JP4368908B2 - 有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents

有機電界発光表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4368908B2
JP4368908B2 JP2007134463A JP2007134463A JP4368908B2 JP 4368908 B2 JP4368908 B2 JP 4368908B2 JP 2007134463 A JP2007134463 A JP 2007134463A JP 2007134463 A JP2007134463 A JP 2007134463A JP 4368908 B2 JP4368908 B2 JP 4368908B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
sealing material
light emitting
sealing
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007134463A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008165170A (ja
Inventor
昇勇 宋
永瑞 崔
▲クァン▼熙 李
善英 丁
五俊 權
寧▲チョル▼ 朱
志勳 柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020070000637A external-priority patent/KR100786465B1/ko
Priority claimed from KR1020070009701A external-priority patent/KR100796128B1/ko
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of JP2008165170A publication Critical patent/JP2008165170A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4368908B2 publication Critical patent/JP4368908B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8428Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、有機電界発光表示装置の製造方法に関し、特に、検査用の配線上に配置された封止基板をとり除く有機電界発光表示装置の製造方法に適用して好適である。
一般に、複数の有機電界発光表示装置(Organic Light Emitting Display)の画素部は、一つの基板上で形成された後スクライビング(scribing;分割)されて個々のパネルに分離される。このようなパネルの不良有無を検査する方法は大きく二つに分けられる。
一番目の方法は、基板をそれぞれのパネルにスクライビングして別に検査を遂行することである。ここで、パネルに対する検査はパネル単位の検査装備で遂行される。もし、パネルを構成する回路配線が変更されたり、パネルの大きさが変更される場合、検査装備を変更しなければならないか、検査のために要求されるジグ(zig)が変更されなければならないという問題点が発生する。また、それぞれのパネルを別に検査しなければならないので、検査の効率性も落ちることになる。
二番目の方法は、基板を一つの行または列単位にスクライビングしてスティック(stick)単位の検査を遂行することである。
大韓民国公開特許第2002-41674号及び大韓民国公開特許第1999-3277号には、液晶表示装置(Liquid Crystal Display)に対してスティック単位で検査を遂行する方法が開示される。この公開特許等はそれぞれのパネルが液晶で構成されることを前提としており、スティック単位の検査を遂行するためにスティックの両側に検査用パッドを具備することを特徴としている。特に、スティック単位の検査工程は、肉眼検査を遂行するために具備されると記述されている。
液晶表示装置の場合、液晶が上部基板と下部基板の間に注入される工程が必須的に介在され、特性検査の項目が肉眼検査に集中されるのでスティック単位で検査が遂行されても検査時間が長くなるという問題は発生しない。しかし、有機電界発光表示装置の場合、有機発光層が既に形成された状態で肉眼検査の外に複数の検査項目が要求される。したがって、有機電界発光表示装置のパネル検査をスティック単位で遂行するようになれば検査時間が長くなる。すなわち、有機電界発光表示装置のパネル検査はスクライビングする前に元長単位(Sheet Unit単位)で行われなければならない必要がある。
以下では図面を参照し、元長単位で形成された有機電界発光表示装置を検査するための有機電界発光表示装置の製造方法を具体的に説明する。
図1は元長単位で形成された有機電界発光表示装置の断面図である。図1を参照すれば、マザー基板110上には複数の有機電界発光素子を含む複数の画素部120が形成される。有機電界発光素子はアノード電極、発光層及びカソード電極を含んで形成されるが、アノード電極は画素定義膜の開口部底面に形成された薄膜トランジスターのドレイン電極と電気的に連結されて、アノード電極の上部に発光層が形成され、発光層と画素定義膜上にカソード電極が形成される。
このような有機電界発光素子は、アノード電極及びカソード電極に所定の電圧が印加されれば、アノード電極から注入されたホールがホール輸送層を経由して発光層に移動されて、カソード電極から注入された電子が電子輸送層を経由して発光層に注入される。この時、発光層で電子とホールが再結合して励起子(exiton)を生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化されるにつれて、発光層の蛍光性分子が発光することで画像が具現される。
