JP4368908B2 - 有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents
有機電界発光表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4368908B2 JP4368908B2 JP2007134463A JP2007134463A JP4368908B2 JP 4368908 B2 JP4368908 B2 JP 4368908B2 JP 2007134463 A JP2007134463 A JP 2007134463A JP 2007134463 A JP2007134463 A JP 2007134463A JP 4368908 B2 JP4368908 B2 JP 4368908B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sealing material
- light emitting
- sealing
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 173
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 81
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 52
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 42
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 38
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
図9aを参照すれば、それぞれの単位パネルは母基板(マザー基板:710)上に複数の有機電界発光素子720が形成された後、母基板710に対応される大きさの封止基板770を合着固定させる。以後、合着固定された母基板710と封止基板770を切断し、それぞれの単位パネルに分離させた後、それぞれの単位パネルパッド部750上に軟性印刷回路基板を連結させてそれぞれの有機電界発光表示装置で製作する。
220 有機電界発光素子
240 密封材
250 スペーサ
260 封止基板
270 プローブ
Claims (13)
- マザー基板上に複数の画素部を形成する段階と、
前記マザー基板の外郭に複数の画素部を検査するための検査用配線を形成する段階と、
前記マザー基板と離隔されて封止される封止基板の一面に前記画素部をそれぞれ取り囲むように密封材を形成する段階と、
前記密封材が形成された前記封止基板の外側にスペーサを形成する段階と、
前記密封材で前記マザー基板と前記封止基板を接合して前記各画素部を密封する段階と、
前記検査用配線が露出するように前記検査用配線の上部に配置された前記封止基板の一部を切断してとり除く段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記スペーサは、前記密封材と同じ材質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記スペーサは、前記検査用配線の上部に対応するように形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記スペーサは、前記検査用配線が形成されたマザー基板の前記検査用配線の少なくとも一側の上部に対応するように形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記密封材は、無機密封材であり、前記マザー基板と前記封止基板を接合させる段階は、前記無機密封材にレーザービームまたは赤外線の中でいずれか一つを照射して前記無機密封材を溶融させる段階を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記無機密封材は、フリットガラスであることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 画素領域と非画素領域に分けられた基板の画素領域に有機電界発光素子を形成し、非画素領域に駆動ドライバー及びパッド部を形成する段階と、
前記基板と所定間隔離隔されて封止される封止基板の一面に前記画素領域を取り囲むように密封材を形成する段階と、
前記封止基板に形成された前記密封材の外側の一領域にスペーサを形成する段階と、
前記密封材で前記基板と前記封止基板を接合して前記画素領域を密封する段階と、
前記パッド部が露出するように前記パッド部上部に配置された前記封止基板の一部を切断してとり除く段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記スペーサは、前記密封材と同じ材質からなることを特徴とする請求項7記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記スペーサは前記パッド部の上部に対応するように形成されることを特徴とする請求項7又は8に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記密封材は、前記駆動ドライバー上部に対応するように形成されることを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記露出したパッド部は、軟性印刷回路基板と接続される段階をさらに含むことを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記密封材は、無機密封材であり、前記基板と前記封止基板を接合させる段階は、前記無機密封材にレーザービームまたは赤外線の中でいずれか一つを照射して前記無機密封材を溶融させる段階を含むことを特徴とする請求項7〜11のいずれかに記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記無機密封材は、フリットガラスであることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070000637A KR100786465B1 (ko) | 2007-01-03 | 2007-01-03 | 유기 전계 발광표시장치의 제조방법 |
KR1020070009701A KR100796128B1 (ko) | 2007-01-30 | 2007-01-30 | 유기 전계 발광표시장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008165170A JP2008165170A (ja) | 2008-07-17 |
JP4368908B2 true JP4368908B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=39584667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007134463A Expired - Fee Related JP4368908B2 (ja) | 2007-01-03 | 2007-05-21 | 有機電界発光表示装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7846001B2 (ja) |
JP (1) | JP4368908B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI375485B (en) * | 2008-07-04 | 2012-10-21 | Au Optronics Corp | Electroluminescent display touch panel |
KR101100943B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2011-12-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
KR101065413B1 (ko) | 2009-07-03 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101084269B1 (ko) * | 2009-08-14 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 동작 방법 |
KR101119046B1 (ko) * | 2010-01-08 | 2012-03-02 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP5853350B2 (ja) * | 2010-03-08 | 2016-02-09 | 住友化学株式会社 | 電気装置 |
TWI451610B (zh) | 2011-05-17 | 2014-09-01 | Au Optronics Corp | 發光裝置之母板結構以及發光裝置及其製造方法 |
KR101879831B1 (ko) * | 2012-03-21 | 2018-07-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 플렉시블 표시 장치용 원장 기판 |
