WO2004068446A1 - 有機ｅｌディスプレイの製造方法 - Google Patents

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Abstract

絶縁基板（１１）と、電源端子と、基板（１１）上で配列するとともにそれぞれ有機ＥＬ素子（３０）及び画素回路を含んだ複数の画素（３１）と、画素回路（３１）を被覆するとともに有機ＥＬ素子（３０）と基板（１１）の間に介在した有機平坦化膜とを含んだ有機ＥＬディスプレイ（１）の製造方法であって、画素（３１）の中から滅点及び／または輝点として視認され得るものを選択することと、選択した画素（３１）に含まれる画素回路のうち有機平坦化膜と基板（１１）との間に位置した部分に基板（１１）を介してエネルギー線を照射して、選択した画素（３１）に含まれる有機ＥＬ素子（３０）を電源端子から電気的に切断することとを含んだ方法が提供される。

Description

明 細 書
有機 E Lディ ス プ レイ の製造方法
技術分野
本発明は、 有機 E L (エ レク ト ロル ミ ネ ッセ ンス） デイ ス プ レイ の製造方法に関する。
背景技術
近年、 有機 E L素子を用いたディ スプレイが開発されてい る。 有機 E L素子は、 一対の電極間に発光層を狭持した構造 で、 これら電極間を流れる駆動電流に応じた輝度で発光動作 を行う。
有機 E Lディ スプレイ の製造プロセスでは、 発光層を形成 する際、 その材料と して低分子有機材料を使用する場合には 真空蒸着法を利用 している。 また、 発光層の材料と して高分 子有機材料を使用する場合には、 高分子有機材料を含有した 溶液を塗布してなる塗膜を乾燥する とい う方法を採用 してい る。
いずれの場合も、 陽極と陰極と が発光層の部分的な欠落に よ り 短絡する こ とがあ り 、 画素欠点と して視認される。 また、 陽極と陰極との間で短絡を生じないまでも、 或る有機 E L素 子の特性が他の有機 E L素子の特性からずれた場合には、 前 者は画素欠点或いは輝点画素と して視認される こ と と なる。
なお、 このよ う な輝度ズレは、 それぞれの画素毎に駆動用 ト ラ ンジス タなどを設けてアクティ ブマ ト リ ク ス駆動を行 う 場合には、 他の要因でも生じ得る。 例えば、 或る画素の駆動 用 ト ラ ンジス タ の特性が他の画素の駆動用 ト ラ ンジス タ の特 性からずれた場合には、 前者は画素欠点或いは輝点画素と し て視認される こ と と なる。
上記の輝度ズレの う ち、 画素欠点は、 輝点画素に比べる と 視認され難い。 そのため輝点画素良を滅点化し、 例えば、 輝 点画素に含まれる駆動用 ト ラ ンジスタ の ドレイ ンと有機 E L 素子の陽極と を接続している配線を Y A G レーザの第二高調 波を照射する こ と によ り溶断する こ とで、 輝点画素を 目立た なく する こ とができ る。
また、 陽極と 陰極と の短絡に起因 した画素欠点に対しては、 それぞれの画素において、 陽極を互いに離間 した複数の導電 層で構成する と と もにそれら導電層と駆動用 ト ランジスタの ドレイ ンと を複数本の配線を介して接続する こ とが有効であ る。 すなわち、 このよ う な構造を採用する と、 陰極との間で 短絡を生じた導体層 と駆動用 ト ラ ンジス タ の ド レイ ンと を接 続している配線のみを上記のレーザ光照射によ り溶断する こ とで、 陰極と の間で短絡を生じた導体層 とそれと 同一の画素 に含まれる他の導体層と を絶縁する こ と ができ る。 そのため、 当該画素が画素欠点と して視認されるのを抑制する こ とがで さ る。
と ころで、 陰極は共通電極と して設けられるため、 上記の レーザ光照射によ り 配線が溶断されたかを、 透過光を利用 し て確認する こ と はできない。 それゆえ、 この確認には落射光 を利用する こ と となるが、 金属からなる配線表面での反射と 陰極表面での反射と を区別する こ と は難しい。
また、 金属は、 その高い反射率や溶融状態における粘性或 いは流動性などに起因して、 その溶断に極めて高いェネルギ 一を必要とする。 そのため、 上記のレーザ光照射による配線 の溶断に伴い、 その周辺部がダメ ージを受け易い。 例えば、 配線と陰極との間の絶縁層が破壌されてそれらが短絡する こ とがある。 また、 本来は溶断すべきでない配線までもが溶断 される こ とがある。
発明の開示
本発明の 目的は、 有機 E Lディ ス プ レイ の構成要素に不所 望なダメージを与える こ となく輝点画素或いは滅点画素の有 機 E L素子を電流経路から切離す技術を提供する こ と にある。
本発明の第 1側面によ る と、 光透過性の絶縁基板と、 電源 端子と、 前記絶縁基板上でマ ト リ ク ス状に配列する と と もに それぞれ有機 E L素子及び前記電源端子から前記有機 E L素 子への電力の供給を制御する画素回路を備えた複数の画素と 、 前記画素回路と前記有機 E L素子との間に介在した有機平坦 化膜と を具備した有機 E L ディ ス プ レイ の製造方法であって、 前記複数の画素の中から滅点及び Zまたは輝点と して視認さ れ得る ものを選択する こ と と、 前記選択した画素に含まれる 前記画素回路の う ち前記有機平坦化膜と前記絶縁基板との間 に位置した部分に前記絶縁基板を介してエネルギー線を照射 して、 前記選択した画素に含まれる前記有機 E L素子を前記 電源端子から電気的に切断するこ と と を含んだ方法が提供さ れる。
本発明の第 2側面による と、 光透過性の絶縁基板と、 電源 端子と、 前記絶縁基板上でマ ト リ タ ス状に配列する と と もに それぞれ有機 E L素子及び前記電源端子から前記有機 E L素 子への電力の供給を制御する画素回路を備えた複数の画素と 、 前記画素回路の少なく と も一部を被覆する と と もに前記有機 E L素子を取り 囲んだ隔壁絶縁層と を具備し、 前記隔壁絶縁 層は有機絶縁層を含んだ有機 E Lディ スプレイ の製造方法で あって、 前記複数の画素の中から滅点及び Zまたは輝点と し て視認され得る ものを選択する こ と と、 前記選択した画素に 含まれる前記画素回路の う ち前記有機絶縁層 と前記絶縁基板 と の間に位置した部分に前記絶縁基板を介してェネルギ一線 を照射して、 前記選択した画素に含まれる前記有機 E L素子 を前記電源端子から電気的に切断する こ と と を含んだ方法が 提供される。
本発明の第 3側面による と、 光透過性の絶縁基板と、 電源 端子と、 前記絶縁基板上でマ ト リ ク ス状に配列する と と もに それぞれ有機 E L素子及ぴ前記電源端子から前記有機 E L素 子への電力の供給を制御する画素回路を備えた複数の画素と を具備した有機 E Lディ スプレイ の製造方法であって、 前記 複数の画素の中から滅点及び/または輝点と して視認され得 る ものを選択する こ と と、 前記選択した画素に含まれる前記 画素回路の一部に前記絶縁基板を介してエネルギー線を照射 して、 前記選択した画素に含まれる前記有機 E L素子を前記 電源端子から電気的に切断する こ と と を含み、 前記エネルギ 一線の照射は、 前記画素回路のエネルギー線が照射される部 分の体積 V ( μ m 3 ) とその部分に照射する前記エネルギー 線のエネルギー R ( m J ) とが不等式 ： 0 . 0 6 7 X V < R く 0 . 1 7 X Vに示す関係を満足する よ う に行う 方法が提供 される。
図面の簡単な説明
図 1 は、 本発明の第 1 態様に係る方法で製造可能な有機 E L ディ ス プ レイ の一例を概略的に示す断面図 ；
図 2 は、 図 1 に示す有機 E Lディ スプレイで採用可能な回 路構成の一例を概略的に示す平面図 ；
図 3 は、 本発明の第 1 態様に係る修復方法の一例を概略的 に示す平面図 ；
図 4 は、 本発明の第 1 態様に係る修復方法の一例を概略的 に示す平面図 ；
図 5 は、 本発明の第 1 態様に係る修復方法の他の例を概略 的に示す平面図 ；
図 6 は、 本発明の第 1 態様に係る修復方法の他の例を概略 的に示す平面図 ；
図 7 は、 本発明の第 1 態様に係る方法で製造可能な有機 E L ディ ス プ レイ の他の例を概略的に示す断面図 ；
図 8 は、 図 7 に示す有機 E Lディ スプレイで採用可能な回 路構成の一例を概略的に示す平面図 ；
図 9 は、 本発明の第 1 態様に係る修復方法のさ らに他の例 を概略的に示す平面図 ；
図 1 0 は、 本発明の第 1 態様に係る修復方法のさ らに他の 例を概略的に示す平面図 ；
図 1 1 は、 本発明の第 2態様に係る修復方法の一例を概略 的に示す平面図 ； 図 1 2 は、 レーザ光照射試験に利用 した有機 E Lディ ス プ レイ の一部を概略的に示す平面図 ； 及び
図 1 3 は、 本発明の第 3態様に係る有機 E Lディ スプレイ を概略的に示す断面図。
発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の幾つかの態様について、 図面を参照しなが ら詳細に説明する。 なお、 各図において、 同様または類似す る構成要素には同一の参照符号を付し、 重複する説明は省略 する。
図 1 は、 本発明の第 1 態様に係る方法で製造可能な有機 E Lディ スプレイ の一例を概略的に示す断面図である。 図 1 に 示す有機 E L ディ ス プ レイ 1 は、 互いに対向 したア レイ基板 2及び封止基板 3 とそれらの間に介在したシール層 4 と を備 えている。 シール層 4 は封止基板 3 の周縁に沿って設けられ ており 、 それによ り 、 ア レイ基板 2 と封止基板 3 との間に密 閉された空間を形成している。 こ の空間は、 例えば、 A r ガ スなどの希ガスや N 2ガスのよ う な不活性ガスで満たされて いる。
ア レイ基板 2 は、 ガラス板等の光透過性を有する絶縁基板 1 1 を有してレ、る。 基板 1 1 上には、 アンダーコー ト層と し て、 例えば、 S i N x層 1 2 と S i O 2層 1 3 とが順次積層さ れている。 アンダー コー ト層上には、 チャネル及ぴソース · ドレイ ンが形成されたポリ シリ コ ン層のよ う な半導体層 1 4 ゲー ト絶縁膜 1 5 、 及びゲー ト電極 1 6 が順次積層されてお り 、 それらは ト ップゲー ト型の薄膜 ト ランジスタ （以下、 T F T とい う ） 2 0 を構成してレ、る。
ゲー ト絶縁膜 1 5及ぴゲー ト電極 1 6 上には、 S i O 2な どからなる層間絶縁膜 2 1 が設け られている。 層間絶縁膜 2 1 上には電極配線 （図示せず） 及ぴソース · ド レイ ン電極 2
3 が設けられてお り 、 それらは、 S i N xなどカゝらなるノ ッ シベーシ ヨ ン膜 2 4 で埋め込まれてい る。 なお、 ソース ' ド レイ ン電極 2 3 は、 層間絶縁膜 2 1 に設けられたコ ンタ ク ト ホールを介して T F T 2 0 のソース · ドレイ ンに電気的に接 続されている。
パッシベーショ ン膜 2 4上には、 複数の陽極 2 5 が互いに 離間して並置されてレ、る。 こ こ では、 陽極 2 5 は I T O等の 光透過性を有する導電膜で構成される 。 それぞれの陽極 2 5 は、 ド レイ ン電極 2 3 に電気的に接続されてレ、る。
パ ッ シベーシ ヨ ン膜 2 4上には、 さ らに、 絶縁層 2 6 a が 設けられている。 絶縁層 2 6 a は、 例えば、 親液性の無機絶 縁層である。 絶縁層 2 6 a は、 陽極 2 5 に対応した位置に貫 通孔を有してお り 、 パ ッ シベーショ ン膜 2 4 の陽極 2 5 力、ら 露出した部分と陽極 2 5 の周縁部と を被覆している。
絶縁層 2 6 a 上には、 絶縁層 2 6 b が設けられている。 絶 縁層 2 6 b は、 例えば、 撥液性の有機絶縁層.である。 絶縁層 2 6 b は、 陽極 2 5 に対応した位置に、 絶縁層 2 6 a の貫通 孔と等しいか或いはそれよ り も大きな径の貫通孔を有してい る。
なお、 絶縁層 2 6 a と絶縁層 2 6 b との積層体は、 陽極 2 5 に対応した位置に貫通孔を有する隔壁絶縁層 2 6 を構成し ている。 隔壁絶縁層 2 6 は、 絶縁層 2 6 a と絶縁層 2 6 b と の積層体で構成しても よ く 、 或いは、 絶縁層 2 6 b のみで構 成しても よい。
隔壁絶縁層 2 6 の貫通孔内で露出 した陽極 2 5上には、 発 光層を含んだ有機物層 2 7 が設けられている。 この発光層は、 例えば、 発光色が赤色、 緑色、 または青色のルミネセンス性 有機化合物を含んだ薄膜である。 有機物層 2 7 は、 発光層に 加え、 例えば、 陽極 2 5 から発光層への正孔の注入を媒介す る役割を果たすバッファ層などをさ らに含むこ とができ る。
隔壁絶縁層 2 6及び有機物層 2 7上には共通電極 （陰極） 2 8 が設け られている。 陰極 2 8 は、 ノ ッシベーシヨ ン膜 2 4及び隔壁絶縁層 2 6 に設けられたコ ンタ ク トホール （図示 せず） を介して電極配線に電気的に接続されている。 それぞ れの有機 E L素子 3 0 は、 これら陽極 2 5 、 有機物層 2 7 、 及ぴ陰極 2 8 で構成されている。
図 2 は、 図 1 に示す有機 E Lディ スプレイ 1 で採用可能な 回路構成の一例を概略的に示す平面図である。 図 2 に示すよ う に、 この有機 E Lディ スプレイ 1 は、 基板 1 1 上にマ ト リ タ ス状に配置された走査信号線 4 1 及び映像信号線 4 2 を備 えており 、 画素 3 1 は走查信号線 4 1 と映像信号線 4 2 と の 交差部近傍に配置されている。
走査信号線 4 1 は画素の行方向に延在する と と もに列方向 に配列してお り 、 それらは走査信号線 ドライバ 5 1 に接続さ れている。 他方、 映像信号線 4 2 は画素の列方向に延在する と と もに行方向に配列しており 、 それらは映像信号線 ドライ パ 5 2 に接続されている。
それぞれの画素 3 1 は、 駆動用制御素子である駆動用 ト ラ ンジスタ 2 0 と、 有機 E L素子 3 0 と、 選択用スィ ッチであ る選択用 ト ランジスタ 3 2 と、 キャパシタ 3 3 とで構成され ている。 この例では、 駆動用 トランジスタ 2 0 は p チャネル T F Tであ り 、 選択用 ト ランジスタ 3 2 は nチャネル T F T である。
駆動用 ト ラ ンジスタ 2 0及び有機 E L素子 3 0 は、 一対の 電圧電源端子間で直列に接続されている。 キャパシタ 3 3 は、 駆動用 ト ランジスタ 2 0 のゲー ト と定電位端子， この例では 第 1 電源端子， との間に接続されている。 選択用 トランジス タ 3 2 は、 映像信号線 4 2 と駆動用 ト ラ ンジスタ 2 ◦ のゲー ト と の間に接続されてお り 、 そのゲー トは走査信号線 4 1 に 接続されている。
なお、 駆動用 ト ランジスタ 2 0 と選択用 ト ランジスタ 3 2 と キャパシタ 3 3 とそれらを接続する配線と は画素回路を構 成している。 この画素回路は、 走查信号線駆動回路 5 1 から 走査信号線 4 1 を介して供給される走査信号と、 映像信号線 駆動回路 5 2から映像信号線 4 2 を介して供給される映像信 号に基づいて、 第 1 電源端子から有機 E L素子 3 0への電流 の大き さを制御する。
本態様では、 或る画素 3 1 が輝点画素と して視認された場 合、 以下に説明する よ う に、 その画素 3 1 に含まれる画素回 路のポリ シリ コ ン部の う ち、 絶縁層 2 6 b と絶縁基板 1 1 と の間に位置した部分に対して、 基板 1 1側からエネルギ一線 を照射する。 これによ り 、 有機 E L素子 3 0 を第 1 電源端子 から電気的に切断し、 先の画素 3 1 を輝点画素と して視認さ れ難く する。
図 3及び図 4 は、 本発明の第 1 態様に係る修復方法の一例 を概略的に示す平面図である。 なお、 図 3及び図 4 は、 図 1 に示す有機 E Lディ スプレイ 1 を基板 1 1 側から見た場合に 観察され得る駆動用 ト ラ ンジス タ 2 0 を示している。 また、 図 3及び図 4 において、 参照番号 4 3 は電源と駆動用 ト ラン ジスタ 2 0 の ソース と を接続する配線 （例えば、 ソース電極 2 3 ) を示し、 参照番号 4 4 は駆動用 ト ラ ンジス タ 2 0 の ド レイ ンと有機 E L素子 3 0 の陽極 2 5 と を接続する配線 （例 えば、 ドレイ ン電極 2 3 ) を示し、 参照番号 6 ◦ はレーザ光 の ビームスポッ ト を示している。
こ の方法では、 或る画素 3 1 が輝点画素或いは滅点画素と して視認された場合、 その画素 3 1 に含まれる画素回路のポ リ シ リ コ ン部の う ち、 絶縁層 2 6 b と絶縁基板 1 1 と の間に 位置した部分に対して、 基板 1 1側からエネルギ一線， 例え ば Y A G レーザの第二高調波， を照射する。 これによ り 、 図 4 に示すよ う に、 ポリ シリ コ ン層 1 4 を分断する。
ポリ シリ コン層 1 4 を分靳する と、 その画素 3 1 の有機 E L素子 3 0 に電力が供給されなく なる。 そのため、 その画素 3 1 が輝点画素と して視認されていた場合には、 ポリ シリ コ ン層 1 4 を分断する こ と によ り 、 その画素 3 1 を滅点化と し て視認される よ う にする こ と， すなわち輝点画素と して視認 され難く する こ と， ができ る。 また、 その画素 3 1 が滅点画 素と して視認されていた場合には、 ポリ シリ コン層 1 4 を分 断する こ と によ り 、 表示に寄与しない画素 3 1 による電力消 費を低減する こ とができ る。
また、 ポ リ シ リ コ ン層 1 4 は、 金属配線などと比較して、 上記のレーザ光を遥かに高い効率で吸収する。 そのため、 ポ リ シ リ コ ン層 1 4 は、 金属配線をレーザ光照射によ り溶断す る場合に比べ、 比較的低いエネルギーの レーザ光照射によ り 分断する こ とができ る。
しかも、 この例では、 駆動用 ト ラ ンジスタ 2 0 のポ リ シ リ コン層 1 4 は、 絶縁層 2 6 b と絶縁基板 1 1 との間に位置し ている。 絶縁層 2 6 b の材料と して使用する有機絶縁体の多 く は、 光透過性の無機絶縁体と比較して、 ポリ シ リ コ ン層 1 4 の分断などに使用する レーザ光をよ り 高い効率で吸収する。 また、 絶縁層 2 6 b は、 2 m乃至 3 μ πι程度の比較的厚い 層であって、 表示には寄与していない。 さ らに、 基板 1 1 と 絶縁層 2 6 b と の間には、 レーザ光照射によってダメージを 受け易い有機物層 2 7や陰極 2 8 は存在していない。
したがって、 この方法による と、 画素 3 1 が輝点または滅 点を生じ、 電流経路から有機 E L素子をレーザ光照射によ り 切離すに際し、 レーザ光照射部の周辺部がダメージを受ける のを防止する こ とができ る。
さ らに、 通常、 ポリ シ リ コ ン層 1 4 は、 陰極 2 8 に比べ、 可視光に関する反射率が遥かに低い。 そのため、 上記の レー ザ光照射によ り ポリ シ リ コ ン層 1 4 が分断されたかを、 落射 光を利用 して確認する こ とができ る。 ポリ シ リ コ ン層 1 4 は、 上記のレーザ光照射によって完全 に分断される こ とが望ま しいが、 完全に分断されなく ても よ い。 これは、 ポリ シ リ コ ン層 1 4 にレーザ光を照射する と、 その照射部の少なく と も一部をアモルフ ァ ス とするこ とがで き るためである。 すなわち、 アモルフ ァ ス シ リ コ ンの比抵抗 はポリ シリ コ ンの比抵抗に比べて高いので、 上記のレーザ光 照射によ り ポリ シリ コン層 1 4 が物理的に分断されない場合 であっても、 その画素 3 1 の有機 E L素子 3 0 に電力が供給 され難く なる。 したがって、 ポリ シ リ コ ン層 1 4 を完全に分 断した場合ほどではないにしろ、 上記と ほぼ同等の効果を得 る こ とができ る。
上記の方法では、 輝点画素ゃ滅点画素は、 例えば、 全ての 画素 3 1 を同一の条件で駆動しつつ表示面を観察する こ と に よ り探し出すこ とができる。 また、 上記の処理によ り輝点画 素が視認され難く なつたこ と も、 例えば、 全ての画素 3 1 を 同一の条件で駆動しつつ表示面を観察する こ と によ り確認す る こ とができ る。
上記の分離処理は、 画素 3 1 を完成した後であれば何時行 つても よい。 例えば、 上記の分離処理は、 図 1 に示すア レイ 基板 2 を完成した時点で行ってもよ く 、 或いは、 図 1 に示す 状態の有機 E Lディ スプレイ 1 に対して行っても よ く 、 或い は、 基板 1 1 の外面に外光反射防止用の偏光フィルムを貼り 付けた後に行っても よい。 先に説明 したよ う に、 こ の方法に よれば比較的低いエネルギーの レーザ光照射によ り 画素 3 1 の有機 E L素子の切離しをする こ とができ るので、 基板 1 1 の外面に反射防止用の偏光フ ィ ルムを貼り 付けた後に行って も 、 偏光フ ィ ルムは殆んどダメージを受ける こ とがない。
なお、 先の例では、 分離処理に際し、 駆動用 ト ランジスタ 2 0 のポリ シリ コ ン層 1 4 に対してレーザ光を照射したが、 選択用 ト ランジスタ 3 2 のポリ シリ コ ン層 1 4 に対してレー ザ光を照射しても よい。 但し、 通常、 前者のほ う が、 後者に 比べ、 輝点画素をよ り確実に視認され難く する こ とができ る。
また、 先の例では、 図 2 に示す回路構成を採用 したが、 他 の回路構成を採用する こ と もでき る。 この場合、 有機 E L素 子 3 0への電力の供給を低減可能であれば、 先の レーザ光照 射は何れの ト ランジスタに対して行っても よい。
図 3及び図 4 を参照しなが ら説明した例では、 画素回路に 含まれる ト ラ ンジス タ の半導体層を、 レーザ光を照射すべき ポリ シリ コ ン部と して用いた。 こ の レーザ光を照射すべきポ リ シ リ コ ン部は、 ト ラ ンジス タ の半導体層に限られず、 画素 回路に含まれる配線であってもよい。
例えば、 画素回路に含まれる複数の電気素子同士を接続し た配線、 及びノまたは、 それら電気素子をそれぞれ有機 E L 素子 3 0 と走査信号線 4 1 と映像信号線 4 2 と図示しない電 源線とに接続した配線の少なく と も 1 つはポリ シ リ コ ン部を 含んでいても よい。 例えば、 それら配線の少なく と も 1 つを、 互いに直列接続された金属部と ポリ シリ コ ン部とで構成して もよい。 以下に説明する よ う に、 そのポリ シ リ コ ン部に対し てレーザ光照射を行う こ とによっても先の修復処理を行う こ とができ る。 図 5及び図 6 は、 本発明の第 1 態様に係る処理方法の他の 例を概略的に示す平面図である。 なお、 図 5及ぴ図 6 は、 図 1 に示す有機 E Lディ スプレイ 1 を基板 1 1 側から見た場合 に観察され得る構造を示している。
図 5及ぴ図 6 に示す構造では、 配線 4 4 は、 金属部 （ ドレ イ ン電極） 2 3 と、 不純物を高濃度 ドープする こ と によ り 導 電性を付与したポリ シリ コン部 1 1 4 と、 金属部 1 2 3 と で 構成されている。 こ のポリ シ リ コ ン部 1 1 4 は、 絶縁層 2 6 b と絶縁基板 1 1 と の間に位置している。
このよ う な構造を採用 した有機 E Lディ スプレイ 1 では、 或る画素 3 1 が輝点画素または滅点画素と して視認される場 合に、 例えば、 図 5 に示すよ う に、 その画素 3 1 に対応した ポリ シリ コ ン部 1 1 4 に対して、 基板 1 1 側からエネルギー 線， 例えば Y A G レーザの第二高調波， を照射してもよい。 こ うする と、 図 6 に示すよ う に配線 4 4 をポ リ シ リ コ ン部 1 1 4 の位置で分断するか、 或いは、 ポリ シ リ コ ン部 1 1 4 の 少なく と も一部をアモルファス化する こ とができ る。 これに よ り 、 その画素 3 1 の有機 E L素子 3 0への電力供給を低減 する こ とができる。 このよ う な方法でも、 図 3及ぴ図 4 を参 照しなが ら説明したのと 同様の効果を得る こ とができ る。
なお、 図 5及び図 6 の構造を採用する場合、 金属部 2 3 , 1 2 3 は同一のプロセスで形成しても よい。 また、 ポリ シリ コ ン部 1 1 4 と ポ リ シリ コ ン層 1 4 の ソース . ドレイ ンと は 同一のプロセスで形成しても よい。
画素に以下の構造を採用する と と もに分離処理に図 5及び 図 6 を参照して説明 した方法を利用する と、 画素内の有機 E L素子を部分的に切離すこ とができ、 残り の部分を動作させ る こ とで、 輝点画素おょぴ滅点画素の修復をする こ とができ る。
図 7 は、 本発明の第 1 態様に係る方法で製造可能な有機 E Lディ スプレイ の他の例を概略的に示す断面図である。 また、 図 8 は、 図 7 に示す有機 E Lディ スプレイ で採用可能な回路 構成の一例を概略的に示す平面図である。
図 7及ぴ図 8 に示す例では、 1 つの画素 3 1 は駆動用 ト ラ ンジスタ 2 0 と第 2電源 （こ こでは G N D ) との間で互いに 並列に接続された複数の有機 E L素子 （こ こでは 2つの有機 E L素子 3 0 a , 3 0 b ) を含んでいる。 このよ う な構造を 採用する と、 或る画素 3 1 が輝点画素または滅点画素と して 視認されたと しても、 その画素 3 1 に含まれる有機 E L素子 3 0 a , 3 0 b の う ち一方のみが要因と なっているのであれ ば、 以下に説明する よ う に、 その有機 E L素子のみを駆動用 ト ラ ンジスタ 2 0 から絶縁すれば、 当該画素 3 1 を正常な画 素と して動作させる こ とができ る。 '
図 9及び図 1 0 は、 本発明の第 1 態様に係る修復方法のさ らに他の例を概略的に示す平面図である。 なお、 図 9及び図 1 0 は、 図 7及ぴ図 8 に示す有機 E Lディ スプレイ 1 を基板 1 1側から見た場合に観察され得る構造を示している。
図 9及び図 1 0 に示す構造では、 配線 4 4 は、 金属部 （ ド レイ ン電極） 2 3 と、 不純物を ドープする こ と によ り 導電性 を付与したポリ シリ コン部 1 1 4 と、 金属部 1 2 3 とで構成 されている。 ポリ シリ コ ン部 1 1 4 は有機 E L素子 3 0 a , 3 0 b に対応した 2つの陽極 2 5側で分岐してお り 、 駆動用 ト ラ ンジスタ 2 0 の ドレイ ンと G N D と の間でそれら陽極 2 5 を並列接続している。 このポリ シリ コ ン部 1 1 4 は、 有機 絶縁層 2 6 b と絶縁基板 1 1 との間に位置している。
このよ う な構造を採用 した有機 E Lディ スプレイ 1 におい て、 例えば、 或る画素 3 1 がその有機 E L素子 3 O b に起因 して輝点画素或いは滅点画素と して視認された場合、 図 9 に 示すよ う に、 その画素 3 1 に含まれるポリ シ リ コ ン部 1 1 4 の分岐点よ り も陽極 2 5側の位置に対して、 基板 1 1側から エネルギー線， 例えば Y A G レーザの第二高調波， を照射す る。 これによ り 、 図 1 0 に示すよ う にポリ シリ コ ン部 1 1 4 を分岐点よ り も陽極 2 5側の位置で分断するか、 或いは、 ポ リ シリ コン部 1 1 4 の分岐点よ り も陽極 2 5側に位置した部 分を少なく と も部分的にアモルフ ァ ス化する。 こ うする と、 有機 E L素子 3 0 b のみを第 1 電源端子おょぴ第 2電源端子 間の電流経路から切離すこ と ができ、 その画素 3 1 に含まれ る有機 E L素子 3 0 b への電力供給を低減する こ とができ る。
このよ う な方法による と、 図 3及ぴ図 4 を参照しなが ら説 明したのと 同様の効果を得る こ とができ る。 加えて、 この方 法では、 輝点画素と して視認された画素 3 1 に含まれる有機 E L素子 3 0 bへの電力供給を上記の修復処理によ り低減し たと しても、 その画素 3 1 に含まれる有機 E L素子 3 0 a へ の電力供給は維持される。 そのため、 この方法による と、 輝 点をよ り 目立たなく する と共に、 通常動作させる こ とができ る。 また、 画素 3 1 が滅点画素と して視認された場合にも同 様の方法を採用する こ と によ り 、 不要な電流供給を抑え、 正 常な有機 E L素子 3 0 a を動作させる こ とが可能となる。
なお、 図 9及び図 1 0 を参照しなが ら説明 した方法では、 輝点画素または滅点画素と して視認される画素 3 1 の有機 E L素子 3 0 a のみがその要因と なっているか、 或いは、 有機 E L素子 3 O b のみがその要因と なっているか、 或いは、 有 機 E L素子 3 0 a ， 3 O b の双方がその要因 と なっている力、 は、 例えば、 以下の方法によ り判別する こ と ができ る。 すな わち、 まず、 全ての画素を同一の条件で駆動しつつ表示面を 観察する こ と によ り輝点や滅点を生じた画素 3 1 を特定し、 次いで、 その画素 3 1 を顕微鏡などで観察して、 異物や異常 部がある有機 E L素子 3 0 a または 3 0 b を特定する。 この よ う な方法で特定した有機 E L素子 3 0 a または 3 0 b を先 の処理によ り 電源から電気的に絶縁する こ と によ り 、 殆んど の輝点画素或いは滅点画素を 目立たなく する こ とができ、 あ たかも正常な画素と して動作させるこ とができ る。 なお、 上 記の修復処理後、 再度、 全ての画素 3 1 を同一の条件で駆動 しつつ表示面を観察すれば、 修復すべき欠陥を含んでいるに もかかわらず先の顕微鏡による観察で見出すこ と のできなか つた E L素子 3 0 a または 3 0 b を容易に検出する こ とがで きる。 したがって、 こ こで検出された E L素子 3 0 a または 3 0 b についても先の修復処理によ り 電源から電気的に絶縁 してもよい。
画素 3 1 に図 9 の構造を採用する場合、 金属部 2 3 , 1 2 3 は同一のプロ セ スで形成しても よい。 また、 ポ リ シ リ コ ン 部 1 1 4 と ポ リ シ リ コ ン層 1 4 の ソース . ド レイ ン と は同一 のプロ セスで形成しても よい。
次に、 本発明の第 2態様について説明する。 第 1 態様では、 輝点或いは滅点を生じた画素 3 1 を、 ポ リ シリ コンなどの半 導体からなる構成要素へのレーザ光照射を行う こ と によって 処理した。 第 2態様では、 輝点或いは滅点を生じた画素 3 1 を修復するための レーザ光照射は、 第 1 態様と 同様、 画素回 路の絶縁層 2 6 b と絶縁基板 1 1 と の間に位置した部分に対 して行う。 但し、 第 2態様では、 画素回路の レーザ光を照射 する部分の寸法と、 その位置にレーザ光が形成する ビームス ポッ ト と の寸法と を等しく する。 これによ り 、 第 2態様では、 レーザ光照射を行う べき構成要素の材料と して、 ポリ シリ コ ンなどの半導体に加え、 金属材料も使用可能とする。
図 1 1 は、 本発明の第 2態様に係る修復方法の一例を概略 的に示す平面図である。 なお、 図 1 1 は、 図 1 に示したのと ほぼ同様の構造を有する有機 E Lディ スプレイ 1 を基板 1 1 側から見た場合に観察され得る構造を示している。 また、 図 1 1 において、 参照符号 6 0 a及ぴ 6 0 b はレーザ光のビー ムスポッ ト の位置を示している。
図 1 1 の構造において、 隔壁絶縁層 2 6 を構成している絶 縁層 2 6 b には、 陽極 2 5 に対応した形状， こ こでは略正八 角形状， の貫通孔が設けられている。 こ の絶縁層 2 6 b は、 有機絶縁体からな り 、 駆動用 ト ランジスタ 2 0 などを含む画 素回路を被覆している。 第 2態様では、 輝点または滅点を生じた有機 E L素子を切 離すためのレーザ光照射は、 第 1 態様と同様、 画素回路の絶 縁層 2 6 b と絶縁基板 1 1 との間に位置した部分に対して行 う。 例えば、 図 1 1 に示すよ う に、 ビームスポッ トが位置 6 0 a または位置 6 0 b に形成される よ う にレーザ光照射を行 う。
例えば H R C (ハー ド レジン コ ー ト ） に代表されるァク リ ル樹脂などの よ う に、 絶縁層 2 6 b の材料と して使用する有 機絶縁体の多く は、 光透過性の無機絶縁体と比較して、 ポリ シリ コン層 1 4 などの半導体層の分断などに使用する レーザ 光やソース · ド レイ ン電極 2 3 などの金属層の溶断に使用す る レーザ光をよ り 高い効率で吸収する。 なお、 半導体層の分 断やアモルフ ァ ス化並びに溶断には、 例えば、 Y A G レーザ の第二高調波を利用する こ とができ る。
また、 絶縁層 2 6 b は、 比較的厚い層であって、 表示には 寄与していない。 しかも、 基板 1 1 と絶縁層 2 6 b との間に は、 レーザ光照射によってダメージを受け易い有機物層 2 7 や陰極 2 8 は存在していない。
したがって、 金属層を溶断する場合、 以下のよ う にレーザ 光照射を行えば、 その周辺部がダメージを受けるのを抑制す る こ とが可能と なる。 こ こでは、 位置 6 0 a で ド レイ ン電極 2 3 を溶断する場合を例に説明する。
レーザ光が ド レイ ン電極 2 3 の表面の位置に形成する ビー ムスポッ ト の寸法が ド レイ ン電極 2 3 の幅よ り も大きいと、 レーザ光照射を開始してから ド レイ ン電極 2 3 が溶断するま での期間に、 一部のレーザ光が絶縁層 2 6 b に入射する。 ド レイ ン電極 2 3 は金属材料からなるため、 その溶断には比較 的大きなエネルギーが必要である。 それゆえ、 絶縁層 2 6 b の破壊に起因 した陰極 2 8 と ド レイ ン電極 2 3 などとの短絡 や陰極 2 8 の破壌を生じる可能性がある。 例えば、 陰極 2 8 が部分的に欠落する と、 その欠落部から絶縁層 2 6 b を介し て有機物層 2 7 な どに水分が侵入するおそれがある。
これに対し、 レーザ光が ドレイ ン電極 2 3 の表面の位置に 形成する ビームス ポ ッ ト の寸法を ド レイ ン電極 2 3 の幅と等 しく する と、 レーザ光照射を開始してから ド レイ ン電極 2 3 が溶断するまでの期間にレーザ光が絶縁層 2 6 b に入射する こ とがない。 すなわち、 この場合、 レーザ光が絶縁層 2 6 b に入射する期間は、 ドレイ ン電極 2 3 が溶断した後のみとな る。 ド レイ ン電極 2 3 が溶断した後、 直ちにレーザ光照射を 停止すれば、 絶縁層 2 6 b の破壌を生じる こ と なく 、 絶縁層 2 6 b にレーザ光を吸収させる こ と ができ る。 換言すれば、 絶縁層 2 6 b が破壌する のを防止する と と もに、 レーザ光が 陰極 2 8 に到達する のを抑制する こ とが可能と なる。 したが つ て、 ド レイ ン電極 2 3 と陰極 2 8 と の短絡や陰極 2 8 の破 壌が生じるのを防止する こ とができ る。
また、 有機 E L素子 3 0 への電力供給を低減するための レ 一ザ光照射を、 金属層に対して行う 代わ り に、 半導体層に対 して行う と、 各種制御が.容易になる。
半導体層を分断またはアモルフ ァ ス化するために必要なレ 一ザ光のエネルギーは、 金属層を溶断するために必要なレー ザ光のエネルギーよ り も小さい。 そのため、 よ り長い時間に わたって絶縁層 2 6 b にレーザ光が照射されたと しても、 ド レイ ン電極 2 3 と陰極 2 8 と の短絡や陰極 2 8 の破壊が生じ るのを防止する こ とができる。 したがって、 金属層を溶断す る代わ り に半導体層を分断またはアモルフ ァ ス化する と、 よ り容易に有機 E L素子 3 0への電力供給を低減する こ とがで さ る。
陰極 2 8 などの破壊を防止可能なレーザ光照射条件の例を 以下に記載する。
図 1 2 は、 レーザ光照射試験に利用 した有機 E Lディ スプ レイ の一部を概略的に示す平面図である。 なお、 図 1 2 は、 図 1 に示したの と ほぼ同様の構造を有する有機 E Lディ スプ レイ 1 を基板 1 1 側から見た場合に観察され得る構造の一部 : 具体的にはポ リ シ リ コ ン層 1 4 , を拡大して示 している。 こ のポリ シ リ コ ン層 1 4 は基板 1 1 と絶縁層 2 6 b と の間に位 置している。
本例では、 ポリ シ リ コ ン層 1 4 の幅は 3 μ mと し、 厚さは 0 . 5 /i mと した。 また、 レーザ光がポリ シ リ コ ン層 1 4 の 表面の位置に形成する ビームスポッ トは矩形状と し、 その寸 法は 3 m X 6 μ ηιと した。
このよ う な条件のも と、 ポリ シ リ コ ン層 1 4 にレーザ光を 照射し、 レーザ光照射後のポリ シリ コ ン層 1 4及び陰極 2 8 の状態並びに減点化の可否を調べた。 その結果を以下の表に 示す。 o
照射エネルギー ポリシリコン層
陰圍 -、極の状態、 滅点化 密度（mj / μπι2 ) の状態
o
0. 0 1 67 非分断 〇 否
0. 0250 非分断 □ 否
0. 0333 非分断 □ 否
0. 0417 分断 □ 可
0 . 0833 分断 Δ 可 分断 厶 可
0. 1667 分断 Δ 可 上記表において、 「ポリ シ リ コ ン層の状態」 は、 顕微鏡で 観察した、 レーザ光照射後のポリ シリ コン層 1 4 の状態を示 している。 また、 「〇」 は、 陰極 2 8 が レーザ光照射による 影響を受けなかったこ と を示している。 「口」 は、 ビームス ポッ ト 6 0 のポリ シリ コン層 1 4 と の非重複部に対応した位 置で陰極 2 8 に穴あきが生じたこ と を示している。 「△」 は ビームス ポ ッ ト 6 0 に対応した位置全体で陰極 2 8 に穴あき が生じたこ と を示している。
上記の例では、 照射エネルギー密度が 0 . 0 3 3 3 m JZ μ πι 2よ り も大きい場合、 画素 3 1 を滅点化するこ とができ た。 また、 こ の例では、 照射エネルギー密度が 0 . 0 8 3 3 m J/ μ m 2よ り も小さい場合、 ビームスポッ ト 6 0 とポリ シ リ コン層 1 4 との重複部に対応した位置で陰極 2 8 に穴あき は生じていない。
ポリ シリ コ ン層 1 4 のビームスポッ ト 6 0 との重複部の体 積 Vは、 3 ^ πι Χ 3 ;α ιη Χ 0 . 5 μ 4 . 5 μ πι 3であ る。 したがって、 ビームスポッ ト 6 0 の寸法をポ リ シ リ コ ン層 1
4 の幅と一致させる場合、 先の体積 V ( m 3) と照射エネ ルギー R ( m J ) とが以下の不等式に'示す関係を満足してい れば、 陰極 2 8 に穴あき を生じる こ と なく 画素 3 1 を滅点化 する こ と ができ る。
0 . 0 6 7 X V < R < 0 . 1 7 X V
次に、 本発明の第 3態様について説明する。 第 1 及ぴ第 2 態様では、 レーザ光照射は、 画素回路の絶縁層 2 6 b と絶縁 基板 1 1 と の間に位置した部分に対して行った。 これに対し、 第 3態様では、 陽極 2 5 の下地と して有機絶縁体からなる平 坦化層を設け、 レーザ光照射は、 画素回路の平坦化層と絶縁 基板 1 1 との間に位置する層に対して行う。
図 1 3 は、 本発明の第 3態様に係る有機 E Lディ スプレイ を概略的に示す断面図である。 この有機 E Lディ スプレイ 1 は、 パッシベーショ ン膜 2 4 と陽極 2 5及ぴ絶縁層 2 6 a と の間に有機絶縁体からなる平坦化層 2 9 が設け られている こ と以外は、 図 1 の有機 E Lディ スプレイ 1 と 同様の構造を有 してレ、る。
例えば、 アク リ ル樹脂などのよ う に、 平坦化層 2 9 の材料 と して使用する有機絶縁体の多く は、 半導体層の分断ゃァモ ルフ ァ ス化に使用する レーザ光並びに金属層の溶断に使用す る レーザ光を高い効率で吸収する。 そのため、 レーザ光照射 すべき半導体層または金属層が基板 1 1 と平坦化層 2 9 と の 間にあれば、 平坦化層 2 9 を第 2態様で絶縁層 2 6 b に関 し て上述したのと同様の用途で利用する こ とができる。 すなわ ち、 第 2態様で説明 したの と 同様の レーザ光照射を平坦化層 2 9 よ り 下層で行う こ と によ り 、 電極間の短絡や陰極 2 8 の 破壌を生じる こ となく加工を行う こ とができ る。
本態様では、 先のレーザ光照射は、 平坦化層 2 9 と絶縁層 2 6 b と の重複部に対して行 う こ と が望ま しい。 こ うする と 、 平坦化層 2 9及び絶縁層 2 6 b の双方にレーザ光を吸収させ る こ と ができ る。
上述した第 1 乃至第 3態様では、 陽極 2 5 をパッシベーシ ョ ン膜 2 4上に設けたが、 陽極 2 5 は層間絶縁膜 2 1 上に、 つま り 映像信号線 4 2 と陽極 2 5 と を同一平面上に設けても よい。 また、 上記態様では有機 E Lディ スプレイ 1 を素子の 形成されたア レイ基板側を表示面とする下面発光型と した力 対向基板側を表示面とする上面発光型とする こ と もでき る。 下面発光型と した場合にはモジュール組み立て後に加工作業 をする こ とが可能となる。 さ らに、 ア レイ基板 2 を対向基板 3 によ り シーリ ングする場合、 基板間の空間に乾燥剤を封入 する こ と で、 素子の長寿命化を図る こ と も可能であ り 、 また、 対向基板 3 とアレイ基板 2 と の間に樹脂を充填して放熱特性 を向上させる こ と もでき る。
さ らなる利益及び変形は、 当業者には容易である。 それゆ え、 本発明は、 そのよ り 広い側面において、 こ こに記載され た特定の記載や代表的な態様に限定されるべきではない。 し たがって、 添付の請求の範囲及ぴその等価物によって規定さ れる本発明の包括的概念の真意または範囲から逸脱しない範 囲内で、 様々な変形が可能である。

Claims

δ冃 求 の 範
1 . 光透過性の絶縁基板と、 電源端子と、 前記絶縁基板上 でマ ト リ ク ス状に配列する と と もにそれぞれ有機 E L素子及 ぴ前記電源端子から前記有機 E L素子への電力の供給を制御 する画素回路を備えた複数の画素と、 前記画素回路を被覆す る と と もに前記有機 E L素子と前記絶縁基板の間に介在した 有機平坦化膜と を具備した有機 E Lディ スプ レイ の製造方法 であって、
前記複数の画素の中から滅点及び/または輝点と して視認 され得る ものを選択する こ と と、
前記選択した画素に含まれる前記画素回路の う ち前記有機 平坦化膜と前記絶縁基板と の間に位置した部分に前記絶縁基 板を介してエネルギー線を照射して、 前記選択した画素に含 まれる前記有機 E L素子を前記電源端子から電気的に切断す る こ と と を含んだ方法。
2 . 前記有機 E L ディ ス プ レイ は、 前記有機平坦化膜を介 して前記画素回路の少なく と も一部を被覆する と と もに前記 有機 E L素子を取り 囲んだ隔壁絶縁層をさ らに具備し、 前記 隔壁絶縁層は有機絶縁層を含み、
前記エネルギー線は、 前記選択した画素に含まれる前記画 素回路の う ち前記有機平坦化膜と前記絶縁基板と の間であ り 且つ前記有機絶縁層と前記絶縁基板と の間に位置した部分に 照射する請求項 1 に記載の方法。
3 . 前記エネルギー線の照射は、 前記画素回路のエネルギ 一線が照射される部分の体積 V ( μ m 3 ) とその部分に照射 する前記エネルギー線のエネルギー R ( m J ) とが不等式 ： 0 . 0 6 7 X V < R < 0 . 1 7 X Vに示す関係を満足する よ う に行う請求項 1 に記載の方法。
4 . 光透過性の絶縁基板と、 電源端子と、 前記絶縁基板上 でマ ト リ クス状に配列する と と もにそれぞれ有機 E L素子及 ぴ前記電源端子から前記有機 E L素子への電力の供給を制御 する画素回路を備えた複数の画素と、 前記画素回路の少なく と も一部を被覆する と と もに前記有機 E L素子を取り 囲んだ 隔壁絶縁層と を具備し、 前記隔壁絶縁層は有機絶縁層を含ん だ有機 E Lディ ス プ レイ の製造方法であって、
前記複数の画素の中から滅点及び Zまたは輝点と して視認 され得る も のを選択する こ と と、
前記選択した画素に含まれる前記画素回路の う ち前記有機 絶縁層と前記絶縁基板と の間に位置した部分に前記絶縁基板 を介してエネルギー線を照射して、 前記選択した画素に含ま れる前記有機 E L素子を前記電源端子から電気的に切断する こ と と を含んだ方法。
5 . 光透過性の絶縁基板と、 電源端子と、 前記絶縁基板上 でマ ト リ タ ス状に配列する と と もにそれぞれ有機 E L素子及 ぴ前記電源端子から前記有機 E L素子への電力の供給を制御 する画素回路を備えた複数の画素と を具備した有機 E Lディ ス プ レイ の製造方法であって、
前記複数の画素の中から滅点及び/または輝点と して視認 され得る ものを選択する こ と と、
前記選択した画素に含まれる前記画素回路の一部に前記絶 縁基板を介してエネルギー線を照射して、 前記選択した画素 に含まれる前記有機 E L素子を前記電源端子から電気的に切 断する こ と と を含み、 前記エネルギー線の照射は、 前記画素 回路のエネルギー線が照射される部分の体積 V ( μ m 3 ) と その部分に照射する前記エネルギー線のエネルギー R ( m J ) とが不等式 ： 0 . 0 6 7 X Vく Rく 0 . 1 7 X Vに示す関 係を満足する よ う に行う方法。
6 . 前記画素回路は、 第 1 電源端子に接続された第 1端子 と制御端子とそれらの間の電圧に対応した大き さで駆動電流 を出力する第 2端子と を備えた駆動制御素子を具備し、 前記 有機 E L素子は前記第 2端子と第 2電源端子との間に接続さ れ、 前記エネルギー線は前記駆動制御素子に照射する請求項 1 乃至請求項 5 の何れか 1 項に記載の方法。
7 . 前記画素回路は、 第 1 電源端子に接続された第 1 端子 と制御端子とそれらの間の電圧に対応した大き さで駆動電流 を出力する第 2端子と を備えた駆動制御素子を具備し、 前記 有機 E L素子は前記第 2端子と第 2電源端子と の間に接続さ れ、 前記エネルギー線は、 前記第 1 電源端子と前記第 1 端子 と を接続する配線または前記第 2端子と前記有機 E L素子と を接続する配線に照射する請求項 1 乃至請求項 5 の何れか 1 項に記載の方法。
8 . 第 1 電源端子に接続された第 1 端子と制御端子とそれ らの間の電圧に対応した大き さで駆動電流を出力する第 2端 子と を備えた駆動制御素子を具備し、
前記有機 E L素子は、 互いに離間 し且つ前記第 2端子に並 列的に接続された複数の陽極と、 第 2電源端子に接続される と と もに前記複数の陰極と対向 した陰極と、 前記複数の陽極 と前記陰極と の間に介在し且つ発光層を含んだ有機物層と を 備え、
前記エネルギー線は、 前記選択した画素に含まれる前記複 数の陽極の 1 つと前記第 2端子と を接続している配線に照射 する請求項 1 乃至請求項 5 の何れか 1 項に記載の方法。
9 . 前記画素回路の前記エネルギー線を照射する部分はポ リ シ リ コ ンからなる請求項 1 乃至請求項 5 の何れか 1項に記 載の方法。
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