また、マザー基板110の外郭には元長単位でパネルを検査するための元長配線130が形成される。元長配線130は外部から信号の供給を受けて、供給を受けた駆動信号をパネルと接続されたライン(図示せず)に供給することで元長単位でパネルを検査できるようにする。
このように、元長単位でマザー基板110上に形成された複数の画素部120を検査するためにはマザー基板110の外郭に形成された元長配線130を外部で露出させて外部から信号の供給を受けてそれぞれの画素部120の不良を検査する。この時、外部から信号の供給を受けるために元長配線130上部に配置された封止基板150をとり除いて元長配線130を外部で露出させる。
大韓民国公開特許10−2004−0011671号明細書 大韓民国公開特許10−2003−0094849号明細書
しかしながら、マザー基板110は封止基板150と合着される時、基板110及び封止基板150に数ないし数十トン単位の圧力が印加されて、元長配線130が形成された基板110の最外郭領域と封止基板150の最外郭領域が接触されることがあるという問題点がある。このように、基板110と封止基板150が接触されれば、基板110と封止基板150の間に静電気的力が発生されて、元長配線130上部に形成された封止基板150を切断した後とり除く時、元長配線130表面が損傷されて元長検査を遂行することができないという問題点が発生する。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、元長配線上に配置された封止基板を容易にとり除くことが可能な、新規かつ改良された有機電界発光表示装置の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、マザー基板上に複数の画素部を形成する段階と、前記マザー基板の外郭に複数の画素部を検査するための検査用配線を形成する段階と、前記マザー基板と離隔されて封止される封止基板の一面に前記画素部をそれぞれ取り囲むように密封材を形成する段階と、前記密封材が形成された前記封止基板の外側にスペーサを形成する段階と、前記密封材で前記マザー基板と前記封止基板を接合して前記各画素部を密封する段階と、前記検査用配線が露出するように前記検査用配線上部に配置された前記封止基板の一部を切断してとり除く段階と、を含む有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
前記スペーサは前記密封材と同じ材質からなることができる。前記スペーサは前記検査用配線の上部に対応するように形成されることができ、前記スペーサは前記検査用配線が形成されたマザー基板の前記検査用配線の少なくとも一側の上部に対応するように形成されることができる。
前記密封材は無機密封材であり、前記マザー基板と前記封止基板を接合させる段階は、前記無機密封材にレーザービームまたは赤外線の中でいずれか一つを照射して前記無機密封材を溶融させる段階とを含むことができる。前記無機密封材はフリットガラスに成り得る。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、画素領域と非画素領域に分けられた基板の画素領域に有機電界発光素子を形成し、非画素領域に駆動ドライバー及びパッド部を形成する段階と、前記基板と所定間隔離隔されて封止される封止基板の一面に前記画素領域を取り囲むように密封材を形成する段階と、前記封止基板に形成された前記密封材の外側の一領域にスペーサを形成する段階と、前記密封材で前記基板と前記封止基板を接合して前記画素領域を密封する段階と、前記パッド部が露出するように前記パッド部上部に配置された前記封止基板の一部を切断してとり除く段階と、を含む有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
前記スペーサは前記密封材と同じ材質からなることができる。前記スペーサは前記パッド部上部に対応するように形成されることができ、前記密封材は前記駆動ドライバー上部に対応するように形成されることができる。
前記露出したパッド部は軟性印刷回路基板と接続される段階をさらに含むことができ、前記密封材は無機密封材であり、前記基板と前記封止基板を接合させる段階は前記無機密封材にレーザービームまたは赤外線の中でいずれか一つを照射して前記無機密封材を溶融させる段階を含むことができ、前記無機密封材はフリットガラスからなることができる。
本発明によれば、検査用配線の外側のマザー基板と封止基板の間にスペーサを形成して検査用配線と封止基板の間隔を一定に維持させて基板と封止基板が接触されることを防止することができる。これによって、検査用配線上部に配置された封止基板をより容易にとり除いて、元長単位検査を遂行することができて検査時間を減少させることができる。
また、本発明によれば、パッド部上にスペーサを形成してパッド部と封止基板の間隔を一定に維持させて基板と封止基板が接触されることを防止することができる。これによって、パッド部上に配置された封止基板をより容易にとり除くことができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図2は、本発明の第1実施例による元長単位の有機電界発光表示装置を図示した平面図である。図3は、本発明の第2実施例による元長単位の有機電界発光表示装置を図示した平面図である。図4は、本発明の第3実施例による元長単位の有機電界発光表示装置を図示した平面図である。図5は、本発明の第4実施例による元長単位の有機電界発光表示装置を図示した平面図である。
図2ないし図5を参照すれば、有機電界発光表示装置200は複数の画素部220、走査駆動部、データ駆動部及び元長配線(検査用配線)を含む。画素部220は走査ライン及びデータラインの間にマトリックス方式で連結された複数の有機電界発光素子が形成される。有機電界発光素子は第1電極、発光層、第2電極で形成される。
画素部220に形成された複数の有機電界発光素子はね水気及び酸素に露出される場合、劣化されるので、有機電界発光素子を外部から密封させる。画素部220を密封させるためには、封止基板(図示せず)内側面にマザー基板210上に形成されたそれぞれの画素部220まわり方向に対応される領域に密封材240を塗布した後、封止基板(図示せず)をマザー基板210に接合させる。
また、マザー基板210の外郭には元長単位でパネルを検査するための元長配線(図示せず)が形成される。元長配線は外部から信号の供給を受けて、供給を受けた駆動信号をパネルと接続されたライン(図示せず)に供給することで元長単位パネルを検査することができるようにする。
一方、マザー基板210上に形成された元長配線と封止基板の間または元長配線が形成されたマザー基板210の少なくとも一側と、封止基板の間にスペーサ250が形成されることができる。スペーサ250は元長単位でパネルを検査するために形成される元長配線上部に配置された封止基板をより容易にとり除くために形成される。説明の便宜上、本実施例では基板210と封止基板の最外郭にスペーサ250を形成する。このようなスペーサ250は元長配線と封止基板を所定距離離隔させて基板210と封止基板が接触されることを防止し、元長配線上部に配置された封止基板をより容易にとり除く。
このような、スペーサ250は基板210の最外郭のまわり方向に沿って四角形状で形成されるか、図3、図4及び図5(350、450、550)のように棒状、球形等の多様なパターンで形成されることができる。また、スペーサ250は多様な材料で使用されうるが、望ましくはフリットガラスで形成されることができる。例えば、フリットガラスはK2O、Fe2O3、Sb2O3、ZnO、P2O5、V2O5、TiO2、Al2O3、B2O3、WO3、SnO及びPbOからなる群から選択された一つ以上の物質で形成されることができる。また、スペーサ250はフリットガラスで形成されることによって、スペーサ250が基板210上に附着したり脱着されたりしても基板210上に付かない。
図6aないし図6cは、図2のI-I線を切断した断面図で、元長単位に形成された有機電界発光表示装置を検査するための有機電界発光表示装置の製造方法を現わす工程手順図である。
図6aを参照すれば、有機電界発光表示装置200を元長単位で検査するためには複数の有機電界発光素子を含む画素部220が形成されたマザー基板210を準備する。また、マザー基板210の外郭には元長単位でパネル220を検査するための元長配線230がさらに形成される。
元長配線230は元長単位の有機電界発光表示装置200を元長単位で検査するために形成されるもので、元長配線230を通じてそれぞれの画素部220に信号を印加させて画素部220の不良有無を検査することができるようにする。また、マザー基板210上に形成された有機電界発光素子を密封させるために、それぞれの画素部220のまわり方向に対応される封止基板260の内側面に密封材240を塗布して、封止基板260をマザー基板210上に合着させる。密封材240はスペーサ250と同じ物質で形成することができる。
一方、マザー基板210の最外郭にスペーサ250を形成する。スペーサ250はマザー基板210の最外郭に対応される封止基板260の内側面に形成されることによって、マザー基板210と封止基板260の間を一定に維持させる。このように、マザー基板210と封止基板260はスペーサ250の高さほど互いに離隔されて、封止基板260とマザー基板210に合着させる時、マザー基板210と封止基板260の最外郭領域が接触されることを防止することができる。これによって、元長配線230の上部に配置された封止基板260をより容易にとり除くことができる。
以後、密封材240にレーザーまたは赤外線を照射して密封材240を溶融させる。図6bを参照すれば、元長配線230を外部に露出させるために、元長配線230上部に配置された封止基板260aを切断してとり除く。この時、切断された封止基板260aに形成されたスペーサ250はレーザーまたは紫外線を利用して溶融させないことで、元長配線230上部に配置された封止基板260aが切断されて除去される時、封止基板260aと一緒にマザー基板210から除去される。また、切断された封止基板260a内側面に附着されたスペーサ250は、基板210と接着性を持っておらず、封止基板260aが除去されるマザー基板210上に付かない。
図6cを参照すれば、外部に露出された元長配線230は、外部から駆動信号の供給を受けるための伝送手段、例えば、プローブ(probe:270)によって駆動信号の供給を受けて、その駆動信号をそれぞれの画素部220と接続されたラインに供給することでマザー基板210上に形成された画素部220の不良有無を検査することができる。
図7は、本発明による有機電界発光表示装置を図示した平面図である。図7を参照すれば、有機電界発光表示装置600は画素領域620と非画素領域630に分けられて、画素領域620には第1電極、有機薄膜層及び第2電極からなる複数の有機電界発光素子640が形成されて、画素領域620のまわり方向に沿って塗布された密封材690によって前記基板610と合着された封止基板670を含む。
有機電界発光表示装置600の基板610は、画素領域620と、画素領域620を取り囲む非画素領域630に定義される。基板610の画素領域620には走査ライン651及びデータライン671の間にマトリックス方式で連結された複数の有機電界発光素子640を形成し、非画素領域630には画素領域620の走査ライン651及びデータライン671から延長された走査ライン651及びデータライン671、有機電界発光素子640の動作のための電源供給ライン(図示せず)、そしてパッド部680を通じて外部から提供された信号を処理して走査ライン651及びデータライン671に信号を供給する走査駆動部650及びデータ駆動部670を形成する。
図8は図7のI-I線を図示した断面図である。図8を参照すれば、画素領域に形成された有機電界発光素子640は、第1電極であるアノード電極617及び第2電極であるカソード電極619と、アノード電極617及びカソード電極619の間に形成された有機発光層618で成る。有機発光層618は正孔輸送層、有機発光層618及び電子輸送層が積層された構造で形成され、正孔注入層と電子注入層がさらに含まれることができる。また、有機電界発光素子640の動作を制御するためのスイッチングトランジスターと信号を維持させるためのキャパシターがさらに含まれることができる。
まず、画素領域及び非画素領域の基板610上にバッファー層を形成する。バッファー層は熱による基板610の被害を防止して基板610からイオンが外部に拡散することを遮断するためのもので、シリコン酸化膜SiO2やシリコン窒化膜SiNxのような絶縁膜で形成する。
画素領域のバッファー層上に活性層を提供する半導体層を形成した後半導体層を含む画素領域の全体上部面にゲート絶縁膜612を形成する。
半導体層上部のゲート絶縁膜612上にゲート電極613を形成する。この時画素領域にはゲート電極613と連結される走査ラインが形成されて、非画素領域には画素領域620の走査ラインから延長される走査ラインが形成される。ゲート電極613及び走査ラインはモリブデンMo、タングステンW、チタンTi、アルミニウムAlないの金属、またはこれら金属の合金や積層構造で形成する。
ゲート電極613を含む画素領域及び非画素領域の全体上部面に層間絶縁膜614が形成される。そして層間絶縁膜614とゲート絶縁膜612をパターニングして半導体層の所定部分が露出するようにコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを通じて半導体層と連結されるようにソース及びドレイン電極615a及び615bを形成する。この時、画素領域にはソース及びドレイン電極615a及び615bと連結されるデータラインが形成されて、非画素領域には画素領域のデータラインから延長されるデータライン及び外部から信号の提供を受けるためのパッド部680が形成されるようにする。
ソース及びドレイン電極615a及び615b、データライン及びパッド部680はモリブデンMo、タングステンW、チタンTi、アルミニウムAlなどの金属、またはこれら金属の合金や積層構造で形成する。
画素領域及び非画素領域の全体上部面に平坦化層616を形成して薄膜が形成された基板610を平坦化させる。そして、前記画素領域の平坦化層616をパターニングしてソースまたはドレイン電極615aまたは615bの所定部分が露出するようにビアホールを形成し、ビアホールを通じてソースまたはドレイン電極615aまたは615bと連結されるアノード電極617を形成する。
アノード電極617の一領域が露出するように平坦化層616上に画素定義膜を形成した後、露出したアノード電極617上に有機発光層618を形成して、有機発光層618を含む画素定義膜上にカソード電極619を形成する。
また、封止基板670は画素領域及び駆動ドライブ、すなわち、データドライブ領域に対応される大きさで形成される。封止基板670としては硝子のように透明な物質からなる基板を使うことができ、望ましくはシリコン酸化物SiO2からなる基板を使うことができる。
封止基板670は基板610の外郭に沿って形成された密封材690によって封止基板670と基板610を接合させることができる。密封材690は多様な材料で使われることができ、望ましく、フリットガラスで形成されることができる。このような、フリットガラスは他の密封材より酸素及び水気の浸透を效果的に遮断させることができる。例えば、フリットガラスはK2O、Fe2O3、Sb2O3、ZnO、P2O5、V2O5、TiO2、Al2O3、B2O3、WO3、SnO及びPbOからなる群から選択された一つ以上の物質で形成される。
一方、基板610のパッド部領域上に形成されたパッド部680を軟性印刷回路基板(FPCB:Flexible Printed Circuir Board)と接続させるために、パッド部680上部に形成された封止基板670を切断してパッド部680を外部に露出させる。パッド部680は軟性印刷回路基板を通じて供給された信号をスキャンドライバー及びデータドライブ駆動部で印加させて、有機電界発光素子640を駆動させる。また、軟性印刷回路基板は有機電界発光表示装置600に制御信号を供給するコントローラーや電源を供給することができる。
図9aないし図9cは図8の有機電界発光表示装置の形成段階別断面図である。
図9aを参照すれば、それぞれの単位パネルは母基板(マザー基板:710)上に複数の有機電界発光素子720が形成された後、母基板710に対応される大きさの封止基板770を合着固定させる。以後、合着固定された母基板710と封止基板770を切断し、それぞれの単位パネルに分離させた後、それぞれの単位パネルパッド部750上に軟性印刷回路基板を連結させてそれぞれの有機電界発光表示装置で製作する。
これをより具体的に見れば、母基板710上には複数の有機電界発光素子720が形成された画素領域と、それぞれの画素領域外縁にはパッド部750及びスキャンドライバーが形成された非画素領域を含む。
一方、母基板710上部に配置された封止基板770にそれぞれの有機電界発光素子720が形成された画素領域の外郭、すなわち、データドライブ領域上部に密封材730を塗布する。またそれぞれのパッド部750上にスペーサ740を形成する。このように、パッド部750上にスペーサ740を形成することによって、最外郭母基板710と封止基板770の間はスペーサ740の高さほど互いに離隔されて、母基板710と封止基板770が接合されることを防止することができる。これによって、パッド部750上部に形成された封止基板770を容易にとり除くことができる。
密封材730とスペーサ740は同じ物質で形成され、多様な材料で使われることができるが、望ましく、フリットガラスで形成されることができる。例えば、フリットガラスは、K2O、Fe2O3、Sb2O3、ZnO、P2O5、V2O5、TiO2、Al2O3、B2O3、WO3、SnO及びPbOからなる群から選択された一つ以上の物質で形成されうる。
以後、密封材730にレーザーまたは赤外線を照射して密封材730を溶融させて封止基板770と母基板710を合着させる。これによって、母基板710に形成されたそれぞれの有機電界発光素子720は密封されて酸素及び水気から保護されることができる。この時、スペーサ740はレーザーまたは赤外線によって溶融されないことで、封止基板770のみに接合性を持っており、スペーサ740が母基板710上に附着したり脱着されたりしても基板710上に付かない。このように、密封材730を溶融させて母基板710と封止基板770を接合させた後、接合された母基板710と封止基板770を切断してそれぞれの単位パネルに分離させる。
図9bを参照すれば、それぞれの単位パネルに分離した有機電界発光表示装置は、基板710aの画素領域上に形成された複数の有機電界発光素子720a、データドライブ領域上に密封材730a、パッド部領域上にパッド部750a、パッド部750a上に形成されたスペーサ740a及び基板710aに対応される大きさの封止基板770aを含む。
図9cを参照すれば、パッド部750aは軟性印刷回路基板と接続させるために、データドライブ領域とパッド部領域の界面771aに対応される封止基板770aを切断して、パッド部750aを外部に露出させる。この時、封止基板770a内側面に形成されたスペーサ740aは、封止基板770aと接着性を持つので基板710aと自然に分離される。
このように、パッド部750a上にスペーサ740aが形成されることによって、基板710aと封止基板770aの間に発生し得る接触をあらかじめ防止し、基板710aと封止基板770aの間にパッド部750a高さほどの離隔させられる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
元長単位に形成された有機電界発光表示装置の断面図である。 本発明の第1実施例による元長単位の有機電界発光表示装置を図示した平面図である。 本発明の第2実施例による元長単位の有機電界発光表示装置を図示した平面図である。 本発明の第3実施例による元長単位の有機電界発光表示装置を図示した平面図である。 本発明の第5実施例による元長単位の有機電界発光表示装置を図示した平面図である。 図2のI-I線に沿って切断した断面図で、元長単位に形成された有機電界発光表示装置を検査するための有機電界発光表示装置の製造方法を示す工程順序図である。 図2のI-I線に沿って切断した断面図で、元長単位に形成された有機電界発光表示装置を検査するための有機電界発光表示装置の製造方法を示す工程順序図である。 図2のI-I線に沿って切断した断面図で、元長単位に形成された有機電界発光表示装置を検査するための有機電界発光表示装置の製造方法を示す工程順序図である。 本発明による有機電界発光表示装置を図示した平面図である 図7のI-I線を図示した断面図である。 図8の有機電界発光表示装置の形成段階別断面図である。 図8の有機電界発光表示装置の形成段階別断面図である。 図8の有機電界発光表示装置の形成段階別断面図である。
符号の説明
210 基板
220 有機電界発光素子
240 密封材
250 スペーサ
260 封止基板
270 プローブ

Claims (13)

  1. マザー基板上に複数の画素部を形成する段階と、
    前記マザー基板の外郭に複数の画素部を検査するための検査用配線を形成する段階と、
    前記マザー基板と離隔されて封止される封止基板の一面に前記画素部をそれぞれ取り囲むように密封材を形成する段階と、
    前記密封材が形成された前記封止基板の外側にスペーサを形成する段階と、
    前記密封材で前記マザー基板と前記封止基板を接合して前記各画素部を密封する段階と、
    前記検査用配線が露出するように前記検査用配線の上部に配置された前記封止基板の一部を切断してとり除く段階と、
    を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
  2. 前記スペーサは、前記密封材と同じ材質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  3. 前記スペーサは、前記検査用配線の上部に対応するように形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  4. 前記スペーサは、前記検査用配線が形成されたマザー基板の前記検査用配線の少なくとも一側の上部に対応するように形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  5. 前記密封材は、無機密封材であり、前記マザー基板と前記封止基板を接合させる段階は、前記無機密封材にレーザービームまたは赤外線の中でいずれか一つを照射して前記無機密封材を溶融させる段階を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  6. 前記無機密封材は、フリットガラスであることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  7. 画素領域と非画素領域に分けられた基板の画素領域に有機電界発光素子を形成し、非画素領域に駆動ドライバー及びパッド部を形成する段階と、
    前記基板と所定間隔離隔されて封止される封止基板の一面に前記画素領域を取り囲むように密封材を形成する段階と、
    前記封止基板に形成された前記密封材の外側の一領域にスペーサを形成する段階と、
    前記密封材で前記基板と前記封止基板を接合して前記画素領域を密封する段階と、
    前記パッド部が露出するように前記パッド部上部に配置された前記封止基板の一部を切断してとり除く段階と、
    を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