KR101888447B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2018-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 |
KR101992273B1 (ko) * | 2012-10-22 | 2019-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 검사방법 |
KR20140118011A (ko) * | 2013-03-27 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR20160013486A (ko) * | 2014-07-25 | 2016-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 모기판, 표시 장치 및 그의 제조방법 |
JP6462325B2 (ja) * | 2014-11-14 | 2019-01-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法および表示装置の端子露出方法 |
KR102631975B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2024-01-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 하부 기판과 상부 기판 사이에 위치하는 접착층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN110335860B (zh) * | 2019-04-25 | 2021-10-22 | 广州国显科技有限公司 | 显示面板及显示面板的制造方法 |
KR20210116803A (ko) * | 2020-03-17 | 2021-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1074583A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの 製造方法 |
TW582011B (en) * | 2000-01-06 | 2004-04-01 | Toshiba Corp | Array substrate and method of inspecting the same |
JP3620706B2 (ja) | 2000-04-13 | 2005-02-16 | 日本精機株式会社 | 有機elパネルの製造方法 |
KR20030058616A (ko) | 2001-12-31 | 2003-07-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
JP4101547B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2008-06-18 | オプトレックス株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法および有機elディスプレイ用基板 |
KR20030094849A (ko) | 2002-06-08 | 2003-12-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
KR20040011671A (ko) | 2002-07-29 | 2004-02-11 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 |
KR100544123B1 (ko) * | 2003-07-29 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
JP2005078932A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asahi Glass Co Ltd | 有機el発光装置及びその製造方法 |
JP2007005060A (ja) | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機elディスプレイの製造方法 |
KR100636502B1 (ko) | 2005-08-31 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 원장단위 검사가 가능한 유기 전계발광표시장치 및 그검사방법 |
KR100662994B1 (ko) | 2005-12-16 | 2006-12-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 모기판과 그 검사방법 |
JP2008140615A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Optrex Corp | 光学パネルの製造方法 |
-
2007
- 2007-05-21 JP JP2007134463A patent/JP4368908B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-23 US US11/843,648 patent/US7846001B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080160864A1 (en) | 2008-07-03 |
US7846001B2 (en) | 2010-12-07 |
JP2008165170A (ja) | 2008-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4368908B2 (ja) | 有機電界発光表示装置の製造方法 | |
JP4777219B2 (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
KR101960745B1 (ko) | 연성 표시소자 절단방법 및 이를 이용한 연성 표시소자 제조방법 | |
JP4456090B2 (ja) | 有機電界発光表示装置の製造方法 | |
JP4486071B2 (ja) | 平板表示装置及びその製造方法 | |
US20040202777A1 (en) | Laser repairing method of electroluminescent display device | |
KR101296650B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
WO2019082359A1 (ja) | フレキシブルoledデバイスの製造方法および製造装置 | |
JP2007200845A (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
JP2008170926A (ja) | 平板表示装置の製造方法 | |
JP2017123216A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
WO2004068446A1 (ja) | 有機elディスプレイの製造方法 | |
JP2007200854A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
JP2008288376A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
JP2006221982A (ja) | アレイ基板の製造方法及び有機el表示装置の製造方法 | |
TWI407394B (zh) | 畫像顯示元件及其製造方法 | |
JP2010224422A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
JP5028443B2 (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
KR20120024461A (ko) | 전자 소자의 제조 방법 및 전자 소자 | |
KR20180127605A (ko) | 표시 장치 | |
JP2019020509A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
JP6462440B2 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP2011107432A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP3968519B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP2008203636A (ja) | アレイ基板の製造方法、表示装置の製造方法、アレイ基板及び表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090715 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090728 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090826 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |