線１０１と陰極１２との間隔を広
げることができるため、走査線１０１と陰極１２との間
の寄生容量を小さくする上で極めて好適である。この寄
生容量が小さくなることにより、走査線１０１に供給さ
れる走査信号の時間的遅延を抑えることができるため、
定められた期間内に画像信号を画素電極１１１に書き込
むことができるようになり、コントラストの低下を防止
することができる。
極１２との間に、複数の層間絶縁層（第２層間絶縁層２
８３及び第１層間絶縁層２８４）及びバンク部２１２が
配置されており、走査線１０１と陰極１２との間隔を広
げることができるため、走査線１０１と陰極１２との間
の寄生容量を小さくする上で極めて好適である。この寄
生容量が小さくなることにより、走査線１０１に供給さ
れる走査信号の時間的遅延を抑えることができるため、
定められた期間内に画像信号を画素電極１１１に書き込
むことができるようになり、コントラストの低下を防止
することができる。
【００５９】次に、本実施形態の発光装置１の製造方法
について説明する。図６〜図９は、本発明の一実施形態
による発光装置の製造方法を説明する工程図である。ま
ず、図６〜図８を参照して、基板２上に回路部１１を形
成する方法について説明する。尚、図６〜図８に示す各
断面図は、図２中のＡ−Ａ´線に沿う断面に対応してい
る。また、以下の説明において、不純物濃度は、いずれ
も活性化アニール後の不純物として表される。
について説明する。図６〜図９は、本発明の一実施形態
による発光装置の製造方法を説明する工程図である。ま
ず、図６〜図８を参照して、基板２上に回路部１１を形
成する方法について説明する。尚、図６〜図８に示す各
断面図は、図２中のＡ−Ａ´線に沿う断面に対応してい
る。また、以下の説明において、不純物濃度は、いずれ
も活性化アニール後の不純物として表される。
【００６０】まず、図６（ａ）に示すように、基板２上
に、シリコン酸化膜などからなる下地保護層２８１を形
成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用
いてアモルファスシリコン層を形成した後、レーザアニ
ール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシ
リコン層５０１とする。その後、ポリシリコン層５０１
をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、図６
（ｂ）に示すように島状のシリコン層２４１，２５１，
２６１を形成し、更にシリコン酸化膜からなるゲート絶
縁層２８２を形成する。
に、シリコン酸化膜などからなる下地保護層２８１を形
成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用
いてアモルファスシリコン層を形成した後、レーザアニ
ール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシ
リコン層５０１とする。その後、ポリシリコン層５０１
をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、図６
（ｂ）に示すように島状のシリコン層２４１，２５１，
２６１を形成し、更にシリコン酸化膜からなるゲート絶
縁層２８２を形成する。
【００６１】シリコン層２４１は、有効発光領域４に対
応する位置に形成されて画素電極１１１に接続されるカ
レント薄膜トランジスタ１２３（以下、「画素用ＴＦ
Ｔ」と表記する場合がある）を構成するものであり、シ
リコン層２５１，２６１は、走査線駆動回路１０５内の
Ｐチャネル型及びＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以
下、「駆動回路用ＴＦＴ」と表記する場合がある）をそ
れぞれ構成するものである。
応する位置に形成されて画素電極１１１に接続されるカ
レント薄膜トランジスタ１２３（以下、「画素用ＴＦ
Ｔ」と表記する場合がある）を構成するものであり、シ
リコン層２５１，２６１は、走査線駆動回路１０５内の
Ｐチャネル型及びＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以
下、「駆動回路用ＴＦＴ」と表記する場合がある）をそ
れぞれ構成するものである。
【００６２】ゲート絶縁層２８２の形成は、プラズマＣ
ＶＤ法、熱酸化法等により、各シリコン層２４１，２５
１，２６１及び下地保護層２８１を覆う厚さ約３０ｎｍ
〜２００ｎｍのシリコン酸化膜を形成することにより行
う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を
形成する際には、シリコン層２４１，２５１，２６１の
結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層と
することができる。チャネルドープを行う場合には、例
えば、このタイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量
でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４
１，２５１，２６１は、不純物濃度が約１×１０-17ｃ
ｍ-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
ＶＤ法、熱酸化法等により、各シリコン層２４１，２５
１，２６１及び下地保護層２８１を覆う厚さ約３０ｎｍ
〜２００ｎｍのシリコン酸化膜を形成することにより行
う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を
形成する際には、シリコン層２４１，２５１，２６１の
結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層と
することができる。チャネルドープを行う場合には、例
えば、このタイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量
でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４
１，２５１，２６１は、不純物濃度が約１×１０-17ｃ
ｍ-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００６３】次に、図６（ｃ）に示すように、シリコン
層２４１，２６１の一部にイオン注入選択マスクＭ1を
形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2の
ドーズ量でイオン注入する。その結果、イオン注入選択
マスクＭ1に対してセルフアライン的に高濃度不純物が
導入され、シリコン層２４１，２６１中に高濃度ソース
領域２４１Ｓ，２６１Ｓ及び高濃度ドレイン領域２４１
Ｄ，２６１Ｄが形成される。
層２４１，２６１の一部にイオン注入選択マスクＭ1を
形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2の
ドーズ量でイオン注入する。その結果、イオン注入選択
マスクＭ1に対してセルフアライン的に高濃度不純物が
導入され、シリコン層２４１，２６１中に高濃度ソース
領域２４１Ｓ，２６１Ｓ及び高濃度ドレイン領域２４１
Ｄ，２６１Ｄが形成される。
【００６４】その後、図６（ｄ）に示すように、イオン
注入選択マスクＭ1を除去した後に、ゲート絶縁層２８
２上にドープドシリコン、シリサイド膜、或いはアルミ
ニウム膜やクロム膜、タンタル膜といった厚さ約２００
ｎｍ程度の金属膜を形成し、更にこの金属膜をパターニ
ングすることにより、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ
のゲート電極２５２、画素用ＴＦＴのゲート電極２４
２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２６
２を形成する。また、上記パターニングにより、走査線
駆動回路用信号配線１０５ａ、電源配線の第１配線１０
３Ｒ1，１０３Ｇ1，１０３Ｂ1、陰極用配線１２ａの一
部を同時に形成する。更に、これらのゲート電極２４
２，２５２，２６２等を形成するときに、図４に示した
走査線１０１を同時に形成する。
注入選択マスクＭ1を除去した後に、ゲート絶縁層２８
２上にドープドシリコン、シリサイド膜、或いはアルミ
ニウム膜やクロム膜、タンタル膜といった厚さ約２００
ｎｍ程度の金属膜を形成し、更にこの金属膜をパターニ
ングすることにより、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ
のゲート電極２５２、画素用ＴＦＴのゲート電極２４
２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２６
２を形成する。また、上記パターニングにより、走査線
駆動回路用信号配線１０５ａ、電源配線の第１配線１０
３Ｒ1，１０３Ｇ1，１０３Ｂ1、陰極用配線１２ａの一
部を同時に形成する。更に、これらのゲート電極２４
２，２５２，２６２等を形成するときに、図４に示した
走査線１０１を同時に形成する。
【００６５】更に、ゲート電極２４２，２５２，２６２
をマスクとし、シリコン層２４１，２５１，２６１に対
してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドープ量でイオ
ン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２，２
６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入さ
れ、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１，２６
１中に低濃度ソース領域２４１ｂ，２６１ｂ、及び低濃
度ドレイン領域２４１ｃ，２６１ｃが形成される。ま
た、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓ，
２５１Ｄが形成される。
をマスクとし、シリコン層２４１，２５１，２６１に対
してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドープ量でイオ
ン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２，２
６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入さ
れ、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１，２６
１中に低濃度ソース領域２４１ｂ，２６１ｂ、及び低濃
度ドレイン領域２４１ｃ，２６１ｃが形成される。ま
た、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓ，
２５１Ｄが形成される。
【００６６】次に、図７（ａ）に示すように、ゲート電
極２５２の周辺を除く全面にイオン注入選択マスクＭ2
を形成する。このイオン注入選択マスクＭ2を用いて、
シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１
０15ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。結果として、
ゲート電極２５２もマスクとして機能し、シリコン層２
５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされ
る。これにより２５１Ｓ及び２５１Ｄがカウンタードー
プされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領
域及びドレイン領域となる。
極２５２の周辺を除く全面にイオン注入選択マスクＭ2
を形成する。このイオン注入選択マスクＭ2を用いて、
シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１
０15ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。結果として、
ゲート電極２５２もマスクとして機能し、シリコン層２
５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされ
る。これにより２５１Ｓ及び２５１Ｄがカウンタードー
プされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領
域及びドレイン領域となる。
【００６７】そして、図７（ｂ）に示すように、イオン
注入選択マスクＭ2を除去した後に、基板２の全面に第
２層間絶縁層２８３を形成し、更にフォトリソグラフィ
法により第２層間絶縁層２８３をパターニングして、各
ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極並びに陰極用配線
１２ａに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔Ｈ
1を設ける。次に、図７（ｃ）に示すように、第２層間
絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タ
ンタル等の金属からなる厚さ約２００ｎｍないし８００
ｎｍ程度の導電層５０４を形成することにより、先に形
成した孔Ｈ1にこれらの金属を埋め込んでコンタクトホ
ールを形成する。更に導電層５０４上にパターニング用
マスクＭ3を形成する。
注入選択マスクＭ2を除去した後に、基板２の全面に第
２層間絶縁層２８３を形成し、更にフォトリソグラフィ
法により第２層間絶縁層２８３をパターニングして、各
ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極並びに陰極用配線
１２ａに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔Ｈ
1を設ける。次に、図７（ｃ）に示すように、第２層間
絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タ
ンタル等の金属からなる厚さ約２００ｎｍないし８００
ｎｍ程度の導電層５０４を形成することにより、先に形
成した孔Ｈ1にこれらの金属を埋め込んでコンタクトホ
ールを形成する。更に導電層５０４上にパターニング用
マスクＭ3を形成する。
【００６８】次に、図８（ａ）に示すように、導電層５
０４をパターニング用マスクＭ3によってパターニング
し、各ＴＦＴのソース電極２４３，２５３，２６３、ド
レイン電極２４４，２５４、各電源配線の第２配線１０
３Ｒ2，１０３Ｇ2，１０３Ｂ 2、走査線回路用電源配線
１０５ｂ、及び陰極用配線１２ａを形成する。上記のよ
うに、第１配線１０３Ｒ1及び１０３Ｂ1を陰極用配線１
２ａと同じ階層に離間して形成するとともに、第２配線
１０３Ｒ2及び１０３Ｂ2を陰極用配線１２ｂと同じ階層
に離間して形成することで、第２の静電容量Ｃ2が形成
される。
０４をパターニング用マスクＭ3によってパターニング
し、各ＴＦＴのソース電極２４３，２５３，２６３、ド
レイン電極２４４，２５４、各電源配線の第２配線１０
３Ｒ2，１０３Ｇ2，１０３Ｂ 2、走査線回路用電源配線
１０５ｂ、及び陰極用配線１２ａを形成する。上記のよ
うに、第１配線１０３Ｒ1及び１０３Ｂ1を陰極用配線１
２ａと同じ階層に離間して形成するとともに、第２配線
１０３Ｒ2及び１０３Ｂ2を陰極用配線１２ｂと同じ階層
に離間して形成することで、第２の静電容量Ｃ2が形成
される。
【００６９】以上の工程が終了すると、図８（ｂ）に示
すように、第２層間絶縁層２８３を覆う第１層間絶縁層
２８４を、例えばアクリル系などの樹脂材料によって形
成する。この第１層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程
度の厚さに形成されることが望ましい。次に、図８
（ｃ）に示すように、第１層間絶縁層２８４のうち、画
素用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッ
チングによって除去してコンタクトホール形成用の孔Ｈ
2を形成する。このとき、同時に陰極用配線１２ａ上の
第１層間絶縁層２８４も除去する。このようにして、基
板２上に回路部１１が形成される。
すように、第２層間絶縁層２８３を覆う第１層間絶縁層
２８４を、例えばアクリル系などの樹脂材料によって形
成する。この第１層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程
度の厚さに形成されることが望ましい。次に、図８
（ｃ）に示すように、第１層間絶縁層２８４のうち、画
素用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッ
チングによって除去してコンタクトホール形成用の孔Ｈ
2を形成する。このとき、同時に陰極用配線１２ａ上の
第１層間絶縁層２８４も除去する。このようにして、基
板２上に回路部１１が形成される。
【００７０】次に、図９を参照して、回路部１１上に画
素部３を形成することにより発光装置１を得る手順につ
いて説明する。図９に示す断面図は、図２中のＡ−Ａ´
線に沿う断面に対応している。まず、図９（ａ）に示す
ように、基板２の全面を覆うようにＩＴＯ等の透明電極
材料からなる薄膜を形成し、この薄膜をパターニングす
ることにより、第１層間絶縁層２８４に設けた孔Ｈ2を
埋めてコンタクトホール１１１ａを形成するとともに、
画素電極１１１及びダミー画素電極１１１´を形成す
る。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２
３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１
ａを介してカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチ
ング素子）に接続される。尚、ダミー電極１１１´は島
状に配置される。
素部３を形成することにより発光装置１を得る手順につ
いて説明する。図９に示す断面図は、図２中のＡ−Ａ´
線に沿う断面に対応している。まず、図９（ａ）に示す
ように、基板２の全面を覆うようにＩＴＯ等の透明電極
材料からなる薄膜を形成し、この薄膜をパターニングす
ることにより、第１層間絶縁層２８４に設けた孔Ｈ2を
埋めてコンタクトホール１１１ａを形成するとともに、
画素電極１１１及びダミー画素電極１１１´を形成す
る。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２
３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１
ａを介してカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチ
ング素子）に接続される。尚、ダミー電極１１１´は島
状に配置される。
【００７１】次に、図９（ｂ）に示すように、第１層間
絶縁層２８４、画素電極１１１、及びダミー画素電極１
１１´上に無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バ
ンク層２１２ａを形成する。無機物バンク層１２２ａ
は、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、
ダミー無機物バンク層２１２ａはダミー画素電極１１１
´を完全に覆うように形成する。ここで、無機物バンク
層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、図２
中のＢ−Ｂ´線に沿う断面において走査線１０１の上方
に形成される点に注意されたい。無機物バンク層１２２
ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、例えばＣＶＤ
法、ＴＥＯＳ法、スパッタ法、蒸着法等によって第１層
間絶縁層２８４及び画素電極１１１の全面にＳｉＯ2、
ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機物膜を形成した後に、当該無
機物膜をパターニングすることにより形成する。
絶縁層２８４、画素電極１１１、及びダミー画素電極１
１１´上に無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バ
ンク層２１２ａを形成する。無機物バンク層１２２ａ
は、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、
ダミー無機物バンク層２１２ａはダミー画素電極１１１
´を完全に覆うように形成する。ここで、無機物バンク
層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、図２
中のＢ−Ｂ´線に沿う断面において走査線１０１の上方
に形成される点に注意されたい。無機物バンク層１２２
ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、例えばＣＶＤ
法、ＴＥＯＳ法、スパッタ法、蒸着法等によって第１層
間絶縁層２８４及び画素電極１１１の全面にＳｉＯ2、
ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機物膜を形成した後に、当該無
機物膜をパターニングすることにより形成する。
【００７２】更に、図９（ｂ）に示すように、無機物バ
ンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａ上
に、有機物バンク層１２２ｂ及びダミー有機物バンク層
２１２ｂを形成する。有機物バンク層１２２ｂは、無機
物バンク層１２２ａを介して画素電極１１１の一部が開
口する態様にて形成し、ダミー有機物バンク層２１２ｂ
はダミー無機物バンク層２１２ａの一部が開口する態様
にて形成する。このようにして、第１層間絶縁層２８４
上にバンク部１２２を形成する。
ンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａ上
に、有機物バンク層１２２ｂ及びダミー有機物バンク層
２１２ｂを形成する。有機物バンク層１２２ｂは、無機
物バンク層１２２ａを介して画素電極１１１の一部が開
口する態様にて形成し、ダミー有機物バンク層２１２ｂ
はダミー無機物バンク層２１２ａの一部が開口する態様
にて形成する。このようにして、第１層間絶縁層２８４
上にバンク部１２２を形成する。
【００７３】続いて、バンク部１２２の表面に、親液性
を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。本実施形
態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成す
るものとしている。具体的に、このプラズマ処理工程
は、画素電極１１１、無機物バンク層１２２ａ、及びダ
ミー無機物バンク層２１２ａを親液性にする親液化工程
と、有機物バンク層１２２ｂ及びダミー有機物バンク層
２１２ｂを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも有し
ている。
を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。本実施形
態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成す
るものとしている。具体的に、このプラズマ処理工程
は、画素電極１１１、無機物バンク層１２２ａ、及びダ
ミー無機物バンク層２１２ａを親液性にする親液化工程
と、有機物バンク層１２２ｂ及びダミー有機物バンク層
２１２ｂを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも有し
ている。
【００７４】即ち、バンク部１２２を所定温度（例えば
７０〜８０°程度）に加熱し、次いで親液化工程として
大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ
２プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大
気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ
処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のた
めに加熱されたバンク部１２２を室温まで冷却すること
で、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとな
る。
７０〜８０°程度）に加熱し、次いで親液化工程として
大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ
２プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大
気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ
処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のた
めに加熱されたバンク部１２２を室温まで冷却すること
で、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとな
る。
【００７５】更に、画素電極１１１上及びダミー無機物
バンク層２１２ａ上にそれぞれ、発光層１１０及びダミ
ー発光層２１０をインクジェット法により形成する。発
光層１１０並びにダミー発光層２１０は、正孔注入／輸
送層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥した後に、発
光層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥することによ
り形成される。尚、この発光層１１０及びダミー発光層
２１０の形成工程以降は、正孔注入／輸送層及び発光層
の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の
不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
バンク層２１２ａ上にそれぞれ、発光層１１０及びダミ
ー発光層２１０をインクジェット法により形成する。発
光層１１０並びにダミー発光層２１０は、正孔注入／輸
送層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥した後に、発
光層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥することによ
り形成される。尚、この発光層１１０及びダミー発光層
２１０の形成工程以降は、正孔注入／輸送層及び発光層
の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の
不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００７６】次に、図９（ｃ）に示すように、バンク部
１２２、発光層１１０、及びダミー発光層２１０を覆う
陰極１２を形成する。陰極１２は、バンク部１２２、発
光層１１０、及びダミー発光層２１０上に陰極層１２ｂ
を形成した後に、陰極層１２ｂを覆って基板２上の陰極
用配線１２ａに接続される反射層１２ｃを形成すること
により得られる。このように、反射層１２ｃを陰極用配
線１２ａに接続させるべく反射層１２ｃを画素部３から
基板２上に延出させることにより、反射層１２ｃが第１
層間絶縁層２８４を介して発光用電源線１０３に対向配
置され、反射層１２ｃ（陰極）と発光用電源線１０３と
の間に第１の静電容量Ｃ1が形成される。最後に、基板
２にエポキシ樹脂等の封止材１３を塗布し、この封止材
１３を介して基板２に封止基板１４を接合する。このよ
うにして、図１〜図４に示すような発光装置１が得られ
る。
１２２、発光層１１０、及びダミー発光層２１０を覆う
陰極１２を形成する。陰極１２は、バンク部１２２、発
光層１１０、及びダミー発光層２１０上に陰極層１２ｂ
を形成した後に、陰極層１２ｂを覆って基板２上の陰極
用配線１２ａに接続される反射層１２ｃを形成すること
により得られる。このように、反射層１２ｃを陰極用配
線１２ａに接続させるべく反射層１２ｃを画素部３から
基板２上に延出させることにより、反射層１２ｃが第１
層間絶縁層２８４を介して発光用電源線１０３に対向配
置され、反射層１２ｃ（陰極）と発光用電源線１０３と
の間に第１の静電容量Ｃ1が形成される。最後に、基板
２にエポキシ樹脂等の封止材１３を塗布し、この封止材
１３を介して基板２に封止基板１４を接合する。このよ
うにして、図１〜図４に示すような発光装置１が得られ
る。
【００７７】このようにして製造された発光装置、ＣＰ
Ｕ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボー
ド、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むこ
とで、例えば図１０に示すノート型のパーソナルコンピ
ュータ６００（電子機器）が製造される。図１０は、本
発明の一実施形態による発光装置を備える電子機器の一
例を示す図である。尚、図１０において６０１は筐体で
あり、６０２は発光装置であり、６０３はキーボードで
ある。図１１は、他の電子機器としての携帯電話機を示
す斜視図である。図１１に示した携帯電話機７００は、
アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７０３、発光装
置７０４、及び操作釦部７０５等を備えて構成されてい
る。
Ｕ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボー
ド、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むこ
とで、例えば図１０に示すノート型のパーソナルコンピ
ュータ６００（電子機器）が製造される。図１０は、本
発明の一実施形態による発光装置を備える電子機器の一
例を示す図である。尚、図１０において６０１は筐体で
あり、６０２は発光装置であり、６０３はキーボードで
ある。図１１は、他の電子機器としての携帯電話機を示
す斜視図である。図１１に示した携帯電話機７００は、
アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７０３、発光装
置７０４、及び操作釦部７０５等を備えて構成されてい
る。
【００７８】また、上記実施形態では、電子機器として
ノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明
したが、これらに限らず、プロジェクタ、マルチメディ
ア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニ
アリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、
ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモ
ニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓
上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッ
チパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可
能である。
ノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明
したが、これらに限らず、プロジェクタ、マルチメディ
ア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニ
アリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、
ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモ
ニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓
上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッ
チパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可
能である。
【００７９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表示に寄与する有効発光領域以外の表示に寄与しないダ
ミー領域においても、走査線が絶縁部の下方に形成され
ているため、寄生容量を低減させる上で効果的であると
いう効果がある。
表示に寄与する有効発光領域以外の表示に寄与しないダ
ミー領域においても、走査線が絶縁部の下方に形成され
ているため、寄生容量を低減させる上で効果的であると
いう効果がある。
【図１】 本発明の一実施形態による発光装置の配線構
造を模式的に示す図である。
造を模式的に示す図である。
【図２】 本発明の一実施形態による発光装置の平面模
式図である。
式図である。
【図３】 図２のＡ−Ａ´線に沿う断面図である。
【図４】 図２のＢ−Ｂ´線に沿う断面図である。
【図５】 画素電極群領域１１ａの要部を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】 本発明の一実施形態による発光装置の製造方
法を説明する工程図である。
法を説明する工程図である。
【図７】 本発明の一実施形態による発光装置の製造方
法を説明する工程図である。
法を説明する工程図である。
【図８】 本発明の一実施形態による発光装置の製造方
法を説明する工程図である。
法を説明する工程図である。
【図９】 本発明の一実施形態による発光装置の製造方
法を説明する工程図である。
法を説明する工程図である。
【図１０】 本発明の一実施形態による発光装置を備え
る電子機器の一例を示す図である。
る電子機器の一例を示す図である。
【図１１】 他の電子機器としての携帯電話機を示す斜
視図である。
視図である。
【図１２】 典型的な発光装置の配線構造を示す図であ
る。
る。
４ 有効発光領域
５ ダミー領域
１２ 陰極（第２電極）
１０１ 走査線
１０２ 信号線
１０３ 電源配線
１１０ 発光素子
１１０ａ 正孔注入／輸送層
１１０ｂ 発光層
１１１ 画素電極（第１電極）
１１２ スイッチング薄膜トランジスタ（第１のスイ
ッチング素子） １２２ バンク部（絶縁部） １２３ カレント薄膜トランジスタ（第２のスイッチ
ング素子） ２１２ ダミーバンク部（バンク） ２８３ 第２層間絶縁層 ２８４ 第１層間絶縁層
ッチング素子） １２２ バンク部（絶縁部） １２３ カレント薄膜トランジスタ（第２のスイッチ
ング素子） ２１２ ダミーバンク部（バンク） ２８３ 第２層間絶縁層 ２８４ 第１層間絶縁層
Claims (13)
- 【請求項１】 第１電極と、前記第１電極に接続してな
るスイッチング素子と、前記第１電極と第２電極との間
に発光層が形成されてなる発光素子と、複数の前記発光
素子によって形成されてなる有効発光領域と、前記有効
発光領域の外側に形成されてなるダミー領域とを有して
なる発光装置であって、 前記ダミー領域には絶縁部が形成されてなり、 前記絶縁部の下方に前記スイッチング素子を走査する走
査信号を供給する走査線が形成されてなることを特徴と
する発光装置。 - 【請求項２】 前記走査線と前記絶縁部との間には、複
数の層間絶縁層が形成されていることを特徴とする請求
項１記載の発光装置。 - 【請求項３】 前記第２電極は、少なくとも前記有効発
光領域と前記ダミー領域とを覆うように形成されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の発光装
置。 - 【請求項４】 第１電極と第２電極との間に発光層が形
成されてなる、複数の発光素子によって形成されてなる
有効発光領域と、前記有効発光領域の外側に形成されて
なるダミー領域と、を有し、前記有効発光領域には、前
記複数の発光素子の各々を駆動するための画素回路が設
けられ、 前記ダミー領域には絶縁部が形成され、 前記絶縁部の下方には、前記画素回路に走査信号を供給
する走査線の一部が形成され、 前記走査線に対して交差して、前記画素回路にデータ信
号を供給するための信号線が形成され、前記信号線と前
記第２電極との間には少なくとも層間絶縁層が形成され
ていること、を特徴とする発光装置。 - 【請求項５】請求項４に記載の発光装置において、 さらに前記画素回路を介して当該画素回路に対応する前
記発光素子に駆動電力を供給する電源配線を含み、前記
電源配線は、前記走査線とは異なる層に形成されている
こと、を特徴とする発光装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の発光装置において、少
なくとも前記有効発光領域内に配置される前記電源配線
は、前記走査線と前記第２電極との間に形成されている
こと、を特徴とする発光装置。 - 【請求項７】 請求項５または６に記載の発光装置にお
いて、前記電源配線と前記走査線との間には、層間絶縁
層が形成されていること、を特徴とする発光装置。 - 【請求項８】 請求項５乃至７のいずれかに記載の発光
装置において、前記電源配線と前記第２電極との間に
は、層間絶縁層が形成されていること、を特徴とする発
光装置。 - 【請求項９】 請求項４乃至８のいずれかに記載の発光
装置において、前記第２電極は、少なくとも前記有効発
光領域と前記ダミー領域とを覆うように形成されている
こと、を特徴とする発光装置。 - 【請求項１０】 前記発光素子には、正孔注入／輸送層
が形成されてなることを特徴とする請求項５から請求項
１０の何れか一項に記載の発光装置。 - 【請求項１１】 第１電極と第２電極との間に形成され
た発光層を含む発光素子が複数形成されてなる有効発光
領域と、前記有効発光領域の外側に形成されてなるダミ
ー領域と、前記発光素子を駆動するための画素回路と、
前記画素回路に走査信号を供給するための走査線と、前
記画素回路にデータ信号を供給するためのデータ信号
と、を含み、前記走査線の一部分は前記ダミー領域に設
けられ、かつ、前記ダミー領域に設けられた絶縁部によ
り前記第２電極から離間されて形成されていること、を
特徴とする発光装置。 - 【請求項１２】請求項１１に記載の発光装置において、 前記ダミー領域には前記発光素子を構成する少なくとも
１つの機能層が配置され、前記機能層の周囲には前記絶
縁部が設けられていること、を特徴とする発光装置。 - 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれか一
項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機
器。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068446A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| JP2005128040A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| JP2006093078A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US7573070B2 (en) | 2004-09-23 | 2009-08-11 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| JP2011248369A (ja) * | 2002-10-31 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200521599A (en) * | 2003-10-14 | 2005-07-01 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device, its manufacturing method and electronic instrument |
| KR100560787B1 (ko) * | 2003-11-05 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| KR100663028B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-12-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| JP3951055B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
| KR101006453B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2011-01-06 | 삼성전자주식회사 | 유기전계 발광소자의 형성방법 |
| KR100698689B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2007-03-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시장치와 그의 제조방법 |
| JP4640085B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-03-02 | カシオ計算機株式会社 | 表示パネル |
| US8974918B2 (en) * | 2006-07-04 | 2015-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| KR101352174B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2014-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자 |
| US20080121901A1 (en) * | 2006-11-23 | 2008-05-29 | Haksu Kim | Light emitting device |
| JP4407699B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2010-02-03 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子ペーパー |
| KR100846714B1 (ko) * | 2007-02-05 | 2008-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2008233399A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Sony Corp | 画素回路および表示装置、並びに表示装置の製造方法 |
| US20090098680A1 (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-16 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Backplane structures for solution processed electronic devices |
| US8772774B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-07-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Backplane structures for organic light emitting electronic devices using a TFT substrate |
| JP5131092B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-01-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| KR101605435B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2016-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
| JP2012014868A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Sony Corp | 表示装置 |
| TWI426322B (zh) * | 2010-12-22 | 2014-02-11 | Au Optronics Corp | 觸控顯示面板 |
| JP6219696B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2017-10-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 発光表示装置及び発光表示装置の製造方法 |
| JP2016115444A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| CN108073007B (zh) | 2016-11-10 | 2021-08-13 | 元太科技工业股份有限公司 | 像素阵列 |
| KR102577043B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2023-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
| KR102546293B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2023-06-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
| CN110828514B (zh) * | 2019-10-25 | 2022-03-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN110896130A (zh) * | 2019-11-04 | 2020-03-20 | 南昌航空大学 | 透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1124604A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| JP2001109395A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2001318628A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
| JP2002022924A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-23 | Canon Inc | カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法および製造装置、カラーフィルタを備えた表示装置および該表示装置の製造方法、該表示装置を備えた装置および該装置の製造方法、表示装置用のパネル、表示装置用のパネルの製造方法及び製造装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382477A (en) * | 1991-02-27 | 1995-01-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and process for producing the same |
| JP4046783B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2008-02-13 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法 |
| JP3226815B2 (ja) * | 1996-03-08 | 2001-11-05 | 日本電気株式会社 | 容量性負荷の駆動回路及び駆動方法 |
| JP2986094B2 (ja) * | 1996-06-11 | 1999-12-06 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2941247B2 (ja) * | 1997-03-17 | 1999-08-25 | キヤノン株式会社 | インク吐出密度設定方法及びカラーフィルタの製造方法及び表示装置の製造方法及び表示装置を備えた装置の製造方法 |
| JPH112716A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Canon Inc | カラーフィルタ、これを用いた液晶素子及びこれらの製造方法、並びに該製造方法に用いられるインクジェット用インク |
| JP3332812B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法及び表示装置の製造方法及び表示装置を備えた装置の製造方法 |
| JP3830238B2 (ja) | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
| US6304670B1 (en) * | 1998-07-08 | 2001-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Coloration and display of data matrices |
| US6394578B1 (en) * | 1998-09-02 | 2002-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Production process of color filter, liquid crystal display device using the color filter produced by the production process, and ink-jet head |
| US6342321B1 (en) * | 1998-12-25 | 2002-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of drying resinous composition layer, method of manufacturing color filter substrate using the same drying method, and liquid crystal display device |
| US6364450B1 (en) * | 1999-08-03 | 2002-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Color filter manufacturing method and apparatus, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having display device, and display device panel manufacturing method and apparatus |
| JP2001109432A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Pioneer Electronic Corp | アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置 |
| JP4954380B2 (ja) | 2000-03-27 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、半導体装置 |
| TW521226B (en) | 2000-03-27 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
| JP3628997B2 (ja) | 2000-11-27 | 2005-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-01-21 JP JP2003012348A patent/JP3818261B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-23 CN CNB031019137A patent/CN1251166C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-23 US US10/349,075 patent/US7023407B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-23 TW TW092101500A patent/TW587400B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-01-23 KR KR10-2003-0004604A patent/KR100524279B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1124604A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| JP2001109395A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2001318628A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
| JP2002022924A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-23 | Canon Inc | カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法および製造装置、カラーフィルタを備えた表示装置および該表示装置の製造方法、該表示装置を備えた装置および該装置の製造方法、表示装置用のパネル、表示装置用のパネルの製造方法及び製造装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011248369A (ja) * | 2002-10-31 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US8773333B2 (en) | 2002-10-31 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and controlling method thereof |
| US9147698B2 (en) | 2002-10-31 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and controlling method thereof |
| WO2004068446A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| US7645631B2 (en) | 2003-01-27 | 2010-01-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing organic EL display |
| JP2005128040A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| US7550918B2 (en) | 2003-10-21 | 2009-06-23 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device |
| JP2006093078A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US7573070B2 (en) | 2004-09-23 | 2009-08-11 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
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