  8. 前記スペーサは、前記密封材と同じ材質からなることを特徴とする請求項7記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  9. 前記スペーサは前記パッド部の上部に対応するように形成されることを特徴とする請求項7又は8に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  10. 前記密封材は、前記駆動ドライバー上部に対応するように形成されることを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  11. 前記露出したパッド部は、軟性印刷回路基板と接続される段階をさらに含むことを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  12. 前記密封材は、無機密封材であり、前記基板と前記封止基板を接合させる段階は、前記無機密封材にレーザービームまたは赤外線の中でいずれか一つを照射して前記無機密封材を溶融させる段階を含むことを特徴とする請求項7〜11のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  13. 前記無機密封材は、フリットガラスであることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
JP2007134463A 2007-01-03 2007-05-21 有機電界発光表示装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4368908B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070000637A KR100786465B1 (ko) 2007-01-03 2007-01-03 유기 전계 발광표시장치의 제조방법
KR1020070009701A KR100796128B1 (ko) 2007-01-30 2007-01-30 유기 전계 발광표시장치의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008165170A JP2008165170A (ja) 2008-07-17
JP4368908B2 true JP4368908B2 (ja) 2009-11-18

Family

ID=39584667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007134463A Expired - Fee Related JP4368908B2 (ja) 2007-01-03 2007-05-21 有機電界発光表示装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7846001B2 (ja)
JP (1) JP4368908B2 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI375485B (en) * 2008-07-04 2012-10-21 Au Optronics Corp Electroluminescent display touch panel
KR101100943B1 (ko) * 2008-10-31 2011-12-29 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR101065413B1 (ko) 2009-07-03 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR101084269B1 (ko) * 2009-08-14 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 동작 방법
KR101119046B1 (ko) * 2010-01-08 2012-03-02 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP5853350B2 (ja) * 2010-03-08 2016-02-09 住友化学株式会社 電気装置
TWI451610B (zh) 2011-05-17 2014-09-01 Au Optronics Corp 發光裝置之母板結構以及發光裝置及其製造方法
KR101879831B1 (ko) * 2012-03-21 2018-07-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 플렉시블 표시 장치용 원장 기판
KR101888447B1 (ko) * 2012-05-22 2018-08-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법
KR101992273B1 (ko) * 2012-10-22 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 검사방법
KR20140118011A (ko) * 2013-03-27 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20160013486A (ko) * 2014-07-25 2016-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 모기판, 표시 장치 및 그의 제조방법
JP6462325B2 (ja) * 2014-11-14 2019-01-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法および表示装置の端子露出方法
KR102631975B1 (ko) * 2016-08-31 2024-01-31 엘지디스플레이 주식회사 하부 기판과 상부 기판 사이에 위치하는 접착층을 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN110335860B (zh) * 2019-04-25 2021-10-22 广州国显科技有限公司 显示面板及显示面板的制造方法
KR20210116803A (ko) * 2020-03-17 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1074583A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Sanyo Electric Co Ltd 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの 製造方法
TW582011B (en) * 2000-01-06 2004-04-01 Toshiba Corp Array substrate and method of inspecting the same
JP3620706B2 (ja) 2000-04-13 2005-02-16 日本精機株式会社 有機elパネルの製造方法
KR20030058616A (ko) 2001-12-31 2003-07-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 제조방법
JP4101547B2 (ja) * 2002-03-29 2008-06-18 オプトレックス株式会社 有機elディスプレイの製造方法および有機elディスプレイ用基板
KR20030094849A (ko) 2002-06-08 2003-12-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 제조방법
KR20040011671A (ko) 2002-07-29 2004-02-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
KR100544123B1 (ko) * 2003-07-29 2006-01-23 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
JP2005078932A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Asahi Glass Co Ltd 有機el発光装置及びその製造方法
JP2007005060A (ja) 2005-06-22 2007-01-11 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機elディスプレイの製造方法
KR100636502B1 (ko) 2005-08-31 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 원장단위 검사가 가능한 유기 전계발광표시장치 및 그검사방법
KR100662994B1 (ko) 2005-12-16 2006-12-28 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 모기판과 그 검사방법
JP2008140615A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Optrex Corp 光学パネルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080160864A1 (en) 2008-07-03
US7846001B2 (en) 2010-12-07
JP2008165170A (ja) 2008-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4368908B2 (ja) 有機電界発光表示装置の製造方法
JP4777219B2 (ja) 有機電界発光表示装置
KR101960745B1 (ko) 연성 표시소자 절단방법 및 이를 이용한 연성 표시소자 제조방법
JP4456090B2 (ja) 有機電界発光表示装置の製造方法
JP4486071B2 (ja) 平板表示装置及びその製造方法
US20040202777A1 (en) Laser repairing method of electroluminescent display device
KR101296650B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
WO2019082359A1 (ja) フレキシブルoledデバイスの製造方法および製造装置
JP2007200845A (ja) 有機電界発光表示装置
JP2008170926A (ja) 平板表示装置の製造方法
JP2017123216A (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2004068446A1 (ja) 有機elディスプレイの製造方法
JP2007200854A (ja) 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2008288376A (ja) 表示装置および表示装置の製造方法
JP2006221982A (ja) アレイ基板の製造方法及び有機el表示装置の製造方法
TWI407394B (zh) 畫像顯示元件及其製造方法
JP2010224422A (ja) 表示装置およびその製造方法
JP5028443B2 (ja) 有機電界発光表示装置
KR20120024461A (ko) 전자 소자의 제조 방법 및 전자 소자
KR20180127605A (ko) 표시 장치
JP2019020509A (ja) 表示装置および表示装置の製造方法
JP6462440B2 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2011107432A (ja) 電気光学装置の製造方法
JP3968519B2 (ja) 表示装置の製造方法
JP2008203636A (ja) アレイ基板の製造方法、表示装置の製造方法、アレイ基板及び表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090715

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090728

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090826

